KR20130123236A - 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20130123236A
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이종람
이일환
김기수
김성준
구본형
이보라
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Abstract

본 발명은 투명 전극, 이를 구비한 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 투명 전극은, 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 박막 형상의 전극체; 및 상기 전극체의 양면 중 어느 한 면에 형성되고, 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져, 내부를 통과해 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 상기 전극체로 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층;을 포함한다.
본 발명에 의하면, 전극체의 양면 중 어느 한 면에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이고 투습도가 0.01g/m2·day 이하인 실리콘 질화물 등과 같은 광 투과성 물질로 광추출 봉지층을 형성함으로써, 유연 기판의 굴절률에 따라 굴절률을 조절 형성하여 내부를 통과해 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분과 산소가 전극체로 침투하는 것을 방지할 수 있는, 기존의 DMD 전극을 대체할 수 있는 봉지성을 갖는 투명 전극을 제공할 수 있으므로, 유연 기판에 별도의 봉지층을 형성할 필요가 없음에 따라, 제조 공정의 효율성이 향상되고 제조 비용이 절감되며, 빛이 통과하는 층수가 적고 광 경로가 짧아지므로 소자의 효율이 더 제고될 수 있다.

Description

투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법 {TRANSPARENT ELECTRODE, FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE WITH THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자체적으로 봉지성을 갖게 구현됨으로써 기판에 별도의 봉지층을 형성할 필요가 없어 제조 공정의 효율성을 향상시킬 수 있고, 제조 비용을 절감할 수 있으며, 소자의 광추출 효율도 더 제고할 수 있는 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode)는 유기화합물을 이용해 자체 발광시키는 차세대 디스플레이 소자로 반응속도가 매우 빠르고 자체 발광으로 인해 색감을 떨어뜨리는 후광장치가 불필요한 여러 가지 장점 때문에 대형 텔레비전부터 모바일 기기까지 널리 이용되고 있으며, 이에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
특히, 유기 발광 다이오드의 적용 분야를 확대하고, 디스플레이 기기의 디자인 개발 자유도를 향상시키기 위해, 구부림 특성이 있는 플렉서블 유기 발광 다이오드에 대한 연구가 활발히 진행 중이다.
그런데, 플렉서블 유기 발광 다이오드를 구현하기 위해서는 플렉서블 기판의 개발이 중요하고, 플렉서블 기판 중에서 가장 많은 연구가 이루어지고 있는 것이 투명성까지 확보할 수 있는 폴리머로 이루어진 플렉서블 기판이다.
즉, PET, PES, PEN, PDMS, PI 등의 유연하면서도 투명한 재질의 폴리머 기판은 플렉서블 유기 발광 다이오드를 구현하기에 좋은 특성을 갖고 있다. 그러나 이들의 폴리머 기판은 폴리머 기판 상에 형성될 전극에 대한 수분과 산소의 침투를 막을 수 있을 정도의 치밀한 구조로 이루어지지 않았기에 수분과 산소의 침투를 막는 별도의 봉지층을 형성해야 한다.
다시 말해, 종래에는 이러한 폴리머 기판 상에 다층의 유기 또는 무기 복합 구조로써 봉지층을 형성한 후, 봉지층이 형성된 폴리머 기판 상에 소자를 형성하게 된다.
이처럼 수분과 산소의 침투를 차단해야 하는 이유는, 수분과 산소가 전극이나 발광층을 이루는 유기물에 침투할 경우, 전극과 유기물이 수분 및 산소와 반응하여 급속한 특성 열화가 일어나기 때문이다.
이러한 봉지층이 형성된 폴리머 기판 상에 형성되는 소자로써, ITO(Indium Tin Oxide)를 저온 혹은 FTS 공정을 이용하여 증착한 후, 열증착 방식 또는 용액 공정을 통해 전극을 구현한 소자가 적용되었으나, ITO는 구부림에 약해 쉽게 깨어지고 이로 인해 면저항이 증가되어 소자의 특성이 저하되는 문제점이 있다.
따라서 ITO 전극을 대체하는 것으로서, 금속 박막을 가운데 두고 투명한 금속 산화물의 유전체층으로 금속 전극의 양면을 감싼 "유전체(dielectric)/금속(metal)/유전체(dielectric)" 형태의 DMD 전극이 개발되었다.
도 1은 전술된 바와 같은 봉지층(20)이 형성된 폴리머 기판(10) 상에 이러한 DMD 전극(30)을 투명 전극으로서 적용한 종래의 플렉서블 유기 발광 다이오드에 대한 단면도이다.
이 같은 DMD 전극(30)은 가요성을 충족시키면서, 유전체층(31, 32)의 반사 억제 효과로 인해 가시광선 영역에서 높은 광투과도를 보이므로 발광층(40)의 빛을 높은 효율로써 기판(10) 측으로 방출할 수 있을 뿐만 아니라, 유전체층(31, 32)의 전하 주입 효율 향상 효과 및 금속 박막(33)의 우수한 전기 전도도로 인해 낮은 전기 저항 특성을 보여 구동 전압과 소비 전력이 낮고 높은 효율을 갖는 장점이 있다.
그러나 일반적으로 금속 산화물로 이루어져 증착 데미지가 적은 열증착으로 형성되는 유전체층(31, 32)은 전극체(33)에 대한 수분과 산소의 침투를 막을 수 있는 치밀한 구조로 형성할 수 없으므로, 폴리머 기판(10)에 수분과 산소의 침투를 막기 위한 봉지층(20)을 반드시 별도로 형성해야 하는 문제점이 있다.
이에 따라, 폴리머 기판(10)에 대해 봉지층(20) 형성과 DMD 전극(30) 형성을 각각 순차적으로 별도 진행해야 하므로, 제조 공정의 효율성이 떨어지고, 비용이 증가하며, 발광층(40)의 빛이 외부로 방출될 때까지 각 층을 통과하는 경로가 길어지므로 소자의 효율이 저하되는 단점이 있다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 기판의 굴절률에 따라 굴절률을 조절 형성함으로써 내부를 통과해 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 수분이나 산소가 전극체로 침투하는 것을 방지할 수 있는 우수한 봉지성을 갖는 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 투명 전극은, 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 박막 형상의 전극체; 및 상기 전극체의 양면 중 어느 한 면에 형성되고, 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져, 내부를 통과해 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 상기 전극체로 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층;을 포함한다.
상기 광추출 봉지층은, 실리콘 질화물로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 전극체는, 굴절률이 1.5 미만이고, 흡광 계수가 3.0 미만인 금속 또는 금속 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 전극체는, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전극체는, DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directionally Reflector) 구조로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판; 상기 유연 기판 상에 형성되는 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성되며, 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극;을 포함하되, 상기 투명 전극은, 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지며 상기 유연 기판과 맞닿게 구비된 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 상면에 형성되고 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져 상기 발광층으로부터 상기 유연 기판 측으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 상기 유연 기판 측으로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층을 포함하여 이루어진다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 가요성을 갖는 유연 기판; 상기 유연 기판 상에 형성되어 상기 유연 기판을 통해 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하는 실링층; 상기 실링층 상에 형성되며, 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극; 상기 반사 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성되는 투명 전극;을 포함하되, 상기 투명 전극은, 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지며 상기 발광층과 맞닿게 구비된 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 상면에 형성되고 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져, 상기 발광층으로부터 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 상기 전극체로 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층을 포함하여 이루어진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판; 상기 유연 기판 상에 형성되는 제1투명 전극; 상기 제1투명 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성되는 제2투명 전극;을 포함하되, 상기 제1· 제2투명 전극 중 하나 이상은, 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 일면에 형성되고 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져 상기 발광층으로부터 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 상기 전극체로 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층을 포함하여 이루어진다.
상기 광추출 봉지층은, 실리콘 질화물로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 전극체는, 굴절률이 1.5 미만이고, 흡광 계수가 3.0 미만인 금속 또는 금속 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 전극체는, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 유기 발광 다이오드는, 광 투과성을 갖는 소재로 이루어지며, 상기 투명 전극과 상기 발광층의 사이에 구비되어 정공 주입 및 광추출을 촉진하는 광추출 정공 주입층;을 더 포함할 수 있다.
상기 광추출 정공 주입층은, MgO, CaO, ITO, ZnO, AZO, MoO3, WO3, NiO, Ga2O3, SiO2, SiO, V2O5, SnO2, In2O3 및 ZnS로 이루어진 군에서 적어도 1종을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
상기 유연 기판은, PET, PEN, PES, PC, PDMS(Polydimenthylsiloxane), PI, PUA 및 SU-8로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법은, 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는, 상기 유연 기판 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계, 및 상기 광추출 봉지층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법은, 가요성을 갖는 유연 기판 상에 수분이나 산소의 침투를 방지하는 실링층를 형성하는 단계; 상기 실링층 상에 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극을 형성하는 단계; 상기 반사 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는, 상기 발광층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계, 및 상기 전극체 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법은, 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판 상에 제1투명 전극을 형성하는 단계; 상기 제1투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 제2투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 제1투명 전극을 형성하는 단계는, 상기 유연 기판 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성을 갖는 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계, 및 상기 유연 기판 상에 형성된 상기 광추출 봉지층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제2투명 전극을 형성하는 단계는, 상기 발광층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계, 및 상기 발광층 상에 형성된 상기 전극체 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 광추출 봉지층은, 실리콘 질화물로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 전극체는, 굴절률이 1.5 미만이고, 흡광 계수가 3.0 미만인 금속 또는 금속 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 광추출 봉지층은, 화학 기상법에 의해 형성될 수 있다.
이러한 본 발명의 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 전극체의 양면 중 어느 한 면에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이고 투습도가 0.01g/m2·day 이하인 실리콘 질화물 등과 같은 광 투과성 물질로 광추출 봉지층을 형성함으로써, 유연 기판의 굴절률에 따라 굴절률을 조절 형성하여 내부를 통과해 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 전극체로 침투하는 것을 방지할 수 있는, 기존의 DMD 전극을 대체할 수 있는 봉지성을 갖는 투명 전극을 제공할 수 있다.
따라서 수분이나 산소가 전극체로 침투하는 것을 방지하기 위해 유연 기판에 별도의 봉지층을 형성할 필요가 없음에 따라, 제조 공정의 효율성이 향상되고 제조 비용이 절감되며, 빛이 통과하는 층수 및 경로가 짧아지므로 층간의 계면에서의 전반사로 인한 빛의 손실이나 층 내부에서의 광 흡수로 인한 빛의 손실을 줄일 수 있어 소자의 효율이 더 제고될 수 있다.
그리고 상기 전극체는 굴절률이 1.5 미만이고, 흡광 계수가 3.0 미만인 금속 또는 금속 합금으로 구비됨으로써, 광추출 봉지층과의 계면에서의 전반사 현상을 줄이고 빛이 흡수 소멸되는 것을 줄여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 투명 전극과 발광층 사이에 MgO, CaO, ZnO 등과 같은 광 투과성의 소재로 이루어진 광추출 정공 주입층을 더 포함함으로써, 발광층에 대한 정공 주입 및 광추출을 촉진할 수 있다.
도 1은 종래의 DMD 전극을 적용한 플렉서블 유기 발광 다이오드의 단면도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 단면도,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법의 순서도,
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 단면도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법의 순서도,
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 단면도,
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법의 순서도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자(이하, '통상의 기술자'라 한다)가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 그 범위가 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 투명 전극은 폴리머 기판과 같이 봉지성을 갖지 못한 유연 기판 상에 유기 발광 다이오드와 같은 소자를 형성할 때에 적합하게 적용될 수 있는 투명 전극으로서, 기존의 DMD 전극을 대체하면서도 별도의 봉지층을 폴리머 기판 상에 형성할 필요가 없도록 자체적으로 봉지성을 가질 뿐만 아니라, 굴절률 조절을 통해 광추출 성능도 향상시킬 수 있는 다기능의 투명 전극에 관한 것이다. 이하에서는 이러한 투명 전극이 플렉서블 유기 발광 다이오드에 적용된 경우를 기준으로 설명한다.
이하, 첨부된 도 2를 참조하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 구성 및 작용효과를 구체적으로 설명한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는 유연 기판(100), 투명 전극(200), 발광층(300) 및 반사 전극(400)을 포함하여 이루어진다.
상기 유연 기판(100)은 플렉서블 유기 발광 다이오드를 구조적으로 지지하는 기능을 수행하며, 플렉서블한 특성 및 광 투과성을 갖는 고분자 재료로 구성된다.
예를 들어, 상기 유연 기판(100)은 PET, PES, PEN, PC, PI, PUA, SU-8 및 PDMS(Polydimenthylsiloxane) 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 투명 전극(200)은 별도의 봉지층이 없이 유연 기판(100) 상에 구비되며, 자체적으로 봉지성을 가질 뿐만 아니라, 발광층(300)에서 유연 기판(100) 측으로 방출되는 빛의 광추출 성능도 향상시킬 수 있도록, 수분과 산소의 침투를 차단할 수 있을 만큼 치밀하면서도, 유연 기판(100)의 굴절률에 따라 1.7 이상 2.3 이하의 높은 굴절률을 갖는 물질로 형성된다.
이를 위해, 상기 투명 전극(200)은 전극체(210)와 광추출 봉지층(220)을 포함하여 이루어진다.
상기 전극체(210)는 전자나 정공을 수송할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속 또는 금속 합금으로써 굴절률이 1.5 미만으로 높지 않고, 흡광 계수가 3.0미만으로 광 투과성을 갖는 물질로 이루어지며, 우수한 전기 전도성을 유지하면서도 면 저항을 낮추고 광 투과도를 높이기 위해 0.5 ~ 30nm 정도의 적절한 두께로 구비된다.
이러한 전극체(210)는, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 금속 또는 금속 합금으로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 전극체(210)는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directionally Reflector) 구조로 이루어질 수 있다.
상기 광추출 봉지층(220)은 전극체(210)와 유연 기판(100) 사이에 개재된 형태로 구비되어, 전극체(210)를 전기 절연시킴과 동시에 치밀한 구조를 가져 유연 기판(100) 측에서 수분과 산소가 전극체(210)로 침투하지 못하도록 봉지하는 역할을 하며, 발광층(300)에서 전극체(210)를 통해 방출되는 빛이 전극체(210) 또는 유연 기판(100)과의 계면에서 전반사되는 현상을 억제할 수 있도록 1.7 ~ 2.3의 높은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진다.
이러한 광추출 봉지층(220)으로서는 Si와 N2가 화학적으로 결합된 실리콘 질화물이 이상적으로 적용될 수 있다. 이 같은 실리콘 질화물은 1.7 ~ 2.3의 굴절률을 갖도록 굴절률을 조절하여 화학기상법 등으로 형성할 수 있고, 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하일 정도로 치밀한 구조로 형성할 수 있으므로, 수분이나 산소가 전극체(210) 및 발광층(300)으로 침투하지 못하도록 안전하게 차단할 수 있기 때문이다.
그러나 상기 광추출 봉지층(220)을 이루는 물질이 이에 한정되는 것은 아니며, 1.7 ~ 2.3의 굴절률과 0.01g/m2·day 이하의 투습도 조건을 만족하는 금속 질화물로 구현되거나 질화물과 고분자 재료가 다층으로 적층된 구조로 구현될 수도 있다.
본 발명의 제1실시예에 있어서, 상기 광추출 봉지층(220)은 전극체(210)의 일면에만 구비되었으나, 이에 한정되지 않고 기존의 DMD 전극의 구조와 유사하게 금속이나 금속 합금으로 이루어진 전극체(210)를 사이에 개재한 형태로, 전극체(210)의 양면에 각각 구비될 수도 있다.
상기 발광층(300)은 투명 전극(200)과 반사 전극(400)의 사이에 구비되며, Alq3, TCTA 등의 유기물로 이루어져 투명 전극(200)과 반사 전극(400)에서 공급되는 정공과 전자의 결합으로 인한 빛이 생성되는 곳이다.
본 발명의 제1실시예에서 구체적으로 설명하지는 않았으나, 이러한 발광층(300)과 투명 전극(200) 또는 발광층(300)과 반사 전극(400)의 사이에는 전자를 주입, 수송하여 발광층(300)에 전달하는 LiF 등으로 이루어진 전자 주입층, 전자 수송층이나, 정공을 주입, 수송하여 발광층(300)에 전달하는 α-NPD 등으로 이루어진 정공 주입층, 정공 수송층이 추가적으로 구비될 수도 있다.
상기 반사 전극(400)은 전자나 정공을 수송할 수 있도록 전기 전도성이 우수하면서 발광층(300)에서 생성되어 반사 전극(400)으로 입사되는 빛을 투명 전극(200) 측으로 반사할 수 있도록 높은 반사율을 갖는 금속 또는 금속 합금으로 이루어진다.
이를 위해, 상기 반사 전극(400)은 Al, Au, Ag, Mg, Ca, Li 및 Ba 중 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있으나, 반사 전극(400)을 이루는 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 도 2에 도시하지는 않았으나, 이러한 반사 전극(400) 상에는 반사 전극(400) 측에 대한 봉지를 구현할 수 있는 별도의 봉지층이 형성될 수도 있다.
본 발명의 제1실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는 발광층(300)에서 생성된 빛이 투명 전극(200)과 유연 기판(100)을 통해 방출되는 배면 발광형 구조로 이루어졌으나, 이에 한정되지 않고 후술되는 제2실시예와 같이 전면 발광형 구조나, 제3실시예와 같이 양면 발광형 구조로 이루어질 수도 있다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
먼저, 유연 기판(100) 상에 1.7 ~ 2.3의 굴절률과 0.01g/m2·day 이하의 투습도 조건을 만족하는 실리콘 질화물로써 화학 기상법을 이용해 광추출 봉지층(220)을 형성하고(s110), 이 광추출 봉지층(220) 상에 전극체(210)를 형성함으로써, 유연 기판(110) 상에 투명 전극(200)을 구비한다(s120).
본 발명의 제1실시예에 있어서, 상기 광추출 봉지층(220)은 용이하고 안정적으로 화학 기상법을 통해 형성되었으나, 그 형성 방식이 이에 한정되는 것은 아니며, 열 증착법, 스핀 코팅법, 프린팅 방식, 바 코팅 방식 및 닥터 블레이드 방식 중 어느 하나의 방식을 통해 형성될 수도 있다.
다음, 투명 전극(200)의 전극체(210) 상에 유기화합물로 이루어지는 발광층(300)을 형성하고(s130), 이 발광층(300) 상에 반사 전극(400)을 형성한다(s140).
이렇게 제조된 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 기존의 DMD 전극과는 달리 투명 전극(200)이 광추출 봉지층(220)으로 인해 자체적으로 봉지성을 가지므로, 유연 기판(110) 상에 별도의 봉지층을 형성할 필요가 없어 제조 과정이 간소화되고 제조 비용이 절감될 수 있다.
또한, 투명 전극(200)의 광추출 봉지층(220)은 1.7 ~ 2.3의 높은 굴절률을 가짐으로써 발광층(300)에서 방출된 빛이 투명 전극(200)과 유연 기판(100)을 통해 공기 중으로 방출될 때에 전극체(210)나 유연 기판(100)의 계면에서 전반사에 의한 광 손실이 일어나는 것을 억제하여 광추출 효율을 향상시키는 역할도 수행하게 된다.
이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 구성 및 작용효과를 구체적으로 설명한다. 본 발명의 제2실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 전술된 제1실시예와 비교하여 전면 발광형 구조로 구현된다는 점이 가장 큰 차이이며, 추가적으로 투명 전극(200')과 발광층(300')의 사이에 광추출 정공 주입층(600)이 더 구비된다는 점이 상이하다.
따라서 이하, 본 발명의 제2실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드를 설명함에 있어서, 이러한 차이점을 위주로 설명하며, 제1실시예의 설명과 유사한 구성요소 및 특징에 대해서는 제1실시예의 설명과 동일한 도면부호를 사용하여 표기하고 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 유연 기판(100), 실링층(500), 반사 전극(400'), 발광층(300'), 광추출 정공 주입층(600) 및 투명 전극(200')을 포함하여 이루어진다.
상기 실링층(500)은 유연 기판(100) 상에 구비되어, 유연 기판(100)을 통해 수분이나 산소가 반사 전극(400')과 발광층(300')으로 침투하는 것을 차단하는 역할을 하며, 이를 위해 치밀한 구조를 갖는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 반사 전극(400')은 이러한 실링층(500) 상에 구비되며, 이 반사 전극(400') 상에 발광층(300')과 광추출 정공 주입층(600)이 순서대로 구비된다.
상기 광추출 정공 주입층(600)은 투명 전극(200')으로부터 발광층(300')으로의 정공 주입이 효율적으로 이루어지게 할 수 있도록 일함수가 큰 금속 산화물로 이루어지는 것이 바람직하며, 정공 주입 효율 향상의 기능을 수행할 수 있으면서도 높은 광 투과도를 확보할 수 있도록 0.5 ~ 500nm의 두께로 구비되는 것이 바람직하다.
상기 광추출 정공 주입층(600)은 이와 같은 조건을 만족하는 MgO, CaO, ITO, ZnO, AZO, MoO3, WO3, NiO, Ga2O3, SiO2, SiO, V2O5, SnO2, In2O3 및 ZnS로 이루어진 군에서 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
이 같은 광추출 정공 주입층(600)은 발광층(300')과 투명 전극(200')의 굴절률에 따라 그 굴절률을 조절하여 구비함으로써 발광층(300') 또는 투명 전극(200')과의 계면에서 빛이 전반사 되는 것을 억제하여 플렉서블 유기 발광 다이오드의 광 추출 효율을 향상시키는 역할도 수행하게 구현될 수도 있다.
상기 광추출 정공 주입층(600)은 플렉서블 유기 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시키기 위한 것으로서, 본 발명에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드에 필수적으로 구비되어야 하는 구성요소는 아니며, 이에 따라 본 발명에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는 발광층(300') 상에 투명 전극(200')을 직접 구비한 형태로도 구현될 수 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
먼저, 유연 기판(100) 상에 수분이나 산소가 반사 전극(400')과 발광층(300')으로 침투하는 것을 차단할 수 있는 치밀한 구조를 갖는 물질로 실링층(500)을 형성하고(s210), 이 실링층(500) 상에 반사 전극(400')을 형성한다(s220).
다음, 반사 전극(400') 상에 발광층(300')을 형성하고(s230), 이 발광층(300') 상에 투명 전극(200')으로부터 발광층(300')으로의 정공 주입을 촉진할 수 있도록 일함수가 큰 금속 산화물로 이루어지는 광추출 정공 주입층(600)을 형성한다(s240).
이후, 광추출 정공 주입층(600) 상에 전극체(210')를 형성하고(s250), 전극체(210') 상에 1.7 ~ 2.3의 굴절률과 0.01g/m2·day 이하의 투습도 조건을 만족하는 실리콘 질화물로써 화학 기상법을 이용해 광추출 봉지층(220')을 형성함으로써, 광추출 정공 주입층(600) 상에 투명 전극(200')을 구비한다(s260).
이와 같은 투명 전극(200')은 광추출 봉지층(220')에 의해 자체적으로 습기나 산소에 대한 봉지성을 가지므로, 투명 전극(200') 상에 별도의 봉지층을 형성할 필요가 없으므로, 제조 과정이 간소화되고 제조 비용이 절감될 수 있다.
또한, 투명 전극(200)의 광추출 봉지층(220)은 1.7 ~ 2.3의 높은 굴절률을 가짐으로써 발광층(300)에서 방출된 빛이 투명 전극(200)을 통해 공기 중으로 방출될 때에 전극체(210)나 공기와의 계면에서 전반사에 의한 광 손실이 일어나는 것을 억제하여 광추출 효율을 향상시키는 역할도 수행하게 된다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 구성 및 작용효과를 구체적으로 설명한다. 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 전술된 제1실시예와 비교하여 양면 발광형 구조로 구현된다는 점이 가장 큰 차이이므로, 두 개의 전극(200-1, 200-2)이 모두 전극체(210-1, 210-2)와 광추출 봉지층(220-1, 220-2)으로 각각 이루어진다는 점이 상이하다.
따라서 이하, 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드를 설명함에 있어서, 이러한 차이점을 위주로 설명하며, 제1실시예의 설명과 유사한 구성요소 및 특징에 대해서는 제1실시예의 설명과 동일한 도면부호를 사용하여 표기하고 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 유연 기판(100), 제1투명 전극(200-1), 발광층(300'') 및 제2투명 전극(200-2)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1투명 전극(200-1)은 유연 기판(100) 상에 형성된 제1광추출 봉지층(220-1) 및 제1광추출 봉지층(220-1) 상에 형성된 제1전극체(210-1)로 이루어진다.
이러한 제1투명 전극(200-1) 상에는 발광층(300'')이 구비되며, 이 발광층(300'') 상에 제2투명 전극(200-2)이 형성되는데, 이 제2투명 전극(200-2)은 발광층(300'') 상에 형성된 제2전극체(210-2) 및 제2전극체(210-2) 상에 형성된 제2광추출 봉지층(220-2)으로 이루어진다.
따라서 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 발광층(300'')을 중심으로 제1ㆍ제2전극체(210-1, 210-2)가 맞닿게 제1ㆍ제2투명 전극(200-1, 200-2)이 구비되므로, 플렉서블 유기 발광 다이오드의 양면이 각각 제1ㆍ제2투명 전극(200-1, 200-2)의 제1ㆍ제2광추출 봉지층(220-1, 220-2)에 의해 보호되는 형태를 이루어, 유연 기판(100) 등에 별도의 봉지층을 구비하지 않고도 수분이나 산소가 제1ㆍ제2전극체(210-1, 210-2) 및 발광층(300'')에 결코 침투할 수 없는 안정된 구조를 갖는다.
또한, 제1ㆍ제2투명 전극(200-1, 200-2)의 제1ㆍ제2광추출 봉지층(220-1, 220-2)은 1.7 ~ 2.3의 높은 굴절률을 가짐으로써 발광층(300)에서 방출된 빛이 제1ㆍ제2투명 전극(200-1, 200-2) 측으로 각각 방출될 때에 유연 기판(100)이나 공기와의 계면에서 전반사에 의한 광 손실이 일어나는 것을 억제하여 광추출 효율이 향상될 수 있다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제3실시예에 따른 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
먼저, 유연 기판(100) 상에 1.7 ~ 2.3의 굴절률과 0.01g/m2·day 이하의 투습도 조건을 만족하는 실리콘 질화물로써 화학 기상법을 이용해 제1광추출 봉지층(220-1)을 형성하고(s310), 이 제1광추출 봉지층(220-1) 상에 제1전극체(210-1)를 형성함으로써, 유연 기판(110) 상에 제1투명 전극(200-1)을 구비한다(s320).
다음, 제1투명 전극(200-1)의 제1전극체(210-1) 상에 유기화합물로 이루어지는 발광층(300'')을 형성한다(s330).
이후, 이 발광층(300'') 상에 제2전극체(210-2)를 형성하고(s340), 제2전극체(210-2) 상에 1.7 ~ 2.3의 굴절률과 0.01g/m2·day 이하의 투습도 조건을 만족하는 실리콘 질화물로써 화학 기상법을 이용해 제2광추출 봉지층(220-2)을 형성함으로써, 발광층(300'') 상에 제2투명 전극(200-2)을 구비한다(s350).
이렇게 제조된 플렉서블 유기 발광 다이오드는, 기존의 DMD 전극과는 달리 제1ㆍ제2투명 전극(200-1, 200-2)이 제1ㆍ제2광추출 봉지층(220-1, 220-2)으로 인해 자체적으로 봉지성을 가지므로, 유연 기판(110)과 제2투명 전극(200-2) 상에 별도의 봉지층을 형성할 필요가 없어 제조 과정이 간소화되고 제조 비용이 절감될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 전극체(210)의 양면 중 어느 한 면에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이고 투습도가 0.01g/m2·day 이하인 실리콘 질화물 등과 같은 광 투과성 물질로 광추출 봉지층(220)을 형성함으로써, 유연 기판(100)의 굴절률에 따라 굴절률을 조절 형성하여 내부를 통과해 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 전극체(210)로 침투하는 것을 방지할 수 있는, 기존의 DMD 전극을 대체할 수 있는 봉지성을 갖는 투명 전극(200)을 제공할 수 있으므로, 유연 기판(100)에 별도의 봉지층을 형성할 필요가 없음에 따라, 제조 공정의 효율성이 향상되고 제조 비용이 절감되며, 빛이 통과하는 층수가 적고 광 경로가 짧아지므로 소자의 효율이 더 제고될 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 통상의 기술자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부되어 있는 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊
100 : 유연 기판 200, 200' : 투명 전극
200-1 : 제1투명 전극 200-2 : 제2투명 전극
210, 210' : 전극체 210-1 : 제1전극체
210-2 : 제2전극체 220, 220' : 광추출 봉지층
220-1 : 제1광추출 봉지층 220-2 : 제2광추출 봉지층
300, 300', 300'' : 발광층 400, 400' : 반사 전극
500 : 실링층 600 : 광추출 정공 주입층

Claims (21)

  1. 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 박막 형상의 전극체; 및
    상기 전극체의 양면 중 어느 한 면에 형성되고, 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져, 내부를 통과해 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 상기 전극체로 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층;
    을 포함하는 투명 전극.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광추출 봉지층은,
    실리콘 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극체는,
    굴절률이 1.5 미만이고, 흡광 계수가 3.0 미만인 금속 또는 금속 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극체는,
    Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극체는,
    DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directionally Reflector) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  6. 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판;
    상기 유연 기판 상에 형성되는 투명 전극;
    상기 투명 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 형성되며, 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극;을 포함하되,
    상기 투명 전극은,
    광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지며 상기 유연 기판과 맞닿게 구비된 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 상면에 형성되고 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져 상기 발광층으로부터 상기 유연 기판 측으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 상기 유연 기판 측으로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  7. 가요성을 갖는 유연 기판;
    상기 유연 기판 상에 형성되어 상기 유연 기판을 통해 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하는 실링층;
    상기 실링층 상에 형성되며, 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극;
    상기 반사 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 형성되는 투명 전극;을 포함하되,
    상기 투명 전극은,
    광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지며 상기 발광층과 맞닿게 구비된 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 상면에 형성되고 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져, 상기 발광층으로부터 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 상기 전극체로 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  8. 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판;
    상기 유연 기판 상에 형성되는 제1투명 전극;
    상기 제1투명 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 형성되는 제2투명 전극;을 포함하되,
    상기 제1· 제2투명 전극 중 하나 이상은,
    광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 일면에 형성되고 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어져 상기 발광층으로부터 공기 중으로 방출되는 빛의 추출 효율을 향상시킴과 동시에 수분이나 산소가 상기 전극체로 침투하는 것을 방지하는 광추출 봉지층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광추출 봉지층은,
    실리콘 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  10. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극체는,
    굴절률이 1.5 미만이고, 흡광 계수가 3.0 미만인 금속 또는 금속 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  11. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극체는,
    Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  12. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 발광 다이오드는,
    광 투과성을 갖는 소재로 이루어지며, 상기 투명 전극과 상기 발광층의 사이에 구비되어 정공 주입 및 광추출을 촉진하는 광추출 정공 주입층;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 광추출 정공 주입층은,
    MgO, CaO, ITO, ZnO, AZO, MoO3, WO3, NiO, Ga2O3, SiO2, SiO, V2O5, SnO2, In2O3 및 ZnS로 이루어진 군에서 적어도 1종을 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  14. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유연 기판은,
    PET, PEN, PES, PC, PDMS(Polydimenthylsiloxane), PI, PUA 및 SU-8로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드.
  15. 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계;
    상기 투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 상에 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,
    상기 투명 전극을 형성하는 단계는,
    상기 유연 기판 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계, 및 상기 광추출 봉지층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  16. 가요성을 갖는 유연 기판 상에 수분이나 산소의 침투를 방지하는 실링층를 형성하는 단계;
    상기 실링층 상에 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극을 형성하는 단계;
    상기 반사 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 상에 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,
    상기 투명 전극을 형성하는 단계는,
    상기 발광층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계, 및 상기 전극체 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  17. 가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판 상에 제1투명 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 상에 제2투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,
    상기 제1투명 전극을 형성하는 단계는,
    상기 유연 기판 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성을 갖는 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계, 및 상기 유연 기판 상에 형성된 상기 광추출 봉지층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2투명 전극을 형성하는 단계는,
    상기 발광층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계, 및 상기 발광층 상에 형성된 상기 전극체 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.3이며 투습도(WVTR)가 0.01g/m2·day 이하인 광 투과성의 물질로 이루어지는 광추출 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  19. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광추출 봉지층은,
    실리콘 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  20. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극체는,
    굴절률이 1.5 미만이고, 흡광 계수가 3.0 미만인 금속 또는 금속 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  21. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광추출 봉지층은,
    화학 기상법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9627647B2 (en) 2014-09-25 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
WO2019132514A1 (ko) 2017-12-27 2019-07-04 코오롱인더스트리 주식회사 전극의 전기적 연결 장치 및 그를 사용하여 전기적 연결부를 형성한 플렉시블 전극 및 그를 사용하는 전극의 전기적 연결 방법
KR20190119466A (ko) 2018-04-12 2019-10-22 주식회사 케이티앤지 에어로졸 발생 장치
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WO2020091393A1 (ko) 2018-10-30 2020-05-07 주식회사 케이티앤지 일회용 액상 에어로졸 발생 물품 및 에어로졸 발생 장치
CN111180500A (zh) * 2020-02-26 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示用基板及电致发光显示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9627647B2 (en) 2014-09-25 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
US9966567B2 (en) 2014-09-25 2018-05-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
WO2019132514A1 (ko) 2017-12-27 2019-07-04 코오롱인더스트리 주식회사 전극의 전기적 연결 장치 및 그를 사용하여 전기적 연결부를 형성한 플렉시블 전극 및 그를 사용하는 전극의 전기적 연결 방법
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CN111180500B (zh) * 2020-02-26 2023-10-24 京东方科技集团股份有限公司 显示用基板及电致发光显示装置

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