JP5663262B2 - レーザ熱転写方法、それを用いた有機膜パターニング方法及び有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
12,32,42 光熱変換層、
13,33 転写層、
14,30,40 ドナー基板、
22,100,200 基板、
101 絶縁基板、
102 第1電極、
103 画素定義膜、
104 第2電極、
210 絶縁膜層、
211B,211G,211R 第1電極層、
220B 青色発光物質、
220G 緑色発光物質、
220R 赤色発光物質、
220B’ 青色発光物質パターン、
220G’ 緑色発光物質パターン、
220R’ 赤色発光物質パターン、
230 第2電極層。
Claims (20)
- 電極層および転写層が順に形成された第1基板を提供する段階と、
基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、を含み、
前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とするレーザ熱転写方法。 - 前記レーザの転写エネルギー強度は、5〜40kW/cm2であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。
- 前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階の後に、前記第2基板と前記第1基板とをラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ熱転写方法。
- 前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ熱転写方法。
- 前記デラミネーションによって、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の転写層は、前記第2基板側に接着されて分離されることを特徴とする請求項4に記載のレーザ熱転写方法。
- 電極層および有機膜が順に形成された第1基板を提供する段階と、
基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、を含み、
前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機膜パターニング方法。 - 前記レーザの転写エネルギー強度は、5〜40kW/cm2であることを特徴とする請求項6に記載の有機膜パターニング方法。
- 前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階の後に、前記第2基板と前記第1基板とをラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項6または7に記載の有機膜パターニング方法。
- 前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の有機膜パターニング方法。
- 前記デラミネーションによって、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の前記有機膜は、前記第2基板側に接着されて分離されることを特徴とする請求項9に記載の有機膜パターニング方法。
- 前記有機膜は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選択される1つの単層膜または2つ以上の多層膜に形成されることを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載の有機膜パターニング方法。
- 第1基板上に第1電極層を形成する段階と、
前記第1電極層上部に、第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域を定義するための絶縁膜層を形成する段階と、
前記第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域を含む前記第1基板全面に第1発光物質を塗布する段階と、
基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、を含み、
前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含み、
前記デラミネーションによって、前記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の第1発光物質は、前記第2基板側に接着されて分離され、前記第1画素領域に対応する領域の第1発光物質は、前記第1基板側に残留して第1発光物質パターンを形成することを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第1発光物質パターンを含む前記第1基板全面に第2発光物質を塗布する段階と、
基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、をさらに含み、
前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含み、
前記デラミネーションによって、前記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の第2発光物質は、前記第2基板側に接着されて分離され、前記第2画素領域に対応する領域の第2発光物質は、前記第1基板側に残留して第2発光物質パターンを形成することを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第1発光物質パターン及び前記第2発光物質パターンを含む前記第1基板全面に第3発光物質を塗布する段階と、
前記基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
前記第2基板の前記基材層面にレーザを照射する段階と、をさらに含み、
前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含み、
前記デラミネーションによって、前記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の第3発光物質は、前記第2基板側に接着されて分離され、前記第3画素領域に対応する領域の第3発光物質は、前記第1基板側に残留して第3発光物質パターンを形成することを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記レーザの転写エネルギー強度は、5〜40kW/cm2であることを特徴とする請求項12〜17のいずれか1項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第1発光物質パターンを形成した後に、前記第1発光物質パターンを含む第1基板を乾燥するために熱処理を行うことを特徴とする請求項13〜18のいずれか1項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第1画素領域は赤色画素領域、前記第2画素領域は緑色画素領域、前記第3画素領域は青色画素領域であることを特徴とする請求項12〜19のいずれか1項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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