KR20140118534A - 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법 - Google Patents

도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140118534A
KR20140118534A KR1020130034658A KR20130034658A KR20140118534A KR 20140118534 A KR20140118534 A KR 20140118534A KR 1020130034658 A KR1020130034658 A KR 1020130034658A KR 20130034658 A KR20130034658 A KR 20130034658A KR 20140118534 A KR20140118534 A KR 20140118534A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
heat
transfer
disposed
Prior art date
Application number
KR1020130034658A
Other languages
English (en)
Inventor
이준구
정지영
최진백
방현성
이연화
김원종
송영우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130034658A priority Critical patent/KR20140118534A/ko
Priority to US14/098,624 priority patent/US9099687B2/en
Priority to TW103103133A priority patent/TW201438318A/zh
Priority to CN201410062282.8A priority patent/CN104078620A/zh
Publication of KR20140118534A publication Critical patent/KR20140118534A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/382—Contact thermal transfer or sublimation processes
    • B41M5/38207—Contact thermal transfer or sublimation processes characterised by aspects not provided for in groups B41M5/385 - B41M5/395
    • B41M5/38214—Structural details, e.g. multilayer systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/42—Intermediate, backcoat, or covering layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M2205/00—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
    • B41M2205/38—Intermediate layers; Layers between substrate and imaging layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

도너기판은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 광 반사층, 상기 광 반사층에 중첩하게 배치되고 복수 개의 기공들을 갖는 열 차단패턴, 상기 베이스 기판 상에 배치된 광-열 변환층, 및 상기 광-열 변환층 상에 배치된 전사층을 포함한다. 상기 도너기판의 상기 전사층이 피전사기판에 접촉되도록 상기 도너기판을 상기 피전사기판 상에 배치시킨 후, 광을 조사하여 상기 전사층의 일부분을 상기 피전사기판에 전사시킨다.

Description

도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법{DONOR SUBSTRATE AND METHOD FOR FORMING TRANSFER PATTERN USING THE SAME}
본 발명은 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열 차단패턴을 포함하는 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법에 관한 것이다.
피전사기판 상에 유기물/무기물 패턴(이하, 전사패턴)을 형성하는 방법으로 광-열 전사방법이 이용되고 있다. 예컨대, 유기발광소자를 형성하는 과정에서 상기 광-열 전사방법이 이용된다.
상기 광-열 전사법은 도너기판을 이용한다. 상기 도너기판은 광원으로부터 입사된 광을 열로 변환하는 광-열 변환층 및 상기 입사된 광을 반사시키는 광 반사층을 포함한다. 상기 광-열 변환층의 광 흡수율이 높을수록 전사패턴의 전사는 쉽게 일어난다.
또한, 상기 광 반사층의 광 반사율이 높을수록 특정한 영역에서만 전사가 일어난다. 전사층의 상기 광 반사층에 중첩한 부분은 전사가 쉽게 일어나지 않는다. 그러나, 상기 광 반사층에 중첩한 부분에서도 일정한 양의 광은 흡수되기 때문에 상기 광 반사층에 중첩하는 부분에서도 전사가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 특정한 영역에서만 전사가 일어나는 도너기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 상기 도너기판을 이용하여 전사패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도너기판은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 베이스 기판의 일부분에 중첩하는 광 반사층, 상기 광 반사층에 중첩하게 배치되고 복수 개의 기공들을 갖는 열 차단패턴, 상기 베이스 기판 상에 배치된 광-열 변환층, 및 상기 광-열 변환층 상에 배치된 전사층을 포함한다.
상기 광 반사층은 금속을 포함한다. 상기 금속은 알루미늄 또는 은 또는 이들의 합금을 포함한다.
상기 광 반사층은 복수 개의 개구부들을 포함한다. 상기 열 차단패턴은 상기 광 반사층과 동일한 형상을 갖는다. 상기 광-열 변환층은 상기 열 차단패턴 및 상기 광 반사층의 상기 복수 개의 개구부들에 중첩하게 배치된다.
상기 열 차단패턴은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드를 포함한다. 상기 열 차단패턴의 두께는 10㎚ 내지 10㎛이다. 상기 열 차단패턴의 상기 복수 개의 기공들의 직경은 1㎚ 내지 50㎚이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전사패턴 형성방법은 상술한 도너기판의 상기 전사층이 피전사기판에 접촉되도록 상기 도너기판을 상기 피전사기판 상에 배치시키는 단계, 상기 피전사기판에 전사패턴이 전사되도록 상기 도너기판에 광을 조사하는 단계, 및 상기 도너기판을 상기 피전사기판으로부터 제거하는 단계를 포함한다.
상기 전사패턴은 유기발광소자의 일부분을 구성한다. 상기 유기발광소자의 상기 일부분은 정공 수송층 또는 유기 발광층이다.
상술한 바에 따르면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도너기판은 특정한 영역에서만 상기 전사층의 전사가 일어난다. 상기 열 차단패턴이 상기 광 반사층에 중첩하는 부분의 상기 전사층에 열이 전달되는 것을 방지한다. 그에 따라, 상기 광 반사층의 상기 복수 개의 개구부들에 중첩하는 영역에서만 상기 전사층의 전사가 일어난다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도너기판의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'에 대응하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 AA 영역을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 반사층의 광 반사율을 도시한 그래프이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사패턴을 형성하는 공정을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 전사패턴을 포함하는 유기발광 표시기판을 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 도너기판의 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 설명한다.
도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 일부 구성요소의 스케일을 과장하거나 축소하여 나타내었다. 명세서 전체에 걸쳐 유사한 참조 부호는 유사한 구성 요소를 지칭한다. 그리고, 어떤 층이 다른 층의 '상에' 형성된다(배치된다)는 것은, 두 층이 접해 있는 경우뿐만 아니라 두 층 사이에 다른 층이 존재하는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 어떤 층의 일면이 평평하게 도시되었지만, 반드시 평평할 것을 요구하지 않으며, 적층 공정에서 하부층의 표면 형상에 의해 상부층의 표면에 단차가 발생할 수도 있다. 또한, 아래에서 '라인'이라는 용어는 도전성 물질로 이루어진 신호 배선을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도너기판의 평면도이다. 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'에 대응하는 단면도이다. 도 3은 도 2의 AA 영역을 확대한 도면이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 반사층의 광 반사율을 도시한 그래프이다. 이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 실시예에 따른 도너기판을 설명한다.
도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 도너기판(100)은 베이스 기판(10), 광 반사층(20), 열 차단패턴(30), 광-열 변환층(40), 및 전사층(50)을 포함한다. 상기 광 반사층(20), 상기 열 차단패턴(30), 상기 광-열 변환층(40), 및 상기 전사층(50)은 상기 베이스 기판(10)의 일면 상에 배치된다.
상기 베이스 기판(10)은 투명하다. 상기 베이스 기판(10)의 상기 일면에 마주하는 타면으로부터 입사된 광을 상기 광-열 변환층(40)에 전달하기 위함이다. 상기 베이스 기판(10)은 예컨대, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 및 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 베이스 기판(10)은 유리, 또는 석영 등로 이루어질 수 있다. 상기 베이스 기판(10)의 두께는 10 내지 500 ㎛인 것이 바람직하다.
상기 광 반사층(20)은 상기 베이스 기판(10)의 일면 상에 배치된다. 상기 광 반사층(20)은 상기 베이스 기판(10)의 일부분에 중첩한다. 상기 광 반사층(20)은 상기 베이스 기판(10)의 상기 타면으로부터 입사된 광을 부분적으로 차단한다.
상기 광 반사층(20)은 상기 전사층(50)의 전사될 영역과 전사되지 않을 영역을 구분하도록 평면상에서 특정한 형상을 갖는다. 예컨대, 상기 광 반사층(20)은 복수 개의 개구부들(20-OP, 이하 제1 개구부들)을 가질 수 있다.
상기 제1 개구부들(20-OP)의 형상에 따라 후술하는 전사패턴(TP: 도 8c참조)의 형상이 결정될 수 있다. 상기 광 반사층(20)의 형상은 형성하고자하는 전사패턴의 형상에 따라 변형될 수 있다. 예컨대, 상기 광 반사층(20)은 스트라이프 형상을 가질 수 있고, 상기 전사층(50) 전체를 전사시키기 위해 상기 광 반사층(20)은 생략될 수도 있다.
상기 광 반사층(20)은 금속으로 구성될 수 있다. 도 4를 참조하면, 제1 그래프(GL1)은 알루미늄으로 구성된 광 반사층의 반사율을, 제2 그래프(GL2)은 구리로 구성된 광 반사층의 반사율을, 제3 그래프(GL3)은 금(gold)으로 구성된 광 반사층의 반사율을, 제4 그래프(GL4)은 은(silver)으로 구성된 광 반사층의 반사율을 나타낸다. 상기 광 반사층(20)은 가시광선 파장대의 광 반사율이 높은 알루미늄, 알루미늄 합금, 은 및 은 합금 등 중 어느 하나로 구성되는 것이 바람직하다.
도 2 및 도 3을 참조하여 상기 열 차단패턴(30)에 대해 좀더 상세히 검토한다. 상기 열 차단패턴(30)은 상기 광 반사층(20) 상에 배치된다. 상기 열 차단패턴(30)은 상기 광 반사층(20)에서 흡수된 광으로부터 변환된 열이 상기 광-열 변환층(40) 또는 상기 전사층(50)으로 전달되는 것을 차단한다.
상기 열 차단패턴(30)은 평면 상에서 상기 광 반사층(20)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 상기 열 차단패턴(30)은 상기 광 반사층(20)의 상기 제1 개구부들(20-OP)에 대응하는 개구부들(30-OP, 이하 제2 개구부들)을 포함한다.
상기 열 차단패턴(30)은 복수 개의 기공들(30-P)을 포함하는 절연물질로 구성된다. 상기 열 차단패턴(30)은 열 전달율을 낮추는 에어갭(air gap)의 기능을 갖는다. 상기 열 차단패턴(30)은 유기물질 또는 무기물질을 포함하고, 특히 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드를 포함한다. 상기 복수 개의 기공들(30-P)은 1㎚ 내지 50㎚의 직경을 갖는다.
상기 열 차단패턴(30)은 상기 열 차단패턴(30)의 두께 방향(DR3, 이하 제3 방향)에서 10㎚ 내지 10㎛의 두께(TN)를 갖는다. 상기 제3 방향(DR3)은 도 1에 도시된 것과 같이, 상기 도너기판(100)의 전사면을 정의하는 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)에 모두 직교하는 방향이다.
상기 광-열 변환층(40)은 상기 입사광을 흡수하여 상기 흡수된 광을 열로 변환시킨다. 상기 광-열 변환층(40)은 상기 입사광의 특정한 파장대, 예컨대, 적외선 영역 또는 가시광선 영역을 흡수할 수 있다. 상기 광-열 변환층(40)은 예를 들어, 카본 블랙, 흑연, 금속 산화물 또는 금속 황화물일 수 있다.
상기 광-열 변환층(40)은 결합제(binder)를 더 포함할 수 있다. 상기 광-열 변환층(40)은 카본 블랙을 유기 결합제 내에 분산시킨 유기막일 수 있고, 금속 산화물 또는 금속 황화물을 포함하는 금속막일 수 있다.
상기 광-열 변환층(40)은 적어도 상기 제1 개구부들(20-OP)에 중첩하게 배치된다. 상기 광-열 변환층(40)은 상기 광 반사층(20) 상에 배치된 상기 열 차단패턴(30)을 커버하며, 상기 베이스 기판(10)의 전면에 배치될 수 있다. 상기 광-열 변환층(40)은 평탄면을 제공하는 것이 바람직하다.
상기 전사층(50)은 상기 광-열 변환층(40) 상에 배치된다. 상기 전사층(50)은 적어도 상기 제1 개구부들(20-OP)에 중첩한다. 상기 전사층(50)은 열에너지를 공급받아 전사되는 유기물질을 포함한다. 예컨대, 상기 전사층(50)은 열에너지를 공급받아 기화되는 유기물질로써, 컬러필터를 구성하는 유기물질, 유기발광소자를 구성하는 기능성 물질들을 포함할 수 있고, 특정한 물질로 한정되는 것은 아니다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사패턴을 형성하는 공정을 도시한 단면도이다. 이하, 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전사패턴을 형성하는 방법을 설명한다.
먼저, 도 5a에 도시된 것과 같이, 상기 도너기판(100)을 상기 피전사기판(SUB) 상에 배치시킨다. 상기 도너기판(100)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 도너기판이 적용될 수 있다. 상기 전사층(50)이 상기 피전사기판(SUB)에 접촉된다. 상기 피전사기판(SUB)은 미도시된 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 절연층은 유기막 및/또는 무기막을 포함할 수 있다. 또한, 상기 피전사기판(SUB)은 유기발광 표시기판의 일부를 구성할 수 있다.
다음, 도 5b에 도시된 것과 같이, 상기 도너기판(100)에 광을 조사한다. 상기 광은 자외선 또는 가시광선일 수 있다. 또한, 상기 광은 일정한 파장의 레이저빔일 수 있다.
이후, 도 5c에 도시된 것과 같이, 상기 피전사기판(SUB)에 전사패턴(TP)이 형성되면, 상기 도너기판(100)을 상기 피전사기판(SUB)으로부터 제거한다. 상기 열 차단패턴(30)에 의해 상기 광-열 변환층(40)의 상기 광 반사층(20)에 중첩하는 영역으로 전달되는 열이 차단되었기 때문에, 제1 개구부(20-OP)에 중첩하는 영역에만 상기 전사패턴(TP)이 형성된다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 전사패턴을 포함하는 유기발광 표시기판을 도시한 단면도이다. 상기 유기발광 표시기판은 표시기판(SUB), 상기 표시기판(SUB) 상에 배치된 박막 트랜지스터(TFT), 절연층들(IL), 및 유기발광소자(OLED)를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 상기 유기발광소자(OLED)는 상기 유기발광 표시기판에 구비된 화소들마다 배치된다.
도 6에 도시된 것과 같이, 상기 표시기판(SUB) 상에 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 제어전극(GE)이 배치된다. 상기 표시기판(SUB)은 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 설명한 피전사기판(SUB)이다.
상기 표시기판(SUB) 상에 상기 제어전극(GE)을 커버하는 제1 절연층(IL1)이 배치된다. 상기 제1 절연층(IL1) 상에 반도체층(AL)이 배치된다. 상기 반도체층(AL)에 중첩하게 상기 제1 절연층(IL1) 상에 입력전극(SE)과 출력전극(DE)이 배치된다.
상기 제2 절연층(IL2)이 상기 입력전극(SE) 및 상기 출력전극(DE)을 커버한다. 상기 제2 절연층(IL2) 상에 상기 유기발광소자(OLED)가 배치된다. 상기 유기발광소자(OLED)는 상기 제2 절연층(IL2) 상에 순차적으로 적층된 제1 전극(AE), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 유기 발광층(EML), 전자 주입층(EIL), 제2 전극(CE)을 포함한다. 상기 제1 전극(AE)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 컨택홀(CH)을 통해 상기 출력전극(DE)에 연결된다.
한편, 상기 유기발광소자(OLED)의 구조는 이에 제한되지 않는다. 상기 전자 주입층(EIL)은 생략될 수 있고, 상기 유기발광소자(OLED)는 상기 유기 발광층(EML)와 상기 전자 주입층(EIL) 사이에 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.
상기 정공 주입층(HIL)과 상기 전자 주입층(EIL)이 상기 화소들 사이에 공통적으로 배치되는 것과 달리, 상기 정공 수송층(HTL)과 상기 유기 발광층(EML)은 상기 화소들마다 각각 독립적으로 배치된다. 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 설명한 방법에 따라 상기 정공 수송층(HTL)과 상기 유기 발광층(EML)이 형성될 수 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예들에 따른 도너기판의 단면도들이다. 도 7 내지 도 9는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'에 대응하는 단면도들이다. 이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예들에 따른 도너기판들을 설명한다. 다만, 도 1 내지 도 6를 참조하여 설명한 도너기판 및 도너기판을 이용한 전사패턴의 형성방법과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 7에 도시된 것과 같이, 도너기판(100-1)은 베이스 기판(10), 광 반사층(20), 열 차단패턴(30), 광-열 변환층(40), 및 전사층(50)을 포함한다. 상기 베이스 기판(10)의 일면 상에 광 반사층(20)이 배치된다. 상기 광 반사층(20)은 제1 개구부들(20-OP)을 갖는다. 상기 열 차단패턴(30)은 상기 광 반사층(20) 상에 배치된다. 상기 열 차단패턴(30)은 제1 개구부들(20-OP)에 대응하는 제2 개구부들(30-OP)을 갖는다.
상기 광-열 변환층(40)은 복수 개의 광-열 변환패턴들을 포함한다. 상기 복수 개의 광-열 변환패턴들 각각은 상기 제1 개구부들(20-OP) 및 제2 개구부들(30-OP) 중 대응하는 제1 개구부 및 제2 개구부에 삽입된다. 상기 복수 개의 상기 광-열 변환패턴들 각각의 상기 제3 방향(DR3)의 두께는 대응하는 제1 개구부 및 제2 개구부의 상기 제3 방향(DR3)의 깊이들의 합과 동일할 수 있다. 그에 따라, 상기 광-열 변환층(40)과 열 차단패턴(30)은 평탄면을 제공할 수 있다. 상기 광-열 변환층(40)과 열 차단패턴(30)이 제공하는 상기 평탄면 상에 상기 전사층(50)이 배치된다.
도 8에 도시된 것과 같이, 도너기판(100-2)은 베이스 기판(10), 광 반사층(20), 열 차단패턴(30), 광-열 변환층(40), 및 전사층(50)을 포함한다. 상기 베이스 기판(10)의 일면 상에 상기 광-열 변환층(40)이 배치된다. 상기 광-열 변환층(40)은 상기 베이스 기판(10)의 상기 일면 전체를 커버한다. 상기 광-열 변환층(40)은 홈부(40-GV)를 포함한다.
상기 광 반사층(20)은 상기 홈부(40-GV)에 삽입되어 입사광을 반사시킨다. 상기 열 차단패턴(30)은 상기 광 반사층(20)에 중첩한다. 상기 열 차단패턴(30) 역시 상기 홈부(40-GV)에 삽입된다.
상기 광 반사층(20) 및 상기 열 차단패턴(30)의 상기 제3 방향(DR3)의 두께의 합은 상기 홈부(40-GV)의 상기 제3 방향(DR3)의 깊이와 동일할 수 있다. 그에 따라, 상기 열 차단패턴(30)과 상기 광-열 변환층(40)은 평탄면을 제공할 수 있다. 상기 열 차단패턴(30)과 상기 광-열 변환층(40)이 제공하는 상기 평탄면 상에 상기 전사층(50)이 배치된다.
도 9에 도시된 것과 같이, 도너기판(100-3)은 베이스 기판(10), 광 반사층(20), 열 차단패턴(30), 광-열 변환층(40), 전사층(50), 및 평탄화층(60)을 포함한다. 상기 베이스 기판(10)의 일면 상에 상기 광-열 변환층(40)이 배치된다. 상기 광-열 변환층(40)은 상기 베이스 기판(10)의 상기 일면 전체를 커버한다.
상기 광-열 변환층(40) 상에 상기 광 반사층(20)이 배치된다. 상기 광 반사층(20) 상에 열 차단패턴(30)이 배치된다. 상기 평탄화층(60)은 상기 광 반사층(20) 및 열 차단패턴(30)을 커버하도록 상기 광-열 변환층(40) 상에 배치된다. 상기 평탄화층(60)은 유기물 또는 무기물로 구성된 절연층이다. 상기 평탄화층(60)이 제공하는 평탄면 상에 상기 전사층(50)이 배치된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 베이스 기판 20: 광 반사층
30: 열 차단패턴 40: 광-열 변환층
50: 전사층 SUB: 피전사기판

Claims (23)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 베이스 기판의 일부분에 중첩하는 광 반사층;
    상기 광 반사층 상에 배치되고, 상기 광 반사층에 중첩하며, 복수 개의 기공들을 갖는 열 차단패턴;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 광-열 변환층; 및
    상기 광-열 변환층 상에 배치된 전사층을 포함하는 도너기판.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 광 반사층은 금속으로 구성된 것을 특징으로 하는 도너기판.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 금속은 알루미늄 또는 은 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 도너기판.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 광 반사층은 복수 개의 개구부들을 구비한 것을 특징으로 하는 도너기판.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 열 차단패턴은 상기 광 반사층과 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 도너기판.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층은 상기 열 차단패턴 및 상기 광 반사층의 상기 복수 개의 개구부들에 중첩하게 배치된 것을 특징으로 하는 도너기판.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층은 복수 개의 광-열 변환패턴들을 포함하고, 상기 복수 개의 광-열 변환 패턴들은 상기 복수 개의 개구부들에 삽입되고, 상기 복수 개의 광-열 변환 패턴들과 상기 열 차단패턴은 평탄면을 제공하는 것을 특징으로 하는 도너기판.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 열 차단패턴의 상기 복수 개의 기공들의 직경은 1㎚ 내지 50㎚인 것을 특징으로 하는 도너기판.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 열 차단패턴은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너기판.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 열 차단패턴의 두께는 10㎚ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 도너기판.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 광 반사층은 상기 광-열 변환층 상에 배치된 것을 특징으로 하는 도너기판.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층은 홈부를 포함하고, 상기 광 반사층 및 상기 열 차단패턴은 상기 홈부에 삽입된 것을 특징으로 하는 도너기판.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 배치되고 상기 광 반사층 및 상기 열 차단패턴을 커버하는 평탄화층을 더 포함하는 도너기판.
  14. 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 베이스 기판의 일부분에 중첩하는 광 반사층, 상기 광 반사층에 중첩하게 배치되고 복수 개의 기공들을 갖는 열 차단패턴, 상기 베이스 기판 상에 배치된 광-열 변환층, 및 상기 광-열 변환층 상에 배치된 전사층을 포함하는 도너기판의 상기 전사층이 피전사기판에 접촉되도록 상기 도너기판을 상기 피전사기판 상에 배치시키는 단계;
    상기 피전사기판에 전사패턴이 전사되도록 상기 도너기판에 광을 조사하는 단계; 및
    상기 도너기판을 상기 피전사기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 전사패턴 형성방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 전사패턴은 유기발광소자의 일부분을 구성하는 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 전사패턴은 상기 유기발광소자의 상기 일부분은 정공 수송층 또는 유기 발광층인 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 광 반사층은 복수 개의 개구부들을 구비한 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 열 차단패턴은 상기 광 반사층과 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층은 상기 열 차단패턴 및 상기 광 반사층의 상기 복수 개의 개구부들에 중첩하게 배치된 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층은 복수 개의 광-열 변환패턴들을 포함하고, 상기 복수 개의 광-열 변환 패턴들은 상기 복수 개의 개구부들에 삽입되고, 상기 복수 개의 광-열 변환 패턴들과 상기 열 차단패턴은 평탄면을 제공하는 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  21. 제14 항에 있어서,
    상기 광 반사층은 상기 광-열 변환층 상에 배치된 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층은 홈부를 포함하고, 상기 광 반사층 및 상기 열 차단패턴은 상기 홈부에 삽입된 것을 특징으로 하는 전사패턴 형성방법.
  23. 제21 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 배치되고 상기 광 반사층 및 상기 열 차단패턴을 커버하는 평탄화층을 더 포함하는 전사패턴 형성방법.
KR1020130034658A 2013-03-29 2013-03-29 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법 KR20140118534A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130034658A KR20140118534A (ko) 2013-03-29 2013-03-29 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
US14/098,624 US9099687B2 (en) 2013-03-29 2013-12-06 Donor substrate and method of forming transfer pattern using the same
TW103103133A TW201438318A (zh) 2013-03-29 2014-01-28 施體基板及利用該施體基板形成轉移圖案之方法
CN201410062282.8A CN104078620A (zh) 2013-03-29 2014-02-24 供体基底

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130034658A KR20140118534A (ko) 2013-03-29 2013-03-29 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140118534A true KR20140118534A (ko) 2014-10-08

Family

ID=51599772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130034658A KR20140118534A (ko) 2013-03-29 2013-03-29 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9099687B2 (ko)
KR (1) KR20140118534A (ko)
CN (1) CN104078620A (ko)
TW (1) TW201438318A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289462B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro LED transfer method and display module manufactured by the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102180071B1 (ko) * 2017-10-31 2020-11-17 엘지디스플레이 주식회사 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
EP3724369A4 (en) * 2017-12-14 2021-12-22 Boe Technology Group Co., Ltd. DONOR SUBSTRATE FOR DEPOSITING A DEPOSITORY MATERIAL ON ACCEPTOR SUBSTRATE, METHOD FOR DEPOSITING A DEPOSITIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE
CN110649180B (zh) * 2019-09-30 2021-10-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100667069B1 (ko) * 2004-10-19 2007-01-10 삼성에스디아이 주식회사 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
JP2006309995A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sony Corp 転写用基板および表示装置の製造方法ならびに表示装置
US7919340B2 (en) * 2008-06-04 2011-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP4600569B2 (ja) * 2008-06-25 2010-12-15 ソニー株式会社 ドナー基板および表示装置の製造方法
EP2164302A1 (de) * 2008-09-12 2010-03-17 Ilford Imaging Switzerland Gmbh Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
KR20110005514A (ko) 2009-07-10 2011-01-18 엘지디스플레이 주식회사 전사기판

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289462B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro LED transfer method and display module manufactured by the same
US11791322B2 (en) 2019-05-07 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro LED transfer method and display module manufactured by the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN104078620A (zh) 2014-10-01
US9099687B2 (en) 2015-08-04
TW201438318A (zh) 2014-10-01
US20140295587A1 (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7674749B2 (en) Donor substrate and fabrication method of organic light emitting display using the same
KR102072077B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9685488B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101579872B1 (ko) 전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의제조방법
CN110649180B (zh) 一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置
US20150001495A1 (en) Donor substrate for transfer and manufacturing method of organic light emitting diode display
KR20140118534A (ko) 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
KR101397108B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
CN104681746A (zh) 制造有机发光显示装置的方法
KR20150007740A (ko) 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20140239268A1 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof, and donor substrate
TW200901813A (en) Display
KR102180071B1 (ko) 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
KR100793546B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20070004551A (ko) 색필터를 포함하는 전자발광소자의 제조 방법
TW201445731A (zh) 有機發光顯示裝置
US11569306B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR102180647B1 (ko) 광학 마스크
KR100989130B1 (ko) 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법
KR20140139853A (ko) 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
KR100782465B1 (ko) 레이저 열전사용 도너 기판 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조 방법
KR102144855B1 (ko) 광학 마스크
CN219812424U (zh) 用于制造显示装置的设备
KR20140140189A (ko) 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
US20160109796A1 (en) Optical mask

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid