TWI259738B - Method for making an organic electroluminescent display device - Google Patents

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TWI259738B
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Description

I259738
玖、發明說明 域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） (發明說明應敘明··發明所屬之技術4貝 技術領域 本發明係關於一種製造有 特別關於用輻射誘導熱轉移 疋如技術 機電子冷光裝置之方法，更 有機物質以製造顯示器元件。 在具有有色像素陣列的有色或全色有機電子冷光（EL) 颂示器中如、.工色、綠色和藍色像素（一般稱爲r g B像 素），需要用産生顏色的有機EL媒介物精確圖案化。基本 有機EL裝置一般具有一陽極、一陰極及一夾在該陽極和 陰極間之有機EL媒介物。有機EL媒介物可由一或多層有 機薄膜組成，其中多層的一層或一層内的多個區域主要負 責發光或電子冷光。一般將這一特別層稱爲有機El媒介 物之發光層。可在有機EL媒介物中存在的其他有機層用 於促進電子輸送’如空穴輸送層（用於空穴傳導）或電子輸 送層（用於電子傳導）。在全色有機EL顯示板中形成RGB像 素時’必須設計一種精確使有機E l媒介物之發光層或全 部有機EL媒介物圖案化之方法。亦需要盡可能高地增加 效率及穩定性。 通常由备罩技術在顯示器上形成電子冷光像素，如美 國專利申請案第5,742,1 29號中所示。雖然這一技術很有 效’但仍有數個缺點。用蔭罩難以取得高分辨像素大小。 另外，在基材和蔭罩之間有一定位問題，且必須注意像素 要形成在適宜位置。在需要增加基材尺寸時，難以控制蔭 罩形成適宜定位像素。蔭罩方法的另一個缺點爲罩幕孔可 1259738 (2) 能隨時間變得堵塞。罩幕上的堵塞孔導致EL顯示器上非 功能像素之不理想結果。 蔭罩方法的進一步問題在製造一側具有數英寸以上尺 寸之EL裝置時變得尤爲明顯。製造用於精確形成EL裝置 的具有所需精度之較大蔭罩極爲困難（孔位置± 5微米）。 使高分辨有機E L顯示器圖案化的一種方法已由格蘭德 (Grande)等人揭示於美國專利申請案第5,851，709號。該方 法由以下序列步驟組成：1)提供具有相對第一及第二表面 之施體基材；2)在該施體基材之第一表面上形成透光熱絕 緣層；3)在該熱絕緣層上形成光吸收層；4)提供具有自第 二表面至熱絕緣層延伸的開口陣列之施體基材；5)提供在 該光吸收層上形成的可熱轉移、顏色形成、有機施體層； 6)使施體基材與顯示基材以基材中開口和裝置上對應色 像素間之定向關係精確定位；及7)利用一輻射源在開口上 的光吸收層産生足夠熱量，以將施體基材上的有機層轉移 到顯示基材上。使用格蘭德和其他方法的問題爲，需要使 施體基材上的開口陣列圖案化。作爲蔭罩方法這將産生很 多同樣問題，包括在施體基材和顯示基材之間需要精確機 械定位。進一步問題爲施體圖案固定，且不容易改變。 利用非圖案化施體片和精確光源（如，雷射）可消除使用 圖案化施體見到的一些難題。此等方法甴利特曼（Littman) 在美國專利申請案第5,6 8 8,5 5 1號和沃克（Wolk)等人的一 系列專利（美國專利申請案第6，1 1 4，0 8 8號、第6 , 1 4 0，0 0 9號 、第6，2 1 4，5 2 0號及第6,2 2 1，5 5 3號）中揭示。然而，已發現 ，由雷射轉移的有機顯示器材料之性能可能次於由習知蒸
1259738 (3) 氣方法沈積者。此等性能包括均勻性、效率及穩定性。因 此，爲享有由輻射誘導熱轉移提供的全部圖案化優點，仍 需要改良經轉移物質之性能。 發明内容 本發明一個目的爲提供一種使有機EL媒介物圖案化而 無習知微影或蔭罩方法強加的限制之方法。 本發明另一目的爲提供一種使高分辨、全色有機EL顯 示器圖案化之改良方法。 本發明另一目的爲提供一種使高分辨、有色有機EL顯 示器圖案化而無機械精確定位限制、允許動態定位及簡單 圖案變化之方法。 增加有機EL顯示器效率及壽命亦爲本發明之目的。 此等目的係由一種製造具有在顯示基材上配置的有機 電子冷光顯示器裝置之方法取得，該方法包括以下步驟： a) 在顯示基材上提供第一電極之陣列； b) 提供一施體元件，其包括一施體載體、一在該施體 載體上的輻射吸收層及在該輻射吸收層上的至少一個有 機層，其中該有機層包括欲將轉移到該顯示基材之物質； c) 以對第一電極陣列圖案化的顯示基材呈轉移關係 放置該施體元件； d) 在轉移有機層之前在規定溫度範圍内加熱顯示基 材或施體元件或二者； e) 在施體元件之輻射吸收層上聚焦和掃描足夠功率 和所需斑點大小之雷射束，以將有機層的所選擇部分自施 體元件轉移到顯示基材上與第一電極有電聯繫的像素對 應之指定區域，及
1259738 (4) f) 在顯示基材的經轉移有機部分上提供第二電極。 優點 本發明提供的優點爲，在輻射誘導熱轉移之前進行加 熱步驟産生一種具有較高效率及較高穩定性之有機EL裝 置。本發明特別適用於製造具有高品質、優良效率及穩定 性之全色有機EL顯示器。藉由用掃描雷射束印刷，可取 得有色像素之精細精度圖案化，使得能夠製造高分辨顯示 實施方式 現在轉向圖1，圖1顯示一種根據本發明將物質自施體 轉移元件轉移到顯示基材1 8之雷射印刷1裝置1 0，施體轉移 元件以後將被稱爲施體元件1 2。印刷裝置1 0之雷射器1 4 可爲二極體雷射器或任何其他産生雷射束26的高功率雷 射器。可同時在本發明中使用一種以上的雷射器或雷射束 。爲掃描雷射束以在雷射束2 6和施體元件1 2之間提供相對 移動，包括可移動鏡之電流計2 2通過一 f- 0透鏡2 4掃描雷 射束，以方向X形成線。熟諳此藝者應暸解，掃描雷射束 可由其他種類可移動鏡完成，如具有鏡面之旋轉多邊形體 或其他裝置，或由如旋轉衍射閘控之其他裝置完成。 在圖1所示的具體實施例中，施體元件1 2和顯示基材1 8 由允許全部區域掃描的平移台3 2以Y方向輸送，該方向與 線正交。捧描中任何點的雷射束強度用自電腦2 8的指令由 雷射動力控制線3 0控制。或者，由單獨調製器控制雷射束 強度，如爲熟諳雷射光學技藝者所熟悉的聲光調製器（未 «if 1259738 (5) 顯示）控制。在另一選擇性具體實施例，基材可保持靜止 ，而使雷射器裝置移動或其束光學重新定向。重要特徵爲 ，爲允許完全區域掃描，必須在雷射束和顯示基材之間有 相對移動。 如圖2中所示，施體元件1 2對顯示基材1 8呈轉移關係配 置。以下更詳細討論施體元件1 2和顯示器1 8之結構、材料 及製造。可由夾、應用壓力、接著劑及類似者將施體元件 1 2和顯示基材1 8保持在此位置。較佳在惰性氣氛下（如氮 氣或氬氣）或真空進行轉移。在一具體實施例中，在施體 元件和需要物質轉移到的顯示基材部分之間有一間隙。 在分流計2 2掃描雷射束時，f- 0透鏡2 4使雷射束聚焦在 施體元件1 2的輻射吸收層3 6上。雷射束必須具有足夠功率 ，以將輻射吸收層3 6加熱到足夠溫度，從而使有機層3 8 中的物質轉移到顯示基材1 8上，由此形成經轉移的有機層 44。在一個具體實施例中，這由部分或完全蒸發有機層3 8 中的物質並凝聚在顯示基材1 8上進行。由f- 0透鏡24産生 的斑點大小指示將要被轉移的有機層區域。在雷射束具有 對所給掃描速率的足夠功率時，該配置應使斑點大小導致 自光發射層照明部分的物質自施體元件選擇性轉移到對 應顯示基材上像素的指定區域。在圖2中，雷射束顯示爲 兩個間隔箭頭。應瞭解，爲便於照明，在接通用於轉移有 機層3 8部_分時，雷射束2 6已實際在兩個不同位置之間移 動。 在一較佳具體實施例中，雷射束由分流計2 2跨施體元
1259738 件1 2連續掃描，同時由自電腦2 8的指令調節雷射功率。調 節入射在施體元件1 2上的雷射功率使有機層3 8中有機物 質在所選擇掃描區域以可選擇量轉移到顯示基材1 8上。在 一較佳具體實施例中，有機層3 8中的大部分或所用物質轉 移到基材1 8上。 雷射器1 4可爲紅外固態雷射器、鈥YAG雷射器或任何其 他提供足夠功率以實現有機層轉移之雷射器。所需功率依 光吸收層吸收及雷射波長間的匹配而定。雷射束形狀可爲 橢圓形，以允許用低價多模雷射器刻寫小線，如頒予代維 •克斯勒（DavidKessler)等人的普通轉讓美國專利申請案 第6，2 5 2，621號中所教示，其揭示係以引用式方式併入本 文中。 爲産生多色或全色顯示器，用具有在完全製造有機EL 裝置時産生不同顏色光有機層38的不同施體元件12對單 獨像素區域重複該製程。 在此較佳具體實施例中，轉移製程所用施體元件1 2包 括一對雷射光爲透射性的施體載體34、一將雷射光轉化成 熱之輻射吸收層3 6及一將要轉移的有機層3 8。在單獨具體 實施例中，有機層3 8亦可充當輻射吸收層，並可除去層3 6 。或者，載體34可亦充當輻射吸收層，並可除去隔離層3 6 。可在本發明中使用的施體載體及輻射吸收物質之實例可 發現於美_專利申請案第4,772,5 8 2號。施體載體必須能 夠在光-熱-誘導轉移期間保持結構整合性。此外，施體載 體必須能夠在一個表面上接收相對較薄有機施體物質塗 -π -
1259738 ⑺ 層，並在經塗覆載體的預料貯存期間保持該塗層而不降解 。滿足此等需要的載體材料包括（例如）玻璃、金屬箔、顯 示玻璃轉移溫度高於轉移期間預料的載體溫度值之塑膠 (聚合性）薄片及纖維增強性塑膠薄片。較佳使用塑膠薄片 。雖然可依已知工程方法選擇適合載體材料，但應瞭解， 在配置作爲用於實施本發明的施體載體時，所選擇載體材 料的某些方面值得進一步考慮。例如，在用可轉移有機物 質預塗之前，載體可能需要多步驟清潔及表面製備製程。 輻射吸收層3 6所用物質可爲染料，如美國專利申請案 第5,578,4 16號指定的染料或顏料（如，碳黑）。輻射吸收層 可爲金屬（如鉻、鎳或鈦）或由於防反射特性吸收輻射的分 層堆疊材料。主要標準爲，光吸收層以高得足以吸收大部 分雷射光的光密度在雷射發射波長吸收，藉以産生促使有 機層轉移的足夠熱量。已知此轉移依賴雷射流量、斑點大 小、雷射束重疊及其它因素。通常，光吸收層的光密度應 至少爲0. 1(吸收〜20%光）。 本發明的一個重要特徵爲結合用於施體元件1 2的加熱 元件1 6及顯示基材1 8。加熱元件1 6能夠對施體元件1 2和顯 示基材1 8提供相同或不同溫度。此等溫度應在大於3 0 °C且 小於1 5 0 °C之範圍内，更佳大於4 0 °C且小於1 3 0 °C。溫度應 不超過有機物質的蒸發溫度。加熱步驟應在有機層3 8轉移 之前應用：已發現，最好在轉移有機層3 8之前及期間二者 應用加熱步驟。由加熱元件1 6給予的優點在於由本發明所 述方法製備最終顯示器元件之效率及穩定性。雖然此時未 -12 - 1259738 ⑻
明確 3 8期 較佳 方法 穩定 加 使經 法。> 接觸 台。力 組成 儘 ，使 通過 熱施 用閃 或類 方法 使用 雷射 以 物質 可 一陽 完全瞭解該改良的綜合機理，但似乎雷射轉移有機層 間的較高溫度提供經轉移有機層4 4之更均勻分布及 活化。無論改良機理細節是什麼，均觀察到由本發明 製造的顯示器比不加熱製造者具有較高效率及較佳 性。 熱元件16可爲具有嵌入式電阻加熱元件之金屬塊或 加熱流體在塊内循環的構件或其他加熱塊之便利方 & 一有用具體實施例中，加熱元件1 6係與顯示基材1 8 配置。加熱元件1 6可爲平移台3 2之部分或結合到平移 ^熱元件1 6亦可由用於藉紅外或可見輻射加熱之構件 管前述將雷射用於選擇性沈積有機物質，但應瞭解 另加熱元件1 6不只限於此具體實施例。爲使有機物質 蒸發轉移，不管是否圖案化，在使用任何種類輻射加 體元件時均可有利使用加熱元件1 6。這包括（例如） 光燈、IR加熱器、由電流通過電阻性加熱施體元件層 似者非圖案化或大面積轉移有機物質。可用局部加熱 選擇性沈積，其包括（但不限於）在閃光燈和施體之間 光罩。在所有此等情形下，使用加熱器元件1 6提供與 誘導熱轉移類似的優點。 下一般性說明顯示基材1 8、有機EL顯示器所用有機 及其仑相關資料。 將本發明用於大多數OLED裝置配置。此等包括含單 極和陰極的很簡單結構到更複雜裝置，如由陽極和陰 -13 - 1259738 _ (9) 極正交陣列組成以形成像素的被動式矩陣顯示器以及在 各像素以（例如）薄膜電晶體（TFT)獨立控制處的主動式矩 陣顯示器。在應用於全色顯示器裝置製造時本發明最佳。 在技藝上已知有多種其中可成功實施本發明之有機層 配置。典型但非限制結構顯示於圖3中，該結構由基材1 0 1 、獨立可定址陽極103、選擇性空穴注入層105、空穴輸送 層107、發光層109(可進一步界定爲，用於發紅光像素的 109R、用於發綠光像素的109G及用於發藍光像素的109B) 、電子輸送層111及可或不可獨立定址的陰極層113組成。 此等層在下詳細描述。應注意到，基材可選擇性與陰極相 鄰，或者，基材可實際組成陽極或陰極。與基材相鄰形成 的電極一般被稱爲第一電極，而在有機EL物質已沈積後 形成的電極一般稱爲第二電極。第一電極一般以界定RGB 像素的圖案化陣列形式形成。如果需要低工作電壓，則有 機層的總組合厚度較佳小於5 0 0奈米。 由本發明轉移的各層（即，由輻射誘導熱轉移）可爲以上 任一層。最佳由本發明轉移的至少一層爲發光層，且以空 間界定方式形成於第一電極之圖案化陣列上，以産生具有 所需顏色（例如，紅色）之像素陣列。此等第一電極係直接 或通過中間層（如，空穴輸送層）與經轉移的發光層有電聯 繫。類似可由本發明方法塗覆其他發光層，以形成其他有 色像素陣列，例如綠和藍。藉由將多層塗覆於施體元件1 2上 ，可將多層或多種物質轉移到顯示基材1 8上。這可依條件 用較少、部分或完全層混合進行。可由下述幾種方法塗覆 -14 -
1259738 (10) 不需精確圖案化的其他層。在一有用具體實施例中，各像 素中的發光層由雷射轉移沈積，而其他層由習知昇華作用 毯覆式施加。 基材101可依光發射的預期方向爲光透射性或不透明 。光透射性理想用於通過基材觀察EL發射。在此情況下 一般使用透明玻璃或塑膠。對於通過上部電極觀察EL發 射之應用，底部載體的透射性不重要，因此可爲光透射性 、光吸收或光反射性。用於此情況之基材包括（但不限於） 玻璃、塑膠、半導體材料、陶瓷和電路板材料。當然，必 須在此等裝置配置中提供透光上部電極。 導電性陽極層1 0 3 —般在基材上形成，且在通過陽極觀 察EL發射時應透明或對興趣發射實質透明。本發明所用 一般透明陽極材料爲氧化錫銦（ITO)及氧化錫，但其他材 料亦可擔當，包括（但不限於）經鋁或銦摻雜的氧化鋅（IZO) 、氧化鎂銦及氧化鎳鎢。除此等氧化物外，亦可在層1 0 3 中使用金屬II化物（如，氮化錁）和金屬石西化物（如，石西化 鋅）及金屬硫化物（如，硫化鋅）。對於通過上部電極觀察 E L發射之應用，層1 0 3的透射性不重要，可使用透明、不 透明或反射性導電材料。用於此應用的實例導體包括（但 不限於）金、鈒、I目、把及韵。一般陽極材料（透射性或其 他材料）具有4.1電子伏特或更大的功函數。所需陽極材料 一般由適合方法沈積，如蒸發、濺鍍、化學蒸氣沈積或電 化學方法。可用熟悉的微影方法使陽極圖案化。 雖然不總是必要，但在陽極1 0 3和空穴輸送1 0 7之間提 -15 -
1259738 ⑼ 供空穴注入層105通常有用。空穴注入物質可用於改良隨 後有機層的薄膜形成特性，並有利於空穴注入空穴輸送層 。空穴注入層所用適合物質包括（但不限於）卟啉系化合物 (如美國專利申請案第4，7 2 0，4 3 2號所揭示者）及電漿沈積 的氟碳聚合物（如美國專利申請案第6,20 8,0 7 5號所揭示 者）。報告用於有機EL裝置之選擇性空穴注入物質描述於 歐洲專利第0 8 9 1 1 2 1 A 1號及第1 0 2 9 9 0 9 A 1號。 有機EL裝置之空穴輸送層107包含至少一種空穴輸送 化合物，如芳系三級胺，在此應懂得，後者爲一種含至少 一個只結合到碳原子的三價氮原子之化合物，且其至少一 個爲芳環之成員。在一種形式中，芳系三級胺可爲芳胺， 如單芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或聚合性芳胺基。示範 性單體性三芳基胺由克魯非（Klupfel)等人的美國專利申 請案第3, 180,730號說明。以一或多個乙烯基取代及/或包 括至少一個含活性氫之基團的其他適用三芳胺由布朗特 裏（Brantley)等人的美國專利申請案第3,5 67,4 5 0號及第 3,658,520 號揭示。 一更佳種類的芳系三級胺爲包括至少兩個芳系三級胺 部分者，如美國專利中請案第4,720,432號及第5,061，569 號所述。此等化合物包括由結構式（A)代表者。 A Qi\ /2 其中： Q 1和Q 2爲獨立選擇的芳系三級胺部分； -16- 1259738 (12) 且G爲一碳-碳鍵之連接基團，如伸芳基、伸環烷基或 伸烧基。 在一具體實施例中，Q t或Q2之至少一個基團包含多環 系稠合環結構，例如，萘。當G爲芳基時，適宜爲伸苯基 、伸聯苯基或萘基部分。 一有用種類滿足結構式（A)且包含兩個三芳胺部分之三 芳胺由結構式（B)代表： 其中： 1^和R2分別獨立代表氫原子、芳基或烷基，或者1^和 R2—起代表完成一環烷基之原子；且 R3和R4分別獨立代表芳基，該芳基可依次用經二芳基 取代的胺基取代，如結構式（C)所示：
其中： R5和R6爲獨立選擇的芳基。 在一具體實施例中，R5或R6之至少一個基團包含多環 系稠合環結構，例如，萘。 另一類芳系三級胺基爲四芳基二胺。理想四芳基二胺 基團包括通過一伸芳基連接的兩個如式（C)所示之二芳胺 基。所用四芳基二胺包括由式（D)代表者。 -17- 1259738 (13)
D 其中： 各Are爲獨立選擇的伸芳基，如伸苯基或蒽部分， η爲1至4之整數，且
Ar、R7、118和119爲獨立選擇的芳基。 在一典型具體實施例中，Ar、R7、118和R9之至少一個 基團爲多環系稠合環結構，例如，萘。 可分別依次將前述結構式（A)、（B)、（C)及（D)的各種烷 基、伸烷基、芳基及伸芳基取代。典型取代基包括烷基、 烷氧基、芳基、芳氧基及_素（如氟、氣及溴）。各種烷基 及伸院基部分一般包含1至6個碳原子。環烧基部分可包含 3至約1 0個碳原子，但一般包含5、6或7個的環碳原子一例 如環戊基、環己基及環庚基環結構。芳基和伸芳基部分通 常爲苯基和伸苯基部分。 空穴輸送層可由單種芳系三級胺化合物或其混合物形 成。具體而言，可利用三芳胺（如，滿足式（B)的三芳胺） 與四芳二胺（如，式（D)所示）組合。在用三芳胺與四芳二 胺組合時，後者係作爲一插入於三芳胺和電子注入及輸送 層間之層配置。所用芳系三級胺之說明性實例爲下列者： 1，1-雙（肛二-對-甲苯胺基苯基）環己烷 1，1_雙（4-二-對-甲苯胺基苯基）-4-苯基環己烷 4,4’ -雙（二苯胺基）聯四笨
1259738 (14) 雙（4-二甲胺基-2-甲基苯基）苯基甲烷 N，N，N-三（對甲苯基）胺 4-(二-對-甲苯胺基）-4f-[4(二-對-甲笨胺基）-苯乙烯基]芪 ^化，1^-四-對-甲苯基-4,4’-二胺基聯二苯 1^，1^，1^，化-四-苯基-4,4，-二胺基聯二苯 1^1^，>1、四-1-萘基-4,4、二胺基聯二苯 N，N，Nf，Nf-四-2-萘基- 4,4f-二胺基聯二苯 N-苯基咔唑 4,4^雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]聯二苯 4,4f-雙[N-(l-萘基）-N-(2-萘基）胺基]聯二苯 4,4Π-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]-對-聯三苯 4,4’-雙[>1-(2-萘基）-1苯基胺基]聯二苯”？3) 4,4’-雙[1(3-苊基）-1苯基胺基]聯二苯 1，5-雙^-(1-萘基）-心苯基胺基]萘 4,4’-雙[N-(9-蒽基）-N-苯基胺基]聯二苯 4,4’’-雙[N-(l-蒽基）-N-苯基胺基]-對-聯三苯 4,4f-雙[N-(2-菲基）-N-苯基胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(8-氟蒽基）-N-苯基胺基]聯二苯 雙[N-(2 -芘基）-N-苯基胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(2-并四苯基）-N-苯基胺基]聯二苯 4,4’-雙[1^-(2-茈基）-1苯基胺基]聯二笨 4,4^雙「N-(l-惹基）-N-苯基胺基]聯二苯 2.6- 雙（二-對甲苯基胺基）萘 2.6- 雙[二-(1-萘基）胺基]萘 -19-
1259738 (15) 2.6- 雙[N-(l_萘基）-N-(2-萘基）胺基]萘 N，N，N'，N，-四（2-萘基）-4,4”-二胺基-對-聯三苯 4,4’-雙{!^苯基-『[4-(1-萘基）-苯基]胺基}聯二苯 4,4f-雙[N-苯基-N-(2 -拓基）胺基]聯二苯 2.6- 雙[N，N-二（2-萘基）胺]氟 1，5-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]萘 另一類有用空穴輸送物質包括多環芳系化合物’如歐 洲專利第1 0 0 9 0 4 1號所述。此外，可使用聚合性空穴輸 送物質，如聚（N-乙烯基咔唑）（PVK)、聚噻吩、聚°比各、 聚苯胺及共聚物，如聚（3,4-伸乙基二氧噻吩）/聚（4·笨乙 烯磺酸酯），亦稱.ipEDOT/PSS。 如美國專利申請案第4,769,292號及第5,935,721號所充 分描述，在電子冷光由於該區域中的電子-空穴對重級産 生時，有機EL元件之發光層（LEL) 109包括發光或螢光物 質。發光層可由單一物質組成，但更通常由摻以客體化合 物的基質組成，此時，發光主要來自於摻雜劑並可爲任何 顏色。發光層中的基質可爲一種以下界定的電子輸送物質 、一種以上界定的空穴輸送物質或另一種支援空穴-電子 重組之物質或此等物質之組合。摻雜劑一般選自高螢光染 料，鱗光化合物亦適用，例如，過渡金屬錯合物，如W 0 第 9S/55561號、第 00/18851號、第 00/57676號及第 00/70655 號所述。一般將摻雜劑以〇 · 〇 1至1 〇重量％塗入基質。可將 不同基質/摻雜劑組合用於不同發光像素。 選擇染料作爲摻雜劑的一個重要關係爲比較由分子最 -20- 1259738 - (16) 高占據分子執道和最低未占據分子執道間能差界定的帶 隙電勢。爲自基質到摻雜劑分子高效轉移能量，必要條件 爲摻雜劑的帶隙小於基質之帶隙。 已知有用的基質及發射分子包括（但不限於）美國專利 申請案第 4,769,292 號、第 5, 141，671號、第 5, 150,006 號、 第5,151，629 號、第 5,40 5,709 號、第 5,484,922 號、第 5,593,788 號、第 5,645,948 號、第 5,683,823 號、第 5,755,999 號、第 5,928,802 號、第 5,935,720 號、第 5,935,721 號及第 6,020,078號所揭示者。 8 -羥基喹啉之金屬錯合物及類似衍生物（式E)組成一類 能夠支援電子冷光的有用基質化合物，且特別適合長於 5 0 0奈米波長之發光，例如綠、黃、橙及紅。
其中： Μ代表金屬； η爲1至4之整數；且 Ζ在各情況下獨立代表完成具有至少兩個稠合芳環之 核之原子—。 自前述可明顯看出，金屬可爲單價、二價、三價或四 價金屬。例如，金屬可爲，驗金屬，如經、納或鉀；驗土 -21 - 1259738
金屬，如鎂或鈣；土金屬，如鋁或鎵；或過渡金屬，如鋅 或锆。一般可利用任何已知爲有用螯合金屬之單價、二價 、三價或四價金屬。 Z完成含至少兩個稠合芳環且其至少一個芳環爲唑或 嗪環之雜環核。如需要，可用兩個所需環稠合包括脂系和 芳系環二者之額外環。爲避免加入對功能沒有改良的分子 體，環原子數通常保持在1 8或更小。 有用經螯合經峻類（ο X i η 〇 i d)化合物之說明性實例爲下 列者： C0-1 :叁羥喹鋁[別名，叁（8-羥基喹啉根）合鋁（III)， 又名ALQ] C0-2:雙羥喹鎂[別名，雙（8-羥基喹啉根）合鎂（II)] C0-3:雙[苯并羥基喹啉根]合鋅（II) C0-4:雙（2 -甲基-8-羥基喹啉根）合鋁（III)-//-氧-雙（2-甲基-8-羥基喹啉根）合鋁（III) C 0 - 5 :叁羥喹銦[別名，叁（8 -羥基喹啉根）合銦] C〇-6 :叁（5 -甲基羥喹）鋁[別名，叁（5 -曱基-8 -羥基喹啉 根）合鋁（III)] C0-7 :羥喹鋰[別名，（8-羥基喹啉根）合鋰（I)] C0-8:羥喹鎵[別名，叁（8-羥基喹啉根）合鎵（III)] C0-9 ··羥口奎錘[別名，四（8-羥基喹啉根）合錘（IV)] 9, 10-二--(2-萘基）蒽之衍生物（式F)組成一類能夠支援 電子冷光的有用基質，且特別適合長於400奈米波長之發 光，例如，藍、綠、黃、燈或紅。 -22 -
1259738 (18) R5
其中： R1、R2、R3、R4、R5和R6代表各環上的一或多個取代 基，其中各取代基係單獨選自下列基團： 基團1:氫或1至24個碳原子的烷基； 基團2: 5至20個碳原子的芳基或經取代芳基； 基團3 :完成一蒽基、芘基或茈基之稠合芳環所需的4 至2 4個碳原子； 基團4:完成一 σ夫喃基、σ塞吩基、σ比咬基或峻琳基或其 他雜環系統之稠合雜芳系環所需的5至2 4個碳原子之雜芳 或經取代雜芳基； 基團5: 1至24個碳原子的烷氧胺基、烷胺基或芳胺基 :及 基團6 :氟、氯、溴或氰基。 說明性實例包括9,10-二-(2-萘基）蒽及2-第三-丁基 -9，10-二-(2-萘基）蒽（丁3八〇>〇。可在1^1：中用其他蒽衍生 物作爲基質，包括9，10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基）苯基]蒽 之衍生物。 吲哚衍生物（式G)組成另一類能夠支援電子冷光的有用 -23 -
1259738 (19) 基質，且特別適合長於4 0 0奈米波長之發光’例如藍、綠 、黃、燈或紅。
其中： η爲3至8之整數； Ζ爲〇、NR或S ;且 R和R，獨立爲’氫；1至2 4個碳原子的烧基’例如，丙 基、第三-丁基、庚基及類似基團；5至20個碳溱子的芳基 或經雜原子取代的芳基，例如，苯基和萘基、呋喃基、噻 吩基、σ比症基、峻琳基及其它雜$衣系統，和鹵素，如氣或 氟；或完成一稠合芳環所需的原子；且 L爲將多個吲哚共轆或非共耗連在一起的連接單位，由 烷基、芳基、經取代烷基或經取代芳基組成。 一個有用吲哚之實例爲2,2f，2"-(l，3,5-伸苯基）叁[1-苯 基· 1 Η -苯并咪唑]。 理想螢光掺雜劑包括蒽、并四苯、占°頓（xanthene)、茈 、紅癸婦（rubrene)、香豆素、若丹明（rhodamine)、4吖 咬酮（quinacridone)、二氰基亞甲基吼喃、嘆喃（thiopyran) 化合物、聚甲炔化合物（polymethine)、°比σ南鑌和°塞σ南鑌 (pyrilium and thiapyrilium)化合物及卡波苯乙稀基 (c a r b 〇 s t y r y 1)化合物之衍生物。所用摻雜劑之說明性實例 1259738 (20)
-25 - 1259738
X Rl R2 L9 〇 H Η L10 〇 H 曱基 Lll 〇 甲基 Η L12 〇 甲基 甲基 L13 〇 Η 第三丁基 L14 〇 第三丁基Η L15 〇 第三丁基第三丁基 L16 S Η Η L17 s Η 甲基 L18 s 曱基 Η L19 s 甲基 曱基 L20 s Η 第三丁基 L21 s 第三丁基Η L22 s 第三丁基第三丁基 X R1 R2 L23 〇 Η Η L24 〇 Η 甲基 L25 〇 曱基 Η L26 〇 甲基 曱基 L27 〇 Η 第三丁基 L28 〇 第三丁基Η L29 〇 第三丁墓第三丁基 L30 S Η Η L31 S Η 曱基 L32 S 甲基 Η L33 S 甲基 甲基 L34 S Η 第三丁基 L35 S 第三丁基Η L36 S 第三丁基第三丁基
R L37 L38 甲基 L39 第三丁基(DCJTB) L40 米基(mesityl)
n 2 3 4 4 4 4 4 I -L L L o
R
R
Ity 基es 丁(m( 基基三基 笨甲第米 -26- 1259738 ㈤
用於形成本發明有機EL裝置之電子輸送層111之較佳 薄膜形成-物質爲金屬螯合的羥奎類化合物，包括羥4: (oxine)本身（一般亦稱爲8 -α奎琳盼或8-經基峻琳）之螯合 物。此等化合物幫助注入及輸送電子並展示高水準性能， -27- (23) 1259738 且易於以薄獏形式土。 一 空a n I必所涵盍羥喹類化合物之示範爲滿 足刖遠結構式（E)者。 〜子輸运物質包括如美國專利申請案第4,3 5 6,429 5虎所迹的各插 ,_Q _ —烯衍生物及美國專利申請案第 4,5j9，）〇7號所述的各種 .21 , 各種雜J衣榮先增白劑。滿足結構式（G) 的°弓丨°木亦爲有用電子輸送物[ 在某些情7 -ΤΓ H 0 : 下，可視需要將層和in壓縮成起支援 ^ Λ7ρ_電子輸送兩種作用的單層。類似可視需要將層1〇9 堅縮成起支援發光及空穴輸送兩種作用的單層。 在通過陽極發光時1於本發明之陰極層ιΐ3可由幾乎 導電物質組成。理想物質具有優良薄膜形成性能，以保證 .、下面的有機層良好接觸，促進電子以低壓注入，並具有 優良c疋性。所用陰極物質通常包含低功函數金屬（< 4 · 〇 黾子伏特）或金屬合金。一種較佳陰極物質由Mg: Ag合金 組成，其中銀之百分比在i至20%之範圍内，如美國專利 申請案4,885,221號中所述。另一種適用陰極物質包括由 較厚層導電金属覆蓋的一低功函數金屬或金屬鹽薄層組 成之雙層。一種此類陰極由一 LiF薄層與其後的較厚A1層 組成，如美國專利申請案第5,677,5 72號所述。其他有用 陰極物質包括（但不限於）美國專利申請案第5,0 5 9,86 1號 、第5,059,862號及第6,140,763號所述者。 在通過陰極觀察發光時，該陰極必須透明或接近透明 。對於此等應用，金屬必須薄，或必須使用透明導電氧化 物或此等物質之組合。光學透明陰極已更詳細描述於美國 -28-
1259738 (24) 專利申請案第5,7 76，62 3號。陰極材料可由蒸發、濺鍍或 化學蒸氣沈積作用沈積。在需要時，可通過很多熟悉的方 法進行圖案化，包括（但不限於）通過罩幕沈積、整合蔭罩 (如美國專利申請案第5，2 7 6，3 8 0號及歐洲專利第0 7 3 2 8 6 8號所述）、雷射燒蝕及選擇性化學蒸氣沈積。 上述非圖案方式沈積有機物質適合通過昇華沈積，例 如，沈積於顯示基材18上或在施體載體上形成有機層38 。但可用選擇性接著劑自溶劑沈積有機物質，以改良薄膜 形成。如果該物質爲聚合物，溶劑沈積通常較佳。可使欲 由昇華沈積的物質自一昇華器”舟”蒸發，該昇華器”舟” 通常由钽材料組成，例如，如美國專利申請案第6，2 3 7，5 2 9 號所述。應注意到，可首先使不需圖案化的層沈積於載體 上，以形成施體元件1 2，然後由非圖案化閃光燈沈積使其 較近接近基材昇華。而需要多種物質混合物之層可利用單 獨昇華器舟，或者，可將該物質預混並自單個舟或施體片 塗覆。 大多數OLED裝置對濕氣和/或氧敏感，所以一般將它們 與乾燥劑（如，氧化铭、紹土、硫酸妈、黏土、碎膠、沸 石、鹼金屬氧化物、驗土金屬氧化物、硫酸鹽或金屬鹵化 物及高氣酸鹽）一道包封在惰性氣氛（如氮氣或氬氣）中。 包封及乾燥所用方法包括（但不限於）美國專利申請案第 6,226,8 90虢所述者。 以下實例用於舉例說明本發明。 -29- 1259738 (25)
實例 實例1 由在125微米聚醯亞胺施體載體上真空沈積60奈米鉻 之輻射吸收層形成施體元件。在該基材上真空沈積一 2.5 奈米厚CO-1 (ALQ)層和0.2奈米L39 (DCJTB)、11奈米 TB ADN 及 0.6 奈米 NPB。 通過一罩幕用氧化錫銦（I TO)真空沈積一潔淨玻璃基材 ，以使40至80奈米透明第一電極（陽極）圖案化。進行氧電 漿蝕刻，隨後在IT0表面上電漿沈積〜0.1奈米爲空穴 注入層。然後真空沈積75奈米NPB空穴輸送層。將先前所 述施體元件置於該NPB層頂上，並用真空最接近接觸保持 。由具有接近2微米高表面粗糙特徵的施體基材結構保持 小的間隙。將此台加熱到如表1所示之溫度。 用紅外雷射束通過該基材照射施體元件，由此將發光 物質自施體元件雷射轉移到顯示基材。雷射束大小爲接近 16微米X 80微米至沿寬束方向掃描的Ι/e2點。停留時間爲 2 7微秒，且功率密度如表所列。轉移在需要發紅光的區域 實現。 在自施體元件的經轉移有機物質上真空沈積6 5奈米 ALQ層作爲電子輸送層，隨後共沈積20奈米銀及200奈米 鎂作爲第二電極（陰極）。裝置測試由通過二極體輸入恒定 電流及監測光輸出進行。此等資料顯示於表1中。 -30-
1259738 (26) 表1 顯示基材 溫度 雷射 轉移功率 發射 波長峰 在20毫安培 /厘米2之亮度 在20毫安培/厘米2 100小時後之亮度 20°C(室溫 —不加熱） 390毫瓦 608 481 305 60°C 390毫瓦 612 488 375 加熱至6 0 °C産生紅色調（峰發射波長），這優於不加熱産 生者。加熱到60 °C亦産生略高的初始亮度。應特別注意， 由1 0 0小時後較高亮度證明，在轉移期間加熱極大提高穩 定性。 實例2 由在125微米聚醯亞胺施體載體上真空沈積60奈米鉻 之輻射吸收層形成施體元件。在此上真空沈積一 1 8 · 7奈米 厚ALQ層、18.7奈米TBADN及0.2奈米發綠光摻雜劑L7。 如先前實例所述用該施體製造一發光二極體。轉移在需要 綠色發射處實現。裝置測試由通過二極體輸入恒定電流及 監測光輸出進行。此等資料顯示於表2中。 表2 顯示 轉移 發射 在20毫安培/ 在20毫安培/厘米2 基材溫度 功率 波長峰 厘米2之亮度 100小時後之亮度 37〇C 460毫瓦 524 217 162 60°C 460毫瓦 520 215 273 加熱至6 0 °C産生綠色調（峰發射波長），這優於在3 7 °C産 -31 - 1259738 (27) 生者。穩定性被極大提高。事實上，由1 Ο 0小時後較高亮 度證明，加熱到6 0 °c的裝置亮度經時間增加。 本發明的其他特徵包括下列。 其中該裝置亦包括空穴輸送層及電子輸送層之方法。 其中由非圖案化沈積作用沈積空穴輸送層及電子輸送 層之方法。 其中施體元件亦在施體基材和欲經轉移的有機物質之 間包括輻射吸收層之方法。 其中溫度範圍大於4 0 °C且小於1 3 0 °C之方法。 其中加熱步驟在轉移之前及期間二者應用之方法。 其中由加熱元件與顯示基材接觸提供加熱步驟之方法。 圖式簡單說明 圖1爲一裝置之示意圖，該裝置用於將部分有機層自施 體元件轉移到顯示基材上。 圖2爲一橫截面圖，該圖更詳細描繪顯示基材及具有加 熱元件之施體元件；且 圖3以橫截面顯示一全色有機電子冷光顯示器裝置之 圖解。 圖式 代表 符 號 說 明 10 雷 射 印 刷 裝置 12 施 體 元 件 14 雷 射 16 加 执 元 件 18 顯 示 基 材 -32- 1259738 (28) 20 22 分流計 2 4 f- β透鏡 26 雷射束 28 電腦 30 雷射功率控制線 32 平移台
34 施體載體 36 熱輻射吸收層 38 有機層 44 經轉移有機層 10 1 基材 103 獨立可定址陽極 105 選擇性空穴注入層 107 空穴輸送層
109 發光層 109R 發紅光像素的發光層 1 0 9 G 發綠光像素的發光層 109Β 發藍光像素的發光層 111 電子輸送層 113 陰極層 --

Claims (1)

1259738 拾、申請專利範圍 1. 一種製造有機電子冷光顯示裝置之方法，該裝置具有 一在顯示基材上配置的一像素陣列，該方法包括以下 步驟： a) 在一顯示基材上提供一第一電極之陣列； b) 提供一施體元件，該施體元件包括一施體載體、 一在該施體載體上的輻射吸收層，及在該輻射吸收層 上的至少一有機層，其中該有機層包括欲轉移到該顯 不.基材之物質， c) 轉移放置該施體元件至經該第一電極陣列圖案 i 化的顯示基材； d) 轉移該有機層前在一規定溫度範圍内加熱該顯 示基材或該施體元件或二者； e) 在該施體元件之該輻射吸收層上以一足夠功率 和所需斑點大小之雷射束聚焦和掃描，以將所選擇的 部分該有機層自施體元件轉移到該顯示基材上與該第 一電極有電性連接的像素對應之指定區域；及 f) 在該顯示基材上經轉移之有機部分處提供一第 二電極。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱步驟包括 將該施_體元件和該顯示基材二者加熱到相同溫度。 3. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱步驟包括 將該施體元件和該顯示基材加熱到不同溫度。 4.根據申請專利範圍第1項之方法，其中該溫度範圍係大
1259738 於3 0 °C且小於1 5 0 °C。 5. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該溫度範圍係大 ~ 於4 (TC且小於1 3 0 °C。 % 6. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱步驟係應 用於轉移之前及轉移期間。 7. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱步驟係由 與該顯示基材接觸之一加熱元件提供。 8. 根據申請專利範圍第1項之方法，進一步包括重複步驟 籲 b)至e)，以轉移産生不同顏色的有機發光層，以提供一 全色之顯示裝置。 9. 一種製造有機電子冷光顯示裝置之方法，該裝置具有 在顯示基材上配置的一像素陣列，該方法包括以下步 、 驟： a) 在一顯示基材上提供一第一電極之陣列； b) 提供一施體元件，該施體元件包括至少一有機層 包含欲轉移到該顯示基材之材料； _ c) 轉移放置該施體元件至經該第一電極陣列圖案 化的顯示基材； d) 轉移該有機層前在一規定溫度範圍内加熱該顯 示基材或該施體元件或二者； ^ e) 在該施體件上以一足夠功率和所需斑點大小 之雷射束聚焦和掃描，以將所選擇的部分該有機層自 施體元件轉移到該顯示基材上與該第一電極有電性連 接的像素對應之指定區域；及 1259738
f)在該顯示基材上經轉移之有機部分處提供一第 二電極。 10. —種製造有機電子冷光顯示器裝置之方法，其包括以 下步驟： a) 提供具有至少一第一電極之顯示基材； b) 提供一施體元件，包括至少一有機層包含欲轉移 到該顯不基材之材料， c) 轉移放置該施體元件至經該第一電極陣列圖案 _ 4匕的顯示基材； d) 轉移該有機層前在一規定溫度範圍内加熱該顯 示基材或該施體元件或二者； e) 在該施體元件上提供一足夠功率和所需區域之 4 輻射，以將所選擇的部分該有機層自施體元件轉移到 與第一電極有電性連接的該顯示基材；及 f) 在該顯示基材的部份或全部經轉移之有機部分 上提供一第二電極。 籲
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6970490B2 (en) * 2002-05-10 2005-11-29 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting devices based on the formation of an electron-hole plasma
US6890627B2 (en) * 2002-08-02 2005-05-10 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer from a donor element containing a hole-transporting layer
US6939660B2 (en) * 2002-08-02 2005-09-06 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer donor including a separate dopant layer
US6855636B2 (en) * 2002-10-31 2005-02-15 3M Innovative Properties Company Electrode fabrication methods for organic electroluminscent devices
JP2004184797A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Seiko Epson Corp 電子装置及びその製造方法並びに電子機器
US7132140B2 (en) * 2004-05-27 2006-11-07 Eastman Kodak Company Plural metallic layers in OLED donor
KR20060017414A (ko) * 2004-08-20 2006-02-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR20060020044A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 도너 기판의 제조방법
KR100699993B1 (ko) 2004-08-30 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 방법
KR20060020045A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR20060020031A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
KR100860005B1 (ko) * 2004-09-21 2008-09-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR20060027750A (ko) * 2004-09-23 2006-03-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR100721565B1 (ko) 2004-11-17 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR100700641B1 (ko) * 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
KR100635579B1 (ko) 2004-12-20 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사장치, 상기 장치를 사용하는 레이저 열전사법 및 상기 장치를 사용하는 유기전계발광표시장치제조방법
US7630029B2 (en) * 2005-02-16 2009-12-08 Industrial Technology Research Institute Conductive absorption layer for flexible displays
KR100712289B1 (ko) 2005-04-07 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP2006309955A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sony Corp 有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子
JP2006309994A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sony Corp 転写用基板および転写方法ならびに表示装置の製造方法
US20070045540A1 (en) 2005-08-30 2007-03-01 Kang Tae M Laser induced thermal imaging apparatus with contact frame
GB2436893A (en) * 2006-03-31 2007-10-10 Seiko Epson Corp Inkjet printing of cross point passive matrix devices
JP2008034280A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Sony Corp 表示装置の製造方法
JP4450006B2 (ja) 2007-04-02 2010-04-14 ソニー株式会社 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法
JP4420065B2 (ja) * 2007-05-21 2010-02-24 ソニー株式会社 転写方法および転写装置ならびに有機発光素子の製造方法
KR100884253B1 (ko) * 2007-07-04 2009-02-17 주식회사 아이엠티 건식세정장치 및 방법
JP2009048811A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Sony Corp 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法
US8425974B2 (en) * 2007-11-29 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation donor substrate and method for manufacturing light-emitting device
US8080811B2 (en) 2007-12-28 2011-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device
WO2009099002A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing light-emitting device
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
US20090218219A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing Apparatus
JP5079722B2 (ja) 2008-03-07 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
US8182863B2 (en) 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
US7932112B2 (en) * 2008-04-14 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
EP2294240B1 (en) * 2008-06-19 2017-03-08 Utilight Ltd. Light induced patterning
WO2010041262A2 (en) * 2008-10-12 2010-04-15 Utilight Ltd. Solar cells and method of manufacturing thereof
US8486736B2 (en) * 2008-10-20 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
WO2011114873A1 (ja) * 2010-03-18 2011-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び成膜用基板の作製方法
WO2011114874A1 (ja) 2010-03-18 2011-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
WO2011114872A1 (ja) 2010-03-18 2011-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び成膜用基板の作製方法
KR20150109013A (ko) * 2014-03-18 2015-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기막 패턴 형성용 마스크, 이를 이용한 유기막 패턴 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102181239B1 (ko) * 2014-09-03 2020-11-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 형성 장치 및 그를 이용한 박막 형성 방법
KR102352406B1 (ko) 2015-03-02 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
CN113433630B (zh) * 2016-07-17 2022-10-28 Io技术集团公司 用于激光诱导的材料分配的套件和系统
CN107706223B (zh) * 2017-09-29 2020-08-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示结构及显示器、空间点定位系统及方法
TWI637481B (zh) 2017-11-29 2018-10-01 財團法人工業技術研究院 半導體結構、發光裝置及其製造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL124075C (zh) 1959-04-09
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
JPS62128766A (ja) * 1985-11-29 1987-06-11 Ricoh Co Ltd レ−ザ熱転写記録装置
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US4772582A (en) 1987-12-21 1988-09-20 Eastman Kodak Company Spacer bead layer for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4965242A (en) * 1989-12-11 1990-10-23 Eastman Kodak Company Method of making color filter array for liquid crystal display
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
US5141671A (en) 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
US5150006A (en) 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
JP3445315B2 (ja) 1992-07-13 2003-09-08 イーストマン コダック カンパニー アルミニウムキレート化合物及び内部接合型有機電界発光素子
US5405709A (en) 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
US5578416A (en) 1995-11-20 1996-11-26 Eastman Kodak Company Cinnamal-nitrile dyes for laser recording element
US5683823A (en) 1996-01-26 1997-11-04 Eastman Kodak Company White light-emitting organic electroluminescent devices
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
KR100195175B1 (ko) * 1996-12-23 1999-06-15 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
EP0891121B8 (en) 1996-12-28 2013-01-02 Futaba Corporation Organic electroluminescent elements
US5935720A (en) 1997-04-07 1999-08-10 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent devices
US5755999A (en) 1997-05-16 1998-05-26 Eastman Kodak Company Blue luminescent materials for organic electroluminescent devices
US5928802A (en) 1997-05-16 1999-07-27 Eastman Kodak Company Efficient blue organic electroluminescent devices
GB9711237D0 (en) 1997-06-02 1997-07-23 Isis Innovation Organomettallic Complexes
US5851709A (en) 1997-10-31 1998-12-22 Eastman Kodak Company Method for selective transfer of a color organic layer
US5935721A (en) 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
JP2918037B1 (ja) * 1998-06-18 1999-07-12 日本電気株式会社 カラー有機ｅｌディスプレイとその製造方法
EP1116260A1 (en) * 1998-09-04 2001-07-18 Fed Corporation Fabrication method for high resolution full color organic led displays
KR100837029B1 (ko) 1998-09-09 2008-06-10 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자발광 소자 및 페닐렌디아민 유도체
EP1120457B1 (en) 1998-09-29 2013-07-03 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Surfactant, process for producing the same, and detergent composition
US6208075B1 (en) 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
US6361886B2 (en) 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
US6020078A (en) 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
EP1144197B1 (en) * 1999-01-15 2003-06-11 3M Innovative Properties Company Thermal Transfer Method.
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
CN1226902C (zh) 1999-03-23 2005-11-09 南加利福尼亚大学 在有机发光装置中用作磷光掺杂剂的环金属化金属配合物
EP1729327B2 (en) 1999-05-13 2022-08-10 The Trustees Of Princeton University Use of a phosphorescent iridium compound as emissive molecule in an organic light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN1436025A (zh) 2003-08-13
KR20030065371A (ko) 2003-08-06
US6610455B1 (en) 2003-08-26
EP1335637A1 (en) 2003-08-13
TW200302679A (en) 2003-08-01
JP2003229259A (ja) 2003-08-15
CN100416849C (zh) 2008-09-03
EP1335637B1 (en) 2017-08-23
KR100910438B1 (ko) 2009-08-04

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