CN112259698B - Oled的薄膜封装方法、封装层及oled器件 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供了一种OLED的薄膜封装方法、封装层及OLED器件，方法包括：在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层，其中，待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在发光材料基板上的PS柱，预定厚度是以发光材料基板为基础确定的厚度；对第一无机膜层进行预定处理，以在除PS柱对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层，在PS柱对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层，其中，第二厚度大于第一厚度，第二厚度小于预定厚度，第一厚度是以发光材料基板为基础确定的厚度，第二厚度是以PS柱为基础确定的厚度；在处理后的第一无机膜层上制备有机膜层；在有机膜层上制备第二无机膜层，以完成OLED的封装。

Description

OLED的薄膜封装方法、封装层及OLED器件

技术领域

本公开涉及显示领域，特别涉及一种OLED的薄膜封装方法、封装层及OLED器件。

背景技术

OLED(有机发光半导体，Organic Electroluminesence Display)器件封装材料的性能很大程度上决定了其使用寿命。封装材料既要保证良好的光学性能，又要具有特定的散热、机械特性、阻隔水氧能力等，因此相对来说封装工艺具有一定的技术难度。现有的OLED器件封装结构多采用有机无机叠层结构形式，有机膜层被赋予平坦化膜层，包覆微小particle(颗粒)以及为OLED器件柔性化创造条件。

PS划伤是目前OLED器件制造过程中的高发不良问题，由于蒸镀发光材料过程中，用于支撑mask(模板)的PS柱极易与mask发生碰撞划伤，从而导致PS柱上方的封装膜层不够致密，进一步带来封装信赖性的极大风险，降低了工艺良率。因此，针对PS划伤进行改善至关重要。

无机膜层整体增厚是现有的改善PS划伤的有效解决方法，然后无机膜层的整体增厚会带来一系列弊端，比如，封装膜层内应力增大，不利于折叠卷曲等变形需要，其次膜层增厚其光学性能无法保障，散热性能也会降低。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提出了一种OLED的薄膜封装方法、封装层及OLED器件，用以解决现有技术的如下问题：无机膜层整体增厚来改善PS划伤的方法会使封装膜层内应力增大，不利于折叠卷曲等变形需要，其次膜层增厚其光学性能无法保障，散热性能也会降低。

一方面，本公开实施例提出了一种OLED的薄膜封装方法，包括：在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层，其中，所述待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在所述发光材料基板上的PS柱，所述预定厚度是以所述发光材料基板为基础确定的厚度；对所述第一无机膜层进行预定处理，以在除所述PS柱对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层，在所述PS柱对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层，其中，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第二厚度小于所述预定厚度，所述第一厚度是以所述发光材料基板为基础确定的厚度，所述第二厚度是以所述PS柱为基础确定的厚度；在处理后的第一无机膜层上制备有机膜层；在所述有机膜层上制备第二无机膜层，以完成OLED的封装。

在一些实施例中，所述预定处理为干法刻蚀。

在一些实施例中，所述干法刻蚀至少包括以下之一：反应离子刻蚀，电子回旋共振等离子体刻蚀，电感耦合等离子体刻蚀。

在一些实施例中，对所述第一无机膜层进行预定处理，以在除所述PS柱对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层，在所述PS柱对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层，包括：在具有所述预定厚度的第一无机膜层上涂覆光刻胶，按照预定图案对涂覆有光刻胶的第一无机膜层进行曝光处理，以得到显影后的第一无机膜层；对显影后的第一无机膜层按照所述第一厚度对应的操作要求进行刻蚀处理，以得到部分具有所述第一厚度的第一无机膜层；去除第一无机膜层上的光刻胶，以得到部分具有所述第二厚度的第一无机膜层。

在一些实施例中，在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层，包括：在待封装的OLED材料层上采用无模板方式沉积无机材料，以得到具有所述预定厚度的第一无机膜层。

在一些实施例中，在处理后的第一无机膜层上制备有机膜层，包括：通过超声雾化工艺或者喷墨打印工艺在处理后的第一无机膜层上制备具有第三厚度的所述有机膜层。

在一些实施例中，所述第三厚度为10um。

在一些实施例中，在所述有机膜层上制备第二无机膜层，以完成OLED的封装，包括：在所述有机膜层上沉积无机材料，以得到具有所述第三厚度的第一无机膜层。

另一方面，本公开实施例提出了一种OLED的封装层，应用本公开任一实施例所述的OLED的薄膜封装方法制备，其特征在于，包括：

设置在待封装的OLED材料层上的第一无机膜层、设置在所述第一无机膜层上的有机膜层、设置在所述有机膜层上的第二无机膜层，其中，所述待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在所述发光材料基板上的PS柱；

设置在所述发光材料基板上的部分第一无机膜层具有第一厚度，设置在所述PS柱上的部分第一无机膜层具有第二厚度。

另一方面，本公开实施例提出了一种OLED器件，至少包括：本公开任一实施例所述的OLED的封装层。

本公开实施例为了对OLED器件封装膜层的结构进行改进，对其封装流程进行了优化处理，将现有只能整体增厚的第一无机膜层实现了部分增厚，通过结构的优化，改善了PS划伤对于后续工艺带来的不利影响，对OLED器件的良率提升具有较大的帮助。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例提供的OLED的薄膜封装方法；

图2为本公开实施例提供的封装过程中OLED剖视图一；

图3为本公开实施例提供的封装过程中OLED剖视图二；

图4为本公开实施例提供的封装完成的OLED剖视图；

图5为现有技术中封装完成的OLED剖视图。

附图标记：

1-第一无机膜层，2-有机膜层，3-第二无机膜层，4-发光材料基板，5-PS柱。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

本公开第一实施例提供了一种OLED的薄膜封装方法，该方法的流程如图1所示，包括步骤S101至S104：

S101，在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层1，其中，待封装的OLED材料层包括发光材料基板4以及设置在发光材料基板上的PS柱5，预定厚度是以发光材料基板为基础确定的厚度。

在蒸镀发光材料的工艺后直接无模板法制备具有高水氧阻隔性能的第一无机膜层1，比如SiNx、SiOx、SiON、AlOx等单层膜层，其厚度控制在1.5um左右或者更高，第一无机膜层1沉积采用无模板方法整面沉积。

如图2所示，为采用无模板法制备了具有预定厚度的第一无机膜层1之后的OLED剖视图，在发光材料基板4以及PS柱5上能够看到第一无机膜层1的厚度不同，但第一膜层顶部都是平坦的，处于相同水平高度的。

S102，对第一无机膜层1进行预定处理，以在除PS柱5对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层1，在PS柱5对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层1，其中，第二厚度大于第一厚度，第二厚度小于预定厚度，第一厚度是以发光材料基板4为基础确定的厚度，第二厚度是以PS柱5为基础确定的厚度。

如图3所示，为进行预定处理后的OLED剖视图，图中PS柱上的第一无机膜层的厚度明显大于发光材料基板上第一无机膜层的厚度，且在现有技术中，第一厚度应当是低于PS柱自身厚度的，在图中也能够体现。

S103，在处理后的第一无机膜层1上制备有机膜层2。

上有机膜层的材料可以是丙烯酸类、聚丙烯酸酯类、聚苯乙烯类等有机膜层材料。

S104，在有机膜层2上制备第二无机膜层3，以完成OLED的封装。

如图4所示，为通过上述方法封装得到的OLED剖视图。

现有的无机有机叠层封装结构如图5所示，由图4和图5的对比可以看出，本公开实施例针对现有成熟的无机有机叠层封装结构形式进行改进，图5中PS柱5上方第一无机膜层1的厚度明显小于图4中PS柱5上方第一无机膜层1的厚度。本公开实施例对叠层的封装结构进行优化设计，针对现有无法在特定点位单独增加膜层厚度的工艺，本公开实施例引入了低成本的局部增厚的方法，既能有效解决PS划伤带来的良率损失，又能避免无机膜层增厚带来的一系列弊端。

本公开实施例为了对OLED器件封装膜层的结构进行改进，对其封装流程进行了优化处理，将现有只能整体增厚的第一无机膜层实现了部分增厚，通过结构的优化，改善了PS划伤对于后续工艺带来的不利影响，对OLED器件的良率提升具有较大的帮助。

上述过程与现有技术中主要区别点在于第一无机膜层的制备过程，具体实现时，采用了无模板法，即不采用具有预定厚度及图案的mask；在对第一无机膜层进行预定处理时，其采用的是干法刻蚀，例如反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀等。

具体实现时，在具有预定厚度的第一无机膜层上涂覆光刻胶，按照预定图案对涂覆有光刻胶的第一无机膜层进行曝光处理，以得到显影后的第一无机膜层；再对显影后的第一无机膜层按照第一厚度对应的操作要求进行刻蚀处理，以得到部分具有第一厚度的第一无机膜层；再去除第一无机膜层上的光刻胶，以得到部分具有第二厚度的第一无机膜层。至此，第一无机膜层完全制备完成。

实现时，对第一无机膜层1进行选择性刻蚀以减小厚度和边缘成膜范围，具体操作为第一无机膜层整面沉积后依次进行曝光、显影、刻蚀等处理，最终在原有PS柱位置处保留较厚的无机膜层，其他位置对无机膜层进行厚度减薄的刻蚀处理，并且形成特定的图案。该方案可一步性完成选择性减小厚度和控制边缘成膜范围。

随后，通过超声雾化工艺或者喷墨打印工艺在处理后的第一无机膜层上制备具有第三厚度的有机膜层，第三厚度在10um左右；再在有机膜层上沉积无机材料，以得到具有第三厚度的第一无机膜层。

本公开实施例在发光材料基板上使用无模板方法沉积一层较厚的无机膜层，采用干法刻蚀，对无机膜层进行选择性的刻蚀，即保留PS柱上方的较厚无机膜层，其他位置的无机膜层将被刻蚀掉一部分，使得非PS柱对应位置的第一膜层厚度达到现有正常工艺厚度，即第一厚度，PS柱对应位置的第一膜层厚度超过现有正常工艺厚度，即达到第二厚度，进而通过增加PS柱上层无机膜层的厚度来降低PS柱划伤后带来的不良问题。其次，再在第一层无机膜层上设置第二层具有平坦化作用的有机封装薄膜，用于对particle包覆，平坦化；然后继续在有机膜层上设置无机的高阻水氧叠层结构的封装膜层，即第二无机膜层，进而实现对OLED的封装。

本公开实施例还提供了一种OLED的封装层，应用上述实施例中的OLED的薄膜封装方法制备得到，该OLED的封装层包括：

设置在待封装的OLED材料层上的第一无机膜层、设置在第一无机膜层上的有机膜层、设置在有机膜层上的第二无机膜层，其中，待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在发光材料基板上的PS柱；设置在发光材料基板上的部分第一无机膜层具有第一厚度，设置在PS柱上的部分第一无机膜层具有第二厚度。

对于该OLED的封装层的具体封装过程不再赘述。

在一个优选实施例中，本公开实施例还提供了一种具有上述实施例中OLED的封装层的OLED器件，该OLED的封装层具体不再赘述，请参考上述实施例实现。

此外，尽管已经在本文中描述了示例性实施例，其范围包括任何和所有基于本公开的具有等同元件、修改、省略、组合(例如，各种实施例交叉的方案)、改编或改变的实施例。权利要求书中的元件将被基于权利要求中采用的语言宽泛地解释，并不限于在本说明书中或本申请的实施期间所描述的示例，其示例将被解释为非排他性的。因此，本说明书和示例旨在仅被认为是示例，真正的范围和精神由以下权利要求以及其等同物的全部范围所指示。

以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如，上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外，在上述具体实施方式中，各种特征可以被分组在一起以简单化本公开。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反，本公开的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而，以下权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例，并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本公开的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。

以上对本公开多个实施例进行了详细说明，但本公开不限于这些具体的实施例，本领域技术人员在本公开构思的基础上，能够做出多种变型和修改实施例，这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种OLED的薄膜封装方法，其特征在于，包括：

在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层，其中，所述待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在所述发光材料基板上的PS柱，所述预定厚度是以所述发光材料基板为基础确定的厚度；

对所述第一无机膜层进行预定处理，以在除所述PS柱对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层，在所述PS柱对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层，其中，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第二厚度小于所述预定厚度，所述第一厚度是以所述发光材料基板为基础确定的厚度，所述第二厚度是以所述PS柱为基础确定的厚度；

在处理后的第一无机膜层上制备有机膜层；

在所述有机膜层上制备第二无机膜层，以完成OLED的封装。

2.如权利要求1所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，所述预定处理为干法刻蚀。

3.如权利要求2所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，所述干法刻蚀至少包括以下之一：反应离子刻蚀，电子回旋共振等离子体刻蚀，电感耦合等离子体刻蚀。

4.如权利要求2所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，对所述第一无机膜层进行预定处理，以在除所述PS柱对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层，在所述PS柱对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层，包括：

在具有所述预定厚度的第一无机膜层上涂覆光刻胶，按照预定图案对涂覆有光刻胶的第一无机膜层进行曝光处理，以得到显影后的第一无机膜层；

对显影后的第一无机膜层按照所述第一厚度对应的操作要求进行刻蚀处理，以得到部分具有所述第一厚度的第一无机膜层；

去除第一无机膜层上的光刻胶，以得到部分具有所述第二厚度的第一无机膜层。

5.如权利要求1至4中任一项所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层，包括：

在待封装的OLED材料层上采用无模板方式沉积无机材料，以得到具有所述预定厚度的第一无机膜层。

6.如权利要求5所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，在处理后的第一无机膜层上制备有机膜层，包括：

通过超声雾化工艺或者喷墨打印工艺在处理后的第一无机膜层上制备具有第三厚度的所述有机膜层。

7.如权利要求6所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，所述第三厚度为10um。

8.如权利要求6所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，在所述有机膜层上制备第二无机膜层，以完成OLED的封装，包括：

在所述有机膜层上沉积无机材料，以得到具有所述第三厚度的第二 无机膜层。

9.一种OLED的封装层，应用权利要求1至8中任一项所述的OLED的薄膜封装方法制备，其特征在于，包括：

设置在待封装的OLED材料层上的第一无机膜层、设置在所述第一无机膜层上的有机膜层、设置在所述有机膜层上的第二无机膜层，其中，所述待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在所述发光材料基板上的PS柱；

设置在所述发光材料基板上的部分第一无机膜层具有第一厚度，设置在所述PS柱上的部分第一无机膜层具有第二厚度。

10.一种OLED器件，其特征在于，至少包括：权利要求9所述的OLED的封装层。

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