JP2007066871A - レーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アクセプタ基板とドナーフィルムの転写層の間に密着特性を高めることができるレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、前記アクセプタ基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階と、を含む。
【選択図】図２ｆ

Description

本発明は、レーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法に関し、より具体的には、電磁石層が具備されたアクセプタ基板と、磁性層を含むドナーフィルムを形成することで、アクセプタ基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法に関する。

本発明の適用分野は特定産業分野に限定されるのではなく、多様に適用することができるが、有機発光素子製作の時有機発光層等を形成するが有用であると予想される。有機発光素子は第１電極と第２電極間に発光層を形成し、電極の間に電圧を印加することで、発光層で正孔と電子が合体することで自発発光する素子である。

以下では有機発光素子に用いられるレーザ熱転写装置を基準として本発明の従来の技術及び本発明の構成等が説明されるが本発明がこれに限定されるのではない。

レーザ熱転写方法は基材基板、光熱変換層、及び転写層を含むドナー基板にレーザを照射させて基材基板を通過したレーザを光熱変換層で熱に変化させて光熱変換層を変形膨脹させることで、隣接した転写層を変形膨脹させてアクセプタ基板に転写層が接着されて転写されるようにする方法である。

レーザ熱転写方法を施す場合、発光層の転写が行われるチャンバ内部は、発光素子形成の時の他の蒸着工程と同調されるようにするために真空状態が行われることが好ましいので、真空状態で主に行われるが、従来の方法によって真空状態でレーザ熱転写を行う場合、接着力が弱くなって、転写層の転写が十分に行われないという問題点がある。よって、レーザ熱転写方法において、ドナー基板とアクセプタ基板をラミネーティングさせる方法は、重要な意味を持ち、これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。

図１は、上述した問題点を解決するための従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。これによれば、レーザ熱転写装置１０は、チャンバ１１内部に位置する基板ステージ１２及びチャンバ１１上部に位置したレーザ照射装置１３を含んで構成される。

基板ステージ１２は、チャンバ１１に導入されるアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５をそれぞれ順次位置させるためのステージである。
この時、アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間に異物や空間なしにラミネーティングされるために、レーザ熱転写が行われるチャンバ１１内部を真空で維持せず、基板ステージ１２下部にホース１６を連結して真空ポンプPで吸いこみ、アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５を合着させる。

しかし、このような従来の技術においてもアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間の異物１と空間が発生することを完全に防止することができず、かつ、チャンバ１１内部の真空状態を維持することができなくなるため、製品の寿命および信頼性に良くない影響を及ぼすことが知られている。

一方、前記従来のレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１ないし３等がある。
特開２００４−３５５９４９号公報 特開２００４−２９６２２４号公報 米国特許出願公開第４,３７７,３３９号明細書

したがって、本発明は前記従来の問題点を解消するために導出された発明であり、真空チャンバ内でアクセプタ基板一面に形成される電磁石層及び磁性層を含むドナーフィルムを形成することでアクセプタ基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供することにその目的がある。

前記目的を果たすための、本発明の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写ドナーフィルムを利用したレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、前記アクセプタ基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階とを含む。

また、本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、前記第１電極層上に形成されて、前記第１電極層の一領域を部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階とを含む。

本発明の他の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上に基板を位置させる段階と、前記基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、前記基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写させる段階とを含む。

本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、前記基板上に第１電極層を形成する段階と、前記第１電極層上に形成されて、前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階とを含む。

本発明のまた他の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、前記アクセプタ基板他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び永久磁石層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階とを含む。

本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、前記第１電極層上に形成されて、前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって永久磁石層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階とを含む。

以上のように、本発明によれば、真空下で磁力を利用してドナーフィルムと基板をラミネーティングできるようになって有機発光素子の以前工程と同じく真空状態を維持することができるだけではなく、ドナーフィルムと基板の間に異物や空隙が発生することを防止することができる。よって、有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を維持することができる。

以下では本発明のさまざまな実施例を参照し、本発明をより詳細に説明する。図２aないし図２fは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。

図２aないし図２fは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図であり、図３は、レーザ熱転写方法を示すブロック図である。

