KR20170050687A - 유기전자장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

유기전자장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170050687A
KR20170050687A KR1020150152543A KR20150152543A KR20170050687A KR 20170050687 A KR20170050687 A KR 20170050687A KR 1020150152543 A KR1020150152543 A KR 1020150152543A KR 20150152543 A KR20150152543 A KR 20150152543A KR 20170050687 A KR20170050687 A KR 20170050687A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electronic device
organic electronic
conductive layer
electrode pad
Prior art date
Application number
KR1020150152543A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102042418B1 (ko
Inventor
김정두
이연근
이정형
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150152543A priority Critical patent/KR102042418B1/ko
Publication of KR20170050687A publication Critical patent/KR20170050687A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102042418B1 publication Critical patent/KR102042418B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5203—
    • H01L51/5237—
    • H01L51/5262—
    • H01L51/56—
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources
    • H01L2227/32—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode

Abstract

본 출원은 유기전자장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 대면적 면광원을 형성함에 있어 전압 강하에 의한 휘도 불균일을 방지하면서도, 얇은 두께와 작은 베젤을 갖는 유기전자장치를 제공한다.

Description

유기전자장치 및 이의 제조 방법 {ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}
본 출원은 유기전자장치, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조명 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
유기전자장치(OED; organic electronic device)는 정공 및 전자를 이용하여 전하의 교류를 발생하는 유기 재료층을 포함하는 장치를 의미하며, 그 예로는, 광전지 장치(photovoltaic device), 정류기(rectifier), 트랜스미터(transmitter) 및 유기발광다이오드(OLED; organic light emitting diode) 등을 들 수 있다.
상기 유기전자장치 중 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Didoe)는 기존 광원에 비하여, 전력 소모량이 적고, 응답 속도가 빠르며, 표시장치 또는 조명의 박형화에 유리하다. 또한, OLED는 공간 활용성이 우수하여, 각종 휴대용 기기, 모니터, 노트북 및 TV에 걸친 다양한 분야에서 적용될 것으로 기대되고 있다.
한편, 유기발광다이오드는 일반적으로 인듐 주석 산화물을 전극으로 사용하는데, 인듐 주석 산화물의 경우, 가시광선 영역에서 광투과도가 80 내지 90% 이상으로 투명성이 좋지만, 전기 비저항이 10-4Ωcm 이상으로 크기 때문에, 인가되는 전극에서 멀어질수록 전압 강하가 일어날 수 있다. 이에 따라, 대면적 면 광원을 제조할 경우, 유기전자장치는 전압 강하에 의한 휘도 불균일의 문제가 발생한다. 이러한 휘도의 불균일을 감소시키기 위해, 일반적으로 유기전자소자를 제작한 후 등전위를 형성해준다. 종래의 등전위를 형성하는 방법은 연성 인쇄회로기판(FPCB)을 이용해서 유기전자소자의 테두리 방향 모두에서 전류가 고르게 흐를 수 있도록, 테두리 쪽에 이방성 도전필름(ACF)을 본딩해준다. 다만, FPCB가 기본적으로 소정의 두께를 가지고, 테두리 쪽의 ACF 본딩으로 인하여 소정의 베젤 공간이 필요하므로, 얇은 두께와 작은 베젤을 갖는 유기전자장치를 제조하는데 제약이 있다.
한국특허공개 제1998-0071030호
본 출원은 대면적 면광원을 형성함에 있어 전압 강하에 의한 휘도 불균일을 방지하면서도, 얇은 두께와 작은 베젤을 갖는 유기전자장치를 제공한다.
본 출원은 유기전자장치에 관한 것이다. 예시적인 유기전자장치는, 도 1과 같이 기재층(101); 상기 기재층(101)상에 형성되어 있고, 순차 적층된 제 1 전극층(102), 유기층(103) 및 제 2 전극층(104)을 포함하는 소자부(105); 상기 소자부(105)의 상부에 형성되어 있는 금속 커버 필름(106); 상기 소자부(105)의 외측에서 상기 제 1 전극층(102)과 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극 패드부(107); 상기 소자부(105)의 외측에서 상기 제 2 전극층(104)과 전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극 패드부(108); 상기 금속 커버 필름(106) 및 상기 제 1 전극 패드부(107)와 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 1 도전층(109); 및 상기 제 2 전극 패드부(107)와 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 2 도전층(110)을 포함한다.
본 명세서에서 용어 「소자부의 외측」이란, 유기전자장치의 소자부를 봉지하도록 상부에 형성되어 있는 금속 커버 필름이 소자부를 봉지한 영역 이외의 테두리부를 의미한다. 또한, 본 명세서에서 용어 「소자부의 내측」이란, 유기전자장치의 소자부를 봉지하도록 상부에 형성되어 있는 금석 커버 필름이 소자부를 봉지한 영역 내부를 의미한다.
또한, 본 명세서에서 「등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결된다」는 것은, 전압이 인가되는 전극에서 멀어질수록 전압 강하가 일어나는 것을 방지하기 위하여, 유기전자장치 전 면적에 걸쳐 동일한 전위를 형성하도록 전기적으로 연결시키는 것을 의미한다.
하나의 예시에서, 상기 제 1 전극 패드부(107) 및 제 2 전극 패드부는 소자부(105)의 외측 모든 방향에서 전원을 인가할 수 있도록 형성되어 있을 수 있다. 즉, 제 1 전극층(102)과 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극 패드부(107) 및 제 2 전극층(104)과 전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극 패드부(108)는 소자부(105)를 둘러싸도록 소자부(105)의 외측 방향에 형성될 수 있다. 다만, 소자부(105)의 모든 외측에 빈틈 없이, 상기 패드부(107, 108)가 형성되어야 하는 것은 아니고, 전원이 소자부(105)의 각 측면에 인가될 수 있도록 형성되어 있을 수 있다. 제 1 전극 패드부(107) 및 제 2 전극 패드부(108)를 구성하는 소재는 특별히 한정되지 않으며, 당업계의 공지의 소재를 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 제 1 또는 제 2 전극 패드부는 Cu, Al, Mo, Cr 또는 Ag을 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 1 전극층 또는 제 2 전극층은 예를 들어, 산화물 전극층일 수 있고, 산화물 전극층은 인듐 주석 산화물층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전극층으로 인듐 주석 산화물층을 사용하는 경우, 가시광선 영역에서 광투과도가 80 내지 90% 이상으로 투명성이 좋지만, 전기 비저항이 10-4Ωcm 이상인 단점이 있다. 따라서, 인듐 주석 산화물과 같이 비저항이 높은 전극을 사용할 경우, 인가되는 전극에서 멀어질수록 전압 강하가 일어날 수 있고, 대면적 면 광원을 제조할 경우, 전압 강하에 의한 휘도 불균일의 문제가 발생할 수 있다. 이러한 휘도의 불균일을 감소시키기 위해, 일반적으로 유기전자소자를 제작한 후 등전위를 형성해준다. 종래의 등전위를 형성하는 방법은 연성 인쇄회로기판(FPCB)을 이용해서 유기전자소자의 테두리 방향 모두에서 전류가 고르게 흐를 수 있도록, 테두리 쪽에 이방성 도전필름(ACF)을 본딩해준다. 다만, FPCB가 기본적으로 소정의 두께를 가지고, 테두리쪽의 ACF 본딩으로 인하여 소정의 베젤 공간이 필요하므로, 얇은 두께와 작은 베젤을 갖는 유기전자장치를 제조하는데 제약이 있다. 본 출원에 따른 유기전자장치는 상기 연성 인쇄회로기판 및 이방성 도전필름 대신, 제 1 및 제 2 도전층을 형성함으로써 등전위를 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 출원은 얇은 두께와 작은 베젤을 갖는 유기전자장치를 제공한다.
본 출원의 구체예에서, 상기 제 1 도전층(109) 및 제 2 도전층(110)은 비저항이 10-7 내지 10-4 Ωcm, 10-6 내지 10-4 Ωcm 또는 10-5 내지 10-4 Ωcm 의 범위 내에 있을 수 있다. 이러한 제 1 또는 2 도전층은, 예를 들어, 은(Ag)을 포함하는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 제 1 도전층 및 제 2 도전층은 각각 제 1 전극 패드부(107) 및 제 2 전극 패드부(108)와 전기적으로 연결되어 대면적의 유기전자장치 전체의 등전위를 형성할 수 있다. 본 출원에서 목적하는 등전위 효과를 달성하기 위하여, 상기 제 1 도전층(109)은, 기재층(101)의 법선 방향에서 관찰한 때에 제 1 전극 패드부(107)와 접촉하는 면적이 5 mm2 내지 100mm2, 5 mm2 내지 80 mm2 또는 10 mm2 내지 50 mm2 의 범위 내일 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전층(109)의 두께는 0.1㎛ 내지 10㎛, 0.5㎛ 내지 8㎛ 또는 1㎛ 내지 5㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 범위의 접촉 면적 또는 두께 범위를 만족하는 제 1 도전층(109)은 제 1 전극 패드부(107)와 전기적으로 연결되어, 제 1 전극 패드부(107)로 인가되는 전원이 등전위를 형성될 수 있도록 할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전층(110)은, 기재층(101)의 법선 방향에서 관찰한 때에 제 2 전극 패드부(108)와 접촉하는 면적이 1 mm2 내지 100mm2, 1 mm2 내지 80 mm2 또는 2 mm2 내지 50 mm2 의 범위 내일 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전층(110)의 두께는 0.1㎛ 내지 10㎛, 0.5㎛ 내지 8㎛ 또는 1㎛ 내지 5㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 범위의 접촉 면적 또는 두께 범위를 만족하는 제 2 도전층(110)은 제 2 전극 패드부(108)와 전기적으로 연결되어, 제 2 전극 패드부(108)로 인가되는 전원이 등전위를 형성될 수 있도록 할 수 있다.
또한, 본 출원의 구체예에서, 상기 제 1 도전층(109) 또는 제 2 도전층(110)은 소자부(105)의 내측에 존재할 수 있다. 즉, 제 1 도전층(109) 및 제 2 도전층(110)은 소자(105) 외측뿐만 아니라, 내측에도 존재하도록 형성되어, 등전위를 형성함에 있어서, 소자부(105)의 외측을 최소한으로 사용할 수 있다. 종래의 이방성 도전필름(ACF)을 이용한 등전위 형성 방법에서는, 이방성 도전필름의 본딩이 소자부(105)의 외측을 일정부분 차지해야 했다. 이러한 일정부분은, 유기전자장치가 디스플레이 형태 등으로 형성될 경우, 베젤 공간에 해당된다. 따라서, 상기 종래의 방법은 작은 베젤을 갖는 디스플레이 등을 제조하는데 제약이 있었다. 본 출원에 따른 유기전자장치는 제 1 도전층(109) 및 제 2 도전층(110)을 소자부의 내측에 존재하도록 형성하여, 작은 베젤을 갖는 디스플레이 또는 조명에 적용될 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 1 도전층(109) 및 제 2 도전층(110)은 전기적으로 격리되어 있을 수 있다. 제 1 전극층(102)과 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극 패드부(107) 및 제 2 전극층(104)과 전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극 패드부(108) 각각과 연결되어 있는 제 1 도전층(109) 및 제 2 도전층(110)은 각각 양극 또는 음극과 연결되므로, 전기적으로 격리되어 있어야 한다. 전기적으로 격리시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 절연층(111)을 사용하여 격리시킬 수 있다.
본 출원의 구체예에서, 유기전자장치는 소자부(105)의 측면을 실링하면서 제 1 도전층(109)과 제 2 도전층(110)을 전기적으로 격리시키고 있는 절연층(111)을 추가로 포함할 수 있다. 제 1 도전층(109) 또는 제 2 도전층(110)은 절연층(111)의 상부에 형성되어 있을 수 있다. 절연층(111)은 열경화형 또는 광경화형 수지를 포함할 수 있다. 상기 절연층(111)은 소자부(105)의 측면에 형성되고, 이에 따라 금속 커버 필름(106) 및 후술하는 봉지층(112)의 단차를 실링하는 역할뿐만 아니라, 측면으로 침투되는 수분 등을 차단하는 역할을 할 수 있다. 절연층(111)을 구성하는 소재는 비도전성 물질로서, 당업계의 공지의 재료일 수 있다.
본 출원의 구체예에서, 유기전자장치는 소자부(105)와 금속 커버 필름(106)의 사이에 봉지층(112)을 추가로 포함할 수 있다. 봉지층(112)은 소자부(105)의 전면을 커버하도록 형성될 수 있다. 봉지층(112)은 소자부(105)로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있으며, 그 소재는 특별히 한정되지 않고, 공지의 재료를 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 봉지층(112)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소 수지, 스티렌 수지, 폴리올레핀 수지, 열가소성 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리아미드 수지 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 금속 커버 필름(106)은 비저항이 10-7 내지 10-4 Ωcm의 범위 내에 있을 수 있다. 금속 커버 필름(106)은 소자부(105)를 봉지하면서, 제 1 도전층(109) 또는 제 2 도전층(110)과 전기적으로 연결되어, 배선 전극으로의 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 상기 금속 커버 필름(106)은 유기전자장치의 전면적에 걸쳐 등전위를 형성할 수 있다. 따라서, 전술한 비저항 범위의 금속 커버 필름(106)을 사용함에 따라, 등전위를 보다 효과적으로 구현할 수 있다. 금속 커버 필름(106)을 구성하는 소재는 상기 비저항 범위를 만족하는 한, 특별히 한정되지 않고, Cu, Al 또는 Fe-Ni 합금을 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 유기전자장치의 기재층(101)의 종류는 특별히 제한되지 않고, 적절한 공지의 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 하부 발광(bottom emission)형 유기전자소자를 제조하고자 하는 경우에는, 투광성 기재층, 예를 들면, 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상인 기재층을 사용할 수 있다. 투광성 기재층으로는, 유리 기재층 또는 투명 고분자 기재층이 예시될 수 있다. 유리 기재층으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등의 기재층이 예시될 수 있고, 고분자 기재층으로는, PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)), PI(polyimide), PEN(poly(ethylene naphthalate)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 예를 들어, 상부 발광(top emission)형의 소자를 제공하고자 하는 경우에, 기재층(101)은 반드시 투광성의 기재층일 필요는 없으며, 필요에 따라서 기재층(101)의 표면에는 알루미늄 등을 사용한 반사층이 형성되어 있는 반사성 기재층을 사용할 수도 있다.
또한, 본 출원의 구체예에서, 상기 기재층(101)은 플렉서블 기재층일 수 있다. 즉, 상기 플렉서블 기재층을 포함하는 유기전자장치는 플렉서블한 유기전자장치를 제조하는데 사용될 수 있다. 본 명세서에서 용어 플렉서블이란 탄성체가 외부로부터 회전력을 받았을 때 휘는 성질을 의미할 수 있다. 따라서, 플렉서블 기재층은 외부에 힘을 주었을 때 휘는 성질을 갖는 기재층을 의미할 수 있다.
본 출원의 유기전자장치는, 예를 들면, 발광층을 적어도 포함하는 유기층(103)이 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 개재된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 기판 상부의 전극층이 정공 주입 전극층이면, 반대 측 전극층은 전자 주입 전극층이고, 반대로 기판 상부의 전극층이 전자 주입 전극층이면, 반대 측 전극층은 정공 주입성 전극층일 수 있다.
전자 및 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하는 유기층(103)은, 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는, 발광층들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.
발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 발광층의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3') iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.
발광층은 또한 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.
유기층(103)은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층(103)에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광층, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 제한 없이 사용될 수 있다.
본 출원은 또한, 전술한 유기전자장치를 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 제조 방법은 기재층(101) 상에, 제 1 전극층(102), 유기층(103) 및 제 2 전극층(104)이 순차로 적층된 소자부(105)를 형성하고, 상기 소자부(105)의 상부에 금속 커버 필름(106)을 형성하고, 상기 소자부(105)의 외측에서 상기 제 1 전극층(102)과 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극 패드부(107) 및 상기 금속 커버필름(106)과 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 1 도전층(109)을 인쇄하고, 상기 소자부(105)의 외측에서 상기 제 2 전극층(104)과 전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극 패드부(108)와 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 2 도전층(110)을 인쇄하는 것을 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 본 출원에 따른 유기전자장치는 배면 발광(bottom emission)형 또는 전면 발광(top emission)형일 수 있다.
본 출원은 또한, 전술한 유기전자장치를 포함하는 조명에 관한 것이다. 또한, 본 출원은 전술한 유기전자장치를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 출원에 따른 유기전자장치는 대면적 면광원을 형성함에 있어 전압 강하에 의한 휘도 불균일을 방지하면서도, 얇은 두께와 작은 베젤을 가질 수 있다.
도 1은 본 출원에 따른 유기전자장치의 단면도를 나타낸다.
101: 기재층
102: 제 1 전극층
103: 유기층
104: 제 2 전극층
105: 소자부
106: 금속 커버 필름
107: 제 1 전극 패드부
108: 제 2 전극 패드부
109: 제 1 도전층
110: 제 2 도전층
111: 절연층
112: 봉지층

Claims (18)

  1. 기재층; 상기 기재층상에 형성되어 있고, 순차 적층된 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층을 포함하는 소자부; 상기 소자부의 상부에 형성되어 있는 금속 커버 필름; 상기 소자부의 외측에서 상기 제 1 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극 패드부; 상기 소자부의 외측에서 상기 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극 패드부; 상기 금속 커버 필름 및 상기 제 1 전극 패드부와 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 1 도전층; 및 상기 제 2 전극 패드부와 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 2 도전층을 포함하는 유기전자장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 전극 패드부는 소자부의 외측 모든 방향에서 전원을 인가할 수 있도록 형성되어 있는 유기전자장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 도전층은 비저항이 10-7 내지 10-4 Ωcm의 범위 내에 있는 유기전자장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 제 1 도전층은, 기재층의 법선 방향에서 관찰한 때에 제 1 전극 패드부와 접촉하는 면적이 5 mm2 내지 100mm2의 범위 내에 있는 유기전자장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 제 1 도전층의 두께는 0.1 ㎛ 내지 10㎛의 범위 내인 유기전자장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 제 2 도전층은, 기재층의 법선 방향에서 관찰한 때에 제 2 전극 패드부와 접촉하는 면적이 1 mm2 내지 100mm2의 범위 내에 있는 유기전자장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 제 2 도전층의 두께는 0.1 ㎛ 내지 10㎛의 범위 내인 유기전자장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 제 1 도전층 또는 제 2 도전층은 소자부의 내측에 존재하는 유기전자장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 제 1 도전층과 제 2 도전층은 전기적으로 격리되어 있는 유기전자장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 제 1 또는 제 2 도전층은 은(Ag)을 포함하는 유기전자장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 소자부의 측면을 실링하면서 제 1 도전층과 제 2 도전층을 전기적으로 격리시키고 있는 절연층을 추가로 포함하는 유기전자장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 제 1 도전층 또는 제 2 도전층은 절연층의 상부에 형성되어 있는 유기전자장치.
  13. 제 11 항에 있어서, 절연층은 열경화형 또는 광경화형 수지를 포함하는 유기전자장치.
  14. 제 1 항에 있어서, 소자부와 금속 커버 필름의 사이에 봉지층을 추가로 포함하는 유기전자장치.
  15. 제 1 항에 있어서, 금속 커버 필름은 비저항이 10-7 내지 10-4 Ωcm의 범위 내에 있는 유기전자장치.
  16. 기재층 상에, 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층이 순차로 적층된 소자부를 형성하고, 상기 소자부의 상부에 금속 커버 필름을 형성하고, 상기 소자부의 외측에서 상기 제 1 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극 패드부 및 상기 금속 커버필름과 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 1 도전층을 인쇄하고, 상기 소자부의 외측에서 상기 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극 패드부와 등전위를 형성할 수 있도록 전기적으로 연결되어 있는 제 2 도전층을 인쇄하는 것을 포함하는 유기전자장치 제조 방법.
  17. 제 1 항의 유기전자장치를 포함하는 조명.
  18. 제 1 항의 유기전자장치를 포함하는 디스플레이 장치.
KR1020150152543A 2015-10-30 2015-10-30 유기전자장치 및 이의 제조 방법 KR102042418B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150152543A KR102042418B1 (ko) 2015-10-30 2015-10-30 유기전자장치 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150152543A KR102042418B1 (ko) 2015-10-30 2015-10-30 유기전자장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170050687A true KR20170050687A (ko) 2017-05-11
KR102042418B1 KR102042418B1 (ko) 2019-11-08

Family

ID=58741460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150152543A KR102042418B1 (ko) 2015-10-30 2015-10-30 유기전자장치 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102042418B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980071030A (ko) 1997-02-03 1998-10-26 가네꼬히사시 유기 ｅｌ 소자
KR20150021906A (ko) * 2013-08-21 2015-03-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980071030A (ko) 1997-02-03 1998-10-26 가네꼬히사시 유기 ｅｌ 소자
KR20150021906A (ko) * 2013-08-21 2015-03-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102042418B1 (ko) 2019-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2983223B1 (en) Organic light-emitting device and method for manufacturing same
US11108015B2 (en) Organic electroluminescent illumination panel, manufacturing method thereof, and organic electroluminescent illumination device with spacers protruding from a second electrode
TWI546951B (zh) 有機發光二極體顯示器
EP2592672B1 (en) Organic light-emitting device and method for manufacturing same
EP2460205A1 (en) Encapsulated optoelectronic device and method for making the same
WO2016015421A1 (zh) 阵列基板、有机发光二极管显示面板和显示装置
US20060087224A1 (en) Organic electroluminescence light-emitting device
KR20130053380A (ko) 광전 변환 장치
KR101866296B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
EP2513998A2 (en) Large area light emitting device comprising organic light emitting diodes
KR20190035103A (ko) 플렉시블 전계발광 표시장치
US20130334958A1 (en) Planar light emitting device and manufacturing method thereof
TW201225284A (en) Organic light emitting diode display
WO2012056848A1 (ja) 発光モジュール
EP2993712B1 (en) Organic light-emitting device and manufacturing method therefor
TW201304132A (zh) 面狀發光裝置
KR102042418B1 (ko) 유기전자장치 및 이의 제조 방법
KR20190060275A (ko) 플렉시블 전계발광 표시장치
KR20190064988A (ko) 플렉시블 전계발광 표시장치
US20140111084A1 (en) Oled lighting device
KR100869127B1 (ko) 유기발광다이오드 및 그의 제조방법
JP2012079469A (ja) 有機ｅｌ素子およびその製造方法
KR20190075396A (ko) 플렉시블 발광 표시장치
WO2016098397A1 (ja) 電気接続部材、有機エレクトロルミネッセンスモジュール及び有機エレクトロルミネッセンスモジュールの製造方法
JP2015018607A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant