JP5747022B2 - 成膜方法及び成膜用基板の作製方法 - Google Patents

成膜方法及び成膜用基板の作製方法 Download PDF

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Description

本発明は、成膜方法及び成膜用基板の作製方法に関する。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）を利用した発光素子の研究が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む発光層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
メタルマスクを用いない発光層の成膜方法として、成膜用基板（ドナー基板）上に形成された有機ＥＬ材料層を、熱転写により被成膜基板上に成膜する方法がある（例えば特許文献１参照）。
また、他の発光層の成膜方法として、成膜材料が分散したポリマーを用いた湿式法によって成膜用基板上に有機ＥＬ材料層を形成し、この有機ＥＬ材料層を熱転写により被成膜基板上に成膜する方法がある（例えば特許文献２参照）。
特開２００６−３０９９９５号公報 特開２００８−２９１３５２号公報
成膜用基板上に形成された有機ＥＬ材料層中に水分又は残留溶媒等の不純物が含まれる場合、熱転写によって被成膜基板上に成膜された発光層にも不純物が混入してしまう。また、バインダとしてポリマーを用いた上記の他の発光層の成膜方法の場合には、湿式法を用いるため、真空蒸着法と比較して不純物が混入する可能性が高くなる。
本発明の一態様は、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、第１の基板の一方の面上に吸収層を形成し、
前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、
前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、
前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記成膜材料を含む層を形成することを特徴とする成膜方法である。
上記本発明の一態様によれば、第１の基板に形成した材料層を第２の基板に転写して成膜する前に、事前処理として第１の基板の材料層を成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱する。これにより、材料層内に成膜材料を保持しながら、昇華温度の低い不純物を材料層内から除去することができ、不純物の量を低減した成膜材料を含む層を第２の基板の被成膜面に形成することができる。
本発明の一態様は、第１の基板の一方の面上に吸収層を形成し、
前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、
前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記第１の成膜材料と前記第２の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法である。
Ｔａ−１００≦Ｓ≦４００
ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
上記本発明の一態様によれば、第１の基板に形成した材料層を第２の基板に転写して成膜する前に、事前処理として第１の基板の材料層を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層内に第１の成膜材料及び第２の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い不純物を材料層内から除去することができ、不純物の量を低減した第１の成膜材料と第２の成膜材料とを含む層を第２の基板の被成膜面に形成することができる。
また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第１の加熱処理及び前記第２の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。
本発明の一態様は、基板の一方の面上に吸収層を形成し、
前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、
前記基板の他方の面側から材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法である。
本発明の一態様は、基板の一方の面上に吸収層を形成し、
前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
前記基板の他方の面側から材料層に、前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法である。
Ｔａ−１００≦Ｓ≦４００ ・・・（１）
ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
また、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法において、前記加熱処理は、光源を用いて前記基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。
本発明の一態様を適用することで、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することができる。
（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。 （Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。 （Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。 （Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図である。
まず、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板１０）の作製方法について説明する。
図１（Ａ）に示すように、支持基板である第１の基板１１の一方の面上に吸収層１２を形成し、吸収層１２上に少なくとも成膜材料としての有機材料１５を含む有機ＥＬ材料層（以下、「材料層」という。）１３を形成する。図１（Ａ）において、材料層１３には、水分や残留溶媒などの不純物１４が含まれている。
第１の基板１１は、材料層を被成膜基板に成膜するために照射する光を透過する基板である。よって、第１の基板１１は光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層を成膜するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第１の基板１１として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第１の基板１１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。
吸収層１２は、材料層１３を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層である。このため、少なくとも材料層１３を加熱する領域に形成されていれば良く、吸収層１２は例えば島状に形成されていても良い。吸収層１２は、照射される光に対して、７０％以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、吸収層１２は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。吸収層１２に用いることができる材料としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることが好ましい。
吸収層１２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、吸収層１２を形成することができる。また、吸収層１２は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。
吸収層１２の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、１００ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。特に、吸収層１２の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。
なお、吸収層１２は、材料層１３に含まれる有機材料１５が成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層１３に用いることが好ましい。また、「成膜温度」とは、熱の作用によって成膜材料の少なくとも一部が成膜用基板より被成膜基板へ転写される温度を示す。
材料層１３は加熱により第２の基板に転写される層である。被成膜基板上に成膜する成膜材料としての有機材料１５を含んで形成される層である。本実施の形態では、材料層１３に含む成膜材料として一種類の有機材料１５を用いたが、成膜材料として二種類以上の有機材料を用いることもできる。また、材料層１３は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、材料層１３に含まれる有機材料１５が、被成膜基板上に移されることを示す。
材料層１３は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ノズルプリンティング法又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。
湿式法を用いて材料層１６を形成するには、所望の成膜材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、成膜材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ成膜材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減することができる。
なお、後の工程（図１（Ｄ）の工程）で被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１３ａの膜厚は、支持基板である第１の基板１１上に形成された材料層１３に依存する。そのため、材料層１３の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１３ａの膜厚を制御することができる。また、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
次いで、図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１３が形成された面と反対側の面から矢印２１ａのように光をフラッシュランプ２１によって照射する。この際の照射条件は、材料層１３に含まれる有機材料１５が昇華されない条件とする。すなわち、材料層１３を有機材料１５の昇華温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層１３を１００℃以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１３が有機材料１５の昇華温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層１３内の水分や残留溶媒などの不純物１４が除去される。なお、この不純物１４は、その分子量が３００以下のものである。材料層１３の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物１４は十分に除去される。
このようにして図１（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板）１０が作製される。
次に、図１（Ｄ）に示すように、この成膜用基板１０を用いて材料層１３を被成膜基板２０上に転写して成膜する方法について説明する。
第１の基板１１において、吸収層１２及び材料層１３が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板２２を配置する。第２の基板２２は、成膜処理により所望の層、例えば電極層２３が成膜された被成膜基板である。第２の基板２２は、必要な耐熱性を有していて表面に絶縁性を有する基板であれば特定のものに限定されない。例えば、ガラス基板、石英基板、絶縁膜を形成したステンレス基板等が挙げられる。また、加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板を用いても良い。
この後、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１３が形成された面と対向する面から矢印２１ｂのように光をフラッシュランプ２１によって照射する。照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１３が加熱される（第２の加熱処理）。加熱した材料層１３は電極層２３上に成膜され、これによってＥＬ層１３ａが成膜される。
なお、本実施の形態では、第１及び第２の加熱処理それぞれにおいて、照射する光の光源としてフラッシュランプ２１を用いたが、光源としては種々のものを用いることができる。
例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ（例えばキセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）として用いても良い。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第１の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって第１の基板１１の加熱の制御もできる。
また、光源としてレーザ発振装置を用いてもよい。レーザ光としては、例えば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
なお、照射する光としては、赤外光（波長８００ｎｍ以上）であることが好ましい。赤外光であることにより、吸収層１２における熱変換が効率よく行われ、成膜材料を効率よく加熱させることができる。
また、第１及び第２の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。
本実施の形態によれば、成膜用基板１０に形成した材料層１３を被成膜基板２０に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板１０の材料層１３を有機材料１５の昇華温度より低い温度（すなわち材料層１３が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層１３内に有機材料１５を保持しながら、昇華温度の低い水分や残留溶媒などの不純物１４を材料層１３内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層１３を有する成膜用基板１０を得ることができる（図１（Ｃ）参照）。従って、被成膜基板２０に転写して成膜された有機材料１５を含む層であるＥＬ層１３ａ内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
一般に、昇華温度は固体から基体への状態変化が生じる温度をいうが、本明細書等において不純物が液体である場合には、液体から気体への状態変化が生じる温度を含む意味で用いる。つまり、本明細書等において、昇華温度には、液体の蒸発温度（すなわち沸点）が含まれる場合がある。
なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板２２が、成膜用基板である第１の基板１１の上方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
第２の加熱処理による成膜方法は、第１の基板１１に形成した材料層１３の膜厚によって、成膜処理により被成膜基板２０に成膜されるＥＬ層１３ａの膜厚を制御することができる。つまり、成膜用基板１０に形成した材料層１３をそのまま成膜すればよいため、膜厚モニターが不要である。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態１と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。
図２には第１の基板に反射層、断熱層及び保護層を形成する場合の一例を示している。図２（Ａ）において、支持基板である第１の基板１０１の一方の面上に反射層１０２が選択的に形成されている。なお、反射層１０２は開口部１１２を有している。また、反射層１０２上に断熱層１０４が形成されている。なお、断熱層１０４は反射層１０２の有する開口部と重なる位置に開口部１１２が形成されている。また、反射層１０２及び断熱層１０４が形成された第１の基板１０１上に開口部を覆う吸収層１０３が形成されている。また、吸収層１０３上に、保護層１０６が形成されている。また、保護層１０６上に成膜材料としての有機材料を含む材料層１０５が形成されている。図２（Ａ）において、材料層１０５には、水分や残留溶媒などの不純物が含まれている。
なお、本明細書において、「重なる」とは、成膜用基板を構成する要素（例えば、反射層や吸収層等）同士が直接接して重なり合う場合だけでなく、間に別の層を介して重なり合う場合も含むものとする。
以下に成膜用基板の作製方法及びその成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。
はじめに、第１の基板１０１の一方の面上に反射層１０２を選択的に形成する。反射層１０２は、第１の基板１０１に照射する光を反射して、反射層１０２と重なる領域に形成された材料層１０５に、熱を与えないように遮断する層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。
反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金）、または銀を含む合金（銀−ネオジム合金）などを用いることができる。
なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層１０２を透過することを抑制することができる。
また、第１の基板１０１に照射する光の波長により、反射層１０２に好適な材料の種類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていても良い。また、反射層を設けず第１の基板１０１上に直接吸収層１０３を形成しても良い。
また、反射層１０２と吸収層１０３の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上である。
また、反射層１０２の開口部を形成する際には種々な方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。
次に、反射層１０２上に断熱層１０４を選択的に形成する。断熱層１０４は、反射層１０２と重なる領域に位置する材料層１０５が加熱され昇華するのを抑制するための層である。断熱層１０４としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし、断熱層１０４は、反射層１０２及び吸収層１０３に用いる材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。
断熱層１０４は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法などにより形成することができる。また、断熱層の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。断熱層１０４を１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０２が加熱された場合でも、反射層１０２の上に位置する材料層１０５に熱が伝導するのを遮断する効果を有する。
また、断熱層１０４は、反射層１０２の開口部と重なる領域に開口部が形成されている。断熱層１０４のパターンを形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された断熱層１０４の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。
なお、断熱層１０４と、反射層１０２のパターン形成を一度のエッチング工程によって行うと、断熱層１０４と反射層１０２に設けられる開口部の側壁をそろえることができ、より微細なパターンを成膜することができるため好ましい。
また、本実施の形態において、断熱層１０４は反射層１０２と重なる位置のみに形成されているが、反射層１０２及び反射層１０２の開口部を覆って断熱層１０４を形成しても良い。この場合、断熱層１０４は可視光に対する透過性を有する必要がある。
次に、断熱層１０４上に吸収層１０３を形成する。吸収層１０３は、実施の形態１で示した吸収層１２と同様の材料を用いることができる。なお、吸収層１０３は選択的に形成しても良い。例えば、吸収層１０３を第１の基板１０１の全面に形成した後に、吸収層１０３をパターン形成して、反射層１０２及び断熱層１０４の開口部を覆うように島状にパターン形成する。この場合、全面に吸収層を形成する場合に比べ、吸収層内を面方向に熱が伝導することを防止できるため、より微細なＥＬ層のパターン形成が可能となり、高性能な発光装置を実現することができる。
次に、吸収層１０３上に保護層１０６を形成する。保護層１０６は、吸収層１０３に用いる物質が昇華し、被成膜基板上に形成するＥＬ層に不純物として混入することを防ぐために形成する。また、保護層１０６は、吸収層１０３の酸化や変質、熱による変形を防止する。保護層１０６を形成することによって、吸収層１０３の劣化を防ぐことができるため、成膜用基板をより多く繰り返し利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。保護層１０６としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、窒化酸化珪素、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化チタン、炭化チタン、または酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等により構成されている。保護層１０６の厚みは、吸収層１０３を良好に保護することができる程度であることが好ましく、例えば１００ｎｍ程度とすることができる。なお、保護層１０６は設けなくても良い。また、保護層１０６は吸収層１０３と重なる部分に選択的に形成しても良い。
次に、保護層１０６上に材料層１０５を形成する。材料層１０５は、実施の形態１で示した材料層１３と同様のものを用いることができる。また、材料層１０５は選択的に形成しても良い。
次いで、図２（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の裏面、すなわち材料層１０５が形成された面と反対側の面から矢印１１０ａのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層１０５に含まれる成膜材料が昇華されない条件とする。すなわち、材料層１０５を成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層１０５を１００℃以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。
照射された光は、第１の基板１０１を透過して、反射層１０２が形成された領域においては反射し、反射層１０２に設けられた開口部１１２においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層１０３において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層１０３と重なる領域の材料層１０５が成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層１０５内の水分や残留溶媒などの不純物が除去される。なお、この不純物は、その分子量が３００以下のものである。材料層１０５の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物は十分に除去される。
次いで、図２（Ｃ）に示すように、第１の基板１０１において、材料層１０５等が形成された面に対向する位置に、第２の基板１０７を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明するため、第２の基板１０７上には、発光素子の一方の電極となる電極層１０８を有している。電極層１０８の端部は、絶縁物１１１で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。
なお、図２（Ｂ）に示す第１の加熱処理を、図２（Ｃ）に示すように、第１の基板１０１と、第２の基板１０７を対向させて配置した状態で行うことも可能である。ただし、加熱処理された第１の基板から放出された不純物が、第２の基板に付着するのを防止するために、第１の加熱処理は第２の基板を第１の基板に対向させて配置することなく行うのがより好ましい。
材料層１０５の表面と第２の基板１０７の表面は、距離ｄだけの間隔をとって配置される。ここで、距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下とする。
なお、距離ｄは、第１の基板上の材料層１０５の表面と、第２の基板の表面との距離で定義するものとする。ただし、第２の基板上に何らかの膜（例えば、電極として機能する導電膜又は隔壁等）が形成され、被成膜基板表面に凹凸を有する場合、距離ｄは、第１の基板上の材料層１０５の表面と、第２の基板に形成された層の最表面、即ち、これらの膜（導電膜又は隔壁等）の表面との距離で定義するものとする。
この後、図２（Ｃ）に示すように、第１の基板１０１の裏面から矢印１１０のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層１０５に含まれる成膜材料が昇華される条件とする。すなわち、材料層１０５を成膜材料の昇華温度以上に加熱するエネルギー強度とする。照射された光は、第１の基板１０１を透過して、反射層１０２が形成された領域においては反射し、反射層１０２に設けられた開口部１１２においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層１０３において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層１０３と重なる領域の材料層１０５が加熱され（第２の加熱処理）、材料層１０５に含まれる成膜材料が第２の基板１０７上に成膜される。これにより、第２の基板１０７上に、発光素子のＥＬ層１０９が選択的に形成される。
なお、第１の基板１０１に光１１０を照射した際に、吸収層１０３で発生した熱が面方向に伝導して吸収層に接する反射層１０２が加熱されることがある。また、反射率が８５％以上の材料を用いて反射層１０２を形成したとしても、照射する光の熱量によっては、ある程度の熱の吸収がある。しかしながら、本実施の形態の成膜用基板は、反射層１０２と材料１０５との間に、熱伝導率の低い材料によって形成された断熱層１０４が設けられているため、反射層１０２が加熱された場合であっても、断熱層１０４において、材料層１０５への熱の伝導を遮断することができる。これによって、選択的に、開口部１１２と重なる領域の材料層１０５に含まれる成膜材料を、被成膜基板上に成膜し、所望のパターンのＥＬ層１０９を形成することができる。
本実施の形態によれば、成膜用基板に形成した材料層１０５を被成膜基板に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板の材料層１０５を成膜材料の昇華温度より低い温度（すなわち材料層が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層１０５内に成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒などの不純物を材料層１０５内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層１０５を有する成膜用基板を得ることができる（図２（Ｂ）参照）。従って、被成膜基板に転写して成膜された成膜材料を含む層であるＥＬ層１０９内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板１０７が、支持基板である第１の基板１０１の下方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図３（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
まず、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板）１０ａの作製方法について説明する。
図３（Ａ）に示すように、第１の基板１１の一方の面上に吸収層１２を形成し、吸収層１２上に少なくとも第１の成膜材料としての有機材料１５ａ、第２の成膜材料としての有機材料（図示せず）及び高分子化合物（ポリマー）１７を含む有機ＥＬ材料層（以下、「材料層」という。）１６を形成する。図３（Ａ）において、材料層１６には、水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物１４が含まれている。
第１の基板１１は、実施の形態１と同様のものを用いることができる。
吸収層１２は、材料層１６を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層であり、実施の形態１と同様のものを用いることができる。なお、吸収層１２は、材料層１６に含まれる有機材料１５ａが成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層１３に用いることが好ましい。
材料層１６は加熱により第２の基板に転写される層である。被成膜基板上に成膜する第１の成膜材料としての有機材料１５及び第２の成膜材料としての有機材料を含んで形成される層である。本実施の形態では、材料層１６に第１の成膜材料と第２の成膜材料の二種を用いたが、材料層１６としては三種以上の成膜材料を用いることもできる。また、材料層１６は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、材料層１６に含まれる第１の成膜材料及び第２の成膜材料が、被成膜基板上に移されることを示す。
材料層１６は、湿式法を用いて形成することができる。湿式法を用いて材料層１６を形成するには、所望の第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物を溶解あるいは分散させることができ、且つ第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減することができる。
なお、後の工程（図３（Ｄ）の工程）で被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１６ａの膜厚は、支持基板である第１の基板１１上に形成された材料層１６に依存する。そのため、材料層１６の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第２の基板２２上に形成されるＥＬ層１６ａの膜厚を制御することができる。また、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
本実施の形態では、被成膜基板上に発光素子のＥＬ層を形成するために、材料層１６に含まれる第１の成膜材料としての有機材料１５ａに発光物質を用い、かつ第２の成膜材料に発光物質を分散する有機化合物を用いる。
発光物質としては、例えば蛍光を発光する蛍光性化合物や、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
発光物質を分散する有機化合物としては、発光物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
なお、材料層１６に含まれる成膜材料として、発光物質を分散させる有機化合物を２種類以上用いても良いし、有機化合物に分散される発光物質を２種類以上用いても良い。また、２種類以上の発光物質を分散させる有機化合物と２種類以上の発光物質を用いても良い。
材料層１６に含まれる高分子化合物１７としては、ガラス転移温度が下記式（１）を満たす高分子化合物を用いる。さらに好ましくは、ガラス転移温度が下記式（２）を満たす高分子化合物を用いる。なお、下記式（１）、（２）において、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度は同じ真空度（例えば真空度１０−３Ｐａ）で測定することとする。
Ｔａ−１００≦Ｓ≦４００ ・・・（１）
Ｔａ−７０≦Ｓ≦４００ ・・・（２）
ただし、式（１）、（２）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
高分子化合物１７のガラス転移温度が上記式（１）、好ましくは上記式（２）を満たす範囲であれば、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の昇華温度のうち低い温度に達しても、昇華温度に達した成膜材料は材料層１６から転写されにくい。これは、高分子化合物１７によって、第１の成膜材料及び第２の成膜材料が材料層１６中で移動することを抑制されるためである。そして、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えると、第１の成膜材料及び第２の成膜材料は材料層１６中を移動することが容易となり、被成膜基板上に転写される。よって、第１の成膜材料の転写と第２の成膜材料の転写に時間差が生じにくくなり、被成膜基板上に濃度勾配の少ないＥＬ層を形成することができる。
しかし、高分子化合物１７のガラス転移温度が上記式（１）の範囲より低いと、第１の成膜材料及び第２の成膜材料は材料層１６中で移動することを抑制されにくいため、昇華温度の低い成膜材料が先に転写され、その後、昇華温度の高い成膜材料が転写される。また、高分子化合物のガラス転移温度が上記式（１）の範囲より高いと、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えた後も、第１の成膜材料及び第２の成膜材料は材料層１６中で移動することが抑制され、転写が容易に行われなくなる。
よって、高分子化合物１７としては、ガラス転移温度が上記式（１）、好ましくは上記式（２）を満たす高分子化合物を用いる。
なお、高分子化合物１７としてガラス転移温度が２００℃の材料を用い、第１の成膜材料および第２の成膜材料として、昇華温度が２１０℃の材料および昇華温度が２６０℃の材料を用いた場合には、良好な転写が実現された。一方で、高分子化合物１７としてガラス転移温度が２００℃の材料を用い、第１の成膜材料および第２の成膜材料として、昇華温度が２１０℃の材料および昇華温度が３０２℃の材料を用いた場合には、良好な転写は実現されなかった。このことは、上記式（１）、（２）に合致する条件において、好適な材料層１６が実現されることを示すものである。
材料層１６に含まれる高分子化合物１７としては、シクロオレフィンポリマーが好ましい。シクロオレフィンポリマーは溶媒に溶けやすいため、被成膜基板に成膜した後、成膜用基板上に残った第１の成膜材料及び第２の成膜材料を含むシクロオレフィンポリマーを溶媒に再溶解することで、成膜用基板を再利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。また、高分子化合物１７として、オレフィン、ビニル、アクリル又はポリイミド（ＰＩ）等を用いても良いし、高分子材料のＥＬ材料を用いても良い。高分子材料のＥＬ材料としては、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）やポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）が挙げられる。また、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やシロキサンのような架橋型ポリマーを用いても良い。なお、本明細書中において、高分子化合物とは、１種もしくは複数種の単量体（モノマー）による繰り返し構造を持つ重合体（ポリマー）を意味する。
高分子化合物は粘度の調整が容易であるため、用途に応じて高分子化合物の溶液の粘度を自由に調整できる。例えば、液滴吐出法により材料層１６が形成される場合、高分子化合物の溶液の粘度を高めることで、被成膜面上に高分子化合物が拡がらず、微細なパターンを形成することができる。
高分子化合物の粘度の調整は、高分子化合物の分子量を調整する、又は高分子化合物と溶媒の比率を変えることで実現することができる。一般に、高分子化合物の比率が高くなると、溶液の粘度が高くなる。
次いで、図３（Ｂ）に示すように、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１６が形成された面と反対側の面から矢印２１ａのように光をフラッシュランプ２１によって照射する。この際の照射条件は、高分子化合物１７が軟化しない条件とする。すなわち、材料層１６を高分子化合物１７のガラス転移温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層１６が１００℃以上に加熱されるエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１６が高分子化合物１７のガラス転移温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層１６内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物１４が除去される。なお、この不純物１４は、その分子量が３００以下のものである。材料層１６の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物１４は十分に除去される。
このようにして図３（Ｃ）に示す成膜用基板（ドナー基板）１０ａが作製される。
次に、図３（Ｄ）に示すように、この成膜用基板１０ａを用いて材料層１６を被成膜基板２０上に転写して成膜する方法について説明する。
第１の基板１１において、吸収層１２及び材料層１６が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板２２を配置する。第２の基板２２は、実施の形態１と同様のものを用いることができる。
この後、第１の基板１１の裏面、すなわち材料層１６が形成された第１の基板１１の他方の面側から第２の加熱処理を行うことにより、材料層１６中の、第１の成膜材料及び第２の成膜材料が、第２の基板２２上に成膜される。これにより、第２の基板２２上に発光素子のＥＬ層１６ａが形成され、第１の基板１１上に高分子化合物１７を有する層１６ｂが残される。第２の加熱処理は、矢印２１ｂのように光をフラッシュランプ２１によって照射することで行う。詳細には、照射された光は、第１の基板１１を透過して、吸収層１２において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層１２と重なる領域の材料層１６が加熱される。加熱した材料層１６は電極層２３上に成膜され、これによってＥＬ層１６ａが成膜される。
なお、ＥＬ層１６ａは、材料層１６の厚さよりも薄く形成される。また、ＥＬ層１６ａに、高分子化合物１７の分解物が混入することもある。よって、ＥＬ層１６ａに含まれる高分子化合物は分解物がＥＬ層の特性に影響を及ぼさない材料であることが好ましい。
本実施の形態において、第２の加熱処理の温度は、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度を超えて、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度より５０℃を超えない範囲で高く設定することが好ましい。ここでの加熱処理の温度は第１の基板表面において計測したものである。
また、第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度のうち、最も高い昇華温度以上の温度となるよう、第２の加熱処理を行うことが好ましい。この場合、昇華温度が最も高い成膜材料の昇華温度を超えて５０℃までの温度範囲内で高めの温度に設定することが好ましいが、昇華温度が低い物質の分解温度、被成膜基板との距離、被成膜基板の材質及び厚さを考慮して、上記温度範囲内で低めの温度（ただし、昇華温度が最も高い物質の昇華温度以上とする）に設定しても良い。
なお、本実施の形態では、第１及び第２の加熱処理それぞれにおいて、照射する光の光源としてフラッシュランプ２１を用いたが、光源としては実施の形態１と同様に種々のものを用いることができる。
また、第１及び第２の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。
本実施の形態によれば、成膜用基板１０ａに形成した材料層１６を被成膜基板２０に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板１０ａの材料層１６を高分子化合物１７のガラス転移温度より低い温度（すなわち材料層１６が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層１６内に第１の成膜材料及び第２の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒や残留モノマーなどの不純物１４を材料層１６内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層１６を有する成膜用基板１０ａを得ることができる（図３（Ｃ）参照）。従って、被成膜基板２０に転写して成膜された第１の成膜材料及び第２の成膜材料を含む層であるＥＬ層１６ａ内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板２２が、成膜用基板である第１の基板１１の上方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態３と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。
図４には第１の基板に反射層及び断熱層を形成する場合の一例を示している。図４（Ａ）において、支持基板である第１の基板２０１の一方の面上に反射層２０３が選択的に形成されている。なお、反射層２０３は開口部を有している。また、反射層２０３上に断熱層２０５が形成されている。なお、断熱層２０５は反射層２０３の有する開口部と重なる位置に開口部が形成されている。また、反射層２０３及び断熱層２０５が形成された第１の基板２０１上に開口部を覆う吸収層２０７が形成されている。また、吸収層２０７上に少なくとも第１の成膜材料、第２の成膜材料及び高分子化合物（ポリマー）を含む有機ＥＬ材料層（以下、「材料層」という。）２０９が形成されている。図４（Ａ）において、材料層２０９には、水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物が含まれている。
以下に成膜用基板の作製方法及びその成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。
はじめに、第１の基板２０１の一方の面上に反射層２０３を選択的に形成する。反射層２０３は、第１の基板２０１に照射する光を反射して、反射層２０３と重なる領域に形成された材料層２０９に、熱を与えないように遮断する層である。なお、反射層２０３は、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
次に、反射層２０３上に断熱層２０５を選択的に形成する。断熱層２０５は、反射層２０３と重なる領域に位置する材料層２０９が加熱され昇華するのを抑制するための層である。断熱層２０５は、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
次に、断熱層２０５上に吸収層２０７を形成する。吸収層２０７は、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
次に、吸収層２０７上に材料層２０９を形成する。材料層２０９は、実施の形態３と同様のものを用いることができる。
次いで、図４（Ｂ）に示すように、第１の基板２０１の裏面、すなわち材料層２０９が形成された面と反対側の面から矢印１１０ａのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層２０９に含まれる高分子化合物が軟化しない条件とする。すなわち、材料層２０９を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層２０９を１００℃以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第１の基板２０１を透過して、反射層２０３が形成された領域においては反射し、反射層２０３に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層２０７において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層２０７と重なる領域の材料層２０９が高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱される（第１の加熱処理）。これにより、材料層２０９内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物が除去される。なお、この不純物は、その分子量が３００以下のものである。材料層２０９の加熱温度が１００℃以上であると、分子量３００以下の不純物は十分に除去される。
次いで、図４（Ｃ）に示すように、第１の基板２０１において、材料層２０９等が形成された面に対向する位置に、第２の基板２１１を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明するため、第２の基板２１１上には、発光素子の一方の電極となる電極層２１３を有している。電極層２１３の端部は、絶縁物２１５で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。
なお、図４（Ｂ）に示す第１の加熱処理を、図４（Ｃ）に示すように、第１の基板２０１と、第２の基板２１１を対向させて配置した状態で行うことも可能である。ただし、加熱処理された第１の基板から放出された不純物が、第２の基板に付着するのを防止するために、第１の加熱処理は第２の基板を第１の基板に対向させて配置することなく行うのがより好ましい。
材料層２０９の表面と第２の基板２１１の表面は、距離ｄだけの間隔をとって配置される。距離ｄは、実施の形態２と同様のものを用いることができる。
この後、図４（Ｃ）に示すように、第１の基板２０１の裏面から矢印１１０のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層２０９に含まれる第１の成膜材料及び第２の成膜材料が昇華される条件とする。すなわち、材料層２０９を第１の成膜材料及び第２の成膜材料の昇華温度のうち、最も高い昇華温度以上に加熱するエネルギー強度とする。照射された光は、第１の基板２０１を透過して、反射層２０３が形成された領域においては反射し、反射層２０３に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層２０７において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層２０７と重なる領域の材料層２０９が加熱され（第２の加熱処理）、材料層２０９に含まれる第１の成膜材料及び第２成膜材料が第２の基板２１１上に成膜される。これにより、第２の基板２１１上に、発光素子のＥＬ層２１７が選択的に形成される。
本実施の形態によれば、成膜用基板に形成した材料層２０９を被成膜基板に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板の材料層２０９を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度（すなわち材料層２０９が転写されない温度）に加熱する第１の加熱処理を行う。これにより、材料層２０９内に第１の成膜材料及び第２の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物を材料層２０９内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層２０９を有する成膜用基板を得ることができる（図４（Ｂ）参照）。従って、被成膜基板に転写して成膜された第１の成膜材料及び第２の成膜材料を含む層であるＥＬ層２１７内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
１０，１０ａ 成膜用基板（ドナー基板）
１１ 第１の基板
１２ 吸収層
１３，１６ 材料層
１３ａ，１６ａ ＥＬ層
１４ 不純物
１５，１５ａ 有機材料
１６ｂ 高分子化合物を有する層
１７ 高分子化合物（ポリマー）
２１ フラッシュランプ
２１ａ，２１ｂ 矢印
２３，１０８，２１３ 電極層
１０１，２０１ 第１の基板
１０２，２０３ 反射層
１０３，２０７ 吸収層
１０４，２０５ 断熱層
１０５，２０９ 材料層
１０６ 保護層
１０７，２１１ 第２の基板
１０９，２１７ ＥＬ層
１１０，１１０ａ 矢印
１１１，２１５ 絶縁物

Claims (4)

  1. 第１の基板の一方の面上に吸収層を形成し、
    前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
    前記第１の基板の他方の面側から前記材料層に前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で第１の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、
    前記第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させて配置し、
    前記第１の基板の他方の面から前記材料層に第２の加熱処理をすることにより、前記第２の基板の前記被成膜面に前記第１の成膜材料と前記第２の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法。
    Ｔａ−１００≦Ｓ≦４００ ・・・（１）
    ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
  2. 請求項１において、
    前記第１の加熱処理及び前記第２の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。
  3. 基板の一方の面上に吸収層を形成し、
    前記吸収層上に第１の成膜材料、第２の成膜材料及び下記式（１）を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、
    前記基板の他方の面側から材料層に、前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法。
    Ｔａ−１００≦Ｓ≦４００ ・・・（１）
    ただし、式（１）中、Ｓは高分子化合物のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔａは、第１の成膜材料又は第２の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度（℃）を示す。
  4. 請求項３において、
    前記加熱処理は、光源を用いて前記基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜用基板の作製方法。
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