KR20150021906A - 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고, 상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 발광 소자 및 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}
본 출원은 2013년 08월 21일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2013-0099236호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 전극 사이에 형성된 발광층에 전극을 통해 정공과 전자를 주입하여 주입된 정공과 전자가 여기자를 이룬 후 소명하면서 빛을 내는 소자이다.
이러한 유기 발광 소자는 자발광 특성을 지니고 있기 때문에 종래의 액정 디스플레이에 비해 얇고, 소비전력이 낮으며 우수한 시야각과 높은 응답 속도를 지니고 있다는 장점이 있다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널이나 무기 이엘 패널 디스플레이에 비해 10V 이하의 낮은 전압에서 구동이 가능하여 소비 전력이 낮고 색감이 뛰어난 장점이 있다. 뿐만 아니라, 유기 발광 소자는 휘는 특성이 있는 플라스틱 기판을 사용하여 제작할 수도 있다.
또한, 유기 발광 소자는 수동형 방식과 능동형 방식으로 나뉘어진다. 수동형 방식의 경우 발광층에서 생성된 빛을 기판면으로 발광시키는 배면 발광 방식을 채택하고 있다. 반면, 능동형 방식에서 배면 발광 방식을 채택할 경우 TFT에 가려져 개구율이 낮아지게 된다. 따라서, 개구율을 높이기 위해서 기판 반대편으로 발광시키는 전면 발광 방식이 요구되고 있다.
이러한 우수한 장점을 지니고 있는 유기 발광 소자의 종래의 봉지 방법 및 봉지 구조는 제1 전극, 제2 전극 및 발광층으로 이루어진 발광체가 위치한 기판과 이를 봉지하는 봉지캡을 열경화성 또는 광경화성 접착부재를 사용하여 봉지하는 것이 일반적이다.
대한민국 공개특허공보 제1998-0071030호
당 기술분야에서는 봉지 특성이 우수한 유기 발광 소자에 대한 연구가 필요하다.
본 출원은,
기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 및 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고,
상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하며,
상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또한, 본 출원은,
기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부를 순차적으로 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지부로, 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 단계를 포함하며,
상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 출원은,
하나의 기판 상에, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부를 2개 이상 형성하는 단계;
상기 2개 이상의 유기 발광부의 외측을 봉지부로 동시에 밀봉하여, 기판, 유기 발광부 및 봉지부를 포함하는 유기 발광 소자를 2개 이상 형성하는 단계; 및
상기 2개 이상의 유기 발광 소자를 각각 개별적인 유기 발광 소자로 분리하는 단계를 포함하고,
상기 봉지부는 상기 2개 이상의 유기 발광부 각각의 외측과 접하는 실링층; 상기 실링층 상에 구비된 절연층; 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비되고 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 출원은,
실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지재로서,
상기 봉지재는 두께 방향으로 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 포함하고,
상기 봉지재의 상부면 및 하부면 중 적어도 일면에는 보호층을 포함하며,
상기 금속 패턴층은 이격되어 전기적으로 단락된 2 이상의 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지재를 제공한다.
또한, 본 출원은,
실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지재로서,
상기 봉지재의 상부면 및 하부면에 구비된 보호층을 포함하고,
상기 봉지재의 상부면 및 하부면에 구비된 보호층 중 어느 하나, 절연층, 금속 패턴층 및 실링층의 두께 방향으로 하프 컷팅(half cutting)되고,
상기 금속 패턴층은 서로 이격되어 전기적으로 단락된 2 이상의 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지재를 제공한다.
또한, 본 출원은
절연층의 어느 한 면에 제1 보호층을 형성하고, 절연층의 다른 한 면에 서로 이격되어 전기적으로 단락된 2 이상의 금속 패턴을 포함하는 금속 패턴층을 형성하는 단계,
상기 절연층 및 금속 패턴층의 전면 상에 실링층을 형성하는 단계,
상기 실링층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계, 및
상기 절연층, 금속 패턴층, 실링층 및 제2 보호층의 두께 방향을 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 형성하는 단계
를 포함하는 봉지재의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 봉지부로서 실링층, 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 구조를 이용함으로써, 유기 발광부의 봉지 및 전극의 등전위를 위한 구조를 간소화할 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2 및 도 3은 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4는 종래의 유기 발광 소자의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시상태에 따른 봉지재를 개략적으로 나타낸 도이다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
유기 발광 소자(OLED) 기술 중 봉지(encapsulation) 공정은 OLED 수명과 신뢰성을 좌우하는 핵심기술로서, OLED 재료는 수분과 산소에 매우 취약한 특성 상 수분 또는 산소가 침투시 유기물층 및 전극의 변형 유발, 수명 저하의 여러 가지 문제를 발생시킬 수 있다. 따라서, OLED는 외기 차단을 위한 봉지 공정이 절대적으로 필요하다.
종래의 유기 발광 소자 및 이의 제조방법을 도 1 및 도 4에 개략적으로 나타내었다. 종래의 유기 발광 소자에서는 전극 패드단(50, 55) 노출을 위하여 실링층(30) 등을 제단하고 캐리어(carrier)를 사용하여 유기 발광 소자에 라미네이션하는 방법을 이용하였다. 그러나, 이러한 방법은 실링층 등의 제단, 캐리어 사용 등에 어려움이 있다. 또한, 노출된 제1 전극패드(50) 및 제2 전극패드(55)는 각각 외부 전원에 전기적으로 연결하는 구성이 추가로 필요하며, 이를 위한 공정이 더 필요하다.
이에, 본 출원에서는 절연층 상의 금속 패턴 및 컨택홀이 구비된 연성인쇄회로기판(FPCB) 및 페이스 실 필름(Face seal film)을 적용하여, 1개의 큰 기판 상에 다수 개의 유기 발광 소자를 제조하는 경우에도 실링층 등의 제단이 필요 없고 캐리어 사용을 배제할 수 있어서, 공정상 이점이 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고, 상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴층은 유기 발광부 내부에 외부의 수분, 공기 등의 침투를 방지하는 배리어 역할을 수행할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 상기 금속 패턴층을 통하여 외부 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴을 포함할 수 있고, 상기 금속 패턴층은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴층은 제1 금속 패턴 및 제2 금속 패턴을 모두 포함할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴층은 제3 금속 패턴을 포함하고, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역의 상부에 구비될 수 있다. 즉, 본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴층은 제1 금속 패턴, 제2 금속 패턴 및 제3 금속 패턴을 포함하고, 상기 제1 금속 패턴은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하며, 상기 제2 금속 패턴은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하고, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역의 상부에 구비되며, 상기 제1 금속 패턴, 제2 금속 패턴 및 제3 금속 패턴은 각각 이격되어 전기적으로 단락된 구조일 수 있다.
상기 유기 발광 소자의 상부 평면도를 기준으로, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역과 비교하였을 때 동일하거나 더 큰 면적을 가질 수 있다. 또한, 상기 제3 금속 패턴은 유기 발광부의 발광 영역의 상부 및 측면을 밀봉하는 구조일 수 있다. 구체적으로, 상기 제3 금속 패턴은 유기 발광부 내부에 외부의 수분, 공기 등의 침투를 방지하는 배리어 역할을 수행할 수 있다.
상기 금속 패턴층은 절연층 상에 미리 재단된 금속 패턴을 라미네이션하거나, 절연층 상에 금속층을 증착하여 형성한 후 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 금속 패턴층의 두께는 1 ~ 50㎛ 일 수 있고, 5 ~ 20㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 2개 이상의 유기 발광 소자의 제조시 하나의 절연층 상에 형성된 2개 이상의 금속 패턴층을 이용하여 1회 공정으로 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 형성할 수 있는 특징이 있다. 따라서, 2개 이상의 유기 발광 소자를 연속 공정으로 제조할 수 있고, 상기 기판으로서 플라스틱 기판을 이용하여 롤투롤 공정으로 플렉서블 유기 발광 소자를 간단한 공정으로 제조할 수 있다.
또한, 상기 기판 상에 2개 이상의 유기 발광부가 구비되고, 상기 봉지부는 하나의 절연층 상에 2개 이상의 금속 패턴층이 구비됨으로써, 전술한 바와 같은 공정에 의하여 대면적 유기 발광 소자를 간단한 공정으로 제조할 수 있다.
또한, 상기 2개 이상의 금속 패턴층 각각은, 전술한 바와 같이 각각의 금속 패턴층이 제1 금속 패턴, 제2 금속 패턴 및 제3 금속 패턴을 포함하고, 이들은 서로 이격되어 전기적으로 단락된 구조일 수 있다. 이때, 상기 제1 금속 패턴은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하며, 상기 제2 금속 패턴은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하고, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역의 상부에 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 봉지부는 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 컨택홀을 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 컨택홀은 상기 봉지부의 두께방향으로 형성되며, 상기 컨택홀은 유기발광부의 제1 전극과 연결되고 유기발광부가 형성된 기판 중 비발광부로 연장되어 구비된 제1 전극패드; 및 유기발광부의 제2 전극과 연결되고 유기발광부가 형성된 기판 중 비발광부로 연장되어 구비된 제2 전극패드까지 관통된다.
상기 컨택홀의 길이방향의 수직단면의 크기는 상기 제1 전극패드 및 제2 전극패드의 크기에 의해 정해지며, 구체적으로 상기 컨택홀의 길이방향의 수직단면의 면적은 상기 제1 전극패드 및 제2 전극패드의 면적보다 적거나 동일하다. 바람직하게는 상기 컨택홀의 길이방향의 수직단면의 면적이 상기 제1 전극패드 및 제2 전극패드의 면적과 거의 동일 또는 유사할수록 좋다.
상기 컨택홀은 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하기 위하여 도전성 재료로 채워질 수 있다. 상기 도전성 재료는 Ag, Au, Cu, Ni, Al, W, Co, Pd 및 이들의 합금으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 도전성 페이스트; 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 도프된 폴리에틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 전도성 에폭시(conductive epoxy), 이들의 혼합물 및 이들의 공중합체로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 전도성 고분자; 및 상기 전도성 고분자에 도전볼을 추가한 혼합물 중 어느 하나일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 실링층은 도전볼을 포함할 수 있다. 상기 도전볼은 상기 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 역할을 수행할 수 있다. 이때, 상기 실링층에 패턴을 형성하여 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결할 수 있도록 상기 패턴의 홈부에 도전볼을 배치하여 포함할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 절연층 중 금속 패턴층이 구비된 면의 반대면 상에 구비되고 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 금속 패드를 추가로 포함할 수 있다. 또한, 상기 절연층 중 금속 패턴층이 구비된 면의 반대면 상에 구비되고 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 금속 패드를 추가로 포함할 수 있다. 또한, 상기 절연층 중 금속 패턴층이 구비된 면의 반대면 상에 구비되고 상기 제1 금속 패드 및 제2 금속 패드를 모두 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 금속 패드 및 제2 금속 패드 사이에는 추가의 절연층이 구비될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 하기 도 2 및 도 3에 개략적으로 나타내었다. 도 2의 유기 발광 소자는 봉지부(300)로서 절연층(330)의 일측에 금속패턴층(320)이 구비된 구조를 개략적으로 나타낸 것이고, 도 3의 유기 발광 소자는 봉지부(300)로서 절연층(330)의 일측에 금속패턴층(320)이 구비되고 타측에 제1 금속패드(600) 및 제2 금속패드(700)가 구비된 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
본 출원에 있어서, 상기 기판은 투명한 기판일 수 있고, 보다 구체적으로 유기 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 절연층은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 절연층은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 절연층의 두께는 1 ~ 50㎛ 일 수 있고, 5 ~ 20㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 실링층은 페이스 실 필름(Face seal film)을 이용할 수 있다. 상기 페이스 실 필름(Face seal film)은 게터(getter)를 포함하는 점착필름일 수 있다. 상기 게터는 잔류 기체를 흡수하거나 그 기체와 화합물을 만드는 물질이며 점착필름 상에 포함되어 잔존하는 수분 또는 산소를 흡수하거나 이와 반응하여 화합물을 만들 수 있다면 그 종류를 한정하지 않으나, 예를 들면, 활성탄, 바륨, 마그네슘, 지르코늄 및 붉은 인 중 적어도 하나일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴층은 구리, 알루미늄, 철, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 은, 주석, 납 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 유기 발광부는 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드를 포함할 수 있다.
상기 애노드는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 은, 주석 및 납 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 애노드는 투명 전도성 산화물로 형성될 수도 있다. 여기서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
상기 애노드는 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 애노드의 저항 개선을 위하여 보조전극을 추가로 포함할 수 있다. 상기 보조전극은 전도성 실란트(sealant) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 증착 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극은 Cr, Mo, Al, Cu 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 보조전극 상에 절연층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 절연층은 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 일반적인 포토 레지스트 물질; 폴리이미드; 폴리아크릴; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥사이드; 알루미늄 옥사이드; 알루미늄 나이트라이드; 알카리 금속 산화물; 알카리토금속 산화물 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 10nm ~ 10㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기물층의 구체적인 물질, 형성방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 당 기술분야에 널리 알려진 물질 및 형성방법을 이용할 수 있다.
상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
상기 정공 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 또는 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 전자 주입 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있고, 정공 주입 전극 물질과 동일한 물질을 사용할 수도 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌; 인광 호스트 CBP[[4,4'-bis(9-carbazolyl)biphenyl]; 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광 물질은 형광 또는 인광 특성을 향상시키기 위해 인광 도판트 또는 형광 도판트를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인광 도판트의 구체적인 예로는 ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine) iridium) 또는 F2Irpic[iridium(Ⅲ)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2) picolinate] 등이 있다. 형광 도판트로는 당 기술분야에 알려진 것들을 사용할 수 있다.
상기 전자 수송층을 형성할 수 있는 물질로는 전자 주입층으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드는 Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd 및 이들의 합금 중 적어도 하나 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 따른 유기 발광 소자는 조명용 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용될 수 있다. 또한, 본 출원에 따른 유기 발광 소자는 플렉서블 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 기판 및 제1 전극 사이에는 광추출층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 광추출층은 광 산란을 유도하여 소자의 내부 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 광추출층은 굴절률이 1.7 이상, 구체적으로는 굴절률이 1.7 내지 3.0인 영역을 포함할 수 있다. 광추출층 내에 굴절률이 1.7 이상인 물질을 포함함으로써, 상대적으로 굴절률이 낮은 다른 영역과의 굴절률 차이에 의한 광산란 효과를 얻을 수 있다.
본 출원의 하나의 예로서, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란 입자가 분산된 구조일 수 있다. 상기 바인더는 산란 입자에 비해 굴절률이 높을 수 있으며, 바인더와 산란 입자 사이의 계면에서 굴절률 차이로 인한 광산란을 유도할 수 있다. 예를 들어, 상기 바인더는 굴절률이 1.7 이상, 또는 1.7 내지 3.0 범위일 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 광추출층은 산란 입자 및 바인더를 포함하고, 기판과 접하는 면의 반대면에는 산란 입자에 의한 요철이 형성되는 산란층; 및 상기 산란층 상에 형성되며, 산란층의 요철 구조로 인한 표면 굴곡을 평탄화시키는 평탄층을포함할 수 있다. 상기 광추출층은 산란 입자와 평탄층 간의 굴절률 차이를 크게 형성함으로써 내부 광추출 효율을 높일 수 있다. 상기 평탄층은 산란 입자에 비해 굴절률이 높은 경우일 수 있으며, 예를 들어, 상기 평탄층의 굴절률은 1.7 이상, 또는 1.7 내지 3.0 범위일 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 광추출층은 기판 상에 형성되며 요철 구조를 형성하는 바인더층; 및 상기 바인더층 상에 형성되어 평탄면을 형성하는 평탄층을 포함할 수있다. 예를 들어, 상기 평탄층의 굴절률은 1.7 이상, 또는 1.7 내지 3.0 범위일 수 있다.
상기 산란 입자는 구형, 타원체형 또는 무정형의 형상일 수 있으며, 바람직하게는 구형 또는 타원체형의 형상일 수 있다. 상기 산란 입자의 평균 직경은 100 내지 300 nm일 수 있으며, 구체적으로는 150 내지 200 nm일 수 있다.
상기 산란 입자는 바인더 내지 평탄층과의 굴절률 차이를 이용하여 빛을 산란시킬 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 공기, 실리콘, 실리카, 글래스, 산화 티탄, 불화 마그네슘, 산화 지르코늄, 알루미나, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨, 실리콘 나이트라이드 및 알루미늄 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 하나의 예로서, 상기 산란입자는 이산화티탄일 수 있다.
상기 바인더는 특별히 제한되는 것은 아니며, 유기, 무기 또는 유무기 복합체 바인더일 수 있다. 예를 들어, 상기 바인더는 무기 또는 유무기 복합체 바인더일 수 있다. 무기 또는 유무기 복합체 바인더는 유기 바인더에 비해 내열성 및 내화학성이 우수하여 소자의 성능 특히 수명에 유리하고, 소자 제작 과정에 있을 수 있는 150℃ 이상의 고온 공정, 포토 공정 및 식각 공정 등에서도 열화가 일어나지 않기 때문에 다양한 소자 제작에 유리하다는 장점이 있다. 예를 들어, 상기 바인더는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride), 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride), 알루미나(alumina) 및 실록산(siloxane) 결합(Si-O)을 기반으로 하는 무기 또는 유무기 복합체 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 예를 들어, 실록산을 이용하여 축중합시켜 [Si-O] 결합을 기반으로 한 무기 바인더를 형성하거나, 실록산 결합에서 알킬기가 완전히 제거되지 않은 유무기 복합체의 형태도 사용 가능하다.
상기 평탄층을 구성하는 성분은 앞서 설명한 산란층을 구성하는 바인더와 동일한 범위에서 선택될 수 있다. 상기 산란층 내의 바인더와 상기 평탄층은 동일 성분이 사용되거나, 서로 다른 성분이 사용될 수 있다. 또한, 상기 평탄층은 굴절률을 높일 수 있는 고굴절 필러를 더 포함할 수 있다. 상기 고굴절 필러는 광추출층 내에 분산되어 굴절률을 높일 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 산화 지르코늄, 산화 티탄, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨 및 실리콘 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 하나의 예에서, 상기 고굴절 필러는 이산화티탄일 수 있다.
상기 고굴절 필러의 평균 입경은 5 내지 30nm, 구체적으로는 15 내지 25nm 범위일 수 있다. 상기 고굴절 필러의 입경이 지나치게 작으면 굴절률을 높이는 효과가 미미하고, 반대의 경우에는 광투과율을 저하시킬 수 있다.
일반적으로, 유기 발광 소자는 소자를 구성하는 각 층들 간의 굴절률 차이로 인해 내부 전반사가 발생되며, 이로 인해 발광 효율이 악화되고, 휘도가 저하될 수 있다. 본 발명은 기판 상에 산란 입자를 포함하는 광추출층을 형성함으로써, 내부 광추출 효율을 향상시키게 된다.
상기 광추출층은, 소자가 증착되는 면쪽으로, 소자의 발광 영역에 한정하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 광추출층은 기판과 애노드에 의하여 밀봉된 구조일 수 있다.
종래의 유기 발광 소자에서는 광추출층이 형성된 경로를 통해서 외부의 공기(예를 들어, 산소) 또는 수분이 소자 내부로 침투할 수 있다. 소자 내부로 유입된 산소 또는 수분은 소자의 수명을 단축시키는 원인이 된다. 그러나, 본 발명에서는 광추출층 형성으로 인한 산소 내지 수분의 유입을 차단하기 위해서, 상기 광추출층이 소자의 발광 영역에 한정하여 형성되거나, 기판과 애노드에 의하여 밀봉된 구조이므로, 외부의 공기 또는 수분이 소자 내부로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 출원은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 조명 장치에서 상기 유기 발광 소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
또한, 본 출원은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 디스플레이 장치에서 상기 유기 발광 소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부를 순차적으로 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지부로, 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
종래의 유기 발광 소자의 제조방법을 하기 도 4에 개략적으로 나타내었고, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 하기 도 5에 개략적으로 나타내었다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 하나의 기판 상에, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부를 2개 이상 형성하는 단계; 상기 2개 이상의 유기 발광부의 외측을 봉지부로 동시에 밀봉하여, 기판, 유기 발광부 및 봉지부를 포함하는 유기 발광 소자를 2개 이상 형성하는 단계; 및 상기 2개 이상의 유기 발광 소자를 각각 개별적인 유기 발광 소자로 분리하는 단계를 포함하고, 상기 봉지부는 상기 2개 이상의 유기 발광부 각각의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴층은 절연층 상에 미리 재단된 금속 패턴을 라미네이션하거나, 절연층 상에 금속층을 증착하여 형성한 후 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다.
상기 금속 패턴층은 제3 금속 패턴을 포함하고, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역의 상부에 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴층은 제1 금속 패턴, 제2 금속 패턴 및 제3 금속 패턴을 포함하고, 상기 제1 금속 패턴은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하며, 상기 제2 금속 패턴은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하고, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역의 상부에 구비되며, 상기 제1 금속 패턴, 제2 금속 패턴 및 제3 금속 패턴은 각각 이격되어 전기적으로 단락된 구조일 수 있다.
상기 유기 발광 소자의 상부 평면도를 기준으로, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역과 비교하였을 때 동일하거나 더 큰 면적을 가질 수 있다. 또한, 상기 제3 금속 패턴은 유기 발광부의 발광 영역의 상부 및 측면을 밀봉하는 구조일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 봉지부에 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 컨택홀을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자의 제조방법에서, 기판; 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부; 및 실링층, 절연층, 금속 패턴층을 포함하는 봉지부에 대한 설명은 상술한 바를 인용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 봉지재는, 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지재로서, 상기 봉지재는 두께 방향으로 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 포함하고, 상기 봉지재의 상부면 및 하부면 중 적어도 일면에는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 봉지재는, 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지재로서, 상기 봉지재의 상부면 및 하부면에 구비된 보호층을 포함하고, 상기 봉지재의 상부면 및 하부면에 구비된 보호층 중 어느 하나, 절연층, 금속 패턴층, 실링층의 두께 방향으로 하프 컷팅(half cutting)된 것을 특징으로 한다.
상기 실링층, 절연층, 금속 패턴층 및 컨택홀에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 봉지재를 하기 도 6에 개략적으로 나타내었다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 봉지재의 제조방법은, 절연층의 어느 한 면에 제1 보호층을 형성하고, 절연층의 다른 한 면에 금속 패턴층을 형성하는 단계, 상기 절연층 및 금속 패턴층의 전면 상에 실링층을 형성하는 단계, 상기 실링층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계, 및 상기 절연층, 금속 패턴층, 실링층 및 제2 보호층의 두께 방향을 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 형성하는 단계를 포함한다.
본 출원에 있어서, 상기 컨택홀을 형성하는 단계 이후, 상기 절연층, 금속 패턴층, 실링층 및 제2 보호층의 두께 방향으로 하프 컷팅(half cutting) 공정을 수행하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 봉지재는 제2 보호층을 제거하고 기판 및 유기 발광부 상에 위치를 정렬하여 라미네이션하는 방법에 의하여 유기 발광 소자의 봉지재로 적용할 수 있다. 이 후, 상기 제1 보호층을 제거하고, 컨택홀을 통하여, 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 금속 패턴층은 서로 이격되어 전기적으로 단락된 2 이상의 금속 패턴을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 봉지재가 유기 발광 소자의 유기 발광부의 밀봉재로 사용되는 경우에는 유기 발광 소자의 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 유기 발광 소자의 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 봉지부로서 실링층, 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 구조를 이용함으로써, 유기 발광부의 봉지 및 전극의 등전위를 위한 구조를 간소화할 수 있다.
10: 기판 20: 유기발광부
21: 제1 전극 22: 유기물층
23: 제2 전극 30: 실링층
40: 밀봉판 50: 제1 전극패드
55: 제2 전극패드 60: 절연부
100: 기판 200: 유기발광부
210: 제1 전극 220: 유기물층
230: 제2 전극 300: 봉지부
310: 실링층 320: 금속패턴층
321: 제1 금속패턴 323: 제2 금속패턴
325: 제3 금속패턴 330: 절연층
400: 컨택홀 500: 절연부
600: 제1 금속 패드 700: 제2 금속 패드
800: 추가의 절연층 900: 제1 보호층
950: 제2 보호층

Claims (26)

  1. 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 및 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고,
    상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하며,
    상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 금속 패턴층은 제3 금속 패턴을 포함하고, 상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역의 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 상부 평면도를 기준으로,
    상기 제3 금속 패턴은 상기 유기 발광부의 발광 영역과 비교하였을 때 동일하거나 더 큰 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  4. 청구항 2에 있어서, 상기 제3 금속 패턴은 유기 발광부의 발광 영역의 상부 및 측면을 밀봉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 금속 패턴, 제2 금속 패턴 및 제3 금속 패턴은 각각 이격되어 전기적으로 단락된 구조인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 봉지부는 두께 방향으로 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 컨택홀은 도전성 재료로 채워진 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 도전성 재료는 Ag, Au, Cu, Ni, Al, W, Co, Pd 및 이들의 합금으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 도전성 페이스트; 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 도프된 폴리에틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 전도성 에폭시(conductive epoxy), 이들의 혼합물 및 이들의 공중합체로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 전도성 고분자; 및 상기 전도성 고분자에 도전볼을 추가한 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 실링층은 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 도전볼을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층 중 금속 패턴층이 구비된 면의 반대면 상에 구비되고 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 금속 패드를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층 중 금속 패턴층이 구비된 면의 반대면 상에 구비되고 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 금속 패드를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 플렉서블 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 및 제1 전극 사이에는 광추출층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  16. 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 2개 이상의 유기 발광부를 포함하고,
    상기 봉지부는 1개의 실링층과 1개의 절연층 사이에 구비된 2개 이상의 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  17. 청구항 1 내지 16 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치.
  18. 청구항 1 내지 16 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
  19. 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부를 순차적으로 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지부로, 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 단계를 포함하며,
    상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 금속 패턴층은 절연층 상에 금속 패턴을 라미네이션하거나, 절연층 상에 금속층을 증착하여 형성한 후 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  21. 청구항 19에 있어서, 상기 봉지부에 두께 방향으로 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  22. 하나의 기판 상에, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부를 2개 이상 형성하는 단계;
    상기 2개 이상의 유기 발광부의 외측을 봉지부로 동시에 밀봉하여, 기판, 유기 발광부 및 봉지부를 포함하는 유기 발광 소자를 2개 이상 형성하는 단계; 및
    상기 2개 이상의 유기 발광 소자를 각각 개별적인 유기 발광 소자로 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 봉지부는 상기 2개 이상의 유기 발광부 각각의 외측과 접하는 실링층; 상기 실링층 상에 구비된 절연층; 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비되고 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴 및 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  23. 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지재로서,
    상기 봉지재는 두께 방향으로 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 포함하고,
    상기 봉지재의 상부면 및 하부면 중 적어도 일면에는 보호층을 포함하며,
    상기 금속 패턴층은 이격되어 전기적으로 단락된 2 이상의 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지재.
  24. 실링층, 상기 실링층 상에 구비된 절연층, 및 상기 실링층과 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 봉지재로서,
    상기 봉지재의 상부면 및 하부면에 구비된 보호층을 포함하고,
    상기 봉지재의 상부면 및 하부면에 구비된 보호층 중 어느 하나, 절연층, 금속 패턴층 및 실링층의 두께 방향으로 하프 컷팅(half cutting)되고,
    상기 금속 패턴층은 서로 이격되어 전기적으로 단락된 2 이상의 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지재.
  25. 절연층의 어느 한 면에 제1 보호층을 형성하고, 절연층의 다른 한 면에 서로 이격되어 전기적으로 단락된 2 이상의 금속 패턴을 포함하는 금속 패턴층을 형성하는 단계,
    상기 절연층 및 금속 패턴층의 전면 상에 실링층을 형성하는 단계,
    상기 실링층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계, 및
    상기 절연층, 금속 패턴층, 실링층 및 제2 보호층의 두께 방향을 관통하는 적어도 하나의 컨택홀을 형성하는 단계
    를 포함하는 봉지재의 제조방법.
  26. 청구항 25에 있어서, 상기 컨택홀을 형성하는 단계 이후, 상기 절연층, 금속 패턴층, 실링층 및 제2 보호층의 두께 방향으로 하프 컷팅(half cutting) 공정을 수행하는 단계를 추가로 포함하는 봉지재의 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170050687A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기전자장치 및 이의 제조 방법
US11638382B2 (en) 2016-12-09 2023-04-25 Lg Chem, Ltd. Method for preparing organic electronic device

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10084135B2 (en) * 2014-11-27 2018-09-25 Industrial Technology Research Institute Illumination device and method of fabricating an illumination device
WO2016084256A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 パイオニア株式会社 発光装置
JP2016143606A (ja) * 2015-02-04 2016-08-08 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、及び電子機器
KR101973163B1 (ko) 2016-03-22 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109328378A (zh) * 2016-06-29 2019-02-12 三菱电机株式会社 显示装置及显示装置的制造方法
TWI595695B (zh) * 2016-09-13 2017-08-11 財團法人工業技術研究院 有機發光二極體之製作方法及其結構
KR102614599B1 (ko) * 2016-11-07 2023-12-18 삼성디스플레이 주식회사 롤러블 디스플레이 장치
CN107068715B (zh) 2017-03-28 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法
KR102316563B1 (ko) * 2017-05-22 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 금속으로 형성된 상부 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI641168B (zh) * 2017-05-24 2018-11-11 財團法人工業技術研究院 有機光電元件及有機光電模組
KR102354529B1 (ko) 2017-09-18 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 색 변환소자 및 그 제조 방법
KR102573780B1 (ko) * 2018-09-28 2023-08-31 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110189637B (zh) * 2019-06-27 2022-01-28 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、可拉伸显示面板及其制造方法
FR3101198A1 (fr) * 2019-09-19 2021-03-26 Tecmoled Diode électroluminescente organique flexible encapsulée
WO2023050267A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及相关显示母板和显示面板

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH091095A (ja) 1995-06-12 1997-01-07 Tomoteru Kogyo:Kk チューブ洗浄機
US5703394A (en) * 1996-06-10 1997-12-30 Motorola Integrated electro-optical package
KR100266532B1 (ko) 1997-02-03 2000-09-15 가네꼬 히사시 유기 el 소자
EP1022931A4 (en) * 1998-06-30 2004-04-07 Nippon Seiki Co Ltd ELECTROLUMINESCENT SCREEN
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
JP2003086362A (ja) * 2001-09-12 2003-03-20 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
JP2005050697A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005338419A (ja) 2004-05-26 2005-12-08 Matsushita Electric Works Ltd 面発光装置用封止体及び面発光装置
EP1829038A1 (en) 2004-12-13 2007-09-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling distribution and use of digital works
DE112005003841B4 (de) * 2004-12-14 2016-03-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen
KR101138945B1 (ko) * 2005-01-29 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 탑재한패키지
CN100550467C (zh) 2005-02-16 2009-10-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 有机电致发光二极管设备
JP2006331695A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 有機発光素子用封止部材及び有機発光素子
JP4736642B2 (ja) 2005-09-05 2011-07-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100685845B1 (ko) * 2005-10-21 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100711882B1 (ko) 2006-01-27 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5112707B2 (ja) * 2007-01-26 2013-01-09 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
KR100824963B1 (ko) 2007-03-30 2008-04-28 한울정보기술(주) 이엘 소자
JP5396037B2 (ja) 2008-04-11 2014-01-22 ローム株式会社 有機ｅｌ素子
EP2144290A1 (en) 2008-07-08 2010-01-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Electronic device and method of manufacturing the same
JP5660030B2 (ja) 2009-03-16 2015-01-28 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロニクスパネルおよび有機エレクトロニクスパネルの製造方法
WO2010106637A1 (ja) 2009-03-17 2010-09-23 パイオニア株式会社 有機ｅｌモジュールおよびその製造方法
US20100294526A1 (en) 2009-05-21 2010-11-25 General Electric Company Hermetic electrical package
JP2011171128A (ja) 2010-02-19 2011-09-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
WO2011114882A1 (ja) * 2010-03-17 2011-09-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5977233B2 (ja) 2010-07-07 2016-08-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 封止構造を含む有機発光素子
JP2013531345A (ja) 2010-07-08 2013-08-01 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
KR101769586B1 (ko) * 2010-09-24 2017-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120065136A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 이의 제조 설비
KR101769068B1 (ko) * 2010-12-14 2017-08-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101839954B1 (ko) 2010-12-17 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
US9065060B2 (en) 2011-01-17 2015-06-23 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light-emitting device comprising same
KR101858182B1 (ko) * 2011-04-11 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20130006936A (ko) * 2011-06-27 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6102741B2 (ja) 2011-09-21 2017-03-29 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
EP2767518A4 (en) * 2011-10-14 2016-01-06 Asahi Glass Co Ltd GLASS FOR USE IN THE SPREADING LAYER OF AN ORGANIC LED ELEMENT, MULTILAYER SUBSTRATE FOR USE IN THE ORGANIC LED ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THIS MULTILAYER SUBSTRATE, AND ORGANIC LED ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170050687A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기전자장치 및 이의 제조 방법
US11638382B2 (en) 2016-12-09 2023-04-25 Lg Chem, Ltd. Method for preparing organic electronic device

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