CN107546334A - 包括防反射层的显示装置 - Google Patents

包括防反射层的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107546334A
CN107546334A CN201710507178.9A CN201710507178A CN107546334A CN 107546334 A CN107546334 A CN 107546334A CN 201710507178 A CN201710507178 A CN 201710507178A CN 107546334 A CN107546334 A CN 107546334A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
pixel region
display device
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710507178.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107546334B (zh
Inventor
金头焕
曹尚焕
崔忠硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107546334A publication Critical patent/CN107546334A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107546334B publication Critical patent/CN107546334B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括基底、第一电极、有机发光层、第二电极、相位匹配层以及至少一个光吸收层。基底包括多个像素区域以及多个非像素区域。非像素区域布置在相邻的像素区域之间。第一电极布置在每个像素区域中。有机发光层布置在第一电极上。第二电极布置在有机发光层上。相位匹配层布置在第二电极上。所述至少一个光吸收层布置在相位匹配层上。非像素区域中的第二电极的厚度与像素区域中的第二电极的厚度不同。

Description

包括防反射层的显示装置
本申请要求于2016年6月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0080941号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括防反射层的显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是自发射型显示装置。与诸如液晶显示器(LCD)的光接收型显示装置相比，有机发光显示装置可以具有相对大的视角、相对高的对比度和相对高的响应速度。
有机发光显示装置可以包括多个金属图案或多个金属层。金属图案和金属层可以反射外部光。为了减少或防止外部光被反射，装置可以包括偏振板。偏振板可以包括偏振器和相位延迟板。然而，会使从装置内部发射的光的透射率劣化。
发明内容
本发明的一个或更多个示例性实施例涉及一种具有增强的图像质量的显示装置。
本发明的一个或更多个示例性实施例提供了一种显示装置。所述显示装置包括基底、第一电极、有机发光层、第二电极、相位匹配层以及至少一个光吸收层。基底包括多个像素区域以及多个非像素区域。非像素区域布置在相邻的像素区域之间。第一电极布置在每个像素区域中。有机发光层布置在第一电极上。第二电极布置在有机发光层上。相位匹配层布置在第二电极上。所述至少一个光吸收层布置在相位匹配层上。非像素区域中的第二电极的厚度与像素区域中的第二电极的厚度不同。
像素区域中的第二电极可以是半透射反射层。非像素区域中的第二电极可以是反射层。
非像素区域中的第二电极的厚度可以比像素区域中的第二电极的厚度大。
非像素区域中的第二电极的厚度可以比像素区域中的第二电极的厚度大不小于
非像素区域中的第二电极的厚度为约至约
非像素区域中的第二电极的厚度为像素区域中的第二电极的厚度的约4/3至约10/3。
可见光线区域中的光吸收层可以包括材料的折射率和消光系数的乘积不小于0.5的材料。
可见光线区域中的光吸收层可以包括材料的折射率和消光系数的乘积可以为约2至约4的材料。
光吸收层可以包括Cr、Mo、Ti、Co、Ni、Al、W、Mn、CrNx、TiNx、TiAlNx、MoOx、CuOx或它们的组合物。
可见光线区域中的相位匹配层可以包括具有不小于1的折射率和不大于5的消光系数的材料。
相位匹配层可以包括SiNx、SiOx、SiCN、LiF、MgF2、CaF2或它们的任意组合物。
显示装置还可以包括薄膜包封层。薄膜包封层可以布置在光吸收层上。
显示装置还可以包括光阻挡图案。光阻挡图案可以在非像素区域中布置在薄膜包封层上。
显示装置还包括触摸屏。触摸屏可以布置在薄膜包封层与光阻挡图案之间。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的这些和其它方面将变得更加清楚，在附图中：
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图；
图2是示出根据本发明的示例性实施例的图1的区域EA1的放大图；
图3是根据本发明的示例性实施例的沿图2的线I-I’截取的剖视图；
图4是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图；
图5是根据本发明的示例性实施例的图4的区域EA2的放大图；
图6是根据本发明的示例性实施例的图4的区域EA3的放大图；
图7是示出按照根据本发明的示例性实施例的像素区域和非像素区域中的第二电极的厚度测量的显示装置的反射率的曲线图；
图8是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图；
图9是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。将理解的是，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应被解释为局限于这里阐述的本发明的实施例。
贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以指示同样的元件。
为了描述的清楚，可以夸大附图中元件的尺寸。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上方”时，该元件可以直接位于所述另一元件的上方或者可以存在中间元件。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图。图2是根据本发明的示例性实施例的图1的区域EA1的放大图。图3是根据本发明的示例性实施例的沿图2的线I-I’截取的剖视图。
参照图1至图3，显示装置可以包括有效区AR和非有效区NAR。有效区AR可以包括多个像素区域PXA。非有效区NAR可以与有效区AR相邻。例如，非有效区NAR可以围绕有效区AR。
显示装置可以包括阵列基底ASB、多个有机发光二极管(OLED)、防反射层ARL和包封构件CPL。OLED可以分别布置在像素区域PXA中。OLED可以形成在阵列基底ASB上。包封构件CPL可以布置在防反射层ARL上。
阵列基底ASB可以包括基体基底SUB、第一薄膜晶体管(TFT)T1、第二TFT T2和电容器Cst。第一TFT T1、第二TFT T2和电容器Cst可以分别布置在像素区域PXA中。第一TFT T1、第二TFT T2和电容器Cst均可以形成在基体基底SUB上。
基体基底SUB可以包括透明绝缘材料。基体基底SUB可以透射光。基体基底SUB可以是相对刚性的基底。例如，基体基底SUB可以包括玻璃、石英、玻璃陶瓷或晶体玻璃。
基体基底SUB可以是相对柔性的基底。例如，基体基底SUB可以是膜基体基底或塑料基体基底。基体基底SUB可以包括相对高分子有机材料。例如，基体基底SUB可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。基体基底SUB也可以包括玻璃纤维增强塑料(FGRP)。
在显示装置的制造工艺期间，包括在基体基底SUB中的材料可以具有抵抗相对高的加工温度的抵抗力(例如，相对高的耐热性)。
第一TFT T1或第二TFT T2可以是开关器件。例如，第一TFT T1可以是开关器件。因此，第一TFT T1可以连接到栅极线SL和数据线DL中的每条。
第一TFT T1和第二TFT T2中的另一个可以是驱动器件。例如，第二TFT T2可以是驱动器件。因此，第二TFT T2可以连接到电容器Cst和电源线VL中的每个。
第一TFT T1和第二TFT T2中的每个可以包括半导体层SA、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。栅电极GE可以与半导体层SA绝缘。漏电极DE可以连接到半导体层SA。
半导体层SA可以布置在基体基底SUB上。半导体层SA可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、氧化物半导体或有机半导体。氧化物半导体可以包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)或它们的混合物。例如，氧化物半导体可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。
在半导体层SA中，源区和漏区可以分别连接到源电极SE和漏电极DE。源区和漏区均可以掺杂有杂质。可选择地，杂质可以注入到源区和漏区中的每个中。半导体层SA也可以包括沟道区。沟道区可以设置在源区和漏区之间。
当半导体层SA包括氧化物半导体时，光阻挡层可以布置在半导体层SA的上方和下方。光阻挡层可以构造为阻挡由半导体层SA接收的光。
缓冲层BUL可以布置在基体基底SUB和半导体层SA之间。缓冲层BUL可以包括氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)。缓冲层BUL可以具有多层结构。例如，缓冲层BUL可以包括包含氧化硅的第一层和布置在第一层上并包含氮化硅的第二层。缓冲层BUL也可以包括氮氧化硅(SiON)。缓冲层BUL可以减少或防止杂质从基体基底SUB扩散并渗透到第一TFT T1和第二TFT T2中的每个的半导体层SA中。缓冲层BUL也可以减少或防止第一TFT T1和第二TFT T2的电特性劣化。
缓冲层BUL可以防止湿气和氧从外部渗透到OLED OLED中。缓冲层BUL可以使基体基底SUB的表面平坦化。
栅极绝缘层GI可以布置在基体基底SUB和半导体层SA中的每个上。栅极绝缘层GI可以覆盖半导体层SA。栅极绝缘层GI可以使半导体层SA和栅电极GE彼此绝缘。栅极绝缘层GI可以包括氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)。
栅极线SL、栅电极GE和电容器Cst的第一电容器电极C1中的每个可以布置在栅极绝缘层GI上。栅极线SL可以在一个方向上延伸。
层间介电层ILD可以布置在栅极绝缘层GI、栅极线SL、栅电极GE和第一电容器电极C1中的每个上。层间介电层ILD可以覆盖栅电极GE。层间介电层ILD可以包括氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)。可以去除层间介电层ILD的一部分使得半导体层SA的源区和漏区被暴露。
数据线DL、电源线VL、电容器Cst的第二电容器电极C2、源电极SE和漏电极DE中的每个可以布置在层间介电层ILD上。数据线DL可以与栅极线SL绝缘。数据线DL可以与栅极线SL相交。电源线VL可以设置为与数据线DL分开。
源电极SE和漏电极DE均可以(例如，通过层间介电层ILD)与栅电极GE绝缘。源电极SE和漏电极DE可以分别连接到源区和漏区。
根据本发明的示例性实施例，第二TFT T2和第一TFT T1均可以为顶栅型TFT。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，第二TFT T2和第一TFT T1中的至少一个可以是底栅型TFT。
电容器Cst可以包括第一电容器电极C1和第二电容器电极C2。第一电容器电极C1可以包括与栅极线SL和栅电极GE中的每个基本相同的材料。第一电容器电极C1可以与栅极线SL和栅电极GE中的每个布置在同一层中。
第二电容器电极C2可以包括与数据线DL、电源线VL、源电极SE和漏电极DE中的每个基本相同的材料。第二电容器电极C2可以与数据线DL、电源线VL、源电极SE和漏电极DE中的每个布置在同一层中。
保护层PSV可以布置在其上布置有第一TFT T1、第二TFT T2和电容器Cst的基体基底SUB上。保护层PSV可以覆盖第一TFT T1、第二TFT T2和电容器Cst中的每个。保护层PSV可以暴露第二TFT T2的漏电极DE的一部分。
保护层PSV可以包括至少一个层。例如，保护层PSV可以包括无机保护层和有机保护层中的至少一种。无机保护层可以覆盖第一TFT T1、第二TFT T2和电容器Cst中的每个。有机保护层可以布置在无机保护层上。
无机保护层可以包括氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)。有机保护层也可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以透射光。例如，有机保护层可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯树脂或它们的任意组合物。
连接到第二TFT T2的漏电极DE的OLED OLED可以布置在保护层PSV上。
OLED OLED可以包括第一电极AE、有机层OL和第二电极CE。第一电极AE可以连接到第二TFT T2的漏电极DE。有机层OL可以布置在第一电极AE上。第二电极CE可以布置在有机层OL上。
第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是阳极。第一电极AE和第二电极CE中的另一个可以是阴极。例如，第一电极AE可以是阳极。第二电极CE可以是阴极。
第一电极AE和第二电极CE中的至少一个可以是透射电极。例如，当OLED OLED是后发射型OLED时，第一电极AE可以是透射电极，第二电极CE可以是反射电极。当OLED OLED是前发射型OLED时，第一电极AE可以是反射电极，第二电极CE可以是透射电极。当OLED OLED是双侧发射型OLED时，第一电极AE和第二电极CE均可以是透射电极。根据本发明的示例性实施例，第一电极AE可以是阳极，OLED OLED可以是前发射型OLED。
第一电极AE可以布置在保护层PSV上。第一电极AE可以包括反射层和透明导电层。反射层可以反射光。透明导电层可以布置在反射层的上方或下方。反射层和透明导电层中的至少一个可以连接到第二TFT T2的漏电极DE。
反射层可以包括可以反射光的材料。例如，反射层可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)、它们的合金或它们的组合物。
透明导电层可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)、掺氟氧化锡(FTO)或它们的任意组合物的透明导电氧化物。
像素限定层PDL可以布置在第一电极AE和保护层PSV中的每个上。像素限定层PDL可以暴露第一电极AE的一部分。例如，像素限定层PDL可以覆盖第一电极AE的边缘和保护层PSV的未覆盖有第一电极AE的部分。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷类树脂或硅烷类树脂。
有机层OL可以具有多层薄膜结构。多层薄膜结构可以包括发射层(EML)。例如，有机层OL可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。空穴注入层HIL可以注入空穴。空穴传输层HTL可以具有相对高的空穴的可传输性。空穴传输层HTL可以防止未在发射层EML中结合的电子移动，从而增加空穴和电子的复合概率。发射层EML可以例如通过注入的电子和空穴的复合来发光。电子传输层ETL可以相对容易地将电子传输到发射层。电子注入层EIL可以注入电子。空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL可以是公共层。公共层可以延伸到相邻的像素区域PXA。公共层也可以由像素区域PXA共享。由发射层产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色或白色。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，由有机层OL的发射层产生的光的颜色可以是品红、青色或黄色。
第二电极CE可以布置在有机层OL上。第二电极CE可以是半透射反射层。例如，第二电极CE可以是薄金属层。薄金属层可以具有光可以透射过薄金属层的厚度。第二电极CE可以透射由有机层OL产生的光的一部分。第二电极CE可以反射由有机层OL产生的剩余光。从第二电极CE反射的光可以从第一电极AE的反射层被反射并且可以例如由于相长干涉(constructive interference)而穿过第二电极CE。
第二电极CE可以包括具有比第一电极AE的透明导电层的逸出功低的逸出功的材料。例如，第二电极CE可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、锂(Li)、它们的合金或它们的任意组合物。
防反射层ARL可以布置在第二电极CE上。防反射层ARL可以包括至少一个相位匹配层PML和至少一个光吸收层ABL。所述至少一个相位匹配层PML可以布置在第二电极CE上。所述至少一个光吸收层ABL可以布置在相位匹配层PML上。
包封构件CPL可以布置在防反射层ARL上。包封构件CPL可以使OLED OLED与外部环境隔离。例如，包封构件CPL可以减少或防止外部湿气和氧渗透到OLED OLED中。
包封构件CPL可以是薄膜包封层。薄膜包封层可以包括多个无机层和多个有机层。无机层和有机层可以布置在防反射层ARL上。例如，在包封构件CPL中，无机层和有机层可以交替地布置在防反射层ARL上。包封构件CPL的最上层可以是无机层。
无机层可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrOx)、氧化锡(SnO)或它们的任意组合物。
与图1至图3的元件相同的元件可以由相同的附图标记表示。因此，可以省略它们的详细描述。
图4是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。图5是根据本发明的示例性实施例的图4的区域EA2的放大图。图6是根据本发明的示例性实施例的图4的区域EA3的放大图。
参照图4至图6，显示装置可以包括多个像素区域PXA。例如，显示装置可以包括红像素区域RPXA、绿像素区域GPXA和蓝像素区域BPXA。
显示装置可以包括阵列基底ASB、OLED OLED、防反射层ARL和包封构件CPL。OLEDOLED可以分别布置在形成在阵列基底ASB上的像素区PXA中。防反射层ARL可以覆盖OLED。包封构件CPL可以布置在防反射层ARL上。
布置在红像素区域RPXA中的OLED OLED可以发射红光。布置在绿像素区域GPXA中的OLED OLED可以发射绿光。布置在蓝像素区域BPXA中的OLED OLED可以发射蓝光。
OLED OLED中的每个可以包括第一电极AE、有机层OL和第二电极CE。第一电极AE可以布置在阵列基底ASB上。有机层OL可以布置在第一电极AE上。第二电极CE可以布置在有机层OL上。
第一电极AE可以包括反射层RML和透明导电层TCL。反射层RML可以反射光。透明导电层TCL可以布置在反射层RML的上方或下方。例如，透明导电层TCL可以布置在反射层RML上。
像素限定层PDL可以布置在第一电极AE和阵列基底ASB中的每个上。像素限定层PDL可以暴露第一电极AE的一部分。例如，像素限定层PDL可以覆盖第一电极AE的边缘和阵列基底ASB的未覆盖有第一电极AE的部分。
有机层OL可以包括发射层。当通过使从第一电极AE和第二电极CE供应的电子和空穴结合而产生的激子的能级从激发态改变为基态时，可以发光。发射的光可以具有与改变的能级对应的颜色。
红像素区域RPXA的有机层OL可以发射红光。绿像素区域GPXA的有机层OL可以发射绿光。蓝像素区域BPXA的有机层OL可以发射蓝光。
因此，从有机层OL发射的光的颜色可以是红色、绿色或蓝色。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，从有机层OL发射的光的颜色可以是品红、青色、黄色或白色。
像素区域PXA中的第二电极CE的反光特性和非像素区域NPXA中的第二电极CE的反光特性可以彼此不同。例如，像素区域PXA的第二电极CE可以是半透射反射层，非像素区域NPXA中的第二电极CE可以是反射层。
像素区域PXA中的第二电极CE和非像素区域NPXA中的第二电极CE可以具有不同的厚度。非像素区域NPXA中的第二电极CE的厚度可以大于像素区域PXA中的第二电极CE的厚度。例如，非像素区域NPXA中的第二电极CE的厚度可以比像素区域PXA中的第二电极CE的厚度大不小于约
非像素区域NPXA中的第二电极CE的厚度可以为像素区域PXA中的第二电极CE的厚度的约4/3至约10/3。像素区域PXA中的第二电极CE可以具有光可以透射过第二电极CE的厚度。例如，像素区域PXA中的第二电极CE可以具有约的厚度。因此，非像素区域NPXA中的第二电极CE的厚度可以在约至约的范围内。
防反射层ARL可以包括至少一个相位匹配层PML和至少一个光吸收层ABL。所述至少一个相位匹配层PML可以布置在第二电极CE上。所述至少一个光吸收层ABL可以布置在相位匹配层PML上。
相位匹配层PML可以具有在从第二电极CE反射的光和从第一电极AE的反射层RML反射的光之间发生的相长干涉。例如，从第二电极CE反射的光和从第一电极AE的反射层RML反射的光可以例如由于相位匹配层PML而具有满足相长干涉条件的相位差。因此，红像素区域RPXA的相位匹配层PML的厚度、绿像素区域GPXA的相位匹配层PML的厚度以及蓝像素区域BPXA的相位匹配层PML的厚度均可以彼此不同。例如，红像素区域RPXA的相位匹配层PML的厚度可以是最大厚度。蓝像素区域BPXA的相位匹配层PML的厚度可以是最小厚度。
相位匹配层PML可以是光学透明的。光学透明可以指透射不小于约50％(例如，不小于约80％)的可见光线。
在可见光线区域中，相位匹配层PML可以包括具有不小于1的折射率和不大于5的消光系数的材料。例如，相位匹配层PML可以包括氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、氟化锂(LiF)、氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCN)、氮氧化硅(SiON)、氧化钽(TaxOy)、氧化钛(TiOx)或它们的任何组合物。
相位匹配层PML可以包括透明导电氧化物。例如，相位匹配层PML可以包括氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO)。
相位匹配层PML可以包括导电有机材料。例如，相位匹配层PML可以包括聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、PEDOT:PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸)、聚苯胺或它们的任意组合物。当相位匹配层PML包括透明导电氧化物或导电有机材料时，可以减少或防止由第二电极CE产生的IR下降现象。
光吸收层ABL可以是半透射反射层。可以在从光吸收层ABL反射的光和从第二电极CE反射的光之间发生相长干涉。可以在从光吸收层ABL反射的光和从反射层RML反射的光之间发生相长干涉。
在可见光线区域中，光吸收层ABL可以包括折射率和消光系数的乘积不小于约0.5(例如，在约2至约4的范围内)的材料。例如，光吸收层ABL可以包括Cr、Ti、Mo、Co、Ni、W、Al、Ag、Au、Cu、Fe、Mg、Pt、Mn、它们的合金或它们的任意组合物。光吸收层ABL可以包括氮化铬(CrNx)、氮化钛(TiNx)、氮化钛铝(TiAlNx)、氧化钼(MoOx)、氧化铜(CuOx)或它们的组合物。
参照图5，在像素区域PXA中，入射在显示装置上的外部光L0的一部分可以从光吸收层ABL被反射。剩余的光可以穿过光吸收层ABL。穿过光吸收层ABL的一部分光可以从第二电极CE被反射。剩余的光可以穿过第二电极CE。穿过第二电极CE的光可以从反射层RML被反射。
在像素区域PXA中，从光吸收层ABL反射的第一反射光L1、从第二电极CE反射的第二反射光L2和从反射层RML反射的第三反射光L3均可以例如通过消光干涉(extinctioninterference)而被消除。在像素区域PXA中，防反射层ARL可以减少或防止外部光被反射。
显示装置的非像素区域NPXA中的第二电极CE的厚度可以大于像素区域PXA中的第二电极CE的厚度。
参照图6，在非像素区域NPXA中，入射在显示装置上的外部光L0的一部分可以从光吸收层ABL被反射。剩余的光可以穿过光吸收层ABL，并且可以从第二电极CE被反射。
在非像素区域NPXA中，从第二电极CE被反射的第二反射光L2和从光吸收层ABL被反射的第一反射光L1均可以例如通过消光干涉而被消除。在非像素区域NPXA中，防反射层ARL可以减少或防止外部光被反射。
在非像素区域NPXA中，外部光的相对小的一部分可以穿过第二电极CE。穿过第二电极CE的光可以从阵列基底ASB的金属层(例如，栅极线、数据线、电源线、第一电容器电极、第二电容器电极、源电极或漏电极)被反射。然而，从阵列基底ASB被反射的光不会穿过第二电极CE。因此，从阵列基底ASB反射的光可以再次从第二电极CE被反射。因此，外部光的穿过第二电极CE的光可以在第二电极CE和阵列基底ASB之间被消除。
显示装置可以通过使用防反射层ARL来减少或防止外部光被反射。因此，显示装置可以减少或防止由于外部光而引起的图像质量劣化，而不需要附加的偏振板。
图7是按照根据本发明的示例性实施例的像素区域和非像素区域中的第二电极的厚度测量的显示装置的反射率的曲线图。图7和表1中测量的显示装置包括：第一电极，包括包含Al的反射层和包含ITO的透明导电层；第二电极，包括有机层和MgAg；防反射层，布置在第二电极上并包括相位匹配层和光吸收层。反射层和第二电极之间的距离为约
[表1]
根据像素区域和非像素区域中的第二电极的厚度测量的反射率
参照图7，当非像素区域中的第二电极的厚度大于像素区域中的第二电极的厚度时，显示装置的非像素区域的反射率减小。
显示装置的非像素区域中的反射率减小的原因可以如下。
在非像素区域中，外部光的大部分可以从第二电极被反射，外部光的相对小的一部分可以穿过第二电极。从第二电极被反射的光和从光吸收层被反射的光可以例如由于消光干涉而被消除。在非像素区域中外部光的穿过第二电极的光的量可以比在像素区域中穿过第二电极的光的量小。虽然穿过第二电极的光会从阵列基底反射，但是光可以不穿过第二电极并且可以在不发射到外部的情况下被消除。
当非像素区域中的第二电极的厚度比像素区域中的第二电极的厚度大时，可以减小非像素区域的反射率。
在图8和图9中，与图1至图6相同的元件可以由相同的附图标记来表示，并可以省略其详细描述，将主要描述图8和图9与图1至图6之间的区别。
图8是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图8，显示装置可以包括多个像素区域PXA。例如，显示装置可以包括红像素区域RPXA、绿像素区域GPXA和蓝像素区域BPXA。
显示装置可以包括阵列基底ASB、OLED OLED、防反射层ARL、包封构件CPL和光阻挡图案BM。OLED OLED可以分别布置在形成在阵列基底ASB上的像素区域PXA中。防反射层ARL可以覆盖OLED OLED。包封构件CPL可以布置在防反射层ARL上。光阻挡图案BM可以布置在包封构件CPL上。
OLED OLED中的每个可以包括第一电极AE、有机层OL和第二电极CE。第一电极AE可以布置在阵列基底ASB上。第一电极AE可以包括反射层RML和透明导电层TCL。有机层OL可以布置在第一电极AE上。第二电极CE可以布置在有机层OL上。
像素区域PXA中的第二电极CE的反光特性和非像素区域NPXA中的第二电极CE的反光特性可以彼此不同。例如，像素区域PXA的第二电极CE可以是半透射反射层，非像素区域NPXA中的第二电极CE可以是反射层。
像素区域PXA中的第二电极CE和非像素区域NPXA中的第二电极CE可以具有不同的厚度。像素区域PXA中的第二电极CE的厚度可以小于非像素区域NPXA中的第二电极CE的厚度。
防反射层ARL可以包括至少一个相位匹配层PML和至少一个光吸收层ABL。所述至少一个相位匹配层PML可以布置在第二电极CE上。所述至少一个光吸收层ABL可以布置在相位匹配层PML上。
包封构件CPL可以布置在防反射层ARL上。包封构件CPL可以使OLED OLED与外部环境隔离。例如，包封构件CPL可以减少或防止外部湿气和氧渗透到OLED OLED中。
光阻挡图案BM可以例如在相邻的像素区域PXA之间的区域中布置在包封构件CPL上。光阻挡图案BM可以减少或防止从相邻的像素区域PXA发射的光分量的颜色彼此混合。因此，光阻挡图案BM可以提高显示装置的显示特性。
光阻挡图案BM可以包括感光黑树脂组合物或具有相对低的反光率的金属。因此，光阻挡图案BM可以吸收外部光。光阻挡图案BM可以减少或防止外部光被反射。光阻挡图案BM可以提高显示装置的对比度。
图9是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图9，显示装置可以包括多个像素区域PXA。例如，显示装置可以包括红像素区域RPXA、绿像素区域GPXA和蓝像素区域BPXA。
显示装置可以包括阵列基底ASB、OLED OLED、防反射层ARL、包封构件CPL、触摸屏TSP和光阻挡图案BM。OLED OLED可以分别布置在形成在阵列基底ASB上的像素区域PXA中。防反射层ARL可以覆盖OLED OLED。包封构件CPL可以布置在防反射层ARL上。触摸屏TSP可以布置在包封构件CPL上。光阻挡图案BM可以布置在触摸屏TSP上。
OLED OLED中的每个可以包括第一电极AE、有机层OL和第二电极CE。第一电极AE可以布置在阵列基底ASB上。第一电极AE可以包括反射层RML和透明导电层TCL。有机层OL可以布置在第一电极AE上。
像素区域PXA中的第二电极CE的反光特性和非像素区域NPXA中的第二电极CE的反光特性可以彼此不同。例如，像素区域PXA的第二电极CE可以是半透射反射层，非像素区域NPXA中的第二电极CE可以是反射层。
像素区域PXA中的第二电极CE和非像素区域NPXA中的第二电极CE可以具有不同的厚度。像素区域PXA中的第二电极CE的厚度可以小于非像素区域NPXA中的第二电极CE的厚度。
防反射层ARL可以包括至少一个相位匹配层PML和至少一个光吸收层ABL。所述至少一个相位匹配层PML可以布置在第二电极CE上。所述至少一个光吸收层ABL可以布置在相位匹配层PML上。
包封构件CPL可以布置在防反射层ARL上。包封构件CPL可以使OLED OLED与外部环境隔离。例如，包封构件CPL可以减少或防止外部湿气和氧渗透到OLED OLED中。
触摸屏TSP可以是信息输入装置。触摸屏TSP可以布置在包封构件CPL上。用户可以通过按压或触摸包括在触摸屏中的触摸传感器来输入信息。触摸屏可以包括多个感测电极和多条感测线。感测线可以连接到感测电极。
光阻挡图案BM可以例如在相邻的像素区域PXA之间的区域中布置在包封构件CPL上。光阻挡图案BM可以减少或防止从相邻的像素区域PXA发射的光分量的颜色彼此混合。因此，光阻挡图案BM可以提高显示装置的显示特性。
在这里已经公开了本发明的示例性实施例，尽管采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的含义来使用它们并将对它们进行解释，而不是为了限制的目的。如本领域普通技术人员将清楚的是，除非另外明确地指示，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括多个像素区域以及多个非像素区域，其中，所述多个非像素区域中的每个布置在相邻的像素区域之间；
第一电极，布置在每个像素区域中；
有机发光层，布置在所述第一电极上；
第二电极，布置在所述有机发光层上；
相位匹配层，布置在所述第二电极上；以及
至少一个光吸收层，布置在所述相位匹配层上，
其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极的厚度与所述多个像素区域中的所述第二电极的厚度不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个像素区域中的所述第二电极是半透射反射层，
其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极是反射层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极的厚度比所述多个像素区域中的所述第二电极的厚度大。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极的厚度比所述多个像素区域中的所述第二电极的厚度大不小于
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极的厚度为至
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极的厚度为所述多个像素区域中的所述第二电极的厚度的4/3至10/3。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，可见光线区域中的所述光吸收层包括材料的折射率和消光系数的乘积不小于0.5的材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，可见光线区域中的所述光吸收层包括材料的折射率和消光系数的乘积为2至4的材料。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述光吸收层包括Cr、Mo、Ti、Co、Ni、Al、W、Mn、CrNx、TiNx、TiAlNx、MoOx、CuOx或它们的组合物。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，可见光线区域中的所述相位匹配层包括具有不小于1的折射率和不大于5的消光系数的材料。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述相位匹配层包括SiNx、SiOx、SiCN、LiF、MgF2、CaF2或它们的任意组合物。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括布置在所述光吸收层上的薄膜包封层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述多个非像素区域中布置在所述薄膜包封层上的光阻挡图案。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括布置在所述薄膜包封层与所述光阻挡图案之间的触摸屏。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括多个像素区域以及多个非像素区域，其中，所述多个非像素区域设置在相邻的像素区域之间；
第一电极，设置在每个像素区域中；
有机发光层，设置在所述第一电极上；
第二电极，设置在所述有机发光层上；以及
防反射层，设置在所述第二电极上；
其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极的厚度与所述多个像素区域中的所述第二电极的厚度不同。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，防反射层包括设置在所述第二电极上的至少一个相位匹配层以及设置在所述至少一个相位匹配层上的至少一个光吸收层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，可见光线区域中的所述光吸收层包括材料的折射率和消光系数的乘积不小于0.5的材料。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述多个像素区域中的所述第二电极是半透射反射层，
其中，所述多个非像素区域中的所述第二电极是反射层。
19.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述防反射层上的包封构件。
CN201710507178.9A 2016-06-28 2017-06-28 包括防反射层的显示装置 Active CN107546334B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160080941A KR102492219B1 (ko) 2016-06-28 2016-06-28 표시 장치
KR10-2016-0080941 2016-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107546334A true CN107546334A (zh) 2018-01-05
CN107546334B CN107546334B (zh) 2021-12-03

Family

ID=60677083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710507178.9A Active CN107546334B (zh) 2016-06-28 2017-06-28 包括防反射层的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10181585B2 (zh)
KR (1) KR102492219B1 (zh)
CN (1) CN107546334B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019001069A1 (zh) * 2017-06-28 2019-01-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN110581229A (zh) * 2019-09-11 2019-12-17 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102561120B1 (ko) * 2016-09-23 2023-07-28 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치
KR20180063943A (ko) * 2016-12-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 기판, 이를 구비하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106653776B (zh) * 2017-01-20 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN112612373B (zh) * 2020-12-22 2023-04-28 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000231990A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Toray Ind Inc 発光素子およびその製造方法
GB2351840A (en) * 1999-06-02 2001-01-10 Seiko Epson Corp Multicolour light emitting devices.
KR100491144B1 (ko) * 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100579194B1 (ko) * 2004-05-28 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법
KR20100037876A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR101321878B1 (ko) * 2009-09-25 2013-10-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR101076262B1 (ko) * 2009-11-05 2011-10-27 한국과학기술원 무반사 유기 발광 다이오드 소자
KR101753772B1 (ko) * 2010-10-22 2017-07-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101878979B1 (ko) 2011-10-21 2018-07-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN202930382U (zh) * 2012-12-12 2013-05-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR102405610B1 (ko) 2014-04-14 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지 구조물 및 표시 장치
KR102250043B1 (ko) * 2014-09-11 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016225221A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子
CN110164880B (zh) * 2015-06-09 2022-05-10 群创光电股份有限公司 显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019001069A1 (zh) * 2017-06-28 2019-01-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
US11251409B2 (en) 2017-06-28 2022-02-15 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
CN110581229A (zh) * 2019-09-11 2019-12-17 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180002115A (ko) 2018-01-08
KR102492219B1 (ko) 2023-01-27
US20170373282A1 (en) 2017-12-28
US10181585B2 (en) 2019-01-15
CN107546334B (zh) 2021-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10976853B2 (en) Display device
US11355563B2 (en) Display device with high refractive index and low refractive index layers
CN107546334A (zh) 包括防反射层的显示装置
US10879485B2 (en) Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
CN104064579B (zh) 有机发光二极管显示器
KR102253531B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210134886A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11889723B2 (en) Display device including a light blocking layer over a pixel defining layer
US20150243712A1 (en) Organic light emitting display
EP2211397A2 (en) Organic Light Emitting Diode Display
US9337448B2 (en) Organic light emitting display
KR20160071567A (ko) 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20160087982A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102608416B1 (ko) 디스플레이 장치
CN110491900A (zh) 显示装置
KR20150124075A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20160069627A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170055587A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20170119801A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102453922B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치
KR102638950B1 (ko) 전계 발광 표시 장치
KR20220112906A (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant