KR102547689B1 - 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102547689B1
KR102547689B1 KR1020180070903A KR20180070903A KR102547689B1 KR 102547689 B1 KR102547689 B1 KR 102547689B1 KR 1020180070903 A KR1020180070903 A KR 1020180070903A KR 20180070903 A KR20180070903 A KR 20180070903A KR 102547689 B1 KR102547689 B1 KR 102547689B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
layer
light emitting
organic light
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020180070903A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190143556A (ko
Inventor
윤원민
김요한
김이수
박응석
이병덕
조윤형
주영철
주용찬
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180070903A priority Critical patent/KR102547689B1/ko
Priority to US16/261,321 priority patent/US11165045B2/en
Priority to CN201910393447.2A priority patent/CN110620185A/zh
Publication of KR20190143556A publication Critical patent/KR20190143556A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102547689B1 publication Critical patent/KR102547689B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)

Abstract

기판, 상기 기판 상에 배치된 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층, 및 자외선 반사층을 포함한 유기 발광 장치가 개시된다.

Description

유기 발광 장치 및 그 제조 방법{Organic light emitting device and method for fabricating the same}
유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이에 개재된 유기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층은, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드 등을 포함할 수 있다. 상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하는데, 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 이와 같은 유기 발광 소자를 포함한 유기 발광 장치(organic light emitting device)는, 구동 트랜지스터 또는 스위칭 트랜지터 등을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 산소 및/또는 수분에 의하여 열화될 수 있고, 또한 자외선에 의하여 수명 저하가 발생할 수 있으므로, 고품질의 유기 발광 장치를 구현하기 위하여, 유기 발광 소자에 대한 효과적인 밀봉 수단이 요구된다.
유기 발광 소자에 대한 산소 및/또는 수분 침투가 방지되어 장수명을 제공할 수 있고, 자외선으로부터 유기 발광 소자를 보호할 수 있는 밀봉 수단을 구비한 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치된 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층, 및 자외선 반사층을 포함하고,
상기 유기 발광 소자는 상기 기판과 상기 봉지층 사이에 배치되고,
상기 봉지층은 상기 유기 발광 소자와 상기 자외선 반사층 사이에 배치되고,
상기 봉지층은 서로 교대로 적층된 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층을 포함하고,
상기 봉지층에 포함된 유기층 중 적어도 하나는 자외선 흡수 물질을 포함하고,
상기 자외선 반사층은 무기물로 이루어진, 유기 발광 장치가 제공된다.
일 구현예에서, 상기 봉지층은 무기층 및 유기층이 상기 유기 발광 소자로부터 차례로 적층된 봉지 단위를 n개 포함하되, 상기 n은 1 이상의 정수일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 반사층은 굴절률이 서로 다른 무기막이 교대로 적층된 2층 이상의 다층막일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 반사층은 제1굴절률을 갖는 적어도 하나의 제1무기막과, 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 갖는 적어도 하나의 제2무기막을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 반사층은 제1굴절률을 갖는 제1무기막과, 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 갖는 제2무기막이 적층된 적층 단위를 m개 포함하되, 상기 m은 3 이상의 정수일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 반사층의 405 nm 이하의 파장의 빛의 반사율은 90% 이상일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 반사층의 가시광선 영역대의 빛의 투과율은 80% 이상일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층의 405 nm 이하의 파장의 빛의 흡수율은 90% 이상일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층의 가시광선 영역대의 빛의 투과율은 80% 이상일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 봉지층의 405 nm 이하의 파장의 빛의 흡수율은 90% 이상일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 봉지층의 가시광선 영역대의 빛의 투과율은 80% 이상일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 흡수 물질은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 벤조트리아진(benzotriazine)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물, 자외선 흡수 염료 및 자외선 영역대 흡수 파장을 갖는 형광 물질 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 적어도 하나의 유기층은 모노머, 광중합 개시제 및 자외선 흡수 물질을 포함하는 유기층 형성용 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 봉지층에 포함된 적어도 하나의 무기층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 구리 산화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 자외선 반사층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 구리 산화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 유기 발광 장치는 상기 유기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에 배치된 하부 유기층을 더 포함할 수 있다.
다른 측면에 따르면, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계; 상기 유기 발광 소자 및 상기 기판 상에 봉지층을 형성하는 단계; 및 상기 봉지층 상에 자외선 반사층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 봉지층은 서로 교대로 적층된 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층을 포함하고, 상기 봉지층에 포함된 유기층 중 적어도 하나는 자외선 흡수 물질을 포함하고, 상기 자외선 반사층은 무기물로 이루어진, 유기 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
상기 유기 발광 장치의 봉지층은 유기 발광 소자에 대한 수분 및/또는 산소의 침투를 장시간 방지할 수 있으므로, 상기 봉지층을 구비한 유기 발광 장치는 장수명을 가질 수 있다. 또한, 상기 봉지층에 포함된 적어도 하나의 유기층이 자외선 흡수 물질을 포함하므로 상기 유기 발광 장치의 봉지층은 자외선으로부터 유기 발광 소자를 보호할 수 있다. 또한, 상기 자외선 반사층은 자외선으로부터 유기 발광 소자를 보호할 수 있으므로, 소자의 성능 저하를 방지할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 자외선 흡수 물질이 여기 상태 분자내 양성자 이동에 의해 자외선을 흡수하는 메커니즘을 도시한 것이다.
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 자외선 흡수 유기층에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 반사층에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화 및 방출되는 광의 파장에 따른 강도 변화를 함께 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구현예들을 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 구현예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1의 유기 발광 장치(1)는 기판(10), 상기 기판(10) 상에 배치된 유기 발광 소자(20), 상기 유기 발광 소자(20)를 밀봉하는 봉지층(100), 및 자외선 반사층(200)을 포함한다.
상기 기판(10)은 통상적인 유기 발광 장치에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 무기물로 이루어지거나, 투명한 플라스틱 재료의 절연성 유기물로 이루어질 수 있다. 상기 절연성 유기물은, 예를 들면, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판(10) 상에는 제1전극(21), 유기층(23) 및 제2전극(25)을 포함한 유기 발광 소자(20)가 형성되어 있다. 상기 유기 발광 소자(20)는 상기 기판(10)과 상기 봉지층(100) 사이에 배치된다.
[제1전극(21)]
상기 제1전극(21)은, 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(21)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록, 제1전극용 물질은, 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다.
상기 제1전극(21)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 투과형 전극인 제1전극(21)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극(21)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(21)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(21)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[유기층(23)]
상기 제1전극(21) 상부에는 유기층(23)이 배치되어 있다. 상기 유기층(23)은 발광층을 포함한다.
상기 유기층(23)은, 상기 제1전극(21)과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역(hole transport region) 및 상기 발광층과 상기 제2전극(25) 사이에 개재된 전자 수송 영역(electron transport region)을 더 포함할 수 있다.
[제2전극(25)]
상술한 바와 같은 유기층(23) 상부에는 제2전극(25)이 배치되어 있다. 상기 제2전극(25)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(25)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합(combination)을 사용할 수 있다.
상기 제2전극(25)은, 리튬(Li), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), ITO 및 IZO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2전극(25)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
상기 제2전극(25)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 1의 유기 발광 장치(1)는 유기 발광 소자(20)를 밀봉하는 봉지층(100) 및 자외선 반사층(200)을 포함한다. 상기 봉지층(100)은 상기 유기 발광 소자(20)와 상기 자외선 반사층(200) 사이에 배치된다.
[봉지층(100)]
상기 봉지층(100)은 서로 교대로 적층된 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서 중 "(서로 다른 2 이상의 층이) 차례로 적층된다"란 표현은, 서로 다른 2 이상의 층의 수직 배열 순서를 나타낸 것이다. 여기서, 상기 서로 다른 2 이상의 층의 적층 방법은 한정되지 않으며, 서로 다른 2 이상의 층은 공지된 모든 방법을 사용하여 적층될 수 있다. 한편, 서로 다른 2 이상의 층들 사이에는 다른 층이 배치될 수도 있다.
상기 봉지층(100)은 무기층 및 유기층이 상기 유기 발광 소자(20)로부터 차례로 적층된 봉지 단위를 n개 포함하되, 상기 n은 1 이상의 정수이며, 예를 들어 1 내지 10의 정수일 수 있다. 봉지 단위의 반복 횟수 n은 유기 발광 소자의 발광 효율에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자(20)의 봉지층 중 n은 1, 2, 3, 4 또는 5일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 봉지층(100)이 2 이상의 봉지 단위를 포함할 경우, 서로 다른 2개의 봉지 단위 사이에는 다른 층(예를 들면, 종래의 유기 발광 장치의 봉지층에 포함된 임의의 유기막 및 무기막 등)이 추가로 배치될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능함은 물론이다. 도 1에서는 n이 2인 경우를 예시적으로 도시하였다.
