JP7286541B2 - 薄膜封止方法、薄膜封止構造、表示装置 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１８年３月２９日に提出された、出願番号を２０１８１０２７２５５４．５とし、発明の名称を「薄膜封止方法、薄膜封止構造、表示装置」とする中国特許の優先権を主張し、当該出願を参照により本願に援用する。

本開示は薄膜封止分野に関わっており、特に薄膜封止方法、薄膜封止構造、表示装置に関するものである。

有機発光ダイオードは薄型、透明、面発光、自発光、フレキシブルな湾曲性等のメリットを有し、照明及び表示等の各分野に幅広く用いられる。従来の有機発光ダイオードデバイスの製造技術との比較において、フレキシブル有機発光ダイオードの製造技術には、フレキシブル基板加工工程が加えられ、また封止技術が変更されているという相違点がある。フレキシブル有機発光デバイスの封止は、一般的に薄膜封止（Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）方法を用いる。消費者の需要と市場製品のモデルチェンジに伴って、狭額縁のフレキシブルデバイスの需要はますます高まっている。需要に対応するために、封止技術も狭額縁の技術を開発する必要がある。薄膜封止技術には真空成膜方式が用いられるため、マスクプレートを用いて封止薄膜をパターニングすることができる。

本開示は、基板に位置する被封止構造を被覆する第１バリア層と、前記第１バリア層の、前記基板から離隔する側に位置する有機層と、前記有機層を被覆する第２バリア層と、前記第２バリア層の、前記基板から離隔する側の表面に位置するマスク層と、を含み、前記被封止構造の前記基板での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にあり、前記マスク層、前記第２バリア層、前記第１バリア層は前記基板での正射影がほぼ重なり、前記マスク層の材料のエッチングレートは前記第２バリア層の材料のエッチングレート未満である薄膜封止構造を提供する。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記マスク層の材料は金属酸化物である。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記マスク層の材料は酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、ジルコニアにおける少なくとも１つを含み、及び／又は、前記第１バリア層の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素における少なくとも１つを含み、及び／又は、前記第２バリア層の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素における少なくとも１つを含む。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記マスク層の厚さは前記第２バリア層の厚さ未満である。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記マスク層の厚さは１００ｎｍを上回らず、前記第１バリア層と第２バリア層の厚さは０．１～１μｍの範囲内にある。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記有機層の側面に貼り付けられた前記第２バリア層の側壁の厚さは、前記第２バリア層の、前記マスク層と前記有機層との間に位置する部分の厚さを下回らない。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記有機層の前記基板での正射影は前記第１バリア層の前記基板での正射影の範囲内にある。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記第１バリア層の前記基板での正射影は前記有機層の前記基板での正射影の範囲内にある。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止構造において、前記有機層の材料は樹脂類有機材料である。

本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法は、少なくとも１つの機能領域を含む基板を提供する段階であって、前記機能領域範囲内には封止待ち構造が設けられている段階、前記封止待ち構造を被覆する第１バリア材料層を形成する段階、前記機能領域範囲内に有機層を形成する段階であって、前記封止待ち構造の前記基板での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にある段階、前記有機層を被覆する第２バリア材料層を形成する段階、前記機能領域範囲内にマスク材料層を形成する段階であって、前記マスク材料層の前記基板での正射影は前記第２バリア材料層の前記基板での正射影範囲内にあり、前記有機層の前記基板での正射影は前記マスク材料層の前記基板での正射影の範囲内にあり、前記マスク材料層の厚さは前記第２バリア材料層の厚さ未満である段階、前記マスク材料層をマスクとして前記第２バリア材料層をエッチングする段階であって、前記マスク材料層が同時にエッチングされて、前記マスク材料層のエッチングレートは前記第２バリア材料層のエッチングレート未満である段階を含む。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記有機層の前記基板での正射影は前記第１バリア材料層の前記基板での正射影の範囲内にあり、前記薄膜封止方法は前記第１バリア材料層をエッチングする段階をさらに含み、前記マスク材料層のエッチングレートは前記第１バリア材料層のエッチングレート未満である。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記第１バリア材料層の前記基板での正射影は前記有機層の前記基板での正射影の範囲内にある。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記第１バリア材料層と前記第２バリア材料層のエッチングレートは前記マスク材料層のエッチングレートの８倍以上であり、前記マスク材料層の厚さは第１バリア材料層と第２バリア材料層の厚さとの和の八分の一を下回らない。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記第１バリア材料層、前記第２バリア材料層、前記マスク材料層のエッチングが完了した後、前記マスク層の残りの厚さは１００ｎｍを上回らない。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記マスク材料層の前記基板での正射影が前記有機層の前記基板での正射影を超えた部分は環状領域であり、前記環状領域の幅は前記第２バリア材料層の厚さを上回る。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記の、マスク材料層の形成に原子層マスク堆積法を用いる。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記第１バリア材料層と第２バリア材料層の形成にプラズマ化学気相成長法を用い、前記第１バリア材料層と第２バリア材料層の厚さは０．１～１μｍである。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記エッチングに誘導結合型プラズマ技術を用いる。

例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法において、前記第１バリア材料層及び／又は第２バリア材料層を形成する際に、プラズマ化学気相成長過程において、マスクプレートフレーム内部の開口を設けて基板全体を露出させる。

本開示の少なくとも１つの実施例は、前記の薄膜封止構造又は前記の薄膜封止方法を用いて形成した薄膜封止構造を含み、前記封止待ち構造又は前記被封止構造が発光構造と制御回路を含む表示装置を提供する。

本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下では実施例の図面について簡単に紹介する。以下で説明する図面は本開示の実施例の一部に過ぎず、本開示を限定するものではない。

関連技術の薄膜封止技術における、バリア層成膜用のＰＥＣＶＤマスクの概念図である。 図１におけるＰＥＣＶＤマスクのＡ～Ａ’方向に沿った側面図及びＰＥＣＶＤマスクを用いて形成されたバリア層の側面図及び封止構造の概念図である。 封止前の基板及び封止待ち構造の概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法のフローチャート図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法フローにおける各段階で形成された封止構造の概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法フローにおける各段階で形成された封止構造の概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法フローにおける各段階で形成された封止構造の概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法フローにおける各段階で形成された封止構造の概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法フローにおける各段階で形成された封止構造の概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法フローにおける各段階で形成された封止構造の概念図である。 図５Ｆにおけるマスク層と有機層の俯瞰図である。 本開示の一実施例においてマスク層を形成するためのマスクプレートの俯瞰図である。 本開示の一実施例において第１バリア層又は第２バリア層を形成するためのマスクプレートの俯瞰図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止方法フローにおいて、エッチングが行われる前の構造概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止構造のいくつかの可能な構造概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止構造のいくつかの可能な構造概念図である。 本開示の一実施例が提供する薄膜封止構造のいくつかの可能な構造概念図である。

本開示の実施例の目的、技術案、メリットをより明瞭にするために、以下では本開示の実施例の図面を組み合わせて、本開示の実施例の技術案について明瞭、かつ完全に説明する。明らかに、説明する実施例は本開示の一部の実施例であり、すべての実施例ではない。説明する本開示の実施例に基づき、当業者が創造力を働かせないことを前提として得たすべてのその他の実施例はいずれも本開示の特許請求の範囲に属する。

特に定義しない限り、本開示が使用する技術用語又は科学用語は当業者が理解している一般的な意味を有すると理解すべきである。本開示にて使用する「第１」、「第２」及び類似の語句はいかなる順序、数量又は重要性も表さず、単に異なる構造部分を区別するためのものである。「含む」等の類似の語句は、当該語句の前の部材又は物体が、当該語句の後に挙げられた部材又は物体及びそれと均等なものを含むが、そのほかの部材又は物体を排除しないということを表す。「接続」等の類似の語句は物理的又は機械的な接続に限らず、直接であるかそれとも間接的であるかに関わらず、電気的な接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は単に相対的な位置関係を表すもので、説明対象の絶対的な位置が変更された後、当該相対的な位置関係も対応して変わる可能性がある。本開示が使用する「被覆」という術語は、その最大表面のみを覆うのではなく、被覆される物のすべての露出表面を覆うということを表す。

真空成膜方式でフレキシブル有機発光デバイスを薄膜封止した場合、マスクプレートと成膜基板との間に隙間が存在し、遮蔽（ｓｈａｄｏｗ）現象が不可避的に存在し、即ち、形成された薄膜がマスクプレート開口辺縁近くのマスクプレートの下方まで延伸し、額縁範囲が延びており、狭額縁の実現に有利ではない。

上述の通り、有機発光ダイオードを薄膜封止する技術では、一般的にマスク法によりその封止薄膜をパターニングする。例えば、図１はマスクプレートの正面図であり、図２では、図１のマスクプレート１０１のＡ～Ａ’方向に沿った断面図が示されている。図２ではマスク法を用いて形成された薄膜封止構造の側面図がさらに示されており、前記薄膜封止構造は第１バリア層２０３、有機層２０４、第２バリア層２０５によって構成され、封止待ち構造２０２を封止する。以下では第２バリア層２０５の形成を例として、マスク法成膜過程における遮蔽現象の発生原因について説明する。図面においてマスクプレート１０１はフレーム１０３により張り広げられる。マスクプレート全体に複数の開口１０２を設け、開口１０２は膜層２０５の目標成膜領域２０６に対応する。理想的な状況では、開口１０２の対応領域に限って膜層が形成され、マスクプレート１０１に覆われている領域は成膜条件を具備しない（例えば、電界がマスクプレートに遮られ、反応ガスはプラズマ状態を形成することができない）ため、膜層を形成することはできない。しかし、実際の状況において、マスクプレート１０１と成膜基材（ここでは基板２０１である）との間には隙間が存在するため、マスクプレート開口１０２に近い辺縁位置において、成膜条件を有する反応ガスはマスクプレート１０１と基板２０１との間の隙間へ一定距離浸入することができることから、隙間内には一定の厚さを有する膜層が形成され、ガス浸入距離の増加に伴って、その膜層の厚さはますます薄くなり、最終的には零になる。従って、マスクプレートにより形成される第２バリア層２０５の辺縁部分は、徐々に薄くなる先細り領域２０７を有し、これが遮蔽現象である。よって、実際の成膜領域は目標成膜領域よりも大きく、先細り領域２０７は非表示領域内に位置する。さらに、基板の切断過程において、膜層にクラックが生じないように、切断経路は先細り領域を回避しなければならない。従って、先細り領域２０７は非表示領域の面積の拡大を招き、狭額縁の実現に有利ではない。

本開示の少なくとも１つの実施例が提供する薄膜封止方法は、少なくとも１つの機能領域を含む基板を提供する段階を含み、前記機能領域とは、薄膜封止が完了して基板を切断する時に、切断経路が通過することのできない領域（当該領域には製品機能を実現するすべての構造が含まれているため）を具体的に指す。前記機能領域範囲内には封止待ち構造が設けられており、前記封止待ち構造を被覆する第１バリア材料層を形成し、前記機能領域範囲内に有機層を形成し、前記封止待ち構造の前記基板での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にあり、前記有機層を被覆する第２バリア材料層を形成し、前記機能領域範囲内にマスク材料層を形成し、前記マスク材料層の前記基板での正射影は前記第２バリア材料層の前記基板での正射影範囲内にあり、前記有機層の前記基板での正射影は前記マスク材料層の前記基板での正射影の範囲内にあり、前記マスク材料層の厚さは前記第２バリア材料層の厚さを下回り、前記第２バリア材料層をエッチングし、前記マスク材料層のエッチングレートは前記第２バリア材料層のエッチングレートを下回る。

本開示の少なくとも１つの実施例は、基板に位置する被封止構造を被覆する第１バリア層と、前記第１バリア層の、前記基板から離隔する側に位置する有機層と、前記有機層を被覆する第２バリア層と、前記第２バリア層の、前記基板から離隔する側に位置するマスク層と、を含み、前記被封止構造の前記基板での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にあり、前記第２バリア層、前記第１バリア層、前記マスク層は前記基板での正射影がほぼ重なり、前記マスク層の厚さは前記第２バリア層の厚さを下回るということを含む薄膜封止構造を提供する。

本開示の少なくとも１つの実施例は、前記の薄膜封止方法によって形成された薄膜封止構造又は前記の薄膜封止構造を含み、前記封止待ち構造又は前記被封止構造が発光構造と制御回路を含む表示装置を提供する。

以下ではいくつかの具体的な実施例により本開示の薄膜封止方法、薄膜封止構造、表示装置について説明する。

（実施例１）
本実施例が提供する薄膜封止方法は、基板上の封止待ち構造を封止するためのものであり、前記封止待ち構造には一般的に水分・酸素に対して比較的敏感な材料が含まれ、前記封止待ち構造は表示及び照明装置における有機半導体材料を含む有機発光ダイオードアレイであってもよく、有機半導体材料によって作成された薄膜太陽電池であってもよく、赤外線検出器とカメラにおいて使用される、有機半導体材料によって作成された光感知ユニットアレイであってもよい。上記製品の製造過程において、基板には一般的に複数の重複する機能領域が含まれ、各機能領域は対応する形で一つの製品を形成する。機能領域の間には切断領域があり、基板の切断時には切断経路が切断領域を通過する。例えば、表示パネルに関して、各機能領域には、一枚の表示パネルが必要とする表示基板構造が含まれる。コストを節約し、生産率を高めるために、一つの基板上の複数の機能領域に対して同時に、例えば、成膜、フォトリソグラフ、エッチング、洗浄等のステップを含む加工処理を行うのが一般的である。その後、基板全体のすべての機能領域を封止してレーザ切断又は機械切断等の方式で一枚の基板を複数の表示基板に切断してから、後続のモジュール処理を行い、最終的に表示パネルが形成される。

本開示における基板は複数の機能領域を含んでもよい。当然ながら、この基板は一つの機能領域のみを含んでもよく、言い換えれば、この基板は一枚の表示パネルしか生産することができない。

図３に示すように、封止待ち構造３０２は基板３０１の１つの機能領域３１０内に形成され、封止待ち構造３０２は具体的に、薄膜トランジスタ、導線、有機発光ダイオード、及び各構造の隔離を実現するための膜層（例えば、パッシベーション層、平坦化層、層間媒体層、画素境界層等を含む）を含んでもよい。

封止待ち構造３０２を形成した後、本実施例の薄膜封止方法を用いて、封止待ち構造を封止する。例えば、図４は本実施例の一例における薄膜封止方法のフローチャート図であり、当該方法はステップＳ１０１～Ｓ１０５を含む。

ステップＳ１０１：
図５Ａに示すように、第１バリア材料層３０３０を形成する。バリア材料層構造は緻密であり、水分子と酸素分子等の活性分子に対して好ましい遮断作用を有する。水蒸気分子と酸素分子が、封止待ち構造に接触しないように、第１バリア材料層３０３０により、封止待ち構造３０２を被覆、即ち、完全に覆う必要がある。封止薄膜のバリア性を確保するために、第１バリア材料層３０３０は薄すぎてはならず、また封止薄膜が一定の湾曲度と柔軟性を有することを確保し、表示デバイスの全体的厚さを低減するために、第１バリア材料層３０３０は厚すぎてはならず、一般的にその厚さは０．１μｍ～１μｍの間であることが求められる。

第１バリア材料層３０３０はプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）技術によって形成することができ、即ち、加工される基板を成膜チャンバに入れ、反応ガスを導入して反応ガスをプラズマ化処理してその活性を高め、特定の反応条件下において、反応ガスの間で化学反応を行い、その反応産物が加工される基板表面に堆積することで基板上の封止待ち構造３０２を被覆する第１バリア材料層３０３０を形成する。反応時間を調節することにより第１バリア材料層３０３０の厚さを制御することができる。

ステップＳ１０２：
図５Ｂに示すように、有機層３０４を形成する。バリア層の柔軟性が劣ることから、製品使用過程においてクラックが生じやすく、水分・酸素はこれらクラックを介して、封止待ち構造３０２に浸入し封止を失効させる。従って、第１バリア材料層３０３０の表面に有機層３０４を形成する必要があり、当該有機層は良好な柔軟性を有し、有機層とバリア材料層を貼り付ける時に、バリア材料層における応力を逃がして放つことができ、これによりバリア材料層の裂けを防止するという役割がある。

ステップＳ１０３：
図５Ｃに示すように、第２バリア材料層３０５０を形成する。有機層３０４は水分・酸素に対して親和性を有し、水分・酸素は有機層に沿って拡散することができ、さらに第１バリア材料層３０３０上のクラックを介して、封止待ち構造３０２に浸入する。従って、有機層３０４上方に第２バリア材料層３０５０をさらに設置する必要があり、第２バリア材料層３０５０は有機層３０４を完全に覆うことで、それと水分・酸素との接触を防止する。第２バリア材料層３０５０は第１バリア材料層３０３０の形成方法と同一の方法を用いることができる。第１バリア材料層３０５０と同様の理由により、第２バリア材料層３０５０の厚さは０．１μｍ～１μｍの間であることが好ましい。

なお、有機層３０４の成膜範囲についてはさらに以下のような制限を加えるべきである。１）有機層３０４は前記機能領域３１０の範囲を超えてはならない。そうでなければ、基板を切断する時に、隣接する機能領域間に跨る有機層３０４が切断後に露出して水分・酸素との接触が生じてしまう。２）封止待ち構造３０２の基板３０１での正射影は有機層３０４の基板３０１での正射影の範囲内とすべきであり、各箇所の封止待ち構造３０２に対していずれも有効な封止を行うことを確保するために、封止待ち構造３０２の各箇所の上方にはバリア材料層－有機層－バリア材料層という三層の積層構造がある。

任意で、有機層３０４の前記基板３０１での正射影は第１バリア材料層３０３０の基板３０１での正射影の範囲内にあり、つまり、図５Ｃに示す通り、第１バリア材料層３０３０の範囲は有機層３０４の範囲よりもさらに大きい。有機層がバリア材料層の範囲を超える場合、一部の有機層（例えば有機層３０４の一部分）は基板３０１に直接接触し、図５Ｄに示す通り、それと基板とが接触する隙間に水分・酸素が浸入しやすいため、水分・酸素の遮断に有利ではない。一方、本発明において、有機層の範囲は、最終的に形成される表示パネル寸法が到達可能な最小範囲に制限されるか（切断経路が有機層範囲内にあってはならないため）、又は表示パネル縁幅の下限に制限されるため、有機層の範囲は第１バリア材料層３０３０の範囲よりも小さくなっており、縁をできるだけ小さくすることに有利である。

有機層３０４を特定の範囲内に制限するために、インクジェットプリント、真空蒸着又はスクリーン印刷という方法を用いて有機層３０４を形成することができる。インクジェットプリント法はノズルの経路を調節することにより有機層の形成領域を限定することができ、真空蒸着法はマスクプレートを用いて有機層が形成される領域を限定し、スクリーン印刷法はスクリーン印刷を用いて有機層の領域を限定し、これら方法では有機層の形成と同時に特定のパターンを有することができ、一層の薄膜を先に形成し、さらにコーティング、フォトリソグラフ、現像によりパターニングする必要はなく、工程ステップを省くとともに、フォトリソグラフ現像過程に係る化学試薬が、封止待ち構造に与える損傷を回避することができる。

ステップＳ１０４：
図５Ｅに示すように、前記機能領域３１０範囲内にマスク材料層３０６０を形成し、前記マスク材料層の基板３０１での正射影は第２バリア材料層３０５０の基板３０１での正射影範囲内にあり、有機層３０４の基板３０１での正射影はマスク材料層３０６０の基板３０１での正射影範囲内にあり、マスク材料層３０６０の厚さは第２バリア材料層３０５０の厚さを下回る。

前記のマスク材料層の形成に原子層堆積法（ＡＬＤ）を用いることができる。

ステップＳ１０５：
有機層３０４の前記基板３０１での正射影が第１バリア材料層３０３０の基板３０１での正射影の範囲内にある時に、図５Ｆに示すように、第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０をエッチングし、マスク材料層３０６０の基板３０１での正射影範囲以外の第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０がエッチングで除去される。よって、基板を切断する時に、切断経路は封止待ち構造３０２のより近くであってよいため、非表示領域の面積を小さくして縁をより狭くすることができる。前記マスク材料層のエッチングレートは前記第１バリア材料層のエッチングレートを下回り、前記第２バリア材料層のエッチングレートも下回る。

従って、本開示では、マスク材料層３０６０を第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０をエッチングするマスクとするため、マスク材料層３０６０のエッチングレートを、第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０のエッチングレートを下回るように設ける必要がある。一般的に言えば、マスク材料層３０６０はＡＬＤを用いて形成され、その構造は比較的緻密であり、エッチングされにくい。一方、第１バリア材料層３０３０、第２バリア材料層３０５０はＰＥＣＶＤにより形成され、その構造は相対的に柔らかいため、エッチング液でエッチングされやすい。例えば、ＰＥＣＶＤ法で製造された酸化ケイ素薄膜のエッチングレートはＡＬＤ法で製造された酸化ケイ素薄膜のエッチングレートよりも４倍以上速く、ＡＬＤ方法で製造された金属酸化物薄膜のエッチングレートより１０倍以上も速い。

工程ステップを省くために、マスク材料層３０６０はＡＬＤマスク法によりパターンを直接形成することが好ましく、図６に示すように、マスクプレート４０２はフレーム４０３により張り広げられ、マスクプレートに開口４０１を設置し、開口４０１は対応してマスク材料層３０６０の目標成膜領域を形成する。同様に、マスクプレート４０２と成膜基材（ここでは第２バリア材料層３０５０である）との間には隙間があるため、反応活性を有する前駆体はマスクプレート開口４０１の辺縁位置からマスクプレート４０２と第２バリア材料層３０５０との間の隙間へ一定距離浸入することができることから、隙間内には一定の厚さの膜層が形成され、前駆体の浸入距離の増加に伴って、その膜層の厚さはますます薄くなり、最終的には零になる。従って、マスクプレートにより形成されるマスク材料層３０６０のパターンの辺縁にも先細り領域が存在する。しかし、マスク法で形成される第２バリア材料層３０５０と異なるのは、ここではマスク材料層３０６０の厚さが前記第２バリア材料層３０５０の厚さを下回るように設けられるということであり、先細り領域の厚さと幅は一般的に、形成される膜層の厚さと正の相関関係があるため、マスク材料層３０６０の先細り領域の長さと厚さはいずれも第２バリア材料層３０５０の先細り領域の長さと厚さを下回り、縁に対する影響は比較的小さい。

このほか、マスク材料層３０６０のエッチングのレートは非常に小さいが、一定のエッチングレートを依然として有する。その辺縁の厚さは比較的薄く、当該先細り領域はエッチングで除去される可能性があるため、エッチングの後、マスク材料層３０６０の範囲は縮小することになり、縁への影響をさらに低減していると理解できる。

マスク材料層３０６０の範囲は有機層３０４の範囲よりも大きくなくてはならず、そうでなければ、第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０をエッチングする過程において有機層３０４が露出し封止が失効することになる。明らかに、マスク材料層の範囲を第２バリア材料層と第１バリア材料層の範囲内とすべきであり、そうでなければ、マスク材料層は第２バリア材料層３０５０と第１バリア材料層３０３０をパターニングするという役割を果たすことができない。

第２バリア材料層にパターニングされたマスク層を形成することにより、マスク材料層を、第２バリア層をエッチングするマスクとし、マスク材料層の基板での正射影範囲以外の第２バリア材料層をエッチングで除去し、基板を切断する時に、切断経路は封止待ち構造のより近くであってよいため、非表示領域の面積を小さくして縁をより狭くすることができる。従来の方法を用いて第２バリア材料層をパターニングする時に生じる、遮蔽現象により先細り領域が存在するため縁が過度に広くなるという課題を解決しており、表示装置の狭額縁の実現に有利である。

図５Ｅ～５Ｇに示すように、マスク材料層３０６０の基板３０１での正射影３１３が有機層３０４の基板３０１での正射影３１２を超えた部分は環状領域である。前記環状領域の幅３１１が前記第２バリア材料層３０５０の厚さを下回らないように設けることが好ましく、これにより第２バリア材料層３０５０がエッチングされた後、有機層３０４の側面に貼り付けられる第２バリア材料層３０５の側壁の厚さ３１４は第２バリア材料層３０５０の厚さ３１７を下回らず、水分・酸素への遮断性を確保し、水分・酸素が側面から有機層へ浸入することを防止する。

マスク材料層３０６０の厚さは第２バリア材料層の厚さを下回るべきであり、その理由は、ＡＬＤマスク法を用いた時に生じる先細り領域の縁への影響を低減するためであるほか、厚すぎるマスク層は成膜時間を延ばすことになり生産率が低下するからである。

マスク材料層３０６０の基板３０１での正射影範囲以外の第２バリア材料層３０５０と第１バリア材料層３０３０がエッチングで除去された後、先細り領域以外のマスク材料層３０６０は完全にはエッチングで除去されないため、保護される第２バリア材料層３０５０が露出しないように、マスク材料層３０６０は少なくとも一定の厚さを有するように設けるべきであり、前記最小厚さは第１バリア材料層３０３０、第２バリア材料層３０５０のエッチングレートとマスク材料層３０６０のエッチングレートとの比例に基づいて確定すべきである。好ましくは、第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０のエッチングレートがマスク材料層３０６０のエッチングレートの８倍以上である場合、マスク材料層３０６０の厚さが第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０の厚さとの和の八分の一を下回らなければ、要求を満たすことができる。第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０のエッチングレートとマスク材料層３０６０のエッチングレートとの比率がさらに低下すると、マスク材料層３０６０の厚さを増やさなければならない。前述の通り、これは成膜時間を延ばし、生産率が低下することになる。さらに好ましくは、第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０のエッチングレートがマスク材料層３０６０のエッチングレートよりも遥かに大きいか、又はマスク材料層３０６０がエッチング媒体とほぼ反応しない場合は、マスク材料層を、バリア材料層の厚さよりも遥かに小さく設置することができ、これにより成膜時間を節約し、生産率を高め、さらに、マスク材料層の先細り領域の範囲を縮小するため、狭額縁の実現により有利である。

第１バリア材料層３０３０、第２バリア材料層３０５０へのエッチングが完了した後、マスク材料層３０６０の残りの厚さは１００ｎｍを上回らない。これは、厚すぎるマスク材料層は湾曲性が低下し、封止構造の湾曲の過程においてクラックが生じやすいためである。

注意すべき点は、エッチング後の残りのマスク材料層３０６０は薄膜封止構造のバリア性を向上させることもでき、封止待ち構造３０２へ水分・酸素が浸入することをさらに防止することができるという点である。

第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０をエッチングする過程において、各方向にもエッチングレートが存在するため、マスク材料層３０６０の辺縁下方に第２バリア材料層３０５０の過度なエッチングが生じる可能性があり、マスク材料層のオーバーハング脱落、又は有機層３０４の露出を招く。この問題が発生しないように、方向性を有するエッチング方法、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）技術を採用することができ、適切な電界、気圧を調節することにより、エッチング媒体の、第２バリア材料層３０３０の厚さ方向に沿うエッチングレートを、第２バリア材料層３０５０に平行な方向に沿うエッチングレートよりも遥かに高くすることができる。

説明すべき点は、第１バリア層３０３と第２バリア層３０５はマスク材料層によりパターニングされるため、第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０膜層形成時にいかなるパターニング処理も行わなくてよく、それが基板全体を覆うように設ける。厳密に言えば、基板の辺縁部分には技術的な制限によって、被覆されない領域が一部存在する可能性があり、ここに第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０を設けて基板全体におけるすべての機能領域３１０と機能領域３１０との間の切断領域を覆い、基板の辺縁の一部領域が第１バリア材料層３０３０と第２バリア材料層３０５０に覆われないという可能性は排除されない。

具体的に、図７に示すように、開放式のマスク法により第１バリア材料層３０３０、及び／又は、第２バリア材料層３０５０を形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤの過程において、マスクプレートフレーム５０１内部の開口５０２において基板全体を露出し、各機能領域に対応する開口を設置する必要はない。従って、マスクプレート製作の技術的難易度を低減することができる。

説明すべき点は、薄膜封止構造はバリア材料層－有機層－バリア材料層という三層構造に限らず、図８に示すように、バリア材料層－有機層－バリア材料層－有機層－バリア材料層という五層構造であってもよく、封止効果を強化するために、ひいてはより複数の層でもよい。言い換えれば、第１バリア材料層３０３０を形成するステップＳ１０１と有機層３０４を形成するステップＳ１０２の間には、交互に対となって設置される有機層３１６とバリア材料層３１５０を形成するステップをさらに含んでもよく、前記有機層は、前記の、これと対となって設置されるバリア材料層に被覆される。前記有機層とバリア材料層を形成する方法は前述の通りであるので、ここでは改めて説明しない。

なお、ステップＳ１０５において、有機層の前記基板での正射影が前記第１バリア材料層の前記基板での正射影の範囲を超えた場合、図５Ｄに示すように、つまり、有機層が第１バリア材料層を被覆する場合、第２バリア材料層をエッチングするだけでよく、これに応じて、前記マスク材料層のエッチングレートは前記第２バリア材料層のエッチングレートを下回っていればよい。

有機層１層以上とバリア材料層２層以上が交互に積層されるという状況に関して、封止待ち構造に近い側の、有機層と隣接するバリア材料層を被覆する場合、当該バリア材料層と当該バリア材料層の、封止待ち構造に近い側に位置する各バリア材料層をエッチングする必要はなく、これに応じて、前記マスク材料層のエッチングレートはこれらバリア材料層のエッチングレートを下回る必要はない。一方、すべての有機層の前記基板での正射影がいずれも前記第１バリア材料層の前記基板での正射影の範囲内にある場合、図８に示すように、前記のエッチングステップは、第１バリア材料層と第２バリア材料層以外の各バリア材料層をエッチングし、マスク材料層３０６０の基板３０１での正射影範囲以外に位置するバリア材料層がエッチングで除去されるということをさらに含む。よって、基板の切断時に、切断経路は封止待ち構造３０２のより近くであってよいため、非表示領域の面積を小さくして縁をより狭くすることができる。

最後に、各有機層の基板での正射影がマスク材料層の基板での正射影の範囲内にあるように設ける必要があるため、有機層は各バリア材料層がエッチングされた後に露出されず、封止効果を損なうことはない。

（実施例２）
本実施例が提供する薄膜封止構造は、基板上の被封止構造を封止するためのものである。例えば、図９Ａに示すように、前記薄膜封止構造は具体的に、基板６０１に位置する被封止構造６０２を被覆する第１バリア層６０３と、第１バリア層６０３の、基板から離隔する側に位置する有機層６０４と、有機層６０４を被覆する第２バリア層６０５と、第２バリア層６０５の、基板６０１から離隔する側に位置するマスク層６０６と、を含み、被封止構造６０２の基板６０１での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にあり、マスク層６０６の基板６０１での正射影は第２バリア層６０５、第１バリア層６０３、有機層６０４の基板６０１での正射影を被覆し、マスク層６０６の厚さは第２バリア層６０５の厚さを下回る。

第１バリア層６０３は被封止構造６０２を完全に覆い、バリア層構造は緻密であり、水蒸気分子と酸素分子等の活性分子に対して好ましい遮断作用を有する。水蒸気分子と酸素分子が被封止構造６０２に接触しないように、第１バリア層６０３により、被封止構造６０２を被覆、即ち、完全に覆う必要がある。封止薄膜のバリア性を確保するために、第１バリア層６０３は薄すぎてはならず、また封止薄膜が一定の湾曲度と柔軟性を有することを確保し、表示デバイスの全体的厚さを低減するために、第１バリア層６０３は厚すぎてはならず、その厚さは０．１μｍ～１μｍの範囲内とするのが好ましい。

バリア層の柔軟性が劣ることから、製品使用過程においてクラックが生じやすく、水分・酸素はこれらクラックを介して、被封止構造６０２へ浸入し封止を失效させる。従って、第１バリア層６０３の、基板６０１から離隔する側に有機層６０４を設置する必要があり、当該有機層は良好な柔軟性を有し、有機層とバリア層を貼り付ける際に、バリア層における応力を逃がして放つことができ、これによりバリア層の裂けを防止する。

有機層は水分・酸素に対して親和性を有し、水分・酸素は有機層６０４に沿って拡散することができ、さらにバリア層上のクラックを介して被封止構造６０２に浸入する。従って、第２バリア層６０５を設けて有機層６０４を完全に覆うことで、それと水分・酸素との接触を防止する必要がある。第１バリア層６０３と同様の理由により、第２バリア層６０５の厚さは０．１μｍ～１μｍの範囲内に設けるのが好ましい。

被封止構造の前記基板での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にあるため、各被封止構造６０２に対して何れも有効な封止を行うことを確保するために、被封止構造６０２の各箇所の上方にはバリア層－有機層－バリア層という積層構造がある。

任意で、図９Ａに示すように、有機層の前記基板６０１での正射影は第１バリア層６０３の基板６０１での正射影の範囲内にあり、つまり、第１バリア層６０３の範囲は有機層６０４の範囲よりもさらに大きい。有機層がバリア層の範囲を超える場合、一部の有機層（例えば有機層６０４の一部）は基板６０１に直接接触し、図９Ｂに示す通り、それと基板とが接触する隙間に水分・酸素が浸入しやすく、封止効果に影響する。一方、本発明において、有機層の範囲は、最終的に形成される表示パネル寸法が到達可能な最小範囲に制限されるか（切断経路が有機層範囲内にあってはならないため）、又は表示パネル縁幅の下限に制限されるため、有機層の範囲は第１バリア層６０３の範囲よりも小さくなっており、縁をできるだけ小さくすることに有利である。

第２バリア層６０５の、基板６０１から離隔する側に位置するマスク層６０６は薄膜封止構造の製造過程においてマスクとして第１バリア層６０３と第２バリア層６０５をパターニングするために用いられる。第１バリア層６０３と第２バリア層６０５の、マスク層６０６に覆われない部分はエッチングされるため、第２バリア層６０５と第１バリア層６０３の基板６０１での正射影は前記マスク層６０６の基板６０１での正射影の範囲内にある。

良好な方向性を有するエッチング法を用いて第１バリア層６０３と第２バリア層６０５をエッチングし、即ち、エッチング媒体の、第２バリア層６０５と平行な平面におけるエッチングレートが零である時、マスク層６０６下方の第１バリア層６０３と第２バリア層６０５に過度なエッチングが生じないようにすることができるため、第１バリア層６０３、第２バリア層６０５、マスク層６０６の基板６０１での正射影の重なりを実現することができる。これにより過度なエッチングによる有機層の露出を防止することができ、薄膜封止の信頼性を向上させることができる。

マスク層６０６の厚さは第２バリア層６０５の厚さを下回るべきである。理由は以下の通りである。１）マスク法によって形成されたマスク層６０６は遮蔽現象の影響を受け、その辺縁にも先細り領域が存在するため、縁の幅が広くなる。マスク層６０６が厚すぎる場合、先細り領域の幅が増え、狭額縁に有利ではない。２）厚すぎるマスク層は成膜時間を延ばし、生産率を低下させる。３）厚すぎるマスク層の湾曲性は下降し、封止構造の湾曲の過程においてクラックが生じやすい。マスク層６０６の厚さは１００ｎｍを超えないことが好ましい。

図９Ａに示すように、有機層６０４の側面に貼り付けられる第２バリア層６０５の側壁の厚さ６１４は、前記第２バリア層６０５の、マスク層６０６と有機層６０５との間に位置する部分の厚さ６１５を下回らないのが好ましく、これにより水分・酸素に対するバリア性を確保し、水分・酸素が側面から有機層へ浸入することを防止する。

任意で、前記の薄膜封止構造において、マスク層６０６の材料は酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、ジルコニアにおける少なくとも１つを含む。第１バリア層６０３は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素における少なくとも１つを含み、及び／又は、第２バリア層６０５の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素における少なくとも１つを含む。酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、ジルコニア等の材料は一般的に窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等の材料よりもエッチングしにくい。

任意で、前記の薄膜封止構造において、有機層６０４の材料はエポキシ樹脂類の有機材料である。この類の材料は良好な柔軟性と透光率を有するため、応力を緩衝し、第１バリア層６０３又は第２バリア層６０５の裂けを防止するという役割を果たしている。また、良好な透光率により前記薄膜封止構造は太陽電池と表示パネル等の装置に用いられる。

任意で、マスク層６０６の厚さは１００ｎｍを上回らない。その理由は、厚すぎるマスク層の湾曲性は下降し、封止構造の湾曲の過程においてクラックが生じやすいからである。

説明すべき点は、薄膜封止構造はバリア層－有機層－バリア層という三層構造に限らず、図９Ｃに示すように、バリア層－有機層－バリア層－有機層－バリア層という五層構造であってもよく、封止効果を強化するために、ひいてはより複数の層でもよいという点である。言い換えれば、第１バリア層６０３と有機層６０４との間には、交互に対となって設置される有機層とバリア層をさらに含んでもよく、前記有機層が露出せず、水分・酸素に侵食されないことを確保するために、前記有機層は、前記の、これと対となって設置されるバリア層に被覆される。

なお、有機層６０４の前記基板での正射影が第１バリア層６０３の基板６０１での正射影の範囲を超えた場合、図９Ｂに示すように、つまり、有機層が第１バリア層を被覆する場合、第２バリア層をエッチングするだけでよいため、マスク層は第２バリア層へのパターニングだけに用いられる。その理由は、第１バリア層は有機層に被覆され、有機層は第２バリア層に被覆されるため、第１バリア層の前記基板での正射影は自然とマスク層の基板での正射影の範囲内にあるからである。

有機層１層以上とバリア層２層以上が交互に積層されるという状況に関して、封止待ち構造に近い側の、有機層と隣接するバリア層を被覆する場合、当該バリア層と当該バリア層の、封止待ち構造に近い側の各バリア層をエッチングする必要はない。その理由は、マスク層は当該有機層の、被封止構造から離隔する側に位置する各バリア層をパターニングするため、当該有機層の、被封止構造から離隔する側に位置する各バリア層の前記基板での正射影は自然と前記マスク層の前記基板での正射影の範囲内にあるからである。もう１つの理由は、当該有機層は、封止待ち構造に近い側の隣接するバリア層を被覆するため、当該バリア層と当該バリア層の、封止待ち構造に近い側に位置する各バリア層の前記基板での正射影は自然と前記マスク層の前記基板での正射影の範囲内にあるからである。一方、すべての有機層の前記基板での正射影が前記第１バリア層の前記基板での正射影の範囲内にある場合、図９Ｃに示すように、前記マスク層は第１バリア層と第２バリア層以外の各バリア層へのパターニングにさらに用いられ、マスク層の基板での正射影範囲以外に位置するバリア層はエッチングで除去される。従って、第１バリア層と第２バリア層以外の各バリア層の基板６０１での正射影もマスク層６０６の基板６０１での正射影範囲内にある。よって、基板を切断する時に、切断経路は被封止構造６０２のより近くであってよいため、非表示領域の面積を小さくして縁をより狭くすることができる。

（実施例３）
本実施例は、基板、発光構造、制御回路を含み、前記の薄膜封止構造又は前記の薄膜封止方法を用いて形成する薄膜封止構造をさらに含む表示装置を提供する。前記発光構造は有機発光ダイオードであってよく、量子ドットの発光ダイオードであってもよい。前記制御回路は有機材料又は無機材料で作成される。前記薄膜封止構造又は前記の薄膜封止方法で形成された薄膜封止構造は、前記発光構造又は前記制御回路の材料が水分・酸素環境下で性質変化することでもたらされる、前記表示装置の歩留まりと寿命の劣化を防止することができる。前記薄膜封止構造又は前記の薄膜封止方法で形成された薄膜封止構造は、遮蔽現象に起因する、薄膜封止構造辺縁の先細り領域が広すぎるため縁が過度に広くなるという課題を解決している。

前記表示装置は具体的に液晶パネル、電子ペーパー、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーション装置等、表示機能を有するあらゆる製品又は部材であってよく、本実施例ではこれについて限定しない。

さらに以下のいくつかの点について説明しておく。

（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造のみに関わるものであり、その他構造については一般的な設計を参照することができる。

（２）明瞭にするために、本開示の実施例を説明する図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、即ち、これら図面は実際の比率で作画されているのではない。例えば、層、膜、領域又は基板の類の部材が別の部材の「上」又は「下」にあると表現されている場合、当該部材は別の部材の「上」又は「下」に「直接」位置してよく、又は中間部材が存在してよい。

（３）矛盾しなければ、本開示における実施例及び実施例における特徴は互いに組み合わせて新たな実施例とすることができる。

以上の記載は本開示の具体的な実施の形態に過ぎず、本開示の特許請求の範囲はこれにより制限されない。本開示の技術範囲内において当業者が容易に想到できるいかなる変更又は置換もすべて本開示の特許請求の範囲に含まれる。よって、本開示の請求範囲は特許請求の範囲の記載を基準とする。

１０１ マスクプレート
１０２ マスクプレート開口
１０３ フレーム
２０１ 基板
２０２ 封止待ち構造
２０３ 第１バリア層
２０４ 有機層
２０５ 第２バリア層
２０６ 目標成膜領域
２０７ 先細り領域
３０１ 基板
３０２ 封止待ち構造
３０４ 有機層
３０５ 第２バリア材料層
３０６ マスク材料層
３１０ 機能領域
３１１ 環状領域の幅
３１２ 正射影
３１３ 正射影
３１４ 側壁の厚さ
３１６ 有機層
３１７ 第２バリア材料層の厚さ
４０１ マスクプレートに開口
４０２ マスクプレート
４０３ フレーム
５０１ マスクプレートフレーム
５０２ 開口
６０１ 基板
６０２ 被封止構造
６０３ 第１バリア層
６０４ 有機層
６０５ 第２バリア層
６０６ マスク層
６１４ 側壁の厚さ
３０３０ 第１バリア材料層
３０５０ 第２バリア材料層
３０６０ マスク材料層
３１５０ バリア材料層

Claims (19)

1. 基板に位置する被封止構造を被覆する第１バリア層と、
   前記第１バリア層の、前記基板から離隔する側に位置する有機層と、
   前記有機層を被覆する第２バリア層と、
   前記第２バリア層の、前記基板から離隔する側の表面に位置するマスク層と、を含み、
   前記被封止構造の前記基板での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にあり、
   前記マスク層、前記第２バリア層、前記第１バリア層は前記基板での正射影がほぼ重なり、前記マスク層の材料のエッチングレートは前記第２バリア層の材料のエッチングレート未満であり、
   前記マスク層の厚さは前記第２バリア層の厚さ未満である、
   薄膜封止構造。
2. 前記マスク層の材料は金属酸化物である、
   請求項１に記載の薄膜封止構造。
3. 前記マスク層の材料は酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、ジルコニアにおける少なくとも１つを含み、及び／又は、前記第１バリア層の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素における少なくとも１つを含み、及び／又は、前記第２バリア層の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素における少なくとも１つを含む、
   請求項２に記載の薄膜封止構造。
4. 前記マスク層の厚さは１００ｎｍを上回らず、前記第１バリア層と第２バリア層の厚さは約０．１～１μｍの範囲内にある、
   請求項１に記載の薄膜封止構造。
5. 前記有機層の側面に貼り付けられた前記第２バリア層の側壁の厚さは、前記第２バリア層の、前記マスク層と前記有機層との間に位置する部分の厚さを下回らない、
   請求項４に記載の薄膜封止構造。
6. 前記有機層の前記基板での正射影は前記第１バリア層の前記基板での正射影の範囲内にある、
   請求項５に記載の薄膜封止構造。
7. 前記第１バリア層の前記基板での正射影は前記有機層の前記基板での正射影の範囲内にある、
   請求項５に記載の薄膜封止構造。
8. 前記有機層の材料は樹脂類有機材料である、
   請求項６又は７に記載の薄膜封止構造。
9. 少なくとも１つの機能領域を含む基板を提供する段階であって、前記機能領域範囲内には封止待ち構造が設けられている段階、
   前記封止待ち構造を被覆する第１バリア材料層を形成する段階、
   前記機能領域範囲内に有機層を形成する段階であって、前記封止待ち構造の前記基板での正射影は前記有機層の基板での正射影の範囲内にある段階、
   前記有機層を被覆する第２バリア材料層を形成する段階、
   前記機能領域範囲内の第２バリア材料層にマスク材料層を形成する段階であって、前記マスク材料層の前記基板での正射影は前記第２バリア材料層の前記基板での正射影範囲内にあり、前記有機層の前記基板での正射影は前記マスク材料層の前記基板での正射影の範囲内にあり、前記マスク材料層の厚さは前記第２バリア材料層の厚さ未満である段階、
   前記マスク材料層をマスクとして前記第２バリア材料層をエッチングする段階であって、前記マスク材料層が同時にエッチングされて第２バリア層とマスク層をそれぞれ形成し、前記マスク材料層のエッチングレートは前記第２バリア材料層のエッチングレート未満である段階、
   を含む薄膜封止方法。
10. 前記機能領域範囲内に有機層を形成する段階において、前記有機層を形成し、前記有機層の前記基板での正射影を前記第１バリア材料層の前記基板での正射影の範囲内とする段階を含み、
    前記第１バリア材料層をエッチングする段階であって、前記マスク材料層のエッチングレートは前記第１バリア材料層のエッチングレート未満である段階をさらに含む、
    請求項９に記載の薄膜封止方法。
11. 前記機能領域範囲内に有機層を形成する段階において、前記有機層を形成し、前記第１バリア材料層の前記基板での正射影を前記有機層の前記基板での正射影の範囲内とする段階を含む、
    請求項９に記載の薄膜封止方法。
12. 前記第１バリア材料層と前記第２バリア材料層のエッチングレートは前記マスク材料層のエッチングレートの８倍以上であり、前記マスク材料層の厚さは第１バリア材料層と第２バリア材料層の厚さとの和の八分の一を下回らない、
    請求項１０又は１１に記載の薄膜封止方法。
13. 前記第１バリア材料層、前記第２バリア材料層、前記マスク材料層のエッチングが完了した後、形成される前記マスク層の厚さが１００ｎｍを上回らない、
    請求項１２に記載の薄膜封止方法。
14. 前記機能領域範囲内にある第２バリア材料層にマスク材料層を形成する段階において、前記マスク材料層を形成し、前記マスク材料層の前記基板での正射影が前記有機層の前記基板での正射影を超えた部分を環状領域とする段階を含み、前記環状領域の幅は前記第２バリア材料層の厚さを上回る、
    請求項１３に記載の薄膜封止方法。
15. 前記機能領域範囲内にある第２バリア材料層にマスク材料層を形成する段階は、原子層マスク堆積法を用いてマスク材料層を形成する段階を含む、
    請求項１４に記載の薄膜封止方法。
16. 前記第１バリア材料層と第２バリア材料層の形成にプラズマ化学気相成長法を用い、前記第１バリア材料層と第２バリア材料層の厚さは約０．１～１μｍの範囲内にある、
    請求項１５に記載の薄膜封止方法。
17. 前記第１バリア材料層と第２バリア材料層のエッチングに誘導結合型プラズマ技術を用いる、
    請求項１６に記載の薄膜封止方法。
18. 前記第１バリア材料層及び／又は第２バリア材料層を形成する際に、プラズマ化学気相成長過程において、マスクプレートフレーム内部の開口を設けて基板全体を露出させる、
    請求項１６に記載の薄膜封止方法。
19. 請求項１～８のいずれか一項に記載の薄膜封止構造を含み、又は、請求項９～１８のいずれか一項に記載の薄膜封止方法を用いて形成した薄膜封止構造を含み、前記封止待ち構造又は前記被封止構造は発光構造と制御回路を含む、
    表示装置。

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