TW201945562A - 用於一基板之光學檢查的設備、系統及方法以及使用其之用以對準一基板之一位置的系統 - Google Patents

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Abstract

一種用於一基板之一光學檢查的系統。此系統包括至少一第一處理腔室及一第二處理腔室。此系統包括至少一移送腔室，用以從第一處理腔室接收基板及用以傳送基板至第二處理腔室。移送腔室係設置有一檢查裝置，檢查裝置用以對在第一處理腔室中處理之基板執行光學檢查。

Description

用於一基板之自動光學檢查的設備及方法
本發明之數個實施例是有關於數種用於一基板之一光學檢查的設備、系統、及方法，更特別是有關於數種用於利用沈積材料塗佈之一大面積基板的一光學檢查的設備、系統及方法。再者，本揭露之實施例係有關於數種用於在一處理系統中之一基板串連的一光學檢查之設備、系統、及方法，及有關於數種用以相對於一遮罩元件對準一基板之位置的系統。
數種方法係已知而用以沈積材料於基板上。作為一例子來說，基板可利用蒸發製程、物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)製程、或化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)製程塗佈。物理氣相沈積製程例如是濺射製程、噴塗製程等。製程可在沈積設備的處理腔室中執行，將塗佈之基板係位在沈積設備的處理腔室中。沈積材料係在處理腔室中提供。數個材料可使用來沈積於基板上，此些材料例如是有機材料、分子、金屬、氧化物、氮化物、及碳化物。再者，像是蝕刻、成型(structuring)、退火(annealing)、或類似者的其他製程可在處理腔室中進行。
舉例來說，針對舉例為顯示器製造技術中的大面積基板而言，可考慮塗佈製程。已塗佈的基板可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，一種應用可為有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)面板。其他應用包括絕緣面板、例如是半導體裝置的微電子學、具有薄膜電晶體(thin film transistors，TFTs)之基板、彩色濾光片、或類似者。OLEDs係為固態裝置，由(有機)分子的薄膜所組成。(有機)分子的薄膜係藉由電之應用而產生光。作為一例子來說，相較於舉例為液晶顯示器(liquid crystal displays，LCDs)來說，OLED顯示器可在電子裝置上提供明亮的顯示器，及使用較少的電力。在處理腔室中，有機分子係產生(舉例為蒸發、濺射、或噴塗等)，及在基板上沈積成層。粒子可舉例為通過具有邊界或特定圖案的遮罩，以沈積材料於基板上的所需位置，而舉例為形成OLED圖案於基板上。
有關於已處理之基板的品質之一方面係相對於遮罩之基板的對準，已處理之基板的品質特別是已沈積之層的品質。作為一例子來說，對準應為準確及穩定的，以達到良好的處理結果。針對此目的來說，位於基板上及遮罩上之參考點(基準(fiducials))係使用，以在沈積製程之前正確地對準遮罩與基板。然而，此些參考點之間的關係可能容易受到外在干擾影響，例如是振動、製造公差、操控(handling)、變形等。因此，自動光學檢查(automated optical inspection，AOI)可提供，以取得所謂的「偏差值(offset values)」。偏差值係定義遮罩及基板必須如何對準，以匹配遮罩圖案與背板(backplane)(舉例為基板)圖案。
當基板係在水平位置中塗佈時，使用自動光學檢查之方案係有效率的。舉例來說，在水平位置中之AOI檢查可使用在虛擬(dummy)玻璃沈積之產線的端處之測量結果，以傳送反饋來調整遮罩偏移。
當基板及遮罩係在沈積期間維持在本質上垂直位置中時，額外的數個方面係結合而影響遮罩及基板之間的對準。傳統線的端處之自動光學檢查係較沒有效率。實際上，既然於垂直系統中的基板及遮罩兩者係面臨作用在系統裝配之相同方向中之重力，特別是針對大面積基板來說，此力會導致基板及遮罩之間的相對偏移。此外，就處理而言，基板可從水平配置移動至垂直配置，及反之亦然。此可能影響相對於遮罩之基板對準。在此情況中，舉例為利用虛擬玻璃沈積之在線的端處之一腔室中的標準AOI檢查可能不足。
有鑑於上述，甚至是在垂直位置中進行塗佈時，數種可提供基板之改善的自動光學檢查的設備、系統、及方法係有需求。
根據一實施例，提出一種用於一光學檢查之設備。此設備係裝配，以檢查在至少一第一處理腔室及一第二處理腔室中處理之一基板。此設備包括一檢查裝置，用於在第一處理腔室及第二處理腔室之間對在第一處理腔室中處理之基板執行光學檢查
根據另一實施例，提出一種用於一基板之一光學檢查的系統。此系統包括至少一第一處理腔室及一第二處理腔室；及至少一移送腔室，用以從第一處理腔室接收基板及用以傳送基板至第二處理腔室，其中移送腔室係設置有一檢查裝置，檢查裝置用以對在第一處理腔室中處理之基板執行光學檢查。
根據另一實施例，提出一種用於一基板之一串連的光學檢查的方法。此方法包括從一第一處理腔室接收基板；對在第一處理腔室中根據數個沈積參數處理之基板執行光學檢查；取得基板之品質的資訊資料；回送資訊資料至第一處理腔室；以及採用此些沈積參數來於第一處理腔室中處理一接續的基板。
根據另一實施例，提出一種用以相對於一遮罩元件對準一基板的位置之系統，遮罩元件耦接於基板。基板及遮罩元件係位在一本質上垂直位置中。系統包括一檢查裝置，用以光學檢查相對於基板之遮罩元件的相對的位置，遮罩元件使用於在一處理腔室中來處理基板，及檢查裝置位於處理腔室後；一處理裝置，用以計算一對應之偏差遮罩值；以及一調整裝置，用以回應於計算之偏差遮罩值，相對於基板調整遮罩元件之位置。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
詳細的參照將以本揭露之數種實施例來達成，本揭露之數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在圖式之下方說明中，相同的參考編號係意指相同之元件。僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供，且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。
此處所述之實施例可用於檢查大面積塗佈的基板，大面積塗佈的基板舉例為用於製造之顯示器。基板或基板接收面積可為具有舉例為1 m2 或以上之尺寸的大面積基板，基板或基板接收區域係裝配而用於此處所述之設備及方法。舉例來說，大面積基板或載體可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第4.5代對應於約0.67 m2 之基板(0.73 m x 0.92 m)、第5代對應於約1.4 m2 之基板(1.1 m x 1.3 m)、第7.5代對應於約4.29 m2 之基板(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7 m2 之基板(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m2 之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。舉例來說，針對OLED顯示器製造來說，包括第6代之上述的基板世代的一半尺寸可藉由用以蒸發材料之設備的蒸發來塗佈。基板世代之一半尺寸可源自於在整個基板尺寸執行的一些製程，及在先前處理之一個基板的一半上執行之接續的製程。
如此處所使用之名稱「基板」可特別是包含實質上非撓性基板，舉例為晶圓、例如是藍寶石或類似者之透明水晶片、或玻璃板材。然而，本揭露係不以此為限，且名稱「基板」可包含撓性基板，例如是網格(web)或箔。名稱「實質上非撓性」係理解為與「撓性」有所區別。特別是，實質上非撓性基板可具有某種程度之撓性，舉例為具有0.5 mm或以下之厚度的玻璃板材，其中實質上非撓性基板的撓性比撓性基板小。
基板可以適合用於材料沈積之任何材料製成。舉例來說，基板可以選自群組之材料製成，此群組由玻璃(舉例為鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、硼矽玻璃(borosilicate glass)等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料、金屬或任何其他材料或可由沈積製程進行塗佈之材料之組合所組成。
第1圖繪示用以處理於垂直位置中之基板的處理系統1000的示意圖。根據本揭露之設備、系統、及方法可為此處理系統1000或類似之處理系統的一部份。處理系統1000特別是包括裝載腔室1010，裝載腔室1010連接於水平的玻璃處理腔室1020。基板可從玻璃處理腔室1020傳送至真空擺動模組1030，其中基板係位於水平位置中之載體上。在裝載基板於水平位置中之載體上之後，真空擺動模組1030旋轉具有基板設置於上之載體於垂直或本質上垂直定向中。
具有基板設置於其上之載體係接著傳送通過具有本質上垂直定向之第一個旋轉及傳送腔室1040及其他個旋轉及傳送腔室(1041-1045)的至少一者。在旋轉及傳送腔室(1041-1045)中，基板可在基板從處理腔室接收時旋轉舉例為90°、180°、270°、或360°，及可傳送至另一真空腔室，基板維持在垂直位置中。一或多個沈積設備1050可連接於旋轉及傳送腔室。再者，其他基板處理腔室或其他真空腔室可連接於此些旋轉及傳送腔室之一或多者。
如參照第10A及10B所述，旋轉腔室可亦意指為群集腔室或真空旋轉模組。根據此處所述之數個實施例，二或多個群集腔室可設置於串連配置中，群集腔室也就是旋轉腔室或真空旋轉腔室。
在處理基板之後，具有基板於其上之載體係於垂直定向中從旋轉及傳送腔室傳送至真空擺動模組1030或選擇之其他真空擺動模組1031中。也就是說，已處理之基板可傳送回到真空擺動模組1030而離開系統，或通過包括其他真空擺動模組1031之系統的選擇部份1070。真空擺動模組1030或其他真空擺動模組1031可從垂直定向旋轉具有基板於其上之載體至水平定向。之後，基板可卸載至玻璃處理腔室1020或其他水平之玻璃處理腔室1021中。舉例為在製造之裝置係於薄膜封裝腔室1060或1061封裝之後，已處理的基板可通過裝載腔室從處理系統1000卸載，裝載腔室舉例為裝載腔室1010或裝載腔室1011。
處理腔室可為真空腔室或真空沈積腔室。此處所使用之名稱「真空」可理解為具有少於舉例為10 mbar之真空壓力的技術真空之含義。處理系統1000可包括一或多個真空幫浦，例如是渦輪幫浦及/或冷凍幫浦，連接於真空腔室來在真空腔室之內側產生真空。
根據一些實施例，及如第1圖中所示，此一或多個旋轉及傳送腔室1040-1045係沿著一線設置，用以提供系統之串連傳送系統部份。
第2圖繪示用以製造OLEDs於基板10上之沈積製程的示意圖，而第3A及3B圖繪示支承配置40之例子的示意圖，支承配置40用以在處理腔室中之層沈積期間支撐基板10於基板載體11上及遮罩元件20於遮罩載體21上，其中基板10及遮罩元件20係維持在本質上垂直位置中。
如第2圖中所示，針對製造OLEDs來說，有機分子可藉由沈積源30提供(舉例為蒸發)及沈積於基板10上。包括遮罩元件20之遮罩配置係位於基板10及沈積源30之間。遮罩元件20具有特定圖案，特定圖案舉例為由數個開孔或洞22提供，使得有機分子(沿著路徑32)通過開孔或洞22，以沈積有機化合物之圖案化層或膜於基板10上。利用相對於基板10之不同遮罩或遮罩元件20之數個位置，數個層或膜可沈積於基板10上，以舉例為產生數個像素，此些像素舉例為具有不同的顏色性質。作為一例子來說，第一層或膜可沈積以產生紅色像素34、第二層或膜可沈積以產生綠色像素36、及第三層或膜可沈積以產生藍色像素38。舉例為有機材料之層或膜可配置於兩個電極之間，此兩個電極例如是陽極及陰極(未繪示)。此兩個電極之至少一電極可為透明的。
在沈積製程期間，基板10及遮罩元件20可配置於垂直定向中。在第2圖中，箭頭表示垂直方向Y及水平方向X。如本揭露通篇所使用，名稱「垂直方向」或「垂直定向」係理解為與「水平方向」或「水平定向」有所區別。也就是說，「垂直方向」或「垂直定向」係有關於舉例為支承配置及基板之實質上垂直定向，其中從準確垂直方向或垂直定向之達10°或甚至達15°之一些角度之偏移係仍視為「實質上垂直方向」或「實質上垂直定向」。垂直方向可實質上平行於重力。
第3A圖繪示用以在處理腔室中之層沈積期間支撐基板載體11及遮罩載體21之支承配置40的示意圖，支承配置40可使用於根據此處所述數個實施例之系統及設備中。第3B圖繪示第3A圖中所示之支承配置40的側視圖。
用於垂直操作之工具上的對準系統可從處理腔室之外側運作，也就是從大氣側運作。對準系統可利用剛性臂連接於基板載體及遮罩載體，剛性臂舉例為延伸通過處理腔室之牆。對於位在真空之外側的對準系統來說，遮罩載體或遮罩及基板載體或基板之間的機械路徑係長的，使得系統容易受到外部干擾(振動、熱等)及公差的影響。
對準系統之致動器可額外地或替代地包括於真空腔室中。因此，剛性臂之長度可減少。舉例來說，可機械地接觸基板載體及遮罩載體之致動器可至少部份地設置在用於遮罩載體之軌道及用於基板載體之軌道之間。
支承配置40可包括二或多個對準致動器，可連接於基板載體11及遮罩載體21之至少一者，其中支承配置40係裝配，以支撐基板載體11於第一平面中或平行於第一平面，其中此二或多個對準致動器之第一個對準致動器41可裝配，以至少在第一方向中相對於基板載體11及遮罩載體21彼此移動，及此二或多個對準致動器之第二個對準致動器42可裝配，以至少在第一方向及不同於第一方向之第二方向中相對於基板載體11及遮罩載體21彼此移動，及其中第一方向及第二方向係在第一平面中。第一方向特別是垂直方向，第二方向特別是水平方向。此二或多個對準致動器可亦意指為「對準塊」。因此，對準塊或對準致動器可相對於遮罩元件20改變基板10之位置。舉例來說，遮罩載體及/或基板載體可以懸浮狀態於處理區域中傳送，以減少粒子產生。在處理區域中，遮罩載體及基板載體可藉由一或多個對準致動器機械地接觸。
如第3B圖中所示，遮罩元件20可貼附於遮罩載體21，及支承配置40係裝配，以特別是在層沈積期間用於支撐基板載體11及遮罩載體21之至少一者於實質上垂直定向中，特別是用以支撐基板載體11及遮罩載體21兩者於實質上垂直定向中。沈積係沿著根據第3B圖中所繪示之箭頭所示的方向Z發生。
藉由利用此二或多個對準致動器來至少於第一方向及第二方向中相對於基板載體11及遮罩載體21彼此移動，基板載體11可相對於遮罩載體21或遮罩元件20對準，及已沈積之層的品質可改善。
針對執行相對於基板10之遮罩元件20的位置之調整，藉由致動對準塊，光學檢查可執行，以檢驗相對於正確之對準的可能變異或偏差。如上所述，基準參考點可針對此目的而列入考量。基準係為可舉例為阻焊層開孔的圖案辨識記號，舉例為在中心具有圓的裸銅。舉例來說，基準係位在接近基板/遮罩元件之角落邊緣的位置，及利用影像偵測系統辨識。影像偵測系統係比較偵測之影像與儲存之資訊資料。藉由測量相對於舉例為儲存在系統之記憶體中之基板之基準的位置，計算部件相對於基板移動的程度來確認準確之擺置係可行的。此部件舉例為遮罩。
第4圖繪示耦接於遮罩元件20之基板10的例子的示意圖。遮罩元件20用以沈積有機材料，以形成裝置12。裝置12具有舉例為數個像素，此些像素具有應用於根據本揭露之設備及系統中之不同的性質。如第4圖中所示，遮罩元件20係設置有基準22於角落的位置，以在沈積之前對準基板10於遮罩元件20。
第5圖繪示根據本揭露一實施例之用於光學檢查的設備50的示意圖。設備50可裝配，以光學地檢查在至少第一處理腔室51及第二處理腔室52中處理之基板10。設備50可包括檢查裝置60，檢查裝置60用於在第一處理腔室51及第二處理腔室52之間對在第一處理腔室51中處理之基板10執行光學檢查。也就是說，設備50可位在沿著舉例為基板10之串連處理系統的傳送路徑的位置，也就是第一處理腔室51及第二處理腔室52之間的傳送路徑。
第5圖之第一及第二處理腔室中的虛線10’及10’’係表示設備50可從第一處理腔室51接收已處理之基板，及基板將傳送至第二處理腔室52。在第一處理腔室51及設備50之間可設置額外的中間腔室。在設備50及第二處理腔室52之間可以類似之方式設置額外的中間腔室。設備50係有利地位在至少第一處理腔室51後及第二處理腔室52前。參照第1圖，設備50可位於最後之沈積設備1050及選擇之其他真空擺動模組1031之間的線之端處。在設備50係位於線之端處的情況中，光學檢查可於一真空腔室中執行，也就是一旋轉及傳送腔室中執行。在此方式中，已處理之基板係在相同於沈積/蒸發有機材料的期間之壓力條件下光學地檢查。
光學檢查係在處理之後進行，及光學檢查因而係對已處理之基板10執行。中斷產線來處理舉例為虛擬基板係不必要的，及檢查可針對實際已處理之基板執行(也就是並非針對具有虛擬沈積之基板)。影響相對於基板10之遮罩元件20的對準的數個參數可列入考量。特別是，用以根據本揭露之光學檢查之設備50係利用實際的基板檢查像素位置準確度。光學檢查可特別是對靜止之已處理的基板10執行，也就是已處理之基板10係相對於檢查裝置60為靜止的。
名稱「已處理之基板」可於此處意指面臨至少一處理之基板，此處理舉例為層材料(有機或非有機)之沈積，其中至少遮罩元件係耦接於基板，材料之粒子通過具有特定圖案之遮罩元件，以沈積層材料於基板之所需位置。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露之一些實施例，檢查裝置60可裝配，以用於光學檢查在本質上垂直位置中之已處理的基板10。
藉由從第一處理腔室51通過至設備50，已處理之基板10係有利地不經歷任何顯著的定向改變或基板擺動，也就是已處理之基板10保持在本質上垂直位置中。在此方式中，光學檢查可在處理基板10之後執行，而無需任何不必要的延遲。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，檢查裝置60可偵測偏差遮罩值，所述之偏差遮罩值對應於相對於遮罩元件20之基板10的相對位置。
藉由利用根據本揭露之檢查裝置60偵測已處理之基板10的偏差遮罩值，在沈積期間控制相對於基板10之遮罩元件20的對準係可行的。如果此偏差遮罩值係產生超過預定公差值之未對準時，設備50可裝配來反饋此資訊至先前的處理腔室(也就是第一處理腔室51)。反饋可作用於對準塊上，以補償已偵測的偏差遮罩值。
所述之已決定的公差值可設定，使得已偵測之偏差遮罩值對於最終的產品來說可仍視為可接受的，或使得偏差遮罩值對於最終的產品來說係不可接受的。在兩個情況中，設置在先前之處理腔室中的基板載體上或遮罩載體上的對準致動器係啟動，以補償已偵測的偏差。然而，在第一個情況中，光學檢查的基板可傳送至最終的其他處理腔室，以完成產品製程。在第二個情況中，光學檢查之基板可傳送至一腔室，所述之基板可在此腔室退除(dismissed)。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露之一些實施例，檢查裝置60可包括至少一光源62、一或多個影像擷取裝置64、及處理裝置66。此至少一光源62用以照亮已處理之基板10。此一或多個影像擷取裝置64用以拍攝基板10之至少一部份的一或多個影像。處理裝置66用以處理已擷取之影像。此係繪示於第6圖中。
至少光源62及影像擷取裝置64可根據已決定之位置位於基板10之已處理的表面的前方，以正確地照亮及擷取已處理之基板10的此部份的影像來進行驗證。入射光及測量之光訊號可額外地或替代地藉由光纖導引至基板及從基板導引。
光源62可包括白熾、螢光、紅外線(IR)、紫外線(UV)或發光二極體(LED)(白、紅、率、藍)光源之任何一者。為了執行不同的光條件，不同性質及位於相對於已處理之基板10的不同位置之數個(二或多個)光源62可應用。舉例來說，一或多個光源可為雷射。
影像擷取裝置64可為照相機(photo camera)或攝影機(video camera)，能夠掃描已處理之基板10的數個部份。檢查裝置60可包括具有單一個影像擷取裝置64的單一相機系統，或具有數個影像擷取裝置64的多相機系統。特別是，根據本揭露之一實施例的檢查裝置60包括四個影像擷取裝置64。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，檢查裝置可包括相機，例如是用於可見光的相機、UV相機、及/或IR相機。
處理裝置66分析由影像擷取裝置64所擷取的影像，及控制光源62的照明條件。因此，處理裝置66可包括處理單元，處理單元例如是中央處理器(CPU)，連接於光源及影像擷取裝置64。特別是，處理裝置66可比較已擷取之影像與儲存之資料或另一已擷取之影像，以舉例為藉由偏差遮罩值取得已處理之基板10的品質之資訊資料。處理裝置可送回取得之資訊資料至第一處理腔室51。此資訊可作用於對準塊。就此方面來說，對準塊係設置有專用控制單元，接收來自設備50之資訊資料。控制單元可直接地控制基板載體及/或遮罩載體上之對準致動器，用以調整調整相對於基板10之遮罩元件20的位置。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，檢查裝置60可更包括至少光學元件68，用以偵測螢光。特別是，光學元件68可包括濾光螢光計(filter fluorimeters)或分光螢光計(spectrofluorometers)。濾光螢光計利用濾鏡隔絕螢光。分光螢光計利用繞射光柵單光儀(diffraction grating monochromators)來隔絕螢光。由於有機材料的螢光性質之故，已處理之基板10可以螢光照明，及影像可利用專用裝置擷取，專用裝置例如是電荷耦合元件(CCD)相機模組。因此，像素圖案可更精確地辨識。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，檢查裝置60可定位，以檢查維持於真空條件下的已處理之基板10。所述之真空條件係有利地與第一處理腔室51中之真空條件相同。因此，在光學檢查期間之已處理的基板10的壓力條件係類似於或相同於在沈積有機層於基板上期間的壓力條件。
根據其他實施例，當基板10維持在真空條件下，檢查裝置60之一些元件可位於一般空氣壓力條件或較低真空條件中之分離的空間中。檢查裝置60之此些元件例如是舉例為光源62及影像擷取裝置64。檢查裝置60之此些元件的維護程序會有利地有所助益。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，檢查裝置60可為串連檢查系統。串連檢查系統提供處理線中之檢查，也就是提供在兩個處理動作之間的檢查。相較於在線之端處的檢查，反饋延遲時間可減少。減少之反饋延遲時間係改善處理系統的產量。
因此，設備50可置入產線中，用以沈積有機膜於基板上。回到第5圖進行參照，當已處理之基板10係藉由設備50之檢查裝置60光學地檢查時，新的基板(舉例為10’)可在第一處理腔室51中進行處理或將進行處理。同時，已經於第一處理腔室51中處理及由設備50之檢查裝置60接續地檢查之先前的基板(舉例為10’’)可在第二處理腔室52中進一步處理或將進行處理。
由設備50所執行之光學檢查的結果可有利地即時使用，以在第一處理腔室51中之處理期間舉例為調整沈積參數。沈積參數例如是對準參數。
名稱「即時」係於此意指為光學檢查可在處理基板10之後立即地執行，舉例為沈積有機層於基板10上之後立即地執行。因此，偏差遮罩值上之反饋可在處理後以減少延遲的方式送至處理腔室，舉例為送至對應之對準致動器。再者，反饋意指特定有機層之沈積。舉例來說，反饋可從沈積有機層於基板上之大約1分鐘至5分鐘後送到處理腔室。
第7圖繪示本揭露一實施例之系統70的示意圖。系統70可包括至少第一處理腔室71及第二處理腔室72，用以處理基板10(未繪示於圖式中)。系統70可更包括移送腔室73，用以從第一處理腔室71接收已處理之基板10，及用以傳送已處理及已光學地檢查之基板10至第二處理腔室72。特別是，移送腔室73係設置有檢查裝置(未繪示於圖式中)，用以執行於第一處理腔室71中處理之基板10的光學檢查。
系統70之檢查裝置可如同第5圖及第6圖中所說明之檢查裝置60運作。也就是說，移送腔室73可包括上述之用以光學檢查的設備50。因此，上述之檢查裝置60(及設備50)之特徵及優點亦提供於系統70之檢查裝置。
舉例來說，光學檢查可在處理之後於移送腔室73中對已處理之(實際的)基板執行。特別是，檢查裝置可裝配，以用於在本質上垂直位置中之已處理之基板10的光學檢查。檢查裝置可偵測偏差遮罩值，所述之偏差遮罩值係對應於相對於遮罩元件20之基板10的相對位置。檢查裝置可包括至少一光源、一或多個影像擷取裝置、及處理裝置。此至少一光源用以照明已處理之基板10 。此一或多個影像擷取裝置用以拍攝已處理之基板10之至少一部份的一或多個影像。處理裝置用以處理已擷取之影像。特別是，既然檢查裝置位於移送腔室中，檢查裝置係定位，以在維持相同於第一處理腔室71中之真空條件下檢查已處理的基板10。
如第7圖中所示，檢查裝置可為串連檢查系統，位於處理系統中的移送腔室73中。移送腔室73可位於兩個旋轉腔室78之間。旋轉腔室78可裝配，以在基板10從處理腔室(也就是第一處理腔室71)通過至另一處理腔室(也就是第二處理腔室72)時旋轉基板10舉例為90°、180°、270°、或360°。旋轉係發生而維持基板10於本質上垂直位置中。系統70可包括額外的處理腔室74、76及額外的移送腔室75、77，其中已處理的基板10可從處理腔室(舉例為第一處理腔室71)通過移送腔室(舉例為73)及旋轉腔室(舉例為78)傳送至另一處理腔室(舉例為第二處理腔室72)。第二處理腔室72、處理腔室74及76可專門用以沈積特定形式之有機層於基板10上。舉例來說，第二處理腔室72可裝配以用於沈積藍色發光層(blue emission layer，B-EML)、處理腔室74用以沈積綠色發光層(green emission layer，G-EML)及處理腔室76用以沈積紅色發光層(red emission layer，R-EML)。作為一例子來說，第一處理腔室71可裝配以沈積電子傳輸層(electron transfer layer，ETL)。在沈積或蒸發期間，處理腔室之品質可基於專用之遮罩元件20及基板10之間的正確對準。因此，檢查裝置可位於移送腔室中，移送腔室係在在各處理腔室後或直接地在各處理腔室後，以在各沈積後檢查層的品質，也就是偏差遮罩值。第7圖繪示出系統70，光學檢查係在系統70中之移送腔室73中執行，移送腔室73在第一處理腔室71之後及在第二處理腔室72之前。然而，根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，在沈積後控制圖案化品質之必要性提升時，光學檢查可亦在移送腔室75中、移送腔室77或處理腔室之後之任何移送腔室中執行。
用以調整沈積參數之反饋可以減少延遲時間的方式有利地回送至處理腔室，反饋舉例為偏差遮罩值。已處理之基板的品質可舉例為在從沈積有機層之5分鐘內進行檢查。沈積參數最終可調整，而無需等待產品之完整處理。再者，光學檢查可在沈積各層於基板上之後執行。在此方式中，控制各單一已沈積的層的圖案化品質亦為可行的。因此，用於不同及分離之處理腔室的偏差遮罩值可確認。
根據可與此處所述實施例結合之一些實施例，光學檢查可在兩個處理操作之後及另一(第三個)處理操作之前執行。舉例來說，光學檢查可評估兩個先前之處理操作的品質。針對此一實施例來說，「即時」係在此意指為光學檢查可在基板10之第一及第二個處理之後立即地執行。舉例來說，反饋可在從沈積有機層於基板上之大約2分鐘至10分鐘後送至處理腔室。
第8圖繪示根據此處所述實施例之用於已處理之基板10的串連光學檢查之方法100的流程圖。方法100包括從第一處理腔室51接收102已處理之基板10；根據沈積參數對在第一處理腔室51中處理之基板10執行104光學檢查；取得106已處理之基板10的品質之資訊資料；回送108所述之資訊資料至第一處理腔室51；及採用110沈積參數來於第一處理腔室51中處理接續之基板。特別是，根據本揭露之串連光學檢查可在基板10之第一處理及第二處理之間執行。
藉由執行光學檢查，根據本揭露之方法100可檢查直接地位在已處理之基板10上之沈積層及背板(或基板)之間的對準。因此，在處理腔室中之沈積期間，相對於基板10之遮罩元件20的間接控制係執行。考量已處理之基板10的品質，資訊資料係因而取得。已處理之基板10的品質也就是已沈積之層的品質。在對準檢查係決定出已沈積之層具有低於決定之公差值的品質等級的情況中，資訊資料係反饋至處理腔室。沈積參數係於處理腔室調整來用以處理接續之基板。
「沈積參數」係意欲表示在沈積或蒸發有機層於基板上期間所包含的處理參數。舉例來說，沈積參數可包括遮罩元件20與基板10之相對對準。沈積參數可藉由作用於對準致動器來修改或調整。對準致動器係裝配，以改變相對於基板10之遮罩元件20的位置。對準致動器可耦接於遮罩載體21及/或耦接於基板載體11。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露之一些實施例，執行104光學檢查可包括照明112已處理之基板10；擷取114已處理之基板10的至少一部份的影像；及處理116在不同之光條件拍攝之已處理之基板10的影像。
藉由處理116在不同之光條件下擷取的影像，辨識出已處理之基板10的不同部份係可行的，舉例為辨識出背板或沈積於其上之單一有機層。藉由舉例為建立在不同光條件下擷取之影像的關聯性，圖案化品質檢查可執行。針對此目的，利用數個光源62及利用光源之不同性質，可執行照明。光源62在空間上位於不同的位置中。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，已處理之基板10的已檢查部份可包括設備像素(device pixel)及/或控制像素(control pixel)。
在此方式中，在不同等級下控制圖案化品質係可行的，也就是在設備像素等級及/或控制像素等級下控制圖案化品質係可行的。在設備像素等級下係藉由建立已辨識之背板的影像與已辨識之像素設備的關係。在控制像素等級下係建立已處理之基板上之控制結構與測試像素(舉例為基準)的關係。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，取得106資訊資料可包括計算偏差遮罩值，所述之偏差遮罩值對應於相對於遮罩元件20之基板10的相對位置，遮罩元件20位於所述之基板10及沈積源30之間。
因此，計算之偏差遮罩值可使用作為反饋資料，用以在於處理腔室中之沈積有機層期間，相對於基板10調整遮罩元件20之對準。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，方法100可更包括藉由平均來自已擷取之影像的資訊資料，計算基板10之平均偏差遮罩值。已擷取之影像係由數個影像擷取裝置64拍攝及針對已處理之基板10的數個部份拍攝。
在此方式中，取得有關於已沈積之層的更精確之資訊係可行的。實際上，藉由平均資料，可達成沈積層及背板之間的對準之完整檢查。資料係源自於擷取已處理之基板10上之不同位置的影像(舉例為在已處理之基板上的不同位置之不同像素設備)及使用不同的影像擷取裝置64(舉例為四個)。
利用數個影像擷取裝置64可同時收集已處理之基板10的不同位置之影像的優點，舉例為在相同視點(point of view)。舉例來說，如果影像擷取裝置64係以相同視界(field of view)下相距已處理之基板10相同的距離時，此係可取得。或者，此些影像擷取裝置64以不同視界下相距基板10不同的距離，以從不同視點擷取已處理之基板10，或已處理之基板10的部份。類似的結果可利用單一個影像擷取裝置64取得，單一個影像擷取裝置64舉例為利用已處理之基板10上的機械臂為可移動的。再者，其他光訊號可通過光纖或光纖陣列導引至影像擷取裝置。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一些實施例，執行104光學檢查可包括在螢光照射下拍攝已處理之基板10的至少一影像。
舉例來說，背板可利用一般(白)照明辨識，及像素設備可利用螢光照明辨識。如此一來，藉由擷取已處理之基板10的相同部份之兩個影像，但利用兩個不同之照明(舉例為一般照明及螢光照明)，辨識已處理之基板10之不同元件係可行的。辨識已處理之基板10之不同元件係可建立彼此的關係，以取得圖案化品質的資訊。
第9圖繪示用以相對於遮罩元件20對準基板10之位置的系統80的示意圖，其中基板10及遮罩元件20係在本質上垂直位置中。遮罩元件20耦接於所述之基板10。
系統80包括檢查裝置82，檢查裝置82用以光學地檢查相對於基板10之遮罩元件20的相對位置，遮罩元件20係使用來在第一處理腔室51中處理基板，及檢查裝置82位於所述之第一處理腔室51後。再者，此系統包括處理裝置84及調整裝置86。處理裝置84用以計算對應之偏差遮罩值。調整裝置86用以回應於所述之計算的偏差遮罩值來調整相對於基板10之遮罩元件20的位置。特別是，系統80可位在接續之處理腔室(未繪示於圖式中)前的位置。
調整裝置86可耦接於基板載體11之對準致動器41、42，以控制及改變相對於遮罩元件20之基板10的位置。第9圖繪示出與基板載體11之對準致動器41、42分離的調整裝置86的示意圖。然而，根據本揭露之替代實施例，調整裝置86可整合於對準致動器41、42之一或兩者中，所述之對準致動器41、42直接地由處理裝置84控制。
值得注意的是，系統80係位於第一處理腔室51之外側。在第一處理腔室51中，沈積係發生在箭頭之方向中。材料舉例為蒸發及沈積於基板10上，此材料舉例為有機材料。材料在基板10之所需位置通過遮罩元件20之特定圖案，以形成舉例為OLED裝置(或部份之OLED裝置)。遮罩載體21支承遮罩元件20，及基板載體11支承基板10。在沈積於第一處理腔室51中執行後及在基板10傳送至其他處理腔室前，偏差遮罩值係藉由檢查已處理之基板10計算，其中已處理之基板10總是維持在真空條件下。第9圖繪示在第一處理腔室51中之沈積期間及在光學檢查期間，基板10係皆定位在相同的位置中，也就是本質上垂直位置(垂直方向Y)中。
系統80之檢查裝置82可如同第5圖及第6圖中所述之檢查裝置60運作。因此，如上所述之檢查裝置60(及設備50)之特徵及優點亦提供至系統80之檢查裝置82。特別是，第9圖之系統80可為用以沈積有機層之部份的處理系統，例如是第1圖之處理系統1000或第7圖之系統70。特別是，用以相對於遮罩元件20對準基板10之位置的系統80可位在移送腔室之內側。遮罩元件20耦接於所述之基板10。移送腔室在用以處理所述之基板10的腔室後或直接在用以處理所述之基板的腔室後。特別是，系統80可位於兩個處理腔室之間。
在此方式中，相較於傳統的系統，基於即時的基礎而直接地作用於遮罩元件20及/或基板10之對準致動器係可行的，也就是以舉例為20分鐘或以下或甚至是5分鐘或以下之減少的延遲時間的方式，以最終調整用於接續的基板之沈積參數。此接續的基板係在第一處理腔室51中處理。
根據本揭露之不同實施例，用於在至少第一處理腔室及第二處理腔室中處理之基板的光學檢查的設備可設置於真空處理系統中的不同位置，也就是第一處理腔室及第二處理腔室之間的數種位置。
第10A圖繪示根據本揭露實施例之真空處理系統1100的示意圖。真空處理系統1100提供群集配置及串連配置之結合。此些處理腔室1120係設置。處理腔室1120可連接於真空旋轉腔室1130。真空旋轉腔室1130設置於串連配置中。真空旋轉腔室1130可旋轉基板，以移動進入及離開處理腔室1120。群集配置及串連配置之結合可視為混合配置。具有混合配置之真空處理系統1100提供數個處理腔室1120。真空處理系統之長度仍不超過特定之限制。
根據本揭露之數個實施例，群集腔室或真空群集腔室係為一腔室，舉例為移送腔室，裝配以具有連接於其之二或多個處理腔室。因此，真空旋轉腔室1130係為群集腔室之例子。群集腔室可設置於混合配置中之串連配置中。
真空旋轉腔室或旋轉模組(亦於此處意指為「依循路徑傳送模組」或「依循路徑傳送腔室」)可理解為裝配以用於改變一或多個載體之傳送方向的真空腔室，可藉由旋轉在旋轉模組中之位於軌道上的一或多個載體來改變。舉例來說，真空旋轉腔室可包括旋轉裝置，裝配以用於繞著旋轉軸旋轉軌道。此軌道係裝配以支撐載體。旋轉軸舉例為垂直旋轉軸。於一些實施例中，旋轉模組包括至少兩個軌道，可繞著旋轉軸旋轉。第一軌道可配置於旋轉軸之第一側上，第一軌道特別是第一基板載體軌道，及第二軌道可配置於旋轉軸的第二側上，第二軌道特別是第二基板載體軌道。
於一些實施例中，旋轉模組包括四個軌道，特別是兩個遮罩載體軌道及兩個基板載體軌道，可繞著旋轉軸旋轉。
當旋轉模組旋轉舉例為90°之x°角度時，配置於軌道上之一或多個載體的傳送方向可改變舉例為90°之x°角度。旋轉模組之旋轉180°的角度可對應於軌道切換，也就是旋轉模組之第一基板載體軌道的位置及旋轉模組之第二基板載體軌道之位置可替換或調換及/或旋轉模組之第一遮罩載體軌道之位置及旋轉模組之第二遮罩載體軌道之位置可替換或調換。
在本揭露中之參照係有關於彼此連接之腔室。舉例來說，連接之腔室可直接地連接，其中一個腔室的凸緣係連接於相鄰之腔室的凸緣。或者，腔室可藉由連接單元彼此連接，連接單元提供舉例為真空密封件或其他連接元件，或提供狹縫閥或設置於兩個相鄰之腔室之間的其他元件。連接單元相較於大面積基板之長度係非常的短，及可與真空腔室有所區別。舉例來說，連接單元具有基板之長度的20%或更少之長度。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，連接於第二腔室之第一腔室可理解為第一腔室相鄰於第二腔室，舉例為沒有中間的腔室。如上所述，第一腔室可直接地連接於第二腔室，或經由連接單元連接於第二腔室。
第10A圖繪示真空處理系統1100之示意圖，及第10B圖繪示在真空處理系統中之基板輸送的示意圖。基板舉例為在真空擺動模組1110進入真空處理系統1100。根據其他調整，裝載腔室可連接於真空擺動模組，用以裝載及卸載基板至真空處理系統中。真空擺動模組一般係從裝置製造工廠之介面(interface)直接接收基板或經由裝載腔室接收基板。一般來說，介面於一水平定向中提供基板，基板舉例為大面積基板。真空擺動模組移動從工廠介面所提供之定向的基板至本質上垂直定向。基板之本質上垂直定向係在於真空處理系統1100中處理基板期間維持，直到基板舉例為移動回到水平定向。擺動、移動一角度、或旋轉基板係以第10B圖中之箭頭1191所示。
根據本揭露之數個實施例，真空擺動模組可為用以從第一基板定向運動到第二基板定向的真空腔室。舉例來說，第一基板定向可為非垂直定向，非垂直定向例如是水平定向，及第二基板定向可為非水平定向，非水平定向例如是垂直定向或本質上垂直定向。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空擺動模組可為基板再定位腔室，裝配以在第一定向及第二定向中選擇地定位基板於其中。第一定向相對於水平定向，第二定向相對於水平定向。
基板係移動通過緩衝腔室1112(見第10A圖)，舉例為由箭頭1192所示。基板係更移動通過群集腔室，例如是真空旋轉腔室1130至處理腔室1120中。於參照第10A及10B圖所說明之一些實施例中，基板係移動到處理腔室1120-I中。舉例來說，電洞檢查層(hole inspection layer，HIL)可在處理腔室1120-I中沈積於基板上。
於本揭露中係參照OLED平板顯示器之製造，特別是用於行動裝置的製造。然而，類似的考量、例子、實施例及方面可亦提供而用於其他基板處理應用。對於舉例為OLED行動顯示器之例子來說，通用金屬遮罩(common metal mask，CMM)係設置於處理腔室1120-I中。CMM提供邊緣排除遮罩，用於各行動顯示器。各行動顯示器係利用一開孔遮蔽，對應於數個顯示器之間的區域的基板上的區域主要由CMM所覆蓋。
接著，基板係移動離開處理腔室1120至舉例為真空旋轉腔室1130之相鄰的群集腔室中、通過第一移送腔室1182、通過其他群集腔室、及進入處理腔室1120-II中。此係由第10B圖中之箭頭1194所示。在處理腔室1120-II中，電洞傳輸層(hole transfer layer，HTL)沈積於基板上。類似於電洞注入層(hole injection layer)，電洞傳輸層係利用具有每個行動顯示器一個開孔的通用金屬遮罩製造。再者，基板係移動離開處理腔室1120-II至舉例為真空旋轉腔室1130之相鄰的群集腔室、通過第二移送腔室1184、通過其他群集腔室、及進入處理腔室1120-III中。此係由第10B圖中之其他的箭頭1194所示。
移送腔室或過渡模組可理解為真空模組或真空腔室，可插入至少兩個其他真空模組或真空腔室之間，舉例為數個真空旋轉腔室之間。載體可在移送腔室之長度方向中傳送通過移送腔室，載體舉例為遮罩載體及/或基板載體。移送腔室的長度方向可對應於真空處理系統的主傳送方向，也就是群集腔室之串連配置。
在處理腔室1120-III中，電子阻障層(electron blocking layer，EB)係沈積於基板上。電子阻障層可利用精密金屬遮罩(fine metal mask，FFM)沈積。精密金屬遮罩具有數個開孔，此些開孔尺寸舉例為在微米範圍中。此些精密開孔對應於行動顯示器之像素或行動顯示器之像素的顏色。因此，FFM及基板需要相對於彼此高度準確地對準，以在微米範圍中具有顯示器上的像素對準。
基板係從處理腔室1120-III移動至處理腔室1120-IV，接著到處理腔室1120-V及到處理腔室1120-VI。對於各傳送路徑來說，基板係移動離開處理腔室而進入舉例為真空旋轉腔室、通過移送腔室、通過真空旋轉腔室及進入下一個處理腔室。舉例來說，用於紅色像素之OLED層可於處理腔室1120-IV中沈積、用於綠色像素之OLED層可在處理腔室1120-V中沈積、及用於藍色像素之OLED層可在處理腔室1120-VI中沈積。用於顏色像素之各層係利用精密金屬遮罩沈積。個別之精密金屬遮罩係不同，使得不同顏色之像素點係在基板上彼此相鄰，以提供一個像素之外觀。如由從處理腔室1120-VI延伸至處理腔室1120-VII之其他的箭頭1194所表示，基板可移動離開處理腔室而進入群集腔室、通過移送腔室、通過其他群集腔室及進入接續之處理腔室中。在處理腔室1120-VII中，電子傳輸層(electron transfer layer，ETL)可利用CMM沈積。
上述之用於一個基板之基板輸送係類似於用在數個基板之基板輸送，此些基板係在真空處理系統1100中同時處理。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，系統之節拍時間(tact time)也就是時段，可為180秒或以下，舉例為從60秒至180秒。因此，基板係在此時段中進行處理，也就是第一時段T。在上述之處理腔室及下述之接續的處理腔室中，一個基板係在第一時段T中處理，剛才已經處理的另一個基板係在第一時段T中移動離開處理腔室，及將處理之再另一基板係在第一時段T中移動而進入處理腔室中。一個基板可在各處理腔室中處理，而兩個其他基板係相對於此處理腔室加入基板輸送中，也就是一個其他基板係從個別之處理腔室卸載，及一個基板係在第一時段T期間裝載至個別之處理腔室中。
從處理腔室1120-I到處理腔室1120-VII之上述範例之基板的依序路徑傳送係提供於真空處理系統1100之一列處理腔室中，舉例為第10A及10B圖中之較低列。真空處理系統之此列或較低部分係於第10B圖中由箭頭1032指示。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板可從群集腔室之串連配置的一端於真空處理系統中之一列或一部分中依循路徑傳送至真空處理系統之群集腔室之串連配置的相反端。在串連配置之相反端，舉例為在第10A圖中之右側的真空旋轉腔室1130，基板係傳送至真空處理系統之另一列或另一部份。此係於第10B圖中以箭頭1115表示。由第10B圖中之箭頭1034所表示之真空處理系統之另一列或另一部份中，基板係在從群集腔室之串連配置的相反端移動至群集腔室之串連配置的此一端時在接續的處理腔室中進行處理，群集腔室之串連腔室的此一端也就是起始端。
在第10A圖中所示之例子中，範例之基板係移動至處理腔室1120-VIII，及接續移動至處理腔室1120-IX。舉例來說，可範例地形成OLED裝置之陰極的金屬層可於處理腔室1120-VIII中沈積，舉例為利用如上所述之通用金屬遮罩。舉例來說，一或多個下述的金屬可於一些沈積模組中沈積：鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)。至少一材料可為透明導電氧化物材料，舉例為氧化銦錫(ITO)。至少一材料可為透明材料。之後，覆蓋層(capping layer，CPL)係於處理腔室1120-IX中舉例為利用通用金屬遮罩沈積。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，可設置其他的處理腔室1120-X。舉例來說，此處理腔室可為替代之處理腔室，而在另外數個處理腔室進行維護時取代另外數個處理腔室之其中一者。
在最終的處理步驟之後，基板可經由緩衝腔室1112移動至真空擺動模組1110，也就是基板再定位腔室。此係以第10B圖中之箭頭1193表示。在真空擺動模組中，基板係從處理定向移動至基板定向。處理定向也就是本質上垂直定向。基板定向係對應於工廠之介面，舉例為水平定向。
第10A圖繪示出移送腔室，舉例為設置於群集腔室之間，群集腔室例如是遮罩旋轉腔室。第10A圖繪示第一移送腔室1182及第二移送腔室1184。減少相鄰或接續之處理腔室之間的距離以及減少真空處理系統之佔地面積看似是建議減少移送腔室的長度。令人驚訝發現的是，部份地增加移送腔室的長度係改善真空處理系統1100的節拍時間。根據此處所述之數個實施例，真空處理系統包括至少ㄧ第一長度的第一形式之移送腔室及具有第二長度之第二形式之移送腔室。第一形式之移送腔室也就是第一移送腔室1182。第二形式之移送腔室也就是第二移送腔室1184。第二長度不同於第一長度。
根據本揭露之實施例，可提出用以沈積數層於基板上之真空處理系統。此真空處理系統包括第一移送腔室，第一移送腔室具有第一長度及連接於真空腔室；及第二移送腔室，連接於真空腔室，第二移送腔室具有第二長度，第二長度小於第一長度。
舉例來說，根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，用以處理基板之真空處理系統包括第一處理腔室，連接於第一群集腔室；第一處理站，用以於第一處理腔室中處理基板；第二處理腔室，連接於第二群集腔室；第一移送腔室，連接於第一群集腔室及第二群集腔室，第一移送腔室具有延伸於第一群集腔室及第二群集腔室之間的第一長度，第一移送腔室係調整尺寸，以容置基板；第二移送腔室連接於第二群集腔室，第二移送腔室具有第二長度，第二長度小於第一長度；基板傳送配置，設置以於一定向中依循路徑傳送基板通過第一處理腔室、第二處理腔室、第一群集腔室、第二群集腔室、第一移送腔室、及第二移送腔室，此定向從垂直偏移15°或更少。
具有第一長度之第一移送腔室係容納基板。基板可停留於第一移送腔室中。停留基板係允許輕易取得基板。此可減少整體之節拍時間。具有小於第一長度之第二長度的第二移送腔室係減少相鄰或接續的處理腔室之間的距離。具有小於第一長度之第二長度的第二移送腔室係額外地或替代地減少真空處理系統的佔地面積。
超越上述範圍外來說，具有不同長度之兩種形式的移送腔室係提供適用於工廠建築的結構之佔地面積，工廠建築之結構一般可為預定環境。第10A及10B圖繪示出柱1020。柱係為工廠建築所提供之邊界條件，及藉由舉例為考量結構工程計算所定義。具有不同長度之兩種形式的移送腔室更提供適用於工廠建築的真空處理系統。延伸移送腔室之長度係允許在兩個處理腔室之間具有柱1020，此兩個處理腔室係在一列中相鄰且提供停留位置。
本揭露之數個實施例係驚奇地產生包括減少佔地面積、減少節拍時間、及適用於製造建築中之結構條件之結合的結果。
根據本揭露之再其他特徵、調整、及實施例，藉由具有基板於本質上垂直定向中，特別是具有大面積基板於本質上垂直定向中，真空處理系統之佔地面積可減少，特別是於一系統中提供五或多個、或甚至是10或多個層之真空處理系統之佔地面積可減少。
根據本揭露之實施例係具有數個優點，包括在沈積有機層期間，藉由利用對維持於本質上垂直位置中之已處理的基板的自動光學檢查，以有效率之方式檢查例如是精密金屬遮罩之遮罩元件及基板之間的對準之可能性。再者，根據本揭露之實施例具有執行已處理之基板的光學檢查，而無需中斷產線及在沈積有機層之相同條件(舉例為基板定向及壓力)下的優點。此外，相較於在線之端處的檢查，根據本揭露之實施例係具有在考量已沈積之層的圖案化品質之情況下以減少之延遲時間的方式傳送反饋至處理腔室的優點。再者，根據本揭露之實施例係具有反饋涉及在已決定之處理腔室中沈積特定層之優點。減少之反饋的延遲時間及檢查特定已沈積之層的圖案化品質之可能性係改善處理系統及方法的產量。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、10’、10’’‧‧‧基板
11‧‧‧基板載體
12‧‧‧裝置
20‧‧‧遮罩元件
21‧‧‧遮罩載體
22‧‧‧開孔或洞
23‧‧‧基準
30‧‧‧沈積源
32‧‧‧路徑
34‧‧‧紅色像素
36‧‧‧綠色像素
38‧‧‧藍色像素
40‧‧‧支承配置
41、42‧‧‧對準致動器
50‧‧‧設備
51、71‧‧‧第一處理腔室
52、72‧‧‧第二處理腔室
60、82‧‧‧檢查裝置
62‧‧‧光源
64‧‧‧影像擷取裝置
66、84‧‧‧處理裝置
68‧‧‧光學元件
70、80‧‧‧系統
73、75、77‧‧‧移送腔室
74、76、1120‧‧‧處理腔室
78‧‧‧旋轉腔室
86‧‧‧調整裝置
100‧‧‧方法
102-116‧‧‧方法步驟
1000‧‧‧製造系統
1010、1011‧‧‧裝載腔室
1020‧‧‧柱
1021、1021’‧‧‧玻璃處理腔室
1030‧‧‧真空擺動模組
1031‧‧‧其他真空擺動模組
1032、1034、1115、1191、1192、1193、1194‧‧‧箭頭
1040-1045‧‧‧旋轉及傳送腔室
1050‧‧‧沈積設備
1060、1061‧‧‧薄膜封裝腔室
1070‧‧‧選擇部份
1100‧‧‧真空處理系統
1110‧‧‧真空擺動模組
1112‧‧‧緩衝腔室
1130‧‧‧真空旋轉腔室
1182‧‧‧第一移送腔室
1184‧‧‧第二移送腔室
X‧‧‧水平方向
Y‧‧‧垂直方向
Z‧‧‧方向
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露之更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方： 第1圖繪示用以處理在垂直位置中之基板的處理系統的側視圖； 第2圖繪示用以製造OLEDs於基板上之沈積製程的示意圖； 第3A圖繪示在處理腔室中之層沈積期間用以支撐基板及遮罩於垂直定向中之支承配置的前視圖； 第3B圖繪示第3A圖之支承配置的側視圖； 第4圖繪示耦接於遮罩之基板及基板之角落的細節的示意圖； 第5圖繪示根據本揭露一實施例之用於基板之光學檢查的設備之示意圖； 第6圖繪示根據本揭露一實施例之檢查裝置之示意圖； 第7圖繪示根據本揭露一實施例之用於基板之光學檢查的系統的示意圖； 第8圖繪示根據本揭露一實施例之用於基板之串連光學檢查之方法的流程圖； 第9圖繪示根據本揭露一實施例之用以相對於遮罩元件對準基板的位置之系統的示意圖； 第10A圖繪示根據本揭露實施例之真空處理系統的示意圖，此真空處理系統具有二或多個真空群集腔室及數個處理腔室，此些處理腔室連接於此些真空群集腔室之一或多者；以及 第10B圖繪示第10A圖之真空處理系統的示意圖，及繪示根據本揭露實施例之真空處理系統中之範例的基板輸送及基板流。

Claims (15)

  1. 一種用於在至少一第一處理腔室及一第二處理腔室中處理之一基板的一光學檢查的設備，該設備包括： 一檢查裝置，用於在該第一處理腔室及該第二處理腔室之間對在該第一處理腔室中處理之該基板執行一光學檢查。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，該設備係裝配，以用於在一本質上垂直位置中的一基板之該光學檢查。
  3. 如前述之申請專利範圍的任一者所述之設備，其中該檢查裝置偵測一偏差遮罩值，該偏差遮罩值對應於相對於一遮罩元件的該基板之一相對位置。
  4. 如前述之申請專利範圍的任一者所述之設備，其中該檢查裝置至少包括： 光源，用以照明該基板； 一或多個影像擷取裝置，用以拍攝該基板之至少一部份的一或多個影像；以及 處理裝置，用以處理擷取之該些影像。
  5. 如前述之申請專利範圍的任一者所述之設備，其中該檢查裝置更包括至少光學元件，用以偵測螢光。
  6. 如前述之申請專利範圍的任一者所述之設備，其中該檢查裝置係定位，以檢查維持於複數個真空條件下之該基板。
  7. 如前述之申請專利範圍的任一者所述之設備，其中該檢查裝置係為一串連檢查系統。
  8. 一種用於一基板之一光學檢查的系統，該系統包括： 至少一第一處理腔室及一第二處理腔室；以及 至少一移送腔室，用以從該第一處理腔室接收該基板及用以傳送該基板至該第二處理腔室； 其中該移送腔室係設置有一檢查裝置，該檢查裝置用以對在該第一處理腔室中處理之該基板執行一光學檢查。
  9. 一種用於一基板之一串連的光學檢查的方法，該方法包括： 從一第一處理腔室接收該基板； 對在該第一處理腔室中根據複數個沈積參數處理之該基板執行一光學檢查； 取得該基板之一品質的資訊資料； 回送該資訊資料至該第一處理腔室；以及 採用該些沈積參數來於該第一處理腔室中處理一接續的基板。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中執行該光學檢查包括： 照明該基板； 擷取該基板之至少一部份的複數個影像；以及 處理以複數個不同之光條件拍攝之該基板之該些影像。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該基板之該部份包括一設備像素及/或一控制像素。
  12. 如申請專利範圍第9至11項之任一者所述之方法，其中取得資訊資料包括計算一偏差遮罩值，該偏差遮罩值對應於相對於一遮罩元件之該基板的一相對位置，該遮罩元件位於該基板及一沈積源之間。
  13. 如申請專利範圍12項所述之方法，更包括藉由平均來自擷取之影像的該資訊資料，計算該基板之一偏差遮罩值，擷取之該些影像係由複數個影像擷取裝置拍攝及針對該基板之複數個部份拍攝。
  14. 如申請專利範圍第9至13項之任一者所述之方法，其中執行一光學檢查包括在螢光照明下拍攝該基板之至少一影像。
  15. 一種用以相對於一遮罩元件對準一基板的一位置之系統，該遮罩元件耦接於該基板，其中該基板及該遮罩元件係位在一本質上垂直位置中，該系統包括： 一檢查裝置，用以光學地檢查相對於該基板之該遮罩元件的一相對的位置，該遮罩元件使用於在一處理腔室中處理該基板，及該檢查裝置位於該處理腔室後； 一處理裝置，用以計算一對應之偏差遮罩值；以及 一調整裝置，用以回應於計算之該偏差遮罩值，相對於該基板調整該遮罩元件之該位置。
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