JP2008287935A - 位置合わせ方法、薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクホルダ上のマスクを撮影し、撮影画像と、候補パターン群に登録されたパターン形状を比較し、登録されたパターン形状毎に一致確率を算出し、一致確率が基準値以上のパターン形状のうち、最大の一致確率のパターン形状を基準パターン形状とし、マスクと基板の位置合わせに用いる。基準値以上の一致確率のパターン形状が無かった場合、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出し、候補パターン群に追加登録する。マスクを交換しても、候補パターン群に一致するパターンが無かった場合だけ、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出すればよいから、マスク交換のための作業時間が短縮する。
【選択図】図3
Description
特に、RGBをメタルマスクにより塗り分け、フルカラーディスプレイを作成する場合には、より高いアライメント精度が必要とされる。
また、本発明は、予め基準値を記憶しておき、前記候補パターン群に登録された前記パターン形状の前記一致確率がいずれも前記基準値未満である場合には、前記撮影画像から前記撮影画像に含まれるマスクアラインメントマークのパターン形状を抽出し、前記抽出されたパターン形状を前記マスク基準パターン形状として記憶すると共に、前記抽出されたパターン形状を前記候補パターン群に登録する位置合わせ方法である。
また、本発明は、真空槽内に配置された基板と前記マスクとを上記いずれかの位置合わせ方法によって前記真空槽内で位置合わせした後、前記真空槽内に配置された成膜源から薄膜材料の微粒子を放出させ、前記マスク底面に露出する、前記基板表面に薄膜を形成する薄膜形成方法である。
また、本発明は、前記マスクによって、複数の前記基板の表面に前記薄膜を形成した後、前記マスクを他のマスクに交換し、前記真空槽内に配置された基板と前記他のマスクとを上記いずれかの位置合わせ方法によって前記真空槽内で位置合わせした後、前記真空槽内に配置された前記成膜源から前記薄膜材料の微粒子を放出させ、前記他のマスク底面に露出する、前記基板表面に薄膜を形成する薄膜形成方法である。
マスクを交換しても、候補パターン群に一致するパターンが無かった場合だけ、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出すればよいから、撮影画像からマスクアラインメントマークを抽出する回数が減少し、マスク交換のための作業時間が短縮する。
真空槽11内部の天井側には基板ホルダ13が配置されている。基板ホルダ13の更に上方には撮影装置(カメラ)14が配置され、基板ホルダ13の鉛直下方には成膜源15が配置されている。成膜源15と基板ホルダ13の間には、マスクホルダ16が配置されており、マスクホルダ16には、金属の薄板から成るマスク18が保持されている。
また、撮影装置14はコンピュータ20に接続されている。コンピュータ20には記憶装置21が設けられており、記憶装置21内には、予め画像解析プログラムが記憶されている。撮影装置14によって撮影された画像はコンピュータ20に入力されると、画像解析プログラムによって、下記のように、撮影画像の画像解析が行われる。
貫通孔を形成する加工方法の精度は低いことから、マスク18に形成されるマスクアラインメントマークは、設計した形状とは異なった形状で形成されてしまう場合がある。
画像解析によって、撮影画像からマスクアラインメントマークを検出しようとする場合、先ず、出現頻度が高いと考えられるマスクアラインメントマークのパターン形状を予想し、二個以上のパターン形状を、予想パターン形状として予め候補パターン群に登録しておく(図3のS1)。
この状態では、撮影装置14の下方位置に基板19とマスク18が配置されており、先ず、マスク18の一部である所定の撮影領域を撮影し(S3)、撮影画像をコンピュータ20に入力する。
その確率を一致確率とすると、撮影画像との比較は候補パターン群に登録されたパターン形状毎に行なわれ、登録されたパターン形状毎に一致確率が求められる(S4)。
要するに、いずれの場合も、マスクの撮影画像が画像解析処理された状態では、マスクホルダ16に保持されたマスクのマスクアラインメントマークの基準点からの位置が求められている。
このとき使用したマスク基準パターン形状が撮影画像に含まれる一致確率は、他の候補パターン群のパターン形状が含まれる一致確率よりも高く、基準値以上の大きさである。
次いで、マスク18と基板19の相対的な位置関係からマスク18と基板19との位置合わせを行なった後(S11)、成膜処理を行なう(S12)。
この場合、マスクホルダ16に保持されているマスク18を真空槽11の外部に搬出し、新しいマスクをマスクホルダ16に保持させる(S16)。このマスク交換の際に真空槽11内に大気が導入された場合は、真空槽11内を真空排気し、真空雰囲気にした状態で未処理の基板を搬入する(S2)。
一致確率が基準値以上のパターン形状があった場合、それらの中の最大の一致確率のパターン形状を特定し(S5、S6)、最大の一致確率が算出されたパターン形状をマスク基準パターン形状として選択して記憶する(S7)。
従って、多数の基板に成膜処理を行なう間に、効率よくマスクを交換を行なうことができる。
11……真空槽
18……マスク
19……基板
Claims (4)
- マスクアラインメントマークのパターン形状をマスク基準パターン形状として記憶しておき、
マスクを撮影し、得られた撮影画像の中から前記マスク基準パターン形状と一致するパターン形状を検出し、検出されたパターン形状の位置を、撮影された前記マスクの前記マスクアラインメントマークの位置とし、
前記マスクアラインメントマークの位置と、基板が有する基板アラインメントマークの位置とから、前記マスクと前記基板とを位置合わせする位置合わせ方法であって、
候補パターン群に複数の異なるマスクアラインメントマークのパターン形状を登録しておき、
前記撮影画像と、前記候補パターン群に登録された前記パターン形状とを比較し、前記撮影画像中に、登録された前記パターン形状が含まれる確率である一致確率を、前記登録された前記パターン形状毎に算出し、
前記一致確率が最大のパターン形状を前記マスク基準パターン形状として選択して記憶する位置合わせ方法。 - 予め基準値を記憶しておき、
前記候補パターン群に登録された前記パターン形状の前記一致確率がいずれも前記基準値未満である場合には、前記撮影画像から前記撮影画像に含まれるマスクアラインメントマークのパターン形状を抽出し、
前記抽出されたパターン形状を前記マスク基準パターン形状として記憶すると共に、前記抽出されたパターン形状を前記候補パターン群に登録する請求項1記載の位置合わせ方法。 - 真空槽内に配置された基板と前記マスクとを請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の位置合わせ方法によって前記真空槽内で位置合わせした後、前記真空槽内に配置された成膜源から薄膜材料の微粒子を放出させ、
前記マスク底面に露出する、前記基板表面に薄膜を形成する薄膜形成方法。 - 前記マスクによって、複数の前記基板の表面に前記薄膜を形成した後、前記マスクを他のマスクに交換し、
前記真空槽内に配置された基板と前記他のマスクとを請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の位置合わせ方法によって前記真空槽内で位置合わせした後、前記真空槽内に配置された前記成膜源から前記薄膜材料の微粒子を放出させ、
前記他のマスク底面に露出する、前記基板表面に薄膜を形成する請求項3記載の薄膜形成方法。
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