KR102492219B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 복수의 화소 영역들, 및 서로 인접하는 상기 화소 영역들 사이의 비화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 화소 영역에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 배치되는 위상 정합층; 및 상기 위상 정합층 상에 배치되는 적어도 하나의 광 흡수층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역의 상기 제2 전극의 두께와 다를 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치이다. 상기 표시 장치는 액정 표시 장치와 같은 수광형 표시 장치에 비하여, 시야각이 넓고, 콘트라스트(contrast)가 우수하며, 응답속도가 빠른 장점이 있다.
한편, 상기 유기 발광 표시 장치는 복수의 금속 패턴 또는 금속막을 구비하여 외부 광이 반사될 수 있다. 상기 외부 광의 반사를 방지하기 위하여 일반적으로 편광판이 상기 표시 장치에 적용되고 있다.
그러나, 상기 편광판은 편광자 및 위상 지연판을 구비하여 상기 외부 광의 반사를 방지할 수 있으나, 상기 유기 발광 표시 장치의 내부에서 출사되는 광의 투과율 저하의 원인이 되고 있다.
본 발명의 일 목적은 화질이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소 영역들, 및 서로 인접하는 상기 화소 영역들 사이의 비화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 화소 영역에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 배치되는 위상 정합층; 및 상기 위상 정합층 상에 배치되는 적어도 하나의 광 흡수층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역의 상기 제2 전극의 두께와 다를 수 있다.
상기 화소 영역에서 상기 제2 전극은 반투과 반사막이며, 상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극은 반사막일 수 있다.
상기 비화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께보다 클 수 있다.
상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께보다 적어도 50Å 이상 클 수 있다.
상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 200Å 내지 500Å일 수 있다.
상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께의 4/3배 내지 10/3배일 수 있다.
가시 광선 영역에서, 상기 광 흡수층은 굴절율 및 흡광 계수의 곱이 0.5 이상인 물질을 포함하며, 바람직하게는 상기 광 흡수층은 굴절율 및 흡광 계수의 곱이 2 내지 4인 물질을 포함할 수 있다.
상기 광 흡수층은 Cr, Mo, Ti, Co, Ni, Ti, Al, W, Mn, CrNx, TiNx, TiAlNx, MoOx, 및 CuOx 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
가시 광선 영역에서, 상기 위상 정합층은 굴절률이 1 이상이며, 흡광 계수가 5 이하인 물질을 포함할 수 있다.
상기 위상 정합층은 SiNx, SiOx, SiCN, LiF, MgF2, 및 CaF2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 광 흡수층 상에 배치되는 박막 봉지층을 더 포함할 수 있다.
상기 박막 봉지층 상의 상기 비화소 영역에 배치되는 광 차단 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 박막 봉지층 및 상기 광 차단 패턴 사이에 배치되는 터치 스크린을 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 표시 장치는 외부 광이 반사되는 것을 방지하여, 향상된 화질을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 EA1 영역의 확대도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 EA2 영역의 확대도이다.
도 6은 도 4의 EA3 영역의 확대도이다.
도 7은 화소 영역 및 비화소 영역에서 제2 전극의 두께에 따른 표시 장치의 반사율을 측정한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 2는 도 1의 EA1 영역의 확대도이며, 도 3은 도 2의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시 장치는 액티브 영역(AR) 및 비액티브 영역(NAR)을 포함할 수 있다. 상기 액티브 영역(AR)은 복수의 화소 영역들(PXA)을 포함할 수 있다. 상기 비액티브 영역(NAR)은 상기 액티브 영역(AR)에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 비액티브 영역(NAR)은 상기 액티브 영역(AR)을 감싸는 형상을 가질 수 있다.
상기 표시 장치는 어레이 기판(ASB), 상기 어레이 기판(ASB) 상의 상기 화소 영역들(PXA) 각각에 배치되는 유기 발광 소자(OLED), 상기 유기 발광 소자(OLED)를 커버하는 반사 방지층(ARL), 및 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되는 봉지 부재(CPL)를 포함할 수 있다.
상기 어레이 기판(ASB)은 베이스 기판(SUB), 상기 베이스 기판(SUB) 상의 화소 영역들(PXA) 각각에 배치되는 제1 박막 트랜지스터(T1), 제2 박막 트랜지스터(T2), 및 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(SUB)은 투명 절연 물질을 포함하여 광의 투과가 가능하다. 상기 베이스 기판(SUB)은 경성(rigid) 기판일 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(SUB)은 유리 베이스 기판, 석영 베이스 기판, 유리 세라믹 베이스 기판 및 결정질 유리 베이스 기판 중 하나일 수 있다.
또한, 상기 베이스 기판(SUB)은 가요성(flexible) 기판일 수도 있다. 여기서, 상기 베이스 기판(SUB)은 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(SUB)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(TAC, Triacetate Cellulose), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 베이스 기판(SUB)은 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic)을 포함할 수도 있다.
상기 베이스 기판(SUB)에 적용되는 물질은 상기 표시 장치의 제조 공정 시, 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 제1 박막 트랜지스터(T1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 중 하나, 예를 들면, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)는 스위칭 소자일 수 있다. 따라서, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(SL) 및 데이터 라인(DL)에 접속할 수 있다.
상기 제1 박막 트랜지스터(T1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 중 다른 하나, 예를 들면, 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)는 구동 소자일 수 있다. 따라서, 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)는 상기 캐패시터(Cst) 및 전원 공급 라인(VL)에 접속할 수 있다.
상기 제1 박막 트랜지스터(T1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)는 각각 반도체층(SA), 상기 반도체층(SA)과 절연되는 게이트 전극(GE), 및 상기 반도체층(SA)에 접속하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 구비할 수 있다.
상기 반도체층(SA)은 상기 베이스 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 상기 반도체층(SA)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 및 산화물 반도체, 유기 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 산화물 반도체는 Zn, In, Ga, Sn 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 산화물 반도체는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 반도체층(SA)에서, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 영역은 불순물이 도핑 또는 주입된 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있다. 또한, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다.
한편, 도면 상에는 도시하지 않았으나, 상기 반도체층(SA)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 상기 반도체층(SA)의 상부 및 하부에 상기 반도체층(SA)으로 유입되는 광을 차단하기 위한 광 차단막이 배치될 수도 있다.
상기 베이스 기판(SUB) 및 상기 반도체층(SA) 사이에는 버퍼층(BUL)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(BUL)은 실리콘 산화물을 포함하는 제1 막, 및 상기 제1 막 상에 배치되고 실리콘 질화물을 포함하는 제2 막을 구비할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(BUL)은 실리콘 산질화물(SiON)을 포함할 수도 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 상기 베이스 기판(SUB)에서 상기 제1 박막 트랜지스터(T1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 각각의 반도체층(SA)으로 불순물이 확산되어 침투하는 것을 방지하여, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 전기적 특성 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 버퍼층(BUL)은 외부에서 상기 유기 발광 소자(OLED)로 수분 및 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 상기 베이스 기판(SUB)의 표면을 평탄화할 수도 있다.
상기 베이스 기판(SUB) 및 상기 반도체층(SA) 상에는 상기 반도체층(SA)을 커버하는 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 상기 반도체층(SA) 및 상기 게이트 전극(GE)을 절연시킬 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(GI) 상에는 일방향으로 연장된 상기 게이트 라인(SL), 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 캐패시터(Cst)의 제1 캐패시터 전극(C1)이 배치될 수 있다.
상기 게이트 절연막(GI), 상기 게이트 라인(SL), 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 제1 캐패시터 전극(C1) 상에는 층간 절연막(ILD)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 층간 절연막(ILD)은 상기 게이트 전극(GE)을 커버할 수 있다. 상기 층간 절연막(ILD)은 상기 게이트 절연막(GI)과 같이, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 층간 절연막(ILD)의 일부는 제거되어, 상기 반도체층(SA)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 노출시킬 수 있다.
상기 층간 절연막(ILD) 상에는 상기 게이트 라인(SL)과 절연되어 교차하는 상기 데이터 라인(DL), 상기 데이터 라인(DL)과 이격되어 배치되는 상기 전원 공급 라인(VL), 상기 캐패시터(Cst)의 제2 캐패시터 전극(C2), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치될 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연막(ILD)에 의해 상기 게이트 전극(GE)과 절연될 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접속될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 및 상기 제1 박막 트랜지스터(T1) 모두가 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 및 상기 제1 박막 트랜지스터(T1) 중 적어도 하나는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터일 수 있다.
상기 캐패시터(Cst)는 상기 제1 캐패시터 전극(C1) 및 상기 제2 캐패시터 전극(C2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 캐패시터 전극(C1)은 상기 게이트 라인(SL) 및 게이트 전극(GE)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일층 상에 배치될 수 있다.
상기 제2 캐패시터 전극(C2)은 상기 데이터 라인(DL), 상기 전원 공급 라인(VL), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 박막 트랜지스터(T1), 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 및 상기 캐패시터(Cst)가 배치된 상기 베이스 기판(SUB) 상에는 보호막(PSV)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 보호막(PSV)은 상기 제1 박막 트랜지스터(T1), 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 및 상기 캐패시터(Cst)을 커버할 수 있다. 또한, 상기 보호막(PSV)은 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 보호막(PSV)은 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(PSV)은 무기 보호막 및 유기 보호막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(PSV)은 상기 제1 박막 트랜지스터(T1), 상기 제2 박막 트랜지스터(T2) 및 상기 캐패시터(Cst)를 커버하는 상기 무기 보호막 및 상기 무기 보호막 상에 배치되는 유기 보호막을 포함할 수 있다.
상기 무기 보호막은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 보호막은 광을 투과시킬 수 있는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 보호막은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시계 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌 에테르계 수지(poly-phenylene ethers resin), 폴리페닐렌 설파이드계 수지(poly-phenylene sulfides resin), 및 벤조사이클로부텐 수지(Benzocyclobutenes resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호막(PSV) 상에는 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다.
상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 제1 전극(AE), 상기 제1 전극(AE) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 중 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드 전극(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(AE)은 애노드 전극일 수 있으며, 상기 제2 전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 중 적어도 하나는 투과형 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)은 투과형 전극이며, 상기 제2 전극(CE)은 반사형 전극일 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)은 반사형 전극이며, 상기 제2 전극(CE)은 투과형 전극일 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)가 양면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 모두 투과형 전극일 수 있다. 본 실시예에서는 상기 제1 전극(AE)이 애노드 전극이며, 상기 유기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 경우를 예로서 설명한다.
상기 제1 전극(AE)은 상기 보호막(PSV) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시), 및 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 반사막 및 상기 투명 도전막 중 적어도 하나는 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 드레인 전극(DE)과 접속할 수 있다.
상기 반사막은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 투명 도전막은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 도전막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 적어도 하나의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE) 및 상기 보호막(PSV) 상에는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(AE)의 일부를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(AE)의 에지 및 상기 보호막(PSV)을 커버하는 형상을 가질 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, Polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(PAN, Polyacrylonitrile), 폴리아미드(PA, Polyamide), 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리아릴에테르(PAE, Polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(Heterocyclic Polymer), 파릴렌(Parylene), 에폭시 수지(Epoxy resin), 벤조시클로부텐(BCB, Benzocyclobutene), 실록산계 수지(Siloxane based resin) 및 실란계 수지(Silane based resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기막(OL)은 적어도 발광층(emitting layer, EML)을 포함하는 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 상기 발광층, 전자를 상기 발광층으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층은 인접하는 화소 영역들(PXA)로 연장되어, 상기 화소 영역들(PXA)이 모두 공유하는 공통층일 수 있다. 한편, 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(grean), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 유기막(OL)의 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 유기막(OL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(CE)은 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가지는 박형 금속층일 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 유기막(OL)에서 생성된 광의 일부는 투과시키고, 상기 유기막(OL)에서 생성된 광의 나머지는 반사시킬 수 있다. 상기 제2 전극(CE)에서 반사된 광은 상기 제1 전극(AE)의 상기 반사막에서 반사되어 보강 간섭에 의해 상기 제2 전극(CE)을 투과할 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 제1 전극(AE)의 상기 투명 도전막에 비하여 일함수가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(CE)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(CE) 상에는 반사 방지층(ARL)이 배치될 수 있다. 상기 반사 방지층(ARL)은 상기 제2 전극(CE) 상에 배치되는 적어도 하나의 위상 정합층(PML), 및 상기 위상 정합층(PML) 상에 배치되는 광 흡수층(ABL)을 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재(CPL)는 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되어, 상기 유기 발광 소자(OLED)를 외부 환경과 격리시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지 부재(CPL)는 외부의 수분 및 산소가 상기 유기 발광 소자(OLED)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 봉지 부재(CPL)는 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되는 복수의 무기막(미도시) 및 복수의 유기막(미도시)을 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지 부재(CPL)는 상기 무기막 및 상기 유기막이 교번 적층된 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 봉지 부재(CPL)의 최상부층은 무기막일 수 있다.
상기 무기막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON), 알루미늄 산화물(Al2O3), 티타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrOx) 및 주석 산화물(ZnO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
하기에서는, 도 1 내지 도 3에 도시된 구성 요소와 동일한 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고, 그에 대하여 간략히 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이며, 도 5는 도 4의 EA2 영역의 확대도이며, 도 6은 도 4의 EA3 영역의 확대도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 표시 장치는 복수의 화소 영역들(PXA), 예를 들면, 적색 화소 영역(RPXA), 녹색 화소 영역(GPXA), 및 청색 화소 영역(BPXA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 어레이 기판(ASB), 상기 어레이 기판(ASB) 상의 상기 화소 영역들(PXA) 각각에 배치되는 유기 발광 소자들(OLED), 상기 유기 발광 소자들(OLED)를 커버하는 반사 방지층(ARL), 및 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되는 봉지 부재(CPL)를 포함할 수 있다.
상기 적색 화소 영역(RPXA)에 배치되는 유기 발광 소자(OLED)는 적색 광을 출사하고, 상기 녹색 화소 영역(GPXA)에 배치되는 유기 발광 소자(OLED)는 녹색 광을 출사하고, 상기 청색 화소 영역(BPXA)에 배치되는 유기 발광 소자(OLED)는 청색 광을 출사할 수 있다.
상기 유기 발광 소자들(OLED) 각각은 상기 어레이 기판(ASB) 상에 배치되는 제1 전극(AE), 상기 제1 전극(AE) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(RML), 및 상기 반사막(RML)의 상부 또는 하부, 예를 들면, 상기 반사막(RML) 상에 배치되는 투명 도전막(TCL)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE) 및 상기 어레이 기판(ASB) 상에는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(AE)의 일부를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(AE)의 에지 및 상기 어레이 기판(ASB)을 커버하는 형상을 가질 수 있다.
상기 유기막(OL)은 적어도 발광층을 포함하고, 상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE)에서 공급되는 전자 및 정공이 결합하여 생성된 액시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 에너지 레벨이 변동될 때, 변동된 에너지 레벨에 대응하는 색을 가진 광을 방출할 수 있다.
상기 적색 화소 영역(RPXA)의 상기 유기막(OL)은 적색 광을 출사시키며, 상기 녹색 화소 영역(GPXA)의 상기 유기막(OL)은 녹색 광을 출사시키고, 상기 청색 화소 영역(BPXA)의 상기 유기막(OL)은 청색 광을 출사시킬 수 있다.
한편, 상기에서는 상기 유기막(OL)에서 출사되는 광의 색상이 적색, 녹색 및 청색 중 하나임을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 유기막에서 출사되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 및 백색(white) 중 하나일 수 있다.
상기 화소 영역들(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE) 및 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 광 반사 특성은 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 영역(PXA)의 상기 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있으며, 상기 비화소 영역(NPXA)의 상기 제2 전극(CE)은 반사막일 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 화소 영역들(PXA) 및 상기 비화소 영역(NPXA)에서 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께는 상기 화소 영역(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께보다 클 수 있다. 예를 들면, 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께는 상기 화소 영역들(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께보다 50Å 이상 클 수 있다.
또한, 상기 비화소 영역(NPXA)에서 상기 제2 전극(CE)의 두께는 상기 화소 영역(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께의 4/3배 내지 10/3배일 수 있다. 일반적으로 상기 화소 영역(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE)은 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께, 예를 들면, 약 150Å의 두께를 가질 수 있다. 따라서, 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께는 200Å 내지 500Å일 수 있다.
상기 반사 방지층(ARL)은 상기 제2 전극(CE) 상에 배치되는 적어도 하나의 위상 정합층(PML), 및 상기 위상 정합층(PML) 상에 배치되는 적어도 하나의 광 흡수층(ABL)을 포함할 수 있다.
상기 위상 정합층(PML)은 상기 제2 전극(CE)에서 반사된 광 및 상기 제1 전극(AE)의 상기 반사막(RML)에서 반사된 광이 상쇄 간섭을 일으킬 수 있도록 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(CE)에서 반사된 광 및 상기 제1 전극(AE)의 상기 반사막(RML)에서 반사된 광은 상기 위상 정합층(PML)에 의해 상쇄 간섭 조건을 만족시키는 위상차를 가질 수 있다. 따라서, 상기 적색 화소 영역(RPXA)의 상기 위상 정합층(PML)의 두께, 상기 녹색 화소 영역(GPXA)의 상기 위상 정합층(PML)의 두께 및 상기 청색 화소 영역(BPXA)의 상기 위상 정합층(PML)의 두께는 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 적색 화소 영역(RPXA)의 상기 위상 정합층(PML)의 두께가 가장 클 수 있으며, 상기 청색 화소 영역(BPXA)의 상기 위상 정합층(PML)의 두께가 가장 작을 수 있다.
상기 위상 정합층(PML)은 광학적으로 투명할 수 있다. 여기서, 광학적으로 투명이란 가시광선을 약 50% 이상, 예를 들면, 약 80% 이상 투과시키는 것을 의미할 수 있다.
가시 광선 영역에서, 상기 위상 정합층(PML)은 굴절률이 1 이상이며, 흡광 계수가 5 이하인 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 위상 정합층(PML)은 알루미늄 산화물(AlOx), 실리콘 산화물(SiOx), 칼슘 불화물(CaF), 마그네슘 불화물(MgF2), 리튬 불화물(LiF), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 탄질화물(SiCN), 실리콘 산질화물(SiON), 탄탈륨 산화물(TaxOy), 및 티타늄 산화물(TiOx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 위상 정합층(PML)은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 위상 정합층(PML)은 인듐 주석 산화물(ITO) 및 인듐 아연 산화물(IZO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 위상 정합층(PML)은 도전성 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 위상 정합층(PML)은 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 폴리아닐린(polyaniline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 위상 정합층(PML)이 투명 도전성 산화물 또는 도전성 유기물을 포함하면, 상기 제2 전극(CE)에서 발생하는 전압 강하(IR-Drop) 현상이 방지될 수 있다.
상기 광 흡수층(ABL)은 반투과 반사막일 수 있다. 상기 광 흡수층(ABL)에서 반사되는 광은 상기 제2 전극(CE) 또는 상기 반사막(RML)에서 반사된 광과 상쇄 간섭을 일으킬 수 있다.
상기 광 흡수층(ABL)은 가시 광선 영역에서 굴절률 및 흡광 계수의 곱이 0.5 이상, 바람직하게는 굴절률 및 흡광 계수의 곱이 2 내지 4인 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 광 흡수층(ABL)은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 철(Fe), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 망간(Mn) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 광 흡수층(ABL)은 크롬 질화물(CrNx), 티타늄 질화물(TiNx), 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlNx), 몰리브덴 산화물(MoOx), 및 구리 산화물(CuOx) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 화소 영역(PXA)에서, 상기 표시 장치로 입사되는 외부 광(L0) 중 일부는 상기 광 흡수층(ABL)에서 반사되고, 나머지는 상기 광 흡수층(ABL)을 투과할 수 있다. 상기 광 흡수층(ABL)을 투과한 광 중 일부는 상기 제2 전극(CE)에서 반사되고, 나머지는 상기 제2 전극(CE)을 투과할 수 있다. 상기 제2 전극(CE)을 투과한 광은 상기 반사막(RML)에서 반사될 수 있다.
상기 화소 영역(PXA)에서, 상기 광 흡수층(ABL)에서 반사된 제1 반사광(L1), 상기 제2 전극(CE)에서 반사된 제2 반사광(L2), 및 상기 반사막(RML)에서 반사된 제3 반사광(L3)은 소멸 간섭에 의해 소멸될 수 있다. 즉, 상기 화소 영역(PXA)에서, 상기 반사 방지층(ARL)은 외부 광이 반사되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 표시 장치의 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께는 상기 화소 영역들(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께보다 클 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 비화소 영역(NPXA)에서, 상기 표시 장치로 입사되는 외부 광(L0) 중 일부는 상기 광 흡수층(ABL)에서 반사되고, 나머지는 상기 광 흡수층(ABL)을 투과하여, 상기 제2 전극(CE)에서 반사될 수 있다.
또한, 상기 비화소 영역(NPXA)에서, 상기 제2 전극(CE)에서 반사된 제2 반사광(L2) 및 상기 광 흡수층(ABL)에서 반사된 상기 제1 반사광(L1)은 소멸 간섭에 의해 소멸될 수 있다. 즉, 상기 비화소 영역(NPXA)에서, 상기 반사 방지층(ARL)은 외부 광이 반사되는 것을 방지할 수 있다.
상기 비화소 영역(NPXA)에서, 상기 외부 광 중 극히 일부가 상기 제2 전극(CE)을 투과할 수 있다. 상기 제2 전극(CE)을 투과한 광은 상기 어레이 기판(ASB)의 금속막, 예를 들면, 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 공급 라인, 제1 캐패시터 전극, 제2 캐패시터 전극, 소스 전극 및 드레인 전극에서 반사될 수 있다. 그러나, 상기 어레이 기판(ASB)에서 반사된 광은 상기 제2 전극(CE)을 투과하지 못하고, 상기 제2 전극에서 다시 반사될 수 있다. 따라서, 상기 외부 광 중 상기 제2 전극(CE)을 투과한 광은 상기 제2 전극(CE) 및 상기 어레이 기판(ASB) 사이에서 소멸될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 표시 장치는 상기 반사 방지층(ARL)을 이용하여 외부 광이 반사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치는 별도의 편광판을 구비하지 않더라도 외부 광에 의한 화질 저하를 방지할 수 있다.
도 7 및 표 1은 화소 영역 및 비화소 영역에서 제2 전극의 두께에 따른 표시 장치의 반사율을 측정한 그래프 및 표이다. 도 7 및 표 1에서 측정된 표시 장치는 Al을 포함하는 반사막과 ITO를 포함하는 투명 도전막을 구비하는 제1 전극, 유기막, MgAg를 포함하는 제2 전극, 및 상기 제2 전극 상에 배치되고 위상 정합층 및 광 습수층을 포함하는 반사 방지층을 포함한다. 여기서, 상기 반사막 및 상기 제2 전극 사이의 거리는 3000Å이다.
화소 영역 및 비화소 영역에서 제2 전극의 두께에 따른 반사율의 측정
화소 영역 제2 전극 두께(Å) 비화소 영역 제2 전극 두께(Å) 비화소 영역 반사율(%) 전체 반사율(%)
150 150 2.60 7.51
200 1.36 6.49
250 0.83 6.04
300 0.62 5.87
350 0.55 5.81
400 0.54 5.81
450 0.56 5.82
500 0.57 5.83
도 7을 참조하면, 비화소 영역에서의 제2 전극의 두께가 화소 영역에서의 제2 전극의 두께보다 커질수록 표시 장치의 비화소 영역의 반사율이 감소함을 알 수 있다.
상기 비화소 영역에서 반사율이 감소하는 이유는 하기와 같다.
우선, 상기 비화소 영역에서, 외부 광의 대부분은 상기 제2 전극에서 반사되고, 상기 외부 광의 극히 일부분은 상기 제2 전극을 투과할 수 있다. 상기 제2 전극에서 반사된 광은 광 흡수층에서 반사된 광과 상쇄 간섭되어 소멸될 수 있다. 또한, 상기 비화소 영역에서, 상기 외부 광 중 상기 제2 전극을 투과하는 광의 양은 상기 화소 영역에서 상기 제2 전극을 투과하는 광의 양보다 적을 수 있다. 상기 제2 전극을 투과한 광은 어레이 기판에서 반사되더라도 상기 제2 전극을 투과하여 외부로 출사되지 못하고 소멸될 수 있다.
또한, 표시 장치는 화소 영역에서의 제2 전극의 두께보다 비화소 영역에서의 제2 전극의 두께가 커질수록 반사율이 감지함을 알 수 있다. 이는 상기 비화소 영역의 반사율이 감소하기 때문이다.
이하, 도 8 및 도 9를 통하여 본 발명의 다른 실시예들을 설명한다. 도 8 및 도 9에 있어서, 도 1 내지 도 6에 도시된 구성 요소와 동일한 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고, 그에 대하여 간략히 설명한다. 또한, 도 8 및 도 9에서는 중복된 설명을 피하기 위하여 도 1 내지 도 6과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치는 복수의 화소 영역들(PXA), 예를 들면, 적색 화소 영역(RPXA), 녹색 화소 영역(GPXA), 및 청색 화소 영역(BPXA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 어레이 기판(ASB), 상기 어레이 기판(ASB) 상의 상기 화소 영역들(PXA) 각각에 배치되는 유기 발광 소자들(OLED), 상기 유기 발광 소자들(OLED)를 커버하는 반사 방지층(ARL), 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되는 봉지 부재(CPL), 및 상기 봉지 부재(CPL) 상에 배치되는 광 차단 패턴(BM)을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자들(OLED) 각각은 상기 어레이 기판(ASB) 상에 배치되고 반사막(RML) 및 투명 도전막(TCL)을 구비하는 제1 전극(AE), 상기 제1 전극(AE) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
상기 화소 영역들(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE) 및 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 광 반사 특성은 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 영역(PXA)의 상기 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있으며, 상기 비화소 영역(NPXA)의 상기 제2 전극(CE)은 반사막일 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 화소 영역들(PXA) 및 상기 비화소 영역(NPXA)에서 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 영역들(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께는 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께보다 작을 수 있다.
상기 반사 방지층(ARL)은 상기 제2 전극(CE) 상에 배치되는 적어도 하나의 위상 정합층(PML), 및 상기 위상 정합층(PML) 상에 배치되는 적어도 하나의 광 흡수층(ABL)을 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재(CPL)는 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되어, 상기 유기 발광 소자(OLED)를 외부 환경과 격리시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지 부재(CPL)는 외부의 수분 및 산소가 상기 유기 발광 소자(OLED)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 광 차단 패턴(BM)은 상기 봉지 부재(CPL) 상에서, 서로 인접하는 상기 화소 영역들(PXA) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 광 차단 패턴(BM)은 상기 서로 인접하는 화소 영역들(PXA)에서 출사되는 광이 혼색되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 광 차단 패턴(BM)은 상기 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 광 차단 패턴(BM)은 감광성 흑색 수지 조성물 또는 광 반사율이 낮은 금속을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 광 차단 패턴(BM)은 외부 광을 흡수하고, 외부 광의 반사를 억제하여 상기 표시 장치의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 9를 참조하면, 표시 장치는 복수의 화소 영역들(PXA), 예를 들면, 적색 화소 영역(RPXA), 녹색 화소 영역(GPXA), 및 청색 화소 영역(BPXA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 어레이 기판(ASB), 상기 어레이 기판(ASB) 상의 상기 화소 영역들(PXA) 각각에 배치되는 유기 발광 소자들(OLED), 상기 유기 발광 소자들(OLED)를 커버하는 반사 방지층(ARL), 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되는 봉지 부재(CPL), 상기 봉지 부재(CPL) 상에 배치되는 터치 스크린(TSP), 및 상기 터치 스크린(TSP) 상에 배치되는 광 차단 패턴(BM)을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자들(OLED) 각각은 상기 어레이 기판(ASB) 상에 배치되고 반사막(RML) 및 투명 도전막(TCL)을 구비하는 제1 전극(AE), 상기 제1 전극(AE) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
상기 화소 영역들(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE) 및 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 광 반사 특성은 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 영역(PXA)의 상기 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있으며, 상기 비화소 영역(NPXA)의 상기 제2 전극(CE)은 반사막일 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 화소 영역들(PXA) 및 상기 비화소 영역(NPXA)에서 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 영역들(PXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께는 상기 비화소 영역(NPXA)에서의 상기 제2 전극(CE)의 두께보다 작을 수 있다.
상기 반사 방지층(ARL)은 상기 제2 전극(CE) 상에 배치되는 적어도 하나의 위상 정합층(PML), 및 상기 위상 정합층(PML) 상에 배치되는 적어도 하나의 광 흡수층(ABL)을 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재(CPL)는 상기 반사 방지층(ARL) 상에 배치되어, 상기 유기 발광 소자(OLED)를 외부 환경과 격리시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지 부재(CPL)는 외부의 수분 및 산소가 상기 유기 발광 소자(OLED)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 터치 스크린(TSP)은 정보 입력 장치의 하나로, 봉지 부재(CPL) 상에 배치될 수 있다. 사용자는 상기 표시 장치에서 구현되는 이미지를 시청하면서 상기 터치 스크린 내의 터치 센서를 누르거나 터치하여 정보를 입력할 수 있다. 상기 터치 스크린은 복수의 센싱 전극들(미도시), 및 상기 센싱 전극들을 연결하는 센싱 라인들(미도시)을 포함할 수 있다.
상기 광 차단 패턴(BM)은 상기 봉지 부재(CPL) 상에서, 서로 인접하는 상기 화소 영역들(PXA) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 광 차단 패턴(BM)은 상기 서로 인접하는 화소 영역들(PXA)에서 출사되는 광이 혼색되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 광 차단 패턴(BM)은 상기 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
AR: 액티브 영역 NAR: 비액티브 영역
PXA: 화소 영역 NPXA: 비화소 영역
ASB: 어레이 기판 OLED: 유기 발광 소자
ARL: 반사 방지층 CPL: 봉지 부재
BM: 광 차단 패턴 TSP: 터치 스크린

Claims (14)

  1. 복수의 화소 영역들, 및 서로 인접하는 상기 화소 영역들 사이의 비화소 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상의 화소 영역에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치되는 위상 정합층; 및
    상기 위상 정합층 상에 배치되는 적어도 하나의 광 흡수층을 포함하고,
    상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역의 상기 제2 전극의 두께와 다르며, 상기 화소 영역에서 상기 제2 전극은 반투과 반사막이며, 상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극은 반사막인 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 비화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께보다 큰 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께보다 적어도 50Å 이상 큰 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 200Å 내지 500Å인 표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 비화소 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 화소 영역에서의 상기 제2 전극의 두께의 4/3배 내지 10/3배인 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    가시 광선 영역에서, 상기 광 흡수층은 굴절율 및 흡광 계수의 곱이 0.5 이상인 물질을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    가시 광선 영역에서, 상기 광 흡수층은 굴절율 및 흡광 계수의 곱이 2 내지 4인 물질을 포함하는 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 Cr, Mo, Ti, Co, Ni, Ti, Al, W, Mn, CrNx, TiNx, TiAlNx, MoOx, 및 CuOx 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    가시 광선 영역에서, 상기 위상 정합층은 굴절률이 1 이상이며, 흡광 계수가 5 이하인 물질을 포함하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 위상 정합층은 SiNx, SiOx, SiCN, LiF, MgF2, 및 CaF2 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 박막 봉지층을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 상의 상기 비화소 영역에 배치되는 광 차단 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 및 상기 광 차단 패턴 사이에 배치되는 터치 스크린을 더 포함하는 표시 장치.
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