KR20160071567A - 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160071567A KR20160071567A KR1020140178631A KR20140178631A KR20160071567A KR 20160071567 A KR20160071567 A KR 20160071567A KR 1020140178631 A KR1020140178631 A KR 1020140178631A KR 20140178631 A KR20140178631 A KR 20140178631A KR 20160071567 A KR20160071567 A KR 20160071567A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- display panel
- light emitting
- substrate
- insulating layer
- disposed
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 160
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 255
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 14
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
기판의 저면에 차광 부재를 구비하여 외광 반사를 감소시키는 표시 패널은 서브 화소 영역들을 포함하는 복수의 화소 영역들 및 화소 영역들에 인접하여 위치하는 복수의 투과 영역들을 포함하는 기판, 화소 영역들의 기판 상면에 배치되는 발광 구조물들, 발광 구조물들 상에 배치되는 봉지 기판 및 화소 영역들의 기판 저면에 배치되고, 투과 영역들에 위치하는 개구들을 가지는 차광 부재를 포함할 수 있다. 이에 따라, 외광 반사가 감소됨으로써 투과 영역을 통해 투과되는 대상의 이미지의 선명도를 증가시킬 수 있다.
Description
본 발명은 표시 패널 및 표시 패널 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 차광 부재를 구비하는 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
최근 투과 영역과 화소 영역을 구비하여, 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과시킬 수 있는 투명 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 또한, 이러한 투명 유기 발광 표시 장치와 표시 장치가 연결된 형태의 전자 기기(예를 들어, 커버 디스플레이)가 개발되고 있다. 여기서, 투명 유기 발광 표시 장치는 표시 장치의 커버의 형태로 열림 상태 또는 닫힘 상태로 기능할 수 있다. 이 경우, 투명 유기 발광 표시 장치를 통해 표시 장치에서 디스플레이되는 이미지를 볼 때(예를 들어, 닫힘 상태) 표시 장치에서 방출된 광의 일부가 투명 유기 발광 표시 장치의 저면에서 반사되기 때문에 전자 기기의 시인성이 감소될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 기판의 저면에 차광 부재를 구비하는 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 기판의 저면에 차광 부재를 구비하는 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널은 서브 화소 영역들을 포함하는 복수의 화소 영역들 및 상기 화소 영역들에 인접하여 위치하는 복수의 투과 영역들을 포함하는 기판, 상기 화소 영역들의 상기 기판 상면에 배치되는 발광 구조물들, 상기 발광 구조물들 상에 배치되는 봉지 기판 및 상기 화소 영역들의 상기 기판 저면에 배치되고, 상기 투과 영역들에 위치하는 개구들을 가지는 차광 부재를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 차광 부재의 개구들의 크기는 상기 투과 영역들의 크기와 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 차광 부재는 상기 기판의 저면 상에서 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장될 수 있고, 상기 차광 부재의 개구의 크기가 상기 투과 영역의 크기보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물들은 액티브층, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극들을 포함하며 상기 기판 상의 상기 화소 영역들에 배치되는 반도체 소자들, 상기 반도체 소자들 상에 배치되는 제1 전극들, 상기 제1 전극들 상에 배치되는 발광층들 및 상기 발광층들 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 배치되고, 액티브층을 커버하며 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 게이트 전극을 커버하며 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극들을 커버하며 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제3 절연층 및 상기 제3 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 제4 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제1 내지 제4 절연층들 중 적어도 하나가 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 절연층들이 위치 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제2 전극이 위치하지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제2 전극이 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판의 저면 상에 배치되고, 상기 차광 부재를 커버하며 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되는 보호층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호층은 개구들을 포함할 수 있고, 상기 보호층의 개구들은 상기 차광 부재의 개구들 상에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호층의 개구의 크기는 상기 차광 부재의 개구의 크기와 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 2개의 화소 영역들과 상기 적어도 2개의 투과 영역들이 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 번갈아 가며 배열될 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 서브 화소 영역들을 포함하는 화소 영역들 및 투과 영역들을 포함하는 기판, 상기 화소 영역들의 상기 기판 상면에 배치되는 발광 구조물들, 상기 발광 구조물들 상에 배치되는 봉지 기판 및 상기 화소 영역들의 상기 기판 저면에 배치되고, 상기 투과 영역들에 위치하는 개구들을 가지는 차광 부재를 포함하는 제1 표시 패널을 포함하고, 상기 제1 표시 패널을 둘러싸는 제1 바디, 상기 제1 표시 패널에 대향하여 위치하고, 영상 이미지를 표시하는 제2 표시 패널, 상기 제2 표시 패널을 둘러싸는 제2 바디 및 상기 제1 바디와 상기 제2 바디를 연결하는 연결 부재를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 연결 부재는 상기 제1 바디와 상기 제2 바디의 일 측에 배치될 수 있고, 상기 연결 부재를 축으로 상기 제1 바디와 상기 제2 바디의 타 측이 개폐될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 표시 패널과 상기 제2 표시 패널이 접촉되는 제1 모드 및 상기 제1 표시 패널과 상기 제2 표시 패널이 서로 이격되어 접촉하지 않는 제2 모드를 수행할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 모드인 경우, 상기 제1 표시 패널에서 영상 이미지가 표시 되지 않을 수 있고, 상기 제1 표시 패널의 상기 투과 영역 및 상기 차광 부재의 개구들을 통해 상기 제2 표시 패널의 영상 이미지가 투과될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 모드인 경우, 상기 차광 부재는 제2 표시 패널과 인접하여 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 모드인 경우, 상기 제1 표시 패널의 화소 영역들에서 영상 이미지가 표시 될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 모드인 경우, 상기 제1 표시 패널에서 투과 영역을 통해 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널의 저면에 차광 부재를 구비하여 외광 반사를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판의 저면에 차광 부재를 구비하는 표시 패널을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치의 시인성을 증가시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 패널에 포함된 차광 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 패널을 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 12의 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 14는 도 12의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 도 12의 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 패널에 포함된 차광 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 패널을 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 12의 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 14는 도 12의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 도 12의 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널들, 표시 패널들의 제조 방법 및 표시 패널들을 포함하는 유기 발광 표시 장치들에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 표시 패널에 포함된 차광 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(100)은 복수의 화소 영역들(I) 및 복수의 투과 영역들(II)을 포함할 수 있다. 하나의 화소 영역(I)에는 서브 화소 영역들이 위치할 수 있고, 상기 서브 화소 영역 각각은 제1 내지 제3 화소들(315, 320, 325)이 위치할 수 있다. 하나의 투과 영역(II)에는 투과창(370)이 배치될 수 있다. 하나의 화소 영역(I)과 하나의 투과 영역(II)은 인접하여 위치할 수 있다.
화소 영역(I)에 있어서, 제1 화소(315)는 적색 광을 방출할 수 있고, 제2 화소(320)는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 제3 화소(325)는 청색 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 화소들(315, 320, 325)은 기판의 상면에 위치할 수 있고, 제1 내지 제3 화소들(315, 320, 325)은 동일한 층에 배치될 수 있다.
투과 영역(II)에 있어서, 투과창(370)은 외부로부터 입사되는 광을 투과시킬 수 있다. 여기서, 제1 내지 제3 화소들(315, 320, 325) 및 투과창(370)을 둘러싸는 부분(예를 들면, 데드 스페이스)에는 공통 배선들(데이터 배선, 스캔 배선, 전원 배선 등)과 절연층들(예를 들면, 화소 정의막, 보호층 등)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막이 제1 내지 제3 화소들(315, 320, 325) 및 투과창(370)을 둘러쌀 수 있고, 상기 화소 정의막 및 제1 내지 제3 화소들(315, 320, 325) 상에 캐소드 전극이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이 표시 패널(100)에 포함된 상기 기판의 저면에 차광 부재(120)가 배치될 수 있다. 차광 부재(120)는 투과 영역(II)에 위치하는 개구(125)를 포함할 수 있다. 개구(125)의 크기는 투과 영역(II)의 크기(예를 들면, 투과창(370))와 동일할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(120)가 상기 기판의 저면 상에서 화소 영역(I)으로부터 상기 투과 영역(II)으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장될 수 있고, 차광 부재(120)의 개구(125)의 크기가 투과창(370)의 크기보다 작을 수도 있다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치를 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(100)은 기판(110), 차광 부재(120), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270), 발광 구조물, 제4 절연층(310), 투과창(370), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 차광 부재(120)는 개구(125)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 표시 패널(100)은 복수의 화소 영역들(I) 및 복수의 투과 영역들(II)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340) 및 차광 부재(120)가 하나의 화소 영역(I)에 배치될 수 있다. 또한, 투과창(370)이 하나의 투과 영역(II)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역들(I)에서는 화상이 표시될 수 있고, 투과 영역들(II)에서는 표시 패널(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 이러한 투과 영역(II)을 구비함에 따라, 표시 패널(100)은 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
기판(110)의 상면에는 상기 발광 구조물이 배치될 수 있고, 기판(110)의 저면에는 차광 부재(120)가 배치될 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 기판, 무알칼리(non-alkali) 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상기 발광 구조물을 형성할 수 있다. 이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판이 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물들을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물들을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 기판(110)으로 이용할 수 있다. 표시 패널(100)이복수의 화소 영역들(II) 및 복수의 투과 영역들(II)을 구비함에 따라, 기판(110)도 복수의 화소 영역들(I)과 복수의 투과 영역들(II)로 구분될 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 화소 영역(I)으로부터 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(즉, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
차광 부재(120)는 기판(110)의 저면에 배치될 수 있고, 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과 영역(II)에서 차광 부재(120)는 개구(125)를 포함할 수 있다. 개구(125)의 크기가 투과 영역(II)의 크기보다 작을 수 있다. 차광 부재(120)는 개구(125)가 위치하는 투과 영역(II)의 일부를 제외하고 외광이 기판(110) 및 상기 발광 구조물에 의해 반사되는 것을 감소시킬 수 있다. 외광 반사를 감소시키기 위해 차광 부재(120)는 차광 재료를 포함할 수 있다. 상기 차광 재료는 카본 블랙(carbon black), 산질화 티타늄(titanium nitride oxide), 티타늄 블랙(titanium black), 페닐렌 블랙(phenylene black), 아닐린 블랙(aniline black), 시아닌 블랙(cyanine black), 니그로신산 블랙(nigrosine acid black) 등을 포함할 수 있다. 차광 부재(120)는 상기 차광 재료를 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 차광 부재(120)로 사용될 수 있는 수지는 에폭시 수지(epoxy resin), 아크릴 수지(acryl resin), 실록산 수지(siloxane resin), 폴리머 수지(polymer resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(120)가 기판(110)의 저면에 배치된 후 기판(110)의 상면에 상기 발광 구조물이 배치되는 경우, 상기 실록산 수지는 내열성이 높기 때문에 차광 부재(120)는 상기 실록산 수지를 포함할 수 있다. 표시 패널(100)은 개구(125)를 포함하는 차광 부재(120)를 포함함으로써 표시 패널(100)에서 발생될 수 있는 외광 반사가 감소될 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(100)의 시인성이 향상될 수 있다. 또한, 투과 영역(II)에 제2 전극(340)이 위치하지 않음으로써 표시 패널(100)의 투과율이 향상될 수 있으며, 표시 패널(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지의 선명도는 높아질 수 있다.
반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130)은 기판(110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 제1 절연층(150)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(150)은 화소 영역(I)에서 액티브층(130)을 커버할 수 있으며, 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(370)이 형성될 경우, 투과 영역(II)에서 제1 절연층(150)의 일부는 제거될 수 있다. 제1 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
게이트 전극(170)은 제1 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 제2 절연층(190)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(190)은 화소 영역(I)에서 게이트 전극(170)을 커버할 수 있으며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(370)이 형성될 경우, 투과 영역(II)에서 제2 절연층(190)의 일부는 제거될 수 있다. 제2 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
제2 절연층(190) 상에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 일측 및 타측에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에는 제3 절연층(270)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(270)은 화소 영역(I)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 커버할 수 있으며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(370)이 형성될 경우, 투과 영역(II)에서 제3 절연층(270)의 일부는 제거될 수 있다. 제3 절연층(270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 3에 예시한 바와 같이, 제1 전극(290)은 제3 절연층(270) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(290)은 제3 절연층(270)의 일부를 관통하여 소스 전극(210)과 접속될 수 있다. 제1 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
제4 절연층(310)(예를 들어, 화소 정의막)은 제1 전극(290)의 일부를 노출시키면서 제3 절연층(270) 상에 배치될 수 있다. 제4 절연층(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 제4 절연층(310)은 제1 개구 및 제2 개구를 포함할 수 있다. 화소 영역(I)에 있어서, 제4 절연층(310)의 제1 개구는 제1 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있고, 노출된 제1 전극(290) 상에 발광층(330)이 위치할 수 있다. 또한, 투과 영역(II)에 있어서, 제4 절연층(310)의 제2 개구는 제3 절연층(270)의 일부를 노출시킬 수 있으며, 이러한 제2 개구는 투과창(370)에 해당될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(370)이 적어도 하나의 절연층을 제거하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 투과창(370)은 투과 영역(II)에서 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270) 및 제4 절연층(310)의 적어도 일부를 제거하여 형성될 수 있다.
발광층(330)은 노출된 제1 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 도 1에 예시한 제1 내지 제3 화소들(315, 320. 325)에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다.
제2 전극(340)은 제4 절연층(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(340)은 화소 영역(I)에서 제4 절연층(310) 및 발광층(330)을 커버할 수 있으며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 또한, 제2 전극(340)은 제1 내지 제3 화소들(315, 320, 325)에 공유될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(370)을 형성한 후, 투과창(370)의 내측에 유기 재료가 배치될 수 있다. 투과창(370)의 내측에 상기 유기 재료를 배치시키는 경우, 제2 전극(340)이 배치되는 과정에서 상기 유기 재료가 위치한 영역은 제2 전극(340)이 배치되지 않을 수 있다. 즉, 제2 전극(340)이 배치되는 영역을 조절할 수 있다. 따라서, 투과 영역(II)에서 투과율을 증가하기 위해 제2 전극(340)이 투과창(370)의 내측에 배치되지 않을 수 있다. 제2 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 유기 재료는 청색 호스트 물질을 포함할 수 있다.
봉지 기판(350)은 제2 전극(340), 제4 절연층(310) 및 투과창(370) 상에 배치될 수 있다. 봉지 기판(350)은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 표시 패널(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 선택적으로는, 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270)이 동일한 재료를 포함하고, 기판(110), 봉지 기판(350), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270)이 유사한 굴절률들을 가질 경우, 투과 영역(II)을 통해 투과되는 외광은 기판(110), 봉지 기판(350), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270) 사이의 계면들에서 굴절되지 않을 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(100)의 투과율이 증가될 수 있고, 선명도 또한 개선될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널(100)은 개구(125)를 포함하는 차광 부재(120)를 구비할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(100)은 외광 반사가 감소된 투명 디스플레이 장치로 기능을 할 수 있고, 표시 패널(100)의 시인성이 향상될 수 있다. 또한, 투과 영역(II)에 제2 전극(340)이 위치하지 않음으로써 표시 패널(100)의 투과율이 향상될 수 있으며, 표시 패널(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지의 선명도가 높아질 수 있다. 또한, 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270)이 동일한 재료를 포함할 경우, 상기 외광이 반사될 수 있는 층간 계면들이 감소될 수 있고, 표시 패널(100)의 투과율이 향상될 수 있으며, 표시 패널(100)의 후면에 위치하는 사물 또는 이미지의 선명도는 더욱 높아질 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 기판(810)의 화소 영역(I)에 액티브층(830)이 형성될 수 있다. 기판(810)은 유리 기판, 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 기판(810) 상에는 버퍼층이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 화소 영역(I)으로부터 투과 영역(II)까지 전체적으로 형성될 수 있고, 기판(810)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 액티브층(830)은 화소 영역(I)의 기판(810) 상에 형성될 수 있다. 액티브층(830)은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 절연층(850)은 기판(310) 상에 형성될 수 있다. 제1 절연층(850)은 액티브층(830)을 커버하며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 제1 절연층(850)이 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)의 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 제1 절연층(850)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 전극(870)은 제1 절연층(850) 중에서 하부에 액티브층(830)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(870)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 게이트 전극(870) 상에는 제2 절연층(890)이 형성될 수 있다. 제2 절연층(890)은 게이트 전극(870)을 커버하며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 제2 절연층(890)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)의 기판(810) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 제2 절연층(890)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 제2 절연층(890) 상에는 소스 전극(910) 및 드레인 전극(930)이 형성될 수 있다. 소스 전극(910)은 제1 절연층(850) 및 제2 절연층(890)의 일부를 관통하여 액티브층(830)의 일측에 접속될 수 있고, 드레인 전극(930)은 제1 절연층(850) 및 제2 절연층(890)의 일부를 관통하여 액티브층(830)의 타측에 접속될 수 있다. 소스 전극(910) 및 드레인 전극(930)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 이에 따라, 액티브층(830), 게이트 전극(870), 소스 전극(910) 및 드레인 전극(930)을 포함하는 반도체 소자(950)가 형성될 수 있다.
도 4c를 참조하면, 제2 절연층(890) 상에는 제3 절연층(970)이 형성될 수 있다. 제3 절연층(970)은 소스 전극(910) 및 드레인 전극(930)을 커버하며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 제3 절연층(970)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)의 기판(810) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 제3 절연층(970)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 전극(990)은 제3 절연층(970) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(990)은 제3 절연층(970)의 일부를 관통하여 소스 전극(910)과 접속될 수 있다. 제1 전극(990)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 제4 절연층(1010)은 제3 절연층(970)의 일부 및 제1 전극(990)의 일부 상에 형성될 수 있다. 제4 절연층(1010)은 제1 개구를 포함할 수 있다. 화소 영역(I)에 있어서, 제3 절연층(970) 상에 형성된 제1 전극(990)의 일부에 제4 절연층(1010)의 제1 개구가 위치할 수 있다. 제4 절연층(1010)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 4d를 참조하면, 제4 절연층(1010)에 형성된 제1 개구에 발광층(1030)이 형성될 수 있다. 발광층(1030)은 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 투과 영역(II)에 있어서, 제2 개구가 위치할 수 있고, 제2 개구는 투과창(1070)에 해당될 수 있다. 예를 들면, 투과창(1070)은 제1 절연층(850)의 일부, 제2 절연층(890)의 일부, 제3 절연층(970)의 일부 제4 절연층(1010)의 일부를 제거하여 형성될 수 있다.
도 4e를 참조하면, 제2 전극(1040)은 제4 절연층(1010) 및 발광층(1030) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(1040)은 제4 절연층(1010)의 일부 및 발광층(1030)을 커버하며 투과 영역(II)으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(1070)을 형성한 후, 투과창(1070)의 내측에 유기 재료가 배치될 수 있다. 투과창(1070)의 내측에 상기 유기 재료를 배치시키는 경우, 제2 전극(1040)이 형성되는 과정에서 상기 유기 재료가 위치한 영역은 제2 전극(1040)이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 제2 전극(1040)이 배치되는 영역을 조절할 수 있다. 따라서, 투과 영역(II)에서 투과율을 증가하기 위해 제2 전극(1040)이 배치되지 않을 수 있다. 제2 전극(1040)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 유기 재료는 청색 호스트 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
봉지 기판(1050)은 제2 전극(1075), 제4 절연층(1010) 및 투과창(1070) 상에 형성될 수 있다. 봉지 기판(1050)은 실질적으로 기판(810)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(1050)은 유리 기판, 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(820)는 기판(810)의 저면에 형성될 수 있고, 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 투과 영역(II)에서 차광 부재(820)는 개구(825)를 포함할 수 있다. 개구(825)의 크기가 투과 영역(II)의 크기보다 작을 수 있다. 차광 부재(820)는 개구(825)가 위치하는 투과 영역(II)의 일부를 제외하고 외광이 기판(810) 및 발광 구조물(예를 들면, 반도체 소자(950), 제1 전극(990), 발광층(1030) 및 제2 전극(1040))에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 외광의 투과를 방지하기 위해 차광 부재(820)는 차광 재료를 포함할 수 있다. 상기 차광 재료는 카본 블랙, 산질화 티타늄, 티타늄 블랙, 페닐렌블랙, 아닐린 블랙, 시아닌 블랙, 니그로신산 블랙 등을 포함할 수 있다. 차광 부재(820)는 상기 차광 재료를 포함하는 수지를 사용하여 형성될 수 있다. 차광 부재(820)로 사용될 수 있는 수지는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실록산 수지, 폴리머 수지, 폴리이미드 수지 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(820)가 기판(810)의 저면에 배치된 후 기판(810)의 상면에 상기 발광 구조물이 형성되는 경우, 상기 실록산 수지는 내열성이 높기 때문에 차광 부재(820)는 상기 실록산 수지를 사용하여 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 5에 예시한 유기 발광 표시 장치는 제2 전극의 형태를 제외하면, 도 3을 참조하여 설명한 표시 패널(100)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 5에 있어서, 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 차광 부재(120), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270), 발광 구조물, 제4 절연층(310), 투과창(375), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(345)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 차광 부재(120)는 개구(125)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(345) 및 차광 부재(120)는 화소 영역(I)에 배치될 수 있다. 또한, 투과창(375)은 투과 영역(II)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역(I)에서는 화상이 표시될 수 있고, 투과 영역(II)에서는 상기 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(II)을 갖는 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
제2 전극(345)은 제4 절연층(310), 발광층(330) 및 기판(110)의 일부 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(340)은 화소 영역(I)에서 제4 절연층(310) 및 발광층(330)을 커버할 수 있으며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 즉, 제2 전극(345)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극(345)은 제1 내지 제3 화소들(도 1 참조)에 공유될 수 있다. 제2 전극(345)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(345)의 광 투과율이 대략 50퍼센트 이상이 되도록 제2 전극(345)의 두께가 결정될 수 있다. 제2 전극(345)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(345)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 도 3의 표시 패널(100)과 비교했을 때, 상기 유기 발광 표시 장치는 투과창(375)에 위치하는 제2 전극(345)을 포함함으로써 상기 유기 발광 표시 장치에서 발생될 수 있는 전압 강하를 줄일 수 있다. 또한, 투과 영역(II)에 상대적으로 얇은 두께를 갖는 제2 전극(345)이 위치함으로써 상기 유기 발광 표시 장치의 투과율이 크게 줄어들지 않을 수 있다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 6에 예시한 유기 발광 표시 장치는 차광 부재의 형태를 제외하면, 도 3을 참조하여 설명한 표시 패널(100)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 6에 있어서, 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 차광 부재(140), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270), 발광 구조물, 제4 절연층(310), 투과창(370), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 차광 부재(140)는 개구(135)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340) 및 차광 부재(140)는 화소 영역(I)에 배치될 수 있다. 또한, 투과창(370)은 투과 영역(II)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역(I)에서는 화상이 표시될 수 있고, 투과 영역(II)에서는 상기 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 이러한 투과 영역(II)을 구비함에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치는 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
차광 부재(140)는 기판(110)의 저면에 배치될 수 있고, 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과 영역(II)에서 차광 부재(140)는 개구(135)를 포함할 수 있다. 개구(135)의 크기는 투과 영역(II)의 크기와 동일할 수 있다. 차광 부재(140)는 개구(135)가 위치하는 투과 영역(II)의 일부를 제외하고 외광이 기판(110) 및 상기 발광 구조물에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 외광 반사를 방지하기 위해 차광 부재(140)는 차광 재료를 포함할 수 있다. 상기 차광 재료는 카본 블랙, 산질화 티타늄, 티타늄 블랙, 페닐렌 블랙, 아닐린 블랙, 시아닌블랙, 니그로신산 블랙 등을 포함할 수 있다. 차광 부재(120)는 상기 차광 재료를 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 차광 부재(120)로 사용될 수 있는 수지는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실록산 수지, 폴리머 수지, 폴리이미드 수지 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(140)가 기판(110)의 저면에 배치된 후 기판(110)의 상면에 상기 발광 구조물이 배치되는 경우, 상기 실록산 수지는 내열성이 높기 때문에 차광 부재(140)는 상기 실록산 수지를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(II)의 크기와 동일한 크기를 갖는 차광 부재(140)의 개구(135)를 포함함으로써 상기 유기 발광 표시 장치의 투과율이 상대적으로 향상될 수 있으며, 상기 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지의 선명도가 높아질 수 있다.
도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 7에 예시한 유기 발광 표시 장치는 제2 전극의 형태를 제외하면, 도 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 7에 있어서, 도 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 차광 부재(140), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270), 발광 구조물, 제4 절연층(310), 투과창(375), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(345)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 차광 부재(140)는 개구(135)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(345) 및 차광 부재(140)는 화소 영역(I)에 배치될 수 있다. 또한, 투과창(375)은 투과 영역(II)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역(I)에서는 화상이 표시될 수 있고, 투과 영역(II)에서는 상기 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 이러한 투과 영역(II)을 구비함에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치는 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
제2 전극(345)은 제4 절연층(310), 발광층(330) 및 기판(110)의 일부 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(340)은 화소 영역(I)에서 제4 절연층(310) 및 발광층(330)을 커버할 수 있으며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 즉, 제2 전극(345)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있고, 제2 전극(345)은 제1 내지 제3 화소들(도 1 참조)에 공유될 수 있다. 제2 전극(345)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(345)의 광 투과율이 대략 50퍼센트 이상이 되도록 제2 전극(345)의 두께가 결정될 수 있다. 제2 전극(345)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(345)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 도 6의 유기 발광 표시 장치와 비교했을 때, 상기 유기 발광 표시 장치는 투과창(375)에 위치하는 제2 전극(345)을 포함함으로써 상기 유기 발광 표시 장치에서 발생될 수 있는 전압 강하를 줄일 수 있다. 또한, 투과 영역(II)에 상대적으로 얇은 두께를 갖는 제2 전극(345)이 위치함으로써 상기 유기 발광 표시 장치의 투과율이 크게 줄어들지 않을 수 있다. 더욱이, 투과 영역(II)의 크기와 동일한 크기를 갖는 차광 부재(140)의 개구(135)를 포함함으로써 상기 유기 발광 표시 장치의 투과율이 상대적으로 향상될 수 있으며, 상기 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지의 선명도가 높아질 수 있다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 8에 예시한 유기 발광 표시 장치는 절연층들의 형태 및 보호층을 제외하면, 도 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 8에 있어서, 도 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 차광 부재(140), 보호층(155), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270), 발광 구조물, 제4 절연층(310), 투과창(380), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 차광 부재(140)는 개구(135)를 포함할 수 있고, 보호층(155)은 개구(145)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340), 차광 부재(140) 및 보호층(155)은 화소 영역(I)에 배치될 수 있다. 또한, 투과창(380)은 투과 영역(II)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역(I)에서는 화상이 표시될 수 있고, 투과 영역(II)에서는 상기 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(II)을 갖는 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
차광 부재(140)의 저면에 보호층(155)이 배치될 수 있다. 보호층(155)은 차광 부재(140)를 커버하며 제1 방향을 따라 투과 영역(II)으로 연장될 수 있다. 투과 영역(II)에서 보호층(155)은 개구(145)를 포함할 수 있다. 보호층(155)의 개구(145)의 크기는 차광 부재(140)의 개구(135)의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다. 보호층(155)은 외부 충격으로부터 차광 부재(140)의 저면을 보호할 수 있다. 보호층(155)은 반사율이 낮고 투과율이 높은 재료를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 보호층(155)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate PET)를 포함할 수 있다. 선택적으로, 보호층(155)은 개구(145) 없이 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다.
액티브층(130) 상에는 제1 절연층(150)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(150)은 액티브층(130)을 커버하며 제1 방향을 따라 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 즉, 제1 절연층(150)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 게이트 전극(170) 상에는 제2 절연층(190)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 커버하며 제1 방향을 따라 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 즉, 제2 절연층(190)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에는 제3 절연층(270)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 커버하며 제1 방향을 따라 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 즉, 제3 절연층(270)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 절연층(270)은 각기 투명한 무기 재료 또는 투명한 유기 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 재료는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 티타늄 산화물(TiOx), 아연 산화물(ZnOx) 등을 포함할 수 있다. 한편, 상기 유기 재료는 아크릴레이트 모노머(acrylate monomer), 페닐아세틸렌(phenylacetylene), 디아민(diamine), 디안하이드라이드(dianhydride), 실록산(siloxane), 실란(silane), 파릴렌(parylene), 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 플루오르수지(fluororesin), 폴리실록산(polysiloxane) 등을 포함할 수 있다. 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270)이 동일한 재료를 포함하고, 기판(110), 봉지 기판(350), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270)이 유사한 굴절률을 가질 경우, 투과 영역(II)을 통해 투과되는 외광은 기판(110), 봉지 기판(350), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270) 사이의 계면들에서 굴절되지 않을 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(100)의 투과율은 증가될 수 있고, 선명도 또한 개선될 수 있다.
도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 9에 예시한 유기 발광 표시 장치는 제2 전극의 형태를 제외하면, 도 8을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 9에 있어서, 도 8을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 차광 부재(140), 보호층(155), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190), 제3 절연층(270), 발광 구조물, 제4 절연층(310), 투과창(385), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(355)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 차광 부재(140)는 개구(135)를 포함할 수 있고, 보호층(155)은 개구(145)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250), 제1 전극(290), 발광층(330), 제2 전극(340), 차광 부재(140) 및 보호층(155)은 화소 영역(I)에 배치될 수 있다. 또한, 투과창(385)은 투과 영역(II)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역(I)에서는 화상이 표시될 수 있고, 투과 영역(II)에서는 상기 유기 발광 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 이러한 투과 영역(II)을 구비함에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치는 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
제2 전극(355)은 제4 절연층(310), 발광층(330) 및 제3 절연층(270)의 일부 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(355)은 화소 영역(I)에서 제4 절연층(310) 및 발광층(330)을 커버할 수 있으며 투과 영역(II)까지 연장될 수 있다. 즉, 제2 전극(355)은 화소 영역(I) 및 투과 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극(355)은 제1 내지 제3 화소들(도 1 참조)에 공유될 수 있다. 제2 전극(355)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(355)의 광 투과율이 대략 50퍼센트 이상이 되도록 제2 전극(355)의 두께가 결정될 수 있다. 제2 전극(355)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 도 8의 유기 발광 표시 장치와 비교했을 때, 상기 유기 발광 표시 장치는 투과창(385)에 위치하는 제2 전극(355)을 포함함으로써 상기 유기 발광 표시 장치에서 발생될 수 있는 전압 강하를 줄일 수 있다. 또한, 투과 영역(II)에 상대적으로 얇은 두께를 갖는 제2 전극(355)이 위치함으로써 상기 유기 발광 표시 장치의 투과율이 크게 줄어들지 않을 수 있다. 더욱이, 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270)이 동일한 재료를 포함하고, 기판(110), 봉지 기판(350), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270)이 유사한 굴절률을 가질 경우, 투과 영역(II)을 통해 투과되는 외광은 기판(110), 봉지 기판(350), 제1 절연층(150), 제2 절연층(190) 및 제3 절연층(270) 사이의 계면들에서 굴절되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 투과율은 증가될 수 있고, 선명도 또한 개선될 수 있다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 10에 예시한 표시 패널(500)은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 표시 패널(100)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 10에 있어서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 10을 참조하면, 표시 패널(500)은 복수의 화소 영역들(I) 및 복수의 투과 영역들(II)을 포함할 수 있다.
기판의 상면에 있어서, 복수의 화소 영역들(I) 각각에는 제1 내지 제3 화소들이 위치할 수 있고, 복수의 투과 영역들(II) 각각에는 투과창들이 위치할 수 있다. 화소 영역(I)에 있어서, 상기 제1 화소는 적색 광을 방출할 수 있고, 상기 제2 화소는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 상기 제3 화소는 청색 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 화소들은 동일한 층에 배치될 수 있다. 투과 영역(II)에 있어서, 상기 투과창들은 외부로부터 입사되는 광을 투과시킬 수 있다.
기판의 저면에 있어서, 복수의 화소 영역들(I)에는 차광 부재(520)가 배치될 수 있고, 복수의 투과 영역(II)들에는 개구들(525)이 위치할 수 있다. 차광 부재(520)는 개구(525)를 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 차광 부재(520)는 개구(525)가 위치하는 투과 영역(II)의 일부를 제외하고 외광이 기판 및 발광 구조물에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 외광 반사를 방지하기 위해 차광 부재(520)는 차광 재료를 포함할 수 있다. 상기 차광 재료는 카본 블랙, 산질화 티타늄, 티타늄 블랙, 페닐렌 블랙, 아닐린블랙, 시아닌 블랙, 니그로신산 블랙 등을 포함할 수 있다. 차광 부재(520)는 상기 차광 재료를 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 차광 부재(520)로 사용될 수 있는 수지는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실록산 수지, 폴리머 수지, 폴리이미드 수지 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(520)는 내열성이 높은 실록산 수지를 포함할 수 있다. 개구(525)의 크기는 투과 영역(II)의 크기(예를 들면, 투과창)와 동일할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(520)의 개구(525)의 크기가 투과창의 크기보다 작을 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 영역(I)과 투과 영역(II)은 제2 방향으로 번갈아 가며 배열될 수 있다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 11에 예시한 표시 패널(600)은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 표시 패널(100)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 11에 있어서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 표시 패널(500)은 복수의 화소 영역들(I) 및 복수의 투과 영역들(II)을 포함할 수 있다.
기판의 상면에 있어서, 복수의 화소 영역들(I) 각각에는 제1 내지 제3 화소들이 위치할 수 있고, 복수의 투과 영역들(II) 각각에는 투과창들이 위치할 수 있다. 화소 영역(I)에 있어서, 상기 제1 화소는 적색 광을 방출할 수 있고, 상기 제2 화소는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 상기 제3 화소는 청색 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 화소들은 동일한 층에 배치될 수 있다. 투과 영역(II)에 있어서, 상기 투과창들은 외부로부터 입사되는 광을 투과시킬 수 있다.
기판의 저면에 있어서, 복수의 화소 영역들(I)에는 차광 부재(620)가 배치될 수 있고, 복수의 투과 영역(II)들에는 개구들(625)이 위치할 수 있다. 차광 부재(620)는 개구(625)를 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 차광 부재(620)는 개구(625)가 위치하는 투과 영역(II)의 일부를 제외하고 외광이 기판 및 발광 구조물에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 외광 반사를 방지하기 위해 차광 부재(620)는 차광 재료 및 상기 차광 재료를 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(620)는 내열성이 높은 실록산 수지를 포함할 수 있다. 개구(625)의 크기는 투과 영역(II)의 크기(예를 들면, 투과창)와 동일할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(620)의 개구(625)의 크기가 투과창의 크기보다 작을 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 적어도 2개의 화소 영역들(I)과 적어도 2개의 투과 영역들(II)은 제2 방향으로 번갈아 가며 배열될 수 있다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 사시도이고, 도 13은 도 12의 전자 기기를 설명하기 위한 사시도이며, 도 14는 도 12의 전자 기기를 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 15는 도 12의 전자 기기를 설명하기 위한 단면도이다. 도 12 내지 도 14에 예시한 전자 기기(700) 포함된 제1 표시 패널(1000)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 표시 패널(100)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 12 내지 도 14에 도시된 제1 표시 패널(1000)에 있어서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 12 내지 도 14를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(700)는 제1 표시 패널(1000), 제1 바디(720), 제2 표시 패널(710), 제2 바디(730) 및 연결 부재(770)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 표시 패널(1000)은 차광 부재(120), 복수의 화소 영역들 및 복수의 투과 영역들 포함하는 기판, 상기 화소 영역들에 위치하는 복수의 발광 구조물들, 봉지 기판 등을 포함할 수 있다. 여기서, 하나의 투과 영역에는 투과창이 위치할 수 있다.
제1 바디(720)는 제1 표시 패널(1000)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 제1 바디(720)는 제1 표시 패널(1000)을 외부 충격으로부터 보호할 수 있다. 예를 들면, 제1 바디(720)는 합성 수지 또는 금속(예를 들어, 스테인리스 스틸, 티타늄(Ti) 등)으로 구성될 수 있다. 제1 표시 패널(1000)은 상기 발광 구조물들에 포함되는 발광층들에 의해 영상 이미지를 표시할 수 있다. 또한, 제1 표시 패널(1000)은 상기 투과 영역들(II) 위치하는 상기 투과창들에 의해 제1 표시 패널(1000)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다.
제1 표시 패널(1000)의 하부에 차광 부재(120)가 위치할 수 있다. 차광 부재(120)는 복수의 개구들(125)을 포함할 수 있다. 개구들(125)의 크기는 상기 투과창의 크기와 동일할 수 있다. 선택적으로, 개구들(125)의 크기는 상기 투과창의 크기보다 작을 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 표시 패널(1000)은 상기 기판(110)과 상기 봉지 기판을 결합하기 위해 상기 기판과 상기 봉지 기판 사이의 양측부에 실런트를 개재할 수 있다. 상기 실런트는 프릿(frit) 등으로 구성될 수 있다. 상기 기판과 상기 봉지 기판은 상기 실런트에 레이저를 조사하는 공정을 통해 서로 결합될 수 있다. 상기 레이저 조사 공정에 있어서, 상기 실런트가 고체 상태에서 액체 상태로 용융된 후, 소정의 시간 후에 액체 상태의 상기 실런트는 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 이와 같은 상기 실런트의 상태 변화에 따라 상기 봉지 기판이 상기 기판에 대해 밀봉 결합될 수 있다. 상기 기판과 상기 봉지 기판의 밀봉 결합에 따라, 수분, 산소 등의 침투로 인해 제1 표시 패널(1000)이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
제1 표시 패널(1000)에 대향하여 제2 표시 패널(710)이 위치할 수 있다. 제2 바디(730)는 제2 표시 패널(710)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 즉, 제1 바디(720)와 제2 바디(730)는 대향하여 위치할 수 있다. 제2 바디(730)는 영상 이미지를 표시 할 수 있는 제2 표시 패널(710)을 외부 충격으로부터 보호할 수 있다. 예를 들면, 제2 바디(730)는 제1 바디(720)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 바디(730)는 제1 바디(720)와 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제1 바디(720)와 제2 바디(730)의 일 측에 연결 부재(770)가 배치될 수 있다. 연결 부재(770)는 제1 바디(720)와 제2 바디(730)를 연결할 수 있다. 연결 부재(770)를 축으로 제1 바디(720)와 제2 바디(730)의 타 측이 개폐될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 14에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(700)는 제1 바디(720)와 제2 바디(730)가 접촉되는 제1 모드를 수행할 수 있다. 상기 제1 모드인 경우, 차광 부재(120)는 실질적으로 제1 표시 패널(1000)과 제2 표시 패널(710)의 사이에 위치할 수 있고, 제1 표시 패널(1000)에서 영상 이미지가 표시 되지 않는다. 예를 들면, 제1 표시 패널(1000)에 포함된 상기 발광 구조물들은 턴-오프 상태이다. 이 경우, 표시 패널(100)의 상기 투과창 및 차광 부재(120)의 개구들(125)을 통해 제2 표시 패널(710)의 영상 이미지가 투과될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(700)의 사용자는 상기 제1 모드에서 제2 표시 패널(710)의 영상 이미지를 볼 수 있다. 여기서, 유기 발광 표시 장치(700)가 차광 부재(120)를 포함하지 않는 경우, 제2 표시 패널(710)에서 방출된 광의 일부가 제1 표시 패널(1000)의 복수의 전극들, 절연층들의 계면들 및 기판의 표면들에 의해 반사되기 때문에 제2 표시 패널(710)의 영상 이미지의 시인성이 매우 떨어질 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(700)가 차광 부재(120)를 포함함으로써, 상기 외광 반사를 감소시킬 수 있고, 제2 표시 패널(710)의 영상 이미지의 시인성을 개선할 수 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(700)는 제1 바디(720)와 제2 바디(730)가 서로 이격되어 접촉되지 않는 제2 모드를 수행할 수 있다. 상기 제2 모드인 경우, 제1 표시 패널(1000)에서 이미지가 표시 될 수 있고, 상기 투과창을 통해 제1 표시 패널(1000)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 예를 들면, 제1 표시 패널(1000)에 포함된 상기 발광 구조물들은 턴-온 상태이고, 제1 표시 패널(1000)의 상기 투과창) 및 차광 부재(120)의 개구들(125)을 통해 제1 표시 패널(1000)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 즉, 상기 영상 이미지 및 상기 투과 이미지가 동시에 제1 표시 패널(1000)에서 표시될 수 있다. 또한, 제2 표시 패널(710)도 영상 이미지를 표시할 수 있고, 유기 발광 표시 장치(700)의 사용자는 상기 제2 모드에서 제1 표시 패널(1000)의 상기 영상 및 상기 투과 이미지들 그리고 제2 표시 패널(710)의 영상 이미지를 동시에 볼 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
100, 500, 600: 표시 패널
110, 810: 기판 120, 140, 520, 620, 820: 차광 부재
125, 135, 525, 625, 825: 차광 부재의 개구
130, 830: 액티브층 150, 850: 제1 절연층
145: 보호층의 개구 155: 보호층
170, 870: 게이트 전극 190, 890: 제2 절연층
210, 910: 소스 전극 230, 930: 드레인 전극
250, 950: 반도체 소자 270, 970: 제3 절연층
290, 990: 제1 전극 310, 1010: 제4 절연층
315: 제1 화소, 발광층 320: 제2 화소
325: 제3 화소 340, 345, 355, 1040: 제2 전극
350, 1050: 봉지 기판 370, 375, 380, 385, 1070: 투과창
700: 전자 기기 710: 표시 패널
730: 바디 750: 유기 발광 소자
770: 연결 부재 790: 실런트
I: 화소 영역 II: 투과 영역
110, 810: 기판 120, 140, 520, 620, 820: 차광 부재
125, 135, 525, 625, 825: 차광 부재의 개구
130, 830: 액티브층 150, 850: 제1 절연층
145: 보호층의 개구 155: 보호층
170, 870: 게이트 전극 190, 890: 제2 절연층
210, 910: 소스 전극 230, 930: 드레인 전극
250, 950: 반도체 소자 270, 970: 제3 절연층
290, 990: 제1 전극 310, 1010: 제4 절연층
315: 제1 화소, 발광층 320: 제2 화소
325: 제3 화소 340, 345, 355, 1040: 제2 전극
350, 1050: 봉지 기판 370, 375, 380, 385, 1070: 투과창
700: 전자 기기 710: 표시 패널
730: 바디 750: 유기 발광 소자
770: 연결 부재 790: 실런트
I: 화소 영역 II: 투과 영역
Claims (20)
- 서브 화소 영역들을 포함하는 복수의 화소 영역들 및 상기 화소 영역들에 인접하여 위치하는 복수의 투과 영역들을 포함하는 기판;
상기 화소 영역들의 상기 기판 상면에 배치되는 발광 구조물들;
상기 발광 구조물들 상에 배치되는 봉지 기판; 및
상기 화소 영역들의 상기 기판 저면에 배치되고, 상기 투과 영역들에 위치하는 개구들을 가지는 차광 부재를 포함하는 표시 패널. - 제 1 항에 있어서, 상기 차광 부재의 개구들의 크기는 상기 투과 영역들의 크기와 동일한 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 차광 부재는 상기 기판의 저면 상에서 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 차광 부재의 개구의 크기가 상기 투과 영역의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조물들은,
액티브층, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극들을 포함하며 상기 기판 상의 상기 화소 영역들에 배치되는 반도체 소자들;
상기 반도체 소자들 상에 배치되는 제1 전극들;
상기 제1 전극들 상에 배치되는 발광층들; 및
상기 발광층들 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제 4 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고, 액티브층을 커버하며 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 게이트 전극을 커버하며 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 절연층;
상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극들을 커버하며 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제3 절연층; 및
상기 제3 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 제4 절연층을 더 포함하는 표시 패널. - 제 5 항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제1 내지 제4 절연층들 중 적어도 하나가 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제 5 항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 절연층들이 위치 않는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제 5 항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제2 전극이 위치하지 않는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제 5 항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제2 전극이 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 저면 상에 배치되고, 상기 차광 부재를 커버하며 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되는 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제 10 항에 있어서, 상기 보호층은 개구들을 포함하고,
상기 보호층의 개구들은 상기 차광 부재의 개구들 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제 11 항에 있어서, 상기 보호층의 개구의 크기는 상기 차광 부재의 개구의 크기와 동일한 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 화소 영역들과 상기 적어도 2개의 투과 영역들이 상기 화소 영역으로부터 상기 투과 영역으로의 방향인 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 번갈아 가며 배열되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
- 서브 화소 영역들을 포함하는 화소 영역들 및 투과 영역들을 포함하는 기판, 상기 화소 영역들의 상기 기판 상면에 배치되는 발광 구조물들, 상기 발광 구조물들 상에 배치되는 봉지 기판 및 상기 화소 영역들의 상기 기판 저면에 배치되고, 상기 투과 영역들에 위치하는 개구들을 가지는 차광 부재를 포함하는 제1 표시 패널을 포함하고,
상기 제1 표시 패널을 둘러싸는 제1 바디;
상기 제1 표시 패널에 대향하여 위치하고, 영상 이미지를 표시하는 제2 표시 패널;
상기 제2 표시 패널을 둘러싸는 제2 바디; 및
상기 제1 바디와 상기 제2 바디를 연결하는 연결 부재를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 14 항에 있어서, 상기 연결 부재는 상기 제1 바디와 상기 제2 바디의 일 측에 배치되고, 상기 연결 부재를 축으로 상기 제1 바디와 상기 제2 바디의 타 측이 개폐되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 15 항에 있어서,
상기 제1 표시 패널과 상기 제2 표시 패널이 접촉되는 제1 모드; 및
상기 제1 표시 패널과 상기 제2 표시 패널이 서로 이격되어 접촉하지 않는 제2 모드를 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 16 항에 있어서, 상기 제1 모드인 경우, 상기 제1 표시 패널에서 영상 이미지가 표시 되지 않고, 상기 제1 표시 패널의 상기 투과 영역 및 상기 차광 부재의 개구들을 통해 상기 제2 표시 패널의 영상 이미지가 투과되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제1 모드인 경우, 상기 차광 부재는 제2 표시 패널과 인접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제2 모드인 경우, 상기 제1 표시 패널의 화소 영역들에서 영상 이미지가 표시 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제2 모드인 경우, 상기 제1 표시 패널에서 투과 영역을 통해 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140178631A KR102389626B1 (ko) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| US14/818,714 US9899632B2 (en) | 2014-12-11 | 2015-08-05 | Display panel and organic light emitting display device having a display panel |
| EP15180071.1A EP3032585B1 (en) | 2014-12-11 | 2015-08-06 | Display panel and organic light emitting display device having a display panel |
| CN202111170996.7A CN113921579A (zh) | 2014-12-11 | 2015-11-05 | 显示面板和具有显示面板的有机发光显示装置 |
| CN201510745399.0A CN105702704A (zh) | 2014-12-11 | 2015-11-05 | 显示面板和具有显示面板的有机发光显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140178631A KR102389626B1 (ko) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160071567A true KR20160071567A (ko) | 2016-06-22 |
| KR102389626B1 KR102389626B1 (ko) | 2022-04-25 |
Family
ID=53783157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140178631A KR102389626B1 (ko) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9899632B2 (ko) |
| EP (1) | EP3032585B1 (ko) |
| KR (1) | KR102389626B1 (ko) |
| CN (2) | CN105702704A (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180008965A (ko) * | 2016-07-14 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20190095715A (ko) | 2018-02-07 | 2019-08-16 | 한국기계연구원 | 광학식 측정 장치 |
| CN113012620A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-06-22 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板 |
| US11552150B2 (en) | 2020-04-22 | 2023-01-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having transmissive area including transmissive hole filled with encapsulation layer |
| US11839117B2 (en) | 2016-08-08 | 2023-12-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102245771B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2021-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN108155207B (zh) * | 2016-12-05 | 2020-08-28 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
| CN109427818B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-11-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种可折叠阵列基板和显示装置 |
| CN108389878B (zh) * | 2017-09-30 | 2022-01-25 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及显示装置 |
| CN109300957B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及透明显示器 |
| CN109509778B (zh) * | 2018-11-30 | 2024-02-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 抗反射底发光型oled显示装置及其制作方法 |
| US11005079B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-05-11 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Anti-reflection bottom-emitting type OLED display device and manufacturing method thereof |
| CN110176462B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-07-23 | 福建华佳彩有限公司 | 一种透明oled显示器制作方法及显示器 |
| KR20200135637A (ko) * | 2019-05-23 | 2020-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20200136550A (ko) | 2019-05-27 | 2020-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 |
| CN110224080B (zh) * | 2019-06-18 | 2021-12-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110350001B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-04-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110277423B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置 |
| US11527596B2 (en) * | 2019-07-24 | 2022-12-13 | Tianma Japan, Ltd. | Display device |
| CN110581141B (zh) * | 2019-08-22 | 2022-05-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法 |
| CN110649178B (zh) | 2019-09-26 | 2022-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、及其制备方法和显示装置 |
| KR20210062780A (ko) * | 2019-11-21 | 2021-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| CN111430414A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及制备方法、显示装置 |
| EP3933931A1 (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-05 | LG Display Co., Ltd. | Display panel and method of fabricating the same |
| KR20220022013A (ko) * | 2020-08-14 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN113066367B (zh) * | 2021-03-16 | 2023-05-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其制造方法 |
| WO2023101797A2 (en) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | Kokanee Research Llc | Hybrid displays |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110080384A (ko) * | 2010-01-05 | 2011-07-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2012248993A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Kyocera Corp | 携帯端末装置 |
| KR20130137946A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 입체영상 표시장치 |
| KR20140088028A (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 그 제어 방법 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7745986B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-06-29 | Universal Display Corporation | Transflective display having full color OLED blacklight |
| JP4628268B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-02-09 | 株式会社日立製作所 | 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置 |
| TW200732733A (en) | 2006-02-17 | 2007-09-01 | Ind Tech Res Inst | Hybrid display |
| EP2154731B1 (en) * | 2007-06-21 | 2015-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photodetector and display device provided with same |
| JP5175136B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2013-04-03 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 電気光学装置及び電子機器 |
| EP2340580B1 (en) | 2008-10-21 | 2017-05-03 | OLEDWorks GmbH | Transparent oled device |
| US20100237374A1 (en) | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Transparent Organic Light Emitting Diode Lighting Device |
| US8832574B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-09-09 | Nokia Corporation | Apparatus and associated methods |
| US9335854B2 (en) * | 2009-09-30 | 2016-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| TW201118823A (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-01 | Univ Nat Taiwan | Transflective display device |
| KR20110071698A (ko) | 2009-12-21 | 2011-06-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 |
| KR101084195B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101156440B1 (ko) | 2010-03-09 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120051337A (ko) | 2010-11-12 | 2012-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| US9721998B2 (en) * | 2011-11-04 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| TWI466094B (zh) * | 2012-05-28 | 2014-12-21 | Acer Inc | 透明顯示裝置及其透明度調整方法 |
| TW201348816A (zh) * | 2012-05-28 | 2013-12-01 | Acer Inc | 透明顯示裝置 |
| KR101931176B1 (ko) | 2012-06-11 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| TWI461801B (zh) * | 2012-06-22 | 2014-11-21 | Au Optronics Corp | 透明顯示面板以及展示裝置 |
| KR20140049666A (ko) | 2012-10-18 | 2014-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 투명 표시 장치 |
| US10217392B2 (en) * | 2012-12-31 | 2019-02-26 | Lg Display Co., Ltd. | Transparent display device and method for controlling same |
| KR102037850B1 (ko) | 2013-02-27 | 2019-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TW201519210A (zh) * | 2013-11-05 | 2015-05-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 透明顯示裝置 |
| EP2950138B1 (en) * | 2014-05-29 | 2020-04-22 | LG Display Co., Ltd. | Light shielding apparatus and transparent display device including the same |
-
2014
- 2014-12-11 KR KR1020140178631A patent/KR102389626B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-08-05 US US14/818,714 patent/US9899632B2/en active Active
- 2015-08-06 EP EP15180071.1A patent/EP3032585B1/en active Active
- 2015-11-05 CN CN201510745399.0A patent/CN105702704A/zh active Pending
- 2015-11-05 CN CN202111170996.7A patent/CN113921579A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110080384A (ko) * | 2010-01-05 | 2011-07-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2012248993A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Kyocera Corp | 携帯端末装置 |
| KR20130137946A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 입체영상 표시장치 |
| KR20140088028A (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 그 제어 방법 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180008965A (ko) * | 2016-07-14 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US11839117B2 (en) | 2016-08-08 | 2023-12-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| KR20190095715A (ko) | 2018-02-07 | 2019-08-16 | 한국기계연구원 | 광학식 측정 장치 |
| US11552150B2 (en) | 2020-04-22 | 2023-01-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having transmissive area including transmissive hole filled with encapsulation layer |
| US11956998B2 (en) | 2020-04-22 | 2024-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including multi-layered buffer layer |
| CN113012620A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-06-22 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板 |
| CN113012620B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-05-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9899632B2 (en) | 2018-02-20 |
| EP3032585A1 (en) | 2016-06-15 |
| EP3032585B1 (en) | 2023-04-19 |
| KR102389626B1 (ko) | 2022-04-25 |
| CN105702704A (zh) | 2016-06-22 |
| CN113921579A (zh) | 2022-01-11 |
| US20160172633A1 (en) | 2016-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102389626B1 (ko) | 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102290785B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| EP2866261B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102512022B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US9761838B2 (en) | Display device having a conductive line with at least one opening | |
| KR102572128B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US10096800B2 (en) | Display device including reflecting layer | |
| KR102485689B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20170092164A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102261610B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US9455310B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20170001844A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20170061212A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| CN107546334B (zh) | 包括防反射层的显示装置 | |
| KR102496913B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20160076034A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20160096783A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| KR20160065267A (ko) | 표시 패널 및 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102638950B1 (ko) | 전계 발광 표시 장치 | |
| KR102237117B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| EP2197061B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| US20230200124A1 (en) | Display apparatus | |
| US20230209904A1 (en) | Display apparatus | |
| KR20180058280A (ko) | 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |