JP5663262B2 - レーザ熱転写方法、それを用いた有機膜パターニング方法及び有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents

レーザ熱転写方法、それを用いた有機膜パターニング方法及び有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、レーザ熱転写方法、それを用いた有機膜パターニング方法及び有機電界発光表示装置の製造方法に関し、特に、レーザ熱転写方法における逆転写現象を利用した有機膜のパターニング方法に関するものである。
最近、高度情報化時代の到来とともに、迅速で正確な情報を得ようとするユーザの要求に応えて、軽量かつ薄型で、携帯しやすく、かつ、情報処理速度が速いディスプレイ装置の開発が急速に行われている。そのような中で、有機電界発光素子は、有機発光層を含む有機膜に電圧を印加することで、電子及び正孔が有機発光層内で再結合して光を発する自己発光型であって、LCDのようなバックライトを必要としないため、軽量かつ薄型を実現可能である。また、有機電界発光素子は、工程を単純化することができ、応答速度もCRTと同じレベルであって、低電圧駆動、高い発光効率、広い視野角であるということから次世代ディスプレイとして、需要が急上昇している。
ここで、上記有機膜は、特に有機発光層の材料により低分子型有機電界発光素子と高分子型有機電界発光素子とに分類される。
低分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子注入層などの機能がそれぞれ異なる多層の有機膜によって形成されていて、電荷蓄積が起きないようにドーピングさせたり、適切なエネルギーレベルを有する物質に代替させたりすることで調節することができる。しかしながら、このような低分子型有機膜は、主に真空蒸着で形成されるため、大型のディスプレイの実現が困難である。
一方、上記高分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に有機発光層からなる単層構造、または正孔輸送層を含む二重構造とすることができるため、厚さが薄い層の有機電界発光素子を製造することができる。また、上記有機膜は湿式コーティングで形成されるため常圧下でも製造することができ、生産工程コストを節減することができるとともに、大面積化とすることが容易である。
ここで、単色素子を製造する場合において、高分子を利用した有機電界発光素子は、スピンコーティング工程を用いて簡単に素子を製造することができるが、低分子有機電界発光素子よりも効率及び寿命が低下する短所がある。また、フルカラー素子の場合、上記の有機電界発光素子に、R,G,Bの三色を示す発光層をパターニングすることで、フルカラーを実現することができる。ここで、低分子型有機電界発光素子の有機膜パターニングは、シャドーマスクを利用した蒸着によってパターニングすることができ、高分子型有機電界発光素子の有機膜パターニングは、インクジェットプリンティングまたはレーザ熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging:LITI)によって行われる。そのような中で、レーザ熱転写法は、スピンコーティング特性をそのまま利用することができるので、大面積化とする際にピクセル内部の均一度が優れる。また、レーザ熱転写法は湿式工程ではなく乾式工程であるため、溶媒による寿命が低下される問題点を解決することができ、また上記有機膜を微細にパターニングすることができる。
上記レーザ熱転写法を適用するためには、基本的に光源、有機電界発光素子基板、すなわち基板及びドナー基板を必要とし、上記ドナー基板は、基材層、光熱変換層及び転写層からなる。上記レーザ熱転写法は、光源から光が出てドナー基板の光熱変換層に吸収されて光が熱エネルギーに転換され、転換された熱エネルギーによって転写層に形成された有機物質が基板に転写されて形成される。
図1Aないし図1Bは、従来のレーザ熱転写法により有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。
図1Aに示すように、絶縁基板101が提供され、上記絶縁基板上に第1電極102をパターニングして形成する。
次いで、R,G,Bの画素領域を定義する画素定義膜103を形成して基板100を製造する。
一方、基材層31上に、光熱変換層32及び転写層33を順次に積層してドナー基板30を製造する。
その後、上記基板100の画素領域とドナー基板の転写層とを互いに対向するようにアラインメント(位置合わせ)した後に、上記ドナー基板の基材層面に転写しようとする領域にレーザを照射する。
次いで、図1Bのように、上記基板100の画素領域に有機発光物質が転写されたら、上記ドナー基板30を除去することで、有機発光層パターン33’を形成することができる。
その後、図1Cのように、上記有機膜上に第2電極104を形成し、有機電界発光素子を製造することができる。
すなわち、従来のレーザ熱転写法による有機電界発光素子の製造は、転写しようとする領域の基材層面にレーザを照射して、基板の画素領域に有機発光物質を転写した。
しかし、レーザのビームサイズ(幅)の限界により、1回の転写工程で転写可能なパターンのサイズに制限があって、レーザビームの幅間にステッチング(Stitching)むらが発生するという問題点があった。
図2は、従来のレーザ熱転写法により製造された有機電界発光素子のステッチングむらを示す写真である。図2に示すように、レーザ移動方向(LASER TRANSFER DIRECTION)に沿って移動するレーザのレーザビームサイズ(LASER BEAM SIZE)の限界によって、レーザビームの幅間にステッチングむら(STITCHING MURA)が発生することがわかった。
転写しようとする領域のドナーシートにレーザを照射して、基板の画素領域に有機発光物質を転写する技術としては、たとえば下記の特許文献1のドナーシートの製造方法が知られている。
特開2002−289348公報
したがって、本発明は、上記のような従来技術の諸般の問題点を解決するためのものであり、レーザのビームサイズ(幅)の限界によるレーザビームの幅間に発生するステッチングむらを防止することができる有機膜のパターニング方法を提供することにその目的がある。
上記課題を解決するために、本発明は、転写層が形成された基板を提供する段階と、基材層と上記基材層上に形成された光熱変換層とを含むドナー基板を提供する段階と、上記基板と上記ドナー基板とをアラインメントする段階と、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する段階とを含み、上記基材層面にレーザを照射する段階は、上記基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射することを特徴とするレーザ熱転写方法を提供する。
また、本発明は、有機膜が形成された基板を提供する段階と、基材層と上記基材層上に形成された光熱変換層とを含むドナー基板を提供する段階と、上記基板と上記ドナー基板とをアラインメントする段階と、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する段階とを含み、上記基材層面にレーザを照射する段階は、上記基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機膜パターニング方法を提供する。
また、本発明は上記レーザの転写エネルギー強度(Intensity)は5〜40kW/cmであることを特徴とするレーザ熱転写方法及び有機膜パターニング方法を提供する。
また、本発明は、上記基板と上記ドナー基板とをアラインメントする段階の後に、上記ドナー基板と上記基板とをラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とするレーザ熱転写方法及び有機膜パターニング方法を提供する。
また、本発明は、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する段階の後に、上記ドナー基板を上記基板からデラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とするレーザ熱転写方法及び有機膜パターニング方法を提供する。
また、本発明は、上記デラミネーションによって、上記基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の転写層は、上記ドナー基板側に接着されて分離されることを特徴とするレーザ熱転写方法及び有機膜パターニング方法を提供する。
発明は、第1基板(基板上に第1電極層を形成する段階と、上記第1電極層上部に第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域を定義するための絶縁膜層を形成する段階と、上記第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域を含む基板全面に第1発光物質を塗布する段階と、基材層と上記基材層上に形成された光熱変換層を含む第2基板(ドナー基板を提供する段階と、上記基板と上記ドナー基板とをアラインメントする段階と、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する段階とを含み、上記基材層面にレーザを照射する段階は、上記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、上記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する段階の後に、上記ドナー基板を上記基板からデラミネーションする段階をさらに含み、上記デラミネーションにより、上記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の第1発光物質は、上記ドナー基板側に接着されて分離され、上記第1画素領域に対応する領域の第1発光物質は、上記基板側に残留して第1発光物質パターンを形成することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、上記第1発光物質パターンを含む基板全面に第2発光物質を塗布する段階と、基材層と上記基材層上に形成された光熱変換層を含むドナー基板を提供する段階と、上記基板と上記ドナー基板とをアラインメントする段階と、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する段階とを含み、上記基材層面にレーザを照射する段階は、上記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、上記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する段階の後に、上記ドナー基板を上記基板からデラミネーションする段階を含み、上記デラミネーションにより、上記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の第2発光物質は、上記ドナー基板側に接着されて分離され、上記第2画素領域に対応する領域の第2発光物質は、上記基板側に残留して第2発光物質パターンを形成することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、上記第1発光物質パターン及び上記第2発光物質パターンを含む基板全面に第3発光物質を塗布する段階と、基材層と上記基材層上に形成された光熱変換層を含むドナー基板を提供する段階と、上記基板と上記ドナー基板とをアラインメントする段階と、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する段階とを含み、上記基材層面にレーザを照射する段階は、上記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、上記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する段階の後に、上記ドナー基板を上記基板からデラミネーションする段階を含み、上記デラミネーションにより、上記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の第3発光物質は、上記ドナー基板側に接着されて分離され、上記第3画素領域に対応する領域の第3発光物質は、上記基板側に残留して第3発光物質パターンを形成することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
したがって、本発明によれば、基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域にレーザを照射するため、形成しようとするパターンのサイズとレーザのビームサイズ(幅)とは関係なく、ステッチングむらの発生を防止することができる。
従来のレーザ熱転写法により有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。 図1Aに後続する断面図である。 図1Bに後続する断面図である。 従来のレーザ熱転写法により製造された有機電界発光素子のステッチングむらを示す写真である。 LITIによる一般的な有機膜の転写過程において転写メカニズムを説明するための断面図である。 本発明の有機膜のパターニング方法によるフルカラー有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。 図4Aに後続する断面図である。 図4Bに後続する断面図である。 図4Cに後続する断面図である。 図4Dに後続する断面図である。 図4Eに後続する断面図である。 図4Fに後続する断面図である。
以下、本発明の上記目的と技術的構成及びその作用効果について、添付した図面を参照して、本発明の好適な実施形態により詳細に説明する。
なお、説明の都合上、図面において、層及び領域の厚みは誇張されており、図示する形態が実際とは異なる場合がある。明細書の全体において同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
図3は、LITIによる一般的な有機膜の転写過程において転写メカニズムを説明するための断面図である。
図3に示すように、通常レーザを用いて有機膜を転写パターニングする際のメカニズムは、基板S1に付着されている有機膜S2(13)がレーザ作用によりS1から分離されて基板S3に転写されながらレーザ照射を受けない部分と離間される。
転写特性は、基板S1とフィルムS2との間の第1接着力W12と、フィルム同士の粘着力W22と、フィルムS2と基板S3との間の第2接着力W23とによって決まる。
これらの第1接着力、第2接着力、及び粘着力は、各層の表面張力γ1,γ2,γ3と界面張力γ12,γ23とによって、下記の式のとおりに示されうる。
レーザ転写特性を向上させるためには、フィルム同士の粘着力が各基板とフィルムとの間の接着力よりも小さくなければならない。
一方、ドナー基板14から基板22への転写層13を転写することにおいて、一般的な転写メカニズムの概念は、基材層11上にレーザが照射され、上記基材層11上に形成された光熱変換層12により照射されたレーザが熱エネルギーに変換されて、上記熱エネルギーにより上記転写層13と上記光熱変換層12との間の接着力が変化することで、上記レーザが照射された領域に位置する転写層を基板22上に転写する。
しかし、本発明者は、レーザ転写エネルギー強度が所定の大きさ以上の場合、あるいは基板22からドナー基板14を除去するデラミネーション(Delamination)の速度が早い場合に、レーザが照射される領域に位置する転写層が基板上に転写されずに、逆にレーザが照射される領域に位置する転写層がドナー基板側に残留してデラミネーションとなる逆転写現象が発生することを確認した。
すなわち、上記逆転写現象とは、レーザ照射後に、基板22と転写層13との接着力W23よりもドナー基板の光熱変換層12と転写層13との接着力W12がより大きい場合に起きる現象であって、本発明者は上記逆転写現象がレーザ転写エネルギーの強度が所定大きさ以上の場合に発生することを認識して、本発明に係る新しい有機膜のパターニング方法として発明した。
以下では、本発明に係る有機膜のパターニング方法を説明する。
図4Aないし図4Gは、本発明の有機膜のパターニング方法によるフルカラー有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。
ただし、説明の便宜のために、フルカラー有機電界発光素子を製造する工程を例として説明するだけであって、本発明に係る有機膜のパターニング方法が有機膜層の製造方法を制限するものではない。
まず、図4Aに示すように、第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域を含む絶縁基板200を提供し、上記基板200上に透明電極物質または金属電極物質を蒸着及びパターニングし、第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域にそれぞれ第1電極層211R,211G,211Bを形成する。上記第1電極層211R,211G,211Bは、全面発光構造の場合には反射膜である金属膜を用い、背面発光構造の場合には透明電極であるITOまたはIZOなどを用いる。このとき、後述する第2電極層230は、全面発光構造の場合は透明電極に形成され、背面発光構造の場合は反射膜である金属物質または反射板上部に透明電極物質が積層された構造に形成される。また、上記第1電極層211R,211G,211Bがカソード電極の場合には、第2電極層230はアノード電極層となって、第1電極層211R,211G,211Bがアノード電極層の場合には、第2電極層230はカソード電極層となる。
次に、上記第1電極層211R,211G,211B上に、赤色、緑色及び青色の画素領域R,G,Bを定義するための絶縁膜層210が形成される。
このとき、第1画素領域は赤色画素領域、第2画素領域は緑色画素領域、第3画素領域は青色画素領域に対応する。
次に、図4Bに示すように、上記絶縁膜層を含む基板全面に転写層として赤色発光物質220Rを塗布する。
すなわち、従来のレーザ熱転写法による有機電界発光素子の製造は、転写しようとする層、すなわち、転写層をドナー基板側に形成したが、本発明では転写層を基板200側に形成することを特徴とする。
上記赤色発光物質220Rの塗布は、溶媒に溶解して溶液状態で塗布する湿式コーティング方法でなされる。上記湿式コーティング方法としては、スピンコーティング、ディップコーティング、スプレー法、スクリーン印刷法及びインクジェットプリンティング法などがあり、そのほかにもこの分野で用いる通常的な方法であれば利用することができる。
次に、図4Cに示すように、上記赤色発光物質220R上部にドナー基板40をアラインメント(位置合わせ)する。
上記ドナー基板40には、基材層41及び光熱変換層42が順次に積層されている。
上記基材層41は、上記基材層の上にレーザが照射されて上記光熱変換層42に伝達されるので、透明性の物質からなることが好ましい。すなわち、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン及びポリスチレンからなる群から選択された1つ以上の高分子物質やガラス基板とすることができる。より好ましくは、上記基材層41はポリエチレンテレフタレートを用いることができる。
上記基材層41の上に形成される上記光熱変換層42は、赤外線−可視光線領域の光を吸収して上記光の一部を熱に変換する層として、適当な光学密度(optical density)を有すべきで、光を吸収するための光吸収性物質を含むことが好ましい。ここで、上記光熱変換層42は、Al、Ag及びこれらの酸化物及び硫化物からなる金属膜やカーボンブラック、黒煙または赤外線染料を含む高分子からなる有機膜からなっている。ここで、上記金属膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを用いて形成することができ、上記有機膜は、通常用いられるフィルムコーティング方法として、ロールコーティング、グラビア、圧出、スピンコーティング及びナイフコーティング方法のうちの1つの方法により形成することができる。
次に、上記ドナー基板40と基板200に対してラミネーション工程を行う。上記ラミネーション工程によって上記ドナー基板40と上記基板200が固定され、ラミネーションのための加圧の工程を通すことで、上記ドナー基板40と基板200との間のバブル(気泡)を除去することができる。
その後、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する。
このとき、本発明では、上記基材層面にレーザを照射することにおいて、従来とは異なって、基板200上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する。
すなわち、従来のレーザ熱転写法による有機電界発光素子の製造は、転写しようとする領域の基材層面にレーザを照射して基板の画素領域に有機発光物質を転写した。
しかし、本発明では、基板200側に転写しようとする層の物質を全面的に形成した後、ドナー基板40と基板200をアラインメントし、これらがラミネーション工程を経た後、ドナー基板側の基材層面にレーザを照射する。このとき、レーザを照射することにおいて、基板200上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する。よって、現段階では、転写しようとする層の物質が赤色発光物質であるため、赤色画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する。
すなわち、上述のような逆転写現象を利用して有機膜をパターニングすることで、基材層上に形成された光熱変換層によって、照射されたレーザが熱エネルギーに変換され、上記熱エネルギーにより赤色発光物質220R層と光熱変換層との間の接着力を発生させ、上記発生した接着力は基板200と赤色発光物質220R層との間の接着力よりさらに大きくなる。
このとき、上述のような逆転写現象を発生させるためには、レーザ転写エネルギーの強度が所定の大きさ以上でなければならい。本発明では、上記レーザ転写エネルギー強度が5kW/cm以上であることが好ましい。
上記レーザ転写エネルギー強度は5kW/cm未満であっても逆転写現象が起きる場合があるが、効率的な転写品質のためにレーザ転写エネルギー強度は5kW/cm以上であることが好ましい。
一方、上記レーザ転写エネルギー強度は40kW/cm以下であることが好ましく、上記レーザ転写エネルギー強度が40kW/cmを超える場合には有機膜に損傷が発生する問題がある。
続いて、図4Dに示すように、ドナー基板40を基板200から分離するデラミネーション工程を行い、基板200側に赤色発光物質パターン220R’を形成する。
すなわち、ドナー基板40を基板200から分離するデラミネーション工程を行う場合、基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域はレーザの照射によって光熱変換層との間の接着力が発生し、ドナー基板側に接着されて分離され、基板上に形成しようとするパターンに対応する領域はレーザが照射されないため接着力に変化がなく、そのまま基板側に残留することになる。
続いて、図4Eに示すように、赤色発光物質パターン220R’を含む基板全面に、緑色発光物質220Gを塗布する。
上記緑色発光物質220Gの塗布は、溶媒に溶解して溶液状態で塗布される湿式コーティング方法でなされる。上記湿式コーティング方法としては、スピンコーティング、ディップコーティング、スプレー法、スクリーン印刷法及びインクジェットプリンティング法などがあり、そのほかにも通常この分野で用いられる方法を利用することができる。
その後、上記緑色発光物質220Gの上部にドナー基板40をアラインメントし、上記ドナー基板40と基板200に対してラミネーション工程を行う。また、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する。このとき、緑色発光物質220G層へのレーザ照射は、赤色発光物質220Rにレーザを照射したときと同様に、基板200上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する。一方、現段階では、転写しようとする層の物質が緑色発光物質であるため、緑色画素領域に対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射する。
続いて、図4Fに示すように、ドナー基板40を基板200から分離するデラミネーション工程を行い、基板200側に緑色発光物質パターン220G’を形成する。
このとき、緑色発光物質パターン220G’を形成することは、赤色発光物質パターン220R’を形成するのと同様な原理であるため、具体的な説明は省略する。
一方、緑色発光物質パターン220G’を形成するために、緑色発光物質220Gを基板全面に形成することで、上記基板は赤色発光物質パターン220R’を含んでおり、よって、上記緑色発光物質220Gは赤色発光物質パターン220R’上にも形成されることになる。
この場合、緑色発光物質パターン220G’を形成するために、ドナー基板40を基板200から分離するデラミネーション工程によって赤色発光物質パターン220R’も同時に除去される心配がある。
よって、赤色発光物質パターン220R’を形成した後に、上記赤色発光物質パターン220R’を含む基板を乾燥するために熱処理を行うことが好ましい。
すなわち、赤色発光物質パターン220R’を形成した後には、転写した物質を固形化、固着化させるために熱処理する工程を通すことになり、これにより、赤色発光物質パターン220R’の界面特性が変化し、赤色発光物質パターン220R’と緑色発光物質220Gとの層間接着強度が弱くなる。したがって、ドナー基板40を基板200から分離するデラミネーション工程において緑色発光物質220G層が赤色発光物質パターン220R’上から容易に分離される。
ただし、上記のような現象は、基板上に互いに異なる有機膜をパターニングする場合に発生するので、本発明の有機膜パターニング方法によって基板上に単一物質層を形成する場合にはこのような現象は発生しない。
続いて、図4Gに示すように、緑色発光物質パターン220G’を形成する方法と同様に、赤色発光物質パターン220R’及び緑色発光物質パターン220G’を含む基板全面に青色発光物質を塗布した後、上述のようなパターニング方法によって青色発光物質パターン220B’を形成することができ、それに関する詳しい説明は省略する。
その後、赤色発光物質パターン220R’、緑色発光物質パターン220G’及び青色発光物質パターン220B’を含む基板全面に第2電極層230を形成した後、通常の封止工程を行って本発明の一実施形態によるフルカラー有機電界発光素子を製造することができる。
このとき、本発明に係るフルカラー有機電界発光素子の有機膜層は、第1電極層211と第2電極層230との間に追加として、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、正孔ブロック層HBL、電子輸送層ETL及び電子注入層EILをさらに含むことができ、上記の正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、正孔ブロック層HBL、電子輸送層ETL及び電子注入層EILの形成は、上述のような本発明に係る有機膜パターニング方法によって形成すされる。
すなわち、上記では、基板上に形成される転写層として、赤色発光物質、緑色発光物質及び青色発光物質のような発光層物質を例として説明したが、本発明において基板上に形成される転写層は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層の有機膜からなる群から選択される1つの単層膜または2つ以上の多層膜から形成される。
したがって、本発明では、逆転写効果を利用して有機膜をパターニングするため、基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射することになる。
すなわち、従来では、基板上に形成しようとするパターンに対応する領域にレーザを照射したので、形成しようとするパターンがレーザのビームサイズ(幅)よりも大きい場合には1回の転写工程で転写が完了せずに数回の転写工程を通じてパターンを形成していたため、レーザビームの幅間にステッチングむらが発生する問題点があった。しかしながら、本発明によれば、基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域にレーザを照射するため、形成しようとするパターンのサイズとレーザのビームサイズ(幅)とは関係なく、ステッチングむらの発生を防止することができる。
上述では、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。
11,31,41 基材層、
12,32,42 光熱変換層、
13,33 転写層、
14,30,40 ドナー基板、
22,100,200 基板、
101 絶縁基板、
102 第1電極、
103 画素定義膜、
104 第2電極、
210 絶縁膜層、
211B,211G,211R 第1電極層、
220B 青色発光物質、
220G 緑色発光物質、
220R 赤色発光物質、
220B’ 青色発光物質パターン、
220G’ 緑色発光物質パターン、
220R’ 赤色発光物質パターン、
230 第2電極層。

Claims (20)

  1. 電極層および転写層が順に形成された第1基板を提供する段階と、
    基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
    前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
    前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、を含み、
    前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とするレーザ熱転写方法。
  2. 前記レーザの転写エネルギー強度は、5〜40kW/cmであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。
  3. 前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階の後に、前記第2基板と前記第1基板とをラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ熱転写方法。
  4. 前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ熱転写方法。
  5. 前記デラミネーションによって、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の転写層は、前記第2基板側に接着されて分離されることを特徴とする請求項4に記載のレーザ熱転写方法。
  6. 電極層および有機膜が順に形成された第1基板を提供する段階と、
    基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
    前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
    前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、を含み、
    前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機膜パターニング方法。
  7. 前記レーザの転写エネルギー強度は、5〜40kW/cmであることを特徴とする請求項6に記載の有機膜パターニング方法。
  8. 前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階の後に、前記第2基板と前記第1基板とをラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項6または7に記載の有機膜パターニング方法。
  9. 前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含むことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の有機膜パターニング方法。
  10. 前記デラミネーションによって、前記第1基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の前記有機膜は、前記第2基板側に接着されて分離されることを特徴とする請求項9に記載の有機膜パターニング方法。
  11. 前記有機膜は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選択される1つの単層膜または2つ以上の多層膜に形成されることを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載の有機膜パターニング方法。
  12. 第1基板上に第1電極層を形成する段階と、
    前記第1電極層上部に、第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域を定義するための絶縁膜層を形成する段階と、
    前記第1画素領域、第2画素領域及び第3画素領域を含む前記第1基板全面に第1発光物質を塗布する段階と、
    基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
    前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
    前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、を含み、
    前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
  13. 前記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含み、
    前記デラミネーションによって、前記第1画素領域に対応する領域を除いた領域の第1発光物質は、前記第2基板側に接着されて分離され、前記第1画素領域に対応する領域の第1発光物質は、前記第1基板側に残留して第1発光物質パターンを形成することを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  14. 前記第1発光物質パターンを含む前記第1基板全面に第2発光物質を塗布する段階と、
    基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
    前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
    前記第2基板の基材層面にレーザを照射する段階と、をさらに含み、
    前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  15. 前記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含み、
    前記デラミネーションによって、前記第2画素領域に対応する領域を除いた領域の第2発光物質は、前記第2基板側に接着されて分離され、前記第2画素領域に対応する領域の第2発光物質は、前記第1基板側に残留して第2発光物質パターンを形成することを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  16. 前記第1発光物質パターン及び前記第2発光物質パターンを含む前記第1基板全面に第3発光物質を塗布する段階と、
    前記基材層と前記基材層上に形成された光熱変換層とを含む第2基板を提供する段階と、
    前記第1基板と前記第2基板とをアラインメントする段階と、
    前記第2基板の前記基材層面にレーザを照射する段階と、をさらに含み、
    前記基材層面にレーザを照射する段階は、前記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射することを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  17. 前記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の前記基材層面にレーザを照射する段階の後に、前記第2基板を前記第1基板からデラミネーションする段階をさらに含み、
    前記デラミネーションによって、前記第3画素領域に対応する領域を除いた領域の第3発光物質は、前記第2基板側に接着されて分離され、前記第3画素領域に対応する領域の第3発光物質は、前記第1基板側に残留して第3発光物質パターンを形成することを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  18. 前記レーザの転写エネルギー強度は、5〜40kW/cmであることを特徴とする請求項12〜17のいずれか1項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  19. 前記第1発光物質パターンを形成した後に、前記第1発光物質パターンを含む第1基板を乾燥するために熱処理を行うことを特徴とする請求項13〜18のいずれか1項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  20. 前記第1画素領域は赤色画素領域、前記第2画素領域は緑色画素領域、前記第3画素領域は青色画素領域であることを特徴とする請求項12〜19のいずれか1項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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