<第１実施例>
図２aを参照すれば、本発明の第１実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ２００b内にロボット腕２４０とエンドエフェクタ(end-effector)２５０をローディングする。前記移送チャンバ２００bは、真空雰囲気を維持することが好ましい。

前記エンドエフェクタ２５０上に電磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を安着させる。前記電磁石層２６０は、一つの大きい平面磁石や複数個が配列された形態が可能である。前記電磁石層２６０が配置される類型には制限がないが、ラミネーティングをより有利に遂行するためには大きい平面磁石で形成することが好ましい(S１参照)。

図２bを参照すれば、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記電磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を前記工程チャンバ２００a内に移送させるために、前記エンドエフェクタ２５０を前記工程チャンバ２００a内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記電磁石層２６０と前記基板２７０は、前記エンドエフェクタ２５０内部に形成された所定数の貫通ホール(図示せず)を通じて上部方向に上昇された前記基板支持台２２０上に安着される。

前記基板支持台２２０は、前記基板ステージ２３０の貫通ホールを通じて上部または下部に移動することができる。前記電磁石層２６０とアクセプタ基板２７０を前記基板ステージ２３０上に安着させるために、前記基板支持台２２０を下部方向に下降させて前記電磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を前記基板ステージ２３０上に安着させる。この時、前記工程チャンバ２００aは真空雰囲気を維持することが好ましい(S２参照)。

図２cを参照すれば、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記電磁石層２６０及び前記アクセプタ基板２７０を前記基板支持台２２０上に安着させた後、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させる。以後、前記移送チャンバ２００b内に位置した前記エンドエフェクタ２５０上にドナーフィルム２８０が具備されたフィルムトレイ２８０aを位置させる。

前記フィルムトレイ２８０aの中心には開口部が形成されており、前記開口部には前記ドナーフィルム２８０が介在されている。また、前記ドナーフィルム２８０は基材基板、磁性層、光-熱変換層、中間層及び転写層が含まれる。

図２dを参照すれば、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記ドナーフィルム２８０が具備された前記フィルムトレイ２８０aを前記工程チャンバ２００a内に移動させる。前記工程チャンバ２００a内に移動された前記フィルムトレイ２８０aを前記ドナーフィルム支持台２１０上に安着させる。

図２eを参照すれば、前記フィルムトレイ２８０aを前記ドナーフィルム支持台２１０上に安着させた後、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させる。以後、前記ドナーフィルム支持台２１０上に安着された前記フィルムトレイ２１０の前記ドナーフィルム２８０を前記アクセプタ基板２７０上にラミネーションさせるために、前記電磁石層２６０に形成された電気配線(図示せず)に電力を印加させた後、前記工程チャンバ２００a内に位置した前記ドナーフィルム支持台２１０を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム２８０を前記アクセプタ基板２７０上にラミネーションさせる。この時、前記基板２７０下部に形成された前記電磁石層２６０と磁性層が具備された前記ドナーフィルム２８０の間に磁気力が作用することで、前記アクセプタ基板２７０と前記ドナーフィルムの転写層２８０の間に密着特性はさらに向上させることができる(S３参照)。

図２fを参照すれば、前記ドナーフィルム２８０の転写層を前記アクセプタ基板２７０上に転写させるために前記移送チャンバ２００bと前記工程チャンバ２００aの間に形成されたゲートバルブ２００を閉じる。この時、前記工程チャンバ２００a内部または外部に形成されたレーザオシレータ２９０が作動して前記ドナーフィルム２８０上部にレーザを照射させる。前記レーザオシレータ２９０は、前記転写層が転写されるライン別に移送可能である。

以下では、前記レーザオシレータ２９０をより具体的に説明する。
前記レーザオシレータ２９０は、前記ドナーフィルム２８０上部に位置される。前記レーザオシレータ２９０は、チャンバの外部または内部に設置されうるし、前記レーザが上部から照らされうるように設置されることが好ましい。また、レーザオシレータの概略的な構成図２９０によれば、本実施例でレーザオシレータは、CWND:YAGレーザ(１６０４nm)を使って、２個のガルバノメータスキャナ（Galvanometer）２９１、２９２を具備し、スキャンレンズ２９３及びシリンダレンズ２９４を具備するがこれに制限されるものではない(S４参照)。

<第２実施例>
本発明の第２実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ２００b内にロボット腕２４０とエンドエフェクタ２５０をローディングする。前記エンドエフェクタ２５０上に永久磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を安着させる。前記永久磁石層２６０は、一つの大きい平面磁石や複数個が配列された形態が可能である。前記永久磁石層２６０が配置される類型には制限がないが、ラミネーティングをより有利に遂行するためには大きい平面磁石で形成することが好ましい。

一方、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させた後、前記移送チャンバ２００b内に位置した前記エンドエフェクタ２５０上にドナーフィルム２８０が具備されたフィルムトレイ２８０aを位置させる。この時前記ドナーフィルム２８０は基材基板、磁性層、光-熱変換層、中間層及び転写層を含む。

前述したように、前記磁性層をドナーフィルム２８０に挿入させることで、前記アクセプタ基板２７０上部に位置される時、前記基板２７０一面に形成された永久磁石層２６０と相互磁気的引力を形成する。よって、ドナーフィルムとアクセプタ基板も磁力によって密着されるようにする効果がある。

<第３実施例>
本発明の第３実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ２００b内にロボット腕２４０とエンドエフェクタ２５０をローディングする。前記エンドエフェクタ２５０上に磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を安着させる。前記磁石層２６０はFe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより選択される一つからなる。

一方、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させた後、前記移送チャンバ２００b内に位置した前記エンドエフェクタ２５０上にドナーフィルム２８０が具備されたフィルムトレイ２８０aを位置させる。前記ドナーフィルム２８０は、基材基板、永久磁石層、光-熱変換層、中間層及び転写層を含む。
この時、前記永久磁石層は、前記アクセプタ基板の一面に形成された磁性層と互いに磁気力を形成させるために挿入される層であり、アルニコ磁石(Alnico Magnet)、フェライト磁石(Ferrite Magnet)、稀土類磁石、ゴム磁石、プラスチック磁石等が使用されうる。

前述したように、前記永久磁石層をドナーフィルム２８０に挿入させることで、前記アクセプタ基板２７０上部に位置される時、前記基板２７０一面に形成された磁性層２６０と相互磁気的引力を形成する。よって、ドナーフィルムとアクセプタ基板も磁力によって密着されるようにする効果がある。

図４は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第１実施例を示した断面図である。
図４を参照すれば、前記ドナーフィルム２８０は、基材基板２８１、前記基材基板２８１の一面に位置する磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２、前記光-熱変換層２８２上に位置する中間層２８３と、前記中間層２８３上に位置する転写層２８４からなる。
説明の重複を避けるために、前記第１実施例と同じ構成要素である基材基板２８１、中間層２８３及び転写層２８４に対する具体的な説明は略する。

前記基材基板２８１は、透明性高分子、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。

前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２は、前記基材基板２８１上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質または磁性ナノ粒子の中で少なくとも一つの物質とこれらの複合層の中で一つを含んで形成されうる。前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２は、磁性を帯び、レーザビームを吸収して熱に変化させる役割をする。

前記中間層２８３は、前記磁性物質を帯びる光-熱変換層２８２上にパッド形態で所定間隔を持って形成されうる。

前記転写層２８４は、前記中間層２８３上に形成され、前記基板上にパターニング対象の層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。

図５は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第２実施例を示した断面図である。
図５を参照すれば、ドナーフィルム３８０は、基材基板３８１、前記基材基板３８１の一面に形成される前記磁性層３８２と、前記磁性層３８２上に形成される光-熱変換層３８３と、前記光-熱変換層３８３上に形成される中間層３８４と、前記中間層３８４上に形成される転写層３８５からなる。

前記基材基板３８１は、透明性高分子、例えば、ポリエチレン、テレフタレート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。

前記磁性層３８２は、前記基材基板３８１上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性層３８２は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe_３O_４、CoFeO_４、MnFeO_４)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。

前記光-熱変換層３８３は、磁性層３８２上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記光-熱変換層３８３は、有機膜、金属及びこれらの複合層の中で一つからなることができるし、レーザビームを吸収して熱に変化させる役割をする。

前記中間層３８４は、前記光-熱変換層３８３上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記中間層３８４は、無機物質または有機物質の中で一つからなる。前記中間層３８４は、前記光-熱変換層３８３を保護するためのもので、高い熱抵抗を有することが好ましい。

前記転写層３８５は、前記中間層３８４上に形成され、前記基板上にパターニング対象の層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。

図６は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第３実施例を示した断面図である。
図６を参照すれば、前記ドナーフィルム４８０は、基材基板４８１、前記基材基板４８１の一面に位置する光-熱変換層４８２、前記光-熱変換層４８２上に位置する磁性層４８３と、前記磁性層４８３上に位置する中間層４８４と、前記中間層４８４上に位置する転写層４８５からなる。
説明の重複を避けるため、前記第１実施例と同じ構成要素である基材基板４８１、光-熱変換層４８２、転写層４８５に対する具体的な説明は略する。

前記基材基板４８１は、透明性高分子、 例えば、ポリエチレン、テレフタレート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。

前記光-熱変換層４８２は、基材基板４８１にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。
前記磁性層４８３は、前記光-熱変換層４８２上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性層４８３は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe_３O_４、CoFeO_４、MnFeO_４)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。

前記中間層４８４は、前記磁性層４８３上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記中間層４８４は、転写パターンの特性が向上されるように前記転写層４８５との転写力を制御する役割をする。

前記転写層４８５は、前記中問層４８４上に形成され、前記基板上にパターニングしようとする層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。

前記実施例で磁性層２８２、３８２、４８３は、基材基板３８１の一面、光-熱変換層４８２の一面及び光-熱変換層２８２に含んで形成されたが、前記磁性層は、これの位置に限定されず、基材基板、光-熱変換層及び中間層の少なくとも一側に形成されうることは勿論であり、磁性を帯びる物質を含む基材基板を形成することができることは勿論である。ただし、転写層一面及び他面に磁性層を形成する場合、転写層の特性が変化されうることがあり、転写層一面及び他面には磁性層を形成しない。

図７aないし図７eは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を順次示した断面図である。

まず、図７aに示されたように、前記基板５００下部に前記電磁石層５１０を形成する。前記基板５００の一領域上に前記第１電極層５２０が形成される。前記画素規定膜５３０は、前記第１電極層５２０上に形成されて、前記基板５００上に前記第１電極層５２０を少なくとも部分的に露出させる開口部５４０を含む。前記画素規定膜５３０は、５００Åないし３０００Åの範囲厚さで形成される。

そして、図７bに示されたように、前記基板５００上にドナーフィルム５５０を位置させる。前記ドナーフィルム５５０と前記基板５００の間に密着が良いほど後続転写工程での転写效率が向上するので、前記ドナーフィルム５５０の転写層５５５を前記基板５００上によく密着されるようにラミネーションすることが好ましい。

次に、図７cに示されたように、前記基板５００上に転写される領域に前記ドナーフィルム５５０の上部に局部的に選択された画素領域にレーザを照射する。
前記ドナーフィルム５５０の選択された画素領域上にレーザが照射されれば、前記光-熱変換層５５３が膨脹するにつれて前記転写層５５５が膨脹されつつ前記ドナーフィルム５５０の基材基板５５１から分離して有機電界発光素子の基板５００に転写される。この時、前記電磁石層５１０に形成された電気配線(図示せず)に電力を印加させる。これによって、前記磁性層５５２と前記電磁石層５１０の間に磁気力が作用されることで、前記転写層５５５の転写特性をさらに高めることができる。

次に、図７dのように、前記基板５００上に前記転写層５５５aが転写されれば、前記ドナーフィルム５５０と前記基板５００を分離させる。前記分離した基板５００上には前記開口部５４０に沿って前記転写層５５５aが転写され、前記ドナーフィルム５５０下部の前記転写層５５５a中レーザが照射された領域の前記転写層５５５aのみ転写され、レーザが照射されない領域の前記転写層５５５bは、前記ドナーフィルム５４０上にそのまま残るようになる。

以後、図７eのように、前記転写層５５５aが転写された後、前記転写層５５５a上に第２電極層５６０を形成する。また、前記基板５００と対向される位置に前記封止カバー５８０が形成される。前記封止カバー５８０の内側面、すなわち、前記基板５００の積層物と対向される位置に前記吸湿剤５７０が形成される。

前記吸湿剤５７０は、前記封止カバー５８０内に形成された水気及び酸素を吸収することができる。これによって、有機電界発光表示素子の有機層が水気などによって損傷及び腐食されることを防止することができる。

以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。

図１は、従来の技術によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 図２aは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 図２ｂは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 図２ｃは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 図２ｄは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 図２ｅは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 図２ｆは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 図３は、レーザ熱転写方法を示すブロック図である。 図４は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第１実施例を示した断面図である。 図５は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第２実施例を示した断面図である。 図６は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第３実施例を示した断面図である。 図７aは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。 図７ｂは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。 図７ｃは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。 図７ｄは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。 図７ｅは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。

符号の説明

２１０ ドナーフィルム支持台
２２０ 基板支持台
２３０ 基板ステージ
２６０ 電磁石層
２７０ アクセプタ基板
２８０ ドナーフィルム
２９０ レーザオシレータ

Claims (22)

1. チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
   前記アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、
   前記アクセプタ基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
   前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
   前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階と、
   を含むことを特徴とするレーザ熱転写方法。
2. 前記磁性層は、
   Fe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
3. 前記チャンバは、
   真空チャンバであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
4. 前記ドナーフィルムは、
   基材基板と、
   前記基材基板上に形成される磁性層と、
   前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
   前記光-熱変換層上に形成される転写層と、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
5. 前記光-熱変換層は、
   磁性物質をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のレーザ熱転写方法。
6. アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、
   前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、
   前記第１電極層上に形成され、
   前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
   前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
   前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階と、
   を含むドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。
7. チャンバ内の基板ステージ上に基板を位置させる段階と、
   前記基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、
   前記基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
   前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、
   前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写させる段階と、
   を含むことを特徴とするレーザ熱転写方法。
8. 前記磁性層と前記永久磁石層の間に磁気力が作用することを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。
9. 前記永久磁石層は、
   少なくとも一つの棒または円筒形状で形成されることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。
10. 前記永久磁石層は、
    磁性ナノパーティクルからなることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。
11. 前記磁性層は、
    Fe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。
12. 前記チャンバは、
    真空チャンバであることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。
13. 前記ドナーフィルムは、
    基材基板と、
    前記基材基板上に形成される磁性層と、
    前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
    前記光-熱変換層上に形成される転写層と、
    を含むことを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。
14. 前記光-熱変換層は、
    磁性物質をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ熱転写方法。
15. 基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、
    前記基板上に第１電極層を形成する段階と、
    前記第１電極層上に形成され、
    前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
    前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
    前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階と、
    を含むことを特徴とするドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。
16. チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
    前記アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、
    前記アクセプタ基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び永久磁石層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
    前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
    前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階と、
    を含むことを特徴とするレーザ熱転写方法。
17. 前記磁性層は、
    Fe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項１６に記載のレーザ熱転写方法。
18. 前記チャンバは、
    真空チャンバであることを特徴とする請求項１６に記載のレーザ熱転写方法。
19. 前記ドナーフィルムは、
    基材基板と、
    前記基材基板上に形成される永久磁石層と、
    前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
    前記光-熱変換層上に形成される転写層を含むことを特徴とする請求項１６に記載のレーザ熱転写方法。
20. 前記永久磁石層を基材基板または光-熱変換層内部に永久磁石層ナノ粒子の形態で形成することを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。
21. 前記チャンバは、
    真空チャンバであることを特徴とする請求項１６に記載のレーザ熱転写方法。
22. アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、
    前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、
    前記第１電極層上に形成され、
    前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
    前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって永久磁石層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
    前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階と、
    を含むことを特徴とするドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。
    

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