상기 봉지층(100)은 제1봉지 단위(110) 및 제2봉지 단위(120)가 유기 발광 소자(20)로부터 차례로 적층된 구조를 갖는다. 즉, 상기 봉지층(100)은 상술한 바와 같은 봉지 단위를 2개 포함(즉, n=2)한다. 상기 제1봉지 단위(110)는 유기 발광 소자(20)로부터 차례로 적층된 제1무기층(111) 및 제1유기층(112)을 포함하고, 상기 제2봉지 단위(120)는 유기 발광 소자(20)로부터 차례로 적층된 제2무기층(121) 및 제2유기층(122)을 포함한다.
상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 외부 환경의 수분 및/또는 산소가 유기 발광 소자(20)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 봉지층 재료로서 사용되는 공지의 무기물 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 서로 독립적으로, 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물, 금속 탄화질화물, 금속 황화물, 및 금속 셀렌화물을 1종 이상 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 서로 독립적으로, 실리콘, 알루미늄, 아연, 티타늄, 탄탈륨, 하프늄, 지르코늄, 세륨, 텅스텐, 주석 및 구리 중에서 선택된 금속의, 산화물, 질화물, 산화질화물, 탄화물, 탄화질화물, 황화물 또는 셀렌화물을 1종 이상 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 서로 독립적으로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 구리 산화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 서로 동일한 물질을 포함하거나 서로 상이한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 생선성이나 소자 특성에 따라 최적 두께를 결정할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)의 두께는 서로 독립적으로, 100Å 내지 3000Å, 예를 들면, 100Å 내지 1000Å일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 상기 봉지층(100)은 우수한 밀봉 특성을 제공할 수 있다.
상기 제1무기층(111) 및 제2무기층(121)은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 진공 증착 또는 스퍼터(sputter)의 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)은 상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122) 각각의 하부 구조를 평탄화시키고, 봉지층(100)에 플렉서블 특성을 제공하는 역할을 할 수 있다.
상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122) 중 적어도 하나는 자외선 흡수 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122) 중 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층은 405 nm 이하 파장의 빛을 흡수하는 층일 수 있다. 상기 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층은 입사광으로부터 자외선을 흡수하고, 나머지 광이 제2전극(25)을 통해 유기층(23)으로 입사하도록 할 수 있다.
상기 자외선 흡수 물질은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 벤조트리아진(benzotriazine)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물, 자외선 흡수 염료 및 자외선 영역대 흡수 파장을 갖는 형광 물질 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 자외선 흡수 물질은 여기 상태 분자내 양성자 이동(Excited State Intramolecular Proton Transfer, ESIPT) 특성을 갖는 분자일 수 있다. 상기 자외선 흡수 물질은 분자 내에 수소 결합을 할 수 있는 위치(site)를 포함할 수 있다.
도 3은 자외선 흡수 물질의 일종인 2-하이드록시벤조페논 분자가 자외선을 흡수하는 메커니즘을 도시한 것이다. 바닥 상태 분자(S0)는 광(자외광)에 의해 여기되어 여기 상태 분자(S1)가 될 수 있다. 상기 여기 상태 분자내 양성자 이동 현상은 도 3에 도시된 바와 같이 여기된 분자 내에서 양성자가 이동하는 광이성질체화 반응(phototautomerization)이다. 분자내 수소 결합을 이루고 있는 분자, 예를 들면 -OH, -NH, -SH기 등과 같은 양성자 주개(proton donor)와 N, O, S, F 와 같은 양성자 받개(proton acceptor) 구조를 가지고 있는 여기 상태 분자내 양성자 이동 특성을 갖는 분자는 바닥 상태에서는 케토 형태(keto form)가 안정하나 여기 상태에서는 엔올 형태(enol form)가 안정한 특징을 가지고 있다. 따라서 여기 상태 분자내 양성자 이동 특성을 갖는 분자들은 여기 상태에서 매우 빠른 시간(~ps) 내에 양성자 전이가 일어난 후 형성된 엔올 형태로부터 에너지 방출이 일어난다. 상기 여기 상태 분자(S1)는 여기 상태 분자내 양성자 이동에 의하여 여기 상태 호변이성질체 분자(S1')가 되고, 이후 에너지 방출이 일어난다. 따라서, 이러한 특성으로 인하여 여기 상태 분자내 양성자 이동 특성을 갖는 분자는 이와 같은 메커니즘에 의해 흡수와 방출 사이의 에너지 차(Stokes' shift)가 극대화될 수 있다. 따라서, ESIPT 특성을 갖는 분자는 여기 상태에서 바닥 상태로 돌아갈 때 자외선의 파장보다 긴 파장을 갖는 빛을 방출하거나, 또는 열에너지 형태로 에너지를 방출한다. 이어서, 바닥 상태 호변이성질체(S0')는 역 양성자 전달(Reverse Proton Transfer)에 의하여 다시 바닥 상태 분자(S0)로 이성질체화될 수 있다.
상기 자외선 흡수 물질은 상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)중 적어도 하나에 0 중량% 초과 5 중량% 이하로 포함될 수 있다. 상기 자외선 흡수 물질의 함량이 상술한 바와 같은 범위를 만족하는 경우, 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)은 효과적으로 자외선을 흡수할 수 있다.
상기 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층의 405 nm 이하의 파장의 빛의 흡수율은 90% 이상일 수 있다. 상기 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층의 가시광선 영역대의 빛의 투과율은 80% 이상일 수 있다.
상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)은 모노머, 광중합 개시제 및 자외선 흡수 물질을 포함하는 유기층 형성용 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
상기 유기층 형성용 조성물에 포함되는 모노머는 아크릴레이트계 화합물, 메타크릴레이트계 화합물, 이소프렌계 화합물, 비닐계 화합물, 에폭시계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로오스계 화합물, 페릴렌계 화합물 및 이미드계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 모노머는 아크릴레이트 화합물 및 메타크릴레이트계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 아크릴레이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시된 화합물일 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112018060642371-pat00001
상기 화학식 1 중,
R1은 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기 및 C1-C30헤테로아릴기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기, C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴기로 치환된 C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴티오기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 아크릴레이트 화합물은 2-페닐페녹시에틸 아트릴레이트, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, n-프로필 아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, 이소아밀 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, sec-부틸 아크릴레이트, t-부틸 아크릴레이트, n-펜틸 아크릴레이트, 3-메틸부틸 아크릴레이트, n-헥실 아크릴레이트, 2-에틸-n-헥실 아크릴레이트, n-옥틸 아크릴레이트, 시클로헥실 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 디시클로펜타닐 아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸 아크릴레이트, 이소미리스틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜 아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 3-히드록시프로필 아크릴레이트, 4-히드록시부틸 아크릴레이트, 5-히드록시펜틸 아크릴레이트, 6-히드록시헥실 아크릴레이트, 4-히드록시시클로헥실 아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노아크릴레이트, 3-클로로-2-히드록시프로필 아크릴레이트, (1,1-디메틸-3-옥소부틸) 아크릴레이트, 2-아세토아세톡시에틸 아크릴레이트, 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 2-에톡시에틸 아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노아크릴레이트, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아크릴레이트, 글리세린 모노아크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸 프탈레이트, 2-아크릴로일옥시 2-히드록시에틸 프탈레이트, 2-아크릴로일옥시에틸 헥사히드로프탈레이트, 2-아크릴로일옥시 프로필프탈레이트, 네오펜틸글리콜벤조에이트 아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜 아크릴레이트, 파라쿠밀페녹시에틸렌글리콜 아크릴레이트, ECH 변성 페녹시 아크릴레이트, 페녹시에틸 아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 페닐에테르 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜 아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 에톡시화 페놀 아크릴레이트(Phenol (EO) acrylate), 에톡시화 크레졸 아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 아크릴레이트, 에톡시화 페닐아크릴레이트, 에톡시화 숙신산 아크릴레이트, tert-부틸 아크릴레이트, 트리브로모페닐 아크릴레이트, 에톡시화 트리브로모페닐 아크릴레이트, 트리도데실 아크릴레이트 및 테트라하이드로퍼퓨릴 아크릴레이트(Tetrahydofurfuryl acrylate); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 아크릴레이트계 화합물은 2-페닐페녹시에틸 아트릴레이트일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 모노머는 1종 이상의 디메타크릴레이트 화합물 및 1종 이상의 모노메타크릴레이트 화합물을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 디메타크릴레이트 화합물은 하기 화학식 2로 표시된 화합물; 및
에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜 디메타크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디메타크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 디메타크릴레이트 및 디펜타에리트리톨 디메타크릴레이트;
중에서 선택될 수 있다:
<화학식 2>
Figure 112018060642371-pat00002
상기 화학식 2 중,
L1은 -O-, -S-, S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -N(R6)-, -C(R6)(R7)-, -Si(R6)(R7)- 또는 C6-C20의 비분지된 알킬렌 그룹(unbranched alkylene group)이고,
m1은 1 내지 10 중에서 선택된 정수이고,
R2 및 R3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기, C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴기로 치환된 C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴티오기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기 및 C1-C20알콕시기 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 적어도 1종의 디메타크릴레이트는 1,12-도데칸디올디메타크릴레이트일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 모노메타크릴레이트 화합물은 비페닐옥시 에틸 메타크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, n-프로필 메타크릴레이트, 이소프로필 메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, 이소아밀 메타크릴레이트, 이소부틸 메타크릴레이트, 이소옥틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, n-펜틸 메타크릴레이트, 3-메틸부틸 메타크릴레이트, n-헥실 메타크릴레이트, 2-에틸-n-헥실 메타크릴레이트, n-옥틸 메타크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 이소보르닐 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸 메타크릴레이트, 이소미리스틸 메타크릴레이트, 라우릴 메타크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜 메타크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 3-히드록시프로필 메타크릴레이트, 4-히드록시부틸 메타크릴레이트, 5-히드록시펜틸 메타크릴레이트, 6-히드록시헥실 메타크릴레이트, 4-히드록시시클로헥실 메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노메타크릴레이트, 3-클로로-2-히드록시프로필 메타크릴레이트, (1,1-디메틸-3-옥소부틸) 메타크릴레이트, 2-아세토아세톡시에틸 메타크릴레이트, 2-메톡시에틸 메타크릴레이트, 2-에톡시에틸 메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 메타크릴레이트, 글리세린 모노메타크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸 프탈레이트, 2-아크릴로일옥시 2-히드록시에틸 프탈레이트, 2-아크릴로일옥시에틸 헥사히드로프탈레이트, 2-아크릴로일옥시 프로필프탈레이트, 네오펜틸글리콜벤조에이트 메타크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜 메타크릴레이트, 파라쿠밀페녹시에틸렌글리콜 메타크릴레이트, ECH 변성 페녹시 아크릴레이트, 페녹시에틸 메타크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 페닐에테르 메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜 메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 메타크릴레이트, 스테아릴 메타크릴레이트, 에톡시화 페놀 아크릴레이트(Phenol (EO) acrylate), 에톡시화 크레졸 메타크릴레이트, 디프로필렌글리콜 메타크릴레이트, 에톡시화 페닐메타크릴레이트, 에톡시화 숙신산 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 트리브로모페닐 메타크릴레이트, 에톡시화 트리브로모페닐 메타크릴레이트, 트리도데실 메타크릴레이트 및 테트라하이드로퍼퓨릴 메타크릴레이트(Tetrahydofurfuryl methacrylate); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에서, 상기 봉지층에 포함된 적어도 하나의 유기층은 고분자 형성용 모노머(monomer)에 자외선 흡수 물질이 5 중량% 이내로 포함된 유기층 형성용 조성물로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)중 적어도 하나는 아크릴레이트계 모노머에 자외선 흡수 물질이 5 중량% 이내로 포함된 유기층 형성용 조성물로부터 형성될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 광중합 개시제는 당업계에 알려져 있는 것을 특별한 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들어 360 내지 450 nm의 파장에서 경화가 가능한 것을 사용할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 유기층 형성용 조성물은 2종 이상의 광중합 개시제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 2종 이상의 광중합 개시제 중, 어느 1종은 UV 영역(예를 들어 360 내지 450 nm의 파장)에서 경화가 가능하고, 다른 1종은 가시광선 영역(예를 들어 450 내지 770 nm의 파장)에서 경화가 가능한 것일 수 있다. 다른 예를 따르면, 상기 2종 이상의 광중합 개시제가 모두 UV 영역에서 경화가 가능하거나, 상기 2종 이상의 광중합 개시제가 모두 가시광선 영역에서 경화가 가능한 것일 수 있다.
상기 광중합 개시제는 예를 들어 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 아실포스핀옥사이드계 화합물, 옥심계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 아세토페논계 화합물의 예로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸트리클로로 아세토페논, p-t-부틸디클로로 아세토페논, 4-클로로 아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온 등을 들 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물의 예로는, 벤조페논, 벤조일 안식향산, 메틸 벤조일 안식향산, 4-페닐 벤조페논, 히드록시벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논,4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물의 예로는, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 벤조인계 화합물의 예로는, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.
상기 트리아진계 화합물의 예로는, 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2-(4-메톡시나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-s-트리아진 등을 들 수 있다.
상기 아실포스핀옥사이드계 화합물의 예로는 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐포스핀옥사이드(TPO), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일페닐에톡시포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.
상기 옥심계 화합물의 예로는 O-아실옥심계 화합물, 1,2-옥탄디온, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(O-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온 등을 사용할 수 있다. 상기 O-아실옥심계 화합물의 구체적인 예로는, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온옥심-O-아세테이트　등을 들 수 있다.
상기 광중합 개시제는 상기 화합물 이외에도 유기 퍼옥시드계 화합물, 카바졸계 화합물, 디케톤류 화합물, 술포늄 보레이트계 화합물, 아조계 화합물, 이미다졸계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 플루오렌계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 유기층 형성용 조성물 100 중량부당 상기 광중합 개시제의 함량은 약 0.5 중량% 내지 약 5 중량%일 수 있다.
상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)은 생산성이나 소자 특성에 따라 최적 두께를 결정할 수 있다. 상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)의 두께는 서로 독립적으로, 0.1㎛ 내지 30㎛, 예를 들면 1㎛ 내지 30㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)은 플래쉬 증발법, 잉크젯 공정, 스크린 프린팅, 딥 코팅 또는 스핀 코팅의 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상술한 바와 같은 공정에 의해 유기층 형성용 조성물을 도포한 후 추가적인 UV 경화 또는 열 경화를 통해서 제1유기층(112) 및 제2유기층(122)을 형성할 수 있다.
유기 발광 소자(20) 제조 후, 전술한 바와 같은 유기층 및 무기층을 유/무기 교차 증착 방식을 이용하여 유기 발광 소자(20)상에 봉지층(100)을 제조할 수 있다.
상기 봉지층(100)의 두께는 0.1㎛ 내지 500㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 봉지층(100)의 두께가 상술한 바와 같은 두께를 가질 경우, 상기 봉지층(100)은 수분 및/또는 산소가 발광 소자(20)로 침투되는 것을 효과적으로 방지하면서 플렉서블 특성 및 자외선 흡수 특성을 가질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 자외선 흡수 유기층에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 4a 및 도 4b에 있어서, 그래프의 가로축은 광의 파장(wavelength)을 나타내고, 그래프의 세로축은 광의 투과율(transmittance)을 나타낸다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명에 따른 자외선 흡수 유기층은 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 80% 이상일 수 있다. 이러한 외부광에 대한 투과율은 자외선 흡수 물질의 종류, 조합 및 농도와, 자외선 흡수 물질이 분산된 유기층의 두께 등에 따라 다양한 값으로 조절될 수 있다.
또한, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명에 따른 자외선 흡수 유기층은 405nm 이하의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 10% 이하일 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 자외선 흡수 유기층은 405 nm 이하의 파장의 빛의 흡수율이 90% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 박막 봉지층에 포함된 유기층이 자외선 흡수 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 유기 발광 장치의 봉지층의 외각에 추가적인 자외선 차단층을 부착할 필요 없이, 봉지층이 자외선 흡수 기능을 가질 수 있다. 이에 따라 자외선 차단층을 부착하는 추가적인 공정 없이 자외선 흡수 기능을 갖는 봉지층을 형성할 수 있다. 또한, 추가적인 자외선 차단층을 사용하지 않으므로 봉지층의 전체 두께가 감소할 수 있다.
[자외선 반사층(200)]
자외선 반사층(200)은 무기물로 이루어진 무기층일 수 있다. 상기 자외선 반사층(200)은 굴절률이 서로 다른 무기막이 교대로 적층된 2층 이상의 다층막일 수 있다. 상기 자외선 반사층은 제1굴절률을 갖는 적어도 하나의 제1무기막과, 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 갖는 적어도 하나의 제2무기막을 포함하고, 상기 제1무기막 및 상기 제2무기막은 교대로 적층될 수 있다.
상기 자외선 반사층(200)은 405 nm 이하 파장의 빛을 반사하는 층일 수 있다. 상기 자외선 반사층(200)은 상기 2층 이상 적층된 각각의 무기막의 굴절률과 두께를 조절함으로써, 광 간섭에 의해 자외선을 반사할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 2층 이상 적층된 각각의 무기막의 두께는 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
상기 자외선 반사층(200)은 m개의 적층 단위가 상기 봉지층(100)으로부터 차례로 적층되어 있는 구조를 갖되, 상기 m은 3 이상의 정수이며, 예를 들어 3 내지 30의 정수일 수 있다. 예를 들어, m은 3 내지 20의 정수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 적층 단위는 제1굴절률을 갖는 제1무기막과, 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 갖는 제2무기막을 포함한다.
적층 단위의 반복 횟수는 유기 발광 소자의 발광 효율에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 구체적으로, 상기 자외선 반사층(200)은 3개 이상의 적층 단위를 포함할 수 있는데, 도 1에서는 m이 3인 경우를 예시적으로 도시하였다.
상기 자외선 반사층(200)은 제1적층 단위(210), 제2적층 단위(220) 및 제3적층 단위(230)가 봉지층(100)으로부터 차례로 적층되어 있는 구조를 갖는다. 즉, 상기 자외선 반사층(200)은 상술한 바와 같은 적층 단위를 3개 포함(즉, m=3)한다. 상기 제1적층 단위(210)는 봉지층(100)으로부터 차례로 적층된 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)을 포함하고, 상기 제2적층 단위(220)는 봉지층(110)으로부터 차례로 적층된 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)을 포함하고, 상기 제3적층 단위(230)는 봉지층(110)으로부터 차례로 적층된 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)을 포함한다.
상기 제1무기막(211)은 제1굴절률을 가지고, 상기 제2무기막(212)은 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1굴절률이 상기 제2굴절률보다 크거나, 또는 상기 제1굴절률이 상기 제2굴절률보다 작을 수 있다. 상기 제1굴절률 및 제2굴절률은 서로 독립적으로, 1.4 내지 2.0의 범위에서 선택될 수 있다.
일 구현예에서, 상기 제1굴절률과 상기 제2굴절률 차이는 0.15 이상일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 제1굴절률이 상기 제2굴절률보다 큰 경우, 상기 제1굴절률은 1.6 내지 2.0의 범위에서 선택될 수 있고, 상기 제2굴절률은 1.4 내지 1.5의 범위에서 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 제1굴절률이 상기 제2굴절률보다 작은 경우, 상기 제1굴절률은의 1.4 내지 1.5의 범위에서 선택될 수 있고, 상기 제2굴절률은 1.6 내지 2.0의 범위에서 선택될 수 있다.
상기 제1무기막(211) 및 상기 제2무기막(212)의 두께는 서로 독립적으로, 100 ㅕ 내지 3000ㅕ일 수 있다. 상기 제1무기막(211)과 상기 제2무기막(212)의 두께는 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
상기 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)은 서로 독립적으로, 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물, 금속 탄화질화물, 금속 황화물, 및 금속 셀렌화물을 1종 이상 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)은 서로 독립적으로, 실리콘, 알루미늄, 아연, 티타늄, 탄탈륨, 하프늄, 지르코늄, 세륨, 텅스텐, 주석 및 구리 중에서 선택된 금속의, 산화물, 질화물, 산화질화물, 탄화물, 탄화질화물, 황화물 또는 셀렌화물을 1종 이상 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)은 서로 독립적으로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 구리 산화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1무기막(211)은 실리콘 질화물이고, 상기 제2무기막(212)은 실리콘 산화물일 수 있다. 실리콘 질화물의 굴절률은 약 1.9이고, 실리콘 산화물의 굴절률은 약 1.5이므로, 실리콘 질화물이 상대적으로 고굴절 물질에 해당하고 실리콘 산화물이 상대적으로 저굴절 물질에 해당한다. 상기 실리콘 질화물과 상기 실리콘 산화물을 교대로 적층하여 자외선 반사층(200)을 형성할 수 있다. 상기 실리콘 질화물과 상기 실리콘 산화물이 교대로 적층된 자외선 반사층(200)은 굴절률이 서로 다른 막의 광 간섭에 의해 자외선을 반사할 수 있다.
상기 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 진공증착 또는 스퍼터(sputter)의 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)은 화학 증착법인 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD) 또는 원자층 증착(ALD)의 방법으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화학 기상 증착법을 이용하여 무기막을 형성하는 경우, 공정 중간에 반응에 사용되는 기체를 조절함으로써 형성되는 박막의 조성을 변경할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 산화막 증착 중에 산소 원료 기체의 공급을 줄이거나, 또는 중단하고 질소 원료 기체의 공급을 진행하여 성막되는 박막을 실리콘 질화막으로 변경할 수 있다. 이와 같은 방법으로 원료 기체를 조절함으로써 실리콘 산화막과 실리콘 질화막과 같이 굴절률 차이가 큰 무기막을 한 공정에서 증착할 수 있다. 또는, 원자층 증착 설비를 이용하여 동일한 프로세스를 보다 정밀하게 진행하여 뛰어난 균일도를 가지는 무기막을 형성할 수 있다.
화학 기상 증착, 플라즈마 향상 화학 기상 증착, 또는 원자층 증착 방법으로 상기 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)을 형성하는 경우, 화학 증착법의 공정 특성상 상기 제1무기막(211)과 상기 제2무기막(212)의 계면은 고굴절 물질과 저굴절 물질의 농도 기울기(gradient)가 형성될 수 있다.
상기 자외선 반사층(200)의 두께는 3000ㅕ 내지 30000ㅕ, 예를 들면 3000ㅕ 내지 20000ㅕ일 수 있다. 상기 자외선 반사층(200)의 두께가 상술한 범위를 만족할 경우, 자외선 반사층(200)은 효과적으로 자외선을 반사할 뿐 아니라 가시광선 영역대의 빛의 투과율을 최대로 할 수 있다.
상기 자외선 반사층(200)의 405 nm 이하의 파장의 빛의 반사율은 90% 이상일 수 있다. 상기 자외선 반사층(200)의 가시광선 영역대의 빛의 투과율은 80% 이상일 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 반사층에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 5에 있어서, 그래프의 가로축은 광의 파장(wavelength)을 나타내고, 그래프의 세로축은 광의 투과율(transmittance)을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 반사층은 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 약 80% 이상일 수 있다. 이러한 외부광에 대한 투과율은 반사층에 포함된 무기물의 종류 및 조합, 무기막의 두께 등에 따라 다양한 값으로 조절될 수 있다.
또한, 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 반사층은 약 360 nm 내지 약 405 nm의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 10% 이하일 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사층은 약 360 nm 내지 약 405 nm의 파장의 빛의 흡수율이 90% 이상일 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화 및 방출되는 광의 파장에 따른 강도 변화를 함께 나타낸 그래프이다. 도 6에 있어서, 그래프의 가로축은 광의 파장(wavelength)을 나타내고, 그래프의 좌측에 위치한 세로 축은 광의 강도(intensity)를 나타내며, 그래프의 우측에 위치한 세로축은 광의 투과율(transmittance)을 나타낸다. 또한, 도 6에 도시된 그래프들은 편광판을 구비하지 않은 유기 발광 장치를 대상으로 측정한 결과이다.
도 6의 그래프 선도 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치에 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 것이다. 그래프 선도 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치는 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 80% 이상일 수 있다. 이러한 외부광에 대한 투과율은 유기층에 포함된 자외선 흡수 물질의 종류, 조합 및 농도와, 자외선 흡수 물질이 분산된 유기층의 두께, 반사층에 포함된 무기물의 종류 및 조합, 무기막의 두께 등에 따라 다양한 값으로 조절될 수 있다.
또한, 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치는 405nm 이하의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 10% 이하일 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치는 405 nm 이하의 파장의 빛의 흡수율이 90% 이상일 수 있다.
도 6의 그래프 선도 (b-1)은 일반적으로 유기 발광 장치에서 방출되는 청색광의 파장에 따른 강도 변화를 나 타낸 것이고, 도 6의 그래프 선도 (b-2)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치에서 방출되는 청색광의 파장에 따른 강도 변화를 나타낸 것이다. 예컨대, 유기 발광 장치에서 방출되는 광이 청색광, 녹색광 및 적색광인 경우, 자외선 파장대에 가장 가까운 파장대를 갖는 청색광은 유기 발광 장치가 자외선을 흡수하는 정도에 큰 영향을 받게 된다. 즉, 유기 발광 장치가 자외선 파장대의 광을 흡수하는 과정에서 가시광선 파장대와 자외선 파장대 사이의 광에 대한 투과율 또한 낮아질 수 있고, 이에 따라 유기 발광 장치에서 방출되는 청색광의 발광 효율마저 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 도 6의 그래프 선도 (b-1) 및 (b-2)를 참조하면, 그래프 선도 (a)에서와 같이 청색광 파장대의 최저치에 해당하는 430nm 및 그 이상의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 경우, 일반적인 유기 발광 장치의 청색광의 강도와 (자외선 흡수능을 가진) 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 장치의 청색광의 강도에 거의 차이가 없게 된다. 구체적으로, 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 대략 80%인 경우, 청색광 발광 효율의 감소폭이 대략 2% 이내일 수 있다.
[하부 유기층(311)]
상기 유기 발광 장치(1)의 봉지층(100)은, 상기 유기 발광 소자(20)와 상기 제1봉지 단위(110) 사이에 배치된 하부 유기층(311)을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 유기층(311)은 봉지층(100)의 하부 구조를 평탄화시키고, 봉지층(100)에 플렉서블 특성을 제공하는 역할을 할 수 있다. 상기 하부 유기층(311)은 자외선 흡수 물질을 포함할 수 있다. 상기 자외선 흡수 물질은 상술한 자외선 흡수 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 유기층(311)에 대한 설명은 상기 제1유기층(112)에 대한 상세한 설명을 참조한다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2의 유기 발광 장치(2)는 기판(10), 상기 기판(10) 상에 배치된 유기 발광 소자(20), 상기 유기 발광 소자(20)를 밀봉하는 봉지층(100), 및 자외선 반사층(200)을 포함하고, 상기 유기 발광 소자(20)와 상기 봉지층(100) 사이에 배치된 하부 유기층(311)을 포함한다. 상기 기판(10) 및 유기 발광 소자(20)에 대한 설명은 도 1의 기판(10) 및 발광 소자(20)에 대한 설명을 참조한다.
상기 봉지층(100)은 제1봉지 단위(110) 및 제2봉지 단위(120)가 유기 발광 소자(20)로부터 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 제1봉지 단위(110) 및 상기 제2봉지 단위(120)에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다.
상기 하부 유기층(311)은 상기 유기 발광 소자(20)와 상기 제1봉지 단위(110) 사이에 배치될 수 있다.
상기 자외선 반사층(200)은 제1적층 단위(210), 제2적층 단위(220) 및 제3적층 단위(230)가 봉지층(100)으로부터 차례로 적층되어 있는 구조를 갖는다. 상기 제1적층 단위(210), 제2적층 단위(220) 및 제3적층 단위(230)에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다.
상기 도 1의 유기 발광 장치(1)의 제조 방법을 설명하면 하기와 같다.
먼저, 기판(10) 상에 유기 발광 소자(20)를 형성한다. 상기 유기 발광 소자(20) 중 제1전극(21) 및 제2전극(25)의 형성 방법은 상술한 바를 참조한다.
상기 유기층(23)에 포함된 층(예를 들면, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층, 전자 수송층, 전자 주입층 등)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 이 때, 진공 증착법을 선택할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10-3 torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다. 한편, 스핀 코팅법을 선택할 경우, 코팅 조건은, 예를 들면, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도 및 약 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도(코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도) 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.
이어서, 상기 유기 발광 소자(20) 및 상기 기판(10) 상에 봉지층(100)을 형성한다. 상기 봉지층(100)의 형성 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
상기 봉지층(100)은 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층을 교대로 적층시킴으로써 형성한다. 상기 유기 발광 소자(20) 상부에 상기 제1무기층(111)을 형성한다. 상기 제1무기층(111)은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 진공증착 또는 스퍼터(sputter) 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1무기층(111)의 재료 및 두께는 상술한 바를 참조한다.
그 다음으로, 상기 제1무기층(111) 상부에 제1유기층(112)을 형성하여, 제1봉지 단위(110)를 형성한다. 상기 제1유기층(112)은 플래쉬 증발법, 잉크젯 공정, 스크린 프린팅, 딥 코팅 또는 스핀 코팅 등과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1유기층(112)의 재료 및 두께는 상술한 바를 참조한다.
이어서, 상기 제1유기층(112) 상부에 제2무기층(121)을 형성하고, 상기 제2무기층(121) 상부에 제2유기층(122)을 형성하여, 제2봉지 단위(120)를 형성한다. 상기 제2무기층(121) 및 제2유기층(122)의 재료, 두께 및 형성 방법은 제1무기층(111) 및 제1유기층(112)의 재료, 두께 및 형성 방법을 각각 참조한다.
상기 제1유기층(112) 및 상기 제2유기층(122) 중 적어도 하나는 자외선 흡수 물질을 포함할 수 있다.
이로써, 제1봉지 단위(110) 및 제2봉지 단위(120)를 형성함으로써 봉지층(100)을 형성한다.
이어서, 상기 봉지층(100) 상부에 자외선 반사층(200)을 형성한다. 상기 자외선 반사층(200)의 형성 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
상기 자외선 반사층(200)은 굴절률이 서로 다른 무기막을 교대로 적층시킴으로써 형성한다. 상기 봉지층(100) 상부에 제1무기막(211)을 형성한다. 상기 제1무기막(211)은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 진공증착 또는 스퍼터(sputter) 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1무기막(211)의 재료 및 두께는 상술한 바를 참조한다.
이어서, 상기 제1무기막(211) 상부에 제2무기막(212)을 형성하여 제1적층 단위(210)를 형성한다. 상기 제2무기막(212)은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 진공증착 또는 스퍼터(sputter) 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2무기막(212)의 재료 및 두께는 상술한 바를 참조한다.
상기 제1적층 단위(210)의 제2무기막(212) 상부에 제1무기막(211)을 형성하고, 이어서 제1무기막(211) 상부에 제2무기막(212)을 형성하여 제2적층 단위(220)를 형성한다. 상기 제2적층 단위(220)의 제2무기막(212) 상부에 제1무기막(211)을 형성하고, 이어서 제1무기막(211) 상부에 제2무기막(212)을 형성하여 제3적층 단위(230)를 형성한다. 이로써, 제1적층 단위(210), 제2적층 단위(220) 및 제3적층 단위(230)를 형성함으로써 자외선 반사층(200)을 형성한다.
상술한 바와 같이 제1무기막(211)과 제2무기막(212)이 적층된 적층 단위를 반복적으로 형성하여 자외선 반사층(200)을 형성할 수 있다. 도 1에는 미도시하였으나, 상기 제3적층 단위(230)의 상부에 1 이상의 적층 단위가 추가로 형성될 수 있다. 상기 자외선 반사층(200)은 굴절률이 서로 다른 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)이 교대로 적층된 다층막으로 형성되므로, 상기 제1무기막(211) 및 제2무기막(212)의 굴절률과 두께를 조절함으로써, 광 간섭에 의해 자외선을 반사할 수 있다.
이상, 상기 유기 발광 장치를 도 1의 유기 발광 장치(1)를 참조하여 설명하였으나, 상기 유기 발광 장치가 도 1의 유기 발광 장치(1)에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 유기 발광 장치의 봉지층 중 n은 1 이상, 예를 들면, 1 내지 10의 정수일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 장치의 봉지층 중 n은 1, 2, 3, 4 또는 5일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 봉지층이 2 이상의 봉지층을 포함할 경우, 서로 다른 2개의 봉지층 사이에는 다른 층(예를 들면, 종래의 유기 발광 장치의 봉지층에 포함된 임의의 유기막 및 무기막 등)이 추가로 개재될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다. 또한, 상기 유기 발광 장치의 자외선 반사층 중 m은 3 이상, 예를 들면 3 내지 10의 정수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2에 도시한 바와 같이, 발광 소자(20)와 제1봉지 단위(110) 사이에 하부 유기층(311)을 형성할 경우, 봉지층(100) 형성 전에 발광 소자(20) 상에 하부 유기층(311)을 하나를 형성한다. 상기 하부 유기층(311)의 재료, 두께 및 형성 방법은 제1유기층(112)의 재료, 두께 및 형성 방법을 참조한다.
한편, 도 1 내지 도 2에 도시하지 않았으나, 상기 유기층(23)은, 상기 제1전극(21)과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역(hole transport region) 및 상기 발광층과 상기 제2전극(25) 사이에 개재된 전자 수송 영역(electron transport region)을 더 포함할 수 있다.
[유기층(23) 중 정공 수송 영역]
상기 정공 수송 영역은, i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광 보조층 및 전자 저지층(EBL) 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조를 갖거나, 제1전극(21)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/발광 보조층, 정공 주입층/발광 보조층, 정공 수송층/발광 보조층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 다층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 영역은, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB(NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, 메틸화된-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid (폴리아닐린/도데실벤젠술폰산)), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트))), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid (폴리아닐린/캠퍼술폰산)) 및 PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다:
Figure 112018060642371-pat00003
Figure 112018060642371-pat00004
<화학식 201>
Figure 112018060642371-pat00005
<화학식 202>
Figure 112018060642371-pat00006
상기 화학식 201 및 202 중,
L201 내지 L204는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
L205은, *-O-*', *-S-*', *-N(Q201)-*', 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
xa5는 1 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 202 중 R201과 R202는, 선택적으로(optionally), 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있고, R203과 R204는, 선택적으로, 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 중,
L201 내지 L205는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, xa5는 1, 2, 3 또는 4일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;
중에서 선택될 수 있고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 중 R201 내지 R203 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로,
플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 202 중 i) R201과 R202은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있거나, 및/또는 ii) R203과 R204은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 202 중 R201 내지 R204 중 적어도 하나는,
카바졸일기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 카바졸일기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있다:
<화학식 201A>
Figure 112018060642371-pat00007
예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A(1)로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A(1)>
Figure 112018060642371-pat00008
또 다른 예로서, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A-1로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A-1>
Figure 112018060642371-pat00009
한편, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A로 표시될 수 있다:
<화학식 202A>
Figure 112018060642371-pat00010
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A-1로 표시될 수 있다:
<화학식 202A-1>
Figure 112018060642371-pat00011
상기 화학식 201A, 201A(1), 201A-1, 202A 및 202A-1 중,
L201 내지 L203, xa1 내지 xa3, xa5 및 R202 내지 R204에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
R211 및 R212에 대한 설명은 본 명세서 중 R203에 대한 설명을 참조하고,
R213 내지 R217은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 하기 화합물 HT1 내지 HT39 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112018060642371-pat00012
Figure 112018060642371-pat00013
Figure 112018060642371-pat00014
Figure 112018060642371-pat00015
Figure 112018060642371-pat00016
Figure 112018060642371-pat00017
Figure 112018060642371-pat00018
상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나를 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 9000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 발광 보조층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 하는 층이고, 상기 전자 저지층은 전자 수송 영역으로부터의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다. 상기 발광 보조층 및 전자 저지층에는 상술한 바와 같은 물질이 포함될 수 있다.
[p-도펀트]
상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 p-도펀트의 LUMO는 -3.5eV 이하일 수 있다.
상기 p-도펀트는, 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 p-도펀트는,
TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ (2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체;
텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물;
HAT-CN (1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile); 및
하기 화학식 221로 표시되는 화합물;
중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<HAT-CN> <F4-TCNQ>
Figure 112018060642371-pat00019
Figure 112018060642371-pat00020
<화학식 221>
Figure 112018060642371-pat00021
상기 화학식 221 중,
R221 내지 R223은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되되, 상기 R221 내지 R223 중 적어도 하나는 시아노기, -F, -Cl, -Br, -I, -F로 치환된 C1-C20알킬기, -Cl로 치환된 C1-C20알킬기, -Br로 치환된 C1-C20알킬기 및 -I로 치환된 C1-C20알킬기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기를 갖는다.
[유기층(23) 중 발광층]
상기 유기 발광 소자(1)가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은, 개별 부화소별로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 중에서 선택된 2 이상의 층이 접촉 또는 이격되어 적층된 구조를 갖거나, 적색광 방출 물질, 녹색광 방출 물질 및 청색광 방출 물질 중에서 선택된 2 이상의 물질이 층구분없이 혼합된 구조를 가져, 백색광을 방출할 수 있다.
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광층 중 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부에 대하여, 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
[발광층 중 호스트]
상기 호스트는 하기 화학식 301로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 301>
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21
상기 화학식 301 중,
Ar301은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
xb11은 1, 2 또는 3이고,
L301은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xb1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
R301은, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q301)(Q302)(Q303), -N(Q301)(Q302), -B(Q301)(Q302), -C(=O)(Q301), -S(=O)2(Q301) 및 -P(=O)(Q301)(Q302) 중에서 선택되고,
xb21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
Q301 내지 Q303는 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 301 중 Ar301은,
나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹;
중에서 선택되고,
Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 301 중 xb11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar301은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 301로 표시되는 화합물은 하기 화학식 301-1 또는 301-2로 표시될 수 있다:
<화학식 301-1>
Figure 112018060642371-pat00022
<화학식 301-2>
Figure 112018060642371-pat00023
상기 화학식 301-1 내지 301-2 중
A301 내지 A304는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 피리딘, 피리미딘, 인덴, 플루오렌, 스파이로-비플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 인돌, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 퓨란, 벤조퓨란, 디벤조퓨란, 나프토퓨란, 벤조나프토퓨란, 디나프토퓨란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 나프토티오펜, 벤조나프토티오펜 및 디나프토티오펜 중에서 선택되고,
X301은 O, S 또는 N-[(L304)xb4-R304]이고,
R311 내지 R314는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기 -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택되고,
xb22 및 xb23은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이고,
L301, xb1, R301 및 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
L302 내지 L304에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 L301에 대한 설명을 참조하고,
Xb2 내지 xb4에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 xb1에 대한 설명을 참조하고,
R302 내지 R304에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 R301에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 L301 내지 L304는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 R301 내지 R304는 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 호스트는 알칼리토 금속 착체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 호스트는 Be 착체 (예를 들면, 하기 화합물 H55), Mg 착체 및 Zn 착체 중에서 선택될 수 있다.
상기 호스트는 ADN (9,10-Di(2-naphthyl)anthracene), MADN (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), TBADN (9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene), CBP (4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), mCP (1,3-di-9-carbazolylbenzene), TCP (1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene) 및 하기 화합물 H1 내지 H55 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112018060642371-pat00024
Figure 112018060642371-pat00025
Figure 112018060642371-pat00026
Figure 112018060642371-pat00027
Figure 112018060642371-pat00028
Figure 112018060642371-pat00029
Figure 112018060642371-pat00030
[유기층(23) 중 발광층에 포함된 인광 도펀트]
상기 인광 도펀트는 하기 화학식 401로 표시되는 유기금속 착체를 포함할 수 있다:
<화학식 401>
M(L401)xc1(L402)xc2
<화학식 402>
Figure 112018060642371-pat00031
상기 화학식 401 및 402 중,
M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 로듐(Rh) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고,
L401은 상기 화학식 402로 표시되는 리간드 중에서 선택되고, xc1은 1, 2 또는 3이고, xc1이 2 이상일 경우 2 이상의 L401은 서로 동일하거나 상이하고,
L402는 유기 리간드이고, xc2는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고, xc2가 2 이상일 경우 2 이상의 L402는 서로 동일하거나 상이하고,
X401 내지 X404는 서로 독립적으로, 질소 또는 탄소이고,
X401과 X403은 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고, X402와 X404는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고,
A401 및 A402는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
X405는 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q411)-*', *-C(Q411)(Q412)-*', *-C(Q411)=C(Q412)-*', *-C(Q411)=*' 또는 *=C(Q411)=*'이고, 상기 Q411 및 Q412는, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,
X406은 단일 결합, O 또는 S이고,
R401 및 R402는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q401)(Q402)(Q403), -N(Q401)(Q402), -B(Q401)(Q402), -C(=O)(Q401), -S(=O)2(Q401) 및 -P(=O)(Q401)(Q402) 중에서 선택되고, 상기 Q401 내지 Q403은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,
xc11 및 xc12는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
상기 화학식 402 중 * 및 *'은 상기 화학식 401 중 M과의 결합 사이트이다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 A401 및 A402는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-바이플루오렌 그룹, 인덴 그룹, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란(furan) 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 카바졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조퓨란(benzofuran) 그룹, 벤조티오펜 그룹, 이소벤조티오펜 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 디벤조퓨란(dibenzofuran) 그룹 및 디벤조티오펜 그룹 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 i) X401은 질소이고, X402는 탄소이거나, 또는 ii) X401과 X402가 모두 질소일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 R401 및 R402는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 페닐기, 나프틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기 및 노르보네닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q401)(Q402)(Q403), -N(Q401)(Q402), -B(Q401)(Q402), -C(=O)(Q401), -S(=O)2(Q401) 및 -P(=O)(Q401)(Q402);
중에서 선택되고,
상기 Q401 내지 Q403은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, 2 이상의 L401 중 2개의 A401은 선택적으로(optionally), 연결기인 X407을 통하여 서로 연결되거나, 2개의 A402는 선택적으로, 연결기인 X408을 통하여 서로 연결될 수 있다 (하기 화합물 PD1 내지 PD4 및 PD7 참조). 상기 X407 및 X408은 서로 독립적으로, 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q413)-*', *-C(Q413)(Q414)-*' 또는 *-C(Q413)=C(Q414)-*' (여기서, Q413 및 Q414는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기임)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 401 중 L402는 임의의 1가, 2가 또는 3가의 유기 리간드일 수 있다. 예를 들어, 상기 L402는 할로겐, 디케톤 (예를 들면, 아세틸아세토네이트), 카르복실산(예를 들면, 피콜리네이트), -C(=O), 이소니트릴, -CN 및 포스포러스 (예를 들면, 포스핀(phosphine), 포스파이트(phosphite)) 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또는, 상기 인광 도펀트는 예를 들어, 하기 화합물 PD1 내지 PD25 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112018060642371-pat00032
Figure 112018060642371-pat00033
Figure 112018060642371-pat00034
[발광층 중 형광 도펀트]
상기 형광 도펀트는 아릴아민 화합물 또는 스티릴아민 화합물을 포함할 수 있다.
