CN109328378A - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括：基板(20)；在基板(20)的一个面以规则的、且相互分离的状态排列，并发出可见光的多个发光元件(30)；以及覆盖各个发光元件(30)，并在发光元件(30)与发光元件(30)之间包括与基板(20)的一个面密接且具有防水性、可见光透过性及耐气候性的保护膜(50)。发光元件(30)具有被树脂覆盖的发光二极管，该树脂的耐气候性比保护膜(50)要低。

Description

显示装置及显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。
背景技术
以往以来，存在具备将多个发光元件排列成矩阵状而得到的多个显示单元的显示装置。这种显示装置例如设置在体育馆、剧场、展览会等室内、建筑物的壁面或竞技场的室外。
当在室外设置显示装置时，由于外部光线在发光元件的发光部表面反射，因此，熄灭的发光元件的亮度变高，其结果有可能会导致显示图像的对比度下降。此外，由于显示装置暴露在雨、雪等中，因此，水有可能会进入到发光元件的端子，进而导致发光元件劣化。
为了防止这种对比度的下降和发光元件的劣化，提出了各种方法。例如，专利文献1公开了下述发光单元，该发光单元具有形成了防水用的树脂层的基板、以及安装于基板的多个发光元件。防水用的树脂层由硅树脂、聚氨酯树脂形成，覆盖发光元件的端子，对端子进行防水保护。专利文献1所公开的发光单元中，为了提高显示图像的对比度而设置了檐状的百叶板，该檐状的百叶板配置在树脂层上，限制外部光线的入射。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2001－56647号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
专利文献1所公开的显示装置的百叶板设置在树脂层上。因此，与没有设置树脂层的显示装置相比，百叶板的配置位置变高。其结果是，在将未设有树脂层的显示装置用的百叶板直接安装到树脂层的情况下，百叶板有可能会遮住发光元件的光。此外，由于在基板上形成树脂层，因此，显示装置的制造成本较高。
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种可防止百叶板遮住发光元件的光、且具有防水性、制造成本较低的显示装置。
解决技术问题所采用的技术方案
为了实现上述目的，本发明所涉及的显示装置包括：基板；发出可见光的多个发光元件；以及具有防水性、可见光透过性及耐气候性的膜构件。发光元件以规则的、彼此分离的状态排列在基板的一个面。然后，膜构件覆盖各个发光元件，且在发光元件与发光元件之间与基板的一个面密接。发光元件具有被树脂覆盖的发光二极管，该树脂的耐气候性比膜构件要低。
发明效果
本发明中，具有防水性的膜构件覆盖各个发光元件，并在发光元件与发光元件之间与基板的一个面密接，因此，水难以从外部浸入到发光元件。因此，根据本发明，显示装置的防水性得以提高。
由于膜构件在发光元件与发光元件之间仅与基板的一个面密接，因此，即使在发光元件与发光元件之间设置了百叶板的情况下，从基板的一个面到百叶板的距离也不易变大。因此，能够防止百叶板遮住发光元件的光。
由于不需要使用耐气候性较高的树脂来覆盖发光二极管，因此，在发光二极管的制造中能够使用廉价且耐气候性较低的树脂。由此，显示装置的制造成本较低。
附图说明
图1是本发明实施方式1所涉及的显示装置的立体图。
图2是构成显示装置的显示单元的主视图。
图3是图2中A-A线的剖视图。
图4是构成发光单元的发光元件的立体图。
图5是构成显示装置的显示单元的保护膜的剖视图。
图6是本发明实施方式2所涉及的显示装置的显示单元的一部分的放大剖视图。
图7是本发明实施方式3所涉及的显示装置的显示单元的一部分的放大剖视图。
图8是保护膜的变形例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式所涉及的显示装置进行详细说明。另外，对图中相同或同等的部分标注相同的标号。
(实施方式1)
实施方式1所涉及的显示装置是设置于体育场、赛马场等室外的所谓的大型视频装置。以下，参照图1～图5来说明显示装置的结构。
实施方式1所涉及的显示装置1如图1所示，由16个显示单元10组合成4行×4列的矩阵状而构成。
显示单元10分别形成为正方形状，具有显示图像的画面10A。并且，多个显示单元10在画面10A的边相邻接的状态下进行组合。构成视频的一部分的信号被输入到各个显示单元10。由此，显示装置1通过16个画面10A整体来显示一个视频。
显示单元10分别如图2和图3所示，包括：基板20；呈矩阵状排列于基板20的多个发光元件30；防止外部光线的反射的百叶板40；以及保护基板20和发光元件30不受雨雪影响的保护膜50。
基板20如图2所示，形成为正方形状。在基板20的背面，设置有未图示的布线，传输用于驱动发光元件30的信号。该布线与发光元件30的未图示的驱动电路相连接。基板20以背面朝向壳体21的底部的状态收纳于壳体21。
在基板20的正面，以7行×7列的矩阵状、且相互分离的状态安装有发光元件30。此外，在基板20的正面的发光元件配置位置，如图3所示，设置有电极焊盘22。电极焊盘22配置在与发光元件30的后述的封装电极32R、32G、32B、32C相对的位置。电极焊盘22分别与未图示的背面的布线相连接。电极焊盘22经由背面的布线对发光元件30与驱动电路进行连接。
如图4所示，发光元件30在封装35的上表面30A具有凹部30B。凹部30B中安装有表面安装型(SMD：surface Mounting Device：表面安装器件)的发光二极管31R、31G、31B(发光部)。即，发光元件30是所谓的三合一型。
为了防止发光二极管31R～31B的光的损失，提高发光二极管31R～31B的发光效率，凹部30B形成得比以往的室外设置用的显示装置中所使用的发光元件的凹部要浅。凹部30B的深度D小于封装35的高度H2(从封装35的背面到上表面30A为止的高度)的80％。更详细而言，当封装35的高度H2为1.5～2.0mm时，深度D为0.5～1.5mm。
此外，凹部30B中设置有与发光二极管31R～31B的端子相连接的未图示的焊盘，分别对发光二极管31R～31B各设置2个，总计设置6个该焊盘。并且，凹部30B由覆盖发光二极管31R～31B的环氧树脂进行密封。
在封装35的外部侧面，设有与焊盘连接的封装电极32R、32G、32B、32C。封装电极32R、32G、32B是与发光二极管31R～31B的阳极(或阴极)所连接的3个焊盘相连接的信号电极。封装电极32C是与发光二极管31R～31B的阴极(或阳极)所连接的另外三个焊盘公共地相连接的公共电极。
封装电极32R～32C分别从设置于凹部30B的焊盘开始延伸，通过封装35内部，在封装35的侧面露出至外部，并进一步从封装35的侧面向背面延伸。如上所述，凹部30B形成得比以往的室外设置用的显示装置的发光元件的凹部要浅。因此，封装电极32R～32C的从封装35的侧面到背面的长度、即高度H3比以往的室外设置用的显示装置的发光元件的高度要高。若详细进行说明，则封装电极32R～32C的高度H3为封装35的高度H2的20％以上、且小于100％。例如，当封装35的高度H2为1.5～2.0mm时，高度H3为1.0mm。并且，封装电极32R～32C如上所述，通过焊料与配置在基板20的正面的电极焊盘22相连接。
未图示的驱动电路经由布线使封装电极32R与封装电极32C之间、封装电极32G与封装电极32C之间、封装电极32B与封装电极32C之间流过与发光二极管31R～31B的发光强度相对应的大小的驱动电流。由此，发光元件30以任意的颜色和任意的强度来进行发光。
在图2所示的基板20的正面，设置有与发光元件30的行平行地延伸的多个百叶板40。百叶板40在上下方向夹住发光元件30的行。并且，百叶板40安装于壳体21。
百叶板40如图3所示，分别形成为剖面矩形状。为了防止外部光线的反射，百叶板40在上表面40A实施咬花加工、消光涂装等表面加工。此外，百叶板40由黑色的树脂形成。
为了不使百叶板40本身成为发光元件30发出的光的障碍物并削弱发光元件30的光强度，将上表面40A形成得比发光元件30的上表面30A要低。百叶板40的高度H1比发光元件30的高度H2与保护膜50的厚度T之和要小。百叶板40配置在保护膜50上。
保护膜50是用于使发光元件30发出的可见光透过，且防止水进入而导致封装电极32R～32C、电极焊盘22劣化或漏电的构件。保护膜50覆盖基板20的上表面和发光元件30。
保护膜50如图5所示，由具有可挠性的基材层51、以及为了将基材层51粘贴于基板20而设置的粘贴层52来构成。
基材层51由防水性较高、使发光元件30发出的可见光透过的透过特性较高的材料形成，并且，为了保护发光元件30不受紫外线的影响，基材层51由紫外线吸收特性较高的材料形成。基材层51的材料还具有较高的耐气候性。这里，耐气候性是指材料在室外使用时不易发生变形、变色等变质的性质，例如耐紫外线特性、耐热性等。关于上述的具有防水性、透过特性、紫外线吸收特性并具有较高的耐气候性的材料，例如有聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氟类树脂等，基材层51由这些材料中的聚碳酸酯树脂形成。
为了使发光元件30的光透过，粘贴层52由可使可见光透过的透明的层来构成。粘贴层52设置于基材层51的一个面。
保护膜50的厚度T如图3所示，比从基板20的上表面到封装电极32R～32C的上端(最远离基板20的部分)的高度H3要小。保护膜50的具体厚度T例如为0.1～0.5mm。本实施方式中，将保护膜50形成为这种厚度，从而即使在安装了已有的百叶板(安装于在基板上形成有覆盖封装电极的高度的防水用树脂层的显示单元的百叶板)的情况下，通过将百叶板40的上表面40A设置得比发光元件30的上表面30A要低，从而使百叶板40不会成为从发光元件30射出的光的障碍物。
另外，当封装35的高度H2为1.5～2.0mm时，封装电极32R～32C的高度H3为1.0mm。
如图3所示，保护膜50以使粘贴层52朝向基板20的正面20A的状态被基板20覆盖。详细而言，保护膜50覆盖各个发光元件30中的封装35的上表面30A、侧面及位于该侧面的封装电极32R～32C，并与它们密接。并且，保护膜50在发光元件30与发光元件30之间覆盖基板20的正面20A，并与基板20密接。由此，保护膜50保护发光元件30和基板20不受雨、紫外线等环境的影响。
接着，对实施方式1所涉及的显示装置1的制造方法进行说明。首先，准备排列有上述电极焊盘22的基板20。将发光元件30的封装电极32R～32C与所准备的基板20的电极焊盘22相连接，从而将发光元件30安装到基板20。
在安装了发光元件30之后，将基板20设置为安装有发光元件30的面朝上的状态，在该基板20上覆盖保护膜50。从上方按压所覆盖的保护膜50，使保护膜50的粘贴层52与发光元件30和基板20密接。在使保护膜50与基板20和发光元件30密接的工序中，例如使用真空装置，对保护膜50与基板20之间的空气进行抽气。
另一方面，通过树脂成型、例如注塑成型、浇铸成型来预先制作上述形状的多个百叶板40。对制作得到的百叶板40施加咬花加工。另外，百叶板40的咬花可以通过树脂成型来形成。
接着，在发光元件30的行与发光元件30的行之间的保护膜50上配置百叶板40。
将放置有百叶板40的基板20收纳于壳体21，并将基板20和百叶板40固定于壳体21。由此，完成显示单元10。
然后，组合多个显示单元10，由此来组装显示装置1。
另外，在上述的说明中，通过树脂成型来形成百叶板40，但也可以通过树脂成型以外的方法来形成百叶板40。可以通过切削加工来形成百叶板40。此外，也可以用金属来形成百叶板40。
在上述的说明中，保护膜50具备粘贴层52。也可以设为粘接层来替代粘贴层52。此外，为了替代粘贴层52或粘接层而对基材层51的表面赋予粘贴性或粘接性，可以对基材层51的表面实施活性化处理。活性化处理例如有对基材层51的表面照射紫外线的UV处理、使基材层51的表面曝露于等离子体气氛中的等离子处理。
以上，在实施方式1所涉及的显示装置1中，防水性的保护膜50覆盖基板20和发光元件30。并且，保护膜50与发光元件30的封装35、以及发光元件30与发光元件30之间的基板20的正面20A密接。因此，即使在显示装置1设置于室外从而曝露在雨雪中的情况下，水也难以浸入到显示装置1的发光元件30。
显示装置1中，保护膜50覆盖基板20的正面20A，因此，电极焊盘22和封装电极32R～32C不易接触到水。其结果是，能够防止电极焊盘22和封装电极32R～32C因水而发生劣化。
以往，为了防止发光二极管因热、紫外线而发生劣化，可以在密封发光二极管的密封材料中混合入紫外线吸收剂，或者采用包含耐气候性较高的硅在内的密封材料。然后，将这种密封材料涂布于发光二极管。
与此相对地，实施方式1中，保护膜50由紫外线吸收特性和耐气候性较高的材料形成。并且，该保护膜50一并覆盖多个发光元件30。因此，实施方式1中，能够以低成本来制造防止了发光元件30因紫外线而劣化的显示装置1。
此外，由于保护膜50由紫外线吸收特性和耐气候性较高的材料形成，因此，无需在发光元件30的密封材料中混合紫外线吸收剂，或者采用包含耐气候性较高的硅在内的密封材料。由于不要求密封材料具有较高的紫外线吸收特性、较高的耐气候性，因此，能够采用廉价的密封材料，以低成本来制造显示装置1。此外，实施方式1中，采用环氧树脂来作为密封材料。与现有的硅相比，密封材料的密接性提高，能够降低制造成本。
以往，显示装置中，为了对基板和发光元件防水，利用硅的填充剂的层来覆盖电极焊盘和封装电极。因此，填充剂的层较厚。其结果是，制造成本变高，显示装置的重量、厚度增加。此外，由于填充剂变厚，百叶板40的上表面40A比发光元件30的上表面30A要高，其结果是，百叶板40成为发光元件30发出的光的障碍物从而导致光强度下降。并且，该光强度的下降是导致发生百叶板40、发光元件30的设计变更从而引起成本上升的主要原因。
与此相对地，实施方式1中，保护膜50覆盖发光元件30的上表面30A及侧面、以及发光元件30与发光元件30间的基板20的正面20A。因此，实施方式1中，能够提供可降低制造成本、且重量、厚度较小的小型化的显示装置1。此外，由于保护膜50的厚度T比封装电极32R～32C的高度H3要小，因此，百叶板40的上表面40A不容易形成得比发光元件30的上表面30A要高。其结果是，百叶板40不易成为发光元件30发出的光的障碍物，防止了发光元件30的光强度的下降。
实施方式1中，保护膜50覆盖封装35的侧面整体。此外，封装电极32R～32C的高度H3为封装35的侧面的高度H2的20％以上、且小于100％。由于封装电极32R～32C的高度H3小于封装35的侧面的高度H2的100％，因此，封装电极32R～32C完全被保护膜50覆盖，其结果是可利用保护膜50来防水。并且，由于封装电极32R～32C的高度H3在封装35的高度H2的20％以上，因此，使得发光元件30的凹部30B的深度D变浅至小于封装35的高度H2的80％，从而能够减少安装于凹部30B的发光二极管31R～31B的光的损失，能提高发光效率。
(实施方式2)
实施方式2所涉及的显示装置1中，在基板20的正面20A侧且百叶板40的背面侧设置有涂层构件55。以下，参照图6，对实施方式2所涉及的显示装置1的结构进行说明。实施方式2中，对与实施方式1不同的结构进行说明。
涂层构件55是通过涂布包含具有较高的耐气候性的材料的涂料(涂层材料)而形成的膜构件。涂层构件55兼具用于保护封装电极32R～32C、电极焊盘22不受水的影响的较高的防水性、以及用于使发光元件30的可见光透过的较高的透过特性。具有这种特性的材料有硅树脂、氟类树脂。
为了保护发光元件30和基板20不受水分和紫外线影响，涂层构件55如图6所示那样，形成为覆盖发光元件30的封装35的上表面30A、侧面以及封装电极32R～32C、发光元件30与发光元件30间的基板20的正面20A。如后述那样，由于在基板20的正面20A涂布涂料，因此，涂料也浸透到发光元件30与基板20的正面20A之间。
为了使发光元件30发出的可见光透过，涂层构件55为薄膜状。其厚度T与封装电极32R～32C的高度H3相比足够小。涂层构件55的具体厚度T例如为0.01～0.5mm。
接着，对实施方式2所涉及的显示装置1的制造方法进行说明。在实施方式2所涉及的显示装置1的制造方法中，在安装发光元件30之后，在该基板20上涂布涂料，来形成涂层构件55。除此以外的工序与实施方式1所涉及的显示装置1的制造方法的工序相同。下面，对形成涂层构件55的工序进行说明。
在形成涂层构件55的工序中，首先，使基板20的方向形成为安装有发光元件30的面成为上表面。然后，对基板20和发光元件30涂布涂料。涂料使用以硅树脂为主要成分的涂层剂。涂布方法为沿着涂布对象的表面附着涂层剂的方法，例如有通过分配器进行的灌封、喷射涂布、印刷等方法。涂布量为使涂层构件55形成为上述厚度的量。
接着，使所涂布的涂料干燥并固化。由此，形成与发光元件30和基板20的表面密接的涂层构件55。涂层构件55形成之后，在该涂层构件55上放置百叶板40。之后的工序与实施方式1相同。
如上所述，在实施方式2所涉及的显示装置1中，耐气候性较高的涂层构件55覆盖发光元件30和基板20的正面20A。因此，在实施方式2所涉及的显示装置1中，雨或雪的水不易浸入到显示装置1内的发光元件30。
实施方式2所涉及的显示装置1中，通过涂布涂料来形成涂层构件55。因此，在涂层构件55与基板20及发光元件30之间，不易产生间隙、或者发生结露。其结果是，能够防止水分附着到电极焊盘22、封装电极32R～32C。
(实施方式3)
实施方式3所涉及的显示装置1中，在实施方式2中所说明的涂层构件55上叠加了紫外线吸收膜56。以下，参照图7，对实施方式3所涉及的显示装置1的结构进行说明。实施方式3中，对与实施方式1和2不同的结构进行说明。
紫外线吸收膜56设置在涂层构件55上，且设置在百叶板40下。紫外线吸收膜56沿着涂层构件55的上表面配置，且与涂层构件55的上表面密接。
为了防止发光元件30的紫外线劣化，紫外线吸收膜56由紫外线吸收特性较高的材料形成。另一方面，紫外线吸收膜56需要使发光元件30发出的可见光透过。为此，紫外线吸收膜56优选采用可见光透过特性较高的材料。这种材料有丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、氟类树脂、聚碳酸酯、烯烃类树脂、聚酯树脂等，紫外线吸收膜56使用这些材料中的丙烯酸树脂。
紫外线吸收膜56形成为涂层构件55与紫外线吸收膜56的合计厚度T比封装电极32R～32C的高度H3要小。具体而言，涂层构件55与紫外线吸收膜56的合计厚度T例如为0.01～0.5mm。本实施方式中，通过形成为这种厚度，即使在安装已有的百叶板的情况下，通过将百叶板40的上表面40A设为比发光元件30的上表面30A要低，从而使得百叶板40不会成为发光元件30的光的障碍物。
接着，对实施方式3所涉及的显示装置1的制造方法进行说明。实施方式3所涉及的显示装置1的制造方法与实施方式2所涉及的显示装置1的制造方法相比，到涂布涂层构件55的涂料的工序为止都是相同的。实施方式3中，在涂布了涂层构件55的涂料之后，且在使涂料干燥之前，在所涂布的涂料上覆盖紫外线吸收膜56。此时，通过使紫外线吸收膜56与涂布有涂料的基板20和发光元件30密接来使涂料与紫外线吸收膜56之间不产生间隙。
然后，使涂料干燥并固化。由此，在形成涂层构件55的同时，紫外线吸收膜56被固定到涂层构件55。然后，在紫外线吸收膜56上覆盖百叶板40，并将百叶板40安装到基板20。百叶板40安装后的工序与实施方式1相同。
如上述所说明的那样，实施方式3所涉及的显示装置1中，由紫外线吸收特性较高的材料形成的紫外线吸收膜56覆盖在涂层构件55上。因此，涂层构件55、以及被涂层构件55覆盖的发光元件30不易因紫外线而劣化。其结果是能够延长显示装置1的产品寿命。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式。实施方式1～3所涉及的显示装置1如图1所示，是将16个显示单元10排列成4行×4列并组装而构成的显示装置1。然而，这只是为了易于理解发明而进行的例示。本发明中，显示装置1只要能显示图像即可。因此，显示装置1可以不由显示单元10构成。此外，在显示装置1具有显示单元10的情况下，其数量没有限制。
实施方式1～3所涉及的显示装置1中，显示单元10具备图2所示的排列成7行×7列的发光元件30。但是本发明并不限于此。图2只是为了易于理解发明而进行的例示。本发明中，显示装置1只要具备以规则的、且相互分离的状态排列的多个发光元件30即可。
实施方式1中，保护膜50覆盖封装30的上表面30A。此外，实施方式2和3中，涂层构件55覆盖发光元件30的上表面30A。但是本发明并不限于此。本发明中，只要具有防水性、可见光透过性及耐气候性的膜构件覆盖各个发光元件30，且在发光元件30与发光元件30之间与基板20的上表面(即，安装有发光元件30的面)密接即可。实施方式1～3中，保护膜50、涂层构件55、及涂层构件55和紫外线吸收膜56的组合为膜构件。
在实施方式3中所说明的紫外线吸收膜56具有防水性的情况下，实施方式3中，涂层构件55可以不覆盖发光元件30的上表面30A。如图8所示，涂层构件55可以从发光元件30的封装35的侧面开始，覆盖至与该发光元件30相邻的其它发光元件30的封装35的侧面为止。该情况下，在发光元件30与发光元件30之间，与基板20的上表面密接即可。若采用这种方式，则至少能够防止封装电极32R～32C接触到水，能够防止封装电极32R～32C因水而发生劣化。此外，若紫外线吸收膜56具有防水性，则能够防止水从封装35的正面向侧面浸透，从而导致封装电极32R～32C发生劣化的情况。
实施方式1～3中，保护膜50或涂层构件55与发光元件30的封装35的上表面30A和侧面密接。但是本发明并不限于此。本发明中，如上所述，只要具有防水性、可见光透过性及耐气候性的膜构件覆盖各个发光元件30，且在发光元件30与发光元件30之间与基板20的上表面密接即可。因此，保护膜50或涂层构件55可以不与发光元件30的上表面30A密接，而仅覆盖上表面30A。例如，当在发光元件30的上表面30A设有透镜时，为了维持光学性能，可以在发光元件30的上表面30A与保护膜50或涂层构件55之间设置间隙。
实施方式1～3中，发光元件30由发出蓝色、红色、绿色的光的发光二极管31R～31B构成。但是本发明并不限于此。本发明中，为了显示视频，发光元件30发出可见光即可。例如，发光元件30可以由发出白色的光的发光二极管构成。此外，发光元件30可以由发出蓝色、红色或绿色中的任意一色的光的发光二极管31R～31B构成。
实施方式1～3中，一个发光元件30中内置有蓝色、红色、绿色三个发光二极管31R～31B。但是本发明并不限于此。一个发光元件30可以内置发出蓝色、红色或绿色中的任意一色的光的发光二极管31R～31B。该情况下，将分别发出蓝色、红色、绿色的光的三个发光元件30作为一组进行排列即可。
实施方式1～3中，发光元件30排列成矩阵状。但是本发明并不限于此。本发明中，发光元件30以规则的、且相互分离的状态排列到基板20即可。发光元件30除了排列成矩阵状之外，还可以排列成所谓的德尔塔(delta)型(换言之三角形)。
实施方式1～3中，显示单元10具备在横向上延伸的多个百叶板40。但是本发明并不限于此。百叶板40设置在发光元件30与发光元件30之间，且与膜构件(保护膜50、涂层构件55等)的基板20相反侧的面相邻接，从而防止外部光线的反射即可。例如，百叶板40可以形成为格子状，并在格子的开口部配置发光元件30。即使是这种百叶板40，也能够提高显示装置1的对比度。
实施方式1～3中，发光二极管31R～31B被环氧树脂覆盖。但是本发明并不限于此。本发明中，发光二极管31R～31B由耐气候性比膜构件(保护膜50、涂层构件55等)要低的树脂覆盖即可。由于不要求具有较高的耐气候性，因此，作为覆盖发光二极管31R～31B的树脂，可采用廉价的树脂。
实施方式1～3中，在发光元件30的封装35的侧面设置有封装电极32R～32C。但是本发明并不限于此。封装电极32R～32C是与设置于基板20的电极焊盘22(焊盘)相连接的电极即可。因此，封装电极32R～32C也可以是被称为引线框的电极。
本发明可在不脱离本发明的广义精神与范围的情况下进行各种实施方式以及变形。另外，上述实施方式仅用来对本发明进行说明，而不对本发明的范围进行限定。即，本发明的范围由权利要求书的范围来表示，而不由实施方式来表示。并且，在权利要求书的范围内及与其同等的发明意义的范围内所实施的各种变形也视为在本发明的范围内。
标号说明
1显示装置，10显示单元，10A画面，20基板，20A正面，21壳体，22电极焊盘，30发光元件，30A上表面，30B凹部，31R、31G、31B发光二极管，32R、32G、32C封装电极、35封装，40百叶板，40A上表面，50保护膜，51基材层，52粘贴层，55涂层构件，56紫外线吸收膜，D深度，H1～H3高度，T厚度。

Claims (11)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
多个发光元件，该多个发光元件以规则的、且相互分离的状态排列于所述基板的一个面，并发出可见光；以及
膜构件，该膜构件覆盖各个所述发光元件，在所述发光元件与所述发光元件之间与所述基板的一个面密接，并具有防水性、可见光透过性及耐气候性，
所述发光元件具有被树脂覆盖的发光二极管，该树脂的耐气候性比所述膜构件要低。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述树脂包含环氧树脂。
3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件具有与设置于所述基板的电极焊盘相连接的电极，
在将从所述基板的一个面起朝向远离所述基板的方向设为高度方向的情况下，所述电极的高度为所述发光元件的高度的20％以上、且小于100％。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述膜构件的厚度比所述电极的高度要小。
5.如权利要求1至4的任一项所述的显示装置，其特征在于，
还具备百叶板，该百叶板在所述发光元件与所述发光元件之间，且与所述膜构件的所述基板相反侧的面相邻接地进行设置，
所述百叶板的所述基板相反侧的面配置为比设置在所述发光元件的所述基板相反侧的面的发光部更靠所述基板一侧。
6.如权利要求1至5的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述膜构件在所述基板的一个面侧具有粘贴层或粘接层。
7.如权利要求1至6的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述膜构件包含具有吸收紫外线的特性的物质。
8.如权利要求1至7的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述膜构件由防水层、以及与该防水层重叠的紫外线吸收层构成。
9.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板的一个面以规则的、且相互分离的状态排列并安装发出可见光的多个发光元件的工序；以及
使用具有防水性、可见光透过性及耐气候性的膜构件来覆盖安装有所述发光元件的所述基板的一个面，并使所述膜构件在所述发光元件与所述发光元件之间与所述基板的一个面密接的工序，
排列并安装多个所述发光元件的工序包含排列并安装具有发光二极管的发光元件的工序，其中，所述发光二极管由耐气候性比所述膜构件要低的树脂覆盖。
10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
使所述膜构件密接的工序包括：
对所述膜构件的表面实施活性化处理来赋予粘接性，并使该赋予了粘接性的表面与所述基板的一个面粘接的工序。
11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板的一个面以规则的、且相互分离的状态排列并安装发出可见光的多个发光元件的工序；以及
将具有防水性和可见光透过性的涂层材料涂布在安装有所述发光元件的所述基板的一个面，利用所述涂层材料对各个所述发光元件、以及所述发光元件与所述发光元件之间的所述基板的一个面进行涂层的工序，
排列并安装多个所述发光元件的工序包含排列并安装具有发光二极管的发光元件的工序，其中，所述发光二极管由耐气候性比所述涂层材料要低的树脂覆盖。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7087630B2 (ja) * 2018-04-25 2022-06-21 三菱電機株式会社 映像表示ユニット及び映像表示装置
KR102051822B1 (ko) * 2018-05-03 2019-12-04 유한회사 지에스케이테크놀로지 미디어 패널 및 이의 제조방법
KR20190133878A (ko) * 2018-05-24 2019-12-04 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
US20220005790A1 (en) * 2018-09-07 2022-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
WO2021245830A1 (ja) * 2020-06-03 2021-12-09 三菱電機株式会社 表示パネル、表示装置、および表示パネルの製造方法
JP2022104258A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 三菱電機株式会社 表示ユニット、表示装置、及び表示ユニットの製造方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5949581A (en) * 1997-08-12 1999-09-07 Daktronics, Inc. Display system
JP2005018048A (ja) * 2003-05-30 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ表示器
CN1819175A (zh) * 2005-01-05 2006-08-16 日商斯坦雷电器股份有限公司 表面安装型发光二极管
US20080078733A1 (en) * 2005-11-10 2008-04-03 Nathan Lane Nearman LED display module
JP2009051876A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
JP2011040488A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2013038384A (ja) * 2011-07-12 2013-02-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｌｅｄ発光素子搭載用フレキシブルプリント配線板、ｌｅｄ発光素子搭載フレキシブルプリント配線板及び照明装置
JP2015132788A (ja) * 2014-01-16 2015-07-23 三菱電機株式会社 映像表示装置
CN104937656A (zh) * 2012-12-10 2015-09-23 达科电子股份有限公司 显示模块上的发光元件的封装
CN105247701A (zh) * 2013-08-21 2016-01-13 株式会社Lg化学 有机发光器件及其制备方法
JP2016012070A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 三菱電機株式会社 表示装置
JP2016109932A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 三菱電機株式会社 表示ユニット、映像表示装置及び表示ユニットの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001056647A (ja) 1999-06-09 2001-02-27 Sony Corp 発光表示装置
JP3941487B2 (ja) 2001-12-05 2007-07-04 日亜化学工業株式会社 表示装置
US7053416B2 (en) * 2003-05-30 2006-05-30 Nichia Corporation LED display apparatus
US20110260945A1 (en) 2007-08-03 2011-10-27 Fumio Karasawa Coating Composition and Article Using the Same
JP5194759B2 (ja) 2007-12-11 2013-05-08 日亜化学工業株式会社 表示装置
JP6091189B2 (ja) * 2012-11-29 2017-03-08 三菱電機株式会社 表示装置
TWI594661B (zh) * 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5949581A (en) * 1997-08-12 1999-09-07 Daktronics, Inc. Display system
JP2005018048A (ja) * 2003-05-30 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ表示器
CN1819175A (zh) * 2005-01-05 2006-08-16 日商斯坦雷电器股份有限公司 表面安装型发光二极管
US20080078733A1 (en) * 2005-11-10 2008-04-03 Nathan Lane Nearman LED display module
JP2009051876A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
JP2011040488A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2013038384A (ja) * 2011-07-12 2013-02-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｌｅｄ発光素子搭載用フレキシブルプリント配線板、ｌｅｄ発光素子搭載フレキシブルプリント配線板及び照明装置
CN104937656A (zh) * 2012-12-10 2015-09-23 达科电子股份有限公司 显示模块上的发光元件的封装
CN105247701A (zh) * 2013-08-21 2016-01-13 株式会社Lg化学 有机发光器件及其制备方法
JP2015132788A (ja) * 2014-01-16 2015-07-23 三菱電機株式会社 映像表示装置
JP2016012070A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 三菱電機株式会社 表示装置
JP2016109932A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 三菱電機株式会社 表示ユニット、映像表示装置及び表示ユニットの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
高家利，张帆，汪科主编；闫卫萍，杨渠，曹秋玲副主编: "《电工电子实训教程》", 31 January 2014, 成都：西南交通大学出版社 *

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Publication number Publication date
US10700247B2 (en) 2020-06-30
JP6632725B2 (ja) 2020-01-22
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