JP2010224422A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】プラスチック基板を用いて表示装置を形成した場合に、マザー基板から個々の表示装置を分離するときの歩留まりを向上させる。
【解決手段】マザーＴＦＴ基板１００には表示領域３０と端子部４０を含むＴＦＴ基板が複数形成されている。厚さ２００μｍ以下のプラスチック板で形成されたマザー対向基板２００には、マザーＴＦＴ基板に形成された表示領域３０に対応して表示領域３０が形成されている。マザーＴＦＴ基板１００に形成された端子部４０に対応する部分にはマザー対向基板に予め端子開口部５０を形成しておく。これによって、表示装置をマザー基板から分離するときに、端子部を露出させるためのハーフカットを行なう必要が無くなるので、表示装置を歩留まり良く製造することが出来る。
【選択図】図１

Description

本発明は表示装置に係り、特にプラスチック基板を用いることにより、フレキシブルに湾曲させることが出来る表示装置に関する。
液晶表示装置は、薄型、小型、軽量に出来ることから色々な分野での使用が拡大している。薄型、小型、軽量に出来ることは、現在開発が進められている有機ＥＬ表示装置も同様である。これらの表示装置は、基板はガラスで形成されている。しかし、ガラスは脆いために、薄型とすると、機械的な信頼性が問題となる。また、ガラス基板を用いた場合は、フレキシブルに曲げることは困難である。現在開発が進められている有機ＥＬ表示装置も同様である。
薄く、割れにくく、かつ、曲げられるディスプレイを実現させるために、基板の素材をガラスからプラスチックに置き換える検討が進められている。液晶表示装置は例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や画素電極を含む画素がマトリクス状に形成され、走査線や映像信号線が形成が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板とから形成されている。
例えば、液晶表示装置では、製造の効率を向上させるために、多数の液晶表示パネル（ＴＦＴ基板と対向基板が組み合わされた構成）をマザー基板に形成し、その後、マザー基板から個々の液晶セルを分離することが行われる。マザー基板は複数のＴＦＴ基板が形成されたマザーＴＦＴ基板と、複数の対向基板が形成されたマザー対向基板とから構成されている。すなわち、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を接着してマザー基板が形成される。
マザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する際、個々の液晶表示パネルへの切り出し（フルカット）と、ＴＦＴ基板上の端子を露出するために、対向基板の１部を除去するハーフカットを行う必要がある。
「特許文献１」には、液晶表示装置を検査する際、個々の液晶表示装置毎に検査するのではなく、マザー基板に形成された複数の液晶表示パネルを、マザー基板のままで検査する構成が記載されている。「特許文献１」では、マザー基板において、マザー対向基板に端子部が形成されている部分に対応するマザー対向基板を除去することによって端子部を露出させ、液晶表示装置の検査を可能としている。「特許文献１」では、端子部を露出させるために、算盤状のホイールチップによってスクライブを形成し、その後、マザー基板に衝撃を加えることによってマザー対向基板の１部を除去して端子部を露出させている。「特許文献１」に記載のマザーＴＦＴ基板あるいはマザー対向基板はいずれもガラス基板である。
マザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する場合のフルカットの方法としては、スクライブ法、レーザ法、ダイシング法等がある。スクライブ法はガラス基板にダイヤモンドチップ等の超硬材で表面を傷つけ、裏面から圧力をかけて割る方法である。レーザカット法は、プラスチック基板等に炭酸ガスレーザ等を照射し、熱による昇華作用で切断する方法である。
スクライブ法によるハーフカットは特にガラスの脆性を利用して行なわれる。ダイシング法によるハーフカットは、刃の深さの制御によって、基板を極１部残し、その部分を機械的に破壊して行なう。レーザによるハーフカットは熱量を制御して基板厚を極１部残し、残った部分を機械的に破壊してハーフカットを行なう。
特開２００４−１１８１３５号公報
以下は、液晶表示装置の場合の問題点を例にとって説明するが、有機ＥＬ表示装置等、他の、薄型ディスプレイの場合も同様である。
複数のＴＦＴ基板が形成されたマザーＴＦＴ基板、または、複数の対向基板が形成されたマザー対向基板を貼り合わせたマザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する場合は、個々の液晶表示パネルをフルカットによって分離するほかに、ＴＦＴ基板上の端子部を露出するために対向基板の端子部に対応する部分をハーフカットして除去する必要がある。
しかし、マザー基板にプラスチックを用いた場合は、ガラスと異なり、脆性が小さいために、スクライブ法によるハーフカットが困難である。また、レーザカットによってハーフカットを行なおうとすると熱量の厳密な制御が必要であり、生産性を挙げることが困難である。
また、薄いプラスチック基板を用いると、基板の厚さに対する厚さのムラの割合が大きくなるうえ、基板自体にうねりが生じるため、プラスチック基板に対するレーザビームの焦点位置の制御が難しくなり、ハーフカットのさいの切り残し厚さの制御が困難である。また、基板厚が薄いと外力に対して変形し易く、切り残し部分を機械的に除去する際、パネルを破壊することがあった。ダイシングによるハーフカットもレーザカットと同様な問題を有している。
本発明の課題は、プラスチックを用いたマザー基板から液晶表示パネルを分離して形成する液晶表示装置において、端子部を形成するためのハーフカットを効率的に、かつ歩留まりよく行なうことである。
本発明は以上のような課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
（１）ＴＦＴと画素電極で構成された画素がマトリクス状に形成された表示領域と端子部が形成されたＴＦＴ基板を複数有するマザーＴＦＴ基板と対向して配置され、前記ＴＦＴ基板と対向して配置される対向基板を複数有するマザー対向基板であって、前記マザー対向基板には、前記マザーＴＦＴ基板に形成されている端子部に対応する部分に端子開口部が形成され、前記マザー対向基板は板厚が２００μｍ以下のプラスチックで形成されていることを特徴とするマザー対向基板。
（２）前記マザー対向基板は、１辺が他の辺よりも大きく、ロール状に巻き取ることが出来ることを特徴とする（１）に記載のマザー対向基板。
（３）表示領域と端子部が形成された第１基板と、第２基板のペアで形成される表示装置の製造方法であって、前記第１基板をマザー第１基板に複数形成し、前記第１基板の前記表示領域に対応して第２基板を、前記第１基板の端子部に対応して端子開口部を、厚さが２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー第２基板に形成し、前記マザー第１基板と前記マザー第２基板を貼り合わせてマザー基板を形成し、前記マザー基板から前記第１基板と前記第２基板のペアを分離することを特徴とする表示装置の製造方法。
（４）前記マザー基板から前記第１基板と前記対向電極のペアを分離する分離線の少なくとも１辺は、前記端子開口部の内側に存在していることを特徴とする（３）に記載の表示装置の製造方法。
（５）ＴＦＴと画素電極を含む画素がマトリクス状に形成された表示領域と端子部が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタとスペーサを有する対向基板のペアで形成される液晶表示装置の製造方法あって、前記ＴＦＴ基板をマザーＴＦＴ基板に複数形成し、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域に対応して対向基板を、厚さ２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー対向基板に複数形成し、前記カラーフィルタおよび前記スペーサを形成した後、前記マザー対向基板に、前記ＴＦＴ基板の前記端子部に対応する部分に端子開口部を形成し、前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板を貼り合わせてマザー基板を形成し、前記マザー基板から前記ＴＦＴ基板と前記対向基板のペアを分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
（６）表示領域と端子部を有する第１基板と、前記第１の基板と対向して配置される第２基板とから構成される表示装置であって、前記第２基板は、表示領域を含む第１の領域と表示領域を含まない第２の領域から構成され、前記第１基板の前記端子部と対応する領域の前記第２基板には端子開口部が形成され、前記第２基板の前記第２の領域は、前記第１基板の前記表示領域および前記第１基板の前記端子部とは対向して配置されておらず、前記第１基板と前記第２基板の前記第１の領域はシール材を介して接着し、前記第１基板と前記第２基板の前記第２の領域はシール材を介して接着していることを特徴とする表示装置。
（７）第１の方向に延在する複数の第１の電極が形成された第１の基板と、第２の方向に延在する複数の第２の電極が形成された第２の基板を有し、前記第１の電極と前記第２の電極の交点に表示領域を構成する画素が形成され、前記複数の前記第１の電極の端部に第１の端子部が形成され、前記複数の前記第２の電極の端部に第２の端子部が形成されたパッシブ型表示装置の製造方法であって、厚さ２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー第１基板に前記第１基板を複数形成し、厚さ２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー第２基板に前記第基板を複数形成、前記マザー第１基板に、前記第２基板に形成された第２の端子に対応する部分に端子開口部を形成し、前記マザー第２基板に、前記第１基板に形成された第１の端子に対応する部分に端子開口部を形成し、
前記マザー第１基板と前記マザー第２基板を貼り合わせてマザー基板を形成し、前記マザー基板から、個々の前記パッシブ型表示装置を分離することを特徴とするパッシブ型表示装置の製造方法。
本発明によれば、厚さ２００μｍ以下のプラスチック板によってマザー対向基板を形成し、マザーＴＦＴ基板に形成された端子部に対応する部分に予め端子開口部を形成するので、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を貼り合わせて形成されたマザー基板を分離して個々の表示装置を形成する際に、端子部のハーフカットを行なう必要が無い。したがって、プラスチック板によってマザー対向基板を形成した場合に、個々の表示装置に分離する場合の製造歩留まりを向上させることが出来る。
本発明の実施例１を示す分解平面図である。 本発明の実施例１の他の形態を示す分解平面図である。 本発明の実施例１の更に他の形態を示す分解平面図である。 本発明のマザー対向基板の例である。 本発明に使用される基板の例である。 本発明に使用される基板の他の例である。 本発明に使用される基板のさらに他の例である。 マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を組み合わせた１部を示す平面図である。 液晶表示パネルを切り出した状態の平面図である。 液晶表示パネルの断面図である。 他の構成の液晶表示パネルの断面図である。 有機ＥＬ表示パネルの断面図である。 電気泳動パネルの断面図である。 パッシブ型液晶表示パネルの分解斜視図である。 本発明による液晶表示パネルの製造プロセスである。 従来のマザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の分解平面図である。 液晶表示パネルの斜視図である。 スクライブ法による液晶表示パネルの分離方法である。 レーザによる液晶表示パネルの分離方法である。
本発明の具体的な実施例を説明する前に、本発明の前提となる技術について説明する。図１６は通常の液晶表示装置の製造方法を示す図である。図１６において、マザーＴＦＴ基板１００には表示領域３０と端子部４０からなるＴＦＴ基板１０（図１７に示す）が複数形成されている。マザー対向基板２００には、複数の対向基板２０（図１７に示す）が形成されている。マザーＴＦＴ基板１００とマザー対向基板２００とを貼り合わせると、マザー対向基板２００に形成された表示領域３０がマザーＴＦＴ基板１００に形成された表示領域３０と対応することになる。
図１６において、マザー対向基板２００とマザーＴＦＴ基板１００はシール材を介して接着される。シール材はマザーＴＦＴ基板１００に形成された個々のＴＦＴ基板１０、マザー対向基板２００に形成された個々の対向基板２０との間に形成されるとともに、マザー対向基板２００およびマザーＴＦＴ基板１００の周辺にも形成される。
シール材は一般には、対向基板２０側に形成されるが、シール材が形成されたあと、例えば、液晶をシール材の内部に滴下し、対向基板２０とＴＦＴ基板１０を接着することによって個々の液晶表示パネル毎に液晶を封入する。なお、液晶を滴下方式でなく、封入孔を通して真空吸入する場合は、マザー基板から個々の液晶表示パネルを分離した後、個々の液晶表示パネル毎に行なう。
図１７は、図１６のマザー基板から、個々の液晶表示パネルを切り出した状態を示す斜視図である。図１７において、ＴＦＴ基板１０の幅はｗ１、奥行きはｄ１、対向基板２０の幅はｗ２、奥行きはｄ２である。ＴＦＴ基板１０が対向基板２０よりも大きくなっている部分に端子部４０が形成されている。
図１６に示すマザー基板から図１７に示す液晶表示パネルに分離する方法を図１８および図１９に示す。図１８はスクライブによる方法であり、図１９はレーザによる破断の場合である。
まず、スクライブの場合について図１８を用いて説明する。図１８（ａ）において、マザー対向基板２００とマザーＴＦＴ基板１００が貼りあわされた状態で、個々の液晶表示パネル毎に、超硬材チップ７００によってスクライブ７０１を入れる。次に図１８（ｂ）に示すように、マザーＴＦＴ基板１００側からローラ７５０で圧力を加えるとスクライブ７０１が入った部分のマザー対向基板２００は７０２に示すように破断する。
次に図１８（ｃ）に示すように、マザーＴＦＴ基板１００側の必要な部分に超硬材チップ７００によってスクライブ７０１を入れる。その後、図１８（ｄ）に示すように、マザー対向基板２００側からローラ７５０を用いて圧力を加えると、マザーＴＦＴ基板１００がスクライブ７０１を入れた部分において破断する。
そうすると、図１８（ｅ）において７１０（フルカット処理）で示すように、マザー基板から、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とからなる個々の液晶表示パネルが分離されることになる。マザーＴＦＴ基板１００とマザー対向基板２００において、スクライブ７０１を入れる位置を異ならせることによって、ＴＦＴ基板１０上に端子部４０を露出させることが出来る。これによって図１８（ｅ）に示すハーフカット処理７２０が可能になる。しかし、図１８に示すプロセスは、マザーＴＦＴ基板１００もマザー対向基板２００も脆性を有するガラスで形成されているので可能となっている。
図１９は、マザーＴＦＴ基板１００およびマザー対向基板２００がプラスチック基板によって形成されている場合である。マザー対向基板２００あるいはマザーＴＦＴ基板１００がプラスチックで形成されている場合は、図１８で説明したようなスクライブ法を用いることは困難である。図１９では、レーザ８００によってマザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する場合である。
図１９（ａ）において、個々の液晶表示パネルに分離する分離線に対してレーザ８００を照射し、その熱量によってプラスチックを昇華させ、溶解部８０１を形成する。図１９（ａ）においては、マザーＴＦＴ基板１００およびマザー対向基板２００を同時に溶解して切断している。
次に図１９（ｂ）に示すように、マザーＴＦＴ基板１００側にレーザ８００を照射して溶解部８０１を形成する。このとき溶解部８０１の深さはマザーＴＦＴ基板１００に対してわずかに切り残し厚さが残るようにレーザ８００の強度を調整する。次に図１９（ｃ）に示すように、マザー対向基板２００の所定の位置にレーザ８００を照射して溶解部８０１を形成する。このとき、溶解部８０１の深さは、マザー対向基板２００に対して僅かに切り残し厚さが残るように、レーザ８００の強度を調整する。図１９（ｄ）はこのようにして形成されたマザー基板の断面模式図である。
その後、マザーＴＦＴ基板１００およびマザー対向基板２００に対して僅かに切り残し多部分を機械的に引き剥がす形で除去すれば、図１９（ｅ）に示すような、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とからなる個々の液晶表示パネルを取り出すことが出来る。このとき、照射するレーザ８００の熱量を制御することによってフルカットとハーフカットを分けることが出来る。なお、ハーフカットはマザー対向基板２００に対して行いＴＦＴ基板１０の端子部４０を露出させる。
しかしながら、このような、レーザ８００による方法は、特にハーフカット工程において、レーザ８００の強度を正確に調整することが困難であるという問題がある。レーザ８００の強度が強すぎれば、ＴＦＴ基板１０に形成されている配線および端子を破壊することになり、レーザ８００の強度が弱すぎれば、マザー対向基板２００の十分なカットが行なわれず、マザー基板から個々の液晶表示パネルへの分離が困難になる。
以下の実施例に示す本発明は、このような問題点を克服して、プラスチックによって形成されたマザー対向基板２００あるいはマザーＴＦＴ基板１００から成るマザー基板を個々の液晶表示パネルへ、正確にかつ歩留まり良く行分離することが出来る。
図１は本発明の第１の実施例を示すマザー基板の例である。図１において、
マザーＴＦＴ基板１００には表示領域３０と端子部４０からなるＴＦＴ基板１０（図９に示す）が複数形成されている。マザー対向基板２００には、複数の対向基板２０（図９に示す）が形成されている。マザーＴＦＴ基板１００とマザー対向基板２００とを貼り合わせると、マザー対向基板２００に形成された表示領域３０がマザーＴＦＴ基板１００に形成された表示領域３０と対応することになる。本実施例においては、個々の対向基板２０の表示領域３０にはカラーフィルタが形成されている。
図１において、マザー対向基板２００とマザーＴＦＴ基板１００はシール材を介して接着されること、シール材形成後に液晶が滴下されること等は図１７で説明したのと同様である。
図１において、マザー対向基板２００はプラスチックで形成され、厚さは２００μｍ以下である。マザー対向基板２００において、マザーＴＦＴ基板１００に形成された端子部４０に対応する場所には端子開口部５０が形成されている。このように、端子開口部５０をマザー対向基板２００に予め形成しておくことによって、後工程において、マザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する際に、ハーフカット工程を不要とすることが出来る。したがって、分離工程におけるスループットと歩留まりを大幅に上げることが出来る。
マザー対向基板２００の厚さを２００μｍ以下とすることによって、端子開口部５０の形成に、トムソン刃を用いた簡便で低コストな方法を用いることが出来る。また、端子開口部５０をレーザカットやウォータージェット等で形成する場合も、短時間で加工することが出来る。
図８は、マザーＴＦＴ基板１００とマザー対向基板２００を重ねた状態における表示領域３０、端子部４０、端子開口部５０の様子を示す平面図である。図８において、端子４１は千鳥状に２列に形成されている。長辺において、端子開口部５０の幅Ｓ２は端子部４０の幅Ｓ１と同じかそれ以上の幅を持つ。また、短辺において、端子開口部５０の幅Ｌ２は端子部４０の幅Ｌ１と同じかそれ以上の幅を持つ。
図８に示す切断線６０は端子開口部５０の端部よりも内側に形成される。したがって、ＴＦＴ基板１０の端子部４０を確実に露出させることが出来る。図８の切断線６０によって個々の液晶表示パネルの外形が規定される。個々の液晶表示パネルは表示領域３０と端子部４０のみでなく、図８の右下コーナーに示す切り残し部７０も含む。
本発明の特徴はこの切り残し部７０にもシール材１５を形成していることである。切り残し部７０にもシール材１５を形成することによって、液晶表示パネルの取り扱い中に誤って、対向基板２０とＴＦＴ基板１０とを剥離してしまう危険を防止することが出来る。
図９は図８の切断線６０にそって、マザー基板から液晶表示パネルを切り出した状態を示す平面図である。図８に示すように、マザー対向基板２００の端子開口部５０は予め形成されているので、ハーフカットを行なうことなく、図９に示すように、ＴＦＴ基板１０上の端子部４０を露出させることが出来る。図９において、対向基板２０とＴＦＴ基板１０とは、表示領域３０周辺のみでなく、切り残し部７０においてもシール材１５によって接着している。
図２は、本実施例におけるマザー基板の構成を示す他の形態である。図２において、マザーＴＦＴ基板１００に形成された複数のＴＦＴ基板１０には、端子部４０は表示領域３０の短辺側にのみ形成されている。このような配置は例えば、携帯電話のような小型の液晶表示装置において採用されている。
図２において、マザー対向基板２００には、マザーＴＦＴ基板１００に形成された端子部４０に対応して端子開口部５０が形成されている。図２においても、マザー対向基板２００はプラスチックで形成されており、厚さは２００μｍ以下である。マザー対向基板２００に形成されている端子開口部５０の形成方法は、図１で説明したのと同様である。
図３は、本実施例におけるマザー基板の構成を示すさらに他の形態である。図３において、マザーＴＦＴ基板１００に形成された複数のＴＦＴ基板１０には、端子部４０は表示領域３０の短辺側にのみ形成されていることは図２と同様である。図３において、マザー対向基板２００には、マザーＴＦＴ基板１００に形成された複数の端子部４０に共通の端子開口部５０が形成されている。
複数の端子部４０に共通の端子開口部５０を形成することによって。マザー対向基板２００に端子開口部５０を形成する工程を短縮することが出来る。なお、図３においても、マザー対向基板２００はプラスチックで形成されており、厚さは２００μｍ以下である。マザー対向基板２００に形成されている複数の端子４１に共通の端子開口部５０の形成方法は、図１で説明したのと同様である。
図４は、マザー対向基板２００の形態の例である。マザー対向基板２００は厚さが２００μｍ以下と薄いので、ロール状に巻き取ることが出来る。したがって、作業スペースの大幅な節減を行なうことが出来る。図４に示すマザー対向基板２００に形成された個々の対向基板２０の形状は図１と対応するものである。すなわち、カラーフィルタ２０２が形成された表示領域３０の外側２辺に端子開口部５０が形成されている。
図５は本発明で使用することが出来るマザー対向基板２００あるいはマザーＴＦＴ基板１００の例である。図５に示す基板は、柔軟性の高いプラスチック層３５０と耐熱性が高く、熱膨張係数の小さなガラス層３００の積層構造となっている。基板の厚さは、プラスチック層とガラス層３００を含めて２００μｍ以下である。このような基板は例えば、ガラス層３００の上にＴＦＴ１０１等を形成したＴＦＴ基板１０に用いることが出来る。
図６は本発明で使用することが出来るマザー対向基板２００あるいはマザーＴＦＴ基板１００の他の例である。図６に示す基板は、柔軟性の高いプラスチック層３５０を耐熱性が高く、熱膨張係数の小さなガラス層３００でサンドイッチした構成となっている。
図６に示すような構成であれば、ガラス層３００でプラスチック層３５０をサンドイッチしているので、基板のクラックに対する耐性を向上させることができるとともに、基板のそりを防止することが出来る。図６に示す基板の厚さも合計で２００μｍ以下である。
図７は本発明で使用することが出来るマザー対向基板２００あるいはマザーＴＦＴ基板１００のさらに他の例である。図７に示す基板は、耐熱性が高く、熱膨張係数の小さなガラス層３００を心材としてガラス層３００の両面を柔軟性の高いプラスチック層３５０で覆った構成となっている。
図７に示すような構成は、プラスチック層３５０でガラス層３００の両面を覆っているので、基板のクラックに対する耐性を向上させることができるとともに、基板のそりを防止することが出来る。図６に示す基板の厚さも合計で２００μｍ以下である。
図１０は、本実施例における液晶表示パネルを含むマザー基板の１部を示す概略断面構造である。図１０において、マザーＴＦＴ基板１００にはＴＦＴ１０１およびこれらを接続する配線１０２が形成されている。個々のＴＦＴ基板１０の周辺に位置する端子部４０には端子４１が形成されている。
図１０において、マザー対向基板２００側にはブラックマトリクス２０１、および赤、緑、青等のカラーフィルタ２０２が形成されている。カラーフィルタ２０２を覆って対向電極２０３が形成されている。図１０において、マザーＴＦＴ基板１００における図示しない画素電極とマザーＴＦＴ基板１００に形成された対向電極２０３との間の電界によって液晶分子を動かすことによって液晶層を通過する光の量を制御する。
図１０において、マザー対向基板２００には、端子開口部５０が形成されている。端子開口部５０が形成された状態において、マザーＴＦＴ基板１００とマザー対向基板２００を張り合わせることになる。したがって、マザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する際に、ハーフカットによって端子部４０を露出させる工程は必要ない。
図１１は、図１０とは異なった構造をもつ液晶表示装置の断面図である。図１１に示す液晶表示装置はＴＦＴ基板１０側にカラーフィルタ２０２およびブラックマトリクス２０１を形成している。図１０に示す液晶表示装置においては、ＴＦＴ基板１０に形成された画素電極と対向基板２０に形成されたカラーフィルタ２０２とを正確に合わせるために、対向基板２０とＴＦＴ基板１０との位置合わせを正確に行なう必要がある。
これに対して図１１に示す液晶表示装置においては、カラーフィルタ２０２をＴＦＴ基板１０側に形成するので、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との位置合わせはラフでよい。したがって、工程のスループットを上げ、両基板の合わせに起因する歩留まりを向上させることが出来る。
図１１において、マザーＴＦＴ基板１００に形成されたＴＦＴ基板１０側にブラックマトリクス２０１と赤、緑、青のカラーフィルタ２０２が形成され、その上に樹脂による平坦化膜１０３が形成されている。平坦化膜１０３の上にＴＦＴ１０１、配線１０２等が形成されている。一方、マザー対向基板２００に形成された対向基板２０側には、対向電極２０３が形成されている。対向電極２０３は平面ベタで形成されるので、マザー対向基板２００とマザーＴＦＴ基板１００の合わせはラフでよい。
図１１において、マザー対向基板２００側には、マザーＴＦＴ基板１００の端子部４０に対応して予め端子開口部５０が形成されている。マザーＴＦＴ基板１００の端子部４０とマザー対向基板２００の端子開口部５０とは位置合わせが必要であるが、画素電極とカラーフィルタ２０２との位置合わせほど精度は必要ない。このように、カラーフィルタ２０２がＴＦＴ基板１０側に形成されたタイプに液晶表示装置に対しても本発明は問題なく適用することが出来る。
図１５は本発明による液晶表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。図１５は図１０に示す液晶表示パネルの製造方法である。図１５において、ＴＦＴ基板１０側のプロセスでは、ガラスで形成されるマザーＴＦＴ基板１００を投入し、ＴＦＴアレイを形成する。その後、配向膜を塗付し、配向処理を行い、シール材を表示領域３０の周辺に形成する。その後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を電気的に接続するためのトランスファ剤を塗付する。その後、液晶を滴下する。
マザー対向基板２００側のプロセスでは、厚さ２００μｍ以下のプラスチックで形成された基板を投入し、ブラックマトリクス２０１を形成し、カラーフィルタ２０２層を形成する。カラーフィルタ２０２層の上に対向電極２０３となる透明電極を形成し、さらに、スペーサを形成する。その後、本発明の特徴である、端子開口部５０を形成する。カラーフィルタメーカでは、この状態で、液晶表示パネルメーカーにマザー対向基板２００を納入する。
液晶表示パネルメーカでは、購入したマザー対向基板２００に対して配向膜を塗付し、配向処理を行う。その後、洗浄して、先に説明したマザーＴＦＴ基板１００と貼り合わせる。そして、シール材を加熱、あるいは紫外線によって硬化させると、マザー基板が完成する。
その後、マザー基板を個別の液晶表示パネルにするために、切断、分離する。その後、対向基板２０とＴＦＴ基板１０に偏光板を貼り付けると液晶表示パネルが完成する。以上の説明では、シール材をマザーＴＦＴ基板１００側に形成し、液晶をマザーＴＦＴ基板１００側に滴下しているが、この逆に、シール材をマザー対向基板２００側に形成し、液晶をマザー対向基板２００側に滴下しても良い。
実施例１は本発明を液晶表示装置に適用した例について説明した。本発明は液晶表示装置のみならず、他の表示装置に対しても適用することが出来る。図１２は有機ＥＬ表示装置の断面図である。有機ＥＬ表示装置においても、マザー基板には複数の有機ＥＬ表示パネルが形成される。図１２において、マザー対向基板２００はプラスチック基板によって形成されている。プラスチック基板の厚さは２００μｍ以下である。
図１２において、マザーＴＦＴ基板１００にはＴＦＴ１０１および配線１０２が形成され、配線１０２の上には、赤、緑、青等の発光をする有機ＥＬ層が形成されている。有機ＥＬ層は複数の層から形成され、有機ＥＬ層はカソード電極とアノード電極によってサンドイッチされて電圧を印加され、発光する。
マザー対向基板２００側には赤、緑、青等のカラーフィルタ２０２が形成されている。有機ＥＬ表示装置は自発光なので、本来はカラーフィルタ２０２は不用であるが、図１２に示す本実施例においては、スペクトルをよりシャープとするためにカラーフィルタ２０２を使用している。カラーフィルタ２０２とカラーフィルタ２０２の間にはコントラストを向上させるためのブラックマトリクス２０１が形成されている。有機ＥＬ層は水分によって特性が劣化するので、対向基板２０側に、カラーフィルタ２０２を覆って乾燥材２０４が配置されている。
図１２に示すような、有機ＥＬ表示装置においても、マザーＴＦＴ基板１００に複数のＴＦＴ基板１０を形成し、マザー対向基板２００に複数の対向基板２０を形成し、マザー対向基板２００とマザーＴＦＴ基板１００を接着してマザー基板を形成する。その後マザー基板を分離して個々の有機ＥＬ表示パネルを形成する。
図１２において、マザーＴＦＴ基板１００の端子部４０に端子４１を形成し、マザー対向基板２００に端子開口部５０を形成している。この構成は実施例１で説明した液晶表示装置の場合と同様である。このように、有機ＥＬ表示装置の場合も本発明を適用することによってマザー基板から個々の有機ＥＬ表示パネルを分離するさい、ハーフカットを行なう必要が無いので、工程歩留まり、工程スループットを向上させることが出来る。
図１３は本発明を電気泳動パネルに適用した例である。図１３において、マザーＴＦＴ基板１００には複数のＴＦＴ基板１０が形成され、マザー対向基板２００には複数の対向基板２０が形成されている。マザーＴＦＴ基板１００にはＴＦＴ１０１と配線１０２が形成され、マザー対向基板２００には対向電極２０３が形成されている。対向基板２０とＴＦＴ基板１０との間には、表示カプセル４００が挟持されている。表示カプセル４００内には、黒微粒子４０１と白微粒子４０２が含まれており、電界によって、対向基板２０側への黒微粒子４０１あるいは白微粒子４０２の割合が変化することによって画像を形成する。
図１３において、マザーＴＦＴ基板１００の端子部４０に端子４１が形成され、マザー対向基板２００側には端子部４０に対応する部分に端子開口部５０が形成されている。図１３におけるマザー対向基板２００はプラスチック基板によって形成され、厚さは２００μｍ以下である。
図１３において、マザー対向基板２００には端子開口部５０が予め形成されているので、マザー基板から個々の電気泳動パネルを分離する際、端子部４０のハーフカットを行なう必要が無い。したがって、分離工程におけるスループットの向上、歩留まりの向上を図ることが出来る。
図１４は本発明をパッシブ型の表示装置に適用した例である。以下、液晶表示装置の場合を例にとって説明する。図１４において、ｘ基板５００にはｘ方向に複数のｘ電極５０１が延在している。また、ｙ基板６００にはｙ方向に複数のｙ電極６０１が延在している。ｘ基板５００とｙ基板６００の間に液晶が挟持される。ｘ電極５０１とｙ電極６０１の交点に画素が形成される。
図１４において、ｘ基板５００及びｙ基板６００ともにプラスチックで形成されており、ｘ基板５００及びｙ基板６００とも厚さは２００μｍ以下である。図１４において、ｘ電極５０１及びｙ電極６０１の端部は端子部４０となる。したがって端子部４０と対応する、ｘ基板５００およびｙ基板６００には端子開口部５０が形成されている。
図１４では複数のｘ基板５００が形成されたマザー基板と複数のｙ基板６００が形成されたマザー基板のうちの、１個分の液晶表示パネルのみが記載されている。実際に液晶表示パネル毎に分離する際は、例えば、図１４におけるＡ−Ａ線あるいはＢ−Ｂ線によって切断される。
本実施例においても、マザー基板の状態ですでに端子開口部５０が形成されているので、マザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する際にハーフカットを行なう必要がないので、分離工程におけるスループット、および、歩留まりを向上させることが出来る。
１０…ＴＦＴ基板、 １５…シール材、 ２０…対向基板、 ３０…表示領域、 ４０…端子部、 ４１…端子、 ５０…端子開口部、 ６０…切断線、 ７０…切り残し部、 １００…マザーＴＦＴ基板、 １０１…ＴＦＴ、 １０２…配線、 １０３…平坦化膜、 ２００…マザー対向基板、 ２０１…ブラックマトリクス、 ２０２…カラーフィルタ、 ２０３…対向電極、 ２０４…乾燥材、 ２５０…有機ＥＬ層、 ３００…ガラス層、 ３５０…プラスチック層、 ４００…表示カプセル、 ４０１…黒微粒子、 ４０２…白微粒子、 ５００…ｘ基板、 ５０１…ｘ電極、 ６００…ｙ基板、 ６０１…ｙ電極、 ７００…超硬材チップ、 ７０１…スクライブ、 ７０２…破断部、 ７１０…フルカット処理、 ７２０…ハーフカット処理、 ８００…レーザ、 ８０１…溶解部。

Claims (7)

  1. ＴＦＴと画素電極で構成された画素がマトリクス状に形成された表示領域と端子部が形成されたＴＦＴ基板を複数有するマザーＴＦＴ基板と対向して配置され、前記ＴＦＴ基板と対向して配置される対向基板を複数有するマザー対向基板であって、
    前記マザー対向基板には、前記マザーＴＦＴ基板に形成されている端子部に対応する部分に端子開口部が形成され、
    前記マザー対向基板は板厚が２００μｍ以下のプラスチックで形成されていることを特徴とするマザー対向基板。
  2. 前記マザー対向基板は、１辺が他の辺よりも大きく、ロール状に巻き取ることが出来ることを特徴とする請求項１に記載のマザー対向基板。
  3. 表示領域と端子部が形成された第１基板と、第２基板のペアで形成される表示装置の製造方法であって、
    前記第１基板をマザー第１基板に複数形成し、
    前記第１基板の前記表示領域に対応して第２基板を、前記第１基板の端子部に対応して端子開口部を、厚さが２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー第２基板に形成し、
    前記マザー第１基板と前記マザー第２基板を貼り合わせてマザー基板を形成し、
    前記マザー基板から前記第１基板と前記第２基板のペアを分離することを特徴とする表示装置の製造方法。
  4. 前記マザー基板から前記第１基板と前記対向電極のペアを分離する分離線の少なくとも１辺は、前記端子開口部の内側に存在していることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  5. ＴＦＴと画素電極を含む画素がマトリクス状に形成された表示領域と端子部が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタとスペーサを有する対向基板のペアで形成される液晶表示装置の製造方法あって、
    前記ＴＦＴ基板をマザーＴＦＴ基板に複数形成し、
    前記ＴＦＴ基板の前記表示領域に対応して対向基板を、厚さ２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー対向基板に複数形成し、
    前記カラーフィルタおよび前記スペーサを形成した後、前記マザー対向基板に、前記ＴＦＴ基板の前記端子部に対応する部分に端子開口部を形成し、
    前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板を貼り合わせてマザー基板を形成し、
    前記マザー基板から前記ＴＦＴ基板と前記対向基板のペアを分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  6. 表示領域と端子部を有する第１基板と、前記第１の基板と対向して配置される第２基板とから構成される表示装置であって、
    前記第２基板は、表示領域を含む第１の領域と表示領域を含まない第２の領域から構成され、
    前記第１基板の前記端子部と対応する領域の前記第２基板には端子開口部が形成され、
    前記第２基板の前記第２の領域は、前記第１基板の前記表示領域および前記第１基板の前記端子部とは対向して配置されておらず、
    前記第１基板と前記第２基板の前記第１の領域はシール材を介して接着し、前記第１基板と前記第２基板の前記第２の領域はシール材を介して接着していることを特徴とする表示装置。
  7. 第１の方向に延在する複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
    第２の方向に延在する複数の第２の電極が形成された第２の基板を有し、前記第１の電極と前記第２の電極の交点に表示領域を構成する画素が形成され、前記複数の前記第１の電極の端部に第１の端子部が形成され、前記複数の前記第２の電極の端部に第２の端子部が形成されたパッシブ型表示装置の製造方法であって、
    厚さ２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー第１基板に前記第１基板を複数形成し、
    厚さ２００μｍ以下のプラスチックで形成されたマザー第２基板に前記第基板を複数形成、
    前記マザー第１基板に、前記第２基板に形成された第２の端子に対応する部分に端子開口部を形成し、
    前記マザー第２基板に、前記第１基板に形成された第１の端子に対応する部分に端子開口部を形成し、
    前記マザー第１基板と前記マザー第２基板を貼り合わせてマザー基板を形成し、
    前記マザー基板から、個々の前記パッシブ型表示装置を分離することを特徴とするパッシブ型表示装置の製造方法。
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