상기 형광 도펀트는 하기 화학식 501로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 501>
Figure 112018060642371-pat00035
상기 화학식 501 중,
Ar501은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
L501 내지 L503은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xd1 내지 xd3는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
R501 및 R502는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xd4는 1 내지 6의 정수 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 Ar501은,
나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹;
중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 L501 내지 L503은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기;
중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 R501 및 R502는 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 xd4는 2일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물 FD1 내지 FD22 중에서 선택될 수 있다:
Figure 112018060642371-pat00036
Figure 112018060642371-pat00037
Figure 112018060642371-pat00038
Figure 112018060642371-pat00039
Figure 112018060642371-pat00040
Figure 112018060642371-pat00041
Figure 112018060642371-pat00042
Figure 112018060642371-pat00043
Figure 112018060642371-pat00044
또는, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물들 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112018060642371-pat00045
Figure 112018060642371-pat00046
[유기층(23) 중 전자 수송 영역]
상기 전자 수송 영역은 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 수송 영역은, 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 전자 수송 영역은, 발광층으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층, 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층, 전자 조절층/전자 수송층/전자 주입층, 또는 버퍼층/전자 수송층/전자 주입층 등의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층 또는 전자 수송층)은, π 전자 결핍성 함질소 고리를 적어도 하나 포함한 금속-비함유 화합물을 포함할 수 있다.
상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, 고리-형성 모이어티로서, 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 의미한다.
예를 들어, 상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, i) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹이거나, ii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 2 이상이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹이거나, 또는 iii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 적어도 하나와, 적어도 하나의 C5-C60카보시클릭 그룹이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹일 수 있다.
상기 π 전자 결핍성 함질소 고리의 구체예로는, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인다졸, 푸린(purine), 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 벤조이미다졸, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 티아디아졸, 이미다조피리딘, 이미다조피리미딘, 아자카바졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 전자 수송 영역은 하기 화학식 601로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
상기 화학식 601 중,
Ar601은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
xe11은 1, 2 또는 3이고,
L601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xe1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
R601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q601)(Q602)(Q603), - -C(=O)(Q601), -S(=O)2(Q601) 및 -P(=O)(Q601)(Q602) 중에서 선택되고,
상기 Q601 내지 Q603은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,
xe21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택된다.
일 구현예에 따르면, 상기 xe11개의 Ar601 및 xe21개의 R601 중 적어도 하나는, 상술한 바와 같은 π 전자 결핍성 함질소 고리를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 중 고리 Ar601은,
벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹;
중에서 선택될 수 있고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 601 중 xe11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar601은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 중 Ar601은 안트라센 그룹일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 601로 표시되는 화합물은 하기 화학식 601-1로 표시될 수 있다:
<화학식 601-1>
Figure 112018060642371-pat00047
상기 화학식 601-1 중,
X614는 N 또는 C(R614)이고, X615는 N 또는 C(R615)이고, X616은 N 또는 C(R616)이고, X614 내지 X616 중 적어도 하나는 N이고,
L611 내지 L613은 서로 독립적으로, 상기 L601에 대한 설명을 참조하고,
xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 상기 xe1에 대한 설명을 참조하고,
R611 내지 R613은 서로 독립적으로, 상기 R601에 대한 설명을 참조하고,
R614 내지 R616은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 L601 및 L611 내지 L613은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 xe1 및 xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 R601 및 R611 내지 R613은 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및
-S(=O)2(Q601) 및 -P(=O)(Q601)(Q602);
중에서 선택되고,
상기 Q601 및 Q602에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
상기 전자 수송 영역은 하기 화합물 ET1 내지 ET36 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112018060642371-pat00048
Figure 112018060642371-pat00049
Figure 112018060642371-pat00050
Figure 112018060642371-pat00051
Figure 112018060642371-pat00052
Figure 112018060642371-pat00053
Figure 112018060642371-pat00054
Figure 112018060642371-pat00055
Figure 112018060642371-pat00056
Figure 112018060642371-pat00057
Figure 112018060642371-pat00058
Figure 112018060642371-pat00059
또는, 상기 전자 수송 영역은 BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3, BAlq, TAZ(3-(Biphenyl-4-yl)-5-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole) 및 NTAZ 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다.
Figure 112018060642371-pat00060
상기 버퍼층, 정공 저지층 또는 전자 조절층의 두께는 서로 독립적으로, 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 버퍼층, 정공 저지층 또는 전자 조절층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성 또는 전자 조절 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 전자 수송층)은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 물질은 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체의 금속 이온은, Li 이온, Na 이온, K 이온, Rb 이온 및 Cs 이온 중에서 선택될 수 있고, 상기 알칼리 토금속 착체의 금속 이온은 Be 이온, Mg 이온, Ca 이온, Sr 이온 및 Ba 이온 중에서 선택될 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
Figure 112018060642371-pat00061
상기 전자 수송 영역은, 제2전극(25)으로부터의 전자 주입을 용이하게 하는 전자 주입층을 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층은 상기 제2전극(25)과 직접(directly) 접촉할 수 있다.
상기 전자 주입층은 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 알칼리 금속은, Li, Na, K, Rb 및 Cs 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 Li, Na 또는 Cs일 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 Li 또는 Cs일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속은, Mg, Ca, Sr, 및 Ba 중에서 선택될 수 있다.
상기 희토류 금속은 Sc, Y, Ce, Tb, Yb 및 Gd 중에서 선택될 수 있다.
상기 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물 및 상기 희토류 금속 화합물은, 상기 알칼리 금속, 상기 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 산화물 및 할로겐화물(예를 들면, 불화물, 염화물, 브롬화물, 요오드화물 등) 중에서 선택될 수 있다.
상기 알칼리 금속 화합물은, Li2O, Cs2O, K2O 등과 같은 알칼리 금속 산화물 및 LiF, NaF, CsF, KF, LiI, NaI, CsI, KI 등과 같은 알칼리 금속 할로겐화물 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속 화합물은, LiF, Li2O, NaF, LiI, NaI, CsI, KI 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO, CaO, BaxSr1-xO(0<x<1), BaxCa1-xO(0<x<1) 등과 같은 알칼리 토금속 화합물 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO 및 CaO 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 희토류 금속 화합물은, YbF3, ScF3, ScO3, Y2O3, Ce2O3, GdF3, 및 TbF3 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 희토류 금속 화합물은 YbF3, ScF3, TbF3, YbI3, ScI3, TbI3 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체는, 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 이온을 포함하고, 상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층은 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합만으로 이루어져 있거나, 상기 유기물을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층이 유기물을 더 포함할 경우, 상기 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합은 상기 유기물로 이루어진 매트릭스에 균일 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 주입층은 상술한 물질 외에, 전자 수송층과 마찬가지로 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층은 각각, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다.
[치환기의 일반적인 정의]
본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예에는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함된다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등이 포함되다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 플루오레닐기 등이 포함되다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 카바졸일기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C5-C60카보시클릭 그룹이란, 고리-형성 원자로서 탄소만을 포함한 탄소수 5 내지 60의 모노시클릭 또는 폴리시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 방향족 카보시클릭 그룹 또는 비-방향족 카보시클릭 그룹일 수 있다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 벤젠과 같은 고리, 페닐기와 같은 1가 그룹 또는 페닐렌기와 같은 2가 그룹일 수 있다. 또는, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹에 연결된 치환기에 개수에 따라, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 3가 그룹 또는 4가 그룹일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로시클릭 그룹이란, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹과 동일한 구조를 갖되, 고리-형성 원자로서, 탄소(탄소수는 1 내지 60일 수 있음) 외에, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함한 그룹을 의미한다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
중에서 선택되고,
상기 Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다.
본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기로 치환된 C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 * 및 *'은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.
1,2: 유기 발광 장치
10: 기판
20: 유기 발광 소자
21: 제1전극
23: 유기층
25: 제2전극
100: 봉지층
110, 120: 제1,2봉지 단위
111, 121: 제1,2무기층
112,122: 제1,2유기층
200: 자외선 반사층
210, 220, 230: 제1,2,3적층 단위
211: 제1무기막
212: 제2무기막
311: 하부 유기층

Claims (20)

  1. 기판, 상기 기판 상에 배치된 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층, 및 자외선 반사층을 포함하고,
    상기 유기 발광 소자는 상기 기판과 상기 봉지층 사이에 배치되고,
    상기 봉지층은 상기 유기 발광 소자와 상기 자외선 반사층 사이에 배치되고,
    상기 봉지층은 서로 교대로 적층된 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층을 포함하고,
    상기 봉지층에 포함된 유기층 중 적어도 하나는 자외선 흡수 물질을 포함하고,
    상기 자외선 반사층은 무기물로 이루어지고,
    상기 자외선 반사층은 제1굴절률을 갖는 제1무기막과, 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 갖는 제2무기막이 적층된 적층 단위를 m개 포함하되, 상기 m은 3 이상의 정수이고,
    상기 제1굴절률은 1.6 내지 2.0의 범위에서 선택되고, 상기 제2굴절률은 1.4 내지 1.5의 범위에서 선택되는, 유기 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층은 무기층 및 유기층이 상기 유기 발광 소자로부터 차례로 적층된 봉지 단위를 n개 포함하되, 상기 n은 1 이상의 정수인 유기 발광 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1굴절률과 상기 제2굴절률 차이는 0.15 이상인 유기 발광 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 반사층의 405 nm 이하의 파장의 빛의 반사율은 90% 이상인 유기 발광 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층의 405 nm 이하의 파장의 빛의 흡수율은 90% 이상인 유기 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 반사층 및 자외선 흡수 물질을 포함한 유기층의 가시광선 영역대의 빛의 투과율은 서로 독립적으로, 80% 이상인 유기 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 흡수 물질은 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 벤조트리아진(benzotriazine)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물, 자외선 흡수 염료 및 자외선 영역대 흡수 파장을 갖는 형광 물질 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기층은 모노머, 광중합 개시제 및 자외선 흡수 물질을 포함하는 유기층 형성용 조성물의 경화물을 포함하는, 유기 발광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 모노머는 하기 화학식 1로 표시된 화합물 및 하기 화학식 2로 표시된 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 유기 발광 장치:
    <화학식 1>
    Figure 112018060642371-pat00062

    상기 화학식 1 중,
    R1은 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기 및 C1-C30헤테로아릴기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기, C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴기로 치환된 C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴티오기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택되고,
    <화학식 2>
    Figure 112018060642371-pat00063

    상기 화학식 2 중,
    L1은 -O-, -S-, S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -N(R6)-, -C(R6)(R7)-, -Si(R6)(R7)- 또는 C6-C20의 비분지된 알킬렌 그룹(unbranched alkylene group)이고,
    m1은 1 내지 10 중에서 선택된 정수이고,
    R2 및 R3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C6-C30아릴기, C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴기로 치환된 C6-C30아릴옥시기, C6-C30아릴티오기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기 및 C1-C20알콕시기 중에서 선택된다.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층에 포함된 적어도 하나의 무기층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 구리 산화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 반사층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 구리 산화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에 배치된 하부 유기층을 더 포함한 유기 발광 장치.
  16. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계;
    상기 유기 발광 소자 및 상기 기판 상에 봉지층을 형성하는 단계; 및
    상기 봉지층 상에 자외선 반사층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 봉지층은 서로 교대로 적층된 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층을 포함하고,
    상기 봉지층에 포함된 유기층 중 적어도 하나는 자외선 흡수 물질을 포함하고,
    상기 자외선 반사층은 무기물로 이루어지고,
    상기 자외선 반사층을 형성하는 단계는 상기 봉지층 상에 제1굴절률을 갖는 적어도 하나의 제1무기막과, 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 갖는 적어도 하나의 제2무기막을 교대로 적층시키는 단계를 포함하고,
    상기 자외선 반사층은 제1굴절률을 갖는 제1무기막과, 상기 제1굴절률과 상이한 제2굴절률을 갖는 제2무기막이 적층된 적층 단위를 m개 포함하되, 상기 m은 3 이상의 정수이고,
    상기 제1굴절률은 1.6 내지 2.0의 범위에서 선택되고, 상기 제2굴절률은 1.4 내지 1.5의 범위에서 선택되는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 자외선 반사층은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 진공증착 또는 스퍼터(sputter)의 방법으로 형성하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 무기층은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 진공증착 또는 스퍼터(sputter)의 방법으로 형성하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기층은 플래쉬 증발법, 잉크젯 공정, 스크린 프린팅, 딥 코팅 또는 스핀 코팅의 방법으로 형성하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
KR1020180070903A 2018-06-20 2018-06-20 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 KR102547689B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180070903A KR102547689B1 (ko) 2018-06-20 2018-06-20 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
US16/261,321 US11165045B2 (en) 2018-06-20 2019-01-29 Organic light-emitting device and method of manufacturing the same
CN201910393447.2A CN110620185A (zh) 2018-06-20 2019-05-13 有机发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180070903A KR102547689B1 (ko) 2018-06-20 2018-06-20 유기 발광 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190143556A KR20190143556A (ko) 2019-12-31
KR102547689B1 true KR102547689B1 (ko) 2023-06-27

Family

ID=68921145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180070903A KR102547689B1 (ko) 2018-06-20 2018-06-20 유기 발광 장치 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11165045B2 (ko)
KR (1) KR102547689B1 (ko)
CN (1) CN110620185A (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518146B (zh) * 2019-08-30 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示面板
KR20210028316A (ko) * 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN210467891U (zh) * 2019-11-29 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR20210072199A (ko) 2019-12-06 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
EP4131446A4 (en) * 2020-03-27 2023-05-03 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, METHOD FOR PREPARING IT AND DISPLAY DEVICE
KR20210134103A (ko) * 2020-04-29 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN111584744A (zh) * 2020-05-13 2020-08-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10002164A1 (de) * 2000-01-20 2001-07-26 Mitsubishi Polyester Film Gmbh Weiße, UV-stabilisierte, thermoformbare Folie aus einem kristallisierbaren Thermoplast, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
WO2005083813A2 (en) * 2004-02-20 2005-09-09 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organic light-emitting diode comprising a uv-protective member
KR20060084978A (ko) 2005-01-21 2006-07-26 에스케이씨 주식회사 유기발광 다이오드 소자의 자외선 차단 봉지 구조 및 방법
KR100682963B1 (ko) * 2006-02-03 2007-02-15 삼성전자주식회사 자외선 차단막을 구비한 유기발광 디스플레이
KR101377770B1 (ko) * 2007-06-20 2014-03-26 삼성전자주식회사 전기변색 소자용 전극의 제조방법
KR101569406B1 (ko) 2009-08-19 2015-11-17 주성엔지니어링(주) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2015503226A (ja) 2011-11-15 2015-01-29 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 有機半導体デバイスおよびその製造方法
KR20140057852A (ko) * 2012-11-05 2014-05-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101473308B1 (ko) * 2012-11-23 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP5887259B2 (ja) * 2012-12-11 2016-03-16 富士フイルム株式会社 屋外用表示装置
KR102103421B1 (ko) * 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150003466A (ko) * 2013-07-01 2015-01-09 삼성디스플레이 주식회사 거울형 표시장치 및 그 제조방법
US20150252125A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-10 Cheil Industries Inc. Curable resin compositions and barrier stacks including the same
KR20150136798A (ko) * 2014-05-28 2015-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR20160065553A (ko) * 2014-12-01 2016-06-09 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
CN105895775B (zh) * 2015-02-17 2019-09-17 新世纪光电股份有限公司 发光二极管
KR102319111B1 (ko) * 2015-03-30 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
JP2017147192A (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR102322016B1 (ko) * 2016-06-01 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20190393447A1 (en) 2019-12-26
KR20190143556A (ko) 2019-12-31
CN110620185A (zh) 2019-12-27
US11165045B2 (en) 2021-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102547689B1 (ko) 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102606277B1 (ko) 유기 발광 소자
US11678498B2 (en) Organic light-emitting device
KR102608414B1 (ko) 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102611206B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102593530B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102608423B1 (ko) 유기 발광 소자 및 전자 장치
EP3174121B1 (en) Organic light-emitting device
KR102317452B1 (ko) 발광 소자
KR102615642B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20180019803A (ko) 유기 발광 소자
US10573692B2 (en) Organic light-emitting device having a sealing thin film encapsulation portion
KR20170077926A (ko) 유기 발광 소자
KR20230134111A (ko) 유기 발광 소자
KR102579753B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102595869B1 (ko) 열분해성 그룹을 포함하는 아릴아민계 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102614597B1 (ko) 유기 발광 소자
US20210320154A1 (en) Organic light-emitting device
KR20190036458A (ko) 유기 발광 소자
EP3709369A1 (en) Light-emitting device
KR102603865B1 (ko) 유기 발광 소자
US20210036228A1 (en) Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
KR102618349B1 (ko) 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102658366B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102370357B1 (ko) 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant