TW201438318A - 施體基板及利用該施體基板形成轉移圖案之方法 - Google Patents

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Won-Jong Kim
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Abstract

一種施體基板，包含：一基礎基板；一光反射層，設置於該基礎基板上並與該基礎基板之一部分交疊；一熱阻擋圖案，設置於該光反射層上，與該光反射層交疊，且包含複數個氣孔；一光-熱轉換層，設置於該基礎基板上；以及一轉移層，設置於該光-熱轉換層上。

Description

施體基板及利用該施體基板形成轉移圖案之方法
本發明之實施例係關於一種施體基板以及一種利用該施體基板形成一轉移圖案之方法。
作為一種於一轉移目標基板(transfer-target substrate)上形成一有機/無機圖案(以下稱為一轉移圖案)之方法，可利用一種光熱轉移方法(light-to-heat transfer method)。舉例而言，可利用該光熱轉移方法來形成一有機發光裝置。
本發明之實施例係關於一種施體基板，該施體基板包含：一基礎基板；一光反射層(light reflection layer)，設置於該基礎基板上並與該基礎基板之一部分交疊；一熱阻擋圖案(heat blocking pattern)，設置於該光反射層上，與該光反射層交疊，且包含複數個氣孔(air hole)；一光-熱轉換層(light-to-heatconversion layer)，設置於該基礎基板上；以及一轉移層，設置於該光-熱轉換層上。
該光反射層可包含一金屬材料。
該金屬材料可包含鋁、銀、或其一合金。
該光反射層可包含複數個開口。
該熱阻擋圖案可具有與該光反射層相同之一形狀。
該光-熱轉換層可與該熱阻擋圖案之開口及該光反射層之開口交疊。
該光-熱轉換層可包含複數個光-熱轉換圖案，該等光-熱轉換圖案嵌入至該熱阻擋圖案之及該光反射層之該等開口中，且該等光-熱轉換圖案及該熱阻擋圖案可設置有一平的表面。
該熱阻擋圖案之各該開口可具有自約1奈米(nm)至約50奈米之一直徑。
該熱阻擋圖案可包含氧化矽及氮化矽至少其中之一。
該熱阻擋圖案可具有自約10奈米至約10微米(μm)之一厚度。
該光反射層可設置於該光-熱轉換層上。
該光-熱轉換層可包含一凹槽部(groove portion)，該光反射層及該熱阻擋圖案嵌入至該凹槽部中。
該施體基板可更包含一平坦化層(planarization layer)，該平坦化層設置於該光-熱轉換層與該轉移層之間，且該平坦化層覆蓋該光反射層及該熱阻擋圖案。
本發明之實施例亦係關於一種形成一轉移圖案之方 法，該方法包含：(1)於一轉移目標基板(transfer-target substrate)上設置一施體基板，該施體基板包含：一基礎基板；一光反射層，設置於該基礎基板上並與該基礎基板之一部分交疊；一熱阻擋圖案，設置成與該光反射層交疊，且包含複數個氣孔；一光-熱轉換層，設置於該基礎基板上；以及一轉移層，設置於該光-熱轉換層上，且該轉移層接觸該轉移目標基板；(2)將一光輻照至該施體基板上，以將一轉移圖案轉移至該轉移目標基板上；(3)以及自該轉移目標基板移除該施體基板。
該轉移圖案可用作一有機發光裝置之一部分。
該轉移圖案可係為與該有機發光裝置之該部分相對應之一電洞傳輸層或一有機發光層。
該光反射層可包含複數個開口。
該熱阻擋圖案可具有與該光反射層相同之一形狀。
該光-熱轉換層可與該熱阻擋圖案之開口及該光反射層之開口交疊。
該光-熱轉換層可包含複數個光-熱轉換圖案，該等光-熱轉換圖案嵌入至該等開口中，且該等光-熱轉換圖案及該熱阻擋圖案可設置有一平的表面。
該光反射層可設置於該光-熱轉換層上。
該光-熱轉換層可包含一凹槽部，該光反射層及該熱阻擋圖案嵌入至該凹槽部中。
該方法可更包含於該光-熱轉換層與該轉移層之間設置一平坦化層，以覆蓋該光反射層及該熱阻擋圖案。
10‧‧‧基礎基板
20‧‧‧光反射層
20-OP‧‧‧第一開口
30‧‧‧熱阻擋圖案
30-P‧‧‧氣孔
30-OP‧‧‧第二開口
40‧‧‧光-熱轉換層
40-GV‧‧‧凹槽部
50‧‧‧轉移層
60‧‧‧平坦化層
100‧‧‧施體基板
100-1‧‧‧施體基板
100-2‧‧‧施體基板
100-3‧‧‧施體基板
AA‧‧‧部分
AE‧‧‧第一電極
AL‧‧‧半導體層
CE‧‧‧第二電極
DE‧‧‧輸出電極
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
DR3‧‧‧第三方向
EIL‧‧‧電子注入層
EML‧‧‧有機發光層
GE‧‧‧控制電極
GL1、GL2、GL3、GL4‧‧‧曲線圖
HIL‧‧‧電洞注入層
HTL‧‧‧電洞傳輸層
I-I’‧‧‧線
IL‧‧‧絕緣層
IL1‧‧‧第一絕緣層
IL2‧‧‧第二絕緣層
OLED‧‧‧有機發光二極體
SE‧‧‧輸入電極
SUB‧‧‧轉移目標基板
TFT‧‧‧薄膜電晶體
TN‧‧‧厚度
TP‧‧‧轉移圖案
藉由參照附圖詳細闡述實例性實施例，本發明之特徵對熟習此項技術者將變得顯而易見。
第1圖係為根據一實例性實施例之一施體基板之平面圖；第2圖係為沿第1圖所示之線I-I’截取之剖視圖；第3圖係為第2圖所示之一部分AA之局部放大圖；第4圖係為根據一實例性實施例，顯示一光反射層之光反射率之曲線圖；第5A圖至第5C圖係為根據一實例性實施例，顯示一種製造轉移圖案之方法之製程剖視圖；第6圖係為根據一實例性實施例，包含一轉移圖案之一有機發光顯示基板之剖視圖；以及第7圖至第9圖係為根據一實例性實施例之一施體基板之剖視圖。
現在，將參照附圖來更充分地闡述各實例性實施例；然而，各實例性實施例可實施為諸多不同形式，而不應被視為僅限於本文中所述之實施例。更確切而言，提供該等實施例係為了使本發明之揭露內容透徹及完整，並向熟習此項技術者充分 傳達各實例性實施例之範圍。在附圖中，為清晰起見可誇大尺寸。通篇中相同之參考編號指示相同之元件。
應理解，當闡述一元件或層係位於另一元件或層「上」、「連接至」或「耦合至」另一元件或層時，該元件或層可直接位於該另一元件或層上、直接連接或耦合至該另一元件或層，抑或可存在中間元件或層。然而，當闡述一元件「直接」位於另一元件或層「上」、「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件或層時，則不存在中間元件或層。本文中所用之用語「及/或」包含相關列出項其中之一或多個項之任意及所有組合。
應理解，儘管本文中可能使用用語「第一」、「第二」等來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，然而此等元件、組件、區域、層、及/或區段不應受限於此等用語。此等用語僅係用於區分各個元件、組件、區域、層或區段。因此，在不背離本發明之教示內容之條件下，下文中所論述之一第一元件、組件、區域、層或區段亦可被稱為一第二元件、組件、區域、層或區段。
在本文中，為便於說明，可使用空間相對關係用語，例如「在...之下(beneath)」、「在...下面(below)」、「下方的(lower)」、「在...之上(above)」、「上方的(upper)」等來闡述附圖所例示之一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵之關係。應理解，該等空間相對關係用語旨在除圖中所示取向以外亦包含該裝置在使用或操作中之各種不同取向。舉例而言，若圖中之該裝置被翻轉，則被描述為在其他元件或特徵「下面」或「之下」之元件此時將被取向為在其他元件或特徵「之上」。因此，實例性 用語「在...下面」可既包含上方亦包含下方之取向。該裝置亦可具有其他取向(例如，旋轉90度或其他取向)，且因此本文中所用之空間相對關係用語將相應地進行解釋。
本文中所用用語僅係用於描述特定實施例，而並非旨在限制本發明。除非上下文中清楚地另外指明，否則本文所用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」旨在亦包含複數形式。更應理解，當在本說明書中使用用語「包含(includes)」及/或「包含(including)」時，係用於指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。
除非另外定義，否則本文所用之全部用語(包括技術及科學用語)之意義皆與本發明所屬技術領域中之通常知識者所通常理解之意義相同。更應理解，該等用語(例如在常用字典中所定義之用語)應被解釋為具有與其在相關技術背景中之意義一致之意義，且除非本文中進行明確定義，否則不應將其解釋為具有理想化或過於正式之意義。
第1圖係為根據一實例性實施例之一施體基板之平面圖，第2圖係為沿第1圖所示之線I-I’截取之剖視圖，第3圖係為第2圖所示之一部分AA之局部放大圖，以及第4圖係為根據一實例性實施例，顯示一光反射層之光反射率之曲線圖。
參照第1圖及第2圖，一施體基板100包含一基礎基板10、一光反射層20、一熱阻擋圖案30、一光-熱轉換層40、以及一轉移層50。光反射層20、熱阻擋圖案30、光-熱轉換層40、 以及轉移層50設置於基礎基板10之一個表面上。
在本實例性實施例中，基礎基板10係為一透明基板，其用以將入射至基礎基板10另一表面(與基礎基板10之該一個表面相對)之光傳送至光-熱轉換層40。基礎基板10可包含選自由以下材料所組成之群組中之至少一種聚合物材料：聚酯、聚壓克力(polyacryl)、聚環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯以及聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)。此外，基礎基板10可由玻璃或石英(quartz)形成。基礎基板10具有例如自約10微米至約500微米之一厚度。
光反射層20設置於基礎基板10之該一個表面上。光反射層20與基礎基板10之一部分交疊。光反射層20部分地阻擋透過基礎基板10之另一表面而入射於光反射層20之光。
光反射層20在平面圖中具有一特定形狀，以將轉移層50劃分成一被轉移區域以及一未被轉移區域。舉例而言，光反射層20具有複數個開口20-OP(以下稱為第一開口)。
一轉移圖案TP(第5C圖所示)所具有之形狀取決於第一開口20-OP之形狀。光反射層20所具有之形狀取決於欲形成之轉移圖案之形狀。舉例而言，光反射層20可具有一條紋形狀，或者可省略光反射層20以轉移轉移層50之整個表面。
光反射層20包含一金屬材料。參照第4圖，一第一曲線圖GL1表示由鋁形成之光反射層之反射率，一第二曲線圖GL2表示由銅形成之光反射層之反射率，一第三曲線圖GL3表示 由金形成之光反射層之反射率，以及一第四曲線圖GL4表示由銀形成之光反射層之反射率。在本實例性實施例中，光反射層20由對可見光具有高反射率之鋁、鋁合金、銀、或銀合金形成。
以下將參照第2圖及第3圖詳細闡述熱阻擋圖案30。熱阻擋圖案30設置於光反射層20上。熱阻擋圖案30防止由光反射層20吸收光而產生之熱量被傳遞至光-熱轉換層40或轉移層50。
在本實例性實施例中，在平面圖中熱阻擋圖案30具有與光反射層20相同之形狀。熱阻擋圖案30包含分別與第一開口20-OP相對應之複數個開口30-OP(以下稱為第二開口)。
熱阻擋圖案30包含具有複數個氣孔或微孔30-P之一絕緣材料。熱阻擋圖案30提供與一氣隙(air gap)相同之功能以減小導熱性。熱阻擋圖案30包含一有機材料或一無機材料，例如氧化矽或氮化矽。熱阻擋圖案30包含氧化矽及氮化矽至少其中之一。各氣孔30-P具有自約1奈米至約50奈米之一直徑。
當於光反射層20上形成熱阻擋圖案30時，會產生該等氣孔30-P。光反射層20上設置有一混合物，該混合物包含一基材(base material)以及分散於該基材中之粒子。該基材包含氧化矽或氮化矽、以及含有官能基(functional group)之粒子。官能基受熱不穩定。當對該混合物施加熱量時，粒子被移除。對應於粒子之空間便界定該等氣孔30-P。
作為另一選擇，於光反射層20上設置含有官能基之 一基材。該基材包含氧化矽或氮化矽。官能基以化學或物理方式結合至基材。官能基受熱不穩定。當對該混合物施加熱量時，官能基被移除。
各該氣孔30-P之直徑取決於官能基之化學結構。較恰當地，各氣孔30-P具有自約1奈米至約10奈米之一直徑。
熱阻擋圖案30在其一厚度方向DR3(以下稱為一第三方向)上具有自約10奈米至約10微米之一厚度TN。第三方向DR3垂直於第一方向DR1及第二方向DR2，第一方向DR1及第二方向DR2界定施體基板100之一轉移表面。
光-熱轉換層40吸收入射於其上之光並將所吸收之光轉換成熱。光-熱轉換層40可吸收一特定波長之入射光，例如紅外線或可見光線。光-熱轉換層40可包含碳黑、石墨、金屬氧化物材料、或金屬硫化物材料。
光-熱轉換層40可更包含一黏合劑(binder)。光-熱轉換層40可係為一其中將碳黑分散於一有機黏合劑中之有機層或一包含金屬氧化材料或金屬硫化物材料之金屬層。
光-熱轉換層40被設置成至少與第一開口20-OP交疊。光-熱轉換層40覆蓋設置於光反射層20上之熱阻擋圖案30，且設置於基礎基板10之整個表面上。光-熱轉換層40可具有一平的表面。
轉移層50設置於光-熱轉換層40上。轉移層50至少與第一開口20-OP交疊。轉移層50包含一有機材料，該有機材 料在接收熱能時被轉移。舉例而言，轉移層50可包含一有機材料(對於濾光片)或者一功能性材料(對於一有機發光裝置)來作為藉由熱能而蒸發之一有機材料，然而，其並非僅限於此或因此而受到限制。
第5A圖至第5C圖係為根據一實例性實施例，顯示一種製造轉移圖案之方法之製程剖視圖。以下，將參照第5A圖至第5C圖詳細闡述形成轉移圖案之方法。
在本實例性實施例中，參照第5A圖，將施體基板100設置於一轉移目標基板SUB上。可使用參照第1圖至第3圖闡述之施體基板100。轉移層50接觸轉移目標基板SUB。轉移目標基板SUB可更包含圖中未示出之一絕緣層。該絕緣層包含一有機層或一無機層。此外，轉移目標基板SUB用作有機發光顯示基板之一部分。
接著，如第5B圖所示，將一光輻照至施體基板100上。該光係為紫外線光或可見光。此外，該光可係為具有一預定波長之一雷射束。
參照第5C圖，當於轉移目標基板SUB上形成轉移圖案TP後，自轉移目標基板SUB移除施體基板100。因傳遞至光-熱轉換層40的與光反射層20交疊之區域之光被熱阻擋圖案30阻擋，故轉移圖案TP僅形成於與第一開口20-OP交疊之區域中。
第6圖係為根據一實例性實施例，包含轉移圖案之有機發光顯示基板之剖視圖。
在本實例性實施例中，有機發光顯示基板包含：一顯示基板SUB、設置於該顯示基板SUB上之一薄膜電晶體TFT、絕緣層IL、以及一有機發光二極體OLED。薄膜電晶體TFT以及有機發光二極體OLED係設置於排列於該有機發光顯示基板上之各畫素中。
如第6圖所示，薄膜電晶體TFT之一控制電極GE設置於顯示基板SUB上。顯示基板SUB係為參照第5A圖至第5C圖闡述之轉移目標基板SUB。
一第一絕緣層IL1設置於顯示基板SUB上以覆蓋控制電極GE。一半導體層AL設置於第一絕緣層IL1上。一輸入電極SE以及一輸出電極DE設置於第一絕緣層IL1上，以與半導體層AL交疊。
一第二絕緣層IL2覆蓋輸入電極SE及輸出電極DE。有機發光二極體OLED設置於第二絕緣層IL2上。有機發光二極體OLED包含依序堆疊於第二絕緣層IL2上之一第一電極AE、一電洞注入層HIL、一電洞傳輸層HTL、一有機發光層EML、一電子注入層EIL、以及一第二電極CE。第一電極AE經由穿過第二絕緣層IL2而形成之一接觸孔而連接至輸出電極DE。
有機發光二極體OLED之結構不應僅限於上述結構。可省略電子注入層EIL，且有機發光二極體OLED可更於有機發光層EML與電子注入層EIL之間包含一電子傳輸層。
不同於通常設置於各畫素間之電洞注入層HIL及電 子注入層EIL，電洞傳輸層HTL及有機發光層EML單獨設置於各畫素中。電洞傳輸層HTL及有機發光層EML係以參照第5A圖至第5C圖闡述之方式形成。
第7圖至第9圖係為根據一實例性實施例之施體基板之剖視圖，各剖視圖係沿第1圖所示之線I-I’截取而得。以下，將參照第7圖至第9圖闡述根據該等實例性實施例之施體基板。然而，對與參照第1圖至第6圖闡述之施體基板、以及利用施體基板形成轉移圖案之方法相同之配置將不再予以贅述。
在第7圖所示之實例性實施例中，一施體基板100-1包含：基礎基板10、光反射層20、熱阻擋圖案30、光-熱轉換層40、以及轉移層50。光反射層20設置於基礎基板10之一個表面上。光反射層20包含第一開口20-OP。熱阻擋圖案30設置於光反射層20上。熱阻擋圖案30包含分別與第一開口20-OP相對應之第二開口30-OP。
光-熱轉換層40包含複數個光-熱轉換圖案。各該光-熱轉換圖案嵌入至第一開口20-OP之一對應第一開口以及第二開口30-OP之一對應第二開口中。各該光-熱轉換圖案在第三方向DR3上之厚度相同於第一開口與第二開口在第三方向DR3上之深度之和。因此，光-熱轉換層40及熱阻擋圖案30可設置有一平的表面。轉移層50設置於光-熱轉換層40及熱阻擋圖案30之該平的表面上。
在第8圖所示之實例性實施例中，一施體基板100-2包含：基礎基板10、光反射層20、熱阻擋圖案30、光-熱轉換層 40、以及轉移層50。光-熱轉換層40設置於基礎基板10之一個表面上。光-熱轉換層40完全覆蓋基礎基板10之該一個表面。光-熱轉換層40包含一凹槽部40-GV。
光反射層20嵌入至凹槽部40-GV中以反射入射於光反射層20之光。熱阻擋圖案30與光反射層20交疊。熱阻擋圖案30亦嵌入至凹槽部40-GV中。
光反射層20與熱阻擋圖案30在第三方向DR3上之厚度之和相同於凹槽部40-GV在第三方向DR3上之深度。因此，熱阻擋圖案30及光-熱轉換層40設置有一平的表面。轉移層50設置於熱阻擋圖案30及光-熱轉換層40之該平的表面上。
在第9圖所示之實例性實施例中，一施體基板100-3包含：基礎基板10、光反射層20、熱阻擋圖案30、光-熱轉換層40、轉移層50以及一平坦化層60。光-熱轉換層40設置於基礎基板10之一個表面上。光-熱轉換層40完全覆蓋基礎基板10之該一個表面。
光反射層20設置於光-熱轉換層40上。熱阻擋圖案30設置於光反射層20上。平坦化層60設置於光-熱轉換層40上以覆蓋光反射層20及熱阻擋圖案30。平坦化層60係為由一有機材料或無機材料形成之一絕緣層。轉移層50設置於由平坦化層60提供之一平的表面上。
綜上所述，可利用一施體基板執行一種光-熱轉移方法。該施體基板可包含一光-熱轉換層及一光反射層，該光-熱轉換 層用以將自一光源提供之光轉換成熱，而該光反射層用以反射光。隨著光-熱轉換層之吸光率(light absorbance)變得愈來愈高，轉移圖案可被輕易地轉移。此外，隨著光反射層之光反射率變得愈來愈高，轉移可僅於一特定區域中發生。於一轉移層之與光反射層交疊之一區域中，可能不容易發生轉移。然而，在轉移層之與光反射層交疊之該區域中，光依舊可以一均勻速率被吸收。因此，於轉移層之與光反射層交疊之區域中，可發生轉移。
如上所述，本發明之實施例係關於一種具有一熱阻擋圖案之施體基板以及一種利用該施體基板形成一轉移圖案之方法。根據一實施例，可將一施體基板配置成使轉移僅發生於其一特定區域中。本發明之實施例亦可提供一種利用該施體基板形成一轉移圖案之方法。根據實施例，轉移可僅發生於施體基板之一特定區域中。熱阻擋圖案有助於防止熱被傳遞至與光反射層交疊之轉移層。因此，轉移層之轉移可僅發生於與光反射層之開口交疊之區域中。
本文中已揭露各實例性實施例，儘管使用各種具體用語，但該等用語僅用於通常意義且係為闡述性的，並非用以限制目的。在某些情形中，除非明確地指明，否則如在本申請案提出申請之前此項技術中具有通常知識者所理解，結合一特定實施例所闡述之特徵、特性、及/或元件可單獨使用或可與結合其他實施例所闡述之特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，熟習此項技術者應理解，在不背離本發明由下文申請專利範圍所述之精神及範圍之條件下，可作出各種形式及細節上之變化。
20-OP‧‧‧第一開口
30-OP‧‧‧第二開口
100‧‧‧施體基板
I-I’‧‧‧線
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向

Claims (10)

  1. 一種施體基板，包含：一基礎基板；一光反射層(light reflection layer)，設置於該基礎基板上並與該基礎基板之一部分交疊；一熱阻擋圖案(heat blocking pattern)，設置於該光反射層上，與該光反射層交疊，且包含複數個氣孔(air hole)；一光-熱轉換層(light-to-heat conversion layer)，設置於該基礎基板上；以及一轉移層，設置於該光-熱轉換層上。
  2. 如請求項1所述之施體基板，其中該光反射層包含一金屬材料，且該金屬材料包含鋁、銀、或其一合金。
  3. 如請求項1所述之施體基板，其中該光反射層包含複數個開口。
  4. 如請求項3所述之施體基板，其中該熱阻擋圖案具有與該光反射層相同之一形狀。
  5. 如請求項4所述之施體基板，其中該光-熱轉換層係與該熱阻擋圖案之開口及該光反射層之開口交疊。
  6. 如請求項4所述之施體基板，其中：該光-熱轉換層包含複數個光-熱轉換圖案，該等光-熱轉換圖案嵌入至該熱阻擋圖案之開口及該光反射層之該等開口中，且該等光-熱轉換圖案及該熱阻擋圖案 設置有一平的表面。
  7. 如請求項1所述之施體基板，其中該熱阻擋圖案之各該開口具有自約1奈米(nm)至約50奈米之一直徑。
  8. 如請求項1所述之施體基板，其中該熱阻擋圖案包含氧化矽及氮化矽至少其中之一，且該熱阻擋圖案具有自約10奈米至約10微米(μm)之一厚度。
  9. 如請求項1所述之施體基板，其中該光反射層係設置於該光-熱轉換層上，且該光-熱轉換層包含一凹槽部(groove portion)，該光反射層及該熱阻擋圖案嵌入至該凹槽部中。
  10. 如請求項9所述之施體基板，更包含一平坦化層(planarization layer)，該平坦化層設置於該光-熱轉換層與該轉移層之間，且該平坦化層覆蓋該光反射層及該熱阻擋圖案。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102180071B1 (ko) * 2017-10-31 2020-11-17 엘지디스플레이 주식회사 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
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CN110649180B (zh) * 2019-09-30 2021-10-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100667069B1 (ko) * 2004-10-19 2007-01-10 삼성에스디아이 주식회사 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
JP2006309995A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sony Corp 転写用基板および表示装置の製造方法ならびに表示装置
US7919340B2 (en) * 2008-06-04 2011-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP4600569B2 (ja) * 2008-06-25 2010-12-15 ソニー株式会社 ドナー基板および表示装置の製造方法
EP2164302A1 (de) * 2008-09-12 2010-03-17 Ilford Imaging Switzerland Gmbh Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
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