CN104078620A - 供体基底 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种供体基底。所述供体基底包括：基础基底；光反射层，设置在基础基底上并与基础基底的一部分叠置；热阻挡图案，设置在光反射层上、与光反射层叠置并且包括多个气孔；光热转换层，设置在基础基底上；转印层，设置在光热转换层上。

Description

供体基底

本申请要求于2013年3月29日在韩国知识产权局（KIPO）提交的题目为“DONOR SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING TRANSFERPATTERN USING THE SAME（供体基底及使用其形成转印图案的方法）”的第10-2013-0034658号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

实施例涉及一种供体基底及一种使用该供体基底形成转印图案的方法。

背景技术

可以使用光热转换法作为在转印目标基底上形成有机/无机图案（以下称为转印图案）的方法。例如，光热转换法可被用于形成有机发光装置。

发明内容

实施例针对一种供体基底，所述供体基底包括：基础基底；光反射层，设置在基础基底上并与基础基底的一部分叠置；热阻挡图案，设置在光反射层上、与光反射层叠置并且包括多个气孔；光热转换层，设置在基础基底上；转印层，设置在光热转换层上。

反射层可包括金属材料。

金属材料可包括铝、银或它们的合金。

光反射层可包括多个开口。

热阻挡图案可具有与光反射层相同的形状。

光热转换层可与热阻挡图案的开口和光反射层的开口叠置。

光热转换层可包括多个光热转换图案，光热转换图案被插入到热阻挡图案的开口和光反射层的开口中，光热转换图案和热阻挡图案可以设置有平坦的表面。

热阻挡图案的每个开口的直径可以是约1nm至约50nm。

热阻挡图案可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。

热阻挡图案的厚度可以为约10nm至约10μm。

光反射层可被设置在光热转换层上。

光热转换层可包括凹槽部，光反射层和热阻挡图案被插入到凹槽部中。

供体基底还可以包括设置在光热转换层与转印层之间的平坦化层，平坦化层覆盖光反射层和热阻挡图案。

实施例涉及还针对一种形成转印图案的方法，所述方法包括：在转印目标基底上设置供体基底，供体基底包括基础基底、设置在基础基底上并与基础基底的一部分叠置的光反射层、被设置为与光反射层叠置并且包括多个气孔的热阻挡图案、设置在基础基底上的光热转换层以及设置在光热转换层上的转印层，转印层接触转印目标基底；将光照射到供体基底上，以将转印图案转印在转印目标基底上；从转印目标基底去除供体基底。

转印图案可用作有机发光装置的部件。

转印图案可以是与有机发光装置的所述部件对应的空穴传输层或有机发光层。

光反射层可以包括多个开口。

热阻挡图案可具有与光反射层相同的形状。

光热转换层可与热阻挡图案的开口和光反射层的开口叠置。

光热转换层可包括多个光热转换图案，光热转换图案被插入到热阻挡图案的开口和光反射层的开口中，光热转换图案和热阻挡图案可以设置有平坦的表面。

光反射层可被设置在光热转换层上。

光热转换层可包括凹槽部，光反射层和热阻挡图案被插入到凹槽部中。

所述方法还可以包括设置在光热转换层与转印层之间的平坦化层以覆盖光反射层和热阻挡图案。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施例，对本领域技术人员来说特征将变得明显，其中：

图1是示出根据示例实施例的供体基底的平面图；

图2是沿图1的I-I'线截取的剖视图；

图3是示出图2的AA部位的局部放大图；

图4是示出根据示例实施例的光反射层的光反射率的曲线图；

图5A至图5C是示出根据示例实施例的转印图案的制造方法的工序剖视图；

图6是示出包括根据示例实施例的转印图案的有机发光装置的剖视图；

图7至图9是示出根据示例实施例的供体基底的剖视图。

具体实施方式

现在将参照附图在下文中更加充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式来实施并且不应被解释为局限于这里阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开将是完全且彻底的，并且这些实施例将把示例实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。在所绘图中，为了说明清晰起见，会夸大尺寸。相同的附图标记始终表示相同的元件。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、 “连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意和所有组合。

将要理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。

在这里可使用空间相对术语，诸如“在……下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等，用来方便地描述如图所示的一个元件或特征与其它的元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描述的方位以外，空间相对术语意图包括所述装置在使用或者操作中的不同方位。例如，如果在附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“在”其它元件或特征“下方”或“下”的元件于是将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两个方位。装置可以被另外定位（旋转90度或者在其它方位），并相应地解释在此使用的空间相对描述语。

