JP6336569B2 - 有機発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 291
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 165
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 165
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M picolinate Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
基板、前記基板上に第1電極、有機物層および第2電極が順次積層された有機発光部、および前記有機発光部の外側を密封する封止部を含み、
前記封止部は、前記有機発光部の外側と接するシーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含み、
前記金属パターン層は、前記第1電極と外部電源を電気的に連結する第1金属パターン、および前記第2電極と外部電源を電気的に連結する第2金属パターンを含むことを特徴とする有機発光素子を提供する。
基板上に第1電極、有機物層および第2電極を含む有機発光部を順次形成するステップ、および
前記有機発光部の外側と接するシーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含む封止部により、前記有機発光部の外側を密封するステップを含み、
前記金属パターン層は、前記第1電極と外部電源を電気的に連結する第1金属パターン、および前記第2電極と外部電源を電気的に連結する第2金属パターンを含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法を提供する。
1つの基板上に、第1電極、有機物層および第2電極を含む有機発光部を2つ以上形成するステップ、
前記2つ以上の有機発光部の外側を封止部により同時に密封して、基板、有機発光部および封止部を含む有機発光素子を2つ以上形成するステップ、および
前記2つ以上の有機発光素子を各々個別的な有機発光素子に分離するステップを含み、
前記封止部は、前記2つ以上の有機発光部の各々の外側と接するシーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられ、前記第1電極と外部電源を電気的に連結する第1金属パターンおよび前記第2電極と外部電源を電気的に連結する第2金属パターンを含む金属パターン層を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法を提供する。
シーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含む封止材であって、
前記封止材は厚さ方向に貫通する少なくとも1つのコンタクトホールを含み、
前記封止材の上部面および下部面のうち少なくとも一面には保護層を含み、
前記金属パターン層は離隔して電気的に短絡した2以上の金属パターンを含むことを特徴とする封止材を提供する。
シーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含む封止材であって、
前記封止材の上部面および下部面に備えられた保護層を含み、
前記封止材の上部面および下部面に備えられた保護層のうちいずれか1つ、絶縁層、金属パターン層およびシーリング層の厚さ方向にハーフカット(half cutting)され、
前記金属パターン層は互いに離隔して電気的に短絡した2以上の金属パターンを含むことを特徴とする封止材を提供する。
絶縁層のいずれか1つの面に第1保護層を形成し、絶縁層の他の1つの面に互いに離隔して電気的に短絡した2以上の金属パターンを含む金属パターン層を形成するステップ、
前記絶縁層および金属パターン層の全面上にシーリング層を形成するステップ、
前記シーリング層上に第2保護層を形成するステップ、および
前記絶縁層、金属パターン層、シーリング層および第2保護層の厚さ方向を貫通する少なくとも1つのコンタクトホールを形成するステップを含む封止材の製造方法を提供する。
20 ・・・有機発光部
21 ・・・第1電極
22 ・・・有機物層
23 ・・・第2電極
30 ・・・シーリング層
40 ・・・密封板
50 ・・・第1電極パッド
55 ・・・第2電極パッド
60 ・・・絶縁部
100 ・・・基板
200 ・・・有機発光部
210 ・・・第1電極
220 ・・・有機物層
230 ・・・第2電極
300 ・・・封止部
310 ・・・シーリング層
320 ・・・金属パターン層
321 ・・・第1金属パターン
323 ・・・第2金属パターン
325 ・・・第3金属パターン
330 ・・・絶縁層
400 ・・・コンタクトホール
500 ・・・絶縁部
600 ・・・第1金属パッド
700 ・・・第2金属パッド
800 ・・・追加の絶縁層
900 ・・・第1保護層
950 ・・・第2保護層
Claims (24)
- 基板、前記基板上に第1電極、有機物層および第2電極が順次積層された有機発光部、
および前記有機発光部の外側を密封する封止部を含み、
前記封止部は、前記有機発光部の外側と接するシーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含み、
前記金属パターン層は、同一層に配置されて互いに離隔した第1金属パターン、第2金属パターンおよび第3金属パターンを含み、
前記第1金属パターンは前記第1電極と外部電源を電気的に連結して、前記第2金属パターンは前記第2電極と外部電源を電気的に連結することを特徴とする有機発光素子。 - 前記第3金属パターンは前記有機発光部の発光領域の上部に備えられることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子の上部平面図を基準に、
前記第3金属パターンは、前記有機発光部の発光領域と比較した時に同一であるか又はより大きい面積を有することを特徴とする、請求項1または2に記載の有機発光素子。 - 前記封止部は、厚さ方向に貫通する少なくとも1つのコンタクトホールを含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記コンタクトホールは、導電性材料により充填されることを特徴とする、請求項4に記載の有機発光素子。
- 前記導電性材料は、Ag、Au、Cu、Ni、Al、W、Co、Pdおよびこれらの合金から選択される1種以上を含む導電性ペースト;ポリアセチレン、ポリアニリン、ドープされたポリエチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、導電性エポキシ(conductive epoxy)、これらの混合物およびこれらの共重合体から選択される1種以上を含む導電性高分子;および前記導電性高分子に導電ボールを追加した混合物のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項5に記載の有機発光素子。
- 前記シーリング層は、第1電極または第2電極と外部電源を電気的に連結する導電ボールをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記絶縁層のうち金属パターン層が備えられた面の反対面上に備えられ、前記第1電極と電気的に連結される第1金属パッドをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記絶縁層のうち金属パターン層が備えられた面の反対面上に備えられ、前記第2電極と電気的に連結される第2金属パッドをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記基板は、ガラス基板またはプラスチック基板であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記絶縁層は、ポリイミドを含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子は、フレキシブル有機発光素子であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記基板および第1電極の間には光抽出層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子は基板上に2つ以上の有機発光部を含み、
前記封止部は1つのシーリング層と1つの絶縁層との間に備えられた2つ以上の金属パターン層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。 - 請求項1から14のいずれか1項に記載の有機発光素子を含む照明装置。
- 請求項1から14のいずれか1項に記載の有機発光素子を含むディスプレイ装置。
- 基板上に第1電極、有機物層および第2電極を含む有機発光部を順次形成するステップ、および
前記有機発光部の外側と接するシーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含む封止部により、前記有機発光部の外側を密封するステップを含み、
前記金属パターン層は、同一層に配置されて互いに離隔した第1金属パターン、第2金属パターンおよび第3金属パターンを含み、
前記第1金属パターンは前記第1電極と外部電源を電気的に連結して前記第2金属パターンは前記第2電極と外部電源を電気的に連結することを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記金属パターン層は、絶縁層上に金属パターンをラミネートするか、絶縁層上に金属層を蒸着して形成した後にパターニングして形成することを特徴とする、請求項17に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記封止部に厚さ方向に貫通する少なくとも1つのコンタクトホールを形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の有機発光素子の製造方法。
- 1つの基板上に、第1電極、有機物層および第2電極を含む有機発光部を2つ以上形成するステップ、
前記2つ以上の有機発光部の外側を封止部により同時に密封して、基板、有機発光部および封止部を含む有機発光素子を2つ以上形成するステップ、および
前記2つ以上の有機発光素子を各々個別的な有機発光素子に分離するステップを含み、
前記封止部は、前記2つ以上の有機発光部の各々の外側と接するシーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられ、前記第1電極と外部電源を電気的に連結する第1金属パターンおよび前記第2電極と外部電源を電気的に連結する第2金属パターンを含む金属パターン層を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - シーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含む封止材であって、
前記封止材は厚さ方向に貫通する少なくとも1つのコンタクトホールを含み、
前記封止材の上部面および下部面のうち少なくとも一面には保護層を含み、
前記金属パターン層は、同一層に配置されて互いに離隔した第1金属パターン、第2金属パターンおよび第3金属パターンを含むことを特徴とする封止材。 - シーリング層、前記シーリング層上に備えられた絶縁層、および前記シーリング層と絶縁層との間に備えられた金属パターン層を含む封止材であって、
前記封止材の上部面および下部面に備えられた保護層を含み、
前記封止材の上部面および下部面に備えられた保護層のうちいずれか1つ、絶縁層、金属パターン層およびシーリング層の厚さ方向にハーフカット(half cutting)され、
前記金属パターン層は互いに離隔した2以上の金属パターンを含むことを特徴とする封止材。 - 絶縁層のいずれか1つの面に第1保護層を形成し、絶縁層の他の1つの面に互いに離隔した2以上の金属パターンを含む金属パターン層を形成するステップ、
前記絶縁層および金属パターン層の全面上にシーリング層を形成するステップ、
前記シーリング層上に第2保護層を形成するステップ、および
前記絶縁層、金属パターン層、シーリング層および第2保護層の厚さ方向を貫通する少なくとも1つのコンタクトホールを形成するステップを含む封止材の製造方法。 - 前記コンタクトホールを形成するステップ後、前記絶縁層、金属パターン層、シーリング層および第2保護層の厚さ方向にハーフカット(half cutting)工程を行うステップをさらに含む、請求項23に記載の封止材の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0099236 | 2013-08-21 | ||
KR20130099236 | 2013-08-21 | ||
PCT/KR2014/007795 WO2015026185A1 (ko) | 2013-08-21 | 2014-08-21 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016514895A JP2016514895A (ja) | 2016-05-23 |
JP6336569B2 true JP6336569B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=52483899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016507507A Active JP6336569B2 (ja) | 2013-08-21 | 2014-08-21 | 有機発光素子およびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9876190B2 (ja) |
EP (1) | EP2983223B1 (ja) |
JP (1) | JP6336569B2 (ja) |
KR (1) | KR101512274B1 (ja) |
CN (1) | CN105247701B (ja) |
TW (1) | TWI649906B (ja) |
WO (1) | WO2015026185A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10084135B2 (en) * | 2014-11-27 | 2018-09-25 | Industrial Technology Research Institute | Illumination device and method of fabricating an illumination device |
JP6404361B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-10-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2016143606A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、及び電子機器 |
KR102042418B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2019-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전자장치 및 이의 제조 방법 |
KR101973163B1 (ko) | 2016-03-22 | 2019-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP6632725B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2020-01-22 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
TWI595695B (zh) * | 2016-09-13 | 2017-08-11 | 財團法人工業技術研究院 | 有機發光二極體之製作方法及其結構 |
KR102614599B1 (ko) * | 2016-11-07 | 2023-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 롤러블 디스플레이 장치 |
WO2018106087A1 (ko) | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자장치의 제조방법 |
CN107068715B (zh) | 2017-03-28 | 2019-12-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法 |
KR102316563B1 (ko) | 2017-05-22 | 2021-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속으로 형성된 상부 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI641168B (zh) * | 2017-05-24 | 2018-11-11 | 財團法人工業技術研究院 | 有機光電元件及有機光電模組 |
KR102354529B1 (ko) | 2017-09-18 | 2022-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색 변환소자 및 그 제조 방법 |
KR102573780B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2023-08-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102666704B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2024-05-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | Oled 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
CN110189637B (zh) * | 2019-06-27 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、可拉伸显示面板及其制造方法 |
FR3101198A1 (fr) * | 2019-09-19 | 2021-03-26 | Tecmoled | Diode électroluminescente organique flexible encapsulée |
WO2023050267A1 (zh) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及相关显示母板和显示面板 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH091095A (ja) | 1995-06-12 | 1997-01-07 | Tomoteru Kogyo:Kk | チューブ洗浄機 |
US5703394A (en) * | 1996-06-10 | 1997-12-30 | Motorola | Integrated electro-optical package |
US5990615A (en) | 1997-02-03 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Organic electroluminescent display with protective layer on cathode and an inert medium |
WO2000001204A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Ecran electroluminescent |
TW465122B (en) * | 1999-12-15 | 2001-11-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device |
JP2003086362A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
JP2005050697A (ja) | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005338419A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 面発光装置用封止体及び面発光装置 |
US20090276635A1 (en) | 2004-12-13 | 2009-11-05 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Controlling distribution and use of digital works |
DE112005002889B4 (de) * | 2004-12-14 | 2015-07-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben |
KR101138945B1 (ko) | 2005-01-29 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 탑재한패키지 |
JP5208521B2 (ja) | 2005-02-16 | 2013-06-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Oled装置 |
JP2006331695A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子用封止部材及び有機発光素子 |
JP4736642B2 (ja) | 2005-09-05 | 2011-07-27 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
KR100685845B1 (ko) | 2005-10-21 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
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JP5112707B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2013-01-09 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
KR100824963B1 (ko) | 2007-03-30 | 2008-04-28 | 한울정보기술(주) | 이엘 소자 |
JP5396037B2 (ja) | 2008-04-11 | 2014-01-22 | ローム株式会社 | 有機el素子 |
EP2144290A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-13 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Electronic device and method of manufacturing the same |
WO2010106853A1 (ja) | 2009-03-16 | 2010-09-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロニクスパネルおよび有機エレクトロニクスパネルの製造方法 |
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US20100294526A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | General Electric Company | Hermetic electrical package |
JP2011171128A (ja) | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
WO2011114882A1 (ja) | 2010-03-17 | 2011-09-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
EP2579353B1 (en) | 2010-07-07 | 2018-09-05 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device comprising an encapsulation structure |
CN103081159B (zh) | 2010-07-08 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 有机发光器件及其制备方法 |
KR101769586B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2017-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20120065136A (ko) * | 2010-12-10 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 이의 제조 설비 |
KR101769068B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101839954B1 (ko) | 2010-12-17 | 2018-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
CN103403125B (zh) | 2011-01-17 | 2016-03-23 | 株式会社Lg化学 | 新化合物以及包含该新化合物的有机发光器件 |
KR101858182B1 (ko) * | 2011-04-11 | 2018-05-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20130006936A (ko) * | 2011-06-27 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6102741B2 (ja) | 2011-09-21 | 2017-03-29 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
WO2013054820A1 (ja) | 2011-10-14 | 2013-04-18 | 旭硝子株式会社 | 有機led素子の散乱層用ガラス、有機led素子用の積層基板及びその製造方法、並びに有機led素子及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-08-21 CN CN201480031246.3A patent/CN105247701B/zh active Active
- 2014-08-21 US US14/891,280 patent/US9876190B2/en active Active
- 2014-08-21 KR KR20140109225A patent/KR101512274B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-21 JP JP2016507507A patent/JP6336569B2/ja active Active
- 2014-08-21 WO PCT/KR2014/007795 patent/WO2015026185A1/ko active Application Filing
- 2014-08-21 EP EP14838519.8A patent/EP2983223B1/en active Active
- 2014-08-21 TW TW103128878A patent/TWI649906B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201526329A (zh) | 2015-07-01 |
US20160087237A1 (en) | 2016-03-24 |
KR20150021906A (ko) | 2015-03-03 |
EP2983223A4 (en) | 2017-08-02 |
CN105247701B (zh) | 2017-08-25 |
KR101512274B1 (ko) | 2015-04-14 |
EP2983223A1 (en) | 2016-02-10 |
TWI649906B (zh) | 2019-02-01 |
WO2015026185A1 (ko) | 2015-02-26 |
JP2016514895A (ja) | 2016-05-23 |
US9876190B2 (en) | 2018-01-23 |
CN105247701A (zh) | 2016-01-13 |
EP2983223B1 (en) | 2018-11-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151013 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |