TWI700829B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機發光顯示裝置。該有機發光顯示裝置包括：一畫素界定層，設置於一基板上，其中該畫素界定層界定一發射區域及一非發射區域；一有機發光元件，設置於該發射區域中；以及一突出部，設置於該畫素界定層在該非發射區域中之一部分上。該顯示裝置亦包括一薄膜封裝層，設置於該基板上，用於密封該有機發光元件及該突出部，該薄膜封裝層包含至少一有機膜及至少一無機膜，其中至少一有機膜相當於一功能性有機膜，且遠離該突出部設置之該功能性有機膜之一第一上表面之高度係低於靠近該突出部之頂部設置之該功能性有機膜之一第二上表面之高度。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置包括一有機發光元件(organic light-emitting device，OLED)。有機發光元件通常包含一電洞注入電極、一電子注入電極、以及設置於該電洞注入電極與該電子注入電極間之一有機發射層。有機發光顯示裝置係為一自發射式顯示元件，其在(來自電洞注入電極之電洞與來自電子注入電極之電子在有機發射層中結合時產生之)激子自激發態降至基態(ground state)時產生光。
作為一自發射式顯示元件，有機發光顯示裝置無需一額外之光源，可利用一低電壓驅動，且可配置成具有一輕薄之設計。此外，有機發光顯示裝置具有例如視角寬、對比度高、響應時間快等優異特性。因其優異特性，有機發光顯示裝置已被視為下一世代的顯示裝置。
在傳統有機發光顯示裝置中，可形成包含一有機膜之一封裝層，以密封設置於一畫素界定層上之一突出部。然而，用於傳統發光顯示裝置中之有機膜通常黏性低且在有機膜展開時可能會暴露出突出部之頂部。在傳統發光 顯示裝置中，為確保覆蓋/密封突出部，可能需增加薄膜封裝層之厚度。因此，可能導致傳統有機發光顯示裝置之厚度增加(即，形狀因數更厚)。此外，有機膜材料之處理時間及成本也會增加。
本發明旨在至少解決與在一畫素界定層上具有突出部之有機發光元件(OLED)之封裝相關之上述問題。
根據本發明之部分實施態樣，係提供一種有機發光顯示裝置。該有機發光顯示裝置包括：一畫素界定層，設置於一基板上，其中該畫素界定層界定一發射區域及一非發射區域；一有機發光元件，設置於該發射區域中；一突出部，設置於該畫素界定層在該非發射區域中之一部分上；以及一薄膜封裝層，設置於該基板上，用於密封該有機發光元件及該突出部，該薄膜封裝層包含至少一有機膜及至少一無機膜，其中至少一有機膜相當於一功能性有機膜(functional organic film)，且遠離該突出部設置之該功能性有機膜之一第一上表面之高度係低於靠近該突出部之頂部設置之該功能性有機膜之一第二上表面之高度。
在部分實施態樣中，該功能性有機膜在靠近該突出部之頂部處可具有一第一厚度，且該第一厚度之值可等於或大於約100埃(Å)。
在部分實施態樣中，該第一厚度可小於或等於靠近該突出部之頂部之該功能性有機膜之一平坦化部之厚度。
在部分實施態樣中，該突出部之頂部可設置於該功能性有機膜之第一上表面上方。
在部分實施態樣中，該突出部可相當於一設置於該非發射區域中之間隔件(spacer)。
在部分實施態樣中，該功能性有機膜可包括一光起始劑。
在部分實施態樣中，該功能性有機膜可包括一黏性可利用光或溫度進行調整的材料。
在部分實施態樣中，該有機發光顯示裝置可更包括一保護層，該保護層夾置於該有機發光元件與該薄膜封裝層之間。
在部分實施態樣中，該突出部可包括雜質。
在部分實施態樣中，該薄膜封裝層之最上層可被暴露出來，且該最上層可包括一無機膜。
在部分實施態樣中，該薄膜封裝層之最上層可被暴露出來，且該最上層可包括一有機膜。
在部分實施態樣中，該有機發光顯示裝置可更包括複數個功能性有機膜，其中該等功能性有機膜在靠近該突出部之頂部處具有不同厚度。
根據本發明之某些其他實施例，提供一種製造一有機發光顯示裝置之方法。該方法包括：於一基板上形成一畫素界定層，其中該畫素界定層界定一發射區域及一非發射區域；於該發射區域中形成一有機發光元件；於該畫素界定層在該非發射區域中之一部分上形成一突出部；以及於該基板上形成一薄膜封裝層，以密封該有機發光元件及該突出部，該薄膜封裝層包含至少一有機膜及至少一無機膜，其中至少一有機膜相當於一功能性有機膜，且遠離該突出部設置之該功能性有機膜之一第一上表面之高度係低於靠近該突出部之頂部設置之該功能性有機膜之一第二上表面之高度。
在部分實施態樣中，該方法可更包括：藉由沈積或塗覆一液體前體功能性有機膜(liquid pre-functional organic film)而形成該功能性有機膜；以及調整該液體前體功能性有機膜之黏性。
在部分實施態樣中，調整該液體前體功能性有機膜之黏性之步驟可包括：藉由調整基板之溫度或藉由將光輻照至該液體前體功能性有機膜上而調整黏性。
在部分實施態樣中，該方法可包括利用一半色調(half-tone)遮罩製程形成該突出部及該畫素界定層。
在部分實施態樣中，該功能性有機膜可包括一光起始劑。
在部分實施態樣中，該方法可包括利用閃蒸(flash evaporation)或噴墨印刷來形成該有機膜。
21:基板
22:有機發射部
30:薄膜封裝層
31:薄膜封裝層
32:薄膜封裝層
41:雜質
42:雜質
100:有機發光顯示裝置
200:有機發光顯示裝置
208:貫穿孔
211:緩衝膜
212:主動層
213:閘極絕緣膜
214:閘電極
215:層間絕緣膜
216:源電極
217:汲電極
218:平坦化膜
219:畫素界定層
220:有機發射層
221:第一電極
222:第二電極
223:突出部
225:保護層
231:間隔件
300:有機發光顯示裝置
301:第一無機膜
302:功能性有機膜
303:第二無機膜
304:第一有機膜
305:第三無機膜
306:第二有機膜
307:第四無機膜
310:無機膜
311:第一無機膜
312:第一有機膜
313:第二無機膜
314:功能性有機膜
315:第三無機膜
316:第二有機膜
317:第四無機膜
320:有機膜
321:第一無機膜
322:第一功能性有機膜
323:第二無機膜
324:第二功能性有機膜
325:第三無機膜
330:無機膜
340:有機膜
350:無機膜
360:功能性有機膜
h:高度
H:高度
I:部分
OLED:有機發光元件
t1:第一厚度
t2:第二厚度
t3:第三厚度
t4:第四厚度
TR:薄膜電晶體
第1圖係一根據本發明之一實施態樣之有機發光顯示裝置之剖視圖；第2圖係第1圖所示之有機發光顯示裝置之部分I之放大剖視圖；第3A圖至第3D圖係例示製造第2圖所示之有機發光顯示裝置之實例性方法之剖視圖；第4圖係一根據本發明另一實施態樣之有機發光顯示裝置之剖視圖；以及第5圖係一根據本發明又一實施態樣之有機發光顯示裝置之剖視圖。
現在，將參照其中所附顯示不同實施態樣之圖式來更充分地闡述本發明。在圖式中相同之參考編號表示相同之元件，因此將省略對相似元件之重複性描述。在圖式中，為清晰起見及便於說明，可能誇大元件之長度及尺寸。
應注意，本發明可實施為諸多不同形式，而不應被視為僅限於所揭露之實施態樣。此外，應理解，當闡述一層係位於另一層「上」或位於另一層「頂部」時，該層可直接位於該另一層上，抑或存在一或多個中間層。
本文所用用語係用於描述特定實施態樣，而並非旨在限制本發明。除非上下文中清楚地另外指明，否則本文所用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」旨在亦包括複數形式。更應理解，當在本文中使用用語「包含(comprise、comprising)」及/或「包括(includes、including)」時，係用於指明所述步驟、操作、及/或元件之存在，但不排除一或多個其他步驟、操作、及/或元件之存在或添加。應理解，儘管本文中可能使用用語「第一」、「第二」等來描述各種元件，然而此等元件不應受限於此等用語。此等用語僅係用於區分各個元件。
本文中所用之用語「及/或」包含所列出相關項之其中之一或多者之任意及所有組合。當例如「...中之至少一者」等表達位於一系列元件之前時，該表達係修飾整個系列元件而非修飾該系列中之單個元件。
第1圖係根據一實施態樣之有機發光顯示裝置之剖視圖。
參照第1圖，有機發光顯示裝置100包括：一有機發射部22，設置於一基板21上；以及一薄膜封裝層30，用於密封有機發射部22。
有機發射部22包括複數個能發出紅色光、綠色光、藍色光、或白色光之有機發光元件。有機發射部22可經由該等有機發光元件而顯示一影像。
薄膜封裝層30可由一透明材料形成，這使得觀察者可自有機發射部22觀察影像。薄膜封裝層30可覆蓋有機發射部22之上表面及側表面，藉 此防止空氣及濕氣到達有機發射部22。
第2圖係第1圖所示之有機發光顯示裝置100之部分I之放大剖視圖。
參照第2圖，有機發光顯示裝置100包括：一基板21、一畫素界定層219、一有機發光元件OLED、一突出部223、以及一薄膜封裝層30。有機發光顯示裝置100可更包括一緩衝膜211、一薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)TR、以及一保護層225。
基板21可由一透明玻璃材料(例如，以二氧化矽(SiO2)作為一主要成分)形成。然而，基板21並非僅限於透明玻璃材料。在部分實施態樣中，基板21可由其他材料(例如陶瓷、透明塑膠、或金屬)形成。在再一些實施態樣中，基板21可為一可彎曲之撓性基板。
緩衝膜211用作一障壁層(barrier layer)，且防止基板21中之雜質離子擴散至設置於基板21頂面上的各層中。緩衝膜211亦保護基板21免受周圍環境中空氣及濕氣之損害。此外，緩衝膜211提供一平坦表面，以供於其上沈積後續之層。在部分實施態樣中，緩衝膜211可由一無機材料(例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、或氮化鈦)形成。在其他實施態樣中，緩衝膜211可由一有機材料(例如聚醯亞胺、聚酯、或壓克力、或其一堆疊結構)形成。在某些特定實施態樣中，可省略緩衝膜211。可利用以下沈積方法形成緩衝膜211，例如電漿增強化學氣相沈積(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、常壓化學氣相沈積(atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD)、或低壓化學氣相沈積(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)。
薄膜電晶體TR包括：一主動層212、一閘電極214、一源電極216、以及一汲電極217。如第2圖所示，閘電極214與主動層212藉由夾置於二者間之一閘極絕緣膜213而彼此絕緣。
主動層212設置於緩衝膜211上。主動層212可由一無機半導體(例如非晶矽或多晶矽)或一有機半導體形成。在部分實施態樣中，主動層212可由氧化物半導體形成。氧化物半導體可包括由一或多個第12族、第13族、以及第14族金屬元素(例如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、及鉿(Hf))形成之一氧化物。
閘極絕緣膜213設置於緩衝膜211上以覆蓋主動層212，而閘電極214設置於閘極絕緣膜213上。
一層間絕緣膜215設置於閘極絕緣膜213上以覆蓋閘電極214。 源電極216及汲電極217設置於層間絕緣膜215上。此外，源電極216及汲電極217透過形成於層間絕緣膜215及閘極絕緣膜213中之接觸孔而接觸主動層212。
應注意，薄膜電晶體TR並非僅限於上述結構，而是可包括其他類型之結構。在第2圖所示之實施態樣中，薄膜電晶體TR被繪示為具有一頂部閘極結構。在其他實施態樣中，薄膜電晶體TR可具有一其中閘電極214設置於主動層212下方之底部閘極結構。
在部分實施態樣中，除薄膜電晶體TR以外，亦可形成包括一電容器(圖中未示出)之一畫素電路。
一平坦化膜218設置於層間絕緣膜215上以覆蓋薄膜電晶體TR。 平坦化膜218用以減少由下伏層(underlying layer)形成之台階式部分(stepped portion)，並提供一平坦表面以供於其上形成有機發光元件OLED。該平坦表面可提高有機發光元件(OLED)之發光效率。如第2圖所示，可於平坦化膜218中形成一貫穿孔208以暴露汲電極217之一部分。
平坦化膜218可由一絕緣材料形成。在部分實施態樣中，平坦化膜218可被形成為包含一無機材料、一有機材料、或有機材料/無機材料之一組合之一單層結構或多層(multi-layered)結構。在部分實施態樣中，平坦化膜218可包括以下樹脂之至少一者：丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、不飽和聚酯系樹脂、聚苯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、以及苯環丁烯(BCB)。
在某些特定實施態樣中，可省略平坦化膜218及/或層間絕緣膜215。
畫素界定層219包括(且亦界定)一發射區域及一非發射區域。 有機發光元件OLED設置於畫素界定層219之發射區域中。有機發光元件OLED設置於平坦化膜218上，且包括一第一電極221、一有機發射層220、以及一第二電極222。畫素界定層219設置於有機發光元件OLED之第一電極221上，且包括一開口以暴露第一電極221。該開口可對應於畫素界定層219之發射區域。
一有機發射層220設置於畫素界定層219之發射區域中。如第2圖所示，有機發射層220設置於位於畫素界定層219之開口中之第一電極221上，且可延伸至畫素界定層219之一側部上。
畫素界定層219可由一有機材料(例如，光阻劑，聚丙烯酸樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或丙烯酸樹脂)或一無機材料(例如，一矽化合物)形成。
在部分實施態樣中，有機發射層220可由一低分子量(low-molecular-weight)有機材料形成。在此等實施態樣中，有機發射層220可形成為一單層結構或多層結構。該多層結構可包括以一發射層(emission layer，EML)作為中心層而堆疊於一起之一電洞注入層(hole injection layer，HIL)、一電洞傳輸層(hole transporting layer，HTL)、一電子傳輸層(electron transporting layer，ETL)、一電子注入層(electron injection layer，EIL)、以及其他層。可利用真空沈積而沈積該低分子量有機材料。該發射層(EML)可針對各紅色畫素、綠色畫素、藍色畫素、以及白色畫素獨立地形成。該電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)係設置於基板21上方之毯覆層(blanket layer)，因此為紅色畫素、綠色畫素、藍色畫素、以及白色畫素共用。
在部分實施態樣中，有機發射層220可由一高分子量(high-molecular-weight)有機材料形成。在此等實施態樣中，有機發射層220可包括設置於第一電極221上之一電洞傳輸層(HTL)及一發射層(EML)。 可利用噴墨印刷或旋轉塗佈(spin coating)方法由聚-(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成該電洞傳輸層(HTL)。高分子量有機材料之實例包括聚苯乙炔(poly-phenylene vinylene，PPV)系有機材料及聚芴系有機材料。可利用噴墨印刷、旋轉塗佈、或雷射誘導熱成像(laser-induced thermal imaging)來形成有機發射層220中之一彩色圖案。
電洞注入層(HIL)可由一酞菁聚合物(例如銅鈦菁)或一星爆式胺衍生物(例如TCTA、m-MTDATA、或m-MTDAPB)形成。
電洞傳輸層(HTL)可由N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-聯二苯-[1,1-聯苯基]-4,4’-二胺(TPD)或N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(α-NPD)形 成。
電子注入層(EIL)可由LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、或Liq形成。
電子傳輸層(ETL)可由Alq3形成。
發射層(EML)可包括一主體材料(host material)及一摻雜材料(dopant material)。
主體材料之實例包括三(8-羥基-喹啉)鋁(tris(8-quinolinorato)aluminum，Alq3)、9,10-二(萘基-2-基)蒽(AND)、3-第三-丁基-9,10-二(萘基-2-基)蒽(TBADN)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯(DPVBi)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯(p-DMDPVBi)、第三(9,9-二芳基茀)(TDAF)、2-(9,9'-螺二茀-2-基)-9,9'-螺二茀(BSDF)、2,7-雙(9,9'-螺二茀-2-基)-9,9'-螺二茀(TSDF)、雙(9,9-二芳基茀)(BDAF)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(第三-丁基)苯(p-TDPVBi)、1,3-雙(哢唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(哢唑-9-基)苯(tCP)、4,4',4"-三(哢唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4,4'-雙(哢唑-9-基)聯苯(CBP)、4,4'-雙(9-哢唑基)-2,2'-二甲基-聯苯(CBDP)、4,4'-雙(哢唑-9-基)-9,9-二甲基-茀(DMFL-CBP)、4,4'-雙(哢唑-9-基)-9,9-雙(9-苯基-9H-哢唑)茀(FL-4CBP)、4,4'-雙(哢唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-茀(DPFL-CBP)、或9,9-雙(9-苯基-9H-哢唑)茀(FL-2CBP)。
摻雜材料之實例包括4,4-雙[4-(二-對-甲苯基胺基)苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、或2-(第三丁基)-9,10-雙(2'-萘基)蒽(TBADN)。
第一電極221設置於平坦化膜218上。第一電極221可經由平坦化 膜218中之貫穿孔208而電性連接至薄膜電晶體TR之汲電極217。
第二電極222設置於有機發射層220上，且可被設置成覆蓋所有畫素。
第一電極221可用作一陽極，而第二電極222可用作一陰極。然而，本發明並非僅限於上述構造。在部分實施態樣中，第一電極221與第二電極222之極性可顛倒，俾使第一電極221可用作一陰極，而第二電極222可用作一陽極。
當第一電極221用作一陽極時，第一電極221可包括具有高功函數(high work function)之材料(例如，ITO、IZO、ZnO、或In2O3)。當有機發光顯示裝置100係頂部發射式裝置(其中一影像遠離基板21而形成)時，第一電極221可更包括一反射膜，該反射膜由例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鐿(Yb)、鈣(Ca)等金屬或其組合而形成。此外，第一電極221可被形成為一單層結構或一多層結構。在部分實施態樣中，第一電極221可為具有一ITO/Ag/ITO結構之一反射電極。
當第二電極222用作一陰極時，第二電極222可由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca等一金屬或其一組合形成。當有機發光顯示裝置100係為頂部發射式裝置時，為了傳送光，第二電極222須為透明的。因此，在部分實施態樣中，第二電極222可包括一透明導電金屬氧化物，例如ITO、IZO、ZTO、ZnO、或In2O3。或者，第二電極222可為包括以下元素或化合物之至少一者之薄膜：Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、或Yb。第二電極222可形成為包括Mg：Ag、Ag：Yb、及/或Ag之一單層結構或一多層結構。
第二電極222可被形成為具有可容許共用電壓被施加至所有畫素的構造。
突出部223設置於畫素界定層219之一部分上。突出部223可構成一設置於畫素界定層219之非發射區域中之間隔件。該間隔件用以分隔相鄰之有機發光元件OLED。應注意，突出部223並非僅限於上述構造。在部分實施態樣中，突出部223可包括突出於有機發光元件OLED上方之(設置於畫素界定層219上之)任何結構。在部分實施態樣中，突出部223可包括在製造過程中設置於畫素界定層219上之雜質。
突出部223可由一有機材料(例如，光阻劑、聚丙烯酸樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或丙烯酸樹脂)或一無機材料(例如，旋塗玻璃(spin on glass，SOG))形成。
在上述實施態樣中，有機發射層220形成於畫素界定層219之開口中且包括用於各獨立畫素之發光材料。然而，本發明並非僅限於上述構造。在某些其他實施態樣中，無論畫素之位置如何，有機發射層220皆可形成於整個平坦化膜218上方。在此等其他實施態樣中，有機發射層220可藉由以下方式形成，例如：(1)垂直堆疊包括發射紅色光、綠色光、及藍色光之發光材料之層；或(2)混合發射紅色光、綠色光、及藍色光之發光材料。可將不同之顏色相組合以產生白色光。在部分實施態樣中，有機發光顯示裝置100可包括一顏色轉換層(color conversion layer)以將所發射出之白色光轉換為一特定顏色，或可包含一濾色片(color filter)以過濾一特定顏色。
薄膜封裝層30密封有機發光元件OLED及突出部223。薄膜封裝層30包括一有機膜320及一無機膜310。應注意，薄膜封裝層30可包括複數個有機 膜320及複數個無機膜310。
在部分實施態樣中，有機膜320及無機膜310中之膜可(在薄膜封裝層30中)交替設置。
參照第2圖，薄膜封裝層30可包括依序堆疊於一起之一第一無機膜301、一功能性有機膜302、一第二無機膜303、一第一有機膜304、一第三無機膜305、一第二有機膜306、以及一第四無機膜307。因此，無機膜310包括第一無機膜301、第二無機膜303、第三無機膜305、以及第四無機膜307。有機膜320包括功能性有機膜302、第一有機膜304、以及第二有機膜306。
無機膜310可形成為包括一金屬氧化物或金屬氮化物之一單層膜或堆疊膜。舉例而言，無機膜310可包括以下金屬氧化物或氮化物至少其中之一：SiNX、Al2O3、SiO2、TiO2、SiON、ITO、AZO、ZnO、或ZrO。
如第2圖所示，第四無機膜307構成薄膜封裝層30的暴露於周圍環境中之最上層。第四無機膜307由一無機材料形成，且防止空氣及濕氣到達有機發光元件OLED。然而，在某些其他實施態樣中，薄膜封裝層30之(暴露於周圍環境中之)最上層可由一有機材料形成。
有機膜320可被形成為包括以下聚合物之至少一者的一單層或堆疊層：聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、環氧樹脂、聚乙烯、或聚丙烯酸酯。有機膜320亦可由一高分子單體成分(high molecular monomer component)形成，該高分子單體成分包括一單丙烯酸酯系單體、二丙烯酸酯系單體、或一三丙烯酸酯系單體。
應注意，薄膜封裝層30之結構並非僅限於第2圖所繪示之實施態樣。在部分實施態樣中，薄膜封裝層30可包括一具有複數個依序堆疊之有機膜 之結構。在其他實施態樣中，薄膜封裝層30可包括一具有複數個依序堆疊之無機膜之結構。在某些特定實施態樣中，可自薄膜封裝層30省略有機膜320及/或無機膜310之至少一者。
功能性有機膜302可被第二無機膜303完全覆蓋。功能性有機膜302可形成為在靠近突出部223之頂部處具有一第一厚度t1。
在傳統之發光顯示裝置中，可形成包含一有機膜之一封裝層，以密封設置於一畫素界定層上之一突出部。然而，用於傳統發光顯示裝置中之有機膜通常黏性低且在有機膜展開時可能會暴露突出部之頂部。在傳統發光顯示裝置中，為確保覆蓋/密封突出部，可能需增加薄膜封裝層之厚度。因此，此可導致傳統有機發光顯示裝置之厚度增加(即，形狀因數更厚)。此外，有機膜材料之處理時間及成本也會增加。
根據本發明之功能性有機膜302可解決與傳統發光顯示裝置中之封裝層相關之上述問題。如第2圖所示，功能性有機膜302可形成為覆蓋突出部223，且在靠近突出部223之頂部處具有一厚度t1。在部分實施態樣中，功能性有機膜302可具有約3微米之最大厚度。具體而言，應注意，功能性有機膜302之厚度可依突出部223之高度而有所變化。
功能性有機膜302可由黏性可利用光或溫度進行調整之一材料形成。藉由調整功能性有機膜302之黏性，功能性有機膜302可形成為在靠近突出部223之頂部處具有第一厚度t1。
可調整第一厚度t1，以便即使在製造第二電極222、保護層225、或突出部223上之第一無機膜301期間出現缺陷(例如，出現遮罩穿刺)時，(形成於功能性有機膜302上之)第二無機膜303亦不會直接接觸突出部223。在部分 實施態樣中，第一厚度t1可等於或大於約100埃。舉例而言，第一厚度t1可為約100埃至約500埃。在部分實施態樣中，第一厚度t1所具有之一值可小於或等於功能性有機膜302的靠近突出部223頂部處之實質平坦部分之厚度。
如第2圖所示，功能性有機膜302之上表面之高度在有機發光顯示裝置100之不同位置處可有所變化。
參照第2圖，自平坦化膜218之一頂面至遠離突出部223設置之功能性有機膜302之一第一上表面所量測之一高度係為h。自平坦化膜218之頂面至靠近突出部223之頂部設置之功能性有機膜302之一第二上表面所量測之一高度係為H。如第2圖所示，突出部223之中心距離基板21的高度係不同於突出部之兩側任一者距離基板21的高度，且突出部223之橫截面的寬度係自突出部223之頂表面往底表面之方向增加，以及高度h可小於高度H，以使突出部223之頂部突出於功能性有機膜302之第一上表面上方。換言之，遠離突出部設置之功能性有機膜之第一上表面之高度h小於靠近突出部之頂部設置之功能性有機膜之第二上表面之高度H。因此，可由具有一低第一厚度t1之一功能性有機膜302覆蓋突出部223，進而減小有機發光顯示裝置100之厚度。
在部分實施態樣中，功能性有機膜302可由聚丙烯酸酯形成。舉例而言，功能性有機膜302可由一高分子單體成分形成，該高分子單體成分包括一單丙烯酸酯系單體、一二丙烯酸酯系單體、或一三丙烯酸酯系單體。在上述實施態樣中，藉由降低基板21之溫度而形成功能性有機膜302，以增加功能性有機膜302之黏性。如此一來，功能性有機膜302之黏性可藉由改變基板21之溫度而得到調整。
在某些其他實施態樣中，功能性有機膜302之單體成分可包括一光起始劑，例如2,4,6-三甲基苯甲醯基-聯二苯-氧化膦(TPO)。當功能性有機膜302包括一光起始劑時，在將光輻照至功能性有機膜302上時可能會發生交聯反 應(cross-linking reaction)。交聯反應會增加功能性有機膜302之黏性。功能性有機膜302之黏性可根據所輻照光之波長或/及數量而得到調整。
在第2圖所示之實施態樣中，功能性有機膜302被形成為一單層。 在部分實施態樣中(圖中未示出)，功能性有機膜302可包括複數個具有不同黏性之層。
保護層225夾置於有機發光元件OLED與薄膜封裝層30之間。保護層225保護有機發光元件OLED在薄膜封裝層30之形成期間免受損壞。在部分實施態樣中，保護層225可包括一金屬鹵化物，例如氟化鋰(LiF)。
第3A圖至第3D圖係例示一種製造第2圖所示有機發光顯示裝置100之實例性方法之剖視圖。
參照第3A圖，於一基板21上形成一緩衝膜211。
緩衝膜211可利用例如PECVD、APCVD、或LPCVD等各種沈積方法形成。在部分實施態樣中，在於基板21上形成緩衝膜211之前，可對基板21執行一平坦化製程。該平坦化製程可包括例如對基板21執行化學機械拋光(chemical mechanical polishing)及/或回蝕(etch-back)，以產生一實質上平坦之頂面。
接著，於緩衝膜211上形成一主動層212。主動層212可由一無機半導體(例如非晶矽或多晶矽)或一有機半導體形成。在部分實施態樣中，主動層212可由氧化物半導體形成。主動層212可利用PECVD、APCVD、或LPCVD而形成。可首先在緩衝膜211上將主動層212形成為一毯覆層，隨後利用一遮罩將其圖案化。在部分實施態樣中，可執行一結晶化製程(例如，利用一籽晶層(seed layer)之晶體生長而形成主動層212)。
接著，於緩衝膜211上形成一閘極絕緣膜213以覆蓋主動層212。 閘極絕緣膜213可沿主動層212之輪廓(以一實質上均勻之厚度)形成於緩衝膜211上。
接著，於閘極絕緣膜213上形成一閘電極214。具體而言，閘電極214形成於閘極絕緣膜213之(位於下伏主動層212上方之)一部分上。閘電極214可由一金屬、一合金、一金屬氮化物、一導電性金屬氧化物、或一透明導電金屬形成。
接著，於閘極絕緣膜213上形成一層間絕緣膜215以覆蓋閘電極214。層間絕緣膜215可沿閘電極214之輪廓而(以一實質上均勻之厚度)形成於閘極絕緣膜213上。層間絕緣膜215可包括一矽化合物。透過層間絕緣膜215及閘極絕緣膜213而蝕刻接觸孔，以暴露出部分之主動層212。
接著，於層間絕緣膜215上形成一源電極216及一汲電極217。源電極216及汲電極217以閘電極214為基準彼此間隔開一預定間距，且鄰設於閘電極214。源電極216及汲電極217被形成為填充接觸孔，以接觸主動層212之兩端。 源電極216及汲電極217可由一金屬、一合金、一金屬氮化物、一導電性金屬氧化物、或一透明導電材料形成。
在部分實施態樣中，可於層間絕緣膜215上形成一導電膜(圖中未示出)(以該導電膜填充接觸孔)，並將該導電膜圖案化以形成源電極216及汲電極217。
接著，於層間絕緣膜215上形成一平坦化膜218，以覆蓋源電極216及汲電極217。平坦化膜218可被形成為具有一足以完全覆蓋源電極216及汲電極217之厚度。平坦化膜218可由一無機材料及/或一有機材料形成。可依用於形成 平坦化膜218之材料類型而利用各種方法形成平坦化膜218，例如旋轉塗佈、印刷、濺鍍(sputtering)、CVD、原子層沈積(atomic layer deposition，ALD)、PECVD、高密度電漿-CVD(high density plasma-CVD，HDP-CVD)、或真空沈積。
參照第3B圖，於平坦化膜218上形成一有機發光元件OLED、一畫素界定層219、以及一突出部223。如前所述，突出部223用作一間隔件來分隔相鄰有機發光元件(OLED)。
有機發光元件OLED包括一第一電極221、一有機發射層220、以及一第二電極222。首先，於平坦化膜218中形成一貫穿孔208，以暴露汲電極217之一部分。接著，於平坦化膜218上形成第一電極221，以第一電極221填充貫穿孔208。第一電極221經由貫穿孔208而電性連接至薄膜電晶體TR之汲電極217。
第一電極221可包括一反射材料。舉例而言，第一電極221可包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb、或Ca、或其一組合。此外，第一電極221可形成為一單層結構或一多層結構。在部分實施態樣中，第一電極221可形成為具有一ITO/Ag/ITO結構之一反射電極。
第一電極221可利用濺鍍、真空沈積、CVD、脈衝雷射沈積(pulse laser deposition)、印刷、或ALD而形成。第一電極221可對應於畫素而被圖案化。
接著，為形成畫素界定層219，可於平坦化膜218及第一電極221上形成一前體畫素界定層(pre-pixel-defining layer)(圖中未示出)。可利用一有機材料或一無機材料形成該前體畫素界定層。可依用於形成前體畫素界定層之材料類型而利用以下方法形成該前體畫素界定層，例如旋轉塗佈、印刷、濺鍍、CVD、ALD、PECVD、HDP-CVD、或真空沈積。
畫素界定層219係藉由在前體畫素界定層中蝕刻一開口以暴露第一電極221之一部分而形成。如前所述，畫素界定層219界定有機發光顯示裝置100之一發射區域及一非發射區域。具體而言，畫素界定層219之開口對應於發射區域，而畫素界定層219之(無開口之)區域對應於非發射區域。
在部分實施態樣(圖中未示出)中，可對畫素界定層219之頂面執行一平坦化製程。舉例而言，可對畫素界定層219之頂面執行一CVD及/或一回蝕製程，以產生一實質上平坦之頂面。
接著，於畫素界定層219之非發射區域中形成突出部223。突出部223可利用一有機材料或一無機材料而形成。可依用於形成突出部223之材料類型而利用以下方法形成突出部223，例如旋轉塗佈、印刷、濺鍍、CVD、ALD、PECVD、HDP-CVD、或真空沈積。
在部分實施態樣中，突出部223可由與畫素界定層219相同之材料形成。在部分實施態樣中，可利用一半色調遮罩同時形成突出部223及畫素界定層219。
接著，於畫素界定層219之開口中形成有機發射層220。在第3B圖所示之實施態樣中，有機發射層220形成於畫素界定層219之開口中。在某些其他實施態樣中，有機發射層220可形成於畫素界定層219及突出部223上。
有機發射層220可形成為一單層結構或一多層結構。在部分實施態樣中，可利用真空沈積形成有機發射層220。或者，可利用噴墨印刷、旋轉塗佈、或雷射誘導熱成像形成有機發射層220。
接著，於有機發射層220上形成第二電極222。如第3B圖所示，第二電極222亦可形成於畫素界定層219及突出部223上。
第二電極222可由一透明導電材料形成。在部分實施態樣中，第二電極222可包括一透明導電金屬氧化物，例如ITO、IZO、ZTO、ZnO、或In2O3。 或者，第二電極222可由一薄膜形成，該薄膜包括以下元素或化合物之至少一者：Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、或Yb。此外，第二電極222可形成為包括Mg：Ag、Ag：Yb、及/或Ag之一單層結構或一多層結構。
可利用濺鍍、真空沈積、CVD、脈衝雷射沈積、印刷、或ALD形成第二電極222。在部分實施態樣中，第二電極222可形成為具有一可容許共用電壓被施加至所有畫素的構造。
接著，可於第二電極222上形成一保護層225。保護層225可包含一金屬鹵化物。可利用熱蒸鍍(thermal evaporation)、PECVD、APCVD、或LPCVD而沈積保護層225。保護層225可包括不同之材料。舉例而言，在部分實施態樣中，保護層225之下部可包括有機材料及無機材料。在部分實施態樣中，保護層225可包括LiF。
參照第3C圖，於第3B圖所示之結構上方形成一第一無機膜301及一功能性有機膜302。第一無機膜301及功能性有機膜302用以封裝有機發光元件OLED。
第一無機膜301可形成為一單層結構或一多層結構。第一無機膜301可包含以下氧化物或氮化物之至少一者：AlOX、SiNX、SiOX、SiON、ITO、AZO、ZnO、或ZrO。可利用CVD、ALD、或濺鍍而沈積第一無機膜301。在某些情形中，可省略第一無機膜301。
如第3C圖所示，可於第一無機膜301之下形成功能性有機膜302。 在部分實施態樣中，如稍後將參照第3D圖所闡述，功能性有機膜302可夾置於第 一無機膜301與一第二無機膜303之間。功能性有機膜302以如下方式形成。
首先，於第一無機膜301上塗覆或沈積一液體前體功能性有機膜(圖中未示出)。在其中省略第一無機膜301之此等實施態樣中，可於有機發光元件(OLED)上塗覆或沈積該前體功能性有機膜。可利用閃蒸(flash evaporation)、噴墨印刷、狹縫模式塗佈(slot die coating)、或其他類似技術而塗覆或沈積該前體功能性有機膜。
功能性有機膜302可由聚丙烯酸酯形成。舉例而言，功能性有機膜302可包括一高分子單體成分，該高分子單體成分包闊括一單丙烯酸酯系單體、二丙烯酸酯系單體、或一三丙烯酸酯系單體。在部分實施態樣中，功能性有機膜302之單體成分可更包括一光起始劑，例如2,4,6-三甲基苯甲醯基-聯二苯-氧化膦(TPO)。
可對前體功能性有機膜之黏性進行調整，以防止前體功能性有機膜之厚度勻平(leveling)。勻平係非所欲的，因為此將增加覆蓋突出部223所需之有機膜之厚度。前體功能性有機膜之黏性可藉由降低基板21之溫度而得到調整。
可藉由使冷卻水或冷卻液體流至基板21所處之一平台上、或利用一帕耳貼元件(peltier device)而降低基板21之溫度。在部分實施態樣中，可藉由將光輻照至前體功能性有機膜上而調整前體功能性有機膜之黏性。
當基板21之溫度降低時，前體功能性有機膜之黏性增加，且由此其延展性降低。因此，前體功能性有機膜保持處於突出部223之上表面上。此外，前體功能性有機膜在此種狀態下硬化，進而於突出部223之上表面上形成(具有第一厚度t1之)功能性有機膜302。基板21之溫度及使前體功能性有機膜硬化所 需之時間長度可根據前體功能性有機膜所需之黏性加以確定。因此，藉由調整前體功能性有機膜之黏性，可於突出部223之上表面上形成具有預定厚度之一液體前體功能性有機膜(作為功能性有機膜302)。
當前體功能性有機膜包括一光起始劑時，可藉由將光輻照至前體功能性有機膜上而調整該前體功能性有機膜之黏性。在將光輻照至前體功能性有機膜上時，可能會發生交聯反應，交聯反應會增加前體功能性有機膜之黏性。 隨後，前體功能性有機膜硬化，進而於突出部223之上表面上形成(具有第一厚度t1之)功能性有機膜302。前體功能性有機膜之黏性可基於所輻照光之波長及/或強度而加以調整。
參照第3D圖，於第3C圖所示之結構上方形成一薄膜封裝層30。薄膜封裝層30包括一有機膜320及一無機膜310。應注意，薄膜封裝層30可包括複數個有機膜320及無機膜310。薄膜封裝層30係藉由於功能性有機膜302上交替堆疊第二無機膜303、第三無機膜305、第四無機膜307以及第一有機膜304及第二有機膜306而形成。
各該第二無機膜303、第三無機膜305、以及第四無機膜307可形成為一單層結構或多層結構。各該無機膜303、305、以及307可包括以下氧化物或氮化物之至少一者：AlOX、SiNX、SiOX、SiON、ITO、AZO、ZnO、或ZrO。 可利用CVD、ALD、濺鍍、或其他類似技術而沈積無機膜303、305、以及307。
各該第一有機膜304及第二有機膜306可形成為一單層結構或一多層結構。各該有機膜304及306可包括環氧樹脂、丙烯酸酯、聚矽氧、及聚丙烯酸酯之至少一者。可利用閃蒸、噴墨印刷、狹縫模式塗佈、或其他類似技術而塗覆或沈積第一有機膜304及第二有機膜306。
如第3D圖所示，第四無機膜307構成薄膜封裝層30暴露於周圍環境中之最上層。第四無機膜307防止空氣及濕氣到達有機發光元件OLED。因此，有機發光元件OLED藉由薄膜封裝層30而得到有效密封。
在第3D圖所示之實施態樣中，第四無機膜307由一無機材料形成。然而，在某些其他實施態樣中，薄膜封裝層30之(暴露於周圍環境中之)最上層可由一有機材料形成。
第4圖係為根據本發明另一實施態樣之一有機發光顯示裝置之剖視圖。第4圖所示之實施例包括類似於在第2圖中所述之元件，故對此等類似元件不再予以贅述。
參照第4圖，有機發光顯示裝置200包括一薄膜封裝層31。薄膜封裝層31包括一無機膜330及一有機膜340。第4圖所示之無機膜330及有機膜340可利用與第2圖所示之無機膜310及有機膜320相同之材料及方法而形成。無機膜330包括一第一無機膜311、一第二無機膜313、一第三無機膜315、以及一第四無機膜317。有機膜340包括一第一有機膜312、一功能性有機膜314、以及一第二有機膜316。如第4圖所示，無機膜330及有機膜340中之膜依序堆疊於一起。
第一無機膜311、第一有機膜312、以及第二無機膜313設置於功能性有機膜314之下。參照第4圖，自平坦化膜218之一頂面至遠離一突出部223設置之功能性有機膜314之一第一上表面所量測之一高度係為h。自平坦化膜218之該頂面至功能性有機膜314之位於突出部223頂部上方之一第二上表面所量測之一高度係為H。功能性有機膜314被形成為在突出部223之頂部上方具有一第二厚度t2。
如第4圖所示，高度h可小於高度H。換言之，遠離突出部223設置 之功能性有機膜314之第一上表面之高度h小於功能性有機膜314之位於突出部頂部上方之第二上表面之高度H。
然而，第4圖所示之實施態樣中高度h與高度H之差小於第2圖所示之差。再次參照第2圖，突出部223之頂部突出於功能性有機膜302之第一上表面上方。與第2圖相反，第4圖所示突出部223之頂部設置於功能性有機膜314之第一上表面下方。然而，類似於第2圖，第4圖所示之突出部223仍被功能性有機膜314覆蓋。
參照第4圖，可對第二厚度t2加以調整，俾即使在製造功能性有機膜314期間出現缺陷(例如，出現遮罩穿刺)時，(形成於功能性有機膜314上之)第三無機膜315亦不會直接接觸第二無機膜313。在部分實施態樣中，第二厚度t2可等於或大於約100埃。舉例而言，第二厚度t2可為約100埃至約500埃。 在部分實施態樣中，第二厚度t2之值可等於或小於功能性有機膜314之位於突出部223頂部上方之一實質平坦部分的厚度。此外，第二厚度t2可依薄膜封裝層31中膜之數量及厚度以及突出部223之高度而有所變化。
參照第4圖，第二有機膜316構成有機發光顯示裝置200之位於最上方之有機膜。可對第二有機膜316執行一平坦化製程，以產生一實質上平坦之表面。
在第2圖及第4圖所示之實施態樣中，薄膜封裝層31包括單個功能性有機膜。然而，應注意，在部分實施態樣中，薄膜封裝層31可包括複數個功能性有機膜。
第5圖係為根據本發明又一實施態樣之有機發光顯示裝置之剖視圖。第5圖所示之實施態樣包括類似於在第2圖中所述之元件，故對此等類似元 件不再予以贅述。
參照第5圖，有機發光顯示裝置300包括一薄膜封裝層32。薄膜封裝層32包括一無機膜350及一功能性有機膜360。薄膜封裝層32亦包括雜質41及42。第5圖所示之無機膜350及有機膜360可利用與第2圖所示之無機膜310及有機膜320相同之材料及方法而形成。無機膜350包括一第一無機膜321、一第二無機膜323、及一第三無機膜325。功能性有機膜360包括一第一功能性有機膜322及一第二功能性有機膜324。如第5圖所示，無機膜350及有機膜360中之膜依序堆疊於一起，雜質粒子41及42夾置於相鄰之膜之間。
有機發光顯示裝置300亦包括一間隔件231，間隔件231與第2圖所示之突出部223具有相同之功能。間隔件231可利用與第2圖所示之突出部223相同之材料及方法而形成。
在第5圖所示之實施態樣中，突出部包括雜質41及42、以及間隔件231。如第5圖所示，雜質41及42可突出於間隔件231上方。
第一功能性有機膜322可形成為在雜質41之一上表面上方具有一第三厚度t3。
第二功能性有機膜324可形成為在雜質42之一上表面上方具有一第四厚度t4。
第三厚度t3與第四厚度t4可彼此不同，且可藉由調整第一功能性有機膜322及第二功能性有機膜324各自之黏性而得到調整。類似於第2圖及第4圖所示之實施態樣，第5圖所示之第一功能性有機膜322及第二功能性有機膜324可由可利用光或溫度來調整黏性之材料形成。
因此，儘管有機發光顯示裝置300可能包含雜質41及42，但雜質 41及42被第一功能性有機膜322及第二功能性有機膜324覆蓋。因此，第5圖所示之有機發光元件OLED仍被薄膜封裝層32有效地密封。
可以各種不同方式對第5圖所示之薄膜封裝層32作出修改。舉例而言，在部分實施態樣中，薄膜封裝層32可具有其中僅有第一功能性有機膜322及第二無機膜323堆疊於一起之一結構。在某些其他實施態樣中，薄膜封裝層32可更包括夾置於各膜之間之一額外有機膜及/或一額外無機膜。
應理解，上述實施態樣應被理解為闡述性的，而不應被視為用於限制本發明。各實施態樣中對特徵或態樣之說明可廣泛適用於其他實施態樣中類似之特徵或態樣。
儘管已闡述了本發明之一或多個實施態樣，但此項技術中具有通常知識者應理解，在不背離本發明之精神及範圍之條件下，可對各實施態樣作出各種變化。
21:基板
30:薄膜封裝層
100:有機發光顯示裝置
208:貫穿孔
211:緩衝膜
212:主動層
213:閘極絕緣膜
214:閘電極
215:層間絕緣膜
216:源電極
217:汲電極
218:平坦化膜
219:畫素界定層
220:有機發射層
221:第一電極
222:第二電極
223:突出部
225:保護層
301:第一無機膜
302:功能性有機膜
303:第二無機膜
304:第一有機膜
305:第三無機膜
306:第二有機膜
307:第四無機膜
310:無機膜
320:有機膜
h:高度
H:高度
OLED:有機發光元件
t1:第一厚度
TR:薄膜電晶體

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一畫素界定層，設置於一基板上，其中該畫素界定層界定一發射區域及一非發射區域；一有機發光元件，設置於該發射區域中，其中該有機發光元件包含一第一電極、一有機發射層以及一第二電極；一突出部，設置於該畫素界定層在該非發射區域中之一部分上，該突出部之中心距離該基板的高度係不同於該突出部之兩側任一者距離該基板的高度，且該突出部之橫截面的寬度係自該突出部之頂表面往底表面之方向增加；以及一薄膜封裝層，設置於該有機發光元件及該突出部，該薄膜封裝層包含一功能性有機膜、一有機膜及至少一無機膜，其中遠離該突出部設置之該功能性有機膜之一第一上表面之高度係低於在該突出部之頂部設置之該功能性有機膜之一第二上表面之高度，其中在該突出部之頂部，該功能性有機膜之厚度係大於該有機膜之厚度。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該功能性有機膜在靠近該突出部之頂部處具有一第一厚度，且該第一厚度之值係等於或大於約100埃(Å)。
  3. 如請求項2所述之有機發光顯示裝置，其中該第一厚度係小於或等於靠近該突出部之頂部之該功能性有機膜之一平坦化部之厚度。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該突出部之頂部係設置於該功能性有機膜之第一上表面上方。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該突出部相當於一設置於該非發射區域中之間隔件(spacer)。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該功能性有機膜包含一光起始劑。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該功能性有機膜包含一黏性可利用光或溫度進行調整的材料。
  8. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含一保護層，該保護層夾置於該有機發光元件與該薄膜封裝層之間。
  9. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該突出部包含雜質。
  10. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該薄膜封裝層之最上層被暴露出來，且該最上層包含一無機膜。
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