KR20150007740A - 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150007740A KR20150007740A KR20130082146A KR20130082146A KR20150007740A KR 20150007740 A KR20150007740 A KR 20150007740A KR 20130082146 A KR20130082146 A KR 20130082146A KR 20130082146 A KR20130082146 A KR 20130082146A KR 20150007740 A KR20150007740 A KR 20150007740A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- transfer
- light
- oxide film
- absorbing layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 8
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 196
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-RNFDNDRNSA-N molybdenum-100 Chemical compound [100Mo] ZOKXTWBITQBERF-RNFDNDRNSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
전사용 도너 기판을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 전사용 도너 기판은 지지층, 상기 지지층 위에 위치하는 제1 흡수층, 상기 제1 흡수층 위에 위치하는 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 위치하는 제2 흡수층 그리고 상기 제2 흡수층 위에 위치하는 전사층을 포함하고, 상기 버퍼층은 투명한 산화막을 포함한다.
Description
본 발명은 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 복수의 화소에서 방출되는 빛들의 조합으로 이미지를 표시한다. 유기 발광 표시 장치에서 각각의 화소는 화소 회로와, 화소 회로에 의해 동작이 제어되는 유기 발광 다이오드로 구성된다. 유기 발광 다이오드는 화소 전극과 유기 발광층 및 공통 전극을 포함한다.
화소 전극과 공통 전극 중 어느 하나는 정공 주입을 위한 애노드(anode)이고, 다른 하나는 전자 주입을 위한 캐소드(cathode)이다. 애노드로부터 주입된 정공과 캐소드로부터 주입된 전자가 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 생성하며, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광이 이루어진다.
유기 발광층을 형성하는 방법에는 메탈 마스크를 이용한 증착법, 잉크젯 또는 노즐 프린트와 같은 인쇄법, 전사용 도너 기판을 이용한 열전사법 등이 있다. 이 가운데 열전사법은 비교적 공정이 간편한 장점이 있으나, 광-열 변환층을 형성하는 몰리브덴, 크롬과 같은 재료들은 낮게나마 반사율을 가지므로 광흡수율이 우수하지 않다.
따라서, 광-열 변환층은 광원으로부터 전달된 에너지를 충분히 흡수하지 못하여 유기 발광층 형성시 전사율이 떨어져 해상도가 저하되는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기 재료의 전사율을 높이는 전사용 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 전사용 도너 기판은 지지층, 상기 지지층 위에 위치하는 제1 흡수층, 상기 제1 흡수층 위에 위치하는 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 위치하는 제2 흡수층 그리고 상기 제2 흡수층 위에 위치하는 전사층을 포함하고, 상기 버퍼층은 투명한 산화막을 포함한다.
상기 제2 흡수층 위에 위치하는 보호막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 흡수층과 상기 제2 흡수층은 몰리브덴, 크롬, 텅스텐 및 티타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 인듐-주석 산화막, 인듐-아연 산화막 또는 규소 산화막을 포함할 수 있다.
상기 전사층은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
상기 지지층 위에 위치하는 반사층을 더 포함하고, 상기 반사층은 패턴화되어 개구부를 형성하고, 상기 제1 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 제2 흡수층을 포함하는 광흡수층은 상기 개구부 내에 위치할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 지지층, 상기 지지층 위에 위치하는 제1 흡수층, 버퍼층 및 제2 흡수층을 포함하는 광흡수층 그리고 상기 광흡수층 위에 위치하는 전사층을 포함하는 도너 기판을 형성하는 단계, 전사 기판 위에 화소 전극과 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 전사층과 상기 화소 전극이 마주하도록 상기 전사 기판 위에 상기 도너 기판을 배치하는 단계 그리고 상기 전사 기판에 빛을 조사하고, 상기 광흡수층의 열에 의해 상기 전사층을 상기 화소 전극 위로 전사하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버퍼층은 투명한 산화막을 포함한다.
상기 도너 기판 위에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 반사층은 패턴화되어 개구부를 형성하고, 상기 광흡수층은 상기 개구부 내에 형성할 수 있다.
상기 광흡수층 위에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 흡수층과 상기 몰리브덴, 크롬, 텅스텐 및 티타늄 중 적어도 하나로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층은 인듐-주석 산화막, 인듐-아연 산화막 또는 규소 산화막으로 형성할 수 있다.
상기 전사층은 유기 발광 물질을 포함하도록 형성할 수 있다.
상기 전사 기판에 빛을 조사하는 단계에서 빛의 파장 범위는 400나노미터 내지 800나노미터일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 복층의 광흡수층 구조를 형성하여 낮은 반사율을 가지는 광흡수층 사이에 투명 산화막을 삽입하여 흡수되지 않고 반사 또는 산란되는 빛의 재흡수를 통해 광흡수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일실시예와 비교예에서 파장에 따른 광흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 버퍼층의 재료에 따른 광흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일실시예와 비교예에서 파장에 따른 광흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 버퍼층의 재료에 따른 광흡수율을 나타내는 그래프이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 도너 기판(10)의 지지층(100) 위에 반사층(110), 광흡수층(120a, 120b), 버퍼층(125) 및 전사층(130a, 130b)이 형성될 수 있다.
지지층(100)은 광에 대한 투과성이 높은 재료, 예를 들면 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등의 투명한 고분자 물질을 포함할 수 있다.
반사층(110)은 예를 들면 은(Ag) 또는 은(Ag)을 포함하는 합금 등 반사율이 높은 금속 재료를 포함할 수 있다. 이 외에, 장파장 영역에 한해서는, 반사층(110)의 구성 재료는, 금(Au), 구리(Cu) 혹은 이것들을 포함하는 합금을 포함할 수도 있다.
광흡수층(120a, 120b)은 입사되는 광을 열로 변환시키는 기능을 하며, 예를 들면, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐, 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물 혹은 이것들을 포함하는 합금 등 광 흡수율이 높은 금속 재료를 포함할 수 있다. 또한, 광흡수층(120)은 탄소(C) 또는 적외선 염료를 포함할 수 있다.
광흡수층(120a, 120b)은 지지층(100) 위에 위치하는 제1 흡수층(120a)과 제1 흡수층(120a) 위에 위치하는 제2 흡수층(120b)을 포함하고, 제1 흡수층(120a)과 제2 흡수층(120b) 사이에는 버퍼층(125)이 위치한다.
버퍼층(125)은 투명한 산화막을 포함하고, 인듐-주석 산화막, 인듐-아연 산화막 또는 규소 산화막을 포함할 수 있다.
전사층(130a, 130b)은 광흡수층(120a, 120b)을 덮으면서 지지층(110)의 일면 전체에 형성될 수 있다. 전사층(130a, 130b)은 광흡수층(120a, 120b)으로부터 제공되는 열에너지에 의해 지지층(100)으로부터 분리되어 전사 대상 기판(유기 발광 표시 장치의 기판) 위에 전사되는 층이다. 전사층(130a, 130b)은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
다른 실시예로 전사층(130a, 130b)은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 가운데 어느 하나와 같은 물질로 형성될 수 있다. 이 경우 전사용 도너 기판(10)을 이용하여 전사 대상 기판 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 가운데 어느 한 층을 형성할 수 있다.
반사층(110)은 전사용 도너 기판(10)으로 조사되는 빛을 반사시키는 기능을 한다. 반사층(110)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 은, 또는 은 합금 등을 포함할 수 있다. 반사층(110)은 패턴화된 모양을 가지면서 지지층(100) 위에 개구부(115)를 형성한다. 개구부(115) 내에 제1 흡수층(120a), 버퍼층(125), 제2 흡수층(120b) 및 전사층(120b)이 위치한다.
도 1에서 반사층(110) 위에 제1 흡수층(120a), 버퍼층(125) 및 제2 흡수층(120b)과 동일한 물질층이 형성되는 것으로 도시하였으나, 제조 방법에 따라서 이들을 생략하고 반사층(110) 위에 전사층(130a)이 바로 위치할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2에서 설명하는 실시예는 도 1에서 설명한 실시예와 대체로 동일한 구조를 갖는다. 다만, 본 실시예에서는 제2 흡수층(120b)과 전사층(130b) 사이에 보호막(150)이 위치하는 점에 차이가 있다. 보호막(150)은 투명한 산화막을 포함하고, 인듐-주석 산화막, 인듐?-연 산화막 또는 규소 산화막을 포함할 수 있다. 보호막(150)은 제2 흡수층(120b)의 변성을 막는 역할을 한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도너 기판에 반사층 및 광흡수층을 형성하는 단계(S10)와 반사층과 광흡수층 표면에 전사층을 형성하는 단계(S20)를 포함한다.
예를 들어, 도너 기판에는 발광부에서 방출되는 광을 반사시키는 반사층을 포토 공정 등을 통해 개구부를 갖도록 형성할 수 있다. 개구부는 전사 기판의 화소 패턴에 대응하도록 형성할 수 있다.
그리고, 개구부에는 발광부에서 방출되는 광을 흡수하여 열에너지로 전환하는 광흡수층 및 그 위에 전사층을 형성할 수 있다. 광흡수층은 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같이 2개의 흡수층 사이에 투명한 산화막을 포함하는 버퍼층이 위치하도록 형성할 수 있다.
전사 기판 위에 화소 전극 및 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함한다(S30).
화소 전극은 도너 기판에서 개구부에 형성된 전사층에 대응하도록 형성되어 있고, 화소 정의막은 도너 기판의 반사층에 대응하도록 위치하고, 화소 전극 사이에서 화소 영역을 구획하는 격벽으로 형성할 수 있다.
그 다음, 도너 기판의 전사층과 전사 기판의 화소 영역이 대응하도록 도너 기판과 전사 기판을 배치하는 단계를 포함한다(S40).
그 다음, 도너 기판의 배면에 발광부를 배치하고 발광부에서 발광된 빛이 도너 기판에 조사되도록 하여 전사 기판에 전사층을 전사하는 단계를 포함한다(S50).
전사 기판에 전사된 전사층을 유기 발광 표시 장치의 발광층을 형성한다.
이하에서는 도너 기판과 전사 기판을 배치하고 전사층을 전사 기판에 전사하는 방법에 대해 도 4 내지 도 7을 참고하여 설명하기로 한다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4를 참고하면, 지지층(110) 위에 반사 물질을 형성한 후에 패터닝하여 개구부(115)가 형성된 반사층(110)을 형성한다. 반사층(110)은 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같이 은(Ag) 또는 은(Ag)을 포함하는 합금 등 반사율이 높은 금속 재료로 형성할 수 있다.
도 5를 참고하면, 개구부(115) 내에 제1 흡수층(120a), 버퍼층(125) 및 제2 흡수층(120b)을 포함하는 광흡수층을 형성한다. 도 5에서는 개구부(115) 내에 광흡수층이 형성될 뿐만 아니라 반사층(110) 위에도 광흡수층과 동일한 물질층이 형성되도록 도시하였으나, 반사층(110) 위의 광흡수층과 동일한 물질층은 식각하여 제거하는 것도 가능하다.
반사층(110) 및 제2 흡수층(120b) 위에 전사층(130a, 130b)을 형성한다.
제1 흡수층(120a) 및 제2 흡수층(120b)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐, 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물 혹은 이것들을 포함하는 합금 등 광 흡수율이 높은 금속 재료를 포함할 수 있고, 버퍼층(125)은 인듐-주석 산화막, 인듐-아연 산화막 또는 규소 산화막 등의 투명한 산화막을 포함할 수 있다.
전사층(130a, 130b)은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
도 6을 참고하면, 전사 기판(20) 위에 화소 정의막(PDL)을 형성하고, 도시하지 않았으나, 화소 정의막(PDL)은 화소 영역을 구획하고 화소 영역에는 화소 전극이 형성될 수 있다.
도너 기판의 전사층(130b)이 전사 기판(20)의 화소 영역에 대응하도록 도너 기판과 전사 기판(20)을 배열한다. 이후, 발광부(미도시)에서 발생한 빛이 도너 기판에 조사되도록 한다. 이 때, 반사층(110)에서 빛은 반사되고, 개구부(115) 내에 형성된 제1 흡수층(120a), 버퍼층(125), 제2 흡수층(120b)을 빛이 통과하면서 빛이 흡수되거나 일부는 반사, 산란된다. 구체적으로, 제1 흡수층(120a)에서 흡수되지 못하고 반사, 산란된 빛은 버퍼층(125)을 통과하여 제2 흡수층(120b)으로 이동하여 흡수되거나 재반사되어 제1 흡수층(120a)으로 흡수되어 광흡수율을 향상시킬 수 있다.
도 7을 참고하면, 제1 흡수층(120a), 버퍼층(125) 및 제2 흡수층(120b)을 통과하면서 빛에너지가 열에너지로 전환되고, 이 때 전화된 열에너지에 의해 전사층의 물질이 전사 기판(20)으로 전사되어 발광층(130b')을 형성한다.
도 8은 본 발명의 일실시예와 비교예에서 파장에 따른 광흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 8에서 비교예는 몰리브덴 100nm/ITO 10nm의 단층으로 광흡수층을 형성한 경우이고, 실시예 1은 몰리브덴 15nm/ITO 50nm/몰리브덴 25nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이다. 또한, 실시예 2는 몰리브덴 4nm/ITO 70nm/몰리브덴 35nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이고, 실시예 3은 몰리브덴 4nm/ITO 60nm/몰리브덴 35nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이며, 실시예 4는 몰리브덴 4nm/ITO 55nm/몰리브덴 35nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이다.
도 8을 참고하면, 비교예의 단층 구조의 광흡수층 대비하여 실시예 1의 복층 구조의 광흡수층일 때, 빛의 파장 범위 400nm 내지 800nm의 대부분에서 광흡수율이 더 우수한 것을 확인할 수 있다. 또한,각 광흡수층의 두께를 최적화하기 위한 실험을 진행한 결과, 실시예 4의 경우에 광흡수율 최대치가 86.3%인 점에서 비교예 대비하여 대략 25% 이상 상승함을 확인할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 버퍼층의 재료에 따른 광흡수율을 나타내는 그래프이다.
본 발명의 일실시예에 따른 버퍼층은 인듐-주석 산화막 또는 인듐-아연 산화막으로 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 일실시예에 따른 버퍼층은 규소 산화막(SiO2)으로 형성할 수도 있다. 도 9에서는 제1 흡수층과 제2 흡수층을 몰리브덴으로 형성하고, 보호막을 ITO로 형성하면서 버퍼층을 ITO로 형성한 실시예 A(A1-A4)와 버퍼층을 규소 산화막으로 형성한 실시예 B(B1-B4)에 따른 광흡수율을 나타낸다.
구체적으로, 실시예 A1은 몰리브덴 4nm/ITO 55nm/몰리브덴 35nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이고, 실시예 A2는 몰리브덴 6nm/ITO 55nm/몰리브덴 35nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이며, 실시예 A3는 몰리브덴 4nm/ITO 45nm/몰리브덴 70nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이고, 실시예 A4는 몰리브덴 4nm/ITO 45nm/몰리브덴 30nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이다. 실시예 B1은 몰리브덴 4nm/SiO2 55nm/몰리브덴 35nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이고, 실시예 B2는 몰리브덴 6nm/SiO2 55nm/몰리브덴 35nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이며, 실시예 B3는 몰리브덴 4nm/SiO2 45nm/몰리브덴 70nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이고, 실시예 B4는 몰리브덴 4nm/SiO2 45nm/몰리브덴 30nm/ITO 10nm의 복층으로 광흡수층을 형성한 경우이다.
도 9를 참고하면, 버퍼층으로 ITO를 사용한 실시예 A보다 SiO2를 사용한 실시예 B의 경우가 좀 더 광흡수율이 우수한 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10 : 도너 기판 20 : 전사 기판
100 : 기판 110 : 반사층
120a, 120b : 흡수층 125 : 버퍼층
130a, 130b : 전사층 150 : 보호막
100 : 기판 110 : 반사층
120a, 120b : 흡수층 125 : 버퍼층
130a, 130b : 전사층 150 : 보호막
Claims (13)
- 지지층,
상기 지지층 위에 위치하는 제1 흡수층,
상기 제1 흡수층 위에 위치하는 버퍼층,
상기 버퍼층 위에 위치하는 제2 흡수층 그리고
상기 제2 흡수층 위에 위치하는 전사층을 포함하고,
상기 버퍼층은 투명한 산화막을 포함하는 전사용 도너 기판. - 제1항에서,
상기 제2 흡수층 위에 위치하는 보호막을 더 포함하는 전사용 도너 기판. - 제2항에서,
상기 제1 흡수층과 상기 제2 흡수층은 몰리브덴, 크롬, 텅스텐 및 티타늄 중 적어도 하나를 포함하는 전사용 도너 기판. - 제3항에서,
상기 버퍼층은 인듐-주석 산화막, 인듐-아연 산화막 또는 규소 산화막을 포함하는 전사용 도너 기판. - 제4항에서,
상기 전사층은 유기 발광 물질을 포함하는 전사용 도너 기판. - 제1항에서,
상기 지지층 위에 위치하는 반사층을 더 포함하고,
상기 반사층은 패턴화되어 개구부를 형성하고, 상기 제1 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 제2 흡수층을 포함하는 광흡수층은 상기 개구부 내에 위치하는 전사용 도너 기판. - 지지층, 상기 지지층 위에 위치하는 제1 흡수층, 버퍼층 및 제2 흡수층을 포함하는 광흡수층 그리고 상기 광흡수층 위에 위치하는 전사층을 포함하는 도너 기판을 형성하는 단계,
전사 기판 위에 화소 전극과 화소 정의막을 형성하는 단계,
상기 전사층과 상기 화소 전극이 마주하도록 상기 전사 기판 위에 상기 도너 기판을 배치하는 단계 그리고
상기 전사 기판에 빛을 조사하고, 상기 광흡수층의 열에 의해 상기 전사층을 상기 화소 전극 위로 전사하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 버퍼층은 투명한 산화막을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제7항에서,
상기 도너 기판 위에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 반사층은 패턴화되어 개구부를 형성하고, 상기 광흡수층은 상기 개구부 내에 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제8항에서,
상기 광흡수층 위에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제9항에서,
상기 제1 흡수층과 상기 몰리브덴, 크롬, 텅스텐 및 티타늄 중 적어도 하나로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제10항에서,
상기 버퍼층은 인듐-주석 산화막, 인듐-아연 산화막 또는 규소 산화막으로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 전사층은 유기 발광 물질을 포함하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제7항에서,
상기 전사 기판에 빛을 조사하는 단계에서 빛의 파장 범위는 400나노미터 내지 800나노미터인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130082146A KR20150007740A (ko) | 2013-07-12 | 2013-07-12 | 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US14/134,568 US9130194B2 (en) | 2013-07-12 | 2013-12-19 | Donor substrate for transfer and manufacturing method of organic light emitting diode display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130082146A KR20150007740A (ko) | 2013-07-12 | 2013-07-12 | 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150007740A true KR20150007740A (ko) | 2015-01-21 |
Family
ID=52276415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20130082146A KR20150007740A (ko) | 2013-07-12 | 2013-07-12 | 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9130194B2 (ko) |
KR (1) | KR20150007740A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190033106A (ko) * | 2017-09-20 | 2019-03-29 | 한국생산기술연구원 | 요홈유닛이 형성된 도너기판어셈블리 및 이를 이용한 발광 다이오드 제조방법 |
WO2019059684A3 (ko) * | 2017-09-20 | 2019-05-09 | 한국생산기술연구원 | 요홈유닛이 형성된 도너기판어셈블리 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 제조장치 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9933587B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-04-03 | Corning Incorporated | OLEDs with improved light extraction using enhanced guided mode coupling |
KR20160046169A (ko) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 마스크 |
WO2017115484A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 有機el表示装置の製造方法 |
KR20180125018A (ko) | 2016-04-05 | 2018-11-21 | 코닝 인코포레이티드 | 향상된 광 추출을 갖춘 패턴화된 유기 발광 다이오드(oled) |
US10011104B2 (en) * | 2016-06-06 | 2018-07-03 | Ncc Nano, Llc | Method for performing delamination of a polymer film |
US11230036B2 (en) | 2016-06-06 | 2022-01-25 | Ncc Nano, Llc | Method for performing delamination of a polymer film |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7132140B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-11-07 | Eastman Kodak Company | Plural metallic layers in OLED donor |
KR100611767B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
KR100667067B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
KR101157262B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2012-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20080011829A (ko) | 2006-07-31 | 2008-02-11 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20090028413A (ko) * | 2007-09-13 | 2009-03-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 및 증착용 기판 |
KR20090041316A (ko) * | 2007-10-23 | 2009-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막 방법 및 발광 장치의 제작 방법 |
KR101689519B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2016-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법 |
KR101307549B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2013-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
KR101579872B1 (ko) * | 2008-04-29 | 2015-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의제조방법 |
KR20100006226A (ko) | 2008-07-09 | 2010-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 태양전지 및 그 제조방법 |
JP2010093068A (ja) | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-07-12 KR KR20130082146A patent/KR20150007740A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-12-19 US US14/134,568 patent/US9130194B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190033106A (ko) * | 2017-09-20 | 2019-03-29 | 한국생산기술연구원 | 요홈유닛이 형성된 도너기판어셈블리 및 이를 이용한 발광 다이오드 제조방법 |
WO2019059684A3 (ko) * | 2017-09-20 | 2019-05-09 | 한국생산기술연구원 | 요홈유닛이 형성된 도너기판어셈블리 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 제조장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9130194B2 (en) | 2015-09-08 |
US20150014643A1 (en) | 2015-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20150007740A (ko) | 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
JP4600569B2 (ja) | ドナー基板および表示装置の製造方法 | |
KR102097443B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR102112844B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 | |
US10768470B2 (en) | Color conversion panel and display device including the same | |
JP4957929B2 (ja) | ドナー基板および表示装置の製造方法 | |
JP2006286493A (ja) | 表示素子、表示装置および表示素子の製造方法 | |
US9379325B2 (en) | Donor mask and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same | |
TW200901813A (en) | Display | |
KR20130123236A (ko) | 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
US9583709B2 (en) | Mask for forming organic layer pattern, forming method of organic layer pattern, and manufacturing method of organic light emitting diode display using the same | |
TW201445731A (zh) | 有機發光顯示裝置 | |
US20110121342A1 (en) | Organic light emitting diode lighting apparatus | |
US9099686B2 (en) | Donor film, method of manufacturing the same, and method of manufacturing organic light emitting display using the same | |
US9099687B2 (en) | Donor substrate and method of forming transfer pattern using the same | |
KR102180647B1 (ko) | 광학 마스크 | |
KR20160018925A (ko) | 광학 마스크 및 이를 이용한 레이저 전사 방법 | |
KR102329991B1 (ko) | 유기 발광 장치 및 이의 전극 | |
JP6071164B2 (ja) | レーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法 | |
JP2008270271A (ja) | ドナー基板およびドナー基板の作製方法 | |
KR102144855B1 (ko) | 광학 마스크 | |
US20160109796A1 (en) | Optical mask | |
CN219812424U (zh) | 用于制造显示装置的设备 | |
KR20120106476A (ko) | 적외선 광정류기가 포함된 양자점 소자 제조 방법 | |
KR20140074773A (ko) | 유전체 광학 마스크, 이를 구비한 레이저 조사장치, 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |