WO2011114872A1 - 成膜方法及び成膜用基板の作製方法 - Google Patents

成膜方法及び成膜用基板の作製方法 Download PDF

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layer
film
forming
material layer
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隆広 井辺
智哉 青山
礼奈 鶴岡
井上　智
通 園田
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株式会社半導体エネルギー研究所
シャープ株式会社
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    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the present invention relates to a film forming method and a method for manufacturing a film forming substrate.
  • EL electroluminescence
  • the basic structure of these light-emitting elements is such that a light-emitting layer containing a light-emitting substance is sandwiched between a pair of electrodes. By applying voltage to this element, light emission from the light-emitting substance can be obtained.
  • an organic EL material layer is formed on a deposition substrate by a wet method using a polymer in which a film forming material is dispersed, and the organic EL material layer is formed by thermal transfer.
  • a method of forming a film on a substrate see, for example, Patent Document 2.
  • the impurities are also mixed into the light emitting layer formed on the film formation substrate by thermal transfer.
  • the other light emitting layer forming method using a polymer as a binder since a wet method is used, there is a higher possibility that impurities are mixed as compared with a vacuum deposition method.
  • An object of one embodiment of the present invention is to provide a film formation method that can reduce impurities mixed in a layer formed on a deposition target substrate or a method for manufacturing a film formation substrate used in the film formation method. .
  • an absorption layer is formed on one surface of the first substrate.
  • the material layer of the first substrate is sublimated as a pretreatment before the material layer formed on the first substrate is transferred to the second substrate to form the film.
  • Heat to a lower temperature Accordingly, impurities having a low sublimation temperature can be removed from the material layer while holding the film formation material in the material layer, and the layer including the film formation material with a reduced amount of impurities is covered with the second substrate. It can be formed on the film formation surface.
  • an absorption layer is formed on one surface of the first substrate.
  • a film forming method is characterized in that a layer containing a material is formed.
  • S shows the glass transition temperature (degreeC) of a high molecular compound
  • Ta is high temperature (degreeC) among the sublimation temperature which the 1st film-forming material or the 2nd film-forming material has. Indicates.
  • the material layer of the first substrate is formed of glass of a high molecular compound as a pretreatment.
  • a first heat treatment for heating to a temperature lower than the transition temperature is performed. Accordingly, impurities having a low sublimation temperature can be removed from the material layer while holding the first film-forming material and the second film-forming material in the material layer, and the first composition in which the amount of impurities is reduced.
  • a layer including the film material and the second film formation material can be formed over the deposition surface of the second substrate.
  • each of the first heat treatment and the second heat treatment is performed by irradiating light from the other surface side of the first substrate using a light source, It is preferable to use a method in which the absorption layer is heated by absorbing light.
  • an absorption layer is formed over one surface of a substrate, Forming a material layer containing a film forming material on the absorbing layer; A method for manufacturing a film formation substrate, wherein impurities in the material layer are removed by performing heat treatment on the material layer from the other surface side of the substrate at a temperature lower than a sublimation temperature of the film formation material. It is.
  • an absorption layer is formed over one surface of a substrate, Forming a material layer including a first film-forming material, a second film-forming material, and a polymer compound satisfying the following formula (1) on the absorption layer; A film-forming substrate characterized in that impurities in the material layer are removed by heat-treating the material layer from the other surface side of the substrate at a temperature lower than the glass transition temperature of the polymer compound.
  • This is a manufacturing method.
  • Ta-100 ⁇ S ⁇ 400 shows the glass transition temperature (degreeC) of a high molecular compound
  • Ta is high temperature (degreeC) among the sublimation temperature which the 1st film-forming material or the 2nd film-forming material has. Indicates.
  • the heat treatment may be performed by irradiating light from the other surface side of the substrate with a light source, and the absorption layer absorbing light. It is preferable to use a heated system.
  • a film formation method capable of reducing impurities mixed in a layer formed on a deposition target substrate or a method for manufacturing a film formation substrate used in this film formation method is provided. Can do.
  • FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating a film formation method of one embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a film formation method of one embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating a film formation method of one embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a film formation method of one embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a film formation method of one embodiment of the present invention.
  • an organic EL including an absorption layer 12 formed on one surface of a first substrate 11 which is a support substrate, and an organic material 15 as a film forming material on the absorption layer 12.
  • a material layer (hereinafter referred to as “material layer”) 13 is formed.
  • the material layer 13 contains impurities 14 such as moisture and residual solvent.
  • the first substrate 11 is a substrate that transmits light for irradiating the material layer on the deposition target substrate. Therefore, the first substrate 11 is preferably a substrate having a high light transmittance. Specifically, when lamp light or laser light is used to form the material layer, it is preferable to use a substrate that transmits the light as the first substrate 11.
  • a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate containing an inorganic material, or the like can be used as the first substrate 11.
  • the absorption layer 12 is a layer that absorbs light irradiated to heat the material layer 13 and converts it into heat. For this reason, it should just be formed in the area
  • the absorption layer 12 is preferably formed of a material having a low reflectance of 70% or less with respect to the irradiated light and a high absorption rate. Moreover, it is preferable that the absorption layer 12 is formed with the material excellent in heat resistance so that itself may not change with heat.
  • Examples of materials that can be used for the absorption layer 12 include metal nitrides such as titanium nitride, tantalum nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, chromium nitride, and manganese nitride, molybdenum, titanium, tungsten, and carbon. preferable.
  • metal nitrides such as titanium nitride, tantalum nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, chromium nitride, and manganese nitride, molybdenum, titanium, tungsten, and carbon. preferable.
  • the absorbing layer 12 can be formed using various methods.
  • the absorption layer 12 can be formed by a sputtering method using a target such as molybdenum, tantalum, titanium, or tungsten, or a target using an alloy thereof.
  • the absorbing layer 12 is not limited to a single layer and may be composed of a plurality of layers.
  • the film thickness of the absorbing layer 12 is preferably a film thickness that does not transmit the irradiated light. Although it varies depending on the material, the film thickness is preferably 100 nm or more and 2 ⁇ m or less. In particular, by setting the thickness of the absorption layer 12 to 100 nm or more and 600 nm or less, it is possible to efficiently absorb irradiated light and generate heat.
  • the absorption layer 12 may transmit a part of the irradiated light.
  • a material that does not decompose even when irradiated with light is preferably used for the material layer 13.
  • the “film formation temperature” refers to a temperature at which at least a part of the film formation material is transferred from the film formation substrate to the film formation substrate by the action of heat.
  • the material layer 13 is a layer that is transferred to the second substrate by heating. It is a layer formed by including an organic material 15 as a film forming material to be formed on a film formation substrate. In the present embodiment, one kind of organic material 15 is used as the film forming material included in the material layer 13, but two or more kinds of organic materials can also be used as the film forming material.
  • the material layer 13 may be a single layer or a plurality of layers may be stacked. Note that in this embodiment mode, transfer means that the organic material 15 contained in the material layer 13 is transferred onto the deposition target substrate.
  • the material layer 13 is formed by various methods. For example, a wet coating method such as spin coating, spray coating, ink jet, dip coating, casting, die coating, roll coating, blade coating, bar coating, gravure coating, nozzle printing or printing Can be used. Alternatively, a dry method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method can be used.
  • a wet coating method such as spin coating, spray coating, ink jet, dip coating, casting, die coating, roll coating, blade coating, bar coating, gravure coating, nozzle printing or printing Can be used.
  • a dry method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method can be used.
  • a desired film forming material may be dissolved or dispersed in a solvent to prepare a solution or dispersion.
  • the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the film forming material and does not react with the film forming material.
  • halogen solvents such as chloroform, tetrachloromethane, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, or chlorobenzene
  • ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, n-propyl methyl ketone, or cyclohexanone
  • benzene toluene
  • Aromatic solvents such as xylene, ester solvents such as ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, ethyl propionate, ⁇ -butyrolactone, or diethyl carbonate
  • ether solvents such as tetrahydrofuran or dioxane, dimethylformamide
  • an amide solvent such as dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexane, water, or the like can be used.
  • the film thickness of the EL layer 13a formed over the second substrate 22 which is a deposition target substrate in the subsequent process is the same as that of the first substrate 11 which is a supporting substrate.
  • the material layer 13 formed depends on the material layer 13 formed. Therefore, by controlling the film thickness of the material layer 13, the film thickness of the EL layer 13a formed over the second substrate 22 which is a deposition target substrate can be easily controlled.
  • the material layer is not necessarily a uniform layer as long as the thickness and uniformity of the EL layer can be maintained. For example, it may be formed in a fine island shape, or may be formed in a layered structure.
  • the irradiation condition at this time is set so that the organic material 15 contained in the material layer 13 is not sublimated. That is, the energy intensity is such that the material layer 13 is heated to a temperature lower than the sublimation temperature of the organic material 15. Moreover, it is preferable to set it as the energy intensity which heats the material layer 13 to 100 degreeC or more.
  • the irradiated light passes through the first substrate 11 and is absorbed by the absorption layer 12.
  • the material layer 13 in the region overlapping with the absorption layer 12 is heated to a temperature lower than the sublimation temperature of the organic material 15 (first heat treatment). Thereby, impurities 14 such as moisture and residual solvent in the material layer 13 are removed.
  • the impurity 14 has a molecular weight of 300 or less.
  • the heating temperature of the material layer 13 is 100 ° C. or higher, the impurities 14 having a molecular weight of 300 or less are sufficiently removed.
  • a film formation substrate (donor substrate) 10 shown in FIG. 1C is manufactured.
  • a method of forming a film by transferring the material layer 13 onto the deposition target substrate 20 using the deposition substrate 10 will be described.
  • a second substrate 22 as a deposition target substrate is disposed at a position facing the surface on which the absorption layer 12 and the material layer 13 are formed.
  • the second substrate 22 is a deposition target substrate on which a desired layer, for example, the electrode layer 23 is deposited by a deposition process.
  • the second substrate 22 is not limited to a specific one as long as it has necessary heat resistance and has an insulating surface.
  • a glass substrate, a quartz substrate, a stainless steel substrate on which an insulating film is formed, and the like can be given.
  • a plastic substrate having heat resistance enough to withstand heat treatment may be used.
  • the flash lamp 21 irradiates light as indicated by an arrow 21b from the back surface of the first substrate 11, that is, the surface facing the surface on which the material layer 13 is formed.
  • the irradiated light passes through the first substrate 11 and is absorbed by the absorption layer 12.
  • the absorbed light is converted into thermal energy, whereby the material layer 13 in a region overlapping with the absorption layer 12 is heated (second heat treatment).
  • the heated material layer 13 is formed on the electrode layer 23, whereby the EL layer 13a is formed.
  • the flash lamp 21 is used as the light source for the irradiation light in each of the first and second heat treatments, but various light sources can be used.
  • a discharge lamp such as a xenon lamp or a metal halide lamp, or a heating lamp such as a halogen lamp or a tungsten lamp can be used as the light source.
  • These light sources may be used as flash lamps (for example, xenon flash lamps, krypton flash lamps, etc.).
  • the flash lamp can irradiate a large area repeatedly in a short time (0.1 ms to 10 ms), so that it can irradiate a large area efficiently and uniformly regardless of the area of the first substrate. Can be heated.
  • heating of the first substrate 11 can be controlled by changing the length of time for which light is emitted.
  • a laser oscillation device may be used as the light source.
  • the laser light include gas lasers such as Ar laser, Kr laser, and excimer laser, single crystal YAG, YVO 4 , forsterite (Mg 2 SiO 4 ), YAlO 3 , GdVO 4 , or polycrystalline (ceramic).
  • gas lasers such as Ar laser, Kr laser, and excimer laser
  • a medium in which YAG, Y 2 O 3 , YVO 4 , YAlO 3 , GdVO 4 is added with one or more of Nd, Yb, Cr, Ti, Ho, Er, Tm, and Ta as dopants is used as a medium.
  • Lasers, glass lasers, ruby lasers, alexandrite lasers, Ti: sapphire lasers, copper vapor lasers, or gold vapor lasers that are oscillated from one or more types can be used.
  • a solid-state laser whose laser medium is solid there are advantages that a maintenance-free state can be maintained for a long time and output is relatively stable.
  • infrared light wavelength 800nm or more
  • heat conversion in the absorption layer 12 is efficiently performed, and the film forming material can be efficiently heated.
  • each of the first and second heat treatments is preferably performed in an atmosphere with little moisture and oxygen or a reduced pressure atmosphere.
  • the reduced-pressure atmosphere can be obtained by evacuating the film forming chamber so that the degree of vacuum is 5 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less, preferably about 10 ⁇ 4 Pa to 10 ⁇ 6 Pa.
  • the material layer 13 of the film formation substrate 10 is preliminarily processed as an organic material.
  • a first heat treatment is performed to heat to a temperature lower than 15 sublimation temperature (that is, a temperature at which the material layer 13 is not transferred).
  • impurities 14 such as moisture and residual solvent having a low sublimation temperature can be removed from the material layer 13, and the material layer 13 with a reduced amount of impurities can be obtained.
  • the film-formation substrate 10 can be obtained (see FIG. 1C). Accordingly, impurities in the EL layer 13a, which is a layer containing the organic material 15 transferred to the deposition target substrate 20 and formed, can be reduced. Thereby, an organic EL element with high characteristics and reliability can be produced.
  • the sublimation temperature is a temperature at which a state change from a solid to a substrate occurs.
  • the impurity when it is a liquid, it is used to include a temperature at which a state change from a liquid to a gas occurs. That is, in this specification and the like, the sublimation temperature may include the evaporation temperature (that is, the boiling point) of the liquid.
  • the second substrate 22 that is a deposition target substrate is positioned above the first substrate 11 that is a deposition substrate. It is not limited. The direction in which the substrate is installed can be set as appropriate.
  • the film thickness of the EL layer 13 a formed on the deposition target substrate 20 by the film formation process is controlled by the film thickness of the material layer 13 formed on the first substrate 11. be able to. That is, since the material layer 13 formed on the film formation substrate 10 may be formed as it is, a film thickness monitor is unnecessary. Therefore, it is not necessary for the user to adjust the film formation rate using the film thickness monitor, and the film formation process can be fully automated. Therefore, productivity can be improved.
  • Embodiment 2 In this embodiment, a film formation method of one embodiment of the present invention will be described. Note that in this embodiment, the case where an EL layer of a light-emitting element is formed using the film formation method of one embodiment of the present invention will be described. Note that the film formation method described in this embodiment is performed using the same materials and manufacturing methods as those in Embodiment 1 unless otherwise specified.
  • FIG. 2 shows an example in which a reflective layer, a heat insulating layer, and a protective layer are formed on the first substrate.
  • a reflective layer 102 is selectively formed on one surface of the first substrate 101 which is a supporting substrate.
  • the reflective layer 102 has an opening 112.
  • a heat insulating layer 104 is formed on the reflective layer 102.
  • the heat insulating layer 104 has an opening 112 at a position overlapping with the opening of the reflective layer 102.
  • an absorption layer 103 that covers the opening is formed over the first substrate 101 on which the reflective layer 102 and the heat insulating layer 104 are formed.
  • a protective layer 106 is formed on the absorption layer 103.
  • a material layer 105 including an organic material as a film formation material is formed over the protective layer 106.
  • the material layer 105 contains impurities such as moisture and residual solvent.
  • overlap means not only a case where elements (for example, a reflective layer and an absorption layer) constituting a film formation substrate are in direct contact with each other but also an overlapping layer. Including the case of overlapping.
  • the reflective layer 102 is selectively formed on one surface of the first substrate 101.
  • the reflective layer 102 is a layer that reflects light applied to the first substrate 101 and blocks the material layer 105 formed in a region overlapping with the reflective layer 102 so as not to apply heat. Therefore, the reflective layer 102 is preferably formed of a material having a high reflectance with respect to the light to be irradiated. Specifically, the reflective layer 102 is preferably formed of a material having a high reflectance with a reflectance of 85% or more, more preferably 90% or more, with respect to the irradiated light. .
  • Examples of a material that can be used for the reflective layer 102 include aluminum, silver, gold, platinum, copper, an alloy containing aluminum (eg, an aluminum-titanium alloy, an aluminum-neodymium alloy, and an aluminum-titanium alloy), or silver.
  • An alloy (silver-neodymium alloy) or the like can be used.
  • the reflective layer 102 can be formed using various methods. For example, it can be formed by sputtering, electron beam vapor deposition, vacuum vapor deposition, or the like. Moreover, although the film thickness of the reflective layer 102 changes with materials, it is preferable to set it as 100 nm or more. By setting the film thickness to 100 nm or more, the irradiated light can be prevented from passing through the reflective layer 102.
  • the type of material suitable for the reflective layer 102 varies depending on the wavelength of light with which the first substrate 101 is irradiated.
  • the reflective layer is not limited to a single layer, and may be composed of a plurality of layers.
  • the absorption layer 103 may be formed directly on the first substrate 101 without providing a reflective layer.
  • the reflectance between the reflective layer 102 and the absorbing layer 103 is larger. Specifically, the difference in reflectance with respect to the wavelength of the irradiated light is 25% or more, more preferably 30% or more.
  • various methods can be used for forming the opening of the reflective layer 102, but dry etching is preferably used. By using dry etching, the sidewall of the opening becomes sharp and a fine pattern can be formed.
  • the heat insulating layer 104 is selectively formed on the reflective layer 102.
  • the heat insulating layer 104 is a layer for suppressing the material layer 105 located in the region overlapping with the reflective layer 102 from being heated and sublimated.
  • As the heat insulating layer 104 for example, titanium oxide, silicon oxide, silicon oxynitride, zirconium oxide, titanium carbide, or the like can be preferably used.
  • the heat insulating layer 104 is formed using a material having lower thermal conductivity than the material used for the reflective layer 102 and the absorbing layer 103.
  • oxynitride is a substance having a higher oxygen content than nitrogen in its composition.
  • the heat insulating layer 104 can be formed using various methods. For example, it can be formed by a sputtering method, an electron beam evaporation method, a vacuum evaporation method, a CVD (chemical vapor deposition) method, or the like. Moreover, although the film thickness of a heat insulation layer changes with materials, it is 10 nm or more and 2 micrometers or less, Preferably it can be 100 nm or more and 600 nm or less. By setting the thickness of the heat insulating layer 104 to 10 nm or more and 2 ⁇ m or less, even when the reflective layer 102 is heated, there is an effect of blocking heat conduction to the material layer 105 positioned on the reflective layer 102.
  • the heat insulating layer 104 has an opening formed in a region overlapping with the opening of the reflective layer 102.
  • Various methods can be used to form the pattern of the heat insulating layer 104, but dry etching is preferably used. By using dry etching, the patterned heat insulating layer 104 has a sharp side wall, and a fine pattern can be formed.
  • the sidewalls of the openings provided in the heat insulating layer 104 and the reflective layer 102 can be aligned, and a finer pattern can be formed. This is preferable.
  • the heat insulating layer 104 is formed only at a position overlapping the reflective layer 102, but the heat insulating layer 104 may be formed to cover the reflective layer 102 and the opening of the reflective layer 102. In this case, the heat insulating layer 104 needs to have transparency to visible light.
  • the absorption layer 103 is formed on the heat insulating layer 104.
  • the absorption layer 103 can be formed using a material similar to that of the absorption layer 12 described in Embodiment 1. Note that the absorption layer 103 may be selectively formed. For example, after the absorption layer 103 is formed on the entire surface of the first substrate 101, the absorption layer 103 is patterned, and the pattern is formed in an island shape so as to cover the openings of the reflective layer 102 and the heat insulating layer 104. In this case, compared to the case where the absorption layer is formed on the entire surface, heat can be prevented from being conducted in the surface direction in the absorption layer, so that a finer EL layer pattern can be formed and a high-performance light emitting device can be realized. can do.
  • the protective layer 106 is formed on the absorption layer 103.
  • the protective layer 106 is formed in order to prevent a substance used for the absorption layer 103 from being sublimated and mixed as an impurity in an EL layer formed over the deposition target substrate.
  • the protective layer 106 prevents the absorption layer 103 from being oxidized, altered, or deformed by heat. By forming the protective layer 106, deterioration of the absorption layer 103 can be prevented, so that the deposition substrate can be repeatedly used more frequently. Therefore, the consumption and cost of the material can be suppressed.
  • Examples of the protective layer 106 include silicon nitride (SiNx), silicon nitride oxide, titanium oxide, silicon oxide, silicon oxynitride, zirconium oxide, titanium nitride, titanium carbide, or indium tin oxide (ITO: Indium Tin Oxide). Etc.
  • the thickness of the protective layer 106 is preferably such that the absorbing layer 103 can be satisfactorily protected, for example, about 100 nm. Note that the protective layer 106 is not necessarily provided. Further, the protective layer 106 may be selectively formed in a portion overlapping with the absorption layer 103.
  • a material layer 105 is formed on the protective layer 106.
  • the material layer 105 a material layer similar to the material layer 13 described in Embodiment 1 can be used. Further, the material layer 105 may be selectively formed.
  • the irradiation conditions at this time are set so that the film forming material included in the material layer 105 is not sublimated. That is, the energy intensity is such that the material layer 105 is heated to a temperature lower than the sublimation temperature of the film formation material. In addition, it is preferable to have energy intensity that heats the material layer 105 to 100 ° C. or higher.
  • the irradiated light is transmitted through the first substrate 101, reflected in the region where the reflective layer 102 is formed, transmitted through the opening 112 provided in the reflective layer 102, and overlapped with the opening.
  • the material layer 105 in a region overlapping with the absorption layer 103 in the region is heated to a temperature lower than the sublimation temperature of the film formation material (first heat treatment).
  • impurities such as moisture and residual solvent in the material layer 105 are removed.
  • This impurity has a molecular weight of 300 or less.
  • the heating temperature of the material layer 105 is 100 ° C. or higher, impurities having a molecular weight of 300 or less are sufficiently removed.
  • the second substrate 107 is disposed on the first substrate 101 at a position facing the surface on which the material layer 105 and the like are formed.
  • an electrode layer serving as one electrode of the light-emitting element is formed over the second substrate 107.
  • An end portion of the electrode layer 108 is preferably covered with an insulator 111.
  • the electrode layer indicates an electrode which serves as an anode or a cathode of the light emitting element.
  • the first heat treatment illustrated in FIG. 2B can be performed with the first substrate 101 and the second substrate 107 facing each other as illustrated in FIG. 2C. It is. However, in order to prevent impurities released from the heat-treated first substrate from adhering to the second substrate, the first heat treatment is performed with the second substrate facing the first substrate. It is more preferable to carry out without arranging.
  • the surface of the material layer 105 and the surface of the second substrate 107 are arranged with an interval of a distance d.
  • the distance d is 0 mm to 2 mm, preferably 0 mm to 0.05 mm, and more preferably 0 mm to 0.03 mm.
  • the distance d is defined as the distance between the surface of the material layer 105 on the first substrate and the surface of the second substrate.
  • the distance d is a material layer over the first substrate. It is defined by the distance between the surface of 105 and the outermost surface of the layer formed on the second substrate, that is, the surface of these films (conductive film or partition wall).
  • light is irradiated from the back surface of the first substrate 101 by a flash lamp as indicated by an arrow 110.
  • the irradiation conditions at this time are set so that the film forming material included in the material layer 105 is sublimated. That is, the energy intensity is such that the material layer 105 is heated to a temperature higher than the sublimation temperature of the film formation material.
  • the irradiated light is transmitted through the first substrate 101, reflected in the region where the reflective layer 102 is formed, transmitted through the opening 112 provided in the reflective layer 102, and overlapped with the opening. Are absorbed in the absorption layer 103.
  • the absorbed light is converted into thermal energy, whereby the material layer 105 in the region overlapping with the absorption layer 103 in the region is heated (second heat treatment), and the film formation material included in the material layer 105 is changed to the first.
  • a film is formed on the second substrate 107.
  • the EL layer 109 of the light emitting element is selectively formed over the second substrate 107.
  • the heat generated in the absorption layer 103 is conducted in the surface direction and the reflective layer 102 in contact with the absorption layer may be heated. Even if the reflective layer 102 is formed using a material having a reflectance of 85% or more, some heat is absorbed depending on the amount of heat of light to be irradiated. However, in the deposition substrate in this embodiment, since the heat insulating layer 104 formed of a material with low thermal conductivity is provided between the reflective layer 102 and the material 105, the reflective layer 102 is heated. Even in this case, heat conduction to the material layer 105 can be blocked in the heat insulating layer 104. Thus, a film formation material included in the material layer 105 in a region overlapping with the opening 112 can be selectively formed over the deposition target substrate, so that the EL layer 109 having a desired pattern can be formed.
  • the material layer 105 of the film formation substrate is sublimated as a pretreatment as a pretreatment.
  • a first heat treatment for heating to a temperature lower than the temperature (that is, a temperature at which the material layer is not transferred) is performed. Accordingly, impurities such as moisture and residual solvent having a low sublimation temperature can be removed from the material layer 105 while the film formation material is held in the material layer 105, and the component layer 105 having the reduced amount of impurities can be obtained.
  • a film substrate can be obtained (see FIG. 2B). Therefore, impurities in the EL layer 109 which is a layer containing a film formation material transferred to a film formation substrate and formed thereon can be reduced. Thereby, an organic EL element with high characteristics and reliability can be produced.
  • this embodiment mode is not limited thereto. .
  • the direction in which the substrate is installed can be set as appropriate.
  • an absorption layer 12 is formed on one surface of the first substrate 11, and at least an organic material 15 a as a first film formation material is formed on the absorption layer 12.
  • the material layer 16 contains impurities 14 such as moisture, residual solvent, and residual monomer.
  • the first substrate 11 can be the same as that of the first embodiment.
  • the absorption layer 12 is a layer that absorbs light irradiated to heat the material layer 16 and converts it into heat, and the same layer as in Embodiment 1 can be used.
  • the absorption layer 12 may permeate
  • a material that does not decompose even when irradiated with light is preferably used for the material layer 13.
  • the material layer 16 is a layer that is transferred to the second substrate by heating. It is a layer formed by including an organic material 15 as a first film forming material and an organic material as a second film forming material to be formed on a deposition target substrate. In this embodiment mode, two kinds of the first film forming material and the second film forming material are used for the material layer 16, but three or more kinds of film forming materials can be used for the material layer 16.
  • the material layer 16 may be a single layer or a plurality of layers may be stacked. Note that in this embodiment mode, transfer indicates that the first film formation material and the second film formation material included in the material layer 16 are transferred onto the deposition target substrate.
  • the material layer 16 can be formed using a wet method.
  • a desired first film-forming material, second film-forming material, and polymer compound may be dissolved or dispersed in a solvent, and a solution or dispersion liquid may be prepared.
  • the solvent can dissolve or disperse the first film forming material, the second film forming material, and the polymer compound, and does not react with the first film forming material, the second film forming material, and the polymer compound. If it is a thing, it will not specifically limit.
  • halogen solvents such as chloroform, tetrachloromethane, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, or chlorobenzene
  • ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, n-propyl methyl ketone, or cyclohexanone
  • benzene toluene
  • Aromatic solvents such as xylene, ester solvents such as ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, ethyl propionate, ⁇ -butyrolactone, or diethyl carbonate
  • ether solvents such as tetrahydrofuran or dioxane, dimethylformamide
  • an amide solvent such as dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexane, water, or the like can be used.
  • the thickness of the EL layer 16a formed over the second substrate 22 which is a deposition target substrate in the subsequent step is the same as that of the first substrate 11 which is a supporting substrate.
  • the material layer 16 formed depends on the material layer 16 formed. Therefore, by controlling the film thickness of the material layer 16, the film thickness of the EL layer 16a formed over the second substrate 22 which is a deposition target substrate can be easily controlled.
  • the material layer is not necessarily a uniform layer as long as the thickness and uniformity of the EL layer can be maintained. For example, it may be formed in a fine island shape, or may be formed in a layered structure.
  • a light-emitting substance is used for the organic material 15a as the first film-formation material included in the material layer 16, and the second layer is formed.
  • An organic compound in which a light-emitting substance is dispersed is used as a film forming material.
  • the light-emitting substance for example, a fluorescent compound that emits fluorescence or a phosphorescent compound that emits phosphorescence can be used.
  • the organic compound that disperses the light-emitting substance when the light-emitting substance is a fluorescent compound, a substance having a singlet excitation energy (energy difference between the ground state and the singlet excited state) larger than that of the fluorescent compound is used. preferable.
  • the light-emitting substance is a phosphorescent compound
  • a substance having a triplet excitation energy (energy difference between a ground state and a triplet excited state) larger than that of the phosphorescent compound is preferably used.
  • the film forming material included in the material layer 16 two or more kinds of organic compounds in which the light emitting substance is dispersed may be used, or two or more kinds of light emitting substances dispersed in the organic compound may be used. Further, an organic compound in which two or more kinds of luminescent substances are dispersed and two or more kinds of luminescent substances may be used.
  • a polymer compound having a glass transition temperature satisfying the following formula (1) is used. More preferably, a polymer compound having a glass transition temperature satisfying the following formula (2) is used. Note that in the following formulas (1) and (2), the sublimation temperatures of the first film-forming material and the second film-forming material are measured at the same degree of vacuum (for example, a degree of vacuum of 10 ⁇ 3 Pa).
  • Ta-100 ⁇ S ⁇ 400 (1) Ta-70 ⁇ S ⁇ 400 (2)
  • S shows the glass transition temperature (degreeC) of a high molecular compound
  • Ta is high temperature among the sublimation temperatures of a 1st film-forming material or a 2nd film-forming material. (° C.).
  • the glass transition temperature of the polymer compound 17 is in a range that satisfies the above formula (1), preferably the above formula (2), the lower temperature of the sublimation temperature of the first film-forming material or the second film-forming material. Even if it reaches, the film forming material that has reached the sublimation temperature is hardly transferred from the material layer 16. This is because the high molecular compound 17 suppresses the movement of the first film-forming material and the second film-forming material in the material layer 16. When the first sublimation temperature of the first film formation material or the second film formation material is exceeded, the first film formation material and the second film formation material can easily move in the material layer 16. And transferred onto the deposition substrate. Accordingly, there is little time difference between the transfer of the first film formation material and the transfer of the second film formation material, and an EL layer with a small concentration gradient can be formed over the deposition target substrate.
  • the glass transition temperature of the polymer compound 17 is lower than the range of the above formula (1), the first film-forming material and the second film-forming material are hardly suppressed from moving in the material layer 16, The film forming material having a low sublimation temperature is transferred first, and then the film forming material having a high sublimation temperature is transferred. Further, if the glass transition temperature of the polymer compound is higher than the range of the above formula (1), the first film-forming material and the second film-forming material after the first sublimation temperature exceeds the higher temperature, The film-forming material and the second film-forming material are suppressed from moving in the material layer 16, and transfer is not easily performed.
  • the polymer compound 17 a polymer compound having a glass transition temperature satisfying the above formula (1), preferably the above formula (2) is used.
  • a material having a glass transition temperature of 200 ° C. is used as the polymer compound 17, and a material having a sublimation temperature of 210 ° C. and a material having a sublimation temperature of 260 ° C. are used as the first film-forming material and the second film-forming material. If so, good transfer was achieved.
  • a material having a glass transition temperature of 200 ° C. is used as the polymer compound 17, and a material having a sublimation temperature of 210 ° C. and a material having a sublimation temperature of 302 ° C. are used as the first film forming material and the second film forming material. When used, good transfer was not realized. This indicates that a suitable material layer 16 is realized under the conditions matching the above formulas (1) and (2).
  • the polymer compound 17 contained in the material layer 16 is preferably a cycloolefin polymer. Since the cycloolefin polymer is easily dissolved in a solvent, after the film is formed on the deposition target substrate, the cycloolefin polymer containing the first film-forming material and the second film-forming material remaining on the film-forming substrate is reused in the solvent. By dissolving, the deposition substrate can be reused. Therefore, the consumption and cost of the material can be suppressed. Further, as the polymer compound 17, olefin, vinyl, acrylic, polyimide (PI), or the like may be used, or a polymer material EL material may be used.
  • polymer material EL material examples include poly (N-vinylcarbazole) (PVK) and poly (p-phenylene vinylene) (PPV).
  • PVK poly (N-vinylcarbazole)
  • PPV poly (p-phenylene vinylene)
  • a cross-linked polymer such as an epoxy resin, an acrylic resin, or siloxane may be used.
  • a polymer compound means a polymer (polymer) having a repeating structure of one or more kinds of monomers.
  • the viscosity of a polymer compound is easy to adjust, the viscosity of the polymer compound solution can be freely adjusted according to the application. For example, when the material layer 16 is formed by a droplet discharge method, by increasing the viscosity of the polymer compound solution, the polymer compound does not spread on the deposition surface, and a fine pattern can be formed. it can.
  • Adjustment of the viscosity of the polymer compound can be realized by adjusting the molecular weight of the polymer compound or changing the ratio of the polymer compound and the solvent. In general, as the ratio of the polymer compound increases, the viscosity of the solution increases.
  • the flash lamp 21 irradiates light as indicated by an arrow 21a from the back surface of the first substrate 11, that is, the surface opposite to the surface on which the material layer 16 is formed.
  • the irradiation condition at this time is set so that the polymer compound 17 is not softened. That is, the energy intensity is such that the material layer 16 is heated to a temperature lower than the glass transition temperature of the polymer compound 17. Moreover, it is preferable to set it as the energy intensity
  • the irradiated light passes through the first substrate 11 and is absorbed by the absorption layer 12.
  • the material layer 16 in the region overlapping with the absorption layer 12 is heated to a temperature lower than the glass transition temperature of the polymer compound 17 (first heat treatment).
  • impurities 14 such as moisture, residual solvent, and residual monomer in the material layer 16 are removed.
  • the impurity 14 has a molecular weight of 300 or less.
  • the heating temperature of the material layer 16 is 100 ° C. or higher, the impurities 14 having a molecular weight of 300 or less are sufficiently removed.
  • a film formation substrate (donor substrate) 10a shown in FIG. 3D a method of forming a film by transferring the material layer 16 onto the deposition target substrate 20 using the deposition substrate 10a will be described.
  • a second substrate 22 as a deposition target substrate is disposed at a position facing the surface on which the absorption layer 12 and the material layer 16 are formed.
  • a substrate similar to that in Embodiment Mode 1 can be used.
  • a second heat treatment is performed from the back surface of the first substrate 11, that is, the other surface side of the first substrate 11 on which the material layer 16 is formed, whereby the first component in the material layer 16 is formed.
  • a film material and a second film formation material are formed on the second substrate 22.
  • the EL layer 16 a of the light emitting element is formed on the second substrate 22, and the layer 16 b having the polymer compound 17 is left on the first substrate 11.
  • the second heat treatment is performed by irradiating the flash lamp 21 with light as indicated by an arrow 21b. Specifically, the irradiated light passes through the first substrate 11 and is absorbed by the absorption layer 12. The absorbed light is converted into thermal energy, whereby the material layer 16 in a region overlapping with the absorption layer 12 is heated. The heated material layer 16 is formed on the electrode layer 23, whereby the EL layer 16a is formed.
  • the EL layer 16 a is formed thinner than the thickness of the material layer 16.
  • a decomposition product of the polymer compound 17 may be mixed into the EL layer 16a. Therefore, the polymer compound contained in the EL layer 16a is preferably a material in which a decomposition product does not affect the characteristics of the EL layer.
  • the temperature of the second heat treatment exceeds the sublimation temperatures of the first film formation material and the second film formation material, and the first film formation material and the second film formation material are sublimated. It is preferable to set it higher than the temperature within a range not exceeding 50 ° C.
  • the temperature of the heat treatment here is measured on the surface of the first substrate.
  • the second heat treatment it is preferable to perform the second heat treatment so that the sublimation temperature of the first film formation material and the second film formation material is higher than the highest sublimation temperature.
  • the flash lamp 21 is used as the light source for the irradiation light in each of the first and second heat treatments, but various light sources may be used as in the first embodiment. it can.
  • each of the first and second heat treatments is preferably performed in an atmosphere with little moisture and oxygen or a reduced pressure atmosphere.
  • the reduced-pressure atmosphere can be obtained by evacuating the film forming chamber so that the degree of vacuum is 5 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less, preferably about 10 ⁇ 4 Pa to 10 ⁇ 6 Pa.
  • the material layer 16 of the film formation substrate 10a is polymerized as a pretreatment.
  • a first heat treatment is performed by heating to a temperature lower than the glass transition temperature of the compound 17 (that is, a temperature at which the material layer 16 is not transferred).
  • impurities 14 such as moisture having a low sublimation temperature, residual solvent, and residual monomer can be removed from the material layer 16 while holding the first film forming material and the second film forming material in the material layer 16.
  • the deposition substrate 10a including the material layer 16 in which the amount of impurities is reduced can be obtained (see FIG. 3C).
  • impurities in the EL layer 16a that is a layer including the first film-forming material and the second film-forming material which are transferred to the film-forming substrate 20 and formed can be reduced. Thereby, an organic EL element with high characteristics and reliability can be produced.
  • the second substrate 22 that is a deposition target substrate is positioned above the first substrate 11 that is a deposition substrate. It is not limited. The direction in which the substrate is installed can be set as appropriate.
  • Embodiment 4 a film formation method of one embodiment of the present invention will be described. Note that in this embodiment, the case where an EL layer of a light-emitting element is formed using the film formation method of one embodiment of the present invention will be described. Note that the film formation method described in this embodiment is performed using the same materials and manufacturing methods as those in Embodiment 3 unless otherwise specified.
  • FIG. 4 shows an example in which a reflective layer and a heat insulating layer are formed on the first substrate.
  • a reflective layer 203 is selectively formed on one surface of the first substrate 201 which is a support substrate.
  • the reflective layer 203 has an opening.
  • a heat insulating layer 205 is formed on the reflective layer 203.
  • the heat insulating layer 205 has an opening formed at a position overlapping the opening of the reflective layer 203.
  • an absorption layer 207 that covers the opening is formed over the first substrate 201 over which the reflective layer 203 and the heat insulating layer 205 are formed.
  • an organic EL material layer (hereinafter, referred to as “material layer”) 209 including at least a first film formation material, a second film formation material, and a polymer compound (polymer) is formed over the absorption layer 207.
  • the material layer 209 contains impurities such as moisture, residual solvent, and residual monomer.
  • the reflective layer 203 is selectively formed on one surface of the first substrate 201.
  • the reflective layer 203 is a layer that reflects light applied to the first substrate 201 and blocks the material layer 209 formed in a region overlapping with the reflective layer 203 so as not to apply heat. Note that the reflective layer 203 can be the same as that in Embodiment 2.
  • a heat insulating layer 205 is selectively formed on the reflective layer 203.
  • the heat insulating layer 205 is a layer for suppressing the material layer 209 located in the region overlapping with the reflective layer 203 from being heated and sublimated.
  • the heat insulating layer 205 can be the same as that in Embodiment 2.
  • an absorption layer 207 is formed on the heat insulating layer 205.
  • the absorption layer 207 a layer similar to that in Embodiment 2 can be used.
  • the material layer 209 is formed on the absorption layer 207.
  • the material layer 209 can be the same as that in Embodiment 3.
  • the energy intensity is such that the material layer 209 is heated to a temperature lower than the glass transition temperature of the polymer compound. Moreover, it is preferable to set it as the energy intensity which heats the material layer 209 to 100 degreeC or more.
  • the irradiated light is transmitted through the first substrate 201, is reflected in the region where the reflective layer 203 is formed, is transmitted through the opening provided in the reflective layer 203, and overlaps the opening. Absorbed in the absorption layer 207.
  • the material layer 209 in the region overlapping with the absorption layer 207 in the region is heated to a temperature lower than the glass transition temperature of the polymer compound (first heat treatment). .
  • impurities such as moisture, residual solvent, and residual monomer in the material layer 209 are removed.
  • This impurity has a molecular weight of 300 or less.
  • the heating temperature of the material layer 209 is 100 ° C. or higher, impurities having a molecular weight of 300 or less are sufficiently removed.
  • the second substrate 211 is disposed on the first substrate 201 at a position facing the surface on which the material layer 209 and the like are formed.
  • an electrode layer serving as one electrode of the light-emitting element is formed over the second substrate 211. 213.
  • An end portion of the electrode layer 213 is preferably covered with an insulator 215.
  • the electrode layer indicates an electrode which serves as an anode or a cathode of the light emitting element.
  • the first heat treatment illustrated in FIG. 4B can be performed with the first substrate 201 and the second substrate 211 facing each other as illustrated in FIG. 4C. It is. However, in order to prevent impurities released from the heat-treated first substrate from adhering to the second substrate, the first heat treatment is performed with the second substrate facing the first substrate. It is more preferable to carry out without arranging.
  • the surface of the material layer 209 and the surface of the second substrate 211 are arranged with an interval of a distance d.
  • the distance d can be the same as that in the second embodiment.
  • the irradiation conditions at this time are set so that the first film-forming material and the second film-forming material included in the material layer 209 are sublimated. That is, the energy intensity of heating the material layer 209 to be equal to or higher than the highest sublimation temperature among the sublimation temperatures of the first film formation material and the second film formation material.
  • the irradiated light is transmitted through the first substrate 201, is reflected in the region where the reflective layer 203 is formed, is transmitted through the opening provided in the reflective layer 203, and overlaps the opening. Absorbed in the absorption layer 207.
  • the material layer 209 in the region overlapping with the absorption layer 207 in the region is heated (second heat treatment), and the first film formation included in the material layer 209 is performed.
  • the material and the second film formation material are formed on the second substrate 211.
  • the EL layer 217 of the light emitting element is selectively formed over the second substrate 211.
  • the material layer 209 of the film formation substrate is preliminarily treated with glass of a high molecular compound.
  • a first heat treatment for heating to a temperature lower than the transition temperature that is, a temperature at which the material layer 209 is not transferred
  • impurities such as moisture, residual solvent, and residual monomer having a low sublimation temperature can be removed from the material layer 209 while holding the first film formation material and the second film formation material in the material layer 209.
  • a deposition substrate including the material layer 209 in which the amount of impurities is reduced can be obtained (see FIG. 4B).
  • impurities in the EL layer 217 that is a layer including the first film formation material and the second film formation material which are transferred to the deposition target substrate and formed can be reduced. Thereby, an organic EL element with high characteristics and reliability can be produced.

Abstract

　被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法を提供する。本発明の一態様は、第１の基板１１の一方の面上に吸収層１２を形成し、前記吸収層上に成膜材料を含む材料層１３を形成し、前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層１３内の不純物１４を除去し、前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記成膜材料を含む層１３ａを形成することを特徴とする成膜方法である。

Description

成膜方法及び成膜用基板の作製方法
　本発明は、成膜方法及び成膜用基板の作製方法に関する。
　近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）を利用した発光素子の研究が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む発光層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
　メタルマスクを用いない発光層の成膜方法として、成膜用基板（ドナー基板）上に形成された有機ＥＬ材料層を、熱転写により被成膜基板上に成膜する方法がある（例えば特許文献１参照）。
　また、他の発光層の成膜方法として、成膜材料が分散したポリマーを用いた湿式法によって成膜用基板上に有機ＥＬ材料層を形成し、この有機ＥＬ材料層を熱転写により被成膜基板上に成膜する方法がある（例えば特許文献２参照）。
特開２００６－３０９９９５号公報 特開２００８－２９１３５２号公報
　成膜用基板上に形成された有機ＥＬ材料層中に水分又は残留溶媒等の不純物が含まれる場合、熱転写によって被成膜基板上に成膜された発光層にも不純物が混入してしまう。また、バインダとしてポリマーを用いた上記の他の発光層の成膜方法の場合には、湿式法を用いるため、真空蒸着法と比較して不純物が混入する可能性が高くなる。
　本発明の一態様は、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することを課題とする。
　本発明の一態様は、第１の基板の一方の面上に吸収層を形成し、
　前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、
　前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、
　前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、
　前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記成膜材料を含む層を形成することを特徴とする成膜方法である。
　上記本発明の一態様によれば、第１の基板に形成した材料層を第２の基板に転写して成膜する前に、事前処理として第１の基板の材料層を成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱する。これにより、材料層内に成膜材料を保持しながら、昇華温度の低い不純物を材料層内から除去することができ、不純物の量を低減した成膜材料を含む層を第２の基板の被成膜面に形成することができる。
　本発明の一態様は、第１の基板の一方の面上に吸収層を形成し、
　前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
　前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、
　前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、
　前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記第１の成膜材料と前記第２の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法である。
　Ｔａ－１００≦Ｓ≦４００
　ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
　上記本発明の一態様によれば、第１の基板に形成した材料層を第２の基板に転写して成膜する前に、事前処理として第１の基板の材料層を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層内に第１の成膜材料及び第２の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い不純物を材料層内から除去することができ、不純物の量を低減した第１の成膜材料と第２の成膜材料とを含む層を第２の基板の被成膜面に形成することができる。
　また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第１の加熱処理及び前記第２の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。
　本発明の一態様は、基板の一方の面上に吸収層を形成し、
　前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、
　前記基板の他方の面側から材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法である。
　本発明の一態様は、基板の一方の面上に吸収層を形成し、
　前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
　前記基板の他方の面側から材料層に、前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法である。
　Ｔａ－１００≦Ｓ≦４００　・・・（１）
　ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
　また、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法において、前記加熱処理は、光源を用いて前記基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。
　本発明の一態様を適用することで、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することができる。
（Ａ）～（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。 （Ａ）～（Ｃ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。 （Ａ）～（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。 （Ａ）～（Ｃ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。
　以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図１（Ａ）～（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図である。
　まず、図１（Ａ）～（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板１０）の作製方法について説明する。
　図１（Ａ）に示すように、支持基板である第１の基板１１の一方の面上に吸収層１２を形成し、吸収層１２上に少なくとも成膜材料としての有機材料１５を含む有機ＥＬ材料層（以下、「材料層」という。）１３を形成する。図１（Ａ）において、材料層１３には、水分や残留溶媒などの不純物１４が含まれている。
　第１の基板１１は、材料層を被成膜基板に成膜するために照射する光を透過する基板である。よって、第１の基板１１は光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層を成膜するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第１の基板１１として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第１の基板１１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。
　吸収層１２は、材料層１３を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層である。このため、少なくとも材料層１３を加熱する領域に形成されていれば良く、吸収層１２は例えば島状に形成されていても良い。吸収層１２は、照射される光に対して、７０％以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、吸収層１２は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。吸収層１２に用いることができる材料としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることが好ましい。
　吸収層１２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、吸収層１２を形成することができる。また、吸収層１２は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。
　吸収層１２の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、１００ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。特に、吸収層１２の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。
　なお、吸収層１２は、材料層１３に含まれる有機材料１５が成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層１３に用いることが好ましい。また、「成膜温度」とは、熱の作用によって成膜材料の少なくとも一部が成膜用基板より被成膜基板へ転写される温度を示す。
　材料層１３は加熱により第２の基板に転写される層である。被成膜基板上に成膜する成膜材料としての有機材料１５を含んで形成される層である。本実施の形態では、材料層１３に含む成膜材料として一種類の有機材料１５を用いたが、成膜材料として二種類以上の有機材料を用いることもできる。また、材料層１３は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、材料層１３に含まれる有機材料１５が、被成膜基板上に移されることを示す。
　材料層１３は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ノズルプリンティング法又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。
　湿式法を用いて材料層１６を形成するには、所望の成膜材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、成膜材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ成膜材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ－プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸ｎ－ブチル、プロピオン酸エチル、γ－ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減することができる。
　なお、後の工程（図１（Ｄ）の工程）で被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１３ａの膜厚は、支持基板である第１の基板１１上に形成された材料層１３に依存する。そのため、材料層１３の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１３ａの膜厚を制御することができる。また、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
　次いで、図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１３が形成された面と反対側の面から矢印２１ａのように光をフラッシュランプ２１によって照射する。この際の照射条件は、材料層１３に含まれる有機材料１５が昇華されない条件とする。すなわち、材料層１３を有機材料１５の昇華温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層１３を１００℃以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１３が有機材料１５の昇華温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層１３内の水分や残留溶媒などの不純物１４が除去される。なお、この不純物１４は、その分子量が３００以下のものである。材料層１３の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物１４は十分に除去される。
　このようにして図１（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板）１０が作製される。
　次に、図１（Ｄ）に示すように、この成膜用基板１０を用いて材料層１３を被成膜基板２０上に転写して成膜する方法について説明する。
　第１の基板１１において、吸収層１２及び材料層１３が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板２２を配置する。第２の基板２２は、成膜処理により所望の層、例えば電極層２３が成膜された被成膜基板である。第２の基板２２は、必要な耐熱性を有していて表面に絶縁性を有する基板であれば特定のものに限定されない。例えば、ガラス基板、石英基板、絶縁膜を形成したステンレス基板等が挙げられる。また、加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板を用いても良い。
　この後、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１３が形成された面と対向する面から矢印２１ｂのように光をフラッシュランプ２１によって照射する。照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１３が加熱される（第２の加熱処理）。加熱した材料層１３は電極層２３上に成膜され、これによってＥＬ層１３ａが成膜される。
　なお、本実施の形態では、第１及び第２の加熱処理それぞれにおいて、照射する光の光源としてフラッシュランプ２１を用いたが、光源としては種々のものを用いることができる。
　例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ（例えばキセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）として用いても良い。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第１の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって第１の基板１１の加熱の制御もできる。
　また、光源としてレーザ発振装置を用いてもよい。レーザ光としては、例えば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
　なお、照射する光としては、赤外光（波長８００ｎｍ以上）であることが好ましい。赤外光であることにより、吸収層１２における熱変換が効率よく行われ、成膜材料を効率よく加熱させることができる。
　また、第１及び第２の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０－３Ｐａ以下、好ましくは１０－４Ｐａ乃至１０－６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。
　本実施の形態によれば、成膜用基板１０に形成した材料層１３を被成膜基板２０に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板１０の材料層１３を有機材料１５の昇華温度より低い温度（すなわち材料層１３が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層１３内に有機材料１５を保持しながら、昇華温度の低い水分や残留溶媒などの不純物１４を材料層１３内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層１３を有する成膜用基板１０を得ることができる（図１（Ｃ）参照）。従って、被成膜基板２０に転写して成膜された有機材料１５を含む層であるＥＬ層１３ａ内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
　一般に、昇華温度は固体から基体への状態変化が生じる温度をいうが、本明細書等において不純物が液体である場合には、液体から気体への状態変化が生じる温度を含む意味で用いる。つまり、本明細書等において、昇華温度には、液体の蒸発温度（すなわち沸点）が含まれる場合がある。
　なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板２２が、成膜用基板である第１の基板１１の上方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
　第２の加熱処理による成膜方法は、第１の基板１１に形成した材料層１３の膜厚によって、成膜処理により被成膜基板２０に成膜されるＥＬ層１３ａの膜厚を制御することができる。つまり、成膜用基板１０に形成した材料層１３をそのまま成膜すればよいため、膜厚モニターが不要である。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
　（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態１と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。
　図２には第１の基板に反射層、断熱層及び保護層を形成する場合の一例を示している。図２（Ａ）において、支持基板である第１の基板１０１の一方の面上に反射層１０２が選択的に形成されている。なお、反射層１０２は開口部１１２を有している。また、反射層１０２上に断熱層１０４が形成されている。なお、断熱層１０４は反射層１０２の有する開口部と重なる位置に開口部１１２が形成されている。また、反射層１０２及び断熱層１０４が形成された第１の基板１０１上に開口部を覆う吸収層１０３が形成されている。また、吸収層１０３上に、保護層１０６が形成されている。また、保護層１０６上に成膜材料としての有機材料を含む材料層１０５が形成されている。図２（Ａ）において、材料層１０５には、水分や残留溶媒などの不純物が含まれている。
　なお、本明細書において、「重なる」とは、成膜用基板を構成する要素（例えば、反射層や吸収層等）同士が直接接して重なり合う場合だけでなく、間に別の層を介して重なり合う場合も含むものとする。
　以下に成膜用基板の作製方法及びその成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。
　はじめに、第１の基板１０１の一方の面上に反射層１０２を選択的に形成する。反射層１０２は、第１の基板１０１に照射する光を反射して、反射層１０２と重なる領域に形成された材料層１０５に、熱を与えないように遮断する層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。
　反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム－チタン合金、アルミニウム－ネオジム合金、アルミニウム－チタン合金）、または銀を含む合金（銀－ネオジム合金）などを用いることができる。
　なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層１０２を透過することを抑制することができる。
　また、第１の基板１０１に照射する光の波長により、反射層１０２に好適な材料の種類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていても良い。また、反射層を設けず第１の基板１０１上に直接吸収層１０３を形成しても良い。
　また、反射層１０２と吸収層１０３の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上である。
　また、反射層１０２の開口部を形成する際には種々な方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。
　次に、反射層１０２上に断熱層１０４を選択的に形成する。断熱層１０４は、反射層１０２と重なる領域に位置する材料層１０５が加熱され昇華するのを抑制するための層である。断熱層１０４としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし、断熱層１０４は、反射層１０２及び吸収層１０３に用いる材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。
　断熱層１０４は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法などにより形成することができる。また、断熱層の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。断熱層１０４を１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０２が加熱された場合でも、反射層１０２の上に位置する材料層１０５に熱が伝導するのを遮断する効果を有する。
　また、断熱層１０４は、反射層１０２の開口部と重なる領域に開口部が形成されている。断熱層１０４のパターンを形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された断熱層１０４の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。
　なお、断熱層１０４と、反射層１０２のパターン形成を一度のエッチング工程によって行うと、断熱層１０４と反射層１０２に設けられる開口部の側壁をそろえることができ、より微細なパターンを成膜することができるため好ましい。
　また、本実施の形態において、断熱層１０４は反射層１０２と重なる位置のみに形成されているが、反射層１０２及び反射層１０２の開口部を覆って断熱層１０４を形成しても良い。この場合、断熱層１０４は可視光に対する透過性を有する必要がある。
　次に、断熱層１０４上に吸収層１０３を形成する。吸収層１０３は、実施の形態１で示した吸収層１２と同様の材料を用いることができる。なお、吸収層１０３は選択的に形成しても良い。例えば、吸収層１０３を第１の基板１０１の全面に形成した後に、吸収層１０３をパターン形成して、反射層１０２及び断熱層１０４の開口部を覆うように島状にパターン形成する。この場合、全面に吸収層を形成する場合に比べ、吸収層内を面方向に熱が伝導することを防止できるため、より微細なＥＬ層のパターン形成が可能となり、高性能な発光装置を実現することができる。
　次に、吸収層１０３上に保護層１０６を形成する。保護層１０６は、吸収層１０３に用いる物質が昇華し、被成膜基板上に形成するＥＬ層に不純物として混入することを防ぐために形成する。また、保護層１０６は、吸収層１０３の酸化や変質、熱による変形を防止する。保護層１０６を形成することによって、吸収層１０３の劣化を防ぐことができるため、成膜用基板をより多く繰り返し利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。保護層１０６としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、窒化酸化珪素、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化チタン、炭化チタン、または酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等により構成されている。保護層１０６の厚みは、吸収層１０３を良好に保護することができる程度であることが好ましく、例えば１００ｎｍ程度とすることができる。なお、保護層１０６は設けなくても良い。また、保護層１０６は吸収層１０３と重なる部分に選択的に形成しても良い。
　次に、保護層１０６上に材料層１０５を形成する。材料層１０５は、実施の形態１で示した材料層１３と同様のものを用いることができる。また、材料層１０５は選択的に形成しても良い。
　次いで、図２（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の裏面、すなわち材料層１０５が形成された面と反対側の面から矢印１１０ａのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層１０５に含まれる成膜材料が昇華されない条件とする。すなわち、材料層１０５を成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層１０５を１００℃以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。
照射された光は、第１の基板１０１を透過して、反射層１０２が形成された領域においては反射し、反射層１０２に設けられた開口部１１２においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層１０３において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層１０３と重なる領域の材料層１０５が成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層１０５内の水分や残留溶媒などの不純物が除去される。なお、この不純物は、その分子量が３００以下のものである。材料層１０５の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物は十分に除去される。
　次いで、図２（Ｃ）に示すように、第１の基板１０１において、材料層１０５等が形成された面に対向する位置に、第２の基板１０７を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明するため、第２の基板１０７上には、発光素子の一方の電極となる電極層１０８を有している。電極層１０８の端部は、絶縁物１１１で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。
　なお、図２（Ｂ）に示す第１の加熱処理を、図２（Ｃ）に示すように、第１の基板１０１と、第２の基板１０７を対向させて配置した状態で行うことも可能である。ただし、加熱処理された第１の基板から放出された不純物が、第２の基板に付着するのを防止するために、第１の加熱処理は第２の基板を第１の基板に対向させて配置することなく行うのがより好ましい。
　材料層１０５の表面と第２の基板１０７の表面は、距離ｄだけの間隔をとって配置される。ここで、距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下とする。
　なお、距離ｄは、第１の基板上の材料層１０５の表面と、第２の基板の表面との距離で定義するものとする。ただし、第２の基板上に何らかの膜（例えば、電極として機能する導電膜又は隔壁等）が形成され、被成膜基板表面に凹凸を有する場合、距離ｄは、第１の基板上の材料層１０５の表面と、第２の基板に形成された層の最表面、即ち、これらの膜（導電膜又は隔壁等）の表面との距離で定義するものとする。
　この後、図２（Ｃ）に示すように、第１の基板１０１の裏面から矢印１１０のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層１０５に含まれる成膜材料が昇華される条件とする。すなわち、材料層１０５を成膜材料の昇華温度以上に加熱するエネルギー強度とする。照射された光は、第１の基板１０１を透過して、反射層１０２が形成された領域においては反射し、反射層１０２に設けられた開口部１１２においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層１０３において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層１０３と重なる領域の材料層１０５が加熱され（第２の加熱処理）、材料層１０５に含まれる成膜材料が第２の基板１０７上に成膜される。これにより、第２の基板１０７上に、発光素子のＥＬ層１０９が選択的に形成される。
　なお、第１の基板１０１に光１１０を照射した際に、吸収層１０３で発生した熱が面方向に伝導して吸収層に接する反射層１０２が加熱されることがある。また、反射率が８５％以上の材料を用いて反射層１０２を形成したとしても、照射する光の熱量によっては、ある程度の熱の吸収がある。しかしながら、本実施の形態の成膜用基板は、反射層１０２と材料１０５との間に、熱伝導率の低い材料によって形成された断熱層１０４が設けられているため、反射層１０２が加熱された場合であっても、断熱層１０４において、材料層１０５への熱の伝導を遮断することができる。これによって、選択的に、開口部１１２と重なる領域の材料層１０５に含まれる成膜材料を、被成膜基板上に成膜し、所望のパターンのＥＬ層１０９を形成することができる。
　本実施の形態によれば、成膜用基板に形成した材料層１０５を被成膜基板に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板の材料層１０５を成膜材料の昇華温度より低い温度（すなわち材料層が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層１０５内に成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒などの不純物を材料層１０５内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層１０５を有する成膜用基板を得ることができる（図２（Ｂ）参照）。従って、被成膜基板に転写して成膜された成膜材料を含む層であるＥＬ層１０９内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
　なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板１０７が、支持基板である第１の基板１０１の下方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
　（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図３（Ａ）～（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
　まず、図３（Ａ）～（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板）１０ａの作製方法について説明する。
　図３（Ａ）に示すように、第１の基板１１の一方の面上に吸収層１２を形成し、吸収層１２上に少なくとも第１の成膜材料としての有機材料１５ａ、第２の成膜材料としての有機材料（図示せず）及び高分子化合物（ポリマー）１７を含む有機ＥＬ材料層（以下、「材料層」という。）１６を形成する。図３（Ａ）において、材料層１６には、水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物１４が含まれている。
　第１の基板１１は、実施の形態１と同様のものを用いることができる。
　吸収層１２は、材料層１６を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層であり、実施の形態１と同様のものを用いることができる。なお、吸収層１２は、材料層１６に含まれる有機材料１５ａが成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層１３に用いることが好ましい。
　材料層１６は加熱により第２の基板に転写される層である。被成膜基板上に成膜する第１の成膜材料としての有機材料１５及び第２の成膜材料としての有機材料を含んで形成される層である。本実施の形態では、材料層１６に第１の成膜材料と第２の成膜材料の二種を用いたが、材料層１６としては三種以上の成膜材料を用いることもできる。また、材料層１６は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、材料層１６に含まれる第１の成膜材料及び第２の成膜材料が、被成膜基板上に移されることを示す。
　材料層１６は、湿式法を用いて形成することができる。湿式法を用いて材料層１６を形成するには、所望の第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物を溶解あるいは分散させることができ、且つ第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ－プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸ｎ－ブチル、プロピオン酸エチル、γ－ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減することができる。
　なお、後の工程（図３（Ｄ）の工程）で被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１６ａの膜厚は、支持基板である第１の基板１１上に形成された材料層１６に依存する。そのため、材料層１６の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１６ａの膜厚を制御することができる。また、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
　本実施の形態では、被成膜基板上に発光素子のＥＬ層を形成するために、材料層１６に含まれる第１の成膜材料としての有機材料１５ａに発光物質を用い、かつ第２の成膜材料に発光物質を分散する有機化合物を用いる。
　発光物質としては、例えば蛍光を発光する蛍光性化合物や、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
　発光物質を分散する有機化合物としては、発光物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
　なお、材料層１６に含まれる成膜材料として、発光物質を分散させる有機化合物を２種類以上用いても良いし、有機化合物に分散される発光物質を２種類以上用いても良い。また、２種類以上の発光物質を分散させる有機化合物と２種類以上の発光物質を用いても良い。
　材料層１６に含まれる高分子化合物１７としては、ガラス転移温度が下記式（１）を満たす高分子化合物を用いる。さらに好ましくは、ガラス転移温度が下記式（２）を満たす高分子化合物を用いる。なお、下記式（１）、（２）において、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度は同じ真空度（例えば真空度１０－３Ｐａ）で測定することとする。
　Ｔａ－１００≦Ｓ≦４００　・・・（１）
　Ｔａ－７０≦Ｓ≦４００　・・・（２）
　ただし、式（１）、（２）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
　高分子化合物１７のガラス転移温度が上記式（１）、好ましくは上記式（２）を満たす範囲であれば、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の昇華温度のうち低い温度に達しても、昇華温度に達した成膜材料は材料層１６から転写されにくい。これは、高分子化合物１７によって、第１の成膜材料及び第２の成膜材料が材料層１６中で移動することを抑制されるためである。そして、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えると、第１の成膜材料及び第２の成膜材料は材料層１６中を移動することが容易となり、被成膜基板上に転写される。よって、第１の成膜材料の転写と第２の成膜材料の転写に時間差が生じにくくなり、被成膜基板上に濃度勾配の少ないＥＬ層を形成することができる。
　しかし、高分子化合物１７のガラス転移温度が上記式（１）の範囲より低いと、第１の成膜材料及び第２の成膜材料は材料層１６中で移動することを抑制されにくいため、昇華温度の低い成膜材料が先に転写され、その後、昇華温度の高い成膜材料が転写される。また、高分子化合物のガラス転移温度が上記式（１）の範囲より高いと、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えた後も、第１の成膜材料及び第２の成膜材料は材料層１６中で移動することが抑制され、転写が容易に行われなくなる。
　よって、高分子化合物１７としては、ガラス転移温度が上記式（１）、好ましくは上記式（２）を満たす高分子化合物を用いる。
　なお、高分子化合物１７としてガラス転移温度が２００℃の材料を用い、第１の成膜材料および第２の成膜材料として、昇華温度が２１０℃の材料および昇華温度が２６０℃の材料を用いた場合には、良好な転写が実現された。一方で、高分子化合物１７としてガラス転移温度が２００℃の材料を用い、第１の成膜材料および第２の成膜材料として、昇華温度が２１０℃の材料および昇華温度が３０２℃の材料を用いた場合には、良好な転写は実現されなかった。このことは、上記式（１）、（２）に合致する条件において、好適な材料層１６が実現されることを示すものである。
　材料層１６に含まれる高分子化合物１７としては、シクロオレフィンポリマーが好ましい。シクロオレフィンポリマーは溶媒に溶けやすいため、被成膜基板に成膜した後、成膜用基板上に残った第１の成膜材料及び第２の成膜材料を含むシクロオレフィンポリマーを溶媒に再溶解することで、成膜用基板を再利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。また、高分子化合物１７として、オレフィン、ビニル、アクリル又はポリイミド（ＰＩ）等を用いても良いし、高分子材料のＥＬ材料を用いても良い。高分子材料のＥＬ材料としては、例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）やポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）が挙げられる。また、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やシロキサンのような架橋型ポリマーを用いても良い。なお、本明細書中において、高分子化合物とは、１種もしくは複数種の単量体（モノマー）による繰り返し構造を持つ重合体（ポリマー）を意味する。
　高分子化合物は粘度の調整が容易であるため、用途に応じて高分子化合物の溶液の粘度を自由に調整できる。例えば、液滴吐出法により材料層１６が形成される場合、高分子化合物の溶液の粘度を高めることで、被成膜面上に高分子化合物が拡がらず、微細なパターンを形成することができる。
　高分子化合物の粘度の調整は、高分子化合物の分子量を調整する、又は高分子化合物と溶媒の比率を変えることで実現することができる。一般に、高分子化合物の比率が高くなると、溶液の粘度が高くなる。
　次いで、図３（Ｂ）に示すように、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１６が形成された面と反対側の面から矢印２１ａのように光をフラッシュランプ２１によって照射する。この際の照射条件は、高分子化合物１７が軟化しない条件とする。すなわち、材料層１６を高分子化合物１７のガラス転移温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層１６が１００℃以上に加熱されるエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１６が高分子化合物１７のガラス転移温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層１６内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物１４が除去される。なお、この不純物１４は、その分子量が３００以下のものである。材料層１６の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物１４は十分に除去される。
　このようにして図３（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板）１０ａが作製される。
　次に、図３（Ｄ）に示すように、この成膜用基板１０ａを用いて材料層１６を被成膜基板２０上に転写して成膜する方法について説明する。
　第１の基板１１において、吸収層１２及び材料層１６が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板２２を配置する。第２の基板２２は、実施の形態１と同様のものを用いることができる。
　この後、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１６が形成された第１の基板１１の他方の面側から第２の加熱処理を行うことにより、材料層１６中の、第１の成膜材料及び第２の成膜材料が、第２の基板２２上に成膜される。これにより、第２の基板２２上に発光素子のＥＬ層１６ａが形成され、第１の基板１１上に高分子化合物１７を有する層１６ｂが残される。第２の加熱処理は、矢印２１ｂのように光をフラッシュランプ２１によって照射することで行う。詳細には、照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１６が加熱される。加熱した材料層１６は電極層２３上に成膜され、これによってＥＬ層１６ａが成膜される。
　なお、ＥＬ層１６ａは、材料層１６の厚さよりも薄く形成される。また、ＥＬ層１６ａに、高分子化合物１７の分解物が混入することもある。よって、ＥＬ層１６ａに含まれる高分子化合物は分解物がＥＬ層の特性に影響を及ぼさない材料であることが好ましい。
　本実施の形態において、第２の加熱処理の温度は、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度を超えて、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度より５０℃を超えない範囲で高く設定することが好ましい。ここでの加熱処理の温度は第１の基板表面において計測したものである。
　また、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度のうち、最も高い昇華温度以上の温度となるよう、第２の加熱処理を行うことが好ましい。この場合、昇華温度が最も高い成膜材料の昇華温度を超えて５０℃までの温度範囲内で高めの温度に設定することが好ましいが、昇華温度が低い物質の分解温度、被成膜基板との距離、被成膜基板の材質及び厚さを考慮して、上記温度範囲内で低めの温度（ただし、昇華温度が最も高い物質の昇華温度以上とする）に設定しても良い。
　なお、本実施の形態では、第１及び第２の加熱処理それぞれにおいて、照射する光の光源としてフラッシュランプ２１を用いたが、光源としては実施の形態１と同様に種々のものを用いることができる。
　また、第１及び第２の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０－３Ｐａ以下、好ましくは１０－４Ｐａ乃至１０－６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。
　本実施の形態によれば、成膜用基板１０ａに形成した材料層１６を被成膜基板２０に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板１０ａの材料層１６を高分子化合物１７のガラス転移温度より低い温度（すなわち材料層１６が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層１６内に第１の成膜材料及び第２の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒や残留モノマーなどの不純物１４を材料層１６内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層１６を有する成膜用基板１０ａを得ることができる（図３（Ｃ）参照）。従って、被成膜基板２０に転写して成膜された第１の成膜材料及び第２の成膜材料を含む層であるＥＬ層１６ａ内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
　なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板２２が、成膜用基板である第１の基板１１の上方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
　（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態３と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。
　図４には第１の基板に反射層及び断熱層を形成する場合の一例を示している。図４（Ａ）において、支持基板である第１の基板２０１の一方の面上に反射層２０３が選択的に形成されている。なお、反射層２０３は開口部を有している。また、反射層２０３上に断熱層２０５が形成されている。なお、断熱層２０５は反射層２０３の有する開口部と重なる位置に開口部が形成されている。また、反射層２０３及び断熱層２０５が形成された第１の基板２０１上に開口部を覆う吸収層２０７が形成されている。また、吸収層２０７上に少なくとも第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物（ポリマー）を含む有機ＥＬ材料層（以下、「材料層」という。）２０９が形成されている。図４（Ａ）において、材料層２０９には、水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物が含まれている。
　以下に成膜用基板の作製方法及びその成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。
　はじめに、第１の基板２０１の一方の面上に反射層２０３を選択的に形成する。反射層２０３は、第１の基板２０１に照射する光を反射して、反射層２０３と重なる領域に形成された材料層２０９に、熱を与えないように遮断する層である。なお、反射層２０３は、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
　次に、反射層２０３上に断熱層２０５を選択的に形成する。断熱層２０５は、反射層２０３と重なる領域に位置する材料層２０９が加熱され昇華するのを抑制するための層である。断熱層２０５は、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
　次に、断熱層２０５上に吸収層２０７を形成する。吸収層２０７は、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
　次に、吸収層２０７上に材料層２０９を形成する。材料層２０９は、実施の形態３と同様のものを用いることができる。
　次いで、図４（Ｂ）に示すように、第１の基板２０１の裏面、すなわち材料層２０９が形成された面と反対側の面から矢印１１０ａのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層２０９に含まれる高分子化合物が軟化しない条件とする。すなわち、材料層２０９を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層２０９を１００℃以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第１の基板２０１を透過して、反射層２０３が形成された領域においては反射し、反射層２０３に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層２０７において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層２０７と重なる領域の材料層２０９が高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層２０９内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物が除去される。なお、この不純物は、その分子量が３００以下のものである。材料層２０９の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物は十分に除去される。
　次いで、図４（Ｃ）に示すように、第１の基板２０１において、材料層２０９等が形成された面に対向する位置に、第２の基板２１１を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明するため、第２の基板２１１上には、発光素子の一方の電極となる電極層２１３を有している。電極層２１３の端部は、絶縁物２１５で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。
　なお、図４（Ｂ）に示す第１の加熱処理を、図４（Ｃ）に示すように、第１の基板２０１と、第２の基板２１１を対向させて配置した状態で行うことも可能である。ただし、加熱処理された第１の基板から放出された不純物が、第２の基板に付着するのを防止するために、第１の加熱処理は第２の基板を第１の基板に対向させて配置することなく行うのがより好ましい。
　材料層２０９の表面と第２の基板２１１の表面は、距離ｄだけの間隔をとって配置される。距離ｄは、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
　この後、図４（Ｃ）に示すように、第１の基板２０１の裏面から矢印１１０のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層２０９に含まれる第１の成膜材料及び第２の成膜材料が昇華される条件とする。すなわち、材料層２０９を第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度のうち、最も高い昇華温度以上に加熱するエネルギー強度とする。照射された光は、第１の基板２０１を透過して、反射層２０３が形成された領域においては反射し、反射層２０３に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層２０７において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層２０７と重なる領域の材料層２０９が加熱され（第２の加熱処理）、材料層２０９に含まれる第１の成膜材料及び第２成膜材料が第２の基板２１１上に成膜される。これにより、第２の基板２１１上に、発光素子のＥＬ層２１７が選択的に形成される。
　本実施の形態によれば、成膜用基板に形成した材料層２０９を被成膜基板に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板の材料層２０９を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度（すなわち材料層２０９が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層２０９内に第１の成膜材料及び第２の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物を材料層２０９内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層２０９を有する成膜用基板を得ることができる（図４（Ｂ）参照）。従って、被成膜基板に転写して成膜された第１の成膜材料及び第２の成膜材料を含む層であるＥＬ層２１７内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
１０，１０ａ　　成膜用基板（ドナー基板）
１１　　第１の基板
１２　　吸収層
１３，１６　　材料層
１３ａ，１６ａ　　ＥＬ層
１４　　不純物
１５，１５ａ　　有機材料
１６ｂ　　高分子化合物を有する層
１７　　高分子化合物（ポリマー）
２１　　フラッシュランプ
２１ａ，２１ｂ　　矢印
２３，１０８，２１３　　電極層
１０１，２０１　　第１の基板
１０２，２０３　　反射層
１０３，２０７　　吸収層
１０４，２０５　　断熱層
１０５，２０９　　材料層
１０６　　保護層
１０７，２１１　　第２の基板
１０９，２１７　　ＥＬ層
１１０，１１０ａ　　矢印
１１１，２１５　　絶縁物

Claims (6)

  1. 　第１の基板の一方の面上に吸収層を形成し、
    　前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、
    　前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、
    　前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、
    　前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記成膜材料を含む層を形成することを特徴とする成膜方法。
  2. 　第１の基板の一方の面上に吸収層を形成し、
    　前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
    　前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、
    　前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、
    　前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記第１の成膜材料と前記第２の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法。
    　Ｔａ－１００≦Ｓ≦４００　・・・（１）
    　ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
  3. 　請求項１又は２において、
    　前記第１の加熱処理及び前記第２の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。
  4. 　基板の一方の面上に吸収層を形成し、
    　前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、
    　前記基板の他方の面側から材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法。
  5. 　基板の一方の面上に吸収層を形成し、
    　前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
    　前記基板の他方の面側から材料層に、前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法。
    　Ｔａ－１００≦Ｓ≦４００　・・・（１）
    　ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
  6. 　請求項４又は５において、
    　前記加熱処理は、光源を用いて前記基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜用基板の作製方法。
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