JP2003229259A - 有機電場発光表示装置の製造方法 - Google Patents

有機電場発光表示装置の製造方法

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JP2003229259A JP2003020705A JP2003020705A JP2003229259A JP 2003229259 A JP2003229259 A JP 2003229259A JP 2003020705 A JP2003020705 A JP 2003020705A JP 2003020705 A JP2003020705 A JP 2003020705A JP 2003229259 A JP2003229259 A JP 2003229259A
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organic
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donor
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Lee William Tutt
ウィリアム トゥット リー
Myron W Culver
ウィリアム カルバー マイロン
Ching Wan Tang
ワン タン チン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ＥＬ媒体のパターン化方法を提供するこ
と。 【解決手段】 (a)表示基板上に第１電極を配列し、(b)
ドナー支持体と、輻射線吸収層と、該表示基板に転写さ
れるべき材料を含む有機層とを含んで成るドナー要素を
用意し、(c)該ドナー要素を、第１電極の配列パターン
を有する該表示基板と転写関係をなすように配置し、
(d)該有機層を転写する前に、該表示基板もしくは該ド
ナー要素又はこれらの両方を特定の温度範囲に加熱し、
(e)該第１電極と電気接続される該表示基板上の画素に
対応する指定領域に該ドナー要素から該有機層の特定部
分が転写されるのに十分な出力及び所望のスポットサイ
ズを有するレーザービームの焦点を該ドナー要素の該輻
射線吸収層の上に合わせ、かつ、該レーザービームを走
査し、そして(f)該表示基板上の転写された有機部分の
上に第２電極を設けることを特徴とする有機電場発光表
示装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電場発光表示
装置の製造方法に、具体的には、有機材料の輻射線誘発
型熱転写法により表示要素を形成することに関する。
【０００２】
【従来の技術】赤、緑及び青の色画素のような着色画素
（通常ＲＧＢ画素という。）を配列したカラー又はフル
カラー有機電場発光(EL)ディスプレイにおいては、ＲＧ
Ｂ画素を形成するため発色性有機ＥＬ媒体を精密にパタ
ーン化する必要がある。基本的な有機ＥＬデバイスは、
共通要素として、アノード、カソード、及び該アノード
と該カソードとに挟まれた有機ＥＬ媒体を含む。有機Ｅ
Ｌ媒体は１又は２層以上の有機薄膜からなることがで
き、その層又は層内領域の一つが主として発光、すなわ
ち電場発光を担う。この特定の層を、一般に有機ＥＬ媒
体の発光層と称する。有機ＥＬ媒体中に存在し得る他の
有機層は、（正孔伝導用）正孔輸送層又は（電子伝導
用）電子輸送層のように、一般に電子的輸送性を促進す
る。フルカラー有機ＥＬディスプレイパネルのＲＧＢ画
素を形成する際には、有機ＥＬ媒体の発光層又は有機Ｅ
Ｌ媒体全体を精密にパターン化する方法を考案する必要
がある。また、効率及び安定性を可能な限り高めること
も望まれる。
【０００３】典型的には、電場発光画素は、米国特許第
５７４２１２９号に記載されているようなシャドーマス
ク技法によりディスプレイ上に形成される。この技法は
有効であるが、いくつかの欠点がある。シャドーマスク
技法では、解像度の高い画素サイズを達成することが困
難である。さらに、基板とシャドーマスクとの間のアラ
インメントの問題があり、画素を適当な位置に形成させ
ることに慎重にならなければならない。基板を大きくす
る場合には、シャドーマスクを操作して適切な位置に画
素を形成させることが困難となる。シャドーマスク技法
のさらなる欠点は、マスクの開口部が時間とともに目詰
まりすることである。マスクの開口部が目詰まりする
と、ＥＬディスプレイ上に機能しない画素が生じ、望ま
しくない。
【０００４】シャドーマスク技法には、一辺が２〜３イ
ンチを超える寸法のＥＬデバイスを製造する時に特に明
白となる別の問題がある。ＥＬデバイスを精密に形成す
るために必要な精度（ホール位置±５μｍ）を有する比
較的大きなシャドーマスクを製造することは極めて困難
である。
【０００５】高解像度有機ＥＬディスプレイのパターン
化方法が、米国特許第５８５１７０９号(Grandeら)に記
載されている。この方法は、（１）対向する第１表面及
び第２表面を有するドナー基板を用意し、（２）該基板
の第１表面の上に透光性断熱層を形成し、（３）該断熱
層の上に吸光層を形成し、（４）該ドナー基板に、該第
２表面から該断熱層にまで延在する開口部の配列を設
け、（５）該吸光層の上に転写可能な発色性有機ドナー
層を形成し、（６）該基板の開口部とデバイス上の対応
するカラー画素とが配向するように該ドナー基板をディ
スプレイ基板に対して精密にアラインし、そして（７）
該ドナー基板上の有機層を該ディスプレイ基板に転写さ
せるに十分な熱を該開口部上の吸光層に発生させるため
の輻射線源を使用する、という工程序列を含む。Grande
らの方法にまつわる問題は、ドナー基板上の開口部の配
列をパターン化しなければならないことにある。このこ
とは、ドナー基板とディスプレイ基板との間で精密に機
械的にアラインメントしなければならないことをはじめ
とする、シャドーマスク技法の場合と同様の問題の多く
を生ぜしめる。さらに、ドナーのパターンが固定され、
容易に変更できないという問題もある。
【０００６】パターン化されていないドナーシートとレ
ーザーのような精密光源とを使用することにより、パタ
ーン化ドナーに見られる困難の一部を取り除くことがで
きる。このような方法が、米国特許第５６８８５５１号
(Littman)及びWolkらの一連の特許（米国特許第６１１
４０８８号、同第６１４０００９号、同第６２１４５２
０号及び同第６２２１５５３号）に記載されている。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５７４２１２９号明細書
【特許文献２】米国特許第５８５１７０９号明細書
【特許文献３】米国特許第５６８８５５１号明細書
【特許文献４】米国特許第６１１４０８８号明細書
【特許文献５】米国特許第６１４０００９号明細書
【特許文献６】米国特許第６２１４５２０号明細書
【特許文献７】米国特許第６２２１５５３号明細書
【特許文献８】米国特許第４７７２５８２号明細書
【特許文献９】米国特許第５５７８４１６号明細書
【特許文献１０】米国特許第４７２０４３２号明細書
【特許文献１１】米国特許第６２０８０７５号明細書
【特許文献１２】米国特許第３１８０７３０号明細書
【特許文献１３】米国特許第３５６７４５０号明細書
【特許文献１４】米国特許第３６５８５２０号明細書
【特許文献１５】米国特許第５０６１５６９号明細書
【特許文献１６】米国特許第４７６９２９２号明細書
【特許文献１７】米国特許第５９３５７２１号明細書
【特許文献１８】米国特許第５１４１６７１号明細書
【特許文献１９】米国特許第５１５０００６号明細書
【特許文献２０】米国特許第５１５１６２９号明細書
【特許文献２１】米国特許第５４０５７０９号明細書
【特許文献２２】米国特許第５４８４９２２号明細書
【特許文献２３】米国特許第５５９３７８８号明細書
【特許文献２４】米国特許第５６４５９４８号明細書
【特許文献２５】米国特許第５６８３８２３号明細書
【特許文献２６】米国特許第５７５５９９９号明細書
【特許文献２７】米国特許第５９２８８０２号明細書
【特許文献２８】米国特許第５９３５７２０号明細書
【特許文献２９】米国特許第５９３５７２１号明細書
【特許文献３０】米国特許第６０２００７８号明細書
【特許文献３１】国際公開第００／７０６５５号パンフ
レット
【特許文献３２】国際公開第００／５７６７６号パンフ
レット
【特許文献３３】国際公開第００／１８８５１号パンフ
レット
【特許文献３４】国際公開第９８／５５５６１号パンフ
レット
【特許文献３５】欧州特許出願公開第１０２９９０９号
明細書
【特許文献３６】欧州特許出願公開第０８９１１２１号
明細書
【特許文献３７】欧州特許出願公開第１００９０４１号
明細書
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ーにより転写された有機表示材料の特性が、常用の蒸着
法により付着されたものより劣る場合のあることがわか
った。その特性には、均一性、効率及び安定性が含まれ
る。したがって、輻射線誘発型熱転写法により得られる
パターン化の利点を十分に利用するためには、転写され
る材料の特性を改良する必要がある。
【０００９】本発明の目的は、常用のフォトリソグラフ
ィ法やシャドーマスク法が課す制限を伴わない、有機Ｅ
Ｌ媒体のパターン化方法を提供することにある。本発明
の別の目的は、解像度の高いフルカラー有機ＥＬディス
プレイをパターン化するための改良された方法を提供す
ることにある。本発明の別の目的は、機械的な精密アラ
インメントの制限を伴わず、かつ、動的アラインメント
及び簡易なパターン変更を可能にする、高解像度カラー
ＥＬディスプレイをパターン化するための方法を提供す
ることにある。本発明の目的は、有機ＥＬディスプレイ
の効率及び寿命を高めることにもある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、表示基板
上に画素を配列させてなる有機電場発光表示装置の製造
方法であって、(a) 表示基板上に第１電極を配列し、
(b) ドナー支持体と、該ドナー支持体上の輻射線吸収層
と、該輻射線吸収層上の少なくとも１層の有機層とを含
んで成るドナー要素であって、該有機層が該表示基板に
転写されるべき１又は２種以上の材料を含むもの、を用
意し、(c) 該ドナー要素を、第１電極の配列パターンを
有する該表示基板と転写関係をなすように配置し、(d)
該有機層を転写する前に、該表示基板もしくは該ドナー
要素又はこれらの両方を特定の温度範囲に加熱し、(e)
該第１電極と電気接続される該表示基板上の画素に対応
する指定領域に該ドナー要素から該有機層の特定部分が
転写されるのに十分な出力及び所望のスポットサイズを
有するレーザービームの焦点を該ドナー要素の該輻射線
吸収層の上に合わせ、かつ、該レーザービームを走査
し、そして(f) 該表示基板上の転写された有機部分の上
に第２電極を設けることを特徴とする方法によって達成
される。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に、本発明により表示基板１
８の上にドナー転写要素（以下、ドナー要素１２とい
う。）から材料を転写するためのレーザー印刷装置１０
を示す。該印刷装置１０のレーザー１４は、レーザービ
ーム２６を発生するダイオードレーザーその他任意の高
出力レーザーであることができる。本発明では、２以上
のレーザー又はレーザービームを同時に使用することも
できる。該レーザービームを走査させてレーザービーム
２６とドナー要素１２との間で相対移動をさせるため、
可動ミラーを含む検流計２２で該ビームを走査してf-シ
ータレンズ２４を介してＸ方向におけるラインを形成す
る。当業者であれば、鏡面を有する多面体のような他の
可動ミラーや、回転回折格子のような他のデバイスによ
っても、レーザービームの走査が可能であることを理解
することはできる。
【００１２】図１に示した実施態様では、ドナー要素１
２及び表示基板１８が、並進ステージ３２によって、上
記ラインと直交するＹ方向において搬送されることによ
り、全域が走査されることとなる。当該走査における任
意の地点でのレーザービーム強度を、コンピュータ２８
の指示を使用してレーザー出力制御ライン３０によって
制御する。別法として、当該レーザービーム強度を、レ
ーザー光学技術分野の当業者には周知であるように、音
響光学変調器（図示なし）のような独立した変調器によ
って制御することもできる。別の実施態様では、当該基
板を固定し、そしてレーザー装置を移動させ、又はその
ビームを光学的に向け直すことができる。重要な特徴
は、全域を走査することができるように、レーザービー
ムと表示基板との間で相対移動をさせることである。
【００１３】図２に示したように、ドナー要素１２は、
表示基板１８と転写関係をなすように配置される。ドナ
ー要素１２及び表示基板１８の構造、材料及び製造につ
いては後述する。ドナー要素１２及び表示基板１８は、
この位置に、クランプ締結、加圧、接着剤、他により保
持することができる。転写は、窒素もしくはアルゴンの
ような不活性雰囲気下で、又は真空下で、行なうことが
好ましい。好ましい実施態様では、材料転写が望まれる
表示基板の部分とドナー要素との間に隙間が維持され
る。
【００１４】f-シータレンズ２４でレーザービームの焦
点をドナー要素１２の輻射線吸収層３６に合わせなが
ら、検流計２２で該レーザービームを走査する。レーザ
ービームは、有機層３８中の材料を表示基板１８に転写
させて転写有機層４４を形成させるのに十分高い温度に
まで輻射線吸収層３６を加熱するのに十分な出力を有し
なければならない。一つの実施態様では、これは、有機
層３８中の材料の一部又は全部が気化して表示基板１８
上に凝縮することにより行なわれる。f-シータレンズ２
４により発生させるスポットサイズが、有機層の転写領
域を指示する。配置は、当該レーザービームが一定走査
速度について十分な出力を有する時に、当該スポットサ
イズにより、発光層の照明部分の材料がドナー要素から
表示基板上の画素に対応する指定領域へ選択的に転写さ
れるようなものである。図２において、レーザービーム
は、間隔を置いて並べられた２本の矢印として示されて
いる。説明の便宜上、レーザービーム２６は、実際には
異なる２つの位置間で移動され、そこで有機層３８の部
分を転写するために照射したものと理解される。
【００１５】好ましい実施態様では、レーザービームを
検流計２２によりドナー要素１２を差し渡し連続的に走
査しながら、レーザー出力をコンピュータ２８の指示に
より変調する。ドナー要素１２に入射するレーザー出力
を変調させることにより、表示基板１８に対し、走査の
特定領域において選択可能な量で有機層３８中の有機材
料を転写させることができる。好ましい実施態様では、
有機層３８中の材料のほとんど又は全部を基板１８へ転
写する。
【００１６】レーザー１４は、赤外固体レーザー、ネオ
ジムＹＡＧレーザー、その他当該有機層を転写させるの
に十分な出力を提供するレーザーであることができる。
必要な出力は、吸光層の吸収性とレーザー波長との間の
整合性に左右される。ビーム形状は、譲受人共通のDavi
d Kesslerらの米国特許出願第０９／１２８０７７号
（１９９８年８月３日出願）（その開示事項を本明細書
の一部とする。）に記載されているように、低コスト多
モードレーザーを使用しながら微細ラインの書込みを可
能にするため、卵形とすることができる。
【００１７】多色ディスプレイ又はフルカラーディスプ
レイを製造するため、有機ＥＬデバイスの完成時に色の
異なる光を発生する別の有機層３８を有する別のドナー
要素１２を使用して、独立した画素領域について、上記
プロセスを繰り返す。
【００１８】好ましい実施態様において、転写過程に用
いられるドナー要素１２は、当該レーザー光を透過する
ドナー支持体３４と、当該レーザー光を熱に変換する輻
射線吸収層３６と、転写されるべき有機層３８とを含ん
で成る。別の実施態様では、有機層３８が輻射線吸収層
としても作用することができ、そして層３６を除外する
ことができる。別法として、支持体３４が輻射線吸収層
としても機能することができ、そして独立した層３６を
除外することができる。本発明において使用することが
できるドナー支持体及び輻射線吸収材料の例が、米国特
許第４７７２５８２号に記載されている。ドナー支持体
は、光熱誘発型転写に際し、構造的団結性を維持できる
ことが必要である。さらに、ドナー支持体は、片面上に
比較的薄い有機ドナー材料コーティングを受容し、か
つ、そのコーティングを当該被覆支持体の予測される保
存期間中に劣化させることなく保持できることも必要で
ある。これらの要件を満たす支持体材料として、例え
ば、ガラス、金属箔、転写中に予測される支持体温度よ
りも高いガラス転移温度を示すプラスチック（高分子）
箔、及び繊維強化プラスチック箔、が挙げられる。プラ
スチック箔が好適である。好適な支持体材料の選定は既
知の工学的アプローチに頼ることができるが、選ばれた
支持体材料の特定の側面が、本発明の実施に有用なドナ
ー支持体として形成された時にさらなる考慮に値するこ
とが認識される。例えば、支持体は、転写可能な有機材
料で予備塗被される前に、多段階洗浄及び表面調製処理
を必要とする場合がある。
【００１９】輻射線吸収層３６に使用される材料は、米
国特許第５５７８４１６号に記載されている色素のよう
な色素、又はカーボンブラックのような顔料であること
ができる。該輻射線吸収層は、クロム、ニッケルもしく
はチタンのような金属、又は反射防止性により輻射線を
吸収する材料層状スタックであってもよい。重要な基準
は、当該吸光層が、レーザー発光波長において当該レー
ザー光の大部分を吸収するのに十分に高い光学濃度で吸
収し、よって有機層を転写せしめるに十分な熱を発生さ
せることである。この転写は、レーザーのフルエンス(f
luence)、スポットサイズ、ビームの重なりその他の因
子に左右されることが知られている。一般に、吸光層の
光学濃度は少なくとも０．１（当該光の〜２０％が吸収
される）とすべきである。
【００２０】本発明の重要な特徴は、ドナー要素１２及
び表示基板１８のための加熱要素１６を内在させること
である。加熱要素１６は、ドナー要素１２及び表示基板
１８について同一又は異なる温度を提供することができ
る。これらの温度は３０℃よりも高く１５０℃よりも低
い範囲内、より好ましくは４０℃よりも高く１３０℃よ
りも低い範囲内とすべきである。当該温度が当該有機材
料の気化温度を上回ることがあってはならない。加熱工
程は、有機層３８を転写する前に行なうべきである。有
機層３８の転写前及び転写中の両方において加熱工程を
適用することが有利であることがわかった。加熱要素１
６により得られる利点は、本発明の方法により製造され
るディスプレイ要素完成品の効率及び安定性にある。こ
の改良の包括的メカニズムは現時点では完全には理解さ
れていないが、有機層３８のレーザー転写時の温度が高
いほど、転写された有機層４４の材料の分布の均一性が
高くなり、かつ、活性化もより良好となるようである。
改良のメカニズムの詳細が何であれ、本発明の方法によ
り製造されたディスプレイは、加熱工程を含まない方法
で製造されたディスプレイよりも、効率が高くなり、か
つ、安定性に優れることが認められる。
【００２１】加熱要素１６は、埋込み型電気抵抗加熱要
素を含む金属ブロック体、又は該ブロック体内部に加熱
流体を循環させるための手段その他何らかの該ブロック
体を加熱する便利な方法を含むものであることができ
る。有用な実施態様では、加熱要素１６を表示基板１８
と接するように配置する。加熱要素１６は、並進ステー
ジ３２の一部であってもよいし、またそれに取り付けら
れていてもよい。加熱要素１６は、赤外線や可視輻射線
により加熱するための手段からなるものであってもよ
い。
【００２２】上記の説明では、有機材料を選択的に付着
するためにレーザーを使用しているが、加熱要素１６の
使用は、このような実施態様にのみ限定されるものでは
ないことが認識される。パターン化の有無に関わらず有
機材料を気化させて転写させるためにドナー要素を加熱
するためにいかなる種類の輻射線を使用するときにも、
加熱要素１６を使用することは有利である。例えば、フ
ラッシュランプ、ＩＲヒータ、電流通過によるドナー要
素の層の抵抗加熱、等を採用して有機材料をパターン化
せずに、又は大面積で、転写することが挙げられる。例
えば、フラッシュランプとドナーの間に光学マスクを使
用することをはじめとし、何らかの局所加熱法により選
択的に付着させることは可能である。これらいずれの場
合でも、加熱要素１６の使用により、レーザー誘発型熱
転写法による場合と同様の利点が得られる。
【００２３】以下、表示基板１８、有機ＥＬディスプレ
イに有用な有機材料その他の関連情報についての一般説
明を行なう。本発明は、ほとんどのＯＬＥＤデバイス形
状に採用することができる。これらには、単一のアノー
ドとカソードとを含む非常に簡素な構造体から、より複
雑なデバイス、例えば、複数のアノードとカソードを直
交配列させて画素を形成したパッシブ型ディスプレイ
や、各画素を、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で
個別に制御するアクティブ型ディスプレイ、までが含ま
れる。本発明は、フルカラー表示装置の製造に応用され
た時に、利点が最大となる。
【００２４】当該技術分野で知られている有機層の構成
がいくつかあり、その中で本発明を首尾よく実施するこ
とができる。典型的な構造体を図３に示すが、これに限
定はされない。該構造体は、基板１０１と、独立にアド
レス可能なアノード１０３と、任意の正孔注入層１０５
と、正孔輸送層１０７と、発光層１０９（赤発光画素１
０９Ｒ、緑発光画素１０９Ｇ及び青発光画素１０９Ｂ）
と、電子輸送層１１１と、そして独立にアドレス可能で
あってもなくてもよいカソード層１１３とを含む。これ
らの層の詳細については後述する。該基板を、別法とし
てカソードに隣接させて配置してもよいこと、又は該基
板が実際にアノードもしくはカソードを構成してもよい
こと、に留意されたい。基板に隣接して形成された電極
を第１電極と通称し、そして有機ＥＬ材料を堆積させた
後に形成された電極を第２電極と通称する。第１電極
は、通常、ＲＧＢ画素を画定するパターン化アレイの形
態で形成される。低動作電圧が望まれる場合には、全有
機層厚の合計が５００nm未満であることが好ましい。
【００２５】本発明により、すなわち輻射線誘発型熱転
写法により、転写された層は、上記層のいずれであって
もよい。最も好ましくは、本発明により転写された層の
少なくとも１層は発光層であり、そして所望の色、例え
ば、赤色を有する画素アレイを創出するために空間的に
画定された方式で第１電極のパターン化アレイの上に形
成される。これらの第１電極は、転写された発光層と、
直接に又は正孔輸送層のような中間層を介して、電気的
に接続されている。同様に、本発明の方法によりその他
の発光層を被覆して、その他の着色画素、例えば、緑色
及び青色、のアレイを形成する。ドナー要素１２の上に
多重層を被覆しておくことにより、多重層又は材料を表
示基板１８に転写することができる。条件に依存して、
この転写は、層同士がほとんど混合することなく、一部
混合し、又は完全に混合しながら起こり得る。精密パタ
ーン化を必要としない別のデバイス層は、後述の方法の
いずれかにより被覆することができる。有用な実施態様
の一つとして、各画素の発光層をレーザー転写法により
堆積させ、その他の層を常用の昇華法によりブランケッ
ト式で適用するものがある。
【００２６】基板１０１は、意図される発光方向に依存
して、透光性又は不透明のいずれかであることができ
る。EL発光を基板を介して観察する場合には透光性が望
まれる。このような場合、透明ガラス又はプラスチック
が通常用いられる。EL発光を上部電極を介して観察する
用途の場合には、底部支持体の透過性は問題とならない
ため、透光性、吸光性又は光反射性のいずれであっても
よい。この場合の用途向け支持体には、ガラス、プラス
チック、半導体材料、セラミックス及び回路基板材料が
含まれるが、これらに限定はされない。もちろん、この
ようなデバイス構成には、透光性の上部電極を提供する
必要はある。
【００２７】導電性アノード層１０３は、通常は基板上
に形成され、そしてEL発光を当該アノードを介して観察
する場合には、当該発光に対して透明又は実質的に透明
であることが必要である。本発明に用いられる一般的な
透明アノード材料はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）及び
酸化錫であるが、例示としてアルミニウム又はインジウ
ムをドープした酸化亜鉛（ＩＺＯ）、マグネシウムイン
ジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめ
とする他の金属酸化物でも使用することができる。これ
らの酸化物の他、層１０３には、窒化ガリウムのような
金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及
び硫化亜鉛のような金属硫化物を使用することもでき
る。EL発光を上部電極を介して観察する用途の場合に
は、層１０３の透過性は問題とならず、透明、不透明又
は反射性を問わずいずれの導電性材料でも使用すること
ができる。このような用途向けの導体の例として、金、
イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げら
れるが、これらに限定はされない。典型的なアノード材
料は、透過性であってもそうでなくても、４.１ eV以上
の仕事関数を有する。望ましいアノード材料は、一般
に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長(CVD)法又は
電気化学法のような適当な手段のいずれかによって付着
される。アノードは、周知のフォトリソグラフ法によっ
てパターン化することもできる。
【００２８】常に必要であるわけではないが、アノード
１０３と正孔輸送層１０７との間に正孔注入層１０５を
設けることがしばしば有用となる。正孔注入性材料は、
後続の有機層のフィルム形成性を改良し、かつ、正孔輸
送層への正孔注入を促進するのに役立つことができる。
正孔注入層に用いるのに好適な材料として、米国特許第
4,720,432号明細書に記載されているポルフィリン系化
合物や、米国特許第6,208,075号明細書に記載されてい
るプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマー(CFx)が挙げ
られる。有機ELデバイスに有用であることが報告されて
いる別の代わりの正孔注入性材料が、欧州特許出願公開
第0 891 121号及び同第1 029 909号明細書に記載されて
いる。
【００２９】有機ＥＬデバイスの正孔輸送層１０７は、
芳香族第三アミンのような少なくとも１種の正孔輸送性
化合物を含む。芳香族第三アミンとは、その少なくとも
一つが芳香族環の環員である炭素原子にのみ結合してい
る３価窒素原子を１個以上含有する化合物であると解さ
れる。一つの形態として、芳香族第三アミンはアリール
アミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミ
ン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであ
ることができる。トリアリールアミン単量体の例が、米
国特許第３１８０７３０号(Klupfelら)に示されてい
る。１以上のビニル基で置換された、及び／又は少なく
とも一つの活性水素含有基を含む、その他の好適なトリ
アリールアミンが、譲受人共通の米国特許第３５６７４
５０号及び同第３６５８５２０号(Brantleyら)に記載さ
れている。
【００３０】より好ましい種類の芳香族第三アミンは、
米国特許第４７２０４３２号及び同第５０６１５６９号
に記載されているような芳香族第三アミン部分を２個以
上含有するものである。このような化合物には、下記構
造式（Ａ）で表わされるものが含まれる。
【００３１】
【化１】
【００３２】上式中、Ｑ1及びＱ2は各々独立に選ばれた
芳香族第三アミン部分であり、そしてＧは、アリーレ
ン、シクロアルキレン又は炭素-炭素結合のアルキレン
基のような結合基である。一つの実施態様において、Ｑ
1及びＱ2の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体
（例、ナフタレン）を含有する。Ｇがアリール基である
場合、それはフェニレン部分、ビフェニレン部分又はナ
フタレン部分であることが便利である。構造式（Ａ）を
満たし、かつ、２つのトリアリールアミン部分を含有す
る有用な種類のトリアリールアミンは、下記構造式
（Ｂ）で表わされる。
【００３３】
【化２】
【００３４】上式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、水素
原子、アリール基もしくはアルキル基を表わすか、又
は、Ｒ1及びＲ2は一緒にシクロアルキル基を完成する原
子群を表わし、そしてＲ3及びＲ4は、各々独立に、アリ
ール基であってそれ自体が下記構造式（Ｃ）で示される
ようなジアリール置換型アミノ基で置換されているもの
を表わす。
【００３５】
【化３】
【００３６】上式中、Ｒ5及びＲ6は各々独立に選ばれた
アリール基である。一つの実施態様において、Ｒ5及び
Ｒ6の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナ
フタレン）を含有する。別の種類の芳香族第三アミンは
テトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリー
ルジアミンは、アリーレン基を介して結合された、構造
式（Ｃ）で示したようなジアリールアミノ基を２個含
む。有用なテトラアリールジアミンには、下記構造式
（Ｄ）で表わされるものが含まれる。
【００３７】
【化４】
【００３８】上式中、Ａｒｅは各々独立に選ばれたアリ
ーレン基、例えば、フェニレン又はアントラセン部分で
あり、ｎは１〜４の整数であり、そしてＡｒ、Ｒ7、Ｒ8
及びＲ9は各々独立に選ばれたアリール基である。典型
的な実施態様では、Ａｒ、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9の少なくと
も一つが多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）であ
る。
【００３９】上記構造式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリ
ーレン部分も、各々それ自体が置換されていてもよい。
典型的な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、ア
リール基、アリールオキシ基、並びにフッ化物、塩化物
及び臭化物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキ
ル及びアルキレン部分は、典型的には約１〜６個の炭素
原子を含有する。シクロアルキル部分は３〜約１０個の
炭素原子を含有し得るが、典型的には、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルの環構造体のよ
うに、５個、６個又は７個の環炭素原子を含有する。ア
リール部分及びアリーレン部分は、通常はフェニル部分
及びフェニレン部分である。
【００４０】正孔輸送層は、芳香族第三アミン化合物の
単体又は混合物で形成することができる。具体的には、
構造式（Ｂ）を満たすトリアリールアミンのようなトリ
アリールアミンを、構造式（Ｄ）が示すようなテトラア
リールジアミンと組み合わせて使用することができる。
トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合
わせて使用する場合、後者を、トリアリールアミンと電
子注入及び輸送層との間に挿入された層として配置す
る。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。 1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサ
ン 1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシ
クロヘキサン 4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメ
タン N,N,N-トリ(p-トリル)アミン 4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-ス
チリル]スチルベン N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニ
ル N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニ
ル N,N,N’,N’-テトラ-1-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェ
ニル N,N,N’,N’-テトラ-2-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェ
ニル N-フェニルカルバゾール 4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル（ＮＰＢ） 4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビ
フェニル 4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ター
フェニル 4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル 4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニル 1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレ
ン 4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-タ
ーフェニル 4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニル 4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミ
ノ]ビフェニル 4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル 4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビ
フェニル 4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン 2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン 2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフ
タレン N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-タ
ーフェニル 4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]
アミノ}ビフェニル 4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェ
ニル 2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン 1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレ
ン
【００４１】別の種類の有用な正孔輸送性材料として、
欧州特許第１００９０４１号に記載されているような多
環式芳香族化合物が挙げられる。さらに、ポリ(N-ビニ
ルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロー
ル、ポリアニリン及びPEDOT/PSSとも呼ばれているポリ
(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレン
スルホネート)のようなコポリマー、といった高分子正
孔輸送性材料を使用することもできる。
【００４２】米国特許第４７６９２９２号及び同第５９
３５７２１号に詳述されているように、有機ＥＬ要素の
発光層(LEL)１０９は発光材料又は蛍光材料を含み、そ
の領域において電子-正孔対が再結合する結果として電
場発光が生じる。発光層は、単一材料で構成することも
できるが、より一般的には、ホスト材料に単一又は複数
種のゲスト化合物をドーピングしてなり、そこで主とし
て当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限
はない。発光層に含まれるホスト材料は、後述する電子
輸送性材料、上述した正孔輸送性材料、又は正孔-電子
再結合を支援する別の材料もしくはその組合せ、である
ことができる。ドーパントは、通常は高蛍光性色素の中
から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第
９８／５５５６１号、同第００／１８８５１号、同第０
０／５７６７６号及び同第００／７０６５５号に記載さ
れているような遷移金属錯体も有用である。ドーパント
は、ホスト材料中、０．０１〜１０質量％の範囲内で塗
布されることが典型的である。異なる発光画素に対して
は異なるホスト／ドーパントの組合せが使用される。
【００４３】ドーパントとしての色素を選定するための
重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道と
の間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポ
テンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へ
のエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパ
ントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さい
ことが必須条件となる。
【００４４】有用性が知られているホスト及び発光性分
子として、米国特許第４７６９２９２号、同第５１４１
６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９
号、同第５４０５７０９号、同第５４８４９２２号、同
第５５９３７８８号、同第５６４５９４８号、同第５６
８３８２３号、同第５７５５９９９号、同第５９２８８
０２号、同第５９３５７２０号、同第５９３５７２１号
及び同第６０２００７８号に記載されているものが挙げ
られるが、これらに限定はされない。
【００４５】8-ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の
金属錯体（下記構造式Ｅ）は、電場発光を支援すること
ができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、500
nmよりも長い波長の光（例、緑色、黄色、橙色及び赤
色）を放出させるのに適している。
【００４６】
【化５】
【００４７】上式中、Ｍは金属を表わし、ｎは１〜４の
整数であり、そしてＺは、各々独立に、縮合芳香族環を
２個以上有する核を完成する原子群を表わす。上記よ
り、当該金属は１価、２価、３価又は４価になり得るこ
とが明白である。当該金属は、例えば、リチウム、ナト
リウムもしくはカリウムのようなアルカリ金属、マグネ
シウムもしくはカルシウムのようなアルカリ土類金属、
アルミニウムもしくはガリウムのような土類金属、又は
亜鉛もしくはジルコニウムのような遷移金属であること
ができる。一般に、有用なキレート化金属であることが
知られているものであれば、１価、２価、３価又は４価
のいずれの金属でも使用することができる。
【００４８】Ｚは、その少なくとも一つがアゾール環又
はアジン環である２個以上の縮合芳香族環を含有する複
素環式核を完成する。必要であれば、当該２個の必須環
に、脂肪族環及び芳香族環の双方を含む追加の環を縮合
させてもよい。分子の嵩高さが機能向上を伴うことなく
増大することを避けるため、通常は環原子の数を１８以
下に維持する。
【００４９】以下、有用なキレート化オキシノイド系化
合物の例を示す。 CO-1：アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-
キノリノラト)アルミニウム(III)、通称ＡＬＱ〕 CO-2：マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノ
リノラト)マグネシウム(II)〕 CO-3：ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II) CO-4：ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(II
I)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニ
ウム(III) CO-5：インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キ
ノリノラト)インジウム〕 CO-6：アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、
トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕 CO-7：リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチ
ウム〕 CO-8：ガリウムオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラ
ト)ガリウム(III)〕 CO-9：ジルコニウムオキシン〔別名、テトラ(8-キノリ
ノラト)ジルコニウム(IV)〕
【００５０】9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセンの誘導
体（下記構造式Ｆ）は、電場発光を支援することができ
る有用なホスト化合物の一種であり、特に、400 nmより
も長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤
色）を放出させるのに適している。
【００５１】
【化６】
【００５２】上式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6
は、各環上の１又は２以上の置換基であってそれぞれ下
記のグループから独立に選ばれるものを表わす。 第１グループ：水素、又は炭素原子数１〜２４のアルキ
ル； 第２グループ：炭素原子数５〜２０のアリール又は置換
アリール； 第３グループ：アントラセニル、ピレニルまたはペリレ
ニルの縮合芳香族環の完成に必要な４〜２４個の炭素原
子； 第４グループ：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニ
ルその他の複素環式系の縮合芳香族環の完成に必要な炭
素原子数５〜２４のヘテロアリール又は置換ヘテロアリ
ール； 第５グループ：炭素原子数１〜２４のアルコキシルアミ
ノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ；及び 第６グループ：フッ素、塩素、臭素又はシアノ
【００５３】代表例として、9,10-ジ-(2-ナフチル)アン
トラセン及び2-t-ブチル-9,10-ジ-(2-ナフチル)アント
ラセン（ＴＢＡＤＮ）が挙げられる。ＬＥＬのホストと
して、9,10-ビス[4-(2,2-ジフェニルエテニル)フェニ
ル]アントラセンの誘導体をはじめとする他のアントラ
セン誘導体も有用となり得る。
【００５４】ベンズアゾール誘導体（下記構造式Ｇ）
は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合
物の一種であり、特に、400 nmよりも長い波長の光
（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させる
のに適している。
【００５５】
【化７】
【００５６】上式中、ｎは３〜８の整数であり、Ｚは
Ｏ、ＮＲ又はＳであり、Ｒ及びＲ’は、各々独立に、水
素、炭素原子数１〜２４のアルキル（例えば、プロピ
ル、t-ブチル、ヘプチル、等）、炭素原子数５〜２０の
アリールもしくはヘテロ原子置換型アリール（例えば、
フェニル及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、
キノリニルその他の複素環式系）、ハロ（例、クロロ、
フルオロ）、又は縮合芳香族環の完成に必要な原子群、
であり、Ｌは、アルキル、アリール、置換アルキル又は
置換アリールからなる結合ユニットであって、当該複数
のベンズアゾール同士を共役的又は非共役的に連結させ
るものである。有用なベンズアゾールの一例として2,
2’,2”-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベ
ンズイミダゾール]が挙げられる。
【００５７】望ましい蛍光性ドーパントには、アントラ
セン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、
クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレ
ンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチ
アピリリウムの各化合物の誘導体並びにカルボスチリル
化合物が包含される。以下、有用なドーパントの具体例
を挙げるが、これらに限定はされない。
【００５８】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【００５９】本発明の有機ＥＬデバイスの電子輸送層１
１１を形成するのに用いるのに好ましい薄膜形成性材料
は、オキシン（通称8-キノリノール又は8-ヒドロキシキ
ノリン）それ自体のキレートをはじめとする金属キレー
ト化オキシノイド系化合物である。このような化合物
は、電子の注入及び輸送を助長し、しかも高い性能レベ
ルを示すと共に、薄膜への加工が容易である。企図され
るオキシノイド系化合物の例は、既述の構造式（Ｅ）を
満たす化合物である。
【００６０】その他の電子輸送性材料として、米国特許
第４３５６４２９号に記載されている各種ブタジエン誘
導体、及び米国特許第４５３９５０７に記載されている
各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。既述の構造式
（Ｇ）を満たすベンズアゾールも有用な電子輸送性材料
となる。
【００６１】場合によっては、必要に応じて、層１０９
及び層１１１を、発光と電子輸送の両方を支援する機能
を発揮する単一層にすることが可能である。同様に、必
要に応じて、層１０９及び層１０７を、発光と正孔輸送
の両方を支援する機能を発揮する単一層にすることも可
能である。
【００６２】アノードを介して発光させる場合には、本
発明に用いられるカソード層１１３は、ほとんどすべて
の導電性材料を含んでなることができる。望ましい材料
は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよう良好
なフィルム形成性を示し、低電圧での電子注入を促進
し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード材料
は、低仕事関数金属（＜４.０eV）又は合金を含むこと
が多い。好適なカソード材料の１種に、米国特許第4,88
5,221号明細書に記載されているMg:Ag合金（銀含有率１
〜２０％）を含むものがある。別の好適な種類のカソー
ド材料として、低仕事関数金属又は金属塩の薄層に、こ
れより厚い導電性金属の層をキャップしてなる二層形が
挙げられる。このようなカソードの一つに、米国特許第
5,677,572号明細書に記載されている、LiF薄層にこれよ
り厚いAl層を載せてなるものがある。その他の有用なカ
ソード材料として、米国特許第5,059,861号、同第5,05
9,862号及び同第6,140,763号明細書に記載されているも
のが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００６３】カソードを介して発光を観察する場合に
は、当該カソードは透明又はほぼ透明でなければならな
い。このような用途の場合、金属が薄くなければならな
いか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合
せを使用しなければならない。米国特許第5,776,623号
明細書に透光性カソードが詳述されている。カソード材
料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法により
付着させることができる。必要な場合には、例えば、マ
スク介在蒸着法、米国特許第5,276,380号及び欧州特許
出願公開第0 732 868号明細書に記載の一体型シャドー
マスク法、レーザーアブレーション法及び選択的化学的
気相成長法をはじめとする多くの周知の方法により、パ
ターンを形成させてもよい。
【００６４】上述した有機材料の非パターン様式付着、
例えば、表示基板１８上へのもの、又はドナー支持体上
に有機層３８を形成するためのものは、昇華法により適
宜行なわれる。しかしながら、有機材料を、フィルム形
成性を高める任意のバインダーと共に溶剤から付着させ
てもよい。当該材料がポリマーである場合には、通常、
溶剤付着法が好適である。昇華法により付着すべき材料
は、例えば、米国特許第6,237,529号明細書に記載され
ているように、タンタル材料を含むことが多い昇華体
「ボート」から気化させることができる。最初に支持体
上にパターン化を要しない層を付着させてドナー要素１
２を形成し、次いで該層を基板に近接させてパターン化
されていないフラッシュランプ蒸着法により昇華させて
もよいことに留意されたい。複数材料の混合物を要する
層は、独立した複数の昇華体ボートを利用してもよい
し、複数材料を予め混合した後単一のボート又はドナー
シートからコーティングしてもよい。
【００６５】ほとんどのOLEDデバイスは湿分及び／又は
酸素に対して感受性を示すため、窒素又はアルゴンのよ
うな不活性雰囲気において、アルミナ、ボーキサイト、
硫酸カルシウム、クレー、シリカゲル、ゼオライト、ア
ルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、スルフェ
ート、金属ハロゲン化物及び金属過塩素酸塩のような乾
燥剤と一緒に、封止されることが一般的である。封入法
及び乾燥法として、米国特許第6,226,890号明細書に記
載されている方法が挙げられるが、これらに限定はされ
ない。
【００６６】
【実施例】以下の実施例により本発明を例証する。 例１ １２５μｍのポリイミド系ドナー支持体の上に６０nmの
クロム層からなる輻射線吸収層を真空蒸着することによ
りドナー要素を形成した。この基板の上に、厚さ２．５
nmのCO-1(ALQ)及び０．２nmのL39(DCJTB)、１１nmのTBA
DN及び０．６nmのNPBを真空蒸着した。
【００６７】きれいなガラス基板にマスクを介してイン
ジウム錫酸化物(ITO)を真空蒸着して４０〜８０nmの透
明第１電極（アノード）をパターン化した。プラズマ酸
素エッチングに続き、ITO表面上の正孔注入層として〜
０．１nmのＣＦxをプラズマ蒸着した。次いで、７５nm
のNPB正孔輸送層を真空蒸着した。そのNPB層の上に上記
ドナー要素を配置し、真空を適用して密着保持した。高
さ約２μｍの表面粗さを有するドナー基板のテキスチャ
によって、小さな隙間が維持された。ステージを表１に
示した温度に加熱した。
【００６８】上記ドナー要素をその基板を通して赤外レ
ーザービームで照射することにより、該ドナー要素から
表示基板へ発光材料をレーザー転写した。ビームサイズ
は、幅ビーム方向に沿って走査する１／ｅ2ポイントに
対して約１６μｍ×８０μｍとした。一時停止時間は２
７マイクロ秒とし、パワー密度は表記した。赤色が望ま
れる領域に転写を行なった。
【００６９】ドナー要素から転写された発光層の上に、
電子輸送層として６５nmのＡＬＱ層を真空蒸着し、続い
て、第２電極（カソード）として２０nmの銀と２００nm
のマグネシウムとを同時蒸着した。デバイスを、当該ダ
イオードに一定電流を流してその発光出力を監視するこ
とからなる試験に供した。これらのデータを表１に示
す。
【００７０】
【表１】
【００７１】６０℃に加熱した場合、加熱なしに得られ
たものよりも好ましい赤色相（ピーク発光波長）が得ら
れた。また、６０℃に加熱した場合には、初期輝度が若
干高くなった。とりわけ留意すべきは、１００時間後の
輝度が一段と高いことからも明白であるように、転写の
際に加熱することによって、安定性が大幅に向上したこ
とである。
【００７２】例２ １２５μｍのポリイミド系ドナー支持体の上に６０nmの
クロム層からなる輻射線吸収層を真空蒸着することによ
りドナー要素を形成した。この上に、厚さ１８．７nmの
ＡＬＱ層、１８．７nmのＴＢＡＤＮ及び０．２nmの緑色
ドーパントＬ７を真空蒸着した。このドナーを使用し
て、上記例１に記載したように発光ダイオードを製作し
た。緑色発光が望まれる場所に転写を行なった。デバイ
スを、当該ダイオードに一定電流を流してその発光出力
を監視することからなる試験に供した。これらのデータ
を表２に示す。
【００７３】
【表２】
【００７４】６０℃に加熱した場合、３７℃で得られた
ものよりも好ましい緑色相（ピーク発光波長）が得られ
た。安定性は大幅に向上した。実際、６０℃に加熱した
デバイスの場合、１００時間後の輝度が一段と高いこと
からも明白であるように、輝度が時間とともに高くなっ
た。
【００７５】
【発明の効果】本発明は、輻射線誘発型熱転写の前に加
熱工程を行なうことにより、効率及び安定性の高い有機
ＥＬディスプレイが得られる点で有利である。本発明は
特に、高品位で効率及び安定性の良好なフルカラー有機
ＥＬディスプレイの製造に適している。走査型レーザー
ビームでプリントすることにより、着色画素の微細精密
パターンを形成することができ、高解像度ディスプレイ
の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ドナー要素から表示基板上へ有機層の部分を転
写するのに有用な装置を示す略図である。
【図２】加熱要素と共に表示基板及びドナー要素の詳細
を示す横断面図である。
【図３】フルカラー有機電場発光表示装置を示す略横断
面図である。
【符号の説明】
１０…印刷装置 １２…ドナー要素 １４…レーザー １６…加熱要素 １８…表示基板 ２２…検流計 ２４…f-シータレンズ ２６…レーザービーム ２８…コンピュータ ３０…レーザー出力制御ライン ３２…並進ステージ ３４…ドナー支持体 ３６…輻射線吸収層 ３８…有機層 ４４…転写された有機層 １０１…基板 １０３…アノード １０５…正孔注入層 １０７…正孔輸送層 １０９…発光層 １０９Ｒ…赤色発光画素 １０９Ｇ…緑色発光画素 １０９Ｂ…青色発光画素 １１１…電子輸送層 １１３…カソード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リー ウィリアム トゥット アメリカ合衆国，ニューヨーク 14580, ウェブスター，コニファー コーブ レー ン 1250 (72)発明者 マイロン ウィリアム カルバー アメリカ合衆国，ニューヨーク 14616, ロチェスター，ベイカーデイル ロード 245 (72)発明者 チン ワン タン アメリカ合衆国，ニューヨーク 14625, ロチェスター，パーク レーン 176 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB18 BA06 DB03 FA01 FA03

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表示基板上に画素を配列させてなる有機
    電場発光表示装置の製造方法であって、 (a) 表示基板上に第１電極を配列し、 (b) ドナー支持体と、該ドナー支持体上の輻射線吸収層
    と、該輻射線吸収層上の少なくとも１層の有機層とを含
    んで成るドナー要素であって、該有機層が該表示基板に
    転写されるべき１又は２種以上の材料を含むもの、を用
    意し、 (c) 該ドナー要素を、第１電極の配列パターンを有する
    該表示基板と転写関係をなすように配置し、 (d) 該有機層を転写する前に、該表示基板もしくは該ド
    ナー要素又はこれらの両方を特定の温度範囲に加熱し、 (e) 該第１電極と電気接続される該表示基板上の画素に
    対応する指定領域に該ドナー要素から該有機層の特定部
    分が転写されるのに十分な出力及び所望のスポットサイ
    ズを有するレーザービームの焦点を該ドナー要素の該輻
    射線吸収層の上に合わせ、かつ、該レーザービームを走
    査し、そして (f) 該表示基板上の転写された有機部分の上に第２電極
    を設けることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 該加熱工程が、該ドナー要素と該表示基
    板の両方を同一温度に加熱することを含む、請求項１に
    記載の方法。
  3. 【請求項３】 該加熱工程が、該ドナー要素と該表示基
    板を異なる温度に加熱することを含む、請求項１に記載
    の方法。
  4. 【請求項４】 該温度範囲が３０℃より高く１５０℃よ
    り低い範囲である、請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 表示基板上に画素を配列させてなる有機
    電場発光表示装置の製造方法であって、 (a) 表示基板上に第１電極を配列し、 (b) 該表示基板に転写されるべき１又は２種以上の材料
    を含む有機層を少なくとも１層含んで成るドナー要素を
    用意し、 (c) 該ドナー要素を、第１電極の配列パターンを有する
    該表示基板と転写関係をなすように配置し、 (d) 該有機層を転写する前に、該表示基板もしくは該ド
    ナー要素又はこれらの両方を特定の温度範囲に加熱し、 (e) 該第１電極と電気接続される該表示基板上の画素に
    対応する指定領域に該ドナー要素から該有機層の特定部
    分が転写されるのに十分な出力及び所望のスポットサイ
    ズを有するレーザービームの焦点を該ドナー要素の上に
    合わせ、かつ、該レーザービームを走査し、そして (f) 該表示基板上の転写された有機部分の上に第２電極
    を設けることを特徴とする方法。
  6. 【請求項６】 有機電場発光表示装置の製造方法であっ
    て、 (a) 少なくとも１の第１電極を有する表示基板を用意
    し、 (b) 該表示基板に転写されるべき１又は２種以上の材料
    を含む有機層を少なくとも１層含んで成るドナー要素を
    用意し、 (c) 該ドナー要素を、第１電極の配列パターンを有する
    該表示基板と転写関係をなすように配置し、 (d) 該有機層を転写する前に、該表示基板もしくは該ド
    ナー要素又はこれらの両方を特定の温度範囲に加熱し、 (e) 該少なくとも１の第１電極と電気接続される該表示
    基板に該ドナー要素から該有機層の特定部分が転写され
    るのに十分な出力及び所望の面積を有する輻射線を、該
    ドナー要素の上に提供し、そして (f) 該表示基板上の転写された有機部分の一部又は全部
    の上に第２電極を設けることを特徴とする方法。
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