这里使用的术语仅为了描述特定示例实施例的目的，而不意图限制本公开。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个（种）”和“所述（该）”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将进一步理解的是，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思相一致的意思，而不是将以理想的或者过于正式的意义来进行解释。

图1是示出根据示例实施例的供体基底的平面图，图2是沿图1的I-I'线截取的剖视图，图3是示出图2的AA部位的局部放大图，图4是示出根据示例实施例的光反射层的光反射率的曲线图。

参照图1和图2，供体基底100包括基础基底10、光反射层20、热阻挡图案30、光热转换层40和转印层50。光反射层20、热阻挡图案30、光热转换层40和转印层50被设置在基础基底10的一个表面上。

在本示例实施例中，基础基底10是被构造为将入射到基础基底10的另一表面（与基础基底10的所述一个表面背对）的光透射至光热转换层40的透明基底。基础基底10可包括从聚酯、聚丙烯酰、聚环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯的组中选择的至少一种聚合物材料。另外，基础基底10可由玻璃或石英形成。基础基底10的厚度例如为约10μm至约500μm。

光反射层20被设置在基础基底10的所述一个表面上。光反射层20与基础基底10的一部分叠置。光反射层20部分地阻挡穿过基础基底10的所述另一表面入射至其处的光。

光反射层20在平面图中具有特定的形状，以将转印层50分为被转印的区域和不被转印的区域。例如，光反射层20具有多个开口20-OP（以下称为第一开口）。

转印图案TP（示出在图5C中）具有取决于第一开口20-OP的形状而决定的形状。光反射层20的形状由将要形成的转印图案的形状决定。例如，光反射层20可具有条纹形状，或者为了对转印层50的整个表面进行转印可省略光反射层20。

光反射层20包括金属材料。参照图4，第一曲线GL1表示由铝形成的光反射层的反射率，第二曲线GL2表示由铜形成的光反射层的反射率，第三曲线GL3表示由金形成的光反射层的反射率，第四曲线GL4表示由银形成的光反射层的反射率。在本示例实施例中，光反射层20由相对于可见光具有高反射率的铝、铝合金、银或银合金形成。

将参照图2和图3对热阻挡图案30进行详细描述。热阻挡图案30被设置在光反射层20上。热阻挡图案30防止由光反射层20吸收的光产生的热量被传递到光热转换层40或转印层50。

在本示例实施例中，热阻挡图案30在平面图中具有与光反射层20相同的形状。热阻挡图案30包括分别与第一开口20-OP对应的多个开口30-OP（以下称为第二开口）。

热阻挡图案30包括具有多个气孔或气穴30-P的绝缘材料。热阻挡图案30提供了气隙相同的功能以减小热传导率。热阻挡图案30包括有机材料或者诸如氧化硅或氮化硅的无机材料。热阻挡图案30包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。每个气孔30-P的直径为约1nm至约50nm。

当热阻挡图案30形成在光反射层20上时，产生多个气孔30-P。包括基材和分散在基材中的颗粒的混合物被设置在光反射层20上。基材包括氧化硅或氮化硅，颗粒包括功能团（functional group）。功能团处于热时不稳定。当对混合物施加热时，颗粒被去除。与颗粒对应的空间限定了多个气孔30-P。

可选择地，包括功能团的基材被设置在光反射层20上。基材包括氧化硅或氮化硅。功能团以化学方式或物理方式结合到基材。功能团处于热时不稳定。当对基材施加热时，功能团被去除。

每个气孔30-P的直径取决于功能团的化学结构。合适的是，每个气孔30-P的直径为约1nm至约10nm。

热阻挡图案30的厚度TN在其厚度方向DR3（以下称为第三方向）上为约10nm至约10μm。第三方向DR3与限定供体基底100的转印表面的第一方向DR1和第二方向DR2垂直。

光热转换层40吸收入射至其处的光，以将所吸收的光转换为热。光热转换层40可吸收诸如红外光线或可见光线的特定波长的入射光。光热转换层40可包括炭黑、石墨、金属氧化物材料或金属硫化物材料。

光热转换层40还可包括粘合剂。光热转换层40可以是其中在有机粘合剂中分散了炭黑的有机层，或者是包括金属氧化物材料或金属硫化物材料的金属层。

光热转换层40被设置为至少与第一开口20-OP叠置。光热转换层40覆盖设置在光反射层20上的热阻挡图案30，并且设置在基础基底10的整个表面上。光热转换层40可具有平坦的表面。

转印层50被设置在光热转换层40上。转印层50至少与第一开口20-OP叠置。转印层50包括在接收热能时被转印的有机材料。例如，转印层50可包括用于滤色器的有机材料或用于有机发光装置的功能性材料作为被热能汽化的有机材料，然而，转印层不应当局限于此或受此限制。

图5A至图5C是示出根据示例实施例的转印图案的制造方法的工序剖视图。以下将参照图5A至图5C详细描述形成转印图案的方法。

在本示例实施例中，参照图5A，在转印目标基底SUB上设置供体基底100。可以采用参照图1至图3描述的供体基底100。转印层50与转印目标基底SUB接触。转印目标基底SUB还可包括图中未示出的绝缘层。绝缘层包括有机层或无机层。另外，转印目标基底SUB作为有机发光装置的部件。

接着，如图5B中所示，将光照射到供体基底100上。该光是紫外光或可见光。另外，该光可以是具有预定波长的激光束。

参照图5C，当转印图案TP形成在转印目标基底SUB上时，从转印目标基底SUB去除供体基底100。由于传递到光热转换层40的与光反射层20叠置的区域的热被热阻挡图案30阻隔，因此转印图案TP仅形成在与第一开口20-OP叠置的区域中。

图6是示出包括根据示例实施例的转印图案的有机发光装置的剖视图。

在本示例实施例中，有机发光装置包括显示基底SUB、设置在显示基底SUB上的薄膜晶体管TFT、绝缘层IL和有机发光二极管OLED。薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED设置于布置在有机发光装置上的每个像素中。

如图6所示，薄膜晶体管TFT的控制电极GE被设置在显示基底SUB上。显示基底SUB是参照图5A至图5C描述的转印目标基底SUB。

第一绝缘层IL1被设置在显示基底SUB上以覆盖控制电极GE。半导体层AL被设置在第一绝缘层IL1上。输入电极SE和输出电极DE被设置在第一绝缘层IL1上以与半导体层AL叠置。

第二绝缘层IL2覆盖输入电极SE和输出电极DE。有机发光二极管OLED被设置在第二绝缘层IL2上。有机发光二极管OLED包括依次堆叠在第二绝缘层IL2上的第一电极AE、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层EML、电子注入层EIL和第二电极CE。第一电极AE通过穿透第二绝缘层IL2形成的接触孔被连接到第二绝缘层IL2。

有机发光二极管OLED的结构不限于上面提及的结构。电子注入层EIL可以被省略，有机发光二极管OLED还可包括位于有机发光层EML与电子注入层EIL之间的电子传输层。

与一般被设置在像素之间的空穴注入层HIL和电子注入层EIL不同，空穴传输层HTL和有机发光层EML是单独被设置在每个像素中的。空穴传输层HTL和有机发光层EML以参照图5A至图5C描述的方式形成。

图7至图9是示出根据示例实施例的供体基底的剖视图，每个剖视图是沿图1的I-I'截取的图。以下将参照图7至图9对根据本示例实施例的供体基底进行描述。然而，将省略与参照图1至图6描述的供体基底的构造相同的构造和利用该供体基底形成转印图案的方法。

在图7中示出的示例实施例中，供体基底100-1包括基础基底10、光反射层20、热阻挡图案30、光热转换层40和转印层50。光反射层20被设置在基础基底10的一个表面上。光反射层20包括第一开口20-OP。热阻挡图案30被设置在光反射层20上。热阻挡图案30包括分别与第一开口20-OP对应的第二开口30-OP。

光热转换层40包括多个光热转换图案。每个光热转换图案被插入到第一开口20-OP中的相应的第一开口和第二开口30-OP中的相应的第二开口中。在第三方向DR3上每个光热转换图案的厚度与在第三方向DR3上第一开口的深度和第二开口的深度之和相同。这样，光热转换层40和热阻挡图案30可以设置有平坦的表面。转印层50被设置在光热转换层40和热阻挡图案30的平坦表面上。

在图8中示出的示例实施例中，供体基底100-2包括基础基底10、光反射层20、热阻挡图案30、光热转换层40和转印层50。光热转换层40被设置在基础基底10的一个表面上。光热转换层40覆盖基础基底10的所述一个表面的全部。光热转换层40包括凹槽部40-GV。

光反射层20被插入到凹槽部40-GV中，以对入射到其处的光进行反射。热阻挡图案30与光反射层20叠置。热阻挡图案30也被插入到凹槽部40-GV中。

在第三方向DR3上光反射层20的厚度与热阻挡图案30的厚度之和跟在第三方向DR3上凹槽部40-GV的深度相同。这样，热阻挡图案30和光热转换层40设置有平坦的表面。转印层50被设置在热阻挡图案30和光热转换层40的平坦的表面上。

在图9中示出的示例实施例中，供体基底100-3包括基础基底10、光反射层20、热阻挡图案30、光热转换层40、转印层50和平坦化层60。光热转换层40被设置在基础基底10的一个表面上。光热转换层40覆盖基础基底10的所述一个表面的全部。

光反射层20被设置在光热转换层40上。热阻挡图案30被设置在光反射层20上。平坦化层60被设置在光热转换层40上，以覆盖光反射层20和热阻挡图案30。平坦化层60是由有机材料或无机材料形成的绝缘层。转印层50被设置在由平坦化层60提供的平坦表面上。

通过总结和回顾，可使用供体基底执行光热转换方法。供体基底可包括用于将由光源提供的光转换为热的光热转换层并用于反射光的光反射层。由于光热转换层的光吸收率变得更高，转印图案可易于转印。另外，由于光反射层的光反射率变得更高，转印可仅发生在特定区域中。转印不会轻易发生在转印层的与光反射层叠置的区域中。然而，光仍然可以在转印层的与光反射层叠置的区域中以均一的速率被吸收。这样，转印可发生在转印层的与光反射层叠置的区域中。

如上所述，实施例涉及一种具有热阻挡图案的供体基底以及一种使用该供体基底形成转印图案的方法。根据实施例，供体基底可被构造为使得转印仅发生在其特定区域中。实施例还可提供一种使用该供体基底形成转印图案的方法。根据实施例，转印可仅发生在供体基底的特定区域中。热阻挡图案利于防止热量被传递到与光反射层叠置的转印层。这样，转印层的转印可仅发生在与光反射层的开口叠置的区域中。

这里已经公开了示例实施例，虽然使用了特定的术语，但是仅以通常性的和说明性的含义来使用并解释它们，且它们并不出于限制的目的。在一些情况下，如将对本领域普通技术人员来说将明显的是，在提交本申请时，除非进行了另外特别地指示，否则结合具体的实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用或者以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合的方式使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如在权利要求中所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种供体基底，所述供体基底包括：

基础基底；

光反射层，设置在基础基底上并与基础基底的一部分叠置；

热阻挡图案，设置在光反射层上、与光反射层叠置并且包括多个气孔；

光热转换层，设置在基础基底上；以及

转印层，设置在光热转换层上。

2.根据权利要求1所述的供体基底，其中，光反射层包括金属材料，金属材料包括铝、铝合金、银或银合金。

3.根据权利要求1所述的供体基底，其中，光反射层包括多个开口。

4.根据权利要求3所述的供体基底，其中，热阻挡图案具有与光反射层的形状相同的形状。

5.根据权利要求4所述的供体基底，其中，光热转换层与热阻挡图案的开口和光反射层的开口叠置。

6.根据权利要求4所述的供体基底，其中：

光热转换层包括多个光热转换图案，光热转换图案被插入到热阻挡图案的开口和光反射层的开口中，光热转换图案和热阻挡图案设置有平坦的表面。

7.根据权利要求1所述的供体基底，其中，热阻图案的每个开口的直径为1nm至50nm。

8.根据权利要求1所述的供体基底，其中，热阻挡图案包括氧化硅和氮化硅中的至少一种，并且热阻挡图案的厚度为10nm至10μm。

9.根据权利要求1所述的供体基底，其中，光反射层被设置在光热转换层上，光热转换层包括凹槽部，光反射层和热阻挡图案被插入到凹槽部中。

10.根据权利要求9所述的供体基底，所述供体基底还包括设置在光热转换层与转印层之间的平坦化层，平坦化层覆盖光反射层和热阻挡图案。