JP4535387B2 - ドナー基板の製造方法，およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は，ドナー基板の製造方法，および有機電界発光表示装置の製造方法に係り，より詳しくは，パターニングされたドナー基板の製造方法，およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法に関するものである。
平板表示装置である有機電界発光表示装置は，応答時間が１ｍｓ以下であって高速の応答速度を有し，消費電力が低く，自体発光であって視野角に問題がないため，装置の大きさを問わずに動画像表示媒体としての長所を有する。また，有機電界発光表示装置は，低温での製作が可能であり，既存の半導体技術に基づいた製造工程で簡単に製造できるので，次世代平板表示装置として注目を浴びている。
有機電界発光表示装置は，有機電界発光素子として使用する材料と工程によって，湿式工程を用いる高分子型素子と蒸着工程を用いる低分子型素子に大別される。
高分子発光層または低分子発光層のパターニング方法の中でも，特にインクジェットプリント方法は，発光層以外の有機層の材料が制限的であり，基板上にインクジェットプリントのための構造を形成しなければならないという煩わしさがある。さらに，蒸着工程による発光層のパターニングの場合には，金属マスクの使用により，大型素子の製作が難しい。
上記のようなパターニングの方法を代替することが可能な技術として，レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ：Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）が最近開発されている。
レーザ熱転写法は，光源から出てくるレーザを熱エネルギーに変換し，この熱エネルギーによってパターン形成物質を対象基板に転写させてパターンを形成する方法であるが，このような方法のためには，転写層の形成されたドナー基板，光源および被写体としての基板が必要である。
レーザ熱転写法を用いて転写層をパターニングする場合，レーザスキャンが行われる領域には，ドナー基板の転写層が全て基板上に転写される。したがって，転写層が不要な基板の領域，例えば，封止部にも転写層が形成される。
しかし，従来のレーザ熱転写法では，有機物から構成される転写層によって封止部のシーラントの接着力が弱化する問題が発生するおそれがある。シーラントの接着力が弱化することにより，外部の気体および水分が有機電界発光表示装置内に流入する。流入した外部の気体および水分は，有機電界発光表示装置内の発光層の寿命を低下させることにより，画素領域の不良を発生させる可能性がある。封止部など，転写層が不要な基板の領域に転写層を形成しないために，メカニカルシャッターまたはモジュレータなどの装置を設置してレーザのオン／オフを調節した後，パターニングを行うことができる。ところが，メカニカルシャッターの場合には，速度が遅くてパターン不良が発生するおそれがあり，モジュレータの場合には，レーザのパワーが高いため，オン／オフ調節が可能な装置の製作に高い費用がかかるという難しさがある。その上，オン／オフ過程により，工程時間が増加するおそれもある。
そこで，本発明は，このような問題点に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，基板の不要な部分の転写層を除去する工程を簡素化させるドナー基板の製造方法，およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，少なくとも一つの転写領域および非転写領域を有するベース基板を形成する段階と，上記ベース基板の上記転写領域および上記非転写領域を有する面上に光熱変換層を形成する段階と，上記光熱変換層上にシャドーマスクを用いて転写物質を蒸着することにより，上記転写領域に選択的に転写層を形成する段階とを含むドナー基板の製造方法が提供される。
本発明によれば，ドナー基板の転写領域上にのみ，転写層を蒸着して形成することにより，被写体としての基板の非表示領域，つまり転写層が不要な部分に転写層が形成されないので，従来のように非表示領域の転写層を除去する工程を簡素化させることができる。また，非表示領域，例えば，封止部などに転写層が形成されないので，有機物からなる転写層によるシーラントの接着力の低下を防ぐことができる。さらに，ドナー基板の転写層パターンを被写体としての基板の表示領域より大きく形成することにより，基板の整列誤差によるパターン不良を防止することができ，ドナー基板に転写層を形成するときに発生しうるエッジの厚さ不良が，基板に転写がなされても現れなくなることにより，一層効果的なパターニングを行うことができる。
上記転写層は，上記ベース基板の背面に支持板を固定させた後，形成されることができる。
各々の上記転写領域に形成される上記転写層は，上記ベース基板に対向する基板の表示領域より整列誤差だけ，さらに広くてもよい。
各々の上記転写領域に形成される上記転写層は，上記ベース基板に対向する上記基板の上記表示領域よりエッジ効果の現れる領域だけ，広くてもよい。
上記ベース基板は，２つ以上の上記転写領域を備え，上記非転写領域は，上記転写領域の間に位置することができる。
上記転写層は，有機電界発光素子の発光層であってよい。
上記転写層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことができる。
上記ベース基板と上記光熱変換層との間，または上記光熱変換層と上記転写層との間にバッファ層をさらに形成することができる。
上記課題を解決するために，本発明の第２の観点によれば，少なくとも一つの転写領域および非転写領域を備えるベース基板の上記転写領域上に，シャドーマスクを用いて転写層を選択的に形成して，ドナー基板を形成する段階と，上記ドナー基板に対向し，少なくとも一つの表示領域を備える基板を備える段階と，上記ドナー基板の上記転写層と上記基板の上記表示領域とが対向するように整列する段階と，上記基板の上記表示領域上に，上記ドナー基板の上記転写領域の上記転写層を転写させる段階とを含む有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
本発明によれば，蒸着およびパターニングされた転写層を備えるドナー基板を用いることにより，レーザ熱転写工程の際に，別途の装置と工程なしでも表示領域にのみパターンを形成することが可能な有機電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。また，蒸着およびパターニングされた転写層を備えるドナー基板を用いることにより，レーザ熱転写工程の際に，レーザオン／オフのための別途の装置と工程なしで，レーザの連続照射で表示領域にのみパターンを形成することができる。また，ドナー基板の転写層パターンを有機電界発光表示装置の表示領域より大きく形成することにより，基板の整列誤差によるパターン不良を防止することができ，ドナー基板に転写層を形成するときに発生するエッジの厚さ不良が，基板に転写がなされても現れなくなることにより，一層効果的なパターニングを行うことができる。
上記ドナー基板の各々の上記転写領域に形成される上記転写層は，上記ドナー基板に対向する上記基板の上記表示領域より整列誤差だけ，さらに広くてよい。
上記ドナー基板の各々の上記転写領域に形成される上記転写層は，上記ドナー基板に対向する上記基板の上記表示領域よりエッジ効果の現れる領域だけ，広くてよい。
上記基板の上記表示領域上に，上記ドナー基板の上記転写領域の上記転写層を転写させる段階は，上記ドナー基板上の連続的なレーザ照射によって行われてもよい。
上記ドナー基板は，上記基板より大きくてよい。
上記ドナー基板は，上記ドナー基板の上記ベース基板と，上記ベース基板上に形成される光熱変換層との間，または上記光熱変換層と上記転写層との間に，バッファ層をさらに含むことができる。
上記転写層は，発光層であってよい。
上記転写層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことができる。
以上説明したように本発明によれば，ドナー基板の転写層を転写領域上にのみパターニングして形成することにより，被写体としての基板の不要な部分の転写層を除去する工程を簡素化させることができ，封止部には，有機膜が存在しなくなるので，シーラントの接着力をさらに強化することができる。また，パターニングされた転写層を備えるドナー基板を用いることにより，レーザ熱転写工程の際にレーザオン／オフのための別途の装置と工程なしでも表示領域にのみパターンを形成することができる。また，ドナー基板の転写層パターンを被写体としての基板の表示領域より大きく形成することにより，基板の整列誤差によるパターン不良を防止することができ，ドナー基板に転写層を形成するときに発生しうるエッジの厚さ不良が，基板に転写がなされても現れなくなることにより，一層効果的なパターニングを行うことができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態）
図１は，本発明の第１実施形態に係るドナー基板の製造方法を示す図である。図１を参照すると，少なくとも一つの転写領域および非転写領域を有するベース基板１００を形成し，ベース基板１００の転写領域および非転写領域を有する面上に光熱変換層を形成する。光熱変換層上にシャドーマスク５０を用いて転写用物質を蒸着することにより，ベース基板１００の転写領域に転写層を形成する。つまり，本発明の第１実施形態に係るドナー基板は，ベース基板１００の少なくとも一つの転写領域および非転写領域を有する面上に，光熱変換層を有し，光熱変換層上に転写用物質を蒸着することで，転写領域に転写層を有する。ここで，ベース基板１００において，転写領域は，レーザで照射される領域であり，非転写領域は，レーザで照射されない領域である。
図１は，本発明の第１実施形態に係るドナー基板の製造方法を示す図である。図１を参照すると，少なくとも一つの転写領域および非転写領域を有するベース基板１００を形成し，ベース基板１００の転写領域および非転写領域を有する面上に光熱変換層を形成する。光熱変換層上にシャドーマスク５０を用いて転写用物質を蒸着することにより，ベース基板１００の転写領域に転写層を形成する。つまり，本発明の第１実施形態に係るドナー基板は，ベース基板１００の少なくとも一つの転写領域および非転写領域を有する面上に，光熱変換層を有し，光熱変換層上に転写用物質を蒸着することで，転写領域に転写層を有する。ここで，ベース基板１００において，転写領域は，レーザで照射される領域であり，非転写領域は，レーザで照射されない領域である。
より具体的に説明すると，光熱変換層は，赤外線−可視光線領域の光を吸収する性質を有する光吸収性物質で形成される。すなわち，レーザ光吸収物質が含まれている有機膜，金属およびこれらの複合層のいずれか一つで形成されることができる。光熱変換層は，レーザ照射装置で照射されたレーザを熱エネルギーに変換させることができる。熱エネルギーは，転写層と光熱変換層との間の接着力を変化させることにより，転写層を被写体としての基板上に転写する役割をする。
転写層は，光熱変換層の形成されるベース基板１００上に，転写領域と対応するようにシャドーマスク５０を配置させた後，転写用物質を蒸着させることにより形成される。光熱変換層上に転写用物質を蒸着する過程は，シャドーマスク５０を通じて，レーザ光源３０からのレーザによって行われる。転写領域は，ベース基板１００上に転写層が形成される領域であって，以後のレーザ熱転写によりアクセプター基板，つまり被写体としての基板上に転写される転写層を有する部分である。
ベース基板１００が２つ以上の転写領域を備える場合，非転写領域は，転写領域の間に位置してもよい。
転写層の形成は，ベース基板１００の背面に支持板７０を固定させた後，行ってもよい。
転写層は，有機電界発光素子の発光層であってもよい。また，転写層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことができる。
また，転写物質の損傷を防止し，かつ転写層とドナー基板との接着力を効果的に調節するために，ベース基板１００と光熱変換層との間，または光熱変換層と転写層との間にバッファ層をさらに形成することができる。
各々の転写領域に形成される転写層は，ベース基板１００に対向する基板の表示領域より整列誤差だけ，さらに広くすることができる。また，各々の転写領域に形成される転写層は，ベース基板１００に対向する基板の表示領域よりエッジ効果の現れる領域だけ広くすることができる。本実施形態では，ベース基板１００に対向する基板とは，アクセプター基板であり，アクセプター基板の表示領域は，ドナー基板に対向する面上に形成される。
すなわち，シャドーマスク５０の開口領域５０ａは，ドナー基板の転写層をアクセプター基板，つまり被写体としての基板上に転写するときに，発生する整列誤差を考慮して寸法が定められ，整列誤差だけ広く設定される。また，転写層蒸着過程の際に発生するパターンエッジの厚さ誤差を考慮して，アクセプター基板上の表示領域より誤差が発生する寸法だけ，広く転写されるように，エッジ効果を考慮に入れてシャドーマスク５０の開口領域５０ａが定められ，エッジ効果が現れる領域だけ，つまり，パターンエッジの厚さ誤差範囲だけ，広く設定される。整列誤差およびエッジ効果の範囲は，非常に小さいので，非表示領域，例えば，封止部のシーラントの接着力に影響を及ぼすことはない。
したがって，シャドーマスク５０の開口領域５０ａは，最大画素部領域の整列誤差とエッジ効果幅を加えた値を有することができる。ここで，整列誤差とは，ドナー基板の転写層をアクセプター基板の表示領域に転写する際，対応するように配置されるドナー基板の転写層とアクセプター基板の表示領域との配置位置がずれる時に発生する誤差である。エッジ効果とは，例えば，ドナー基板の転写層のエッジ厚さが，大きすぎたり，小さすぎたり，転写層の厚さが一定ではない領域が転写層に発生することである。
これにより，アクセプター基板上の表示領域に，転写層のパターンの不良なしで転写を行うことができ，アクセプター基板上の表示領域に転写層を転写する際に，非表示領域には，転写層の形成されないドナー基板を製造することができる。
図２は，本発明の第１実施形態に係るドナー基板および基板（アクセプター基板）を同時に示したもので，ドナー基板の転写領域と基板の表示領域との比較を行うためのものである。符号３および符号５は，基板（アクセプター基板）の中心線である。
図２を参照すると，上記製造過程により形成されたドナー基板１０５は，転写領域１４０および非転写領域１４５を有し，転写領域１４０にのみ転写層が形成された構造を有する。
ドナー基板１０５は，ベース基板１００が２つ以上の転写領域１４０を備えるとき，非転写領域１４５を転写領域１４０の間に備えることができる。
所定の層を備えるアクセプター基板２０１は，ドナー基板１０５に対向する面上に，少なくとも一つの表示領域２０５および非表示領域２０３を有し，アクセプター基板２０１に対向するようにドナー基板１０５を配置させ，レーザ熱転写を行う。ここで，アクセプター基板２０１の表示領域２０５と，ドナー基板１０５の転写領域１４０が対応するように配置する。したがって，レーザのオン／オフ機能なしでも転写の不要な領域，非表示領域２０３には，転写層が転写されない。すなわち，レーザビームがドナー基板１０５全体をスキャンしながら通過しても，アクセプター基板２０１上には，転写層の必要な領域，表示領域２０５にのみ転写層が転写される。
したがって，レーザの速度に比べて，オン／オフ速度が遅いためパターン不良が発生するメカニカルシャッターを使用する必要がなく，且つレーザのオン／オフ調節のためのモジュレータを使用する必要がないので，モジュレータ製作の際に発生する高コストを節減することができる。
ドナー基板１０５上の転写領域１４０は，転写の必要な領域であるアクセプター基板２０１上の表示領域２０５より大きくパターニングされている。
転写領域の大きさ（ａ）と表示領域の大きさ（ｂ）との差は，ドナー基板１０５とアクセプター基板２０１との整列誤差を考慮した寸法，またはドナー基板１０５の転写物質蒸着の際に，転写層の厚さ誤差が発生するエッジの範囲を考慮したものである。
すなわち，転写領域の大きさ（ａ）と表示領域の大きさ（ｂ）との差の最大値は，画素部領域の整列誤差とエッジ効果幅を加えた値であってもよい。
したがって，ドナー基板１０５を用いてアクセプター基板２０１上に，転写層を転写する場合，整列誤差による転写層のパターン不良を防止することができる。また，ドナー基板１０５に転写層を形成するときに発生するエッジの厚さ不良が，アクセプター基板２０１に転写がなされても現れない。よって，一層効果的な転写層の転写を行うことができる。
転写された転写層は，有機電界発光素子の発光層であってもよい。また，転写された転写層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことができる。
図３ａ〜図３ｃは，本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を示す図で，本発明の第１実施形態に係るドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示すものである。
（第２実施形態）
図３ａ〜図３ｃを参照して，各単位画素ごとに説明すると，転写領域１４０および非転写領域１４５を備えるドナー基板１０５の転写領域１４０に，Ｒ発光物質，Ｇ発光物質，Ｂ発光物質よりなる転写層を蒸着して，Ｒ単位画素，Ｇ単位画素，Ｂ単位画素ごとに各々のドナー基板１０５を備える。ここで，図３ａ〜図３ｃにおいて，説明のために，ドナー基板１０５のアクセプター基板２０１に対向する面に形成される転写領域１４０，非転写領域１４５，転写層をドナー基板１０５のアクセプター基板２０１に対向する面の反対面に投射している。図２も，同様の理由で転写領域１４０，非転写領域１４５をドナー基板１０５のアクセプター基板２０１に対向する面の反対面に投射している。
図３ａ〜図３ｃを参照して，各単位画素ごとに説明すると，転写領域１４０および非転写領域１４５を備えるドナー基板１０５の転写領域１４０に，Ｒ発光物質，Ｇ発光物質，Ｂ発光物質よりなる転写層を蒸着して，Ｒ単位画素，Ｇ単位画素，Ｂ単位画素ごとに各々のドナー基板１０５を備える。ここで，図３ａ〜図３ｃにおいて，説明のために，ドナー基板１０５のアクセプター基板２０１に対向する面に形成される転写領域１４０，非転写領域１４５，転写層をドナー基板１０５のアクセプター基板２０１に対向する面の反対面に投射している。図２も，同様の理由で転写領域１４０，非転写領域１４５をドナー基板１０５のアクセプター基板２０１に対向する面の反対面に投射している。
ドナー基板１０５は，ベース基板１００が２つ以上の転写領域１４０を備えるとき，非転写領域１４５を転写領域１４０の間に有することができる。
ドナー基板１０５は，アクセプター基板２０１より大きいものでもよい。また，ドナー基板１０５は，転写層と光熱変換層との間，またはベース基板と光熱変換層との間にバッファ層をさらに含むことができる。
図３ａを参照すると，少なくとも１つの表示領域２０５を備えるアクセプター基板２０１をドナー基板１０５の転写層と対向するように配置する。ここで，アクセプター基板２０１は，有機電界発光表示装置の基板である。
転写層は，発光層であってもよい。また，転写層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことができる。
ドナー基板１０５は，少なくとも一つの転写領域１４０および非転写領域１４５を備え，ドナー基板１０５の転写領域１４０上にシャドーマスクを用いて，Ｒ発光物質よりなる転写層２５０ｒを選択的に形成したものである。
アクセプター基板２０１のドナー基板１０５に対向する面上の表示領域２０５上に，Ｒ発光物質よりなる転写層２５０ｒの形成された転写領域１４０が位置するようにドナー基板１０５を配置する。この時，アクセプター基板２０１の表示領域２０５と，ドナー基板１０５のＲ発光物質よりなる転写層２５０ｒが形成された転写領域１４０とが対応するように配置される。その後，レーザ熱転写を用いて，アクセプター基板２０１の表示領域２０５上にＲ発光物質よりなる転写層２５０ｒを転写する。
アクセプター基板２０１の表示領域２０５上に，Ｒ発光物質よりなる転写層２５０ｒを転写させることは，ドナー基板１０５上の連続的なレーザ照射１によって行うことができる。これにより，アクセプター基板２０１の表示領域２０５におけるＲ単位画素領域にＲ発光物質よりなる転写層２５０ｒが形成される。
図３ｂを参照すると，図３ａと同様に，Ｇ発光物質よりなる転写層２５０ｇが蒸着されたドナー基板１０５を用いて，Ｒ発光物質よりなる転写層２５０ｒの形成されたアクセプター基板２０１の表示領域２０５上のＧ単位画素領域に，Ｇ発光物質よりなる転写層２５０ｇを形成する。
また，図３ｃを参照すると，上記の例と同様に，Ｂ発光物質よりなる転写層２５０ｂがパターニングされたドナー基板１０５を用いて，アクセプター基板２０１の表示領域２０５上のＢ単位画素領域に，Ｂ発光物質よりなる転写層２５０ｂを形成する。
したがって，単位画素に対応する発光物質よりなる転写層が蒸着されたドナー基板１０５を用いることにより，アクセプター基板２０１の非表示領域２０３，転写層の不要な基板の領域，例えば，封止部には，転写層が転写されない。したがって，シーラントの接着力のために，表示領域以外の転写された転写層を除去する工程が必要なくなる。そして，連続的なレーザ照射を行うことにより，部分的なレーザ転写のために，オン／オフ機能を有する装置を別途に設置する必要がないので，費用が節減される。また，封止部には，有機膜が存在しなくなるので，シーラントの接着力は，さらに強化できる。
ドナー基板１０５に蒸着されるＲ発光物質よりなる転写層２５０ｒ，Ｇ発光物質よりなる転写層２５０ｇ，Ｂ発光物質よりなる転写層２５０ｂの領域は，アクセプター基板２０１の表示領域２０５の大きさより大きく形成する。
蒸着された転写層の領域，すなわち，ドナー基板１０５の転写領域１４０は，アクセプター基板２０１の表示領域２０５より整列誤差だけ，さらに広くすることができる。したがって，ドナー基板１０５の転写層がどのように蒸着されても，ドナー基板１０５とアクセプター基板２０１との整列誤差によるパターン不良を防止することができる。
また，ドナー基板１０５の転写領域１４０は，アクセプター基板２０１の表示領域２０５よりエッジ効果の現れる領域だけ，つまり，ドナー基板１０５に転写層を蒸着する際に発生するパターンエッジの厚さ誤差の範囲だけ，さらに広くすることができる。したがって，ドナー基板１０５に転写層を形成する際に発生するエッジの厚さ不良がアクセプター基板２０１に転写されても現れなくなることにより，さらに効果的なパターニングを行うことができる。ここで，整列誤差とは，ドナー基板１０５の転写層をアクセプター基板２０１の表示領域２０５に転写する際，対応するように配置されるドナー基板１０５の転写層とアクセプター基板２０１の表示領域２０５との配置位置がずれる時に発生する誤差である。エッジ効果とは，例えば，ドナー基板１０５の転写層のエッジ厚さが，大きすぎたり，小さすぎたり，転写層の厚さが一定ではない領域が転写層に発生することである。整列誤差およびエッジ効果の範囲は，非常に小さいので，非表示領域，例えば，封止部のシーラントの接着力に影響を及ぼすことはない。
上記では，例えば，Ｒ，Ｇ，Ｂの順でパターニングを行ったが，本実施形態では，単位画素色相ごとにパターニングされる順序は関係ない。
以上，本発明の第２実施形態によれば，蒸着およびパターニングされた転写層を備えるドナー基板１０５を用いることにより，有機電界発光表示装置の表示領域のみに転写層を転写でき，転写層の必要のない領域（非表示領域）に，例えば，封止部などに有機物からなる転写層が転写されないので，シーラントの接着力の低下を防ぐことができる。また，レーザ熱転写工程の際に，レーザオン／オフのための別途の装置と工程なしでも表示領域にのみパターンを形成することができる。また，ドナー基板１０５の転写層パターンを有機電界発光表示装置の表示領域より大きく形成することにより，ドナー基板１０５と有機電界発光表示装置の基板とが配置される際に，発生する整列誤差によるパターン不良を防止することができ，ドナー基板１０５に転写層を形成するときに発生するエッジの厚さ不良が，有機電界発光表示装置の基板に転写層を転写しても現れなくなることにより，一層効果的なパターニングを行うことができる。
図４および図５は，上記の方法により製造した本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図であり，いずれか１色相の単位画素に対する断面であって，図３ｃのＩＩ−ＩＩ’の断面と同様である。
図４を参照すると，少なくとも一つの表示領域を備える下部基板２００上に，薄膜トランジスタ２１０を含む所定の層を形成する。すなわち，下部基板２００上にゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を形成し，ゲート絶縁膜および層間絶縁膜からなる絶縁膜２２０を形成する。したがって，下部基板２００上には，単位画素ごとに薄膜トランジスタ２１０と絶縁膜２２０が形成され，薄膜トランジスタ２１０以外に，キャパシタまたは金属配線が形成される。
また，絶縁膜２２０は，保護膜または平坦化膜をさらに含むことができる。
薄膜トランジスタ２１０に連結される画素電極２３０を形成する。効率的な発光特性のために，画素電極２３０と絶縁膜２２０との間に反射膜を介在してもよい。
画素電極２３０の形成された下部基板２００上に，画素定義膜２４０を形成して各単位画素の領域を定義する。
画素定義膜２４０上にドナー基板１０５を用いて，上述の方法で発光物質よりなる転写層２５０を形成する。転写層の蒸着されたドナー基板１０５を使用することにより，転写層が不要な封止部Ａには，転写層が転写されない。また，上述したように，ドナー基板１０５に蒸着された転写層２５０の領域ａ（転写領域１４０）は，表示領域ｂの大きさより大きく形成されることにより，転写層２５０のパターニング特性がさらに向上できる。
図５を参照すると，転写層２５０の形成された下部基板２００上に，対向電極２６０を形成する。そして，各表示領域の間の封止部Ａごとに，シーラント２７０を形成した後，上部基板２８０で封止し，各表示装置に応じて切断して，それぞれの表示領域による少なくとも一つの有機電界発光表示装置を完成する。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は，ドナー基板の製造方法および有機電界発光表示装置の製造方法に適用可能であり，より詳しくは，パターニングされたドナー基板の製造方法，およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法に適用可能である。
５０ シャドーマスク
５０ａ 開口領域
７０ 支持板
１００ ベース基板
１０５ ドナー基板
１４０ 転写領域
１４５ 非転写領域
２００ 下部基板
２０１ アクセプター基板
２０５ 表示領域
２１０ 薄膜トランジスタ
２２０ 絶縁膜
２３０ 画素電極
２４０ 画素定義膜
２５０ 転写層
２６０ 対向電極
２７０ シーラント
２８０ 上部基板
５０ａ 開口領域
７０ 支持板
１００ ベース基板
１０５ ドナー基板
１４０ 転写領域
１４５ 非転写領域
２００ 下部基板
２０１ アクセプター基板
２０５ 表示領域
２１０ 薄膜トランジスタ
２２０ 絶縁膜
２３０ 画素電極
２４０ 画素定義膜
２５０ 転写層
２６０ 対向電極
２７０ シーラント
２８０ 上部基板
Claims (12)
- 少なくとも一つの転写領域および非転写領域を有するベース基板を形成する段階と；
前記ベース基板の前記転写領域および前記非転写領域を有する面上に、光熱変換層を形成する段階と；
前記光熱変換層上に、シャドーマスクを用いて転写物質を蒸着することにより、前記転写領域に選択的に転写層を形成する段階と；
を含み、
各々の前記転写領域に形成される前記転写層は、前記ベース基板に対向する前記基板の前記表示領域よりエッジ効果の現れる領域だけ広いことを特徴とする、レーザ熱転写法に用いるドナー基板の製造方法。 - 前記転写層は、前記ベース基板の背面に支持板を固定させた後、形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ熱転写法に用いるドナー基板の製造方法。
- 前記ベース基板は、２つ以上の前記転写領域を備え、前記非転写領域は、前記転写領域の間に位置することを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載のレーザ熱転写法に用いるドナー基板の製造方法。
- 前記転写層は、有機電界発光素子の発光層であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のレーザ熱転写法に用いるドナー基板の製造方法。
- 前記転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写法に用いるドナー基板の製造方法。
- 前記ベース基板と前記光熱変換層との間、または前記光熱変換層と前記転写層との間にバッファ層をさらに形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ熱転写法に用いるドナー基板の製造方法。
- 少なくとも一つの転写領域および非転写領域を備えるベース基板の前記転写領域上に、シャドーマスクを用いて転写層を選択的に形成して、ドナー基板を形成する段階と；
前記ドナー基板に対向し、少なくとも一つの表示領域を備える基板を備える段階と；
前記ドナー基板の前記転写層と前記基板の前記表示領域とが対向するように整列する段階と；
前記基板の前記表示領域上に、前記ドナー基板の前記転写領域の前記転写層を転写させる段階と；
を含み、
各々の前記転写領域に形成される前記転写層は、前記ベース基板に対向する前記基板の前記表示領域よりエッジ効果の現れる領域だけ広いことを特徴とする、
むことを特徴とする、レーザ熱転写法を用いた有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記基板の前記表示領域上に、前記ドナー基板の前記転写領域の前記転写層を転写させる段階は、前記ドナー基板上の連続的なレーザ照射によって行われることを特徴とする、請求項７に記載のレーザ熱転写法を用いた有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ドナー基板は、前記基板より大きいことを特徴とする、請求項７または８のいずれかに記載のレーザ熱転写法を用いた有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ドナー基板は、前記ドナー基板の前記ベース基板と、前記ベース基板上に形成される光熱変換層との間、または前記光熱変換層と前記転写層との間に、バッファ層をさらに含むことを特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載のレーザ熱転写法を用いた有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記転写層は、発光層であることを特徴とする、請求項７〜１０のいずれかに記載のレーザ熱転写法を用いた有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことを特徴とする、請求項７〜１１のいずれかに記載のレーザ熱転写法を用いた有機電界発光表示装置の製造方法。
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