JP4492878B2 - ドナー基板,有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents

ドナー基板,有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は,ドナー基板,有機電界発光表示装置の製造方法に係り,特に,レーザ熱転写用のドナー基板,有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
一般に,レーザ熱転写は,少なくともレーザ光線,アクセプタ基板およびドナーフィルムを要し,ドナーフィルムは,基材フィルム,基材フィルムの全面に積層された光熱変換層,および光熱変換層の全面に積層された転写層を備える。レーザ熱転写に際して,ドナーフィルムは,転写層がアクセプタ基板に対向するように,アクセプタ基板上に積層される。そして,レーザ光線がドナーフィルム上に照射され,転写層パターンがアクセプタ基板上に形成される。本技術は,特許文献1,特許文献2および特許文献3に開示されている。
基材フィルムにレーザ光線を照射することにより,アクセプタ基板上に転写層パターンを形成する仕組みについて,以下に詳しく説明する。レーザ光線は,基材フィルムの一部の領域に照射される。この際,レーザ光線が照射された領域の光熱変換層は,レーザ光線を吸収し,吸収したレーザ光線を熱エネルギーに変換する。熱エネルギーを発生させる光熱変換層の領域に相当する領域の転写層は,アクセプタ基板に熱エネルギーにより選択的に転写されることにより,転写層パターンを形成する。この場合,転写層パターンの幅は,レーザ光線の幅に対応する。よって,転写層パターンを微細に形成したい場合,レーザ光線の幅は,精密に調整されるべきである。一方,レーザ光線の光線幅の精密な調整は,高精度のレーザ装置を要する。このような高精度のレーザ装置は高価であるため,有機電界発光表示装置の製造費を増加させる。
米国特許第5998085号明細書 米国特許第6214520号明細書 米国特許第6114088号明細書
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので,その目的は,レーザ光線の幅を精密に制御しなくても,微細な転写層パターンを精密に形成することができる,新規かつ改良されたドナー基板,ならびに該ドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することである。
上記課題を解決するため,本発明のある観点によれば,ベース基板と,ベース基板上に配される転写層と,ベース基板と転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域と発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体とを備えるドナー基板が提供される。
かかる構成によれば,ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は,選択的発熱構造体の発熱領域に吸収されて熱に変換され,選択的に発熱を生じさせることができる。そして,発熱領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより,レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
上記選択的発熱構造体は,ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
また,上記選択的発熱構造体は,光熱変換層パターンの側部の領域でベース基板に接触されて配される反射層を有するようにしてもよい。
上記反射層は,光熱変換層パターンを覆うようにしてもよい。
上記ドナー基板は,選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
上記選択的発熱構造体は,光熱変換層パターンを覆う反射層をさらに有するようにしてもよい。
上記ベース基板は,陥凹部を有し,選択的発熱構造体は,陥凹部内に選択的に配され,かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
上記選択的発熱構造体は,光熱変換層パターンとベース基板との上に配される反射層をさらに有するようにしてもよい。
上記ドナー基板は,選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
上記選択的発熱構造体は,光熱変換層パターンとベース基板との上に配される反射層をさらに有するようにし,選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
また,上記選択的発熱構造体は,ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ非発熱領域を定める反射層パターンと,反射層パターンを覆う光熱変換層とを有するようにしてもよい。
また,上記選択的発熱構造体は,光熱変換層上に配される反射層をさらに有するようにしてもよい。
上記ドナー基板は,選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
上記選択的発熱構造体は,光熱変換層上に配される反射層をさらに有し,選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
また,本発明の他の観点によれば,ベース基板と,ベース基板の一部の領域に選択的に配される光熱変換(LTHC)層パターンと,光熱変換層パターン上に配される転写層とを備えるドナー基板が提供される。
かかる構成によれば,ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は,光熱変換層パターンに吸収されて熱に変換され,選択的に発熱を生じさせることができる。そして,光熱変換層パターンの発熱領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより,レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
上記ドナー基板は,光熱変換層パターンの側部の領域でベース基板に接触されて配される反射層を備えるようにしてもよい。
上記反射層は,光熱変換層パターンを覆うようにしてもよい。
上記ドナー基板は,光熱変換層パターンと転写層との間に介在される中間層をさらに含むようにしてもよい。
また,上記ドナー基板は,光熱変換層パターンを覆う反射層と,反射層と転写層との間に介在される中間層とをさらに含むようにしてもよい。
また,上記ベース基板は,陥凹部を有し,光熱変換層パターンは,陥凹部内に選択的に配されるようにしてもよい。
また,上記ドナー基板は,光熱変換層パターンおよびベース基板と,転写層との間に介在される反射層をさらに備えるようにしてもよい。
また,上記ドナー基板は,光熱変換層パターンおよびベース基板と,転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
また,上記ドナー基板は,光熱変換層パターンおよびベース基板上に配される反射層と,反射層と転写層との間に介在される中間層とをさらに含むようにしてもよい。
また,本発明の他の観点によれば,ベース基板と,ベース基板の一部の領域に選択的に配される反射層パターンと,反射層パターンを覆う光熱変換層と,光熱変換層上に配される転写層とを備えるドナー基板が提供される。
かかる構成によれば,ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は,反射層パターンに遮蔽されない領域の光熱変換層に吸収されて熱に変換され,選択的に発熱を生じさせることができる。そして,反射層パターンに遮蔽されない領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより,レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
上記ドナー基板は,光熱変換層と転写層との間に介在される反射層をさらに含むようにしてもよい。
また,上記ドナー基板は,光熱変換層と転写層との間に介在される中間層をさらに含むようにしてもよい。
また,上記ドナー基板は,光熱変換層上に配される反射層と,反射層と転写層との間に介在される中間層とをさらに含むようにしてもよい。
また,本発明の他の観点によれば,ベース基板と,ベース基板上に配される転写層と,ベース基板と転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域および発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体とを備えるドナー基板を準備する段階。そして,少なくとも一つの画素電極を有するアクセプタ基板上に,ドナー基板の転写層がアクセプタ基板に対向するように,ドナー基板を配する段階。さらに,ドナー基板上に,発熱領域の幅より大きい幅を有するレーザ光線を照射し,アクセプタ基板の画素電極上に転写層パターンを形成する段階。上記の3つの段階からなる有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
かかる方法によれば,ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は,選択的発熱構造体の発熱領域に吸収されて熱に変換され,選択的に発熱を生じさせることができる。そして,発熱領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたしてアクセプタ基板に選択的に転写されることにより,レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
上記選択的発熱構造体は,ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
上記ベース基板は,陥凹部を有し,選択的発熱構造体は,陥凹部内に選択的に配され,かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
上記選択的発熱構造体は,ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ非発熱領域を定める反射層パターンと,反射層パターンを覆う光熱変換層とを有するようにしてもよい。
上記転写層パターンは,有機発光層であるようにしてもよい。
また,上記転写層パターンは,正孔輸送層,正孔注入層,正孔抑制層,電子輸送層および電子注入層のいずれか一つ以上を含むようにしてもよい。
本発明によれば,レーザ光線の幅を精密に制御しなくても,微細な転写層パターンを精密に形成することができる,ドナー基板ならびに該ドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。
以下に,添付した図面を参照しながら,本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお,本明細書および図面において,実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図面において,ある層が他の層または基板の上に形成されていれば,ある層が他の層または基板の上に直接形成される場合のみならず,ある層と他の層または基板との間に第3の層が介在される場合も含む。
図1は,本発明の第1および第2の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。
図1に示すとおり,ドナー基板D1,D2は,ベース基板10,20を備える。ベース基板10,20の一部の領域には,光熱変換層パターン13,23がそれぞれ配される。本実施形態において,光熱変換層パターン13,23は,発熱領域を定めることができる。
ドナー基板D1,D2は,有機電界発光表示装置の発光層を形成するために用いられてもよい。この場合,光熱変換層パターン13,23は,有機電界発光表示装置の単位画素領域に相当する。有機電界発光表示装置が赤色,緑色および青色のフルカラー画像を表示する際,赤色発光層,緑色発光層および青色発光層が,それぞれにパターン化される。この場合,3枚のドナー基板が必要とされ,3枚のドナー基板は,互いに異なる位置にそれぞれ第1光熱変換層パターン13,23,第2光熱変換層パターン13’,23’,および第3光熱変換層パターン13”,23”を含むことができる。図1はストライプ型の発光層パターンを形成するドナー基板を示すが,本実施形態はこれに限定されるものではなく,ドット型またはデルタ型の発光層パターンを形成するドナー基板に適用されてもよい。
図2aは,図1のI−I’線沿いにおける本発明の第1の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。
図2aに示すとおり,ドナー基板D1は,ベース基板10を備える。ベース基板10は,レーザ光線に対する高い透過性,優れた耐熱性,適度な可撓性および機械的強度を有することが望ましい。よって,ベース基板10は,ポリエステルフィルム,特に,ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタレートフィルムで形成されてもよい。ベース基板10の厚さは,10〜500μmの範囲にあることが好ましい。
転写層19は,ベース基板10上に配される。転写層19は,ベース基板10の全面に配される。転写層19は,電界発光性有機層または発光層であるようにしてもよい。また,転写層19は,正孔注入性有機膜,正孔輸送性有機膜,正孔抑制性有機膜,電子輸送性有機膜および電子注入性有機膜のいずれか一つ以上の膜をさらに備えてもよい。
ベース基板10と転写層19との間には,選択的発熱構造体S1が介在される。選択的発熱構造体S1は,光熱変換により発熱する発熱領域と,発熱領域に隣接する非発熱領域とを備える。非発熱領域は,まったく発熱しない領域を意味せず,発熱領域に対する相対的な概念として理解されるべきである。
本実施形態において,選択的発熱構造体S1は,ベース基板10の一部の領域に選択的に配される光熱変換(LTHC:Light To Heat Conversion)層パターン13を備える。光熱変換層パターン13は,発熱領域を定める。光熱変換層パターン13は,レーザ光線の一部を吸収し,吸収したレーザ光線を熱に変換する。よって,光熱変換層パターン13において選択的に発熱を生じさせることができる。この際,光熱変換層パターン13の発熱領域に相当する転写層19が,熱により接着力の低下をきたし,アクセプタ基板に選択的に転写されることにより,転写層パターンが形成される。結果として,レーザ光線の幅にかかわらずに,微細な転写層パターンを形成することができる。
光熱変換層パターン13は,例えばカーボンブラック,黒鉛,金属酸化物または金属硫化物などの光吸収性物質を含む。また,光熱変換層パターン13は,結合剤をさらに含んでもよい。光熱変換層パターン13の適例としては,有機結合剤中にカーボンブラックを分散させた有機膜や,金属酸化物または金属硫化物を含む金属膜が含まれる。光熱変換層パターン13が有機膜であれば,スクリーン印刷法により光熱変換層パターン13が形成される。一方,光熱変換層パターン13が金属膜であれば,高精度マスクを用いて,真空蒸着法,電子光線蒸着法またはスパッタリング法により,光熱変換層パターン13が形成される。
選択的発熱構造体S1は,光熱変換層パターン13の側部を覆いながらベース基板10に接触されて配される反射層15をさらに備えてもよい。反射層15は,レーザ光線に対する適度な反射特性を有する層であり,ベース基板10を介して入射するレーザ光線を反射させる。よって,反射層15は,非発熱領域を定めることができる。反射層15は,アルミニウム膜,アルミニウム合金膜,銀膜および銀合金膜のいずれか一つ以上の膜からなることが望ましい。
反射層15は,光熱変換層パターン13を覆うことが望ましい。この場合,光熱変換層パターン13を透過したレーザ光線は,反射層15の光熱変換層パターン13上の領域15aにより反射され,光熱変換層パターン13内に再び反響(returned into)される。このことにより,光熱変換層パターン13内の光熱変換率が向上される。
反射層15を含む選択的発熱構造体S1と転写層19との間には,中間層17が介在されてもよい。中間層17は,光熱変換層パターン13に含まれる,例えばカーボンブラックなどの光吸収性物質による転写層19の汚染を防止するとともに,光熱変換層パターン13がレーザ光線を熱に変換する際に発生されるアウトガスを遮蔽する。中間層17は,耐熱性に優れた物質で形成され,転写層19に対して接着力を有することが望ましい。中間層17は,有機膜,無機膜,またはこれらの複合体でもよい。有機膜であればアクリル樹脂またはアルキド樹脂からなる高分子フィルム,無機膜であれば金属酸化物膜であるようにしてもよい。
一方,反射層15は省略されてもよく,この場合,中間層17は,光熱変換層パターン13と転写層19との間,すなわち反射層15を含まない選択的発熱構造体S1と転写層19との間に介在される。具体的には,中間層17は,光熱変換層パターン13を覆うことができる。
図2bは,図2aに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
図2bに示すとおり,図2aに示すドナー基板D1は,転写層19がアクセプタ基板A1に対向するように,一つ以上の画素電極を有するアクセプタ基板A1上に配される。そして,レーザ光線がドナー基板D1に照射される。レーザ光線は,ライン光線状にパターン化された光線でもよく,パターン化されたレーザ光線は,ドナー基板D1の発熱領域に照射される。なお,レーザ光線の幅Wlは,発熱領域の幅Wcより大きい。
ドナー基板D1に照射されたレーザ光線は,ベース基板10を介して伝達され,光熱変換層パターン13により部分的に吸収される(L11)。また,光熱変換層パターン13を覆う反射層15が設けられた場合,光熱変換層パターン13により吸収されず,伝達されたレーザ光線は,光熱変換層パターン13上の反射層15aにより反射され,光熱変換層パターン13内に反響される(L12)。このことにより,光熱変換層パターン13内の光熱変換率が向上される。一方,光熱変換層パターン13の側部の領域に相当する反射層15に照射されたレーザ光線は,反射層15により反射される(L13)。反射層15が設けられない場合,レーザ光線は,光熱変換層パターン13の側部の領域を透過する。結果として,光熱変換層パターン13が形成された領域において,選択的に発熱を生じさせることができる。
さらに,光熱変換層パターン13の発熱が中間層17と転写層19との間の接着力を低下させることにより,転写層19がアクセプタ基板A1上に選択的に転写される。よって,アクセプタ基板A1上に転写層パターン19aを形成することができる。
本実施形態において,レーザ光線の幅Wlは,アクセプタ基板A1上にパターン化される転写層パターンの幅Wtより大きくすることができる。よって,レーザ光線の幅Wlを精密に制御しなくても,微細な転写層パターンを得ることができる。
図3aは,図1の切断線I−I’沿いにおける本発明の第2の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。本実施形態にかかるドナー基板は,後述する点を除けば,図2aに示すドナー基板と類似する機能を有するものである。
図3aに示すとおり,ドナー基板D2は,ベース基板20と,ベース基板20上に配される転写層29とを備える。
ベース基板20と転写層29との間には,選択的発熱構造体S2が介在される。選択的発熱構造体S2は,光熱変換により発熱する発熱領域と,発熱領域に隣接する非発熱領域とを備える。
選択的発熱構造体S2は,ベース基板20の一部の領域に選択的に配される光熱変換層パターン23を備える。本実施形態において,ベース基板20は陥凹部20aを有し,光熱変換層パターン23は陥凹部20a内に選択的に配される。陥凹部20a内に選択的に配される光熱変換層パターン23は,発熱領域を定める。
陥凹部20aを有するベース基板20は,例えば金型を用いて製造される。光熱変換層パターン23は,エアナイフコートやブレードコートを用いて,陥凹部20a内に選択的に形成される。
選択的発熱構造体S2は,光熱変換層パターン23およびベース基板20と,転写層29との間に介在される反射層25をさらに備えてもよい。反射層25は,ベース基板20を介して入射するレーザ光線を反射させる。具体的には,レーザ光線が反射層25の各光熱変換層パターン23の側部の領域に相当する領域25bにより反射されるため,反射層25は非発熱領域を定めることができる。光熱変換層パターン23を透過したレーザ光線は,反射層25の光熱変換層パターン23上の領域25aにより反射され,光熱変換層パターン23内に再び反響される。このことにより,光熱変換層パターン23内の光熱変換率が向上される。
反射層25を含む選択的発熱構造体S2と,転写層29との間には,中間層27が介在される。一方,反射層25は省略されてもよく,この場合,光熱変換層パターン23およびベース基板20と,転写層29との間には,中間層27が介在される。
図3bは,図3aに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
図3bに示すとおり,図3aに示すドナー基板D2は,転写層29がアクセプタ基板A2に対向するように,アクセプタ基板A2上に配される。そして,レーザ光線がドナー基板D2に照射される。レーザ光線は,ライン光線状にパターン化された光線でもよく,パターン化されたレーザ光線は,ドナー基板D2の発熱領域に照射される。なお,レーザ光線の幅Wlは,発熱領域の幅Wcより大きい。
ドナー基板D2に照射されたレーザ光線は,光熱変換層パターン23により部分的に吸収される(L21)。また,光熱変換層パターン23上に反射層25が設けられた場合,光熱変換層パターン23により吸収されず,伝達されたレーザ光線は,光熱変換層パターン23上の反射層25aにより反射され,光熱変換層パターン23内に反響される(L22)。このことにより,光熱変換層パターン23内の光熱変換率が向上される。一方,反射層25の光熱変換層パターン23の側部の領域に相当する領域25bに照射されたレーザ光線は,反射層25により反射される(L23)。反射層25が設けられない場合,レーザ光線は,光熱変換層パターン23の側部の領域を透過する。結果として,光熱変換層パターン23が形成された領域において,選択的に発熱を生じさせることができる。
さらに,光熱変換層パターン23の発熱が中間層27と転写層29との間の接着力を低下させることにより,転写層29がアクセプタ基板A2上に選択的に転写される。よって,アクセプタ基板A2上に転写層パターン29aを形成することができる。
図4は,本発明の第3の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。
図4に示すとおり,ドナー基板D3は,ベース基板30を備える。ベース基板30の一部の領域には,反射層パターン31が配される。個々の反射層パターン31は,非発熱領域を定める。光熱変換層33は,反射層パターン31の側部でベース基板30に接触された領域31aに配される。すなわち,接触領域31aは,発熱領域を定めることができる。
ドナー基板D3は,有機電界発光表示装置の発光層を形成するために用いられてもよい。この場合,光熱変換層33がベース基板30に接触される接触領域31aは,有機電界発光表示装置の単位画素領域に相当する。有機電界発光表示装置が赤色,緑色および青色のフルカラー画像を表示する際,3枚のドナー基板が必要とされる。3枚のドナー基板は,互いに異なる位置に第1接触領域31a,第2接触領域31a’および第3接触領域31a”をそれぞれ有する反射層パターン31を含む。図4はストライプ型の発光層パターンを形成するドナー基板を示すが,本実施形態はこれに限定されるものではなく,ドット型またはデルタ型の発光層パターンを形成するドナー基板に適用されてもよい。さらに,本実施形態は,アクセプタ基板上に様々な異なるパターンを形成するドナー基板に適用されてもよい。
図5aは,図4の切断線I−I’沿いにおける本発明の第3の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。本実施形態にかかるドナー基板は,後述する点を除けば,図2aに示すドナー基板と類似する機能を有するものである。
図5aに示すとおり,ドナー基板D3は,ベース基板30と,ベース基板30上に配される転写層39とを備える。
ベース基板30と転写層39との間には,選択的発熱構造体S3が介在される。選択的発熱構造体S3は,光熱変換により発熱する発熱領域と,発熱領域に隣接する非発熱領域とを備える。
選択的発熱構造体S3は,ベース基板30の一部の領域に選択的に配される反射層パターン31と,反射層パターン31を覆う光熱変換層33とを備える。光熱変換層33は,反射層パターン31の上と,反射層パターン31の側部でベース基板30に接触された領域31aの上とに配される。反射層パターン31が,ベース基板30を介して入射するレーザ光線の一部を反射させることにより,非発熱領域を定める。光熱変換層33がベース基板30に接する接触領域31aは,レーザ光線を吸収し,吸収したレーザ光線を熱に変換することにより,発熱領域を定める。
反射層パターン31は,レーザ光線に対する適度な反射特性を有する膜であり,アルミニウム膜,アルミニウム合金膜,銀膜および銀合金膜のいずれか一つ以上の膜からなることが望ましい。反射層パターン31は,高精度マスクを用いて,蒸着法によりベース基板30上に形成される。
選択的発熱構造体S3は,光熱変換層33上に配される反射層35をさらに備えてもよい。光熱変換層33を透過したレーザ光線は,反射層35により反射され,光熱変換層33内に反響される。このことにより,光熱変換層33内の光熱変換率が向上される。
反射層35を含む選択的発熱構造体S3と転写層39との間には,中間層37が介在される。一方,反射層35は省略されてもよく,この場合,光熱変換層33と転写層39との間には,中間層37が介在される。
図5bは,図5aに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
図5bに示すとおり,図5aに示すドナー基板D3は,転写層39がアクセプタ基板A3に対向するように,アクセプタ基板A3上に配される。そして,レーザ光線がドナー基板D3に照射される。レーザ光線は,ライン光線状にパターン化された光線でもよく,パターン化されたレーザ光線は,ドナー基板D3の発熱領域に照射される。なお,レーザ光線の幅Wlは,発熱領域の幅Wcより大きい。
ドナー基板D3に照射されたレーザ光線は,ベース基板30を介して伝達され,光熱変換層33により部分的に吸収される(L31)。また,光熱変換層33の上に反射層35が設けられた場合,光熱変換層33により吸収されず,伝達されたレーザ光線は,反射層35により反射され,光熱変換層33内に反響される(L32)。このことにより,光熱変換層33内の光熱変換率が向上される。一方,反射層パターン31に照射されたレーザ光線は,反射層パターン31により反射される(L33)。結果として,光熱変換層33のベース基板30に接触された領域において,選択的に発熱を生じさせることができる。
さらに,光熱変換層33の発熱が中間層37と転写層39との間の接着力を低下させることにより,転写層39がアクセプタ基板A3上に選択的に転写される。よって,アクセプタ基板A3上に転写層パターン39aを形成することができる。
図6は,図2b,図3bおよび図5bの領域Pを示す拡大断面図であり,アクセプタ基板A1,A2,A3が有機電界発光素子基板である場合を示す。
図6に示すとおり,半導体層120は,基板100上の所定の領域に配される。半導体層120は,非晶質シリコン膜,または非晶質シリコン膜を結晶化した多結晶シリコン膜からなるようにしてもよい。ゲート絶縁膜125は,半導体層120上に配される。半導体層120に重畳されるゲート電極130は,ゲート絶縁膜125上に配される。半導体層120およびゲート電極130を覆う第1層間絶縁膜135は,ゲート電極130上に配される。第1層間絶縁膜135およびゲート絶縁膜125を貫通し,半導体層120の両端に連結されるドレイン電極141およびソース電極143は,第1層間絶縁膜135上に配される。半導体層120,ゲート電極130およびソース/ドレイン電極141,143は,薄膜トランジスタTを構成する。
ソース/ドレイン電極141,143を覆う第2層間絶縁膜150は,ソース/ドレイン電極141,143上に配される。第2層間絶縁膜150は,薄膜トランジスタTを保護する保護膜,および/または薄膜トランジスタによる段差を緩和する平坦化膜を含むようにしてもよい。第2層間絶縁膜150を貫通し,ドレイン電極141に連結される画素電極155は,第2層間絶縁膜150上に配される。画素電極155は,例えば酸化インジウム錫(ITO)膜または酸化インジウム亜鉛(IZO)膜でもよい。画素電極155の一部を接触させる開口部160aを有する画素定義膜(pixel defining layer)160aは,画素電極155上に配されてもよい。
ドナー基板(図2bのD1,図3bのD2,図5bのD3)から転写された転写層パターン19a,29a,39aは,開口部160aに接触された画素電極155上に配される。転写層パターン19a,29a,39aは,有機発光層であるようにしてもよい。また,転写層パターン19a,29a,39aは,正孔注入膜,正孔輸送膜,正孔抑制膜,電子輸送膜および電子注入膜のいずれか一つ以上の膜をさらに含んでもよい。
以上で,本発明の好ましい実施例について説明したが,本発明はこれに限定されず,特許請求の範囲,発明の詳細な説明,および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり,これも当然本発明の範囲に属する。
本発明の第1および第2の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。 図1のI−I’線沿いにおける本発明の第1の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。 図2aに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 図1の切断線I−I’沿いにおける本発明の第2の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。 図3aに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第3の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。 図4の切断線I−I’沿いにおける本発明の第3の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。 図5aに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 図2b,図3bおよび図5bの領域Pを示す拡大断面図である。
符号の説明
10,20,30 ベース基板
13,23 光熱変換層パターン
15,25,35 反射層
17,27,37 中間層
19,29,39 転写層
20a 陥凹部
31 反射層パターン
33 光熱変換層
A1,A2,A3 アクセプタ基板
D1,D2,D3 ドナー基板
S1,S2,S3 選択的発熱構造体

Claims (18)

  1. ベース基板と;
    前記ベース基板上に配される転写層と;
    前記ベース基板と前記転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域と前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体と;
    を備え,
    前記選択的発熱構造体は,
    前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンと;
    前記光熱変換層パターンを覆うように前記ベース基板に配される反射層と;
    を有することを特徴とするドナー基板。
  2. 前記反射層は,さらに前記光熱変換層パターンの側部を覆いながら前記ベース基板に接触さして配されることを特徴とする,請求項1に記載のドナー基板。
  3. 前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする,請求項1に記載のドナー基板。
  4. 陥凹部を有するベース基板と;
    前記ベース基板上に配される転写層と;
    前記ベース基板と前記転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域と前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体と;
    を備え,
    前記選択的発熱構造体は,
    前記陥凹部内に選択的に配され,かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンと;
    前記光熱変換層パターンの上に配される反射層と;
    をさらに有することを特徴とするドナー基板。
  5. 前記反射層は,さらに前記ベース基板の上に配されることを特徴とする,請求項4に記載のドナー基板。
  6. 前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする,請求項4に記載のドナー基板。
  7. ベース基板と;
    前記ベース基板上に配される転写層と;
    前記ベース基板と前記転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域と前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体と;
    を備え,
    前記選択的発熱構造体は,
    前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ前記非発熱領域を定める反射層パターンと;
    前記反射層パターンを覆う光熱変換層と;
    前記光熱変換層上に配される反射層と;
    を有することを特徴とするドナー基板。
  8. 前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする,請求項7に記載のドナー基板。
  9. ベース基板と;
    前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され,光熱変換により発熱する発熱領域を定める光熱変換層パターンと;
    前記光熱変換層パターンを覆うように前記ベース基板上に配される反射層と;
    前記反射層上に配される転写層と;
    を備えることを特徴とするドナー基板。
  10. 前記反射層は,さらに前記光熱変換層パターンの側部を覆いながら前記ベース基板に接触して配されることを特徴とする,請求項9に記載のドナー基板。
  11. 前記光熱変換層パターンと前記転写層との間に介在される中間層をさらに含むことを特徴とする,請求項9に記載のドナー基板。
  12. 陥凹部を有するベース基板と;
    前記陥凹部内に選択的に配され,光熱変換により発熱する発熱領域を定める光熱変換層パターンと;
    前記光熱変換層パターンを覆うように前記ベース基板上に配される反射層と;
    前記反射層上に配される転写層と;
    を備えることを特徴とするドナー基板。
  13. 前記光熱変換層パターンおよび前記ベース基板と,前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする,請求項12に記載のドナー基板。
  14. ベース基板と;
    前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され,光熱変換により発熱する発熱領域に隣接する非発熱領域を定める反射層パターンと;
    前記反射層パターンを覆うように前記ベース基板上に配される光熱変換層と;
    前記光熱変換層上に配される反射層と;
    前記反射層上に配される転写層と;
    を備えることを特徴とするドナー基板。
  15. 前記光熱変換層と前記転写層との間に介在される中間層をさらに含むことを特徴とする,請求項14に記載のドナー基板。
  16. ベース基板と,前記ベース基板上に配される転写層と,前記ベース基板と前記転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域および前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有し,さらに前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンと,前記光熱変換層パターンを覆うように前記ベース基板に配される反射層とを有する選択的発熱構造体とを備えるドナー基板を準備し,
    少なくとも一つの画素電極を有するアクセプタ基板上に,前記ドナー基板の前記転写層が前記アクセプタ基板に対向するように,前記ドナー基板を配し,
    前記ドナー基板上に,前記発熱領域の幅より大きい幅を有するレーザ光線を照射し,前記アクセプタ基板の画素電極上に転写層パターンを形成することを特徴とする,有機電界発光表示装置の製造方法。
  17. 陥凹部を有するベース基板と,前記ベース基板上に配される転写層と,前記ベース基板と前記転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域と前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体とを備え,さらに前記選択的発熱構造体は,前記陥凹部内に選択的に配され,かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンと,前記光熱変換層パターンの上に配される反射層とを有するドナー基板を準備し,
    少なくとも一つの画素電極を有するアクセプタ基板上に,前記ドナー基板の前記転写層が前記アクセプタ基板に対向するように,前記ドナー基板を配し,
    前記ドナー基板上に,前記発熱領域の幅より大きい幅を有するレーザ光線を照射し,前記アクセプタ基板の画素電極上に転写層パターンを形成することを特徴とする,有機電界発光表示装置の製造方法。
  18. ベース基板と,前記ベース基板上に配される転写層と,前記ベース基板と前記転写層との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域および前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有し,さらに前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され,かつ前記非発熱領域を定める反射層パターンと,前記反射層パターンを覆う光熱変換層とを有する選択的発熱構造体とを備えるドナー基板を準備し,
    少なくとも一つの画素電極を有するアクセプタ基板上に,前記ドナー基板の前記転写層が前記アクセプタ基板に対向するように,前記ドナー基板を配し,
    前記ドナー基板上に,前記発熱領域の幅より大きい幅を有するレーザ光線を照射し,前記アクセプタ基板の画素電極上に転写層パターンを形成することを特徴とする,有機電界発光表示装置の製造方法。
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