JP5170933B2 - 有機発光ダイオードデバイスの製造方法 - Google Patents
有機発光ダイオードデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5170933B2 JP5170933B2 JP2003128649A JP2003128649A JP5170933B2 JP 5170933 B2 JP5170933 B2 JP 5170933B2 JP 2003128649 A JP2003128649 A JP 2003128649A JP 2003128649 A JP2003128649 A JP 2003128649A JP 5170933 B2 JP5170933 B2 JP 5170933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- donor
- coating
- ppm
- chamber
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 156
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 151
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 143
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 105
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 40
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims description 38
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 44
- -1 aluminum hydroxyquinoline Chemical compound 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 12
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 9
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 7
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 7
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- BRXJHKLIGJBQSK-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC2=C(C=CC=C12)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC2=C(C=CC=C12)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 BRXJHKLIGJBQSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HOEOVAJYEQMKPZ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline;4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1.C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 HOEOVAJYEQMKPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical class C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRHRKAAUZBIJEX-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=C(C=C1)N(C1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C.C1(=CC2=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C1C1=C6C5=C4C3=C21)N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=C(C=C2)C2=CC=C(C=C2)N(C2=CC1=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C2C2=C6C5=C4C3=C12)C1=CC=CC=C1.C1=C(C=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)N(C4=CC=CC=C4)C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)N(C4=CC=5C=2C=CC=C3C=CC=C(C1=CC=CC(=C4)C15)C32)C3=CC=CC=C3 Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=C(C=C1)N(C1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C.C1(=CC2=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C1C1=C6C5=C4C3=C21)N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=C(C=C2)C2=CC=C(C=C2)N(C2=CC1=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C2C2=C6C5=C4C3=C12)C1=CC=CC=C1.C1=C(C=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)N(C4=CC=CC=C4)C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)N(C4=CC=5C=2C=CC=C3C=CC=C(C1=CC=CC(=C4)C15)C32)C3=CC=CC=C3 ZRHRKAAUZBIJEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJXPCTFJIXONII-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 Chemical group C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 YJXPCTFJIXONII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBHMDLISMHTPHE-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC12.C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=C(C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C.C1(=CC=CC=C1)C=CC1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC12.C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=C(C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C1=CC=C(C=C1)C)C.C1(=CC=CC=C1)C=CC1=CC=CC=C1 GBHMDLISMHTPHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQBRSLSDSPDBSV-UHFFFAOYSA-N C1=C(C=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C2C=C1)C1=CC=CC=C1.C1=C(C=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C34)N(C3=CC=CC=C3)C3=CC=C(C=C3)C3=CC=C(C=C3)N(C3=CC4=CC=C2C=CC=C1C=CC(=C3)C4=C12)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C=CC=C4C3=CC(=CC=C3C1=C24)N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=C(C=C2)C2=CC=C(C=C2)N(C=2C=C4C1=CC=CC3=CC=CC(C4=CC2)=C31)C3=CC=CC=C3 Chemical group C1=C(C=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C2C=C1)C1=CC=CC=C1.C1=C(C=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C34)N(C3=CC=CC=C3)C3=CC=C(C=C3)C3=CC=C(C=C3)N(C3=CC4=CC=C2C=CC=C1C=CC(=C3)C4=C12)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C=CC=C4C3=CC(=CC=C3C1=C24)N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=C(C=C2)C2=CC=C(C=C2)N(C=2C=C4C1=CC=CC3=CC=CC(C4=CC2)=C31)C3=CC=CC=C3 GQBRSLSDSPDBSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000819038 Chichester Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N [In+3].[O-2].[Mg+2] Chemical compound [In+3].[O-2].[Mg+2] GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical class 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical group C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000005606 carbostyryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000006081 fluorescent whitening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- WWYSMCZQKNFPTD-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[n-(1,2-dihydroacenaphthylen-3-yl)anilino]phenyl]phenyl]-n-phenyl-1,2-dihydroacenaphthylen-3-amine;1-n,5-n-dinaphthalen-1-yl-1-n,5-n-diphenylnaphthalene-1,5-diamine;n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC(=C2C=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1.C1=CC(C2=3)=CC=CC=3CCC2=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=2CCC3=CC=CC(C=23)=CC=1)C1=CC=CC=C1 WWYSMCZQKNFPTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBMXAWJSNIAHFR-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(NC=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)=CC=C21 SBMXAWJSNIAHFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-pyren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]pyren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C(C2=C43)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC4=CC=CC5=CC=C(C3=C54)C=2)C=C1 UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- USPVIMZDBBWXGM-UHFFFAOYSA-N nickel;oxotungsten Chemical compound [Ni].[W]=O USPVIMZDBBWXGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031070 response to heat Effects 0.000 description 1
- 230000006335 response to radiation Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/136—Coating process making radiation sensitive element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光ダイオード(OLED)デバイスの製造に関する。
【0002】
【従来の技術】
赤、緑及び青の色画素のような着色画素(通常RGB画素という。)を配列したカラー又はフルカラー有機電場発光(EL)表示装置(有機発光ダイオードデバイス又はOLEDデバイスとしても知られている)においては、RGB画素を形成するため発色性有機EL媒体を精密にパターン化する必要がある。基本的な有機ELデバイスは、共通要素として、アノード、カソード、及び該アノードと該カソードとに挟まれた有機EL媒体を含む。有機EL媒体は1又は2層以上の有機薄膜からなることができ、その一つが主として発光、すなわち電場発光を担う。この特定の層を、一般に有機EL媒体の発光層と称する。有機EL媒体中に存在する他の有機層は、主として電子的輸送機能を提供することができ、そして(正孔輸送のための)正孔輸送層又は(電子輸送のための)電子輸送層と呼ばれる。フルカラーOLED表示パネルのRGB画素を形成する際には、有機EL媒体の発光層又は有機EL媒体全体を精密にパターン化する方法を考案する必要がある。
【0003】
典型的には、電場発光画素は、米国特許第5742129号に記載されているようなシャドーマスク技法によりディスプレイ上に形成される。この技法は有効であるが、いくつかの欠点がある。シャドーマスク技法では、解像度の高い画素サイズを達成することが困難である。さらに、基板とシャドーマスクとの間のアラインメントの問題があり、画素を適当な位置に形成させることに慎重にならなければならない。基板を大きくする場合には、シャドーマスクを操作して適切な位置に画素を形成させることが困難となる。シャドーマスク技法のさらなる欠点は、マスクの開口部が時間とともに目詰まりすることである。マスクの開口部が目詰まりすると、ELディスプレイ上に機能しない画素が生じ、望ましくない。
【0004】
高解像度OLED表示装置をパターン化するのに適した方法が、譲受人共通の米国特許第5851709号(Grandeら)に記載されている。この方法は、(1)対向する第1表面及び第2表面を有する基板を用意し、(2)該基板の第1表面の上に透光性断熱層を形成し、(3)該断熱層の上に吸光層を形成し、(4)該基板に、該第2表面から該断熱層にまで延在する開口部の配列を設け、(5)該吸光層の上に転写可能な発色性有機ドナー層を形成し、(6)該基板の開口部とデバイス上の対応するカラー画素とが配向するように該ドナー基板をディスプレイ基板に対して精密にアラインし、そして(7)該ドナー基板上の有機層を該ディスプレイ基板に転写させるに十分な熱を該開口部上の吸光層に発生させるための輻射線源を使用する、という工程序列を含む。Grandeらの方法にまつわる問題は、ドナー基板上の開口部の配列をパターン化しなければならないことにある。このことは、ドナー基板とディスプレイ基板との間で精密に機械的にアラインメントしなければならないことをはじめとする、シャドーマスク技法の場合と同様の問題の多くを生ぜしめる。さらに、ドナーのパターンが固定され、容易に変更できないという問題もある。
【0005】
パターン化されていないドナーシートとレーザーのような精密光源とを使用することにより、パターン化ドナーに見られる困難の一部を取り除くことができる。Littman及びTang(譲受人共通の米国特許第5688551号)は、パターン化されていないドナーシートからEL基板へ有機EL材料をパターン様式で転写することを教示している。Wolkらの一連の特許(米国特許第6114088号、同第6140009号、同第6214520号及び同第6221553号)は、ドナーの特定部分をレーザー光で加熱することにより、ドナーシートから基板へELデバイスの発光層を転写することができる方法を教示している。
【0006】
譲受人共通の米国特許第5937272号(Tang)に、薄膜トランジスタ(TFT)アレイ基板上にEL材料を蒸着させることにより多色画素(例、赤色、緑色及び青色の二次画素)をパターン化する方法が記載されている。このようなEL材料は、支持体上のドナーコーティング及び開口部マスクを使用することにより、選ばれたパターンで基板上に付着される。開口部マスクは、(上記米国特許の図1に示されているように)ドナー層と基板との間に独立した実在物として存在させてもよいし、また(上記米国特許の図4、図5及び図6に示されているように)ドナー層に組み込まれていてもよい。
【0007】
EL材料の転写は、Tangが上記米国特許に記載しているようなチャンバを使用して、酸素及び/又は水分を減少させた条件下で行われることが好ましい。ドナー層(及び、独立体である場合には、開口部)と基板とは、密接した状態で保たれる必要がある。一例として、Tangは、意図する底部電極のドナー標的とドナー層との間に好適な距離が存在するように、開口部又はドナー層を不動態化層に近づけて、又はその上に、保持することを示している。真空又は減圧を使用することにより、ドナーから基板へのEL材料の転写を促進することができる。転写の際にこのような条件を使用することは、一部のEL材料が酸素及び/又は湿分に対して不安定であることからも、有利である。例えば、OLEDデバイスに用いられるアルミニウムヒドロキシキノリン(Alq)は、水と反応することが知られている。さらに、低分子型ELデバイスにも高分子型ELデバイスにも使用されている電極材料は、空気中では極めて不安定である。転写工程に際し酸素及び/又は水分の少ない条件を採用することにより、OLEDデバイスの故障率を低下させることができる。さらに、Littman、Tang及びWolkが教示する方法では、ドナー材料がその基板への転写前に劣化することが原因で、OLEDデバイスが損失する場合もあった。一般に、ドナー材料は、その調製場所からその基板への転写場所へ輸送される。この間に、酸素、湿分その他の大気成分によってドナーが汚染される可能性がある。このような汚染は、当該ドナーから調製されるOLED表示装置の歩留りを低下させる原因となり得る。
【0008】
【特許文献1】
米国特許第5688551号明細書
【特許文献2】
米国特許第5742129号明細書
【特許文献3】
米国特許第5851709号明細書
【特許文献4】
米国特許第5937272号明細書
【特許文献5】
米国特許第6114088号明細書
【特許文献6】
米国特許第6140009号明細書
【特許文献7】
米国特許第6214520号明細書
【特許文献8】
米国特許第6211553号明細書
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、シャドーマスクを不要とする方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、ドナー要素を使用する方法ではあるが、ドナー要素を汚染し又は損傷することのないように、ドナー要素をその使用場所から離れた場所で用意してその用意したドナー要素を輸送することにまつわる問題を解消する方法を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、フルカラーOLED表示装置を製造するのに有効利用することができる、シャドーマスクを使用しない改良された方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、湿分又は酸素に対して不安定な有機発光ダイオードデバイスを少なくとも部分的に製造するための現場製法であって、
(a)雰囲気制御式コーターの中に、該有機発光ダイオードデバイスの一部をなす受容体要素を設置し、
(b)該雰囲気制御式コーターの中にドナー支持体要素を設置し、そして該ドナー支持体要素にコーティングを施すことにより、該有機発光ダイオードデバイスの全部又は一部を製造するのに必要な1又は2以上の層を有するドナー要素を製造し、
(c)該雰囲気制御式コーターの内部雰囲気を、当該水蒸気量が0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように、もしくは当該酸素量が0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように、又は当該水蒸気量と当該酸素量との両方がそれぞれ0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように制御し、
(d)該ドナー要素の被覆面を、被覆すべき該受容体要素に対して、材料転写関係をなすように配置し、そして
(e)該ドナー要素に輻射線を当てることにより、該ドナー要素から該受容体要素へ1又は2以上の層を選択的に転写する
工程を含むことを特徴とする有機発光ダイオードデバイスの製造方法によって達成される。
【0011】
【発明の実施の形態】
用語「OLEDデバイス」は、譲受人共通の米国特許第5937272号(Tang)及び譲受人共通の米国特許第5688551号(Littman及びTang)に記載されているように、電場発光装置及びELデバイスとも呼ばれる有機発光ダイオードを含むデバイスをさす。用語「表示装置」又は「表示パネル」は、ビデオ画像又はテキストを電子的に表示することができるスクリーンをさす。用語「画素」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、表示パネルの一領域であって、他の領域とは独立に発光するように刺激され得る領域をさす。用語「多色」は、異なる領域で異なる色相の光を発することができる表示パネルをさし、具体的には、異なる色の画像を表示することができる表示パネルをさす。これらの領域は必ずしも隣接しなくてもよい。用語「フルカラー」は、可視スペクトルの赤、緑及び青の各色域で発光し、任意の組合せの色相で画像を表示することができる多色表示パネルをさす。赤、緑及び青の各色は三原色を構成し、この三原色を適宜混合することにより他のすべての色を発生させることができる。用語「色相」は、可視スペクトル内の発光強度プロファイルをさし、異なる色相は視覚的に識別できる色差を示す。画素又は二次画素とは、一般に、表示パネルにおいてアドレス可能な最小単位をさす。モノクロ表示装置の場合、画素又は二次画素の間に区別はない。用語「二次画素」は、多色表示パネルにおいて使用されることがあり、特定の色を発光するために独立にアドレスすることができる画素の部分をさす。例えば、青色二次画素は、青光を発するためにアドレスすることができる画素の当該部分である。フルカラー表示装置の場合、一つの画素が、三原色の二次画素、すなわち青、緑及び赤で構成されることが一般的である。用語「ピッチ」は、表示パネルにおける2つの画素又は二次画素を隔てる距離をさす。したがって、二次画素ピッチとは、2つの二次画素間の分離を意味する。用語「真空」は、本明細書では、1トル(torr)以下の圧力をさす。
【0012】
図1は、ドナー支持体要素30のコーティングと、当該コーティング材料の受容体要素42への転写とを、同一の雰囲気制御式チャンバ内で行う、本発明の実施態様の1つを示す横断面図である。雰囲気制御式コーター10は、OLEDデバイスを製造するための現場製法を可能にする、本明細書に記載する密閉式装置である。すなわち、本密閉式装置によると、制御された雰囲気条件下で、ドナー支持体要素30にカーテン塗布法、スプレー塗布法、グラビア塗布法及び回転塗布法のような手段でコーティングを施し、その後そのコーティングされた材料を、感熱転写法等により、受容体要素42のようなOLED基板へ転写することが可能である。制御された雰囲気条件とは、全体の圧力が1トルより高い状態において、当該水蒸気量が好ましくは1000ppm以下である、もしくは当該酸素量が好ましくは1000ppm以下である、又はその両方である、ことを意味する。水蒸気量及び/又は酸素量を完全に零まで下げることは不可能であるが、制御された雰囲気条件は、これらの成分量を極微量、すなわち感知できないレベル(例、0.001ppm)にまで低下させることは可能である。雰囲気の制御は、周知の各種技法、例えば、酸素もしくは水蒸気スクラバー、又は精製ガスの使用、によって実現することができる。雰囲気制御式コーター10は、1つのチャンバを含むものであってもよいし、ロードロックや同様に作用する装置、例えば、トンネル又はバッファチャンバ、で連結され得る数に制限のない複数のチャンバを含むことにより、ドナー要素及び受容体要素を湿分及び/又は酸素に晒すことなく輸送できるものであってもよい。雰囲気制御式コーター10の内部条件は雰囲気制御源12によって維持される。雰囲気制御式コーター10は、当該チャンバにドナー支持体要素30を装填するために用いられるロードロック14を含む。雰囲気制御式コーター10は、使用済みドナー要素31を取り出すために用いられるロードロック16をも含む。ロードロック14及び16は、雰囲気制御式コーター10の内部状態を外部環境で汚染することなく、材料を雰囲気制御式コーター10へ導入し、また、そこから取り出すための手段である。雰囲気制御式コーター10の内部に、コーティングステーション20、溶剤除去ステーション22及び転写ステーション24を含むことができる。コーティングステーション20は、ドナー支持体要素30にカーテン塗布法、スプレー塗布法、グラビア塗布法及び回転塗布法のような手段でコーティングを施すことができる、雰囲気制御式コーター10内部の場所である。溶剤除去ステーション22は、コーティング作業で使用された一切の溶剤を除去する、雰囲気制御式コーター10内部の場所である。転写ステーション24は、コーティングされた材料を、感熱転写法等により、受容体要素42へ転写することを促進する、雰囲気制御式コーター10内部の場所である。
【0013】
ドナー支持体要素30は、ロードロック14によって、雰囲気制御式コーター10に導入される。ドナー支持体要素30は、カーテン塗布法、スプレー塗布法、グラビア塗布法及び回転塗布法のような手段によってコーティング層を受け入れることができる要素である。必要に応じて、ドナー支持体要素30をドナー支持体32によって支えてもよい。コーティングステーション20はコーティング装置34を含む。コーティング装置34は、ドナー支持体要素30の上に厚さの正確な均一コーティングを生ぜしめるように材料をコーティングすることができる任意の装置からなることができる。ドナー支持体要素30にコーティングを施すのに適した方法の例として、カーテン塗布法、スプレー塗布法、溶液塗布法、メニスカス塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法及びロール(roll-to-roll)塗布法が挙げられる。これらの方法のいずれを使用しても、所望の転写可能な有機ドナー材料が所定の厚さでコーティングされた支持体を、容易に大量調製することができる。有機発光デバイスの場合、軟質ドナー支持体要素の上にドナーコーティングを調製するのに好適な方法は、支持体上のコーティングの厚さ及び均一性を2〜3%よりも良好な精度で精密に制御することができるので、ロール塗布法である。さらに、複数のソースを、ドナー支持体要素30又は受容体要素42の上に独立した複数の層をコーティングするために雰囲気制御式コーター10の内部で数回使用すること、又は追加のドナー支持体要素30をコーティングするために使用することができる。コーティング装置34を活性化させ、材料をドナー支持体要素30に一様にコーティングすることにより、それをドナー要素31にする。ドナー要素31は、OLEDデバイスの一部又は全部を製造することができ、かつ、その後に感熱転写法等により全部又は一部が転写され得る1又は2以上の被覆層がコーティングされた要素である。
【0014】
ドナー支持体要素30は、少なくとも下記の要件を満たす数種の材料のいずれか又はそのような材料の組合せでできていることができる。ドナー支持体要素30は、本発明の実施に際し、支持体のロール間輸送又はスタック型シート輸送及びコーティング工程を許容するに十分な柔軟性と十分な引張強さとを兼ね備えていなければならない。ドナー支持体要素30は、片面を加圧しながらの輻射線加熱式転写工程に際し、及び水蒸気のような揮発成分を除去するための一切の予備加熱工程に際し、構造的団結性を維持することができなければならない。さらに、ドナー支持体要素30は、比較的薄い材料コーティングを片面上に受容すること、及びそのコーティングを当該被覆支持体の予測される保存期間中劣化させることなく保持することができなければならない。これらの要件を満たす支持体の材料としては、例えば、金属箔、プラスチック箔及び繊維強化プラスチック箔が挙げられる。好適な支持体材料の選定は既知の工学的手法によることができるが、本発明の実施に際して有用なドナー支持体要素30として構成されるときに、選ばれた支持体材料の特定の側面がさらなる検討に値することが認識されている。例えば、ドナー支持体要素30が、材料をコーティングする前に、多段階洗浄及び表面調製工程を必要とすることもあり得る。当該支持体材料が輻射線透過性材料である場合には、適当なレーザーからのレーザー光のような適当な輻射線源からの輻射線フラッシュを使用する時に、ドナー支持体要素30の内部又はその表面に輻射線吸収材料を含めると、ドナー支持体要素30の加熱効果が高くなり、これに応じて材料のドナー要素31から受容体要素42への転写性が向上することとなり、有利となり得る。
【0015】
典型的なOLEDデバイスは下記の層を、通常、アノード、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及びカソードの順序で、含有することができる。ドナー支持体要素30の上にコーティングされた材料は、正孔注入性材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料、ホスト材料、アノード材料、カソード材料、輻射線吸収性材料、又はこれら材料の任意の組合せであることができる。当該材料は湿分及び/又は酸素に対して不安定である、すなわち、水、水蒸気又は酸素の存在が当該材料の性能又は品質に悪影響を及ぼし得る。
【0016】
正孔注入性 (HI) 材料
常に必要であるものではないが、有機発光表示装置に正孔注入層を設けることが有用となる場合が多い。正孔注入層は、後続の有機層の薄膜形成特性を改良し、かつ、正孔を正孔輸送層に注入し易くするように機能し得る。正孔注入層に使用するのに適した材料として、譲受人共通の米国特許第4720432号に記載されているようなポルフィリン系化合物や、譲受人共通の米国特許第6208075号に記載されているようなプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマーが挙げられるが、これらに限定はされない。有機ELデバイスにおいて有用であることが報告されている別の正孔注入性材料が、欧州特許出願公開第0891121号A1及び同第1029909号A1に記載されている。
【0017】
正孔輸送性 (HT) 材料
コーティングされる材料として有用な正孔輸送性材料は、芳香族第三アミンのような化合物を含むことがよく知られている。芳香族第三アミンとは、その少なくとも一つが芳香族環の環員である炭素原子にのみ結合している3価窒素原子を1個以上含有する化合物であると解される。一つの形態として、芳香族第三アミンはアリールアミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであることができる。トリアリールアミン単量体の例が、米国特許第3180730号(Klupfelら)に示されている。1以上のビニル基で置換された、及び/又は少なくとも一つの活性水素含有基を含む、その他の好適なトリアリールアミンが、譲受人共通の米国特許第3567450号及び同第3658520号(Brantleyら)に記載されている。
【0018】
より好ましい種類の芳香族第三アミンは、譲受人共通の米国特許第4720432号及び同第5061569号に記載されているような芳香族第三アミン部分を2個以上含有するものである。このような化合物には、下記構造式(A)で表わされるものが含まれる。
【0019】
【化1】
【0020】
上式中、Q1及びQ2は各々独立に選ばれた芳香族第三アミン部分であり、そしてGは、アリーレン、シクロアルキレン又は炭素-炭素結合のアルキレン基のような結合基である。一つの実施態様において、Q1及びQ2の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体(例、ナフタレン)を含有する。Gがアリール基である場合、それはフェニレン部分、ビフェニレン部分又はナフタレン部分であることが便利である。
構造式(A)を満たし、かつ、2つのトリアリールアミン部分を含有する有用な種類のトリアリールアミンは、下記構造式(B)で表わされる。
【0021】
【化2】
【0022】
上式中、R1及びR2は、各々独立に、水素原子、アリール基もしくはアルキル基を表わすか、又は、R1及びR2は一緒にシクロアルキル基を完成する原子群を表わし、そして
R3及びR4は、各々独立に、アリール基であってそれ自体が下記構造式(C)で示されるようなジアリール置換型アミノ基で置換されているものを表わす。
【0023】
【化3】
【0024】
上式中、R5及びR6は各々独立に選ばれたアリール基である。一つの実施態様において、R5及びR6の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体(例、ナフタレン)を含有する。
別の種類の芳香族第三アミンはテトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、アリーレン基を介して結合された構造式(C)で示したようなジアリールアミノ基を2個含む。有用なテトラアリールジアミンには、下記構造式(D)で表わされるものが含まれる。
【0025】
【化4】
【0026】
上式中、Areは各々独立に選ばれたアリーレン基、例えば、フェニレン又はアントラセン部分であり、
nは1〜4の整数であり、そして
Ar、R7、R8及びR9は各々独立に選ばれたアリール基である。
典型的な実施態様では、Ar、R7、R8及びR9の少なくとも一つが多環式縮合環構造体(例、ナフタレン)である。
【0027】
上記構造式(A)、(B)、(C)、(D)の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン部分は、各々それ自体が置換されていてもよい。典型的な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基並びにフッ化物、塩化物及び臭化物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキル及びアルキレン部分は、典型的には約1〜6個の炭素原子を含有する。シクロアルキル部分は3〜約10個の炭素原子を含有し得るが、典型的には、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルの環構造体のように、5個、6個又は7個の環炭素原子を含有する。アリール部分及びアリーレン部分は、通常はフェニル部分及びフェニレン部分である。
【0028】
正孔輸送層は、芳香族第三アミン化合物の単体又は混合物で形成することができる。具体的には、構造式(B)を満たすトリアリールアミンのようなトリアリールアミンを、構造式(D)が示すようなテトラアリールジアミンと組み合わせて使用することができる。トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合わせて使用する場合、後者を、トリアリールアミンと電子注入及び輸送層との間に挿入された層として配置する。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン
4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン
N,N,N-トリ(p-トリル)アミン
4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン
N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
N-フェニルカルバゾール
ポリ(N-ビニルカルバゾール)
N,N’-ジ-1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(8-フルオランテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン
2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-ターフェニル
4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ}ビフェニル
4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
【0029】
別の種類の有用な正孔輸送性材料として、欧州特許第1009041号に記載されているような多環式芳香族化合物が挙げられる。さらに、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン及びPEDOT/PSSとも呼ばれているポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレンスルホネート)のようなコポリマー、といった高分子正孔輸送性材料を使用することもできる。
【0030】
発光性材料
コーティングされる材料として有用な発光性材料は周知である。譲受人共通の米国特許第4769292号及び同第5935721号に詳述されているように、有機EL要素の発光層(LEL)は発光材料又は蛍光材料を含み、その領域において電子-正孔対が再結合する結果として電場発光が生じる。発光層は、単一材料で構成することもできるが、より一般的には、ホスト材料に単一又は複数種のゲスト化合物をドーピングしてなり、そこで主として当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限はない。発光層に含まれるホスト材料は、後述する電子輸送性材料、上述した正孔輸送性材料、又は正孔-電子再結合を支援する別の材料、であることができる。ドーパントは、通常は高蛍光性色素の中から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第98/55561号、同第00/18851号、同第00/57676号及び同第00/70655号に記載されているような遷移金属錯体も有用である。ドーパントは、ホスト材料中、0.01〜10質量%の範囲内で塗布されることが典型的である。
【0031】
ドーパントとしての色素を選定するための重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道との間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポテンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へのエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さいことが必須条件となる。
【0032】
有用性が知られているホスト及び発光性分子として、譲受人共通の米国特許第4769292号、同第5141671号、同第5150006号、同第5151629号、同第5294870号、同第5405709号、同第5484922号、同第5593788号、同第5645948号、同第5683823号、同第5755999号、同第5928802号、同第5935720号、同第5935721号及び同第6020078号に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【0033】
8-ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の金属錯体(下記構造式E)は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、500 nmよりも長い波長の光(例、緑色、黄色、橙色及び赤色)を放出させるのに適している。
【0034】
【化5】
【0035】
上式中、Mは金属を表わし、nは1〜3の整数であり、そしてZは、各々独立に、縮合芳香族環を2個以上有する核を完成する原子群を表わす。
上記より、当該金属は1価、2価又は3価になり得ることが明白である。当該金属は、例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムのようなアルカリ金属、マグネシウムもしくはカルシウムのようなアルカリ土類金属、又はホウ素もしくはアルミニウムのような土類金属であることができる。一般に、有用なキレート化金属であることが知られているものであれば、1価、2価又は3価のいずれの金属でも使用することができる。
【0036】
Zは、その少なくとも一つがアゾール環又はアジン環である2個以上の縮合芳香族環を含有する複素環式核を完成する。必要であれば、当該2個の必須環に、脂肪族環及び芳香族環の双方を含む追加の環を縮合させてもよい。分子の嵩高さが機能向上を伴うことなく増大することを避けるため、通常は環原子の数を18以下に維持する。
【0037】
以下、有用なキレート化オキシノイド系化合物の例を示す。
CO-1:アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-2:マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)〕
CO-3:ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II)
CO-4:ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)
CO-5:インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム〕
CO-6:アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-7:リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチウム(I)〕
【0038】
9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセンの誘導体(下記構造式F)は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、400 nmよりも長い波長の光(例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色)を放出させるのに適している。
【0039】
【化6】
【0040】
上式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、各環上の1又は2以上の置換基であってそれぞれ下記のグループから独立に選ばれるものを表わす。
第1グループ:水素、又は炭素原子数1〜24のアルキル;
第2グループ:炭素原子数5〜20のアリール又は置換アリール;
第3グループ:アントラセニル、ピレニルまたはペリレニルの縮合芳香族環の完成に必要な4〜24個の炭素原子;
第4グループ:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系の縮合芳香族環の完成に必要な炭素原子数5〜24のヘテロアリール又は置換ヘテロアリール;
第5グループ:炭素原子数1〜24のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ;及び
第6グループ:フッ素、塩素、臭素又はシアノ
【0041】
ベンズアゾール誘導体(下記構造式G)は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、400 nmよりも長い波長の光(例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色)を放出させるのに適している。
【0042】
【化7】
【0043】
上式中、nは3〜8の整数であり、
ZはO、NR又はSであり、
R’は、水素、炭素原子数1〜24のアルキル(例えば、プロピル、t-ブチル、ヘプチル、等)、炭素原子数5〜20のアリールもしくはヘテロ原子置換型アリール(例えば、フェニル及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系)、ハロ(例、クロロ、フルオロ)、又は縮合芳香族環の完成に必要な原子群、であり、
Lは、アルキル、アリール、置換アルキル又は置換アリールからなる結合ユニットであって、当該複数のベンズアゾール同士を共役的又は非共役的に連結させるものである。
有用なベンズアゾールの一例として2,2’,2”-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール]が挙げられる。
【0044】
望ましい蛍光性ドーパントには、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチアピリリウムの各化合物の誘導体並びにカルボスチリル化合物が包含される。以下、有用なドーパントの具体例を挙げるが、これらに限定はされない。
【0045】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【0046】
その他の有機発光性材料として、高分子物質、例えば、譲受人共通の米国特許第6194119号B1(Wolkら)及びその中の文献に記載されているポリフェニレンビニレン誘導体、ジアルコキシ-ポリフェニレンビニレン、ポリ-パラ-フェニレン誘導体及びポリフルオレン誘導体、を使用することもできる。
【0047】
電子輸送性 (ET) 材料
本発明の有機ELデバイスに使用するのに好ましい電子輸送性材料は、オキシン(通称8-キノリノール又は8-ヒドロキシキノリン)それ自体のキレートをはじめとする金属キレート化オキシノイド系化合物である。このような化合物は、電子の注入及び輸送を助長し、しかも高い性能レベルを示すと共に、薄膜への加工が容易である。企図されるオキシノイド系化合物の例は、既述の構造式(E)を満たす化合物である。
【0048】
その他の電子輸送性材料として、譲受人共通の米国特許第4356429号に記載されている各種ブタジエン誘導体、及び譲受人共通の米国特許第4539507に記載されている各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。既述の構造式(G)を満たすベンズアゾールも有用な電子輸送性材料となる。
【0049】
その他の電子輸送性材料として、高分子物質、例えば、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ-パラ-フェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアセチレンその他の導電性高分子有機材料、例えば、Handbook of Conductive Molecules and Polymers、第1〜4巻、Nalwa編、John Wiley and Sons, Chichester (1997)に記載されているもの、を使用することもできる。
【0050】
単一層が、発光と電子輸送の双方を支援する機能を発揮し得る場合もあり、その場合には発光性材料と電子輸送性材料を含むことになる。
【0051】
アノード材料
導電性アノード層は、基板上に形成され、そしてEL発光を当該アノードを介して観察する場合には、当該発光に対して透明又は実質的に透明であることが必要である。本発明に用いられる一般的な透明アノード材料はインジウム錫酸化物及び酸化錫であるが、例示としてアルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用することができる。これらの酸化物の他、窒化ガリウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を、アノード材料として使用することもできる。上部電極を介してEL発光を観察する用途の場合には、アノード材料の透過性は問題とならず、透明、不透明又は反射性を問わずいずれの導電性材料でも使用することができる。このような用途向けの導体の例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。典型的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくても、4.1 eV以上の仕事関数を有する。望ましいアノード材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長(CVD)法又は電気化学法のような適当な手段のいずれかによって付着される。アノード材料は、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。
【0052】
カソード材料
アノードを介して発光させる場合には、カソード材料は、ほとんどすべての導電性材料を含んでなることができる。望ましい材料は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよう良好なフィルム形成性を示し、低電圧での電子注入を促進し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード材料は、低仕事関数金属(<4.0eV)又は合金を含むことが多い。好適なカソード材料の1種に、譲受人共通の米国特許第4885221号明細書に記載されているMg:Ag合金(銀含有率1〜20%)を含むものがある。別の好適な種類のカソード材料として、低仕事関数金属又は金属塩の薄層に、これより厚い導電性金属の層をキャップしてなる二層形が挙げられる。このようなカソードの一つに、譲受人共通の米国特許第5677572号明細書に記載されている、LiF薄層にこれより厚いAl層を載せてなるものがある。その他の有用なカソード材料として、譲受人共通の米国特許第5059861号、同第5059862号及び同第6140763号明細書に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【0053】
カソードを介して発光を観察する場合には、当該カソードは透明又はほぼ透明でなければならない。このような用途の場合、金属が薄くなければならないか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合せを使用しなければならない。譲受人共通の米国特許第5776623号明細書に透光性カソードが詳述されている。カソード材料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法により付着させることができる。必要な場合には、例えば、マスク介在蒸着法、譲受人共通の米国特許第5276380号及び欧州特許出願公開第0732868号明細書に記載の一体型シャドーマスク法、レーザーアブレーション法及び選択的化学的気相成長法をはじめとする多くの周知の方法により、パターンを形成させてもよい。
【0054】
輻射線吸収材料
輻射線吸収材料は、譲受人共通の米国特許第5578416号に規定されている色素のような色素、カーボンのような顔料、又はニッケル、クロム、チタン、他のような金属であることができる。
【0055】
回転塗布法、スプレー塗布法及びグラビア塗布法をはじめとする多くのタイプの塗布法において、コーティング材料は、塗工を容易にするため溶剤に溶解される場合がある。当該溶剤は、その後除去される。ドナー要素31は、機械的手段によって、コーティングステーション20から溶剤除去ステーション22へ移送される。加熱器50によってドナー要素31を溶剤が蒸発するように加熱する。溶剤は蒸気除去器52によって除去される。しかし、加えられる熱は、所望のコーティング材料を何ら除去することがない程度の熱である。
【0056】
受容体要素42は、ロードロック16の手段によって雰囲気制御式コーター10に導入され、そして機械的手段によって転写装置36へ移送される。この工程は、ドナー支持体要素30の導入前、導入後又は導入中に行うことができる。転写装置36は、ドナー要素31上のコーティング材料を、熱又は熱に変換される輻射線に応じて転写することを促進することができるものであれば、いずれの装置からなることもできる。転写装置36の一例、その構成並びにそのドナー要素31及び受容体要素42を使用した作業手段については、譲受人共通の米国特許出願第10/021310号(Phillipsら)に記載されており、その開示事項を本明細書の一部とする。転写装置36は、便宜上、閉じた配置として図示されているが、ドナー要素31及び受容体要素42の装填及び取出しを行う、開いた配置も存在する。ドナー要素31は、機械的手段によって、溶剤除去ステーション22から転写ステーション24へ移送される。ドナー要素31と受容体要素42は、材料転写関係をなすように配置される。すなわち、Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31の被覆面が、受容体要素42の受容面に密接するように配置され、そして加圧チャンバ44において流体圧力のような手段によって所定の位置に保持される。次いで、ドナー要素31に、透明部分46を通して、例えば、レーザー38からのレーザービーム40による適用輻射線を照射する。Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31に所定のパターンで照射を施すことにより、ドナー要素31から受容体要素42へ1又は2以上のコーティング材料層が選択的に転写され、受容体要素42の選ばれた部分が材料でコーティングされることとなる。
【0057】
受容体要素42は、ドナーからの発光性材料を受容する表面を提供する有機固体、無機固体又は有機固体と無機固体の組合せであることができる。受容体要素42は、硬質であっても軟質であってもよく、シートやウェハのような独立した個別ピースとして加工されてもよいし、また連続ロール体として加工されてもよい。典型的な受容体要素の材料として、ガラス、プラスチック、金属、セラミック、半導体、金属酸化物、半導体酸化物、半導体窒化物又はこれらの組合せが挙げられる。受容体要素42は、均質な材料混合物、複合材又は多重材料層であることができる。受容体要素42は、OLED基板、すなわち、OLEDデバイスを調製するために慣用されている基板、例えばアクティブ型低温ポリシリコンTFT基板、であることができる。受容体要素42は、所期の発光方向によって、透光性又は不透明であることができる。受容体要素42を通してEL発光を観察する場合には、透光性が望まれる。このような場合には、一般に透明なガラス又はプラスチックが採用される。上部電極を通してEL発光を観察する用途の場合には、受容体要素42の透過性が問題となることはなく、したがって透光性、吸光性又は光反射性のいずれであってもよい。この場合に用いられる受容体要素として、ガラス、プラスチック、半導体材料、セラミックス及び回路基板材料が挙げられるが、これらに限定はされない。受容体要素42は、本発明による方法の用に供される前に、上述した材料(例、アノード材料、カソード材料、正孔輸送材料、等)の1又は2以上の被覆層で処理されていてもよい。さらに受容体要素42は、本発明による方法の用に供された後に、上述した材料(例、アノード材料、カソード材料、電子輸送材料、等)の1又は2以上の被覆層及び保護層で処理されることもできる。これらの処理は、雰囲気制御式コーター10の外部で行うこともできるし、雰囲気制御式コーター10の内部のコーティングステーション20において行うこともできる。
【0058】
照射が完了した後、転写装置36を開放し、そしてドナー要素31と受容体要素42をロードロック16から取り出すことができる。別法として、受容体要素42を転写ステーション24に留めておいてもよい。上述したように、追加のドナー支持体要素30にコーティングステーション20においてコーティングを施し、溶剤除去ステーション22において乾燥を施し、受容体要素42と材料転写関係をなすように配置し、その後適用輻射線を照射する。この過程により、コーティング材料の追加の1又は2以上の層を受容体要素42へ転写して、湿分もしくは酸素に不安定な又は湿分と酸素に不安定なデバイスの全部又は一部を製造することができる。
【0059】
図2は、ドナー支持体要素に2以上の層をコーティングすることと、その受容体要素への転写とを同一の雰囲気制御式チャンバ内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。雰囲気制御式コーター10の内部条件は、雰囲気制御源12によって維持される。雰囲気制御式コーター10は、新品のドナー支持体要素をチャンバに装填するために用いられるロードロック14を含む。雰囲気制御式コーター10は、使用済みドナー要素を取り出すために用いられるロードロック16をも含む。雰囲気制御式コーター10の内部に、コーティングステーション20、溶剤除去ステーション22、コーティングステーション27、溶剤除去ステーション28及び転写ステーション24が含まれる。
【0060】
ドナー支持体要素30は、ロードロック14の手段によって雰囲気制御式コーター10に導入される。必要に応じて、ドナー支持体要素30をドナー支持体32で支えることもできる。ドナー支持体要素30は、機械的手段によって、コーティング装置34を含むコーティングステーション20へ移送される。コーティング装置34を活性化させ、コーティング材料をドナー支持体要素30に一様にコーティングすることにより、それをドナー要素31にする。
【0061】
塗工を容易にするため当該コーティング材料を溶剤に溶解させた場合には、当該溶剤をその後除去する。ドナー要素31は、機械的手段によって、コーティングステーション20から溶剤除去ステーション22へ移送される。加熱器50によってドナー要素31を溶剤が蒸発するように加熱する。溶剤は蒸気除去器52によって除去される。しかし、加えられる熱は、所望のコーティング材料を何ら除去することがない程度の熱である。
【0062】
ドナー要素31は、機械的手段によって、溶剤除去ステーション22から、コーティング装置(ここではグラビアホイール48として図示されている)を含むコーティングステーション27へ移送される。当該コーティング装置を活性化させ、追加のコーティング材料層をドナー要素31に一様にコーティングする。
【0063】
塗工を容易にするため当該コーティング材料を溶剤に溶解させた場合には、当該溶剤をその後除去する。ドナー要素31は、機械的手段によって、コーティングステーション27から溶剤除去ステーション28へ移送される。加熱器54によってドナー要素31を溶剤が蒸発するように加熱する。溶剤は蒸気除去器56によって除去される。しかし、加えられる熱は、所望のコーティング材料を何ら除去することがない程度の熱である。
【0064】
受容体要素42は、ロードロック16の手段によって雰囲気制御式コーター10に導入され、そして機械的手段によって転写装置36へ移送される。この工程は、ドナー支持体要素30の導入前、導入後又は導入中に行うことができる。転写装置36は、便宜上、閉じた配置として図示されているが、ドナー要素及び基板の装填及び取出しを行う、開いた配置も存在する。ドナー要素31は、機械的手段によって、溶剤除去ステーション28から転写ステーション24へ移送される。ドナー要素31と受容体要素42は、材料転写関係をなすように配置される。すなわち、Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31の被覆面が、受容体要素42の受容面に密接するように配置され、そして加圧チャンバ44において流体圧力のような手段によって所定の位置に保持される。次いで、ドナー要素31に、透明部分46を通して、例えば、レーザー38からのレーザービーム40による適用輻射線を照射する。Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31に所定のパターンで照射を施すことにより、ドナー要素31から受容体要素42へ1又は2以上のコーティング材料層が選択的に転写され、受容体要素42の選ばれた部分が材料でコーティングされることとなる。
【0065】
照射が完了した後、転写装置36を開放し、そしてドナー要素31と受容体要素42をロードロック16から取り出すことができる。
【0066】
本実施態様は、2層をコーティングして転写することを例示するものであるが、当業者であれば、3層以上を同様にコーティングして転写することができることを容易に認識する。
【0067】
別法として、図2に示した実施態様を使用して、2以上の層を、異なるパターン転写で、受容体要素へ転写することができる。この方法では、雰囲気制御式コーター10へ、各コーティングステーション20及び27に独自のドナー支持体要素30が提供されるように、複数のドナー支持体要素30を導入する。各ドナー支持体要素30に、その対応するコーティング装置でコーティング材料を一様にコーティングし、各々を独自のドナー要素31にする。
【0068】
この実施態様では、各ドナー要素31が、機械的手段によって、その対応するコーティングステーション(20又は27)からその対応する溶剤除去ステーション(22又は28)へ順次移送され、次いで転写ステーション24へ順次移送される。受容体要素42は、ロードロック16の手段によって雰囲気制御式コーター10へ導入され、そして機械的手段によって転写装置36へ移送される。この工程は、ドナー支持体要素30の導入前、導入後又は導入中に行うことができる。転写装置36は、便宜上、閉じた配置として図示されているが、ドナー要素及び基板の装填及び取出しを行う、開いた配置も存在する。ドナー要素31と受容体要素42は、材料転写関係をなすように配置される。すなわち、Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31の被覆面が、受容体要素42の受容面に密接するように配置され、そして加圧チャンバ44において流体圧力のような手段によって所定の位置に保持される。次いで、ドナー要素31に、透明部分46を通して、例えば、レーザー38からのレーザービーム40による適用輻射線を照射する。Phillipsらが記載しているように、あるパターンでドナー要素31に照射を施すことにより、コーティングされた材料をドナー要素31から受容体要素42へ転写させる。
【0069】
照射が完了した後、転写装置36を開放し、そしてドナー要素31をロードロック16から取り出すことができる。第2のドナー要素31を機械的手段によって転写ステーション24へ移送し、そして当該転写工程を繰り返す。数回の転写作業における転写工程は、同一パターンのレーザー照射に従うこともできるし、また各転写工程を異なるパターンのレーザー照射により行うこともできる。
【0070】
当業者であれば、フルカラーOLEDデバイスのようなフルカラー表示装置の製造に上記の方法を使用できることは容易に理解できる。一般にこのような装置は、赤、緑及び青の各二次画素を含む。例えば、3台のコーティングステーションを具備した雰囲気制御式コーター10を使用して、雰囲気制御式コーター10に提供される3つのドナー支持体要素30から3種のドナー要素31を調製することができる。各ドナー要素31は、所望の出力色又は色相を反映する別々の有機発光層、すなわち赤、青又は緑の発光層のコーティングを備えるように調製される。各ドナー要素31は、機械的手段によって、その対応するコーティングステーションからその対応する溶剤除去ステーションへ、次いで転写ステーション24へ、順次移送され、受容体要素42に対して材料転写関係をなすように順次配置され、すなわち、ドナー要素31の被覆面が受容体要素42の受容面に密接するように順次配置され、次いで、ドナー要素31に、透明部分46を通して、レーザー38からのレーザービーム40のような手段により輻射線を順次照射する。Phillipsらが記載しているように、あるパターンでドナー要素31に照射を施すことにより、コーティングされた材料の1又は2以上の層を、ドナー要素31から受容体要素42へ転写させる。例えば、赤色発光材料を所望の赤色二次画素へパターン方式で転写し、青色発光材料を所望の青色二次画素へパターン方式で転写し、そして緑色発光材料を所望の緑色二次画素へパターン方式で転写する。受容体要素42は、本発明による方法の用に供される前に、材料(例、アノード材料、カソード材料、正孔輸送材料、等)の1又は2以上の層で処理されていてもよい。さらに受容体要素42は、本発明による方法の用に供された後に、材料(例、アノード材料、カソード材料、電子輸送材料、等)の1又は2以上の層及び保護層で処理されることもできる。これらの処理は、雰囲気制御式コーター10の外部で行うこともできるし、雰囲気制御式コーター10の内部のコーティングステーション20において行うこともできる。
【0071】
図3は、ドナー支持体要素のコーティングと、その基板への転写と、ドナー要素上に残留する被覆材料の除去とを同一の雰囲気制御式コーター内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。雰囲気制御式コーター10は、雰囲気制御源12によって制御された雰囲気条件に保持される。雰囲気制御式コーター10は、新品のドナー支持体要素をチャンバに装填するために用いられるロードロック14を含む。雰囲気制御式コーター10は、使用済みドナー要素を取り出すために用いられるロードロック16をも含む。雰囲気制御式コーター10の内部に、コーティングステーション20、溶剤除去ステーション22、転写ステーション24及び洗浄ステーション26が含まれる。
【0072】
ドナー支持体要素30は、ロードロック14の手段によって雰囲気制御式コーター10に導入される。必要に応じて、ドナー支持体要素30をドナー支持体32で支えることもできる。ドナー支持体要素30は、機械的手段によって、コーティング装置34を含むコーティングステーション20へ移送される。コーティング装置34を活性化させ(例えば、所望のコーティング材料を加熱することにより気化させ)、コーティング材料をドナー支持体要素30に一様にコーティングすることにより、それをドナー要素31にする。
【0073】
回転塗布法、スプレー塗布法及びグラビア塗布法をはじめとする多くのタイプの塗布法において、コーティング材料は、塗工を容易にするため溶剤に溶解される場合がある。当該溶剤は、その後除去される。ドナー要素31は、機械的手段によって、コーティングステーション20から溶剤除去ステーション22へ移送される。加熱器50によってドナー要素31を溶剤が蒸発するように加熱する。溶剤は蒸気除去器52によって除去される。しかし、加えられる熱は、所望のコーティング材料を何ら除去することがない程度の熱である。
【0074】
受容体要素42は、ロードロック14又はロードロック16の手段によって雰囲気制御式コーター10に導入され、そして機械的手段によって転写装置36へ移送される。この工程は、ドナー支持体要素30の導入前、導入後又は導入中に行うことができる。転写装置36は、便宜上、閉じた配置として図示されているが、ドナー要素及び基板の装填及び取出しを行う、開いた配置も存在する。ドナー要素31は、機械的手段によって、溶剤除去ステーション22から転写ステーション24へ移送される。ドナー要素31と受容体要素42は、材料転写関係をなすように配置される。すなわち、Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31の被覆面が、受容体要素42の受容面に密接するように配置され、そして加圧チャンバ44において流体圧力によって所定の位置に保持される。次いで、ドナー要素31に、透明部分46を通して、例えば、レーザー38からのレーザービーム40による適用輻射線を照射する。Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31に所定のパターンで照射を施すことにより、ドナー要素31から受容体要素42へ1又は2以上のコーティング材料層が選択的に転写され、受容体要素42の選ばれた部分が材料でコーティングされることとなる。
【0075】
照射が完了した後、転写装置36を開放し、そして受容体要素42をロードロック16又はロードロック14から取り出すことができる。ドナー要素31は機械的手段によって洗浄ステーション26へ移送される。洗浄ステーション26は、ドナー要素31から被覆材料を除去することによりドナー支持体要素30を再使用して再被覆することができるようにドナー要素31を洗浄するための手段を可能にする、雰囲気制御式コーター10の内部の場所である。洗浄ステーション26は、加熱器54又はフラッシュランプ51のような輻射線源及び蒸気除去器56を含む。ドナー要素31は、その洗浄工程において、加熱器54又はフラッシュランプ51のような輻射線源によって加熱され、すなわち、ドナー要素31の被覆材料を加熱又は輻射線により気化又は昇華させ、そして蒸気除去器56によって除去する。蒸気除去器56は、例えば、真空ポート入口、コールドトラップ、リムーバブルシールド、等であることができる。ここでドナー要素31はドナー支持体要素30となり、機械的手段によりロードロック16から取り出されることができる。別法として、ドナー支持体要素30を機械的手段によりコーティングステーション20へ移送することにより再被覆して再使用してもよい。
【0076】
これらの作業は、各種ステーションにおいて同時に行うことができる。例えば、ドナー要素31を転写ステーション24において輻射線誘発転写に使用している間に、先に転写されたドナー要素31を洗浄ステーション26において加熱又は照射処理し、かつ、コーティングされていないドナー支持体要素30をコーティングステーション20においてコーティング処理することができる。
【0077】
図4は、ドナー支持体要素のコーティングと、その基板への転写とを、連結された別々のチャンバ内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。独立したチャンバは、本明細書に記載した雰囲気制御式チャンバ又は雰囲気制御式コーターであること、或いは、先に引用した譲受人共通の米国特許出願第10/033459号(Borosonら)に記載されている真空チャンバ又は真空コーターであることができる。この米国特許出願の開示事項を本明細書の一部とする。この実施態様における雰囲気制御式コーター10は、コーティングチャンバ10a及び転写チャンバ10bを含む。一方のチャンバ、例えばコーティングチャンバ10aは、雰囲気制御源12によって制御された雰囲気条件下で保持され、したがって雰囲気制御式コーターとなり、他方のチャンバ、例えば転写チャンバ10bは、真空ポンプ58によって真空下で保持され、したがって真空コーターとなる。制御された雰囲気条件とは、当該水蒸気量が好ましくは1000ppm以下である、もしくは当該酸素量が好ましくは1000ppm以下である、又はその両方である、ことを意味する。雰囲気の制御は、周知の各種技法、例えば、酸素もしくは水蒸気スクラバー、又は精製ガスの使用、によって実現することができる。真空とは1トル以下の圧力を意味する。これらのチャンバはロードロック18によって連結されている。雰囲気制御式コーター10は、新品の未被覆ドナー支持体要素30をチャンバに装填するために使用されるロードロック14を含む。雰囲気制御式コーター10は、使用済みドナー要素を取り出すために使用されるロードロック16をも含む。雰囲気制御式コーター10の内部には、コーティングチャンバ10a内にコーティングステーション20及び溶剤除去ステーション22を、そして転写チャンバ10b内に転写ステーション24を含む。
【0078】
ドナー支持体要素30は、ロードロック14の手段によってコーティングチャンバ10aに導入される。必要に応じて、ドナー支持体要素30をドナー支持体32で支えることもできる。ドナー支持体要素30は、機械的手段によって、コーティング装置34を含むコーティングステーション20へ移送される。コーティング装置34を活性化させ(例えば、所望のコーティング材料を加熱することにより気化させ)、OLEDデバイスの一部又は全部を製造するのに必要なコーティング材料層をドナー支持体要素30に一様にコーティングすることにより、それをドナー要素31にする。
【0079】
回転塗布法、スプレー塗布法及びグラビア塗布法をはじめとする多くのタイプの塗布法において、コーティング材料は、塗工を容易にするため溶剤に溶解される場合がある。当該溶剤は、その後除去される。ドナー要素31は、機械的手段によって、コーティングステーション20から溶剤除去ステーション22へ移送される。加熱器50によってドナー要素31を溶剤が蒸発するように加熱する。溶剤は蒸気除去器52によって除去される。しかし、加えられる熱は、所望のコーティング材料を何ら除去することがない程度の熱である。
【0080】
コーティング工程及び乾燥工程を繰り返すことにより、ドナー要素31の上に追加の材料層を形成することができる。
【0081】
受容体要素42は、ロードロック16の手段によって転写チャンバ10bに導入され、そして機械的手段によって転写装置36へ移送される。この工程は、ドナー支持体要素30の導入前、導入後又は導入中に行うことができる。転写装置36は、便宜上、閉じた配置として図示されているが、ドナー要素及び基板の装填及び取出しを行う、開いた配置も存在する。ドナー要素31は、機械的手段によって、溶剤除去ステーション22からロードロック18を介して転写ステーション24へ移送される。ドナー要素31と受容体要素42は、材料転写関係をなすように配置される。すなわち、Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31の被覆面が、受容体要素42の受容面に密接するように配置され、そして加圧チャンバ44において流体圧力のような手段によって所定の位置に保持される。次いで、ドナー要素31に、透明部分46を通して、例えば、レーザー38からのレーザービーム40による適用輻射線を照射する。Phillipsらが記載しているように、ドナー要素31に所定のパターンで照射を施すことにより、ドナー要素31から受容体要素42へ1又は2以上のコーティング材料層が選択的に転写され、受容体要素42の選ばれた部分が材料でコーティングされることとなる。
【0082】
照射が完了した後、転写装置36を開放し、そしてドナー要素31及び受容体要素42をロードロック16から取り出すことができる。別法として、ドナー要素31をロードロック16から取り出し、受容体要素42を所定の位置に置いておくこともできる。その後受容体要素42と新規のドナー要素31とを使用して転写工程を繰り返すことができる。
【0083】
上記の手順についてバリエーションが可能であることは明らかである。OLED製造に有用な追加の材料層を用いて、受容体要素42にコーティングステーション20でコーティングを施し、必要な場合には溶剤除去ステーション22において乾燥を行う。このようなコーティング工程は、輻射線誘発転写工程の前、その後又はその前後両方において行うことができる。例えば、受容体要素42に、コーティングステーション20で正孔輸送材料を、転写ステーション24で発光材料を、そしてコーティングステーション20で電子輸送材料を順次適用することができる。
【0084】
チャンバ内の条件を逆にしてもよい。すなわち、コーティングチャンバ10aを真空下で保持することによりこれを真空コーターとし、一方、転写チャンバ10bを制御された雰囲気条件下で保持することによりこれを雰囲気制御式コーターとすることができる。この場合、ドナー支持体要素30は真空コーターにおいてコーティングされ、一方、ドナー要素31から受容体要素42への転写は雰囲気制御式コーターにおいて行われる。
【0085】
これらのチャンバの配置を変更することも可能である。例えば、先に引用した譲受人共通の米国特許出願第10/033459号(Borosonら)に記載されているように、コーティングチャンバ10aと転写チャンバ10bとを連結しないこともできる。このような配置には、制御された雰囲気もしくは真空又はその両方を維持することができる輸送チャンバが含まれる。
【0086】
図5は、連続可動ウェブの一部であるドナー支持体要素のコーティングと、その基板への転写と、ドナー要素上に残留する被覆材料の除去とを同一の雰囲気制御式コーター内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。雰囲気制御式コーター10は、雰囲気制御源12によって制御された雰囲気条件下に保持される。雰囲気制御式コーター10は、基板の装填及び取出しに使用されるロードロック16を含む。雰囲気制御式コーター10の内部には、連続シート状のドナー支持体要素30である可動ウェブ60が含まれる。可動ウェブ60は、移動方向64において回転するホイール62の上に保持される。さらに雰囲気制御式コーター10の内部には、コーティングステーション20、溶剤除去ステーション22、転写ステーション24及び洗浄ステーション26が、可動ウェブ60の経路に沿って配列された形で含まれる。雰囲気制御式コーター10は、2以上のチャンバ、例えば、コーティングチャンバ10a、転写チャンバ10b及び洗浄チャンバ10cに分割することができる。これら独立したチャンバを使用することにより、作業を分離すること、すなわち、プロセスの一部を制御雰囲気下で実施し、その他を真空下で実施することが可能となる。独立したチャンバは、可動ウェブ60のチャンバ間移動を可能にするロードロック18、66及び68によって連結される。
【0087】
可動ウェブ60は、ホイール62の手段によって、転写装置36が開放配置にあるときに回転する。可動ウェブ60の未被覆部分が、コーティング装置34を含むコーティングステーション20に移動してくる。コーティング装置34を活性化させ(例えば、所望のコーティング材料を加熱することにより気化させ)、可動ウェブ60の一部にコーティング材料を一様にコーティングする。このように、可動ウェブ60の一部がドナー要素31になる。
【0088】
回転塗布法、スプレー塗布法及びグラビア塗布法をはじめとする多くのタイプの塗布法において、コーティング材料は、塗工を容易にするため溶剤に溶解される場合がある。当該溶剤は、その後除去される。可動ウェブ60をホイール62の手段によって回転させ、可動ウェブ60の被覆部分をコーティングステーション20から溶剤除去ステーション22へ移送する。加熱器50によって可動ウェブ60を溶剤が蒸発するように加熱する。溶剤は蒸気除去器52によって除去される。しかし、加えられる熱は、所望のコーティング材料を何ら除去することがない程度の熱である。
【0089】
受容体要素42は、ロードロック16の手段によって雰囲気制御式コーター10に導入され、そして機械的手段によって転写装置36へ移送される。転写装置36は、便宜上、閉じた配置として図示されているが、ドナー要素及び基板の装填及び取出しを行う、開いた配置も存在する。可動ウェブ60を、ホイール62の手段によって、転写装置36が開放配置にあるときに回転させ、可動ウェブ60の被覆部分を溶剤除去ステーション22から転写ステーション24へ移動させる。これは、受容体要素42の導入前、導入中又は導入後に行うことができる。転写ステーション24において、可動ウェブ60の被覆面を受容体要素42に対して材料転写関係をなすように配置する。すなわち、Phillipsらが記載しているように、可動ウェブ60を受容体要素42に密接させて配置し、そして加圧チャンバ44において流体圧力によって所定の位置に保持する。次いで、可動ウェブ60に、透明部分46を通して、例えば、レーザー38からのレーザービーム40による適用輻射線を照射する。Phillipsらが記載しているように、可動ウェブ60の被覆部分にレーザービーム40を所定のパターンで照射することにより、可動ウェブ60から受容体要素42へ1又は2以上のコーティング材料層が選択的に転写され、受容体要素42の選ばれた部分が材料でコーティングされることとなる。
【0090】
照射が完了した後、転写装置36を開放し、そして受容体要素42をロードロック16から取り出す。可動ウェブ60を、ホイール62の手段によって、転写装置36が開放配置にあるときに回転させ、可動ウェブ60の使用済み被覆部分を転写ステーション24から洗浄ステーション26へ移動させる。洗浄ステーション26は、加熱器50又はフラッシュランプ51のような輻射線源及び蒸気除去手段52を含む。可動ウェブ60の一部を、加熱器54又はフラッシュランプ51のような輻射線源で加熱して洗浄し、すなわち、可動ウェブ60の被覆部分の被覆材料を気化又は昇華させ、そして蒸気除去器56によって除去する。可動ウェブ60を、ホイール62の手段によって、転写装置36が開放配置にあるときに回転させ、可動ウェブ60の未被覆となった部分を洗浄ステーション26からコーティングステーション20へ移動させ、再被覆及び再使用の用に供する。
【0091】
これらの作業は、各種ステーションにおいて同時に実施することができる。例えば、可動ウェブ60の一部を転写ステーション24において輻射線誘発転写に使用しながら、可動ウェブ60の先に転写された部分を洗浄ステーション26において加熱又は照射処理し、さらに可動ウェブ60の未被覆部分をコーティングステーション20においてコーティング処理することができる。
【0092】
別の実施態様として、可動ウェブ60を、連続シートではなく、長尺状にしてもよい。この態様は、各種ステーションの前後で巻出しロール及び巻取りロールを使用することによって実現することができる。
【0093】
図6(A)は、コーティングされる前のドナー要素の構造を示す横断面図の一例である。ドナー支持体要素30は、最低限、非転写面78を含む軟質支持体70を含む。軟質支持体70には、輻射線/熱変換層72が均一にコーティングされている。輻射線/熱変換層72は、所期の波長において輻射線を吸収して発熱することができる材料を含む。
【0094】
図6(B)は、1層のコーティング材料でコーティングされたドナー要素の構造を示す横断面図の一例である。ドナー要素31は、非転写面78を含む軟質支持体70を含む。軟質支持体70には、輻射線/熱変換層72が均一にコーティングされている。輻射線/熱変換層72は、所期の波長において輻射線を吸収して発熱することができる材料を含む。さらに軟質支持体70には、コーティング材料74が均一にコーティングされている。コーティング材料74は、ドナー要素31の被覆面80を含む。
【0095】
図6(C)は、2層以上のコーティング材料でコーティングされたドナー要素の構造を示す横断面図の一例である。ドナー要素31は、非転写面78を含む軟質支持体70を含む。軟質支持体70には、輻射線/熱変換層72が均一にコーティングされている。輻射線/熱変換層72は、所期の波長において輻射線を吸収して発熱することができる材料を含む。さらに軟質支持体70には、コーティング材料74及びコーティング材料76が均一にコーティングされている。コーティング材料76は、ドナー要素31の被覆面80を含む。
【0096】
【発明の効果】
本発明の方法による有利な効果は、湿分、酸素その他の大気成分を導入することなく、かつ、シャドーマスクを使用することなく、OLEDデバイスの製造に有用となる点にある。
本発明によると、ドナー要素からOLED受容体要素へ材料を転写するために用いられる雰囲気制御式コーターでドナー要素が製造される。このため、下記の点をはじめとするいくつかの有利な効果が得られる。
・ドナーを保存及び輸送する必要性が減少し、それに伴う汚染が減少する。
・ドナー面とドナー支持体面との接触による損傷及び汚染を少なくする、又は排除する、ことができる。
・ドナーのための保存要件が減少する。
・OLEDデバイスの歩留りを向上させることができる。
【0097】
さらなる有利な効果は、本発明の方法は、ドナーと基板の媒体の取扱いを含め、完全に自動化することができることである。本発明は、形成過程にある複数のOLED表示装置を有する大面積の上に有機層を形成するのに特に適しており、よって処理量が向上する。
さらなる有利な効果は、ドナー要素を洗浄し、これを再使用することができる点である。
【0098】
(真空系技術との関係で)さらなる有利な効果は、回転塗布法、カーテン塗布法、スプレー塗布法、グラビアホイール塗布法その他のような溶剤系コーティングをはじめとする、コーティングのための追加の技法を使用することができる点にある。真空ホールドダウンのような、材料転写を促進するための追加の技法を使用することもできる。溶剤洗浄のような、ドナー洗浄のための追加の技法を使用することもできる。このような環境内に輻射線源を配置することも一層容易となる。基板の上にドナーを真空系で配置することも一層容易となる。
【図面の簡単な説明】
デバイスの特徴をなす寸法、例えば、層厚は、マイクロメートル以下の範囲をとることが多いので、図面は、寸法的正確さよりも、見易さを考慮したスケール変更がされている。
【図1】ドナー支持体要素のコーティングと、その基板への転写とを同一の雰囲気制御式コーター内で行う、本発明の第1の実施態様を示す横断面図である。
【図2】ドナー支持体要素に2以上の層をコーティングすることと、その基板への転写とを同一の雰囲気制御式コーター内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。
【図3】ドナー支持体要素のコーティングと、その基板への転写と、ドナー要素上に残留する被覆材料の除去とを同一の雰囲気制御式コーター内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。
【図4】ドナー支持体要素のコーティングと、その基板への転写とを、ロードロックにより連結された別々のチャンバ内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。
【図5】連続ウェブの一部であるドナー支持体要素のコーティングと、その基板への転写と、ドナー要素上に残留する被覆材料の除去とを同一の雰囲気制御式コーター内で行う、本発明の別の実施態様を示す横断面図である。
【図6】(A)は、コーティングされる前のドナー要素の構造を示す横断面図であり、(B)は、1層のコーティング材料でコーティングされたドナー要素の構造を示す横断面図であり、(C)は2層以上のコーティング材料でコーティングされたドナー要素の構造を示す横断面図である。
【符号の説明】
10…雰囲気制御式コーター
12…雰囲気制御源
14、16、18、66、68…ロードロック
20、27…コーティングステーション
22、28…溶剤除去ステーション
24…転写ステーション
30…ドナー支持体要素
31…ドナー要素
32…ドナー支持体
34…コーティング装置
36…転写装置
38…レーザー
40…レーザービーム
42…受容体要素
44…加圧チャンバ
46…透明部分
50、54…加熱器
52、56…蒸気除去器
58…真空ポンプ
60…可動ウェブ
62…ホイール
70…軟質支持体
72…輻射線/熱変換層
74、76…コーティング材料
78…非転写面
80…被覆面
Claims (5)
- 湿分又は酸素に対して不安定な有機発光ダイオードデバイスを少なくとも部分的に製造する方法であって、
(a)雰囲気制御式コーターのチャンバ内に、該有機発光ダイオードデバイスの一部をなす受容体要素と、ドナー支持体要素とを設置し、
(b)該チャンバの内部雰囲気を、当該水蒸気量が0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように、もしくは当該酸素量が0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように、又は当該水蒸気量と当該酸素量との両方がそれぞれ0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように制御し、かつ、該チャンバの内部の全体の圧力を1トルより高い状態にすることで、制御された雰囲気条件を提供し、
(c)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内おいて、該ドナー支持体要素にコーティングを施すことにより、該有機発光ダイオードデバイスの全部又は一部を製造するのに必要な1又は2以上の層を有するドナー要素を製造し、
(d)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内において、該ドナー要素の被覆面を、被覆すべき該受容体要素に対して、材料転写関係をなすように配置し、そして
(e)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内において、該ドナー要素に輻射線を当てることにより、該ドナー要素から該受容体要素へ1又は2以上の層を選択的に転写する工程を含むことを特徴とする有機発光ダイオードデバイスの製造方法。 - さらに、
(f)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内において、該受容体要素に、該有機発光ダイオードデバイスの一部をなす1又は2以上の層をコーティングする
工程を含む、請求項1に記載の方法。 - 複数の有機発光ダイオードデバイスから形成された、湿分もしくは酸素に対して又は湿分と酸素に対して不安定なフルカラー表示装置を製造する方法であって、
(a)雰囲気制御式コーターのチャンバ内に、該表示装置の一部をなす受容体要素と、複数のドナー支持体要素とを設置し、
(b)該チャンバの内部雰囲気を、当該水蒸気量が0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように、もしくは当該酸素量が0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように、又は当該水蒸気量と当該酸素量との両方がそれぞれ0ppmより多いが1000ppmより少なくなるように制御し、かつ、該チャンバの内部の全体の圧力を1トルより高い状態にすることで、制御された雰囲気条件を提供し、
(c)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内において、該ドナー支持体要素に、該ドナー支持体要素の各々が、対応する有機発光ダイオードデバイスから異なる発光色を提供するための少なくとも1種の異なる材料を有するように、材料をコーティングし、
(d)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内において、該ドナー要素の各々の被覆面を、被覆すべき該受容体要素に対して、材料転写関係をなすように順次配置し、そして
(e)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内において、該ドナー要素に輻射線を順次当てることにより、該ドナー要素の各々から該受容体要素に形成された対応する有機発光ダイオードデバイスへ1又は2以上の層を選択的に転写する
工程を含むことを特徴とするフルカラー表示装置の製造方法。 - さらに、
(f)該制御された雰囲気条件下の該チャンバ内において、該受容体要素に、該有機発光ダイオードデバイスの一部をなす1又は2以上の層をコーティングする
工程を含む、請求項3に記載の方法。 - さらに、
(f)工程(c)〜(e)を繰り返すことにより、湿分もしくは酸素に対して又は湿分と酸素に対して不安定なデバイスの全部又は一部を製造する
工程を含む、請求項3に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/141587 | 2002-05-08 | ||
US10/141,587 US6566032B1 (en) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332062A JP2003332062A (ja) | 2003-11-21 |
JP5170933B2 true JP5170933B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=22496327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003128649A Expired - Lifetime JP5170933B2 (ja) | 2002-05-08 | 2003-05-07 | 有機発光ダイオードデバイスの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6566032B1 (ja) |
EP (1) | EP1361618B1 (ja) |
JP (1) | JP5170933B2 (ja) |
KR (1) | KR100952464B1 (ja) |
CN (1) | CN100431197C (ja) |
DE (1) | DE60336190D1 (ja) |
TW (1) | TWI280070B (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6703184B1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-03-09 | Eastman Kodak Company | Low moisture donor substrate coatable with organic layers transferrable in response in incident radiation |
US7048602B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-05-23 | Eastman Kodak Company | Correcting potential defects in an OLED device |
KR20060017414A (ko) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
KR20060020044A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 도너 기판의 제조방법 |
KR20060020031A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사 장치 |
KR20060020045A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
KR100699993B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사 방법 |
KR20060021210A (ko) * | 2004-09-02 | 2006-03-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판의 제조 장치와 도너 기판의 제조방법 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
TWI264474B (en) * | 2004-10-13 | 2006-10-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Evaporation apparatus and process |
DE102004056028A1 (de) * | 2004-11-19 | 2006-06-01 | Leybold Optics Gmbh | Vorrichtung für die Herstellung eines dreidimensional strukturierten Substrats |
JPWO2006064600A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2008-06-12 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及び製造装置 |
KR100635579B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열 전사장치, 상기 장치를 사용하는 레이저 열전사법 및 상기 장치를 사용하는 유기전계발광표시장치제조방법 |
JP2007122914A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置 |
WO2008069259A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device |
US8431432B2 (en) * | 2007-04-27 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device |
JP2009049094A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
US8425974B2 (en) * | 2007-11-29 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation donor substrate and method for manufacturing light-emitting device |
US8080811B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device |
WO2009099002A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and method for manufacturing light-emitting device |
WO2009107548A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and manufacturing method of light-emitting device |
JP5416987B2 (ja) | 2008-02-29 | 2014-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
JP2009231277A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置 |
JP5079722B2 (ja) | 2008-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP5238544B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
US8182863B2 (en) * | 2008-03-17 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and manufacturing method of light-emitting device |
US7932112B2 (en) * | 2008-04-14 | 2011-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
US8409672B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
US8486736B2 (en) * | 2008-10-20 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2010153051A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sony Corp | 転写用基板および表示装置の製造方法 |
TWI452157B (zh) * | 2010-02-09 | 2014-09-11 | Ind Tech Res Inst | 一種面型蒸鍍源及其蒸鍍方法與系統 |
US20110318503A1 (en) * | 2010-06-29 | 2011-12-29 | Christian Adams | Plasma enhanced materials deposition system |
JP5731063B2 (ja) | 2011-04-08 | 2015-06-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、プログラマブル・パターニングデバイス、及びリソグラフィ方法 |
CN103380483B (zh) * | 2011-04-25 | 2016-11-02 | 株式会社尼康 | 基板处理装置 |
KR101851384B1 (ko) * | 2011-07-18 | 2018-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 패널용 제조 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 패널의 제조 방법 |
JP5753320B2 (ja) * | 2011-08-16 | 2015-07-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US20140166990A1 (en) | 2012-12-17 | 2014-06-19 | Universal Display Corporation | Manufacturing flexible organic electronic devices |
CN104201294B (zh) * | 2014-07-10 | 2016-10-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种操作平台 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3401356B2 (ja) | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
US5633113A (en) * | 1995-04-14 | 1997-05-27 | Polaroid Corporation | Mass transfer imaging media and methods of making and using the same |
US5688551A (en) | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
US5998085A (en) * | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
US5904961A (en) * | 1997-01-24 | 1999-05-18 | Eastman Kodak Company | Method of depositing organic layers in organic light emitting devices |
US5937272A (en) | 1997-06-06 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate |
US5885930A (en) * | 1997-07-30 | 1999-03-23 | Eastman Kodak Company | Thin wear resistant and heat conductive slip layer for a reusable thermal dye donor belt |
US5851709A (en) | 1997-10-31 | 1998-12-22 | Eastman Kodak Company | Method for selective transfer of a color organic layer |
JP2918037B1 (ja) * | 1998-06-18 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | カラー有機elディスプレイとその製造方法 |
JP3782245B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
JP4288732B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2009-07-01 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子を製造するための転写体の製造方法 |
JP2000195665A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Toyota Motor Corp | 有機膜の形成方法 |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
JP4425438B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2010-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置の作製方法 |
KR100720066B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
JP2001210469A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
TW501379B (en) * | 2000-07-25 | 2002-09-01 | Eastman Kodak Co | Method of making organic electroluminescent device using laser transfer |
JP2002108250A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法 |
US6555284B1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-04-29 | Eastman Kodak Company | In situ vacuum method for making OLED devices |
-
2002
- 2002-05-08 US US10/141,587 patent/US6566032B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-21 TW TW092106340A patent/TWI280070B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-28 DE DE60336190T patent/DE60336190D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-28 EP EP03076225A patent/EP1361618B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-07 JP JP2003128649A patent/JP5170933B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-07 KR KR1020030029078A patent/KR100952464B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-08 CN CNB031312403A patent/CN100431197C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1457219A (zh) | 2003-11-19 |
JP2003332062A (ja) | 2003-11-21 |
EP1361618B1 (en) | 2011-03-02 |
KR100952464B1 (ko) | 2010-04-13 |
EP1361618A3 (en) | 2008-03-26 |
US6566032B1 (en) | 2003-05-20 |
TWI280070B (en) | 2007-04-21 |
TW200400774A (en) | 2004-01-01 |
EP1361618A2 (en) | 2003-11-12 |
KR20030087576A (ko) | 2003-11-14 |
CN100431197C (zh) | 2008-11-05 |
DE60336190D1 (de) | 2011-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5170933B2 (ja) | 有機発光ダイオードデバイスの製造方法 | |
US6555284B1 (en) | In situ vacuum method for making OLED devices | |
KR100952463B1 (ko) | 도너로부터의 유기 물질을 전사시켜 oled 디바이스에 층을 형성하는 방법 및 장치 | |
US6890627B2 (en) | Laser thermal transfer from a donor element containing a hole-transporting layer | |
JP2004319513A (ja) | Oledデバイスの製造方法及び製造装置 | |
US20050145326A1 (en) | Method of making an OLED device | |
TW200302679A (en) | Making electroluminescent display devices | |
WO2004061878A2 (en) | Using hole- or electron-blocking layers in color oleds | |
JP4437018B2 (ja) | ドナー要素及びその使用方法 | |
JP2004319504A (ja) | 有機発光デバイスの形成方法 | |
US6824950B2 (en) | Forming an oled device with a performance-inhancing layer | |
US6853133B2 (en) | Providing an emission-protecting layer in an OLED device | |
JP2004134404A (ja) | 有機発光ダイオードデバイスの製造方法 | |
US7121912B2 (en) | Method of improving stability in OLED devices | |
EP1447862A2 (en) | OLED device with a performance enhancing layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090713 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090716 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091013 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101129 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5170933 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |