JP7225275B2 - 成膜装置 - Google Patents

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Description

本発明は、成膜装置に関する。
有機ELディスプレイや液晶ディスプレイなどのパネルディスプレイを備える表示装置が広く用いられている。このようなパネルディスプレイを製造する成膜装置は、成膜対象となる基板と、所定のパターンが設けられたマスクを用いて製造を行う。その際成膜装置は、基板とマスクの面を平行にした状態で、基板の被成膜面に平行な平面内で基板とマスクの相対位置調整(アライメント)を行う。そして、アライメント完了後に基板とマスクの相対距離を近づけて両者を接触・密着させる。そして、マスクを介して基板に成膜材料を付着させることで、所望の機能を持つパネルを形成する。
特許文献1(特開2005-248249号公報)には、基板とマスクを重ね合わせてアライメントして搬送用トレイに載せ、その搬送用トレイの搬送経路に沿って成膜手段を配置することで、基板を搬送しながら成膜を行うインライン型の成膜装置が記載されている。
特開2005-248249号公報
特許文献1に記載のインライン型の成膜装置では、上述のように、アライメントした基板とマスクを重ね合わせた状態で搬送しながら成膜を行う。そのため、搬送動作の影響により基板とマスクのアライメントがずれてしまう可能性があり、対応が求められている。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板とマスクを搬送しながら成膜するインライン型の成膜装置において、アライメントされた基板とマスクの位置ズレを抑制する技術を提供することにある。
本発明は、以下の構成を採用する。すなわち、
基板を搬送しながら成膜を行うインライン型の成膜装置であって、
前記基板を保持して搬送する基板キャリアと、
前記基板キャリアをクランプするクランプ部を有するキャリア保持手段と、
マスクを保持するマスク保持手段と、
前記基板の被成膜面に沿った面内で、前記基板キャリアに保持された前記基板と前記マスクの相対位置調整を行うアライメント手段と、
前記被成膜面に交差する交差方向において、前記キャリア保持手段に保持された前記基板キャリアの前記マスクに対する相対距離を変化させる移動手段と、
前記基板キャリアに保持された前記基板に前記マスクを介して成膜を行う成膜手段と、を備え、
前記アライメント手段は、前記クランプ部が前記基板キャリアをクランプし、かつ、前記基板キャリアの全体と前記マスクとが離間している状態で、前記相対位置調整を行い、
前記移動手段は、前記相対位置調整の後に、前記クランプ部が前記基板キャリアをクランプした状態で、前記基板キャリアを前記マスクに接触させ、
前記クランプ部は、前記基板キャリアが前記マスクに接触した後に、前記基板キャリアのクランプを解除し、
前記移動手段が、前記相対位置調整の後に前記基板キャリアを前記マスクに接触させるときの速度は、第1の速度と、前記第1の速度よりも低速な第2の速度を含む
ことを特徴とする成膜装置である。
本発明によれば、基板とマスクを搬送しながら成膜するインライン型の成膜装置において、アライメントされた基板とマスクの位置ズレを抑制する技術を提供することができる。
実施例の基板キャリアの構成を示す模式図 実施例のインライン型製造システムの模式的な構成図 実施例のアライメント機構の模式的な図 実施例の基板キャリアの反転とマスクへの載置の様子を示す模式図 基板およびマスクの保持の様子を示す平面図とマークの拡大図 実施例における処理の各工程を示すフローチャート 実施例におけるアライメントの様子を示す断面図 実施例におけるアライメントの様子を示す続きの断面図 実施例におけるアライメントの様子を示す続きの断面図 電子デバイスの製造方法を説明する図
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明する。ただし、以下の記載は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に記載がない限りは、本発明の範囲をこれに限定する趣旨ではない。
基板に所望のパターンの膜を形成する際には、膜の形状に適したマスクパターンを有するマスクを用いる。複数のマスクを用いることで、成膜される各層を任意に構成できる。基板上の所望の位置に膜を形成するためには基板とマスクの相対位置調整(アライメント)を精度良く行う必要があり、また、アライメントした基板とマスクを位置ずれしないように保持する必要がある。
本発明は、基板とマスクをアライメントするアライメント装置またはアライメント方法として捉えられる。本発明はまた、かかるアライメント装置またはアライメント方法を用いた成膜装置または成膜方法としても捉えられる。本発明はまた、かかる成膜装置または成膜方法を用いた電子デバイスの製造装置または電子デバイスの製造方法としても捉えられる。本発明はまた、上記の各装置の制御方法としても捉えられる。
本発明は、基板の表面にマスクを介して所望のパターンの薄膜材料層を形成する場合に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属、シリコンなど任意のものを利用できる。成膜材料としては、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物)など任意のものを利用できる。本発明の技術は、典型的には、電子デバイスや光学部材の製造装置に適用される。特に、有機ELディスプレイやそれを用いた有機EL表示装置、薄膜太陽電池、有機CMOSイメージセンサなどの有機電子デバイスに好適である。ただし本発明の適用対象はこれに限られない。なお、基板上に複数の層を形成する場合は、一つ前の工程までに既に形成されている層も含めて「基板」と称する。
<実施例1>
(キャリア構成)
図1を参照して、本実施例に係る基板キャリア9の構成について説明する。図1(a)は、基板5を保持する保持面が上方(紙面手前方向)を向いた状態にある基板キャリア9の模式的平面図であり、図1(b)は図1(a)のA矢視断面図である。基板キャリア9は、平面視で略矩形の平板状の構造体である。基板キャリア9は、矩形の平板状部材であるキャリア面板30、複数のチャック部材32、および、複数の支持体33を有する。基板キャリア9は、キャリア面板30の保持面31に基板5を保持する。
以下便宜的に、基板キャリア上に、基板5が保持される位置に対応した基板保持部と、基板5の外周を囲む外周部とを設定して説明する。図1(a)において、基板5の外縁を示す破線が、基板保持部と外周部との境界である。ただし、基板保持部と外周部の間で構造の違いは無くてもよい。
基板キャリア9の矩形外周縁部をなす四辺のうちの対向二辺近傍が、後述する搬送ローラ15によって支持される。当該対向二辺の各々が搬送方向に沿う姿勢で、基板キャリア9は支持される。搬送ローラ15は、基板キャリア9の搬送経路の両側に、搬送方向に沿って複数配置された搬送回転体によって構成される。基板キャリア9が搬送ローラ15により支持された状態で搬送ローラ15が回転することにより、基板キャリア9が搬送方向にガイドされる。
チャック部材32は、基板5と接触して基板5をチャックするチャック面を有する突起である。本実施例のチャック部材32のチャック面は、粘着性の部材(PSC:Physical Sticky Chucking)によって構成された粘着面であり、物理的な粘着力、あるいは、物理的な吸着力によって基板5を保持する粘着パッドである。複数のチャック部材32が基板5をチャックすることで、基板5をキャリア面板30の保持面31に沿って保持できる。複数のチャック部材32は、それぞれが有するチャック面がキャリア面板30の保持面31から所定の距離だけ飛び出るよう配置される。チャック部材32は、マスク6の形状に応じて配置されることが好ましく、マスク6の基板5の被成膜領域を区画するための境界部(桟の部分)に対応して配置されていることがより好ましい。これにより、チャック部材32が基板5と接触して基板5の成膜エリアの温度分布に影響することを抑制できる。
チャック部材32は、ディスプレイのアクティブエリアの外に配置されることが好ましい。これは、チャック部材32による吸着による応力が基板5を歪ませる、あるいは成膜時の温度分布を引き起こす懸念があるためである。チャック部材32と基板5との接触面積はなるべく小さく、保持数はなるべく少ないほうがよい。また、チャック部材32の配列は、上記理由によりマスク部の背面に配置するのが成膜上好ましい。
キャリア面板30の材質は、基板キャリア9全体の重量を低減するためアルミニウムまたはアルミニウム合金を主材とすることが望ましい。
支持体33は、基板キャリア9が、基板5を保持するキャリア面板30の保持面31が下方を向くように反転されてマスク上に載置される際に、マスク6に対して基板キャリア9を支持する。少なくとも支持体33の近傍においては、支持体33が基板キャリア9を支持することで、基板キャリア9に保持された基板5がマスク6と離間する。
(インライン型成膜装置の構成)
図2は、有機ELパネルを製造するためのインライン型成膜装置を含む製造システム300である。有機ELパネルは、一般的に、回路素子を形成する回路素子形成工程と、基板上に有機発光素子を形成する有機発光素子形成工程と、形成した有機発光層上に保護層
を形成する封止工程を経て製造される。製造システム300は有機発光素子形成工程を行う。
製造システム300は、マスク搬入室90と、アライメント室100(マスク取付室)と、複数の成膜室110a、110bと、反転室111a、111bと、搬送室112と、マスク分離室113と、基板分離室114と、キャリア搬送室115と、マスク搬送室116と、基板搬入室117(基板取付室)の各チャンバを有する。製造システム300はさらに、後述する搬送手段を有しており、基板キャリア9は搬送手段によって各チャンバ内を通る所定の搬送経路に沿って搬送される。
具体的には、基板キャリア9は、基板搬入室117、反転室111a、マスク搬入室90、アライメント室100、複数の成膜室110a、110b、搬送室112、マスク分離室113、反転室111b、基板分離室114、搬送室115、の順に各チャンバ内を通って搬送され、再度、基板搬入室117に戻る。一方、マスク6は、マスク搬入室90、アライメント室100、複数の成膜室110a、110b、搬送室112、マスク分離室113、の順に各チャンバ内を通って搬送され、再度、マスク搬入室90に戻る。このように、基板キャリア9とマスク6は、それぞれ破線と点線で示した所定の搬送経路(循環搬送経路)に沿って循環して搬送される。以下、各チャンバの機能について説明する。
未成膜の基板5は、基板搬入室117から循環搬送経路に投入され、基板キャリア9に保持された状態で成膜される。その後、成膜済みの基板5は、基板分離室114から搬出される。基板搬入室117に搬入された未成膜の基板5は、まず基板搬入室117で基板キャリア9に取り付けられ、保持される。それから成膜の前に、反転室111a、マスク搬入室90を経由してアライメント室110に搬入される。
反転室111a、111bには基板キャリア9の基板保持面の向きを鉛直方向上向きから鉛直方向下向きに、または、鉛直方向下向きから鉛直方向上向きに反転させる反転機構120a、120bが備えられている。反転手段としての反転機構120a、120bは、基板キャリア9を把持等して姿勢(向き)を変化させることができる従来既知の機構を適宜採用してよく、具体的な構成の説明は省略する。
基板5は、基板搬入室117に、被成膜面が鉛直方向上を向いた状態で搬入される。そのとき基板搬入室117内では、基板キャリア9が、保持面が鉛直方向上を向いた状態で配置されている。したがって、搬入された基板5は、基板キャリア9の保持面の上に載置され、基板キャリア9によって保持される。その後、反転室111aにおいて、反転機構120aによって基板5を保持した基板キャリア9が反転され、基板5の被成膜面が鉛直方向下を向いた状態になる。
一方、基板キャリア9がマスク分離室113から反転室111bに搬入される際には、基板5の被成膜面が鉛直方向下を向いた状態で搬入されてくる。搬入後、反転機構120bによって基板5を保持した基板キャリア9が反転され、基板5の被成膜面が鉛直方向上を向いた状態となる。その後、基板5は被成膜面が鉛直方向上を向いた状態で基板分離室114から搬出される。
基板5を保持した状態で反転された基板キャリア9は、マスク搬入室90を経てアライメント室100に搬入される。これに合わせて、マスク6もマスク搬入室90からアライメント室100に搬入される。アライメント室100(マスク取付室)には、アライメント装置1が搭載されている。アライメント室100では、アライメント装置1が、基板キャリア9に載った基板5とマスク6とを高精度で位置合わせして、マスク6に基板キャリア9(基板5)を載置する。このアライメントシーケンスについては後述する。
その後、基板キャリア9が載置されたマスク6を搬送ローラ(第2搬送手段)に受け渡し、次工程に向けて搬送を開始する。搬送ローラ15は、搬送経路の両脇に搬送方向に沿って複数配置されており、それぞれ不図示のACサーボモータの駆動力により回転することで基板キャリア9やマスク6を搬送する。
図2において、成膜室110a、110bでは、搬入されてきた基板キャリア9に吸着された基板5が、蒸着源7上を通過することで、基板5の被成膜面においてマスク6によって遮られる個所以外の面が成膜される。成膜室110は、真空ポンプや室圧計を備えた室圧制御部(不図示)により室圧(チャンバ内部の圧力)を調整可能である。成膜室110の内部には蒸着材料(成膜材料)を収納した蒸発源50(成膜源、成膜手段)を配置可能であり、これにより、チャンバ内部に減圧された成膜空間が形成される。成膜空間においては、蒸発源50から基板5に向けて蒸着材料が飛翔し、基板上に膜が形成される。蒸発源50は、例えば、蒸着材料を収容する坩堝などの材料収容部と、蒸着材料を加熱するシースヒータなどの加熱手段を備えるものであってもよい。さらに、基板キャリア9およびマスク6と略平行な平面内で材料収容部を移動させる機構や蒸発源全体を移動させる機構を備えることで、蒸着材料を射出する射出口の位置をチャンバ4内で基板5に対して相対的に変位させ、基板5上への成膜を均一化してもよい。
成膜室110a、110bでの成膜完了後、基板キャリア9はマスク分離室113に到達し、マスク6を分離する。分離後のマスク6はマスク搬送室116へ搬送され、新たな基板5の成膜工程に使用される。一方、基板5を保持した基板キャリア9は、反転室111bで反転され、基板分離室114へ搬送される。基板分離室114において、基板5は基板キャリア9から分離され、循環搬送経路内から回収されて次工程に送られる。一方、基板キャリア9は、基板搬入室117に搬送され、新たな基板5の搬送に使用される。
(アライメント構成)
図3は、インライン型成膜装置のアライメント機構の構成を示す模式的な断面図であり、図2のBB矢視に対応する。アライメント室100は、基板キャリア9に保持された基板5およびマスク6を保持してアライメント(相対位置調整)を行うアライメント装置1を備えている。
図示例では成膜時に基板5の成膜面(被成膜面)が重力方向下方を向いた状態で成膜されるデポアップの構成について説明する。しかし、成膜時に基板5の成膜面が重力方向上方を向いた状態で成膜されるデポダウンの構成でもよい。本発明は、基板キャリア9に保持された基板5とマスク6を相対的に接近させるときに、基板キャリア9(基板5)とマスク6を高精度でアライメントするために、好適に利用できる。
なお、本実施例では、図5に示すように、マスク6はマスクフレーム6aに数μm~数十μm程度の厚さのマスク箔6bが溶接固定された構造を有する。マスクフレーム6aは、マスク箔6bが撓まないように、マスク箔6bを面方向(XY方向)に引っ張った状態で支持する。マスク箔6bは、基板の被成膜領域を区画するための境界部を含む。マスク箔6bの有する境界部は基板5にマスク6を装着したときに基板5に密着し、成膜材料を遮蔽する。なお、マスク6はマスク箔6bが境界部のみを有するオープンマスクであってもよいし、境界部以外の部分、すなわち基板の被成膜領域に対応する部分に、画素または副画素に対応する微細な開口が形成されたファインマスクであってもよい。基板5としてガラス基板またはガラス基板上にポリイミド等の樹脂製のフィルムが形成された基板を用いる場合、マスクフレーム6aおよびマスク箔6bの主要な材料として例えば、鉄合金、特にニッケルを含む鉄合金を使用できる。
図3に示すチャンバ4は、減圧雰囲気、真空雰囲気、または窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されるとよい。アライメント装置1において、チャンバ4の上部隔壁の上には、基板キャリア9を駆動してマスク6との相対位置調整を行う位置調整機構60(アライメント手段)が配置される。アライメント装置1は、チャンバ内に、基板キャリア9を保持するキャリア支持部8(キャリア保持手段)と、マスク6を保持するマスク受け台16と、搬送ローラ15と、を有している。
位置調整機構60は、チャンバ4の上部外側に設けられており、基板キャリア9とマスク6の相対的な位置関係を変化させたり安定的に保持したりする。位置調整機構60は、概略、面内移動手段11と、Z昇降ベース13と、Z昇降スライダ10(移動手段)を含んでいる。面内移動手段11は、チャンバ上部に接続され、Z昇降ベース13をXY移動およびθ回転させる。Z昇降ベース13は、基板キャリア9がZ方向に移動するときのベースとなる。Z昇降スライダ10はZ方向に駆動可能な部材であり、基板保持シャフト12を介して、チャンバ内部の基板キャリア支持部8に接続されている。本実施例のアライメント装置は、基板キャリア9の隅部に対応する4本の基板保持シャフトを含む。
面内移動手段11が、基板キャリア9(基板5)およびマスク6に平行な面内(すなわち、基板5の被成膜面と平行な平面内)でのXYθ駆動を行うときは、Z昇降ベース13、Z昇降スライダ10および基板保持シャフト12が一体として移動し、キャリア支持部8に駆動力を伝達する。そして、基板5を平面内においてXY移動およびθ回転させる。面内移動手段としては、モータやエンコーダなどを備える既知のアライメント手段を利用できる。
基板キャリア9をZ方向(すなわち、基板5の被成膜面に交差する交差方向)に移動させるときは、移動手段としてのZ昇降スライダ10がZ昇降ベース13に対してZ方向に駆動することで、駆動力が基板保持シャフト12を介してキャリア支持部8に伝達される。これにより、基板5のマスク6に対する相対距離が変化(離隔または接近)する。Z昇降スライダ10としては、モータやボールねじ、エンコーダなどを備える既知の駆動手段を利用できる。また上部ローラ28(第1搬送手段)は、基板キャリア9をキャリア搬送経路に沿って移動させて、アライメント装置1に搬送する。上部ローラ28はアライメントの進行に沿って紙面で左右に移動可能であり、基板キャリア9を支持する位置に移動、または、基板キャリア9の下から退避できる。
なお、アライメント装置1は、基板キャリア9(基板5)をXYθ方向およびZ方向に駆動する構成に限定されない。位置調整機構60がマスク6のみ、または、基板5とマスク6の両方を移動させてもよい。
マスク6の周縁部を支持するマスクZステージ26には、マスク受け台16が接続される。マスク受け台16は、マスク台ベース19上に載置された昇降台案内34に沿って上下にガイドされ昇降する。また、マスク6の搬送方向の辺下部には搬送ローラ15が載置されており、マスク6はマスク受け台16が下降することによって、マスクZステージ26から搬送ローラ15に受け渡される。マスク保持部材27は、不図示のアクチュエータに駆動されてチャンバ4に対して上下動することによって、マスクZステージ26との間でマスク6をクランプ/クランプ解除する。マスクZステージ26とマスク保持部材27を合わせて、マスク6を保持するマスク保持手段と呼べる。
基板保持シャフト12は、チャンバ上部に設けられた貫通孔を通って、チャンバ4の外部と内部にわたって設けられている。成膜空間内では、基板保持シャフト12の下部に、受け爪8aとキャリア保持部材8bを含むキャリア支持部8が設けられ、基板キャリア9を保持可能となっている。キャリア保持部材8bが不図示のアクチュエータに駆動されて
基板キャリア9に対して上下動することによって、受け爪8aとの間で基板キャリア9をクランプ/クランプ解除する。受け爪8aとキャリア保持部材8bを合わせて、基板キャリア9をクランプするクランプ部と呼べる。
カメラ14は、基板5およびマスク6を光学的に撮像して画像を取得する撮像手段である。基板5およびマスク6に設けられたアライメントマークが視界(撮像範囲)に収まるように設置される。カメラ14は、チャンバ上部に、撮像用の透明窓を介して設置される。
制御部70は、アライメント装置1による各種の動作(面内アライメント、Z昇降、基板キャリア9やマスク6のクランプ/クランプ解除、蒸着など)を制御する。制御部70は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部70の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部70の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。なお、蒸着装置ごとに制御部70が設けられていてもよいし、1つの制御部70が複数の蒸着装置を制御してもよい。
(基板反転とアライメントの姿勢)
図4は、基板搬入室117から、反転室111a、マスク搬入室90を経て、アライメント室100に至る、基板5を基板キャリア9に取り付け、その基板キャリア9を反転してマスク6へ載置するまでの様子を示す模式的断面図である。
上述のように基板キャリア9は、キャリア面板30と、チャック部材32と、支持体33と、を有する。キャリア面板30は、基板5を保持する保持面31を構成する。キャリア面板30は、金属等で構成された板状部材であり、少なくとも基板5よりも剛性が高く、基板5を保持面31に沿って保持して基板5の撓みを抑制する。支持体33は、キャリア面板30の保持面31の基板保持エリアの外側に、保持面31及びチャック部材32よりも突出して複数配置されている。
図4(a)は基板搬入室117の様子を示す。保持面31が上方を向いた基板キャリア9に対して、基板5が上方から保持面31に下降して載置される。
図4(b)から図4(c)にかけて、反転室111aでの反転の推移を示す。基板キャリア9と基板5は、上下が逆転する。その結果、基板キャリア9は、保持面31が下方を向く姿勢となり、基板5は、チャック部材32の保持力によって保持面31に下方から張り付き、被成膜面が下方を向く状態となる。
図4(d)は、アライメント室100の様子を示す。基板キャリア9がマスク6上に載置されると、支持体33は、基板5よりもマスク6側に突出した状態となる。基板キャリア9は、支持体33を介してマスクフレーム6aの外周フレーム上に、アライメント動作を経て着座する。図示例では、少なくとも支持体33の近傍では、基板5とマスク6が離間していることにより、アライメントの精度を向上させることができる。
基板キャリア9は、保持した基板5を介してマスク6を磁力によって引き付けるための磁力発生手段を有していてもよい。磁力発生手段としては、永久磁石や電磁石、永電磁石を備えた磁石プレートを使用できる。また、基板キャリア9が基板を保持する構成は粘着部に限定されず、物理的に基板を支える支持部や、静電チャック機構でもよい。
(アライメントの方法)
図5(a)~図5(c)を参照して、カメラ14を用いて基板5とマスク6をアライメントする方法を説明する。ここではアライメント装置1が、4台のカメラ14(14a~14d)を備えているものとする。
図5(a)は、キャリア支持部8に保持されている状態のキャリア面板30上の基板5を上から見た図である。説明のため、キャリア面板30は破線で、透過されたように図示する。基板5の隅部には、基板マーク37a~37dが形成されている。4台のカメラ14a~14dは、この基板マーク37a~37dを撮像する。制御部70は、撮像画像からパターンマッチング等により基板マーク37を検出することで、基板5の位置情報を取得できる。なお、キャリア面板30には貫通孔が開いており、上部から撮像装置14によって基板マーク37の位置を計測することが可能である。
図5(b)は、マスクフレーム6aを上面から見た図である。マスクフレーム6aの隅部には、マスクマーク38a~38dが形成されている。4台のカメラ14a~14dは、基板5を介してこのマスクマーク38a~38dを撮像する。制御部70は、撮像画像からマスクマーク38を検出することで、マスク6の位置情報を取得できる。
図5(c)は、あるカメラ14の視野44における撮像画像を模式的に示したものである。視野44には、マスクマーク38および基板マーク37が同時に計測されているので、マーク同士の相対的な位置を測定することが可能である。なお、マークの形状はこの例に限られない。制御部70は、マーク同士の位置関係(距離や角度など)に基づいて、基板5とマスク6のアライメントを行う。
精度の高いアライメントが求められる場合、カメラ14として、数μmのオーダーの高解像度を有する高倍率CCDカメラが好適である。ただし高倍率CCDカメラは視野の径が数mmと狭いため、基板キャリア9をキャリア受け爪に載置した際の位置ズレが大きいと、基板マーク37が視野から外れてしまい、計測できなくなる。そこで、カメラ14として、高倍率CCDカメラと併せて、広い視野をもつ低倍率CCDカメラを併設するのが好ましい。その場合、低倍率CCDカメラを用いて大まかなアライメント(ラフアライメント)を行い、マスクマーク38と基板マーク37が同時に高倍率CCDカメラの視野に収まるようにした後に、高倍率CCDカメラを用いてマスクマーク38と基板マーク37の位置計測を行い、高精度なアライメント(ファインアライメント)を行う。ラフアライメントとファインアライメントを行うときの基板キャリア(基板5)とマスク6の相対距離は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
カメラ14としてCCDカメラ以外の撮像装置(例えばCMOSカメラ)を用いてもよい。また、高倍率カメラと低倍率カメラを別個に併設しなくとも、高倍率レンズと低倍率レンズを交換可能なカメラや、ズームレンズを用いることにより、単一のカメラで高倍率と低倍率の計測を可能にしてもよい。
カメラ14によって取得したマスク6の位置情報および基板5の位置情報から、マスク6と基板5との相対位置情報を取得することができる。この相対位置情報を、アライメント装置の制御部70にフィードバックし、昇降スライダ10、面内移動手段11、キャリア支持部8など、それぞれの駆動部の駆動量を制御して、相対位置を調整する。
(アライメント処理フロー)
アライメント室100において、基板キャリア9にセットされた基板5をマスク6とアライメントして、マスク上に載置するまでの処理シーケンスを説明する。
図6は、実施例の蒸着装置の動作シーケンスを示すフローチャートである。図7~図9は、アライメント装置1における各構成要素の動作をフローに対応させて示した、模式的な断面図である。図7~図9中では、各ステップの説明に必要な構成要素のみを示している。
ステップS101において、マスク搬入室90からゲートバルブを介してアライメント室100に、基板5を保持した基板キャリア9と、マスク6が、上部ローラ28と搬送ローラ15により搬入される。図7(a)に示すように、受け爪8aと基板キャリア9の間、および、マスクZステージ26とマスク6の間にはZ方向の隙間があり離間している。
ステップS102において、ローラからの受け渡しが行われる。図7(b)に示すように、受け爪8aが上昇して基板キャリア9の外周部を支持し、また、マスクZステージ26が上昇してマスク外周のマスクフレームを支持する。さらに、キャリア保持部材8bが下降して受け爪8aとの間で基板キャリア9の外周部をクランプし、また、マスク保持部材27が下降してマスクZステージ26との間でマスクフレームをクランプする。
ステップS103において、図7(c)に示すように、上部ローラ28が左右に移動してアライメント動作に干渉する領域から退避する。
ステップS104において、図8(a)に示すように、基板キャリア9(基板5)とマスク6のアライメントが行われる。まず、受け爪8aが下降して、基板キャリア9をアライメント高さまで移動させる。このとき、基板保持部材8bのクランプは維持されている。本実施例では、上述したように、低倍率CCDと高倍率CCDを併設したカメラ14を用いてアライメントを行う。また、ラフアライメント高さhrとファインアライメント高さhfは同じであり、例えば基板の被成膜面とマスクの上面の相対距離hは、最も近い部分で15mmとする。なお、基板キャリア9や基板5の中央部が自重により撓む場合、アライメント高さは撓んだ基板5がマスク6に接触しない程度に設定される。したがって、アライメントのときには、基板キャリア9(基板5)の全体とマスク6とが離間している。
基板キャリア9がアライメント高さに移動すると、カメラ14は低倍率CCDカメラで基板5に設けられた基板マーク37を撮像する。制御部70は、画像を解析して基板5の位置情報を取得し、その位置情報に基づいて、位置調整機構60を駆動して、基板マーク37が高倍率CCDカメラの視野内に入るように基板5の位置を調整する。マスク6についても同様に、マスクマーク38が高倍率CCDカメラの視野に入るように調整する。
続いて、カメラ14は高倍率CCDカメラによって基板5の基板マーク37とマスク6のマスクマーク38とを同時に撮像する。制御部70は、撮像された画像に基づき基板5とマスク6の相対位置情報を取得する。ここでいう相対位置情報とは、具体的には、基板マーク37とマスクマーク38の中心位置どうしの距離と位置ずれの方向に関する情報である。そして制御部70は、基板5とマスク6の位置ずれ量が、成膜に支障が出ないような所定の閾値以下かどうかを判定する。位置ずれ量が所定の閾値を超える場合は、位置調整機構60が基板キャリア9を面内で移動させてアライメントを行う。そして、位置ずれ量が所定の閾値以下となるまで撮像と位置調整を繰り返す。
本実施例では、S102において受け爪8aとキャリア保持部材8bにより基板キャリア9がクランプされている。そのためアライメント中の装置動作による基板キャリア9の位置ずれを可及的に抑制することができる。
なお、S104のアライメント動作におけるカメラ14の種類は上に限定されない。ま
た、相対位置調整は二段階アライメントに限定されず、一段階アライメントでもよい。
なお、S104のアライメントを行う前に、基板キャリア9の掴み直しを行って基板キャリア9(基板5)の自重による撓みを低減してもよい。その場合、図7(b)~図7(c)のように、基板キャリア9がクランプされ、上部ローラ28が退避したのち、Z昇降スライダ10が、基板キャリア9を下降させて、基板キャリア9(基板5)をマスク6に接触させる。接触の程度は、撓みを解消させるために少なくとも基板キャリア9(基板5)の垂下部分がマスク6に触れる程度とし、より好ましくは基板キャリア9(基板5)全面をマスク6に密着させる。この一部接触状態または密着状態でキャリア支持部8がクランプを解除することにより、基板キャリア9(基板5)がマスク6の上面に沿って延伸し、撓みが解消する。その後、再度、キャリア支持部8がクランプを行うことで、撓みが解消した状態で基板キャリア9が保持される。その後、Z昇降スライダ10が基板キャリア9をアライメント高さまで移動させる。なお、クランプ解除のタイミングと、基板キャリア(基板5)とマスクの接触(密着)のタイミングは、前後してもよい。
ステップS105において、図8(b)に示すように、受け爪8aを下降させて基板キャリア9(基板5)をマスク6に接触させる。基板キャリア9とマスク6が接触した後、キャリア保持部材8bを上昇させて、基板キャリア9のクランプを解除する。したがって、基板キャリア9がマスク6に接触するまでは基板キャリア9はクランプされた状態であり、基板キャリア9がマスク6に接触した後に、基板キャリア9のクランプ状態が解除される。そのため、接触の衝撃で基板キャリア9の位置がずれる可能性が低くなる。
そしてクランプ解除後、受け爪8aをさらに下降させることで、受け爪8aを基板キャリアから離間させる。
なお、基板キャリア9をマスク6に接近させる際には、基板キャリア9とマスク6の相対距離に応じて移動速度を変化させることが好ましい。一例として、アライメント高さが15mmの場合、高さ15mm~3mmまでは比較的高速な第1の速度で基板キャリア9を移動させ、高さ3mmから0mm(接触)までの間は比較的低速な第2の速度とする。これは、基板キャリア9がマスク6と接触する可能性が低い間は高速な第1の速度とすることで移動に要する時間を短くするとともに、基板キャリア9とマスク6が接近してからは、第1の速度よりも遅い第2の速度とすることで、接触による衝撃がもたらす位置ずれを防止するためである。特に、基板キャリア9の中央部に撓みがある場合、撓み部分がマスク6に接触する範囲において第2の速度とすることで、位置ずれ防止の効果を向上させることができる。なお、速度変化の段階数は二段階より多くてもよい。また、速度を連続的に変化させてもよい。
ステップS106において、図8(c)に示すように、カメラ14により再度、基板キャリア9とマスク6に設けられたアライメントマークを撮像する。ステップS107において、制御部70は、撮像画像を解析して、基板キャリア9とマスク6のアライメント精度が所定の基準を満たしているかどうかを判定する。これにより、基板キャリア9の下降中や、基板キャリア9とマスク6の接触時の位置ずれの有無を確認できる。
位置ずれ量が閾値を超えている場合(S106=NO)、フローは二度目のS104に戻り、再度アライメントを行う。一方、位置ずれ量が閾値以下の場合(S106=YES)、アライメントが完了したと判定し、後続のステップS107に進む。
二度目のS104に戻るときは、受け爪8aが上昇して基板キャリア9をマスク6から離間させるとともに、キャリア保持部材8bが下降して受け爪8aとの間で基板キャリア9をクランプする。これにより、基板キャリア9とマスク6が図8(b)と同様の位置関係(相対距離)となり、位置調整機構60による相対位置調整が可能となる。なお、この相対位置調整においては、再度のカメラ撮像を行う代わりに、S106で撮像した画像を
解析して得られた位置ずれ量を用いてもよい。これ以降は、アライメント完了と判定されるまで上述のS105~S107の処理を繰り返す。
ステップS108において、図9(a)に示すように、マスク保持部材27によるマスクのクランプが解除され、マスクZステージ26が下降して、基板キャリア9が載置された状態のマスク9を搬送ローラ15に受け渡す。このとき、再度、カメラ14による撮像と制御部70によるアライメントマーク検出を行い、最終的なアライメント精度を確認してもよい。
ステップS109において、図9(b)に示すように、次回のアライメントに備えて新たな基板キャリア9を受け入れる準備として、上部ローラ28が退避位置から内側に移動し、キャリア保持部材8bが上昇して受け爪8aとの間に距離を確保する。
ステップS110において、搬送ローラ15が基板キャリア9を載置したマスク6をアライメント室100から搬出する。このとき、同時に次回のアライメントに用いる基板キャリア9およびマスク6が搬入される。これにより、1回のアライメントが完了する。
以上述べたように、本実施例に記載のアライメント装置を用いたアライメント方法によれば、基板キャリア9(基板5)とマスク6を搬送しながら成膜するインライン型の成膜装置のアライメントの際に、基板キャリア9がクランプされた状態で平面内の位置調整が行われる。そして、アライメント後に基板キャリア9がマスクに接触して載置されてから、基板キャリア9のクランプが解除される。したがって、アライメント後の位置ずれを可及的に抑制することが可能となる。
<実施例2>
(有機電子デバイスの製造方法)
本実施例では、本発明の成膜装置を用いた有機電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図10(a)は有機EL表示装置60の全体図、図10(b)は一つの画素の断面構造を表している。
図10(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本図の有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
図10(b)は、図10(a)のA-B線における部分断面模式図である。画素62は、基板10上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R,66G,66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R,66G,66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。
発光層66R,66G,66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極
64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R,62G,62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層Pが設けられている。
次に、電子デバイスとしての有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板10を準備する。
次に、第1電極64が形成された基板10の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
次に、絶縁層69がパターニングされた基板10を第1の成膜装置に搬入し、基板支持ユニットにて基板を支持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。ここで、本ステップでの成膜や、以下の各レイヤーの成膜において用いられる成膜装置は、上記各実施例のいずれかに記載された成膜装置である。
次に、正孔輸送層65までが形成された基板10を第2の成膜装置に搬入し、基板支持ユニットにて支持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板10の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。
発光層66Rの成膜と同様に、第3の成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
電子輸送層67までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第2電極68を成膜し、その後プラズマCVD装置に移動して保護層Pを成膜して、有機EL表示装置60が完成する。
絶縁層69がパターニングされた基板10を成膜装置に搬入してから保護層Pの成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
本実施例に係る成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法または電子デバイスの製造方法によれば、基板とマスクの位置ずれを抑制し、アライメントの精度を向上させた良好な成膜が可能となる。
5:基板、6:マスク、8:キャリア支持部、8a:受け爪、8b:キャリア保持部材
、9:基板キャリア、10:Z昇降スライダ、26:マスクZステージ、27:マスク保持部材、50:蒸発源、60:位置調整機構、

Claims (10)

  1. 基板を搬送しながら成膜を行うインライン型の成膜装置であって、
    前記基板を保持して搬送する基板キャリアと、
    前記基板キャリアをクランプするクランプ部を有するキャリア保持手段と、
    マスクを保持するマスク保持手段と、
    前記基板の被成膜面に沿った面内で、前記基板キャリアに保持された前記基板と前記マスクの相対位置調整を行うアライメント手段と、
    前記被成膜面に交差する交差方向において、前記キャリア保持手段に保持された前記基板キャリアの前記マスクに対する相対距離を変化させる移動手段と、
    前記基板キャリアに保持された前記基板に前記マスクを介して成膜を行う成膜手段と、を備え、
    前記アライメント手段は、前記クランプ部が前記基板キャリアをクランプし、かつ、前記基板キャリアの全体と前記マスクとが離間している状態で、前記相対位置調整を行い、
    前記移動手段は、前記相対位置調整の後に、前記クランプ部が前記基板キャリアをクランプした状態で、前記基板キャリアを前記マスクに接触させ、
    前記クランプ部は、前記基板キャリアが前記マスクに接触した後に、前記基板キャリアのクランプを解除し、
    前記移動手段が、前記相対位置調整の後に前記基板キャリアを前記マスクに接触させるときの速度は、第1の速度と、前記第1の速度よりも低速な第2の速度を含む
    ことを特徴とする成膜装置。
  2. 前記移動手段は、前記基板キャリアを前記第2の速度で前記マスクに接触させる
    ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
  3. 前記基板を保持している前記基板キャリアを搬送する第1搬送手段をさらに備える
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
  4. 前記クランプ部は、前記第1搬送手段に載置された前記基板キャリアをクランプする
    ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
  5. 前記移動手段は、前記クランプ部が前記基板キャリアをクランプした後、かつ、前記アライメント手段が前記相対位置調整を行う前に、前記基板キャリアを前記マスクに接触させ、
    前記クランプ部は、前記移動手段が前記基板キャリアを前記マスクに接触させた後、前記基板キャリアのクランプを解除する
    ことを特徴とする請求項の記載の成膜装置。
  6. 前記クランプ部は、当該クランプ部が前記基板キャリアのクランプを解除した後に再度、前記基板キャリアをクランプする
    ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
  7. 前記移動手段は、前記クランプ部が再度、前記基板キャリアをクランプした後に、前記基板キャリアを前記アライメント手段が前記相対位置調整を行う高さまで移動させる
    ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
  8. 前記マスクを搬送する第2搬送手段をさらに備える
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の成膜装置。
  9. 前記マスク保持手段は、前記アライメント手段が前記相対位置調整を行う前に、前記第2搬送手段に載置された前記マスクを支持して前記第2搬送手段から受け渡される
    ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
  10. 請求項1からのいずれか1項に記載の成膜装置を用いて前記基板の被成膜面に成膜を行うことにより電子デバイスを製造する
    ことを特徴とする電子デバイスの製造装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117127160A (zh) * 2023-08-30 2023-11-28 苏州佑伦真空设备科技有限公司 一种可大面积镀膜基板装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015137390A (ja) 2014-01-22 2015-07-30 株式会社アルバック 成膜装置および成膜方法
JP2019189922A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 キヤノントッキ株式会社 成膜装置の調整方法、成膜方法、成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム及び有機elパネルの製造方法
JP2020090721A (ja) 2018-12-07 2020-06-11 キヤノントッキ株式会社 静電チャック、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4549697B2 (ja) 2004-03-04 2010-09-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
JP2007046099A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Canon Inc マスクホルダ及び基板ホルダ
JP2013055093A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Creative Technology:Kk 粘着チャック装置及びワークの粘着保持方法
JP6310705B2 (ja) * 2014-01-22 2018-04-11 株式会社アルバック 基板保持装置および成膜装置
KR102490641B1 (ko) * 2015-11-25 2023-01-20 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015137390A (ja) 2014-01-22 2015-07-30 株式会社アルバック 成膜装置および成膜方法
JP2019189922A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 キヤノントッキ株式会社 成膜装置の調整方法、成膜方法、成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム及び有機elパネルの製造方法
JP2020090721A (ja) 2018-12-07 2020-06-11 キヤノントッキ株式会社 静電チャック、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法

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