CN108802884A - 偏振层、具有偏振层的显示设备以及显示设备的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种偏振层、具有偏振层的显示设备以及显示设备的制造方法。偏振层包括基底膜和提供在基底膜的边缘中的变形部。变形部包括基底膜因热而变形形成的第一变形部和提供在彼此相邻的第一变形部之间的至少一个第二变形部。

Description

偏振层、具有偏振层的显示设备以及显示设备的制造方法
相关申请
本申请要求2017年4月28日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2017-0055635号的优先权，其全部公开通过引用合并于此。
技术领域
本公开的方面涉及偏振层、具有偏振层的显示设备以及用于显示设备的制造方法。
背景技术
通常，诸如液晶显示设备、电润湿显示设备、电泳显示设备或有机发光显示设备的显示设备可包括显示图像的显示面板以及与显示面板集成的或提供在显示面板的一个表面上的偏振层。
偏振层可防止外部光的反射或提高显示设备的显示质量。
发明内容
实施例提供了一种偏振层，该偏振层允许在偏振层被附接到显示面板的状态下切割偏振层时产生的颗粒不残留在显示面板的焊盘区域中。
实施例也提供了一种具有偏振层的显示设备。
实施例也提供了一种用于具有偏振层的显示设备的制造方法。
根据本公开的一个方面，提供了一种偏振层，包括：基底膜；以及提供在基底膜的边缘处的变形部，其中变形部包括基底膜因热而变形形成的第一变形部和提供在彼此相邻的第一变形部之间的至少一个第二变形部。
在与边缘平行的方向上，第二变形部的长度可小于第一变形部的长度。
第二变形部可以是基底膜因热而变形形成的区域，并且第二变形部的热变形程度可大于第一变形部的热变形程度。
在与边缘垂直的方向上，第二变形部的宽度可大于第一变形部的宽度。
第二变形部可具有从边缘突出的形状。
基底膜可包括彼此面对的两个第一边和彼此面对的两个第二边，第二边将第一边彼此连接。第二变形部可被提供在第二边的每个处。
基底膜可包括：线性偏振层；和提供在线性偏振层上的延迟层。
延迟层可允许入射到其中的光的相位移动1/4λ。
根据本公开的另一方面，提供了一种显示设备，包括：显示面板，包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；以及提供在显示面板的一个表面上的偏振层，偏振层至少覆盖显示区域，其中偏振层包括：基底膜；以及提供在基底膜的边缘处的变形部，其中基底膜的边缘对应于显示面板的边缘，其中变形部包括基底膜因热而变形形成的第一变形部和提供在彼此相邻的第一变形部之间的至少一个第二变形部。
基底膜可包括：线性偏振层；和提供在线性偏振层和显示面板之间的延迟层。
非显示区域可包括分别提供在显示区域的两侧的焊盘区域。基底膜的边缘可包括两个第一边和两个第二边，两个第一边分别与焊盘区域相邻，第一边彼此面对，第二边彼此面对，第二边将第一边彼此连接。第二变形部被提供在第二边中的每个第二边处。
第二边中的一个第二边的第二变形部可与第二边中的另一个第二边的第二变形部相同。
第二边中的一个第二边的第二变形部可与第二边中的另一个第二边的第二变形部不同。
显示设备可进一步包括提供在显示面板的另一表面上的保护膜。
根据本公开的另一方面，提供了一种用于制造显示设备的方法。该方法包括：制备显示面板，显示面板包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，非显示区域包括焊盘区域；在显示面板的一个表面上提供覆盖除了焊盘区域之外的显示面板的偏振层，偏振层包括基底膜；以及使用激光切割偏振层的从显示面板的外部突出的区域。切割至少包括第一切割工艺和第二切割工艺，其中第一切割工艺的第一激光照射路径从基底膜的边缘中与焊盘区域相邻的一个点开始沿显示面板的边缘在远离该一个点的方向上行进。第一激光照射路径在与显示面板的边缘对应的第一点处被改变成相对于显示面板的边缘倾斜的方向。第二切割工艺的第二激光照射路径从基底膜的边缘中与焊盘区域相邻的另一点开始沿显示面板的边缘行进。第二激光照射路径在与第一点相邻的第二点处被改变成相对于显示面板的边缘倾斜的方向。
附图说明
在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式体现，且不应当被解释为限于本文所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例实施例的范围。
在附图中，为了例示清楚，尺寸可能被夸大。将理解，当一要素被称为“位于两个要素之间”时，其可以是这两个要素之间的唯一要素，或者也可以存在一个或多个中间要素。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的要素。
图1是示出根据本公开的实施例的显示设备的透视图。
图2和图3是图1的显示设备的平面图。
图4是沿图2的线I-I’截取的截面图。
图5是沿图2的线II-II’截取的截面图。
图6是图4的区域EA1的放大图。
图7、图8和图9是图示用于图1至图6所示的显示设备的制造方法的平面图。
图10是沿图7的线III-III’截取的截面图。
图11是沿图8的线IV-IV’截取的截面图。
图12是沿图9的线V-V’截取的截面图。
图13和图14是图示根据本公开的实施例的显示设备的平面图。
图15、图16、图17、图18、图19和图20是图示根据本公开的实施例的显示设备的平面图。
图21和图22是图示随着在偏振层上执行激光切割而颗粒残留在焊盘区域中的图像。
图23和图24是图示根据一个实施例的、随着在偏振层上执行激光切割而颗粒没有残留在焊盘区域中的图像。
具体实施方式
本公开可适用于各种变化和不同的形式，因此仅仅详细图示了特定示例。然而，示例并不局限于某些形式，而是适用于所有变化、等价物和替换。为了更好地理解，所包含的附图以图被展开的方式被图示。
贯穿全文，相同的数字指示相同的要素。在附图中，为清楚起见，可以夸大某些线、层、组件、要素或特征的厚度。将理解，虽然本文可能使用“第一”、“第二”等的术语来描述各种要素，但这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个要素与另一要素区分。因此，下面介绍的“第一”要素也可以被称为“第二”要素，而不背离本公开的教导。如本文所使用的，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，其指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、要素和/或组件，但不排除存在和/或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、要素、组件和/或它们的组。此外，诸如层、区域、基板或板的要素被放置在另一要素“上”或“之上”的表述不仅指示该要素“直接被放置在另一要素上”或“正好被放置在另一要素之上”的情况，而且还指示又一要素被置于该要素和另一要素之间的情况。另外，诸如层、区域、基板或板的要素被放置在另一要素“之下”或“下方”的表述不仅指示该要素“直接被放置在另一要素之下”或“正好被放置在另一要素下方”的情况，而且还指示又一要素被置于该要素和另一要素之间的情况。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施例。
图1是示出根据本公开的实施例的显示设备的透视图。图2和图3是图1的显示设备的平面图。图4是沿图2的线I-I’截取的截面图。图5是沿图2的线II-II’截取的截面图。图6是图4的区域EA1的放大图。
参考图1至图6，显示设备可包括显示面板DPN、提供在显示面板DPN的一个表面上的保护膜PF以及提供在显示面板DPN的另一表面上的偏振层POL。
显示面板DPN可具有各种形状。例如，显示面板DPN可具有包括线性边的闭合形状多边形的形状。显示面板DPN也可具有包括曲线边的圆形或椭圆形的形状。显示面板DPN也可具有包括线性边和曲线边的半圆形或半椭圆形的形状。在本公开的实施例中，当显示面板DPN具有线性边时，形状中的每个的至少一些拐角可以以曲线形成。例如，当显示面板DPN具有矩形形状时，相邻的线性边彼此相遇的部分可用具有预定曲率的曲线代替。也就是说，矩形形状的顶点部分可由具有分别连接到两条相邻的线性边的相邻两端的曲线边组成，曲线边具有预定曲率。曲率可根据位置被不同地设置。例如，曲率可根据曲线开始的位置、曲线的长度等而改变。在下文中，为了便于描述，作为示例图示了显示面板DPN具有四边形形状的情况。
显示面板DPN可以显示图像。显示面板DPN没有特别限制。例如，诸如有机发光显示面板(OLED面板)的自发光显示面板可被用作显示面板。另外，诸如液晶显示面板(LCD面板)、电泳显示面板(EDP面板)或电润湿显示面板(EWD面板)的非发射显示面板可被用作显示面板DPN。当非发射显示面板被用作显示面板DPN时，显示设备可包括向显示面板DPN供给光的背光单元。在本实施例中，作为示例描述了OLED面板被用作显示面板DPN的情况。
显示面板DPN可包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是图像被显示在其中的区域，并且可包括多个像素。每个像素可以是红色像素、绿色像素、蓝色像素和白色像素中的任意一种，但是本实施例并不限于此。例如，像素可以是品红色像素、青色像素和黄色像素中的任意一种。像素中的每个可包括显示元件OLED，有时称为显示器件OLED。显示元件OLED可以是有机发光元件。
非显示区域NDA可被提供为与显示区域DA相邻。例如，非显示区域NDA可以以围绕显示区域DA的形状被提供。焊盘区域PDA可被提供在非显示区域NDA的一侧处。焊盘区域PDA可包括多个焊盘PD。焊盘PD可以是允许显示面板DPN电连接到另一电子元件例如柔性印刷电路板(FPC)的输入/输出端子。
显示面板DPN可包括基底基板SUB、提供在基底基板SUB上的驱动层DDL、提供在驱动层DDL上的光学层OPL、以及提供在光学层OPL上的封装层ECL。
基底基板SUB可被划分成显示区域DA和非显示区域NDA。像素被布置在其中的像素区域可被提供在基底基板SUB的显示区域DA中。
基底基板SUB可包括透明绝缘材料，以允许光通过其被透射。此外，基底基板SUB可以是刚性基板或柔性基板。刚性基板可包括石英基板、玻璃陶瓷基板和微晶玻璃基板。柔性基板可以是包括聚合物有机材料的薄膜基板和塑料基板。例如，柔性基板可包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的一种。此外，柔性基板可包括玻璃纤维增强塑料(FRP)。
适用于基底基板SUB的材料优选地具有在显示设备的制造工艺中抗高处理温度的耐性(或耐热性)。
驱动层DDL被提供在基底基板SUB上，并且可包括提供在每个像素区域中的至少一个薄膜晶体管TFT。此外，驱动层DDL可包括提供在基底基板SUB和薄膜晶体管TFT之间的缓冲层BUL。缓冲层BUL可包括无机绝缘材料。例如，缓冲层BUL可包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。此外，缓冲层BUL可具有单层结构或多层结构。例如，缓冲层BUL可具有包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种的单层结构。缓冲层BUL可包括氧化硅层和布置在氧化硅层上的氮化硅层。缓冲层BUL可包括依次堆叠的三个或更多绝缘层。
缓冲层BUL可防止杂质从基底基板SUB扩散到薄膜晶体管TFT。此外，缓冲层BUL可平坦化基底基板SUB的表面。
薄膜晶体管TFT可连接到栅线(未示出)和数据线(未示出)。薄膜晶体管TFT可包括半导体层SCL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层SCL可被布置在缓冲层BUL上。半导体层SCL可包括非晶Si、多晶Si、氧化物半导体和有机半导体中的一种。在半导体层SCL中，连接到源电极SE和漏电极DE的区域可以是杂质被掺杂或被注入到其中的源区和漏区。源区和漏区之间的区域可以是沟道区。
同时，尽管未在附图中示出，当半导体层SCL包括氧化物半导体时，用于阻挡入射到半导体层SCL中的光的光阻挡层可被布置在半导体层SCL的顶部或底部。
栅绝缘层GI可被布置在半导体层SCL之上。栅绝缘层GI覆盖半导体层SCL，并且可将半导体层SCL和栅电极GE彼此绝缘。栅绝缘层GI可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。例如，栅绝缘层GI可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
栅电极GE可被布置在栅绝缘层GI上。栅电极GE可连接到栅线。栅电极GE可包括低电阻导电材料，并且与半导体层SCL重叠。
层间绝缘层ILD可被布置在栅电极GE之上。层间绝缘层ILD可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。例如，层间绝缘层ILD可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。层间绝缘层ILD可将源电极SE和漏电极DE与栅电极GE绝缘。
穿过栅绝缘层GI和层间绝缘层ILD的接触孔可延伸到半导体层SCL的源区和漏区，并且通过接触孔可暴露半导体层SCL的源区和漏区。
源电极SE和漏电极DE可被布置在层间绝缘层ILD上，以彼此隔开。源电极SE和漏电极DE可包括低电阻导电材料。源电极SE的一端可连接到数据线。源电极SE的另一端可通过接触孔中的一个连接到源区。漏电极DE的一端可通过接触孔中的另一个连接到漏区。漏电极DE的另一端可连接到显示元件OLED。
同时，在本实施例中，作为示例已经描述了薄膜晶体管TFT是具有顶栅结构的薄膜晶体管的情况，但是本实施例并不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可以是具有底栅结构的薄膜晶体管。
驱动层DDL可进一步包括提供在薄膜晶体管TFT之上的保护层PSV。保护层PSV可覆盖薄膜晶体管TFT。保护层PSV的一部分可被移除，以通过其暴露源电极SE和漏电极DE中的一个，例如，漏电极DE。
保护层PSV可包括至少一层。例如，保护层PSV可包括无机保护层和布置在无机保护层上的有机保护层。无机保护层可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。有机保护层可包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和苯并环丁烯(BCB)中的一种。此外，有机保护层可以是透明且柔性的平坦化层，以减少并平坦化下部结构的卷曲。
光学层OPL被提供在保护层PSV上，并且可包括连接到漏电极DE的显示元件OLED。
显示元件OLED可包括连接到漏电极DE的第一电极AE、布置在第一电极AE上的发射层EML、以及布置在发射层EML上的第二电极CE。
第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是阳极，并且第一电极AE和第二电极CE中的另一个可以是阴极。例如，第一电极AE可以是阳极，并且第二电极CE可以是阴极。
另外，第一电极AE和第二电极CE中的至少一个可以是透射电极。例如，当显示元件OLED是底发射型有机发光元件时，第一电极AE可以是透射电极，并且第二电极CE可以是反射电极。当显示元件OLED是顶发射型有机发光元件时，第一电极AE可以是反射电极，并且第二电极CE可以是透射电极。当显示元件OLED是双面发射型有机发光元件时，第一电极AE和第二电极CE两者都可以是透射电极。在本实施例中，作为示例描述了显示元件OLED为顶发射型有机发光元件并且第一电极AE为阳极的情况。
在每个像素区域中，第一电极AE可被布置在保护层PSV上。第一电极AE可包括能够反射光的反射层(未示出)以及布置在反射层的顶部或底部上的透明导电层(未示出)。反射层和透明导电层中的至少一个可连接到漏电极DE。
反射层可包括能够反射光的材料。例如，反射层可包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)以及它们的任意合金中的至少一种。
透明导电层可包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和氟掺杂的氧化锡(FTO)中选择的至少一种透明导电氧化物。
像素限定层PDL可被布置在第一电极AE之上。像素限定层PDL被布置在像素区域之间，并且通过像素限定层PDL可暴露第一电极AE。此外，像素限定层PDL可与第一电极AE的边缘部分重叠。因此，像素限定层PDL可允许第一电极AE的表面的大部分从像素限定层PDL被暴露。
像素限定层PDL可包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷基树脂和硅烷基树脂中的至少一种。
发射层EML可被布置在第一电极AE的被暴露的表面上。发射层EML可具有至少包括光产生层(LGL)的多层薄膜结构。例如，发射层EML可包括：空穴注入层(HIL)，用于注入空穴；具有卓越的空穴传输特性的空穴传输层(HTL)，HTL用于通过抑制LGL中没有被结合的电子的运动来增加空穴和电子重新结合的机会；LGL，用于通过注入的电子和空穴的重新结合来发光；空穴阻挡层(HBL)，用于抑制LGL中没有被结合的空穴的运动；电子传输层(ETL)，将电子流畅地传输到LGL；以及电子注入层(EIL)，用于注入电子。
LGL中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但是本实施例并不限于此。例如，在发射层EML的LGL中产生的光的颜色也可以是品红色、青色和黄色中的一种。
HIL、HTL、HBL、ETL和EIL可以是在相邻的发光区中连接的公共层。
第二电极CE可被布置在发射层EML上。第二电极CE可以是半透反射层。例如，第二电极CE可以是具有一厚度的薄金属层，光可通过该薄金属层被透射。第二电极CE可允许从LGL发射的光的一部分通过第二电极CE被透射，并且反射从LGL发射的其余的光。
与透明导电层相比，第二电极CE可包括具有低功函数的材料。例如，第二电极CE可包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)以及它们的任意合金中的至少一种。
从发射层EML发射的光的一部分不被透射通过第二电极CE，并且从第二电极CE反射的光可从反射层被再次反射。也就是说，从发射层EML发射的光可在反射层和第二电极CE之间共振。通过光的共振，可提高显示元件OLED的光提取效率。
反射层和第二电极CE之间的距离可根据从LGL发射的光的颜色而改变。也就是说，反射层和第二电极CE之间的距离可根据从LGL发射的光的颜色而被调整，以与共振距离相对应。
封装层ECL可被提供在第二电极CE之上。封装层ECL覆盖显示元件OLED，并且可防止氧和湿气渗透到显示元件OLED中。封装层ECL可包括多个绝缘层。例如，封装层ECL可包括多个无机层(未示出)和多个有机层(未示出)。此外，封装层ECL可包括多个封装单元，封装单元包括无机层和布置在无机层上的有机层。无机层可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化锡中的至少一种。有机层可包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和苯并环丁烯(BCB)中的一种。
保护膜PF可被提供在基底基板SUB的表面上。在弯曲显示面板DPN时，保护膜PF可支撑显示面板DPN，以防止显示面板DPN被损坏。保护膜PF可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚砜(PSul)、聚乙烯(PE)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)和改性的聚苯醚(MPPO)中的至少一种。
偏振层POL可被提供在封装层ECL上。偏振层POL可至少覆盖显示区域DA。偏振层POL可防止入射到显示面板DPN中的外部光的反射。
偏振层POL可包括包含线性偏振层BS1和延迟层BS2的基底膜BS以及提供在基底膜BS的边缘处的变形部TCR。
基底膜BS可包括线性偏振层BS1和延迟层BS2。这里，延迟层BS2可被提供在封装层ECL和线性偏振层BS1之间。
线性偏振层BS1可将自然光或任意偏振光偏振成特定方向上的线性偏振光，并且减少外部光的反射。线性偏振层BS1的偏振轴可相对于延迟层BS2的偏振轴倾斜45度。
延迟层BS2可允许入射到其中的光的相位移动1/4λ。也就是说，由于延迟层BS2允许入射到其中的光的相位移动1/4λ，因此延迟层BS2可将线性偏振光变成圆偏振光，或者将圆偏振光变成线性偏振光。
变形部TCR在切割偏振层POL的工艺中产生，并且稍后将详细描述偏振层POL的切割。变形部TCR可具有各种形状。例如，如图2所示，变形部TCR可具有第一变形部TCR1和至少一个第二变形部TCR2。第二变形部TCR2可被提供在相邻的第一变形部TCR1之间。第一变形部TCR1和第二变形部TCR2可以是基底膜BS因热而变形形成的区域。这里，第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的一个的热变形程度可小于第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的另一个的热变形程度。例如，第一变形部TCR1的热变形程度可小于第二变形部TCR2的热变形程度。在与边缘平行的方向D1上，第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的一个的长度可与第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的另一个的长度不同。例如，第二变形部TCR2的长度可小于第一变形部TCR1的长度。在与边缘垂直的方向D2上，第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的一个的宽度可与第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的另一个的宽度不同。例如，第二变形部TCR2的宽度可大于第一变形部TCR1的宽度。
另外，如图3所示，变形部TCR可包括由于基底膜BS热变形而形成的第一变形部TCR1和在相对于边缘倾斜的方向上突出的至少一个第二变形部TCR2。第二变形部TCR2可被提供在相邻的第一变形部TCR1之间。第二变形部TCR2可具有毛刺形状或尖端形状。
同时，在图2和图3中，作为示例已经描述了一个第二变形部TCR2被提供在变形部TCR中的情况，但是本公开并不限于此。例如，变形部TCR可包括多个第二变形部TCR2。在此情形下，第二变形部TCR2中的每个可被提供在第一变形部TCR1中的相邻的第一变形部TCR1之间。
偏振层POL可防止外部光的反射如下。
首先，外部光可透射通过线性偏振层BS1。这里，透射通过线性偏振层BS1的光可以是其中仅存在与线性偏振层BS1的偏振轴垂直的分量的线性偏振光。
透射通过线性偏振层BS1的光可透射通过延迟层BS2。透射通过延迟层BS2的光可以是其相位由延迟层BS2被移动1/4λ的圆偏振光。
透射通过延迟层BS2的光可从显示面板DPN反射。从显示面板DPN反射的光(下文称为“反射光”)可保持圆偏振光的状态。
反射光可再次透射通过延迟层BS2。透射通过延迟层BS2的反射光的相位可由延迟层BS2被移动1/4λ。从显示面板DPN反射的反射光可以是线性偏振光。这里，透射通过延迟层BS2的反射光可与线性偏振层BS1的偏振轴平行。因此，透射通过延迟层BS2的反射光不透射通过线性偏振层BS1，并且可被吸收到线性偏振层BS1中。
因此，偏振层POL可防止入射到显示设备中的外部光被反射。因此，如果通过偏振层POL防止外部光的反射，则可提高显示设备的对比度。
在下文中，将参考图7至图12描述用于图1至图6所示的显示设备的制造方法。
图7至图9是图示用于图1至图6所示的显示设备的制造方法的平面图。图10是沿图7的线III-III’截取的截面图。图11是沿图8的线IV-IV’截取的截面图。图12是沿图9的线V-V’截取的截面图。在图7至图9中，为了便于描述，作为示例图示了图2所示的显示设备的形状。
参考图7和图10，首先，显示面板DPN被制备。如图2所示，显示面板DPN可包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可被提供为与显示区域DA相邻。包括多个焊盘PD的焊盘区域PDA可被提供在非显示区域NDA的一侧。
另外，如图6所示，显示面板DPN可包括基底基板SUB、提供在基底基板SUB上的驱动层DDL、提供在驱动层DDL上的光学层OPL、以及提供在光学层OPL上的封装层ECL。
基底基板SUB可包括透明绝缘材料，以允许光通过其被透射。此外，基底基板SUB可以是刚性基板或柔性基板。
驱动层DDL被提供在基底基板SUB上，并且可包括提供在每个像素区域中的至少一个薄膜晶体管TFT。此外，驱动层DDL可包括提供在基底基板SUB和薄膜晶体管TFT之间的缓冲层BUL。驱动层DDL可进一步包括提供在薄膜晶体管TFT之上的保护层PSV。
光学层OPL被提供在保护层PSV上，并且可包括连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE的显示元件OLED。
显示元件OLED可包括连接到漏电极DE的第一电极AE、布置在第一电极AE上的发射层EML、以及布置在发射层EML上的第二电极CE。
封装层ECL可被提供在第二电极CE之上。封装层ECL可防止氧和湿气渗透到显示元件OLED中。
在显示面板DPN被制备之后，偏振层POL被布置在显示面板DPN上。偏振层POL可使用透明粘合剂(未示出)附着在显示面板DPN上。
偏振层POL可被提供在封装层ECL上。偏振层POL可防止入射到显示面板DPN中的外部光的反射。偏振层POL可包括线性偏振层BS1和延迟层BS2。这里，延迟层BS2可被提供在线性偏振层BS1和显示面板DPN之间。
偏振层POL可至少覆盖显示区域DA。例如，偏振层POL可覆盖除了焊盘区域PDA之外的整个显示面板DPN。
偏振层POL可包括基底膜BS，基底膜BS包括线性偏振层BS1和延迟层BS2。这里，延迟层BS2可被提供在显示面板DPN和线性偏振层BS1之间。
参考图8和图11，在偏振层POL被形成之后，第一切割工艺被执行，从而移除偏振层POL的一部分。第一切割工艺可使用激光切割设备来执行。这里，通过第一切割工艺的偏振层POL的切割路径可与激光切割设备通过其照射激光的第一激光照射路径LIP1相对应。
第一激光照射路径LIP1可从偏振层POL的边缘中与焊盘区域PDA相邻的一个点开始，沿显示面板DPN的边缘(下文称为“显示面板边缘”)行进。也就是说，在第一切割工艺中，偏振层POL的切割路径的至少一部分可与显示面板边缘平行。
第一激光照射路径LIP1可在与显示面板边缘对应的任意第一点处、在相对于显示面板边缘倾斜的方向(例如，在与显示面板边缘垂直的方向D2)上被改变。
当激光被照射的点到达偏振层POL的外部时，第一切割工艺可结束。
当使用激光切割设备切割偏振层POL时，偏振层POL的、第一切割工艺在其上被执行的边缘可通过激光而热变形。热变形区域可以是第一变形部TCR1。
同时，在使用激光切割偏振层POL的第一切割工艺期间可产生偏振层POL的颗粒。在激光照射路径中，颗粒可被移动到激光照射点的前方。因此，颗粒可不残留在焊盘区域PDA上，具体地，不残留在焊盘PD上。另外，颗粒可使用鼓风机等被移除。
参考图9和图12，在第一切割工艺被执行之后，第二切割工艺被执行，从而移除偏振层POL向显示面板DPN的外部突出的其余部分。
与第一切割工艺类似，第二切割工艺可使用激光切割设备来执行。
第二切割工艺可从偏振层POL的边缘中与焊盘区域PDA相邻的另一点开始，沿显示面板边缘被执行。
另外，激光切割设备通过其照射激光的第二激光照射路径LIP2可在显示面板边缘的任意第二点处、在相对于显示面板边缘倾斜的方向(例如，在与显示面板边缘垂直的方向D2)上被改变。
当激光被照射的点到达偏振层POL的外部时，第二切割工艺可结束。
如果第一点和第二点彼此一致或彼此相邻，则偏振层POL可具有其中向显示面板DPN的外部突出的区域通过第一切割工艺和第二切割工艺被移除的形状。
如果第一点和第二点彼此一致，则偏振层POL的边缘中与第一点或第二点相邻的区域(第二切割工艺在其上被完全执行)可具有比其他区域的激光照射量相对高的激光照射量。因此，与其他区域相比，与第一点或第二点相邻的区域的热变形程度可以是高的。更具体地，变形部TCR可被提供在偏振层POL的边缘中。变形部TCR可包括第一变形部TCR1和至少一个第二变形部TCR2。第一变形部TCR1和第二变形部TCR2可以是基底膜BS因热而变形形成的区域。这里，第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的一个的热变形程度可小于第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的另一个的热变形程度。例如，第二变形部TCR2是与第一点或第二点相邻的区域，并且第一变形部TCR1可具有比第二变形部TCR2的热变形程度小的热变形程度。第二变形部TCR2可以是与第一点或第二点相邻的区域。也就是说，第二变形部TCR2可被提供在第一变形部TCR1之间。
在与偏振层POL的边缘平行的方向D1上，第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的一个的长度可与第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的另一个的长度不同。例如，第二变形部TCR2的长度可小于第一变形部TCR1的长度。
在与偏振层POL的边缘垂直的方向D2上，第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的一个的宽度可与第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的另一个的宽度不同。例如，第二变形部TCR2的宽度可大于第一变形部TCR1的宽度。
另外，如果第一点和第二点被布置成彼此相邻但彼此不一致，则第一切割工艺和第二切割工艺在其上被完全执行的偏振层POL可具有其中第一点和第二点之间的部分从边缘突出的形状。更具体地，变形部TCR被提供在偏振层POL的边缘中。变形部TCR可包括由于基底膜BS通过激光切割热变形而形成的第一变形部TCR1和在相对于第一点和第二点之间的边缘倾斜的方向上突出的第二变形部TCR2。也就是说，第二变形部TCR2可被提供在相邻的第一变形部TCR1之间。此外，如图3所示，第二变形部TCR2可具有毛刺形状或尖端形状。
同时，在使用激光切割偏振层POL的第二切割工艺期间可产生偏振层POL的颗粒。在第二激光照射路径LIP2中，颗粒可被移动到激光照射点的前方。因此，颗粒可不残留在焊盘区域PDA上，具体地，不残留在焊盘PD上。另外，颗粒可使用鼓风机等被移除。
在第二切割工艺被执行之后，诸如FPC的另一电子元件连接到焊盘区域PDA的焊盘PD。这里，由于任何颗粒都不残留在焊盘PD上，因此可防止当电子元件连接到焊盘PD时由颗粒引起的连接失败。
如果颗粒存在于焊盘PD上，则即使当使用鼓风机等来移除颗粒时一些颗粒仍可残留在焊盘PD上。这是因为颗粒和焊盘PD之间的结合强度大于颗粒和偏振层POL之间的结合强度。如果颗粒存在于焊盘PD上，则可发生焊盘PD和电子元件之间的连接失败。
图13和图14是图示根据本公开的实施例的显示设备的平面图。
参考图13和图14，每个显示设备可包括显示面板DPN、提供在显示面板DPN的一个表面上的保护膜(参见图4和图5的“PF”)以及提供在显示面板DPN的另一表面上的偏振层POL。
显示面板DPN可具有圆形形状或椭圆形形状。此外，显示面板DPN可具有其中圆形形状或椭圆形形状的一部分被移除的形状。例如，显示面板DPN可具有包括线性边和曲线边的闭合曲线形状。
显示面板DPN可包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可被提供为与显示区域DA相邻。例如，非显示区域NDA可以以围绕显示区域DA的形状被提供。焊盘区域PDA可被提供在非显示区域NDA的一侧。
偏振层POL可被提供在显示面板DPN的另一表面上，例如，显示面板DPN的图像被显示在其上的表面。偏振层POL可具有与显示面板DPN相对应的形状。例如，偏振层POL可具有圆形形状或椭圆形形状，或者具有包括线性边和曲线边的闭合曲线形状。此外，偏振层POL可至少覆盖显示区域DA。偏振层POL可防止入射到显示面板DPN中的外部光的反射。
偏振层POL可包括基底膜BS和提供在基底膜BS的边缘处的变形部TCR，基底膜BS包括线性偏振层BS1和延迟层BS2。
变形部TCR可具有各种形状。例如，如图13所示，变形部TCR可包括第一变形部TCR1和至少一个第二变形部TCR2。第一变形部TCR1和第二变形部TCR2可以是基底膜BS因热而变形形成的区域。这里，第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的一个的热变形程度可小于第一变形部TCR1和第二变形部TCR2中的另一个的热变形程度。第二变形部TCR2的宽度可大于第一变形部TCR1的宽度。第二变形部TCR2的长度可小于第一变形部TCR1的长度。
另外，如图14所示，变形部TCR可包括由于基底膜BS热变形而形成的第一变形部TCR1和提供在第一变形部TCR1之间的第二变形部TCR2，第二变形部TCR2在相对于偏振层POL的边缘倾斜的方向上突出。这里，第二变形部TCR2可具有毛刺形状或尖端形状。
同时，在图13和图14中，作为示例图示了一个第二变形部TCR2被提供在变形部TCR中的情况，但是本公开并不限于此。例如，变形部TCR可包括多个第二变形部TCR2。在此情形下，第二变形部TCR2中的每个可被提供在第一变形部TCR1中的相邻的第一变形部TCR1之间。
图15至图20是图示根据本公开的实施例的显示设备的平面图。
参考图15至图20，每个显示设备可包括显示面板DPN、提供在显示面板DPN的一个表面上的保护膜(参见图4和图5的“PF”)以及提供在显示面板DPN的另一表面上的偏振层POL。
显示面板DPN可具有闭合曲线形状。例如，显示面板DPN可具有包括线性边的闭合形状多边形的形状。显示面板DPN也可具有包括曲线边的圆形或椭圆形的形状。显示面板DPN也可具有包括线性边和曲线边的半圆形或半椭圆形的形状。
显示面板DPN可包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可被提供为与显示区域DA相邻。例如，非显示区域NDA可以以围绕显示区域DA的形状被提供。包括多个焊盘PD的至少一个焊盘区域PDA可被提供在非显示区域NDA中。例如，分别布置在显示区域DA两侧的两个焊盘区域PDA可被提供在非显示区域NDA中。
显示区域DA可包括分别与焊盘区域PDA相邻的两个第一边和将第一边彼此连接的两个第二边。这里，第一边彼此面对，并且第二边也彼此面对。另外，第一边可以是线性边，并且第二边可以是线性边或曲线边。
偏振层POL可被提供在显示面板DPN的另一表面上，例如，显示面板DPN的图像被显示在其上的表面。偏振层POL可具有与显示面板DPN相对应的形状，具体地，与显示区域DA对应的形状。例如，偏振层POL可具有至少覆盖显示区域DA的闭合曲线形状。
偏振层POL可包括基底膜BS和提供在基底膜BS的边缘(具体地，第二边)处的变形部TCR，基底膜BS包括线性偏振层BS1和延迟层BS2。
变形部TCR可具有各种形状。在下文中，将描述变形部TCR的形状。
如图15和图18所示，变形部TCR可以是基底膜BS因热而变形形成的区域。变形部TCR中的每个可包括第一变形部TCR1和第二变形部TCR2。这里，第二变形部TCR2可被提供在第一变形部TCR1之间。第一变形部TCR1的热变形程度可与第二变形部TCR2的热变形程度不同。这里，第一变形部TCR1的热变形程度可小于第二变形部TCR2的热变形程度。第二变形部TCR2的宽度可大于第一变形部TCR1的宽度。第二变形部TCR2的长度可小于第一变形部TCR1的长度。
如图16和图19所示，变形部TCR中的每个可包括由于基底膜BS热变形而形成的第一变形部TCR1和提供在第一变形部TCR1之间的第二变形部TCR2。第二变形部TCR2可在相对于偏振层POL的边缘倾斜的方向上突出。例如，第二变形部TCR2可具有毛刺形状或尖端形状。
如图17和图20所示，变形部TCR中的每个可包括由于基底膜BS热变形而形成的第一变形部TCR1和提供在第一变形部TCR1之间的第二变形部TCR2。这里，第二变形部TCR2可被提供在第一变形部TCR1之间。第二边中的一个所对应的变形部TCR的第二变形部TCR2可与第二边中的另一个所对应的变形部TCR的第二变形部TCR2不同。例如，第二边中的一个所对应的变形部TCR的第二变形部TCR2可以是热变形区域。另外，第二边中的另一个所对应的变形部TCR的第二变形部TCR2可具有在相对于偏振层POL的边缘倾斜的方向上突出的毛刺形状或尖端形状。
同时，在图15至图20中，作为示例图示了一个第二变形部TCR2被提供在一个变形部TCR中的情况，但是本公开并不限于此。例如，变形部TCR可包括多个第二变形部TCR2。在此情形下，第二变形部TCR2中的每个可被提供在第一变形部TCR1中的相邻的第一变形部TCR1之间。
图21和图22是图示随着在偏振层上执行激光切割而颗粒残留在焊盘区域PDA中的图像。图23和图24是图示根据一个实施例的、随着在偏振层上执行激光切割而颗粒没有残留在焊盘区域PDA中的图像。
参考图21至图24，显示设备可包括显示面板(参见图1的“DPN”)和提供在显示面板DPN上的偏振层POL。
显示面板DPN可包括显示区域(参见图2和图3的“DA”)和非显示区域(参见图2和图3的“NDA”)，并且包括多个焊盘(参见图2和图3的“PD”)的焊盘区域PDA可被提供在非显示区域NDA的一侧。这里，焊盘PD可以是允许显示面板DPN电连接到另一电子元件例如FPC的输入/输出端子。
可使用激光切割偏振层POL以暴露焊盘区域PDA。
同时，在切割偏振层POL时，根据照射到偏振层POL上的激光的照射路径LIP，颗粒可残留在焊盘区域PDA中或可不残留在焊盘区域PDA中。
在使用激光切割偏振层POL的工艺中可产生颗粒。在激光的照射路径LIP中，在激光被照射的点处，颗粒可移动到激光的照射路径LIP的前方。
如图21和图22所示，当激光的照射路径LIP随着在焊盘区域PDA的方向上行进而结束时，颗粒可在焊盘区域PDA的方向上被移动。因此，颗粒可残留在焊盘区域PDA上。如果颗粒残留在焊盘区域PDA上，则由于残留在焊盘区域PDA上的颗粒，可发生焊盘PD和电子元件之间的连接失败。
另外，如图23和图24所示，如果激光的照射路径LIP从与焊盘区域PDA相邻的点开始，在远离焊盘区域PDA的方向上行进，则颗粒可在远离焊盘区域PDA的方向上被移动。因此，颗粒可不残留在焊盘区域PDA上。如果颗粒没有残留在焊盘PD上，则可防止当焊盘PD连接到电子元件时由于颗粒而发生的、在焊盘PD和电子元件之间的连接失败。
如上所述，在用于显示设备的制造方法中，偏振层在其中偏振层被附接到显示面板的状态下被切割，并且在切割偏振层时产生的任何颗粒没有残留在显示面板的焊盘区域中。因此，当焊盘区域的焊盘连接到诸如FPC的另一电子元件时，可防止连接失败。
在本文中已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如在递交本申请时对本领域普通技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或要素可以单独使用，也可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解，可在不脱离如以下权利要求中提出的本公开的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。

Claims (28)

1.一种偏振层，包括
基底膜；以及
提供在所述基底膜的边缘处的变形部，
其中所述变形部包括所述基底膜因热而变形形成的第一变形部和提供在彼此相邻的所述第一变形部之间的至少一个第二变形部。
2.根据权利要求1所述的偏振层，其中，在与所述边缘平行的方向上，所述第二变形部的长度小于所述第一变形部的长度。
3.根据权利要求2所述的偏振层，其中，所述第二变形部是所述基底膜因热而变形形成的区域，并且所述第二变形部的热变形程度大于所述第一变形部的热变形程度。
4.根据权利要求3所述的偏振层，其中，在与所述边缘垂直的方向上，所述第二变形部的宽度大于所述第一变形部的宽度。
5.根据权利要求2所述的偏振层，其中，所述第二变形部具有从所述边缘突出的形状。
6.根据权利要求2所述的偏振层，其中，所述基底膜包括彼此面对的两个第一边和彼此面对的两个第二边，所述第二边将所述第一边彼此连接，
其中所述第二变形部被提供在所述第二边的每个第二边处。
7.根据权利要求1所述的偏振层，其中，所述基底膜包括：
线性偏振层；和
提供在所述线性偏振层上的延迟层。
8.根据权利要求7所述的偏振层，其中，所述延迟层允许入射到其中的光的相位移动1/4λ。
9.一种显示设备，包括：
显示面板，包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；以及
提供在所述显示面板的一个表面上的偏振层，所述偏振层至少覆盖所述显示区域，
其中所述偏振层包括：
基底膜；以及
提供在所述基底膜的边缘处的变形部，
其中所述基底膜的所述边缘对应于所述显示面板的边缘，
其中所述变形部包括所述基底膜因热而变形形成的第一变形部和提供在彼此相邻的所述第一变形部之间的至少一个第二变形部。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述基底膜包括：
线性偏振层；和
提供在所述线性偏振层和所述显示面板之间的延迟层。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，在与所述基底膜的所述边缘平行的方向上，所述第二变形部的长度小于所述第一变形部的长度。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第二变形部是所述基底膜因热而变形形成的区域，并且所述第二变形部的热变形程度大于所述第一变形部的热变形程度。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，在与所述基底膜的所述边缘垂直的方向上，所述第二变形部的宽度大于所述第一变形部的宽度。
14.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第二变形部具有从所述基底膜的所述边缘突出的形状。
15.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述非显示区域包括分别提供在所述显示区域的两侧的焊盘区域，
其中所述基底膜的所述边缘包括彼此面对的两个第一边和彼此面对的两个第二边，所述两个第一边分别与所述焊盘区域相邻，所述第二边将所述第一边彼此连接，
其中所述第二变形部被提供在所述第二边中的每个第二边处。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二边中的一个第二边的所述第二变形部与所述第二边中的另一个第二边的所述第二变形部相同。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第二变形部的热变形程度大于所述第一变形部的热变形程度。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，在与所述基底膜的所述边缘平行的方向上，所述第二变形部的长度小于所述第一变形部的长度，并且在与所述基底膜的所述边缘垂直的方向上，所述第二变形部的宽度大于所述第一变形部的宽度。
19.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第二变形部具有从所述基底膜的所述边缘突出的形状。
20.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二边中的一个第二边的所述第二变形部与所述第二边中的另一个第二边的所述第二变形部不同。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述第二边中的所述一个第二边的所述第二变形部的热变形程度大于所述第一变形部的热变形程度，并且
其中所述第二边中的所述另一个第二边的所述第二变形部具有在相对于所述基底膜的所述边缘倾斜的方向上突出的形状。
22.根据权利要求9所述的显示设备，进一步包括提供在所述显示面板的另一表面上的保护膜。
23.一种用于制造显示设备的方法，所述方法包括：
制备显示面板，所述显示面板包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述非显示区域包括焊盘区域；
在所述显示面板的一个表面上提供覆盖除了所述焊盘区域之外的所述显示面板的偏振层，并且所述偏振层包括基底膜；以及
使用激光切割所述偏振层的从所述显示面板的外部突出的区域，
其中所述切割至少包括第一切割工艺和第二切割工艺，
其中所述第一切割工艺的第一激光照射路径从所述基底膜的边缘中与所述焊盘区域相邻的一个点开始沿所述显示面板的边缘在远离所述一个点的方向上行进，
其中所述第一激光照射路径在与所述显示面板的所述边缘对应的第一点处被改变成相对于所述显示面板的所述边缘倾斜的方向，
其中所述第二切割工艺的第二激光照射路径从所述基底膜的所述边缘中与所述焊盘区域相邻的另一点开始沿所述显示面板的所述边缘行进，
其中所述第二激光照射路径在与所述第一点相邻的第二点处被改变成相对于所述显示面板的所述边缘倾斜的方向。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，如果所述第一点和所述第二点彼此一致，则所述偏振层包括提供在所述基底膜的所述边缘中的变形部，所述变形部由于所述基底膜热变形而形成，
其中所述变形部包括第一变形部和提供在相邻的第一变形部之间的至少一个第二变形部，
其中所述第二变形部具有与所述第一变形部的热变形程度不同的热变形程度。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，在与所述基底膜的所述边缘平行的方向上，所述第二变形部的长度小于所述第一变形部的长度。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，在与所述基底膜的所述边缘垂直的方向上，所述第二变形部的宽度大于所述第一变形部的宽度。
27.根据权利要求23所述的方法，其中，如果所述第一点和所述第二点彼此隔开，则所述偏振层包括提供在所述基底膜的所述边缘中的变形部，
其中所述变形部包括由于所述基底膜热变形而形成的第一变形部和提供在相邻的第一变形部之间的第二变形部，
其中所述第二变形部在相对于所述显示面板的所述边缘倾斜的方向上突出。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，在与所述基底膜的所述边缘平行的方向上，所述第二变形部的长度小于所述第一变形部的长度。
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