JP2001274410A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2001274410A JP2001274410A JP2000088214A JP2000088214A JP2001274410A JP 2001274410 A JP2001274410 A JP 2001274410A JP 2000088214 A JP2000088214 A JP 2000088214A JP 2000088214 A JP2000088214 A JP 2000088214A JP 2001274410 A JP2001274410 A JP 2001274410A
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- Japan
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- insulating film
- film
- gate
- semiconductor device
- gate electrode
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲート耐圧を高くすることにより信頼性の向
上を図り、ゲート電極の形状不良によるリーク防止及び
信号線の断線防止を図った半導体装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、レーザ照射３によ
って形成した多結晶シリコン膜２に生じた突起Ｐの高さ
を吸収するＳＯＧ膜から成る平坦化絶縁膜１００と、絶
縁膜であるＳｉＯ2膜４とから成るゲート絶縁膜を備え
ており、その上にゲート電極５を備えたＴＦＴとするこ
とにより、ゲート耐圧が高く信頼性湖上を図り、ゲート
電極形状不良によるリーク及び信号線の断線を防止する
ことができる。
上を図り、ゲート電極の形状不良によるリーク防止及び
信号線の断線防止を図った半導体装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、レーザ照射３によ
って形成した多結晶シリコン膜２に生じた突起Ｐの高さ
を吸収するＳＯＧ膜から成る平坦化絶縁膜１００と、絶
縁膜であるＳｉＯ2膜４とから成るゲート絶縁膜を備え
ており、その上にゲート電極５を備えたＴＦＴとするこ
とにより、ゲート耐圧が高く信頼性湖上を図り、ゲート
電極形状不良によるリーク及び信号線の断線を防止する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体膜上に平坦
化絶縁膜を備えた半導体装置に関する。
化絶縁膜を備えた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor、以下「ＴＦＴ」と称する。）は、表示装
置、例えば液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）表示装置等のスイッチング素子として用いられ
ている。
m Transistor、以下「ＴＦＴ」と称する。）は、表示装
置、例えば液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）表示装置等のスイッチング素子として用いられ
ている。
【０００３】図５に、従来のＴＦＴの製造工程断面図を
示す。
示す。
【０００４】同図（ａ）に示すように、まず、絶縁性基
板（ＴＦＴ基板）１０上に、非晶質シリコン膜１をＣＶ
Ｄ法等によって成膜する。そしてその非晶質シリコン膜
１にエキシマレーザ等のレーザ３を全面に照射して溶融
再結晶して多結晶シリコン膜２に改質する（図１
（ａ））。そして、この多結晶シリコン膜２を島状にエ
ッチングして能動層２を形成する。その能動層２及び基
板１０上にＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜から成るゲート
絶縁膜４を成膜する。更にその上に、クロム（Ｃｒ）、
モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電
極５を順に形成する（図５（ｂ））。
板（ＴＦＴ基板）１０上に、非晶質シリコン膜１をＣＶ
Ｄ法等によって成膜する。そしてその非晶質シリコン膜
１にエキシマレーザ等のレーザ３を全面に照射して溶融
再結晶して多結晶シリコン膜２に改質する（図１
（ａ））。そして、この多結晶シリコン膜２を島状にエ
ッチングして能動層２を形成する。その能動層２及び基
板１０上にＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜から成るゲート
絶縁膜４を成膜する。更にその上に、クロム（Ｃｒ）、
モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電
極５を順に形成する（図５（ｂ））。
【０００５】その能動層２には、ゲート電極５の下方に
チャネル２ｃと、ゲート電極５をマスクとして不純物イ
オンを注入して、チャネル２ｃの両側にソース２ｓ及び
ドレイン２ｄが設けられている。その後、ゲート電極５
及びゲート絶縁膜４上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳ
ｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜６を形成する（図
５（ｃ））。
チャネル２ｃと、ゲート電極５をマスクとして不純物イ
オンを注入して、チャネル２ｃの両側にソース２ｓ及び
ドレイン２ｄが設けられている。その後、ゲート電極５
及びゲート絶縁膜４上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳ
ｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜６を形成する（図
５（ｃ））。
【０００６】そして、ソース２ｓ及びドレイン２ｄに対
応して設けたコンタクトホールにアルミニウム（Ａｌ）
等の金属を充填して、ソース電極７及びドレイン電極８
を形成する。
応して設けたコンタクトホールにアルミニウム（Ａｌ）
等の金属を充填して、ソース電極７及びドレイン電極８
を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図６（ａ）
に示すように、非晶質シリコン膜１にレーザ３を照射し
て多結晶シリコン膜２に結晶成長する際に、各多結晶シ
リコンの粒界が衝突し合って、多結晶シリコン膜の表面
に隆起した突起Ｐが生じてしまう。
に示すように、非晶質シリコン膜１にレーザ３を照射し
て多結晶シリコン膜２に結晶成長する際に、各多結晶シ
リコンの粒界が衝突し合って、多結晶シリコン膜の表面
に隆起した突起Ｐが生じてしまう。
【０００８】そのため、図６（ｂ）に示すように、この
多結晶シリコン膜の能動層の上に形成したゲート絶縁膜
４にこの突起Ｐの形状が反映されてしまい、同様に突起
が生じる。更にこのゲート絶縁膜４上のゲート電極にも
その突起の形状が反映されてしまい、同様にゲート電極
表面にも突起が生じることになる。
多結晶シリコン膜の能動層の上に形成したゲート絶縁膜
４にこの突起Ｐの形状が反映されてしまい、同様に突起
が生じる。更にこのゲート絶縁膜４上のゲート電極にも
その突起の形状が反映されてしまい、同様にゲート電極
表面にも突起が生じることになる。
【０００９】そうすると、ゲート絶縁膜４の突起により
ゲート耐圧が極めて低くなったり、ゲート電極に印加さ
れた電圧がリークしてしまい、信頼性の低下を招くとい
う欠点があった。
ゲート耐圧が極めて低くなったり、ゲート電極に印加さ
れた電圧がリークしてしまい、信頼性の低下を招くとい
う欠点があった。
【００１０】また、ゲート電極表面の突起によってゲー
ト電極を所定の形状にすることができず、それによって
上層の層間絶縁膜のカバレッジが悪くなったり、その形
状に伴うリーク、あるいはソース２ｓ及びドレイン２ｄ
とコンタクトしたソース及びドレイン信号線の断線が生
じてしまうという欠点もあった。
ト電極を所定の形状にすることができず、それによって
上層の層間絶縁膜のカバレッジが悪くなったり、その形
状に伴うリーク、あるいはソース２ｓ及びドレイン２ｄ
とコンタクトしたソース及びドレイン信号線の断線が生
じてしまうという欠点もあった。
【００１１】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、ゲート耐圧を高くすることによ
り信頼性の向上を図り、ゲート電極の形状不良によるリ
ーク防止及び信号線の断線防止を図った半導体装置を提
供することを目的とする。
て為されたものであり、ゲート耐圧を高くすることによ
り信頼性の向上を図り、ゲート電極の形状不良によるリ
ーク防止及び信号線の断線防止を図った半導体装置を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
基板上に、半導体層、該半導体膜上にゲート絶縁膜及び
ゲート電極を順に積層して成る半導体装置であって、前
記半導体層上のゲート絶縁膜は平坦化絶縁膜からもので
ある。
基板上に、半導体層、該半導体膜上にゲート絶縁膜及び
ゲート電極を順に積層して成る半導体装置であって、前
記半導体層上のゲート絶縁膜は平坦化絶縁膜からもので
ある。
【００１３】また、上述の半導体装置は、前記ゲート絶
縁膜は、前記半導体層側に平坦化絶縁膜を配置し、該平
坦化絶縁膜上に他の絶縁膜を配置した複数の層から成る
半導体装置である。
縁膜は、前記半導体層側に平坦化絶縁膜を配置し、該平
坦化絶縁膜上に他の絶縁膜を配置した複数の層から成る
半導体装置である。
【００１４】また、上述の半導体装置は、前記ゲート絶
縁膜は、前記ゲート電極側に平坦化絶縁膜を配置し、該
平坦化絶縁膜上に他の絶縁膜を配置した複数の層から成
る半導体装置である。
縁膜は、前記ゲート電極側に平坦化絶縁膜を配置し、該
平坦化絶縁膜上に他の絶縁膜を配置した複数の層から成
る半導体装置である。
【００１５】更に、上述の半導体装置は、前記平坦化絶
縁膜は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜である半導体装
置である。
縁膜は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜である半導体装
置である。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置について以下
に説明する。
に説明する。
【００１７】図１に本発明のＴＦＴの製造工程断面図を
示す。
示す。
【００１８】同図（ａ）に示すように、まず、絶縁性基
板（ＴＦＴ基板）１０上に、非晶質シリコン膜１をＣＶ
Ｄ法等によって成膜する。そしてその非晶質シリコン膜
１にエキシマレーザ等のレーザ３を全面に照射して溶融
再結晶して多結晶シリコン膜２に改質する（図１
（ａ））。レーザ３は基板の１辺から個の１辺に対向す
る他辺に向かって、線状のレーザビームをこの線状レー
ザビームの短軸方向にスポット照射しながら走査してい
く。同図は短軸方向から見た図である。
板（ＴＦＴ基板）１０上に、非晶質シリコン膜１をＣＶ
Ｄ法等によって成膜する。そしてその非晶質シリコン膜
１にエキシマレーザ等のレーザ３を全面に照射して溶融
再結晶して多結晶シリコン膜２に改質する（図１
（ａ））。レーザ３は基板の１辺から個の１辺に対向す
る他辺に向かって、線状のレーザビームをこの線状レー
ザビームの短軸方向にスポット照射しながら走査してい
く。同図は短軸方向から見た図である。
【００１９】そして、この多結晶シリコン膜２を島状に
エッチングして能動層２を形成する。
エッチングして能動層２を形成する。
【００２０】その能動層２及び基板１０上に、スピンナ
法を用いてＳＯＧ膜から成る平坦化絶縁膜１００を形成
する。そして、その上にＳｉＯ2膜４を成膜する。こう
して、平坦化絶縁膜１００及びＳｉＯ2膜４から成るゲ
ート絶縁膜が形成される。なお、ゲート耐圧が劣化する
ことを防止することができるのであれば、平坦化絶縁膜
１００が１層のみのゲート絶縁膜でも良い。
法を用いてＳＯＧ膜から成る平坦化絶縁膜１００を形成
する。そして、その上にＳｉＯ2膜４を成膜する。こう
して、平坦化絶縁膜１００及びＳｉＯ2膜４から成るゲ
ート絶縁膜が形成される。なお、ゲート耐圧が劣化する
ことを防止することができるのであれば、平坦化絶縁膜
１００が１層のみのゲート絶縁膜でも良い。
【００２１】更にその上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電極５を順
に形成する（図１（ｂ））。
ン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電極５を順
に形成する（図１（ｂ））。
【００２２】能動層２には、ゲート電極５の下方にチャ
ネル２ｃと、ゲート電極５をマスクとして不純物イオン
を注入して、チャネル２ｃの両側にソース２ｓ及びドレ
イン２ｄが設けられている。その後、ゲート電極５及び
ゲート絶縁膜４上に、ＳｉＯ 2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2
膜の順に積層された層間絶縁膜６を形成する。
ネル２ｃと、ゲート電極５をマスクとして不純物イオン
を注入して、チャネル２ｃの両側にソース２ｓ及びドレ
イン２ｄが設けられている。その後、ゲート電極５及び
ゲート絶縁膜４上に、ＳｉＯ 2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2
膜の順に積層された層間絶縁膜６を形成する。
【００２３】そして、ソース２ｓ及びドレイン２ｄに対
応して設けたコンタクトホールにアルミニウム（Ａｌ）
等の金属を充填して、ソース電極７及びドレイン電極８
を形成する（図１（ｃ））。
応して設けたコンタクトホールにアルミニウム（Ａｌ）
等の金属を充填して、ソース電極７及びドレイン電極８
を形成する（図１（ｃ））。
【００２４】ここで、平坦性を有するゲート絶縁膜とし
て、ＳＯＧ膜から成る平坦化絶縁膜１００を用いたが、
ＳＯＧ膜は焼結前には、液体であるため流動性を有し、
またスピンナ塗布後においてはその表面が平坦化され平
坦性を有する。そしてこの平坦性を有した状態にて焼結
されるため、その平坦性が維持される。
て、ＳＯＧ膜から成る平坦化絶縁膜１００を用いたが、
ＳＯＧ膜は焼結前には、液体であるため流動性を有し、
またスピンナ塗布後においてはその表面が平坦化され平
坦性を有する。そしてこの平坦性を有した状態にて焼結
されるため、その平坦性が維持される。
【００２５】しかも、酸化珪素を主材料としているた
め、非常に吸湿性が低い。また、ＳＯＧ膜中にトラップ
された水蒸気は、４５０℃よりも高い温度でなければそ
の水蒸気を外部に放出することはない。
め、非常に吸湿性が低い。また、ＳＯＧ膜中にトラップ
された水蒸気は、４５０℃よりも高い温度でなければそ
の水蒸気を外部に放出することはない。
【００２６】図２に、平坦化絶縁膜１００を用いた場合
の多結晶シリコン膜の表面の突起とのその上層の各層の
表面の断面形状を示す。
の多結晶シリコン膜の表面の突起とのその上層の各層の
表面の断面形状を示す。
【００２７】同図（ａ）に示すように、非晶質シリコン
膜の表面にレーザ３を照射して多結晶シリコンにする際
に突起Ｐが生じる。ところが、図２（ｂ）に示すよう
に、多結晶シリコン膜２の上にＳＯＧ膜から成る平坦化
絶縁膜を形成すると、多結晶シリコン表面の突起Ｐは平
坦化絶縁膜に吸収されてしまい、その上層の絶縁膜４も
平坦に形成することができ、更に平坦化絶縁膜の上層の
ゲート電極に反映されることが無くなる。即ち、ゲート
電極５の表面に突起が生じることがなく、ゲート電極の
形状も概ね断面が矩形状を維持することができる。
膜の表面にレーザ３を照射して多結晶シリコンにする際
に突起Ｐが生じる。ところが、図２（ｂ）に示すよう
に、多結晶シリコン膜２の上にＳＯＧ膜から成る平坦化
絶縁膜を形成すると、多結晶シリコン表面の突起Ｐは平
坦化絶縁膜に吸収されてしまい、その上層の絶縁膜４も
平坦に形成することができ、更に平坦化絶縁膜の上層の
ゲート電極に反映されることが無くなる。即ち、ゲート
電極５の表面に突起が生じることがなく、ゲート電極の
形状も概ね断面が矩形状を維持することができる。
【００２８】以上のように、レーザ照射による結晶成長
の際の粒界の衝突によって生じる突起によって、上層に
形成するゲート絶縁膜のゲート耐圧を向上させることが
できるとともに、ゲート電極の形状不良によるリークを
防止することができる。
の際の粒界の衝突によって生じる突起によって、上層に
形成するゲート絶縁膜のゲート耐圧を向上させることが
できるとともに、ゲート電極の形状不良によるリークを
防止することができる。
【００２９】なお、突起は、レーザによるもののみなら
ず、他の要因、例えば異物の混入等によって生じた場合
においても、本発明は上述の実施の形態と同様に効果を
奏するものである。
ず、他の要因、例えば異物の混入等によって生じた場合
においても、本発明は上述の実施の形態と同様に効果を
奏するものである。
【００３０】ここで、以下に、本発明の半導体装置を液
晶表示装置及びＥＬ表示装置に採用した場合について説
明する。
晶表示装置及びＥＬ表示装置に採用した場合について説
明する。
【００３１】図３に液晶表示装置のＴＦＴ付近の断面図
を示す。
を示す。
【００３２】同図において、前述の図１（ｃ）のドレイ
ン電極８を形成した工程までは同じであるので説明は省
略する。
ン電極８を形成した工程までは同じであるので説明は省
略する。
【００３３】図３では、図１（ｃ）のドレイン電極８を
形成時にはコンタクトホールの形成も含めてソース電極
７は形成しない。その状態、即ち層間絶縁膜６が形成さ
れ、ドレイン２ｄに対応する位置に設けたコンタクトホ
ールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極８を形成し
た状態の後、層間絶縁膜６及びドレイン電極８の上に感
光性樹脂から成る平坦化絶縁膜９を形成する。この平坦
化絶縁膜９は感光性であることから、ソース２ｓに対応
した位置にホトリソ技術を用いてコンタクトホールを設
け、そのコンタクトホールに透明導電性のＩＴＯ膜から
成る表示電極１１を形成する。また、平坦化絶縁膜９に
よってドレイン電極８などの上方に突出した部分の凹凸
を吸収して平坦化絶縁膜９の表面を平坦にする。そうす
ることにより、表示電極１１を平坦に形成することがで
き、良好な表示を得ることができる。
形成時にはコンタクトホールの形成も含めてソース電極
７は形成しない。その状態、即ち層間絶縁膜６が形成さ
れ、ドレイン２ｄに対応する位置に設けたコンタクトホ
ールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極８を形成し
た状態の後、層間絶縁膜６及びドレイン電極８の上に感
光性樹脂から成る平坦化絶縁膜９を形成する。この平坦
化絶縁膜９は感光性であることから、ソース２ｓに対応
した位置にホトリソ技術を用いてコンタクトホールを設
け、そのコンタクトホールに透明導電性のＩＴＯ膜から
成る表示電極１１を形成する。また、平坦化絶縁膜９に
よってドレイン電極８などの上方に突出した部分の凹凸
を吸収して平坦化絶縁膜９の表面を平坦にする。そうす
ることにより、表示電極１１を平坦に形成することがで
き、良好な表示を得ることができる。
【００３４】その表示電極１１及び平坦化絶縁膜９上に
液晶３５を配向するためのポリイミド等の樹脂などから
成る配向膜１２を形成し、液晶を配置する側とは反対の
側の絶縁性基板１０上には偏光板３６が設けられてＴＦ
Ｔを形成したいわゆるＴＦＴ基板側が完成する。
液晶３５を配向するためのポリイミド等の樹脂などから
成る配向膜１２を形成し、液晶を配置する側とは反対の
側の絶縁性基板１０上には偏光板３６が設けられてＴＦ
Ｔを形成したいわゆるＴＦＴ基板側が完成する。
【００３５】ＴＦＴ基板に対向して配置される対向電極
基板３０は、液晶３５を設ける側には、Ｒ、Ｇ、Ｂを呈
する各色及び遮光機能を有するブラックマトリックス３
２を備えたカラーフィルタ３１、そのカラーフィルタ３
１を保護するアクリル樹脂等から成る保護膜３３を設け
る。その保護膜３３の上には各表示電極１２に対向した
対向電極３４が全面に設けられている。更にその全面に
はポリイミドから成る配向膜１２が形成されている。
基板３０は、液晶３５を設ける側には、Ｒ、Ｇ、Ｂを呈
する各色及び遮光機能を有するブラックマトリックス３
２を備えたカラーフィルタ３１、そのカラーフィルタ３
１を保護するアクリル樹脂等から成る保護膜３３を設け
る。その保護膜３３の上には各表示電極１２に対向した
対向電極３４が全面に設けられている。更にその全面に
はポリイミドから成る配向膜１２が形成されている。
【００３６】また、対向電極基板３０の液晶を設けない
側、即ち光の出射側には、偏光板３６が対向電極基板３
０上に設けられている。液晶３５としては、例えばＴＮ
液晶を用いる。
側、即ち光の出射側には、偏光板３６が対向電極基板３
０上に設けられている。液晶３５としては、例えばＴＮ
液晶を用いる。
【００３７】なお、表示電極が透光性である透過型の液
晶表示装置に限らず、表示電極が光を反射する反射型液
晶表示装置の場合にも本発明は適用が可能である。
晶表示装置に限らず、表示電極が光を反射する反射型液
晶表示装置の場合にも本発明は適用が可能である。
【００３８】このように液晶表示装置に本発明を採用し
た場合には、ゲート耐圧が向上しゲートオン時にリーク
電流が発生することが防止でき信頼性が向上するととも
に、各ＴＦＴにドレイン信号を供給しドレイン電極を兼
ねたドレイン信号線がゲート電極の形状不良によって断
線することも防止できるため、良好な表示を得ることが
できる液晶表示装置が得られる。
た場合には、ゲート耐圧が向上しゲートオン時にリーク
電流が発生することが防止でき信頼性が向上するととも
に、各ＴＦＴにドレイン信号を供給しドレイン電極を兼
ねたドレイン信号線がゲート電極の形状不良によって断
線することも防止できるため、良好な表示を得ることが
できる液晶表示装置が得られる。
【００３９】図４に、ＥＬ表示装置の断面図を示す。
【００４０】同図に示すように、ソース電極７及びドレ
イン電極８を形成する工程までは、図１（ｃ）に示した
ものと同じであるので説明は省略する。
イン電極８を形成する工程までは、図１（ｃ）に示した
ものと同じであるので説明は省略する。
【００４１】ソース電極７及びドレイン電極をＡｌ等の
金属にて形成した後、そのソース電極７、ドレイン電極
８及び層間絶縁膜９上に感光性樹脂から成る平坦化絶縁
膜９を形成する。そして、その平坦化絶縁膜９のソース
電極７に対応した位置にホトリソ技術を用いてコンタク
トホールを形成し、そこに透明導電材料であるＩＴＯ膜
を充填し、ＥＬ素子の陽極６１を形成する。この陽極６
１の周辺には平坦化絶縁膜などから成る絶縁膜６７を形
成する。この絶縁膜６７は、陽極６１の厚みによる段差
に起因して、陽極の段差部と陰極とがショートすること
を防止するために設けるものである。
金属にて形成した後、そのソース電極７、ドレイン電極
８及び層間絶縁膜９上に感光性樹脂から成る平坦化絶縁
膜９を形成する。そして、その平坦化絶縁膜９のソース
電極７に対応した位置にホトリソ技術を用いてコンタク
トホールを形成し、そこに透明導電材料であるＩＴＯ膜
を充填し、ＥＬ素子の陽極６１を形成する。この陽極６
１の周辺には平坦化絶縁膜などから成る絶縁膜６７を形
成する。この絶縁膜６７は、陽極６１の厚みによる段差
に起因して、陽極の段差部と陰極とがショートすること
を防止するために設けるものである。
【００４２】そして、透明導電成膜を陽極６１とするＥ
Ｌ素子を形成する。
Ｌ素子を形成する。
【００４３】ＥＬ素子は、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4’’-
tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）か
ら成る第１ホール輸送層及びＴＰＤ（N,N’-diphenyl-
N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4‘-diam
ine）から成る第２ホール輸送層から成るホール輸送層
６２、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅ
ｂｑ2（bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)berylliu
m）から成る発光層６３及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送
層６４からなる発光素子層６５、マグネシウム・インジ
ウム合金から成る陰極６６がこの順番で積層形成された
構造である。発光層６５は、各表示画素毎に異なる色を
発光すしてカラー表示を行う場合には、図４に示すよう
に陽極６１に対応して島状に形成される。この他のホー
ル輸送層６２、電子輸送層６４及び陰極６６は、各表示
画素に共通のものとして形成されている。
tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）か
ら成る第１ホール輸送層及びＴＰＤ（N,N’-diphenyl-
N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4‘-diam
ine）から成る第２ホール輸送層から成るホール輸送層
６２、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅ
ｂｑ2（bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)berylliu
m）から成る発光層６３及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送
層６４からなる発光素子層６５、マグネシウム・インジ
ウム合金から成る陰極６６がこの順番で積層形成された
構造である。発光層６５は、各表示画素毎に異なる色を
発光すしてカラー表示を行う場合には、図４に示すよう
に陽極６１に対応して島状に形成される。この他のホー
ル輸送層６２、電子輸送層６４及び陰極６６は、各表示
画素に共通のものとして形成されている。
【００４４】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して矢印で示すように外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して矢印で示すように外部へ放出されて発光する。
【００４５】このように、ＥＬ素子はＴＦＴによって駆
動のための電流が制御されている。従って、ＴＦＴ特性
としてゲート耐圧が低い場合には、所定の電流をＥＬ素
子に供給することができなくなり、よって所定の色を所
定の輝度で発光することができなくなり、良好な表示を
得ることができない。また、ＥＬ素子への電流を供給す
る電源からの電源供給線となるドレイン電極も、ゲート
電極の形状不良による断線が防止できるので、信号を安
定してＥＬ素子に供給することができる。
動のための電流が制御されている。従って、ＴＦＴ特性
としてゲート耐圧が低い場合には、所定の電流をＥＬ素
子に供給することができなくなり、よって所定の色を所
定の輝度で発光することができなくなり、良好な表示を
得ることができない。また、ＥＬ素子への電流を供給す
る電源からの電源供給線となるドレイン電極も、ゲート
電極の形状不良による断線が防止できるので、信号を安
定してＥＬ素子に供給することができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、ゲート耐圧を低下させ
ることなく、また能動層の突起によるゲート電極の形状
不良による信号線の断線が防止でき、良好な特性の半導
体装置を得ることができる。
ることなく、また能動層の突起によるゲート電極の形状
不良による信号線の断線が防止でき、良好な特性の半導
体装置を得ることができる。
【図１】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造工程断面図の一部で
ある。
ある。
【図３】本発明の半導体装置を液晶表示装置に採用した
場合の液晶表示装置の断面図である。
場合の液晶表示装置の断面図である。
【図４】本発明の半導体装置をＥＬ表示装置に採用した
場合のＥＬ表示装置の断面図である。
場合のＥＬ表示装置の断面図である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程断面図である。
【図６】従来の半導体装置の製造工程の一部断面図であ
る。
る。
２ 能動層 ４ 絶縁膜 ５ ゲート電極 ６ 層間絶縁膜 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 １０ ＴＦＴ基板 １１ 表示電極 ３５ 液晶 ６１ 陽極 ６３ 発光層 ６６ 陰極 ６７ 絶縁膜 １００ 平坦化絶縁膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/283 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｍ 21/768 Ｑ Ｆターム(参考） 2H092 JA25 JA36 JA46 KA04 KA12 KA18 KA24 KB22 MA30 NA15 NA16 QA07 4M104 BB02 BB13 BB16 BB36 CC05 EE03 EE15 GG20 HH20 5C094 AA32 AA42 AA43 BA03 BA27 BA43 CA19 DA15 DB01 DB04 FA02 FB02 FB15 GB10 5F033 HH08 HH17 HH20 HH38 JJ01 JJ08 JJ38 KK04 QQ09 QQ10 QQ37 RR04 RR06 RR09 RR27 SS22 TT04 VV06 VV15 XX01 XX31 5F110 AA12 AA18 BB01 CC02 EE04 FF01 FF02 FF09 FF21 GG02 GG13 GG44 HL03 HL07 NN02 NN03 NN23 NN24 NN27 NN72 PP03 PP05 PP06 QQ19
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に、半導体層、該半導体層上にゲ
ート絶縁膜及びゲート電極を順に積層して成る半導体装
置であって、前記半導体層上のゲート絶縁膜は平坦化絶
縁膜から成ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層側に
平坦化絶縁膜を配置し、該平坦化絶縁膜上に他の絶縁膜
を配置した複数の層から成ることを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極側
に平坦化絶縁膜を配置し、該平坦化絶縁膜上に他の絶縁
膜を配置した複数の層から成ることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記平坦化絶縁膜は、酸化珪素を主成分
とする絶縁膜であることを特徴とする請求項１乃至３の
うちいずれか１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088214A JP2001274410A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088214A JP2001274410A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274410A true JP2001274410A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18604115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000088214A Pending JP2001274410A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274410A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100879040B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2009-01-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조 방법 및 표시장치 |
| CN100460969C (zh) * | 2005-09-30 | 2009-02-11 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 |
| JPWO2009072336A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2011-04-21 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| KR101255303B1 (ko) * | 2006-05-30 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 그를이용한 표시장치와 그 제조 방법 |
-
2000
- 2000-03-28 JP JP2000088214A patent/JP2001274410A/ja active Pending
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| RD01 | Notification of change of attorney |
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