CN110546297A - 用于基板的自动光学检查的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于基板的光学检查的系统。此系统包括至少第一处理腔室及第二处理腔室。此系统包括至少传送腔室，用以从第一处理腔室接收基板及用以传送所述基板至第二处理腔室。传送腔室设置有检查装置，检查装置用以对在第一处理腔室中处理的基板执行光学检查。

Description

用于基板的自动光学检查的设备和方法
技术领域
本发明的数个实施方式涉及用于基板的光学检查的设备、系统及方法。再者，本公开的实施方式涉及用于在制造系统中的基板线上的光学检查的设备、系统及方法，及涉及用以相对于掩模元件对准基板的位置的系统。
背景技术
数种方法已知而用以沉积材料于基板上。作为例子来说，基板可利用蒸发工艺、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺或化学气相沉积(chemical vapordeposition，CVD)工艺涂布。物理气相沉积工艺例如是溅射工艺、喷涂工艺等。工艺可在沉积设备的处理腔室中执行，待涂布的基板定位在沉积设备的处理腔室中。沉积材料在处理腔室中提供。多种材料可用来沉积于基板上，所述材料例如是有机材料、分子、金属、氧化物、氮化物及碳化物。再者，像是蚀刻、成型(structuring)、退火(annealing)或类似的其他工艺可在处理腔室中进行。
举例来说，针对举例为显示器制造技术中的大面积基板而言，可考虑涂布工艺。已涂布的基板可用于数种应用中及数种技术领域中。举例来说，一种应用可为有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板。其他应用包括绝缘面板、例如是半导体装置的微电子学、具有薄膜晶体管(thin film transistors，TFTs)的基板、彩色滤光片或类似物。OLED是固态装置，由(有机)分子的薄膜所组成。(有机)分子的薄膜由电的应用而产生光。作为例子来说，相较于举例为液晶显示器(liquid crystal displays，LCDs)来说，OLED显示器可在电子装置上提供明亮的显示器，及使用较少的电力。在处理腔室中，产生有机分子(举例为蒸发、溅射或喷涂等)，及有机分子在基板上沉积成层。粒子可举例为通过具有边界或特定图案的掩模，以沉积材料于基板上的所需位置，而举例为形成OLED图案于基板上。
有关于已处理的基板的质量的一方面是相对于掩模的基板的对准，已处理的基板的质量特别是已沉积的层的质量。作为例子来说，对准应为准确及稳定的，以达到良好的处理结果。针对此目的来说，位于基板上及掩模上的参考点(基准(fiducial))用以在沉积工艺之前正确地对准掩模与基板。然而，这些参考点之间的关系可能容易受到外在干扰影响，例如是振动、制造公差、操控(handling)、变形等。因此，可提供自动光学检查(automatedoptical inspection，AOI)以取得所谓的“偏差值(offset values)”。偏差值定义掩模及基板必须如何对准，以匹配掩模图案与背板(backplane)(举例为基板)图案。
当基板在水平位置中涂布时，使用自动光学检查的方案是有效率的。举例来说，在水平位置中的AOI检查可使用在虚拟(dummy)玻璃沉积的生产线的端处的测量结果，以传送反馈来调整掩模偏移。
当基板及掩模在沉积期间维持在基本上垂直位置中时，额外的数个方面显现而影响掩模及基板之间的对准。传统线的端处的自动光学检查较没有效率。实际上，既然于垂直系统中的基板及掩模两者面临作用在系统构造的相同方向中的重力，特别是针对大面积基板来说，此力会导致基板与掩模之间的相对偏移。此外，就处理而言，基板可从水平配置移动至垂直配置，及反之亦然。此可能影响相对于掩模的基板对准。在此情况中，举例为利用虚拟玻璃沉积的在线的端处的腔室中的标准AOI检查可能不足。
有鉴于上述，甚至是在垂直位置中进行涂布时，需要可提供基板的改善的自动光学检查的设备、系统及方法。
发明内容
根据一个实施方式，提出一种用于光学检查的设备。此设备被构造，以检查在至少第一处理腔室及第二处理腔室中处理的基板。此设备包括检查装置，用于在第一处理腔室与第二处理腔室之间对在第一处理腔室中处理的基板执行光学检查。
根据另一实施方式，提出一种用于基板的光学检查的系统。此系统包括至少第一处理腔室及第二处理腔室；及至少传送腔室，用以从第一处理腔室接收基板及用以传送所述基板至第二处理腔室，其中传送腔室设置有检查装置，检查装置用以对在第一处理腔室中处理的基板执行光学检查。
根据另一实施方式，提出一种用于基板的线上的光学检查的方法。此方法包括从第一处理腔室接收基板；对在第一处理腔室中根据沉积参数处理的基板执行光学检查；取得基板的质量的信息数据；回送所述信息数据至第一处理腔室；以及调适(adapting)所述沉积参数用于在第一处理腔室中处理后续的基板。
根据另一实施方式，提出一种用以相对于掩模元件对准基板的位置的系统，掩模元件耦接于所述基板。基板及掩模元件位于基本上垂直位置中。系统包括检查装置，用以光学检查相对于基板的掩模元件的相对的位置，掩模元件用于在处理腔室中来处理基板，及检查装置位于所述处理腔室后；处理装置，用以计算对应的偏差掩模值；以及调整装置，用以响应于计算的所述偏差掩模值，相对于基板调整掩模元件的位置。
附图说明
为了可详细地理解本公开的上述特征，简要概述于上的本公开的更具体的说明可参照数个实施方式进行。附图涉及本公开的数个实施方式且说明于下方：
图1示出用以处理在垂直位置中的基板的制造系统的示意侧视图；
图2示出用以制造OLED于基板上的沉积工艺的示意图；
图3A示出在处理腔室中的层沉积期间用以支撑基板及掩模于垂直定向中的保持布置的示意前视图；
图3B示出图3A的支撑布置的示意侧视图；
图4示出耦接于掩模的基板及基板的角落的细节的示意图；
图5示出根据本公开实施方式的用于基板的光学检查的设备的示意表示；
图6示出根据本公开实施方式的检查装置的示意表示；
图7示出根据本公开实施方式的用于基板的光学检查的系统的示意表示；
图8示出根据本公开实施方式的用于基板的线上光学检查的方法的流程图；
图9示出根据本公开实施方式的用以相对于掩模元件对准基板的位置的系统的示意图；
图10A示出根据本公开实施方式的真空制造系统的示意图，此真空制造系统具有两或更多个真空群集腔室及多个处理腔室，所述处理腔室连接于所述真空群集腔室的一或多个；以及
图10B示出图10A的真空制造系统的示意图，及示出根据本公开实施方式的真空制造系统中的示例的基板输送及基板流。
具体实施方式
将详细的参照将本公开的各种实施方式，本公开的所述实施方式的一或多个例子示出于图中。在图的下方说明中，相同的参考编号意指相同的部件。仅有有关于单独实施方式的相异处进行说明。各例子通过由说明本公开的方式提供，且不意味为本公开的限制。再者，所说明或叙述而做为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合，以取得再其他实施方式。此意指本说明包括这类调整及变化。
此处所述的实施方式可用于检查大面积涂布的基板，大面积涂布的基板举例为用于制造的显示器。基板或基板接收面积可为具有举例为1m2或以上的尺寸的大面积基板，基板或基板接收区域构造而用于此处所述的设备及方法。举例来说，大面积基板或载体可为第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代或甚至是第10代。第4.5代对应于约0.67m2的基板(0.73x0.92m)、第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m x1.3m)、第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95m x2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m x2.5m)、第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。可以类似的方式应用甚至例如是第11代及第12代的更高代及对应的基板面积。举例来说，针对OLED显示器制造来说，包括第6代的上述的基板世代的一半尺寸可通过用以蒸发材料的设备的蒸发来涂布。基板世代的一半尺寸可源自于在整个基板尺寸执行的一些工艺，及在先前处理的一个基板的一半上执行的后续的工艺。
如此处所使用的名称“基板”可特别是包含基本上非柔性基板，举例为晶片、例如是蓝宝石或类似物的透明晶体或玻璃板。然而，本公开不以此为限，且名称“基板”可包含柔性基板，例如是卷材(web)或箔。名称“基本上非柔性”理解为与“柔性”有所区别。特别是，基本上非柔性基板可具有某种程度的柔性，举例为具有0.5mm或以下的厚度的玻璃板，其中基本上非柔性基板的柔性比柔性基板小。
基板可以适合用于材料沉积的任何材料制成。举例来说，基板可以选自群组的材料制成，此群组由玻璃(举例为钠钙玻璃(soda-lime glass)、硼硅玻璃(borosilicateglass)等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料、金属或任何其他材料或可由沉积工艺进行涂布的材料的组合所组成。
图1示出用以处理于垂直位置中的基板的制造系统1000的示意图。根据本公开的设备、系统、及方法可为此制造系统1000或类似的制造系统的一部分。制造系统1000特别是包括装载锁定腔室1010，装载锁定腔室1010连接至水平基板运送腔室1020。基板可从玻璃运送腔室1020传送至真空摆动模块1030，其中基板定位于水平位置中的载体上。在装载基板于水平位置中的载体上之后，真空摆动模块1030旋转具有基板设置于上的载体于垂直或基本上垂直定向中。
具有基板设置于其上的载体接着传送通过具有基本上垂直定向的第一个旋转及传送腔室1040及至少一个其他旋转及传送腔室(1041-1045)。在旋转及传送腔室(1041-1045)中，基板可在基板从处理腔室接收时旋转举例为90°、180°、270°、或360°，及可传送至另一真空腔室，基板维持在垂直位置中。一或多个沉积设备1050可连接至旋转及传送腔室。再者，其他基板处理腔室或其他真空腔室可连接至所述旋转及传送腔室的一或多个。
如参照图10A及图10B所述，旋转腔室可亦意指为群集腔室或真空旋转模块。根据此处所述的数个实施方式，两或更多个群集腔室可设置于线上布置中，群集腔室也就是旋转腔室或真空旋转腔室。
在处理基板之后，上面具有基板的载体于垂直定向中从旋转及传送腔室传送至真空摆动模块1030或任选的其他真空摆动模块1031中。也就是说，已处理的基板可传送回到真空摆动模块1030而离开系统，或通过包括其他真空摆动模块1031的系统的任选部分1070。真空摆动模块1030或其他真空摆动模块1031可从垂直定向旋转上面具有基板的载体至水平定向。之后，基板可卸除至玻璃运送腔室1020或其他水平的玻璃运送腔室1021中。举例为在制造的装置被封装于薄膜封装腔室1060或1061中的一个之后，已处理的基板可通过装载锁定腔室从制造系统1000卸除，装载锁定腔室举例为装载锁定腔室1010或装载锁定腔室1011。
处理腔室可为真空腔室或真空沉积腔室。此处所使用的名称“真空”可理解为具有少于举例为10mbar的真空压力的技术真空的含义。系统1000可包括一或多个真空泵，例如是涡轮泵及/或低温泵(cryo-pump)，连接至真空腔室来在真空腔室的内侧产生真空。
根据一些实施方式，及如图1中所示，此一或多个旋转及传送腔室1040-1045沿着线设置，用以提供系统的线上传送系统部分。
图2示出用以制造OLED于基板10上的沉积工艺的示意图，而图3A及图3B图示出支撑布置40的例子的示意图，支撑布置40用以在处理腔室中的层沉积期间支撑基板10于基板载体11上及掩模20于掩模载体21上，其中基板10及掩模元件20维持在基本上垂直位置中。
如图2中所示，针对制造OLED来说，有机分子可由沉积源30提供(举例为蒸发)及沉积于基板10上。包括掩模20的掩模布置位于基板10与沉积源30之间。掩模20具有特定图案，特定图案举例为由多个开口或孔22提供，使得有机分子(沿着路径32)通过开口或孔22，以沉积有机化合物的图案化层或膜于基板10上。利用相对于基板10的不同掩模或掩模20的数个位置，多个层或膜可沉积于基板10上，以举例为产生数个像素，此些像素举例为具有不同的颜色性质。作为例子来说，第一层或膜可沉积以产生红色像素34、第二层或膜可沉积以产生绿色像素36、及第三层或膜可沉积以产生蓝色像素38。举例为有机材料的层或膜可布置于两个电极之间，此两个电极例如是阳极及阴极(未示出)。此两个电极的至少一个电极可为透明的。
在沉积工艺期间，基板10及掩模20可布置于垂直定向中。在图2中，箭头表示垂直方向Y及水平方向X。如本公开通篇所使用，名称“垂直方向”或“垂直定向”理解为与“水平方向”或“水平定向”有所区别。也就是说，“垂直方向”或“垂直定向”有关于举例为支撑布置及基板的基本上垂直定向，其中从准确垂直方向或垂直定向的达10°或甚至达15°的一些角度的偏移仍视为“基本上垂直方向”或“基本上垂直定向”。垂直方向可基本上平行于重力。
图3A示出用以在处理腔室中的层沉积期间支撑基板载体11及掩模载体21的支撑布置40的示意图，支撑布置40可使用于根据此处所述数个实施方式的系统及设备中。图3B示出图3A中所示的支撑布置40的侧视图。
用于垂直操作的工具上的对准系统可从处理腔室的外侧工作，也就是从大气侧工作。对准系统可利用刚性臂连接于基板载体及掩模载体，刚性臂举例为延伸通过处理腔室的壁。对于位于真空的外侧的对准系统来说，掩模载体或掩模与基板载体或基板之间的机械路径是长的，使得系统容易受到外部干扰(振动、热等)及公差的影响。
对准系统的致动器可额外地或替代地包括于真空腔室中。因此，刚性臂的长度可减少。举例来说，可机械地接触基板载体及掩模载体的致动器可至少部分地设置在用于掩模载体的轨道与用于基板载体的轨道之间。
支撑布置40可包括两或更多个对准致动器，两或更多个对准致动器可连接于基板载体11及掩模载体21的至少一个，其中支撑布置40被构造，以支撑基板载体11于第一平面中或平行于第一平面，其中此两或更多个对准致动器的第一个对准致动器41可构造，以至少在第一方向Y中使基板载体11及掩模载体21相对于彼此移动，其中所述两或更多个对准致动器的第二个对准致动器42可构造，以至少在第一方向Y及不同于第一方向Y的第二方向X中使基板载体11及掩模载体21相对于彼此移动，及其中第一方向Y及第二方向X在第一平面中。此两或更多个对准致动器可亦意指为“对准块”。因此，对准块或对准致动器可相对于掩模20改变基板10的位置。举例来说，掩模载体及/或基板载体可以悬浮状态于处理区域中传送，以减少粒子产生。在处理区域中，掩模载体及基板载体可通过一或多个对准致动器作机械接触。
如图3B中所示，掩模20可贴附于掩模载体21，及支撑布置40被构造，以特别是在层沉积期间用于支撑基板载体11及掩模载体21的至少一个于基本上垂直定向中，特别是用以支撑基板载体11及掩模载体21两者于基本上垂直定向中。沉积沿着根据图3B中所示出的箭头所示的方向Z发生。
通过利用此两或更多个对准致动器来至少于第一方向Y及第二方向X中使基板载体11及掩模载体21相对于彼此移动，基板载体11可相对于掩模载体21或掩模20对准，及已沉积的层的质量可改善。
针对执行相对于基板10的掩模20的位置的调整，通过致动对准块，可执行光学检查，以检验相对于正确的对准的可能变异或偏差。如上所述，可针对此目的而将基准参考点列入考虑。基准为图案辨识记号，图案辨识记号可例如为焊料掩模开口，例如在中心具有圆的裸铜。举例来说，基准定位在接近基板/掩模元件的角落边缘的位置，及利用图像检测系统辨识。图像检测系统比较检测的图像与储存的信息数据。通过测量相对于举例为储存在系统的存储器中的基板的基准的位置，计算部件相对于基板移动的程度来确认准确的放置是可行的。此部件举例为掩模。
图4示出耦接于掩模20的基板10的例子。掩模20用以沉积有机材料，以形成装置12。装置12具有举例为数个像素，所述像素具有用于根据本公开的设备及系统中的不同的性质。如图4中所示，掩模20设置有基准22于角落的位置，以在沉积之前对准基板10于掩模20。
图5示出根据本公开一个实施方式的用于光学检查的设备50。设备50可构造，以用光学方式检查在至少第一处理腔室51及第二处理腔室52中处理的基板10。设备50可包括检查装置60，检查装置60用于在第一处理腔室51与第二处理腔室52之间对在第一处理腔室51中处理的基板10执行光学检查。也就是说，设备50可定位在沿着举例为基板10的线上处理系统的传送路径的位置，也就是第一处理腔室51与第二处理腔室52之间的传送路径。
图5的第一及第二处理腔室中的虚线10’及10”表示设备50可从第一处理腔室51接收已处理的基板，及基板将传送至第二处理腔室52。在第一处理腔室51与设备50之间可设置额外的中间腔室。在设备50与第二处理腔室52之间可以类似的方式设置额外的中间腔室。设备50有利地定位在至少处理腔室51后及处理腔室52前。参照图1，设备50可定位于最后的沉积腔室1050与任选的真空摆动模块1031之间的线的端处。在设备50位于线的端处的情况中，光学检查可于真空腔室中执行，也就是旋转及传送腔室中执行。在此方式中，在相同于沉积/蒸发有机材料的期间的压力条件下光学地检查已处理的基板。
光学检查在处理之后进行，及光学检查因而对已处理的基板10执行。中断生产线来处理举例为虚拟基板为不必要的，及检查可针对实际已处理的基板执行(也就是并非针对具有虚拟沉积的基板)。影响掩模20相对于基板10的对准的数个参数可列入考虑。特别是，用以根据本公开的光学检查的设备50利用实际的基板检查像素位置准确度。光学检查可特别是对静止的已处理的基板10执行，也就是已处理的基板10相对于检查装置60为静止的。
名称“已处理的基板”可于此处意指面临至少处理的基板，此处理举例为层材料(有机或非有机)的沉积，其中至少掩模元件耦接于基板，材料的粒子通过具有特定图案的掩模元件，以沉积层材料于基板的所需位置。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，检查装置60可构造，以用于光学检查在基本上垂直位置中的已处理的基板10。
通过从第一处理腔室51通过至设备50，已处理的基板10有利地不经历任何显著的定向改变或基板摆动，也就是已处理的基板10保持在基本上垂直位置中。在此方式中，光学检查可在处理基板10之后执行，而无需任何不必要的延迟。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，检查装置60可检测偏差掩模值，所述偏差掩模值对应于相对于掩模元件20的基板10的相对位置。
通过利用根据本公开的检查装置60检测已处理的基板10的偏差掩模值，在沉积期间控制相对于基板10的掩模20的对准是可行的。如果此偏差掩模值产生超过预定公差值的未对准时，设备50可构造来反馈此信息至先前的处理腔室(也就是第一处理腔室51)。反馈可作用于对准块上，以补偿已检测的偏差掩模值。
可设定所述已决定的公差值，使得已检测的偏差掩模值对于最终的产品来说可仍视为可接受的，或使得偏差掩模值对于最终的产品来说是不可接受的。在两个情况中，存在在先前的处理腔室中的基板载体上或掩模载体上的对准致动器被启动，以补偿已检测的偏差。然而，在第一个情况中，光学检查的基板可传送至最终的其他处理腔室，以完成产品工艺。在第二个情况中，光学检查的基板可传送至腔室，所述基板可在此腔室退除(dismissed)。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，检查装置60可至少包括光源62、一或多个图像捕获装置64、及处理装置66。所述光源62用以照亮已处理的基板10。所述一或多个图像捕获装置64用以拍摄基板10的至少一部分的一或多个图像。处理装置66用以处理已撷取的图像。此示出于图6中。
至少光源62及图像捕获装置64可根据已确定的位置位于基板10的已处理的表面的前方，以正确地照亮及撷取已处理的基板10的此部分的图像来进行研究。另外地或可选地，入射光及测量的光信号可额外地或替代地通过光纤导引至基板及从基板导引。
光源62可包括白炽、荧光、红外线(IR)、紫外线(UV)或发光二极管(LED)(白、红、绿、蓝)光源的任何一个。为了执行不同的光条件，可采用不同性质及位于相对于已处理的基板10的不同位置的多个(两或更多个)光源62。举例来说，一或多个光源可为激光。
图像捕获装置64可为照相机(photo camera)或摄影机(video camera)，能够扫描已处理的基板10的数个部分。检查装置60可包括具有单一个图像捕获装置64的单一相机系统，或具有数个图像捕获装置64的多相机系统。特别是，根据本公开的一实施方式的检查装置60包括四个图像捕获装置64。根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，检查装置可包括相机，例如是用于可见光的相机、UV相机、及/或IR相机。
处理装置66分析由图像捕获装置64所撷取的图像，及控制光源62的照明条件。因此，处理装置66可包括处理单元，处理单元例如是中央处理器(CPU)，连接于光源及图像捕获装置64。特别是，处理装置66可比较已撷取的图像与储存的数据或另一已撷取的图像，以举例为通过偏差掩模值取得已处理的基板10的质量的信息数据。处理装置可送回取得的信息数据至第一处理腔室51。此信息可作用于对准块。就此方面来说，对准块设置有专用控制单元，专用控制单元接收来自设备50的信息数据。控制单元可直接地控制基板载体及/或掩模载体上的对准致动器，用以调整相对于基板10的掩模20的位置。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，检查装置60可进一步包括至少光学元件68，用以检测荧光。特别是，光学元件68可包括滤光荧光计(filterfluorimeters)或分光荧光计(spectrofluorometers)。滤光荧光计利用滤镜隔绝荧光。分光荧光计利用衍射光栅单光仪(diffraction grating monochromators)来隔绝荧光。由于有机材料的荧光性质，已处理的基板10可以荧光照明，及图像可利用专用装置撷取，专用装置例如是电荷耦合组件(CCD)相机模块。因此，可更精确地辨识像素图案。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，可定位检查装置60，以检查维持于真空条件下的已处理的基板10。所述的真空条件有利地与第一处理腔室51中的真空条件相同。因此，在光学检查期间的已处理的基板10的压力条件类似于或等同在沉积有机层于基板上期间的压力条件。
根据其他实施方式，当基板10维持在真空条件下，检查装置60的一些部件可位于一般空气压力条件或较低真空条件中的分离的空间中。检查装置60的这些部件例如是举例为光源62及图像捕获装置64。会有利地方便了检查装置60的这些部件的维护程序。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，检查装置60可为线上检查系统。线上检查系统提供处理线中的检查，也就是提供在两个处理动作之间的检查。相较于在线的端处的检查，减少反馈延迟时间可。减少的反馈延迟时间改善制造系统的良率。
因此，设备50可置入生产线中，用以沉积有机膜于基板上。回到图5进行参照，当已处理的基板10由设备50的检查装置60光学检查时，新的基板(举例为10’)可在第一处理腔室51中进行处理或将进行处理。同时，已经于第一处理腔室51中处理及由设备50的检查装置60后续检查的先前的基板(举例为10”)可在第二处理腔室52中进一步处理或将进行处理。
由设备50所执行的光学检查的结果可有利地实时调整，以在第一处理腔室51中的处理期间举例为调整沉积参数。沉积参数例如是对准参数。
名称“实时”于此意指为光学检查可在处理基板10之后立即地执行，举例为沉积有机层于基板10上之后立即地执行。因此，偏差掩模值上的反馈可在处理后以减少延迟的方式送至处理腔室，举例为送至对应的对准致动器。再者，反馈意指特定有机层的沉积。举例来说，反馈可从沉积有机层于基板上的大约1分钟至5分钟后送到处理腔室。
图7示出本公开一个实施方式的系统70的示意图。系统70可包括至少第一处理腔室71及第二处理腔室72，用以处理基板10(未示出于图中)。系统70可进一步包括传送腔室73，用以从第一处理腔室71接收已处理的基板10，及用以传送已处理及已光学地检查的基板10至第二处理腔室72。特别是，传送腔室73设置有检查装置(未示出于图中)，用以执行于第一处理腔室71中处理的基板10的光学检查。
系统70的检查装置可与图5及图6中所说明的检查装置60以相同方式运作。也就是说，传送腔室73可包括上述的用以光学检查的设备50。因此，上述的检查装置60(及设备50)的特征及优点亦提供于系统70的检查装置。
举例来说，光学检查可在处理之后于传送腔室73中对已处理的(实际的)基板执行。特别是，检查装置可构造成用于在基本上垂直位置中的已处理的基板10的光学检查。检查装置可检测偏差掩模值，所述偏差掩模值对应于相对于掩模元件20的基板10的相对位置。检查装置可至少包括光源、一或多个图像捕获装置、及处理装置。此光源用以照明已处理的基板10。此一或多个图像捕获装置用以拍摄已处理的基板10的至少一部分的一或多个图像。处理装置用以处理已撷取的图像。特别是，既然检查装置位于传送腔室中，检查装置定位成在维持与第一处理腔室71中相同的真空条件下检查已处理的基板10。
如图7中所示，检查装置可为线上检查系统，位于制造系统中的传送腔室73中。传送腔室73可位于两个旋转腔室78之间。旋转腔室78可构造成以在基板10从处理腔室(也就是第一处理腔室71)通过至另一处理腔室(也就是第二处理腔室72)时旋转基板10举例为90°、180°、270°、或360°。旋转发生而维持基板10于基本上垂直位置中。系统70可包括额外的处理腔室74、76及额外的传送腔室75、77，其中已处理的基板10可从处理腔室(举例为第一处理腔室71)通过传送腔室(举例为73)及旋转腔室(举例为78)传送至另一处理腔室(举例为第二处理腔室72)。处理腔室72、处理腔室74及76可专门用以沉积特定类型的有机层于基板10上。举例来说，处理腔室72可构造成用于沉积蓝色发光层(blue emission layer，B-EML)、处理腔室74用以沉积绿色发光层(green emission layer，G-EML)及腔室76用以沉积红色发光层(red emission layer，R-EML)。作为例子来说，处理腔室71可构造成沉积电子传输层(electron transfer layer，ETL)。在沉积或蒸发期间，处理腔室的质量可基于专用的掩模元件20与基板10之间的正确对准。因此，检查装置可位于传送腔室中，传送腔室在各处理腔室后或直接地在各处理腔室后，以在各沉积后检查层的质量，也就是偏差掩模值。图7示出系统70，光学检查在系统70中的传送腔室73中执行，传送腔室73在第一处理腔室71之后及在第二处理腔室72之前。然而，根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，在沉积后控制图案化质量的必要性提升时，光学检查可亦在传送腔室75中、传送腔室77或处理腔室之后的任何传送腔室中执行。
用以调整沉积参数的反馈可以减少延迟时间的方式有利地回送至处理腔室，反馈举例为偏差掩模值。已处理的基板的质量可举例为在从沉积有机层的5分钟内进行检查。沉积参数最终可调整，而无需等待产品的完全处理。再者，光学检查可在沉积各层于基板上之后执行。在此方式，也可以控制各单一已沉积的层的图案化质量。因此，可确认用于不同及分离的处理腔室的偏差掩模值。
根据可与此处所述实施方式结合的一些实施方式，光学检查可在两个处理操作之后及另一(第三个)处理操作之前执行。举例来说，光学检查可评估两个先前的处理操作的质量。针对此实施方式来说，“实时”在此意指为光学检查可在基板10的第一及第二个处理之后立即地执行。举例来说，反馈可在从沉积有机层于基板上的大约2分钟至10分钟后送至处理腔室。
图8示出根据此处所述实施方式的用于已处理的基板10的线上光学检查的方法100的流程图。方法100包括从第一处理腔室51接收102已处理的基板10；根据沉积参数对在第一处理腔室51中处理的基板10执行104光学检查；取得106已处理的基板10的质量的信息数据；回送108所述信息数据至第一处理腔室51；及调适110沉积参数来于第一处理腔室51中处理后续的基板。特别是，根据本公开的线上光学检查可在基板10的第一处理及第二处理之间执行。
通过执行光学检查，根据本公开的方法100可检查直接地位于已处理的基板10上的沉积层及背板(或基板)之间的对准。因此，在处理腔室中的沉积期间，执行相对于基板10的掩模元件20的对准的间接控制。因而取得关于已处理的基板10的质量的信息数据。已处理的基板10的质量也就是已沉积的层的质量。在对准检查确定出已沉积的层具有低于确定的公差值的质量等级的情况中，信息数据被反馈至处理腔室。沉积参数于处理腔室调整来用以处理后续的基板。
“沉积参数”意欲表示在沉积或蒸发有机层于基板上期间所涉及的处理参数。举例来说，沉积参数可包括掩模元件20与基板10的相对对准。相对对准可通过作用于对准致动器来修改或调整。对准致动器被构造成改变相对于基板10的掩模10的位置。对准致动器可耦接于掩模载体21及/或耦接于基板载体11。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，执行104光学检查可包括照明112已处理的基板10；撷取114已处理的基板10的至少一部分的图像；及处理116在不同的光条件拍摄的已处理的基板10的图像。
通过处理116在不同的光条件下撷取的图像，有可能辨识出已处理的基板10的不同部分，举例为辨识出背板或沉积于背板上的单一有机层。通过举例为建立在不同光条件下撷取的图像的关联性，可执行图案化质量检查。针对此目的，利用多个光源62及利用不同性质的光源，可执行照明。光源62在空间上位于不同的位置中。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，已处理的基板10的已检查部分可包括装置像素(device pixel)及/或控制像素(control pixel)。
以此方式，有可能在不同等级下控制图案化质量，也就是在装置像素等级及/或控制像素等级下控制图案化质量。在装置像素等级下通过建立已辨识的背板的图像与已辨识的像素设备的关系。在控制像素等级下建立已处理的基板上的控制结构与测试像素(举例为基准)的关系。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，取得106信息数据可包括计算偏差掩模值，所述偏差掩模值对应于相对于掩模元件20的基板10的相对位置，掩模元件20位于所述基板10与沉积源30之间。
因此，计算的偏差掩模值可使用作为反馈数据，用以在于处理腔室中的沉积有机层期间，相对于基板10调整掩模20的对准。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，方法100可进一步包括通过平均来自已撷取的图像的信息数据，计算基板10的平均偏差掩模值。已撷取的图像由数个图像捕获装置64拍摄及针对已处理的基板10的多个部分拍摄。
以此方式，有可能取得有关于已沉积的层的更精确的信息。实际上，通过平均数据，可获得沉积层与背板之间的对准的完整检查。数据源自于撷取已处理的基板10上的不同位置的图像(举例为在已处理的基板上的不同位置的不同像素设备)及使用不同的图像捕获装置64(举例为四个)。
利用多个图像捕获装置64可同时收集已处理的基板10的不同位置的图像的优点，举例为在相同视点(point of view)。举例来说，如果图像捕获装置64以相同视野(fieldof view)下相距已处理的基板10相同的距离时，可取得这种优点。或者，多个图像捕获装置64以不同视野下相距基板10不同的距离，以从不同视点撷取已处理的基板10，或已处理的基板10的部分。类似的结果可利用单一个图像捕获装置64取得，单一个图像捕获装置64举例为利用已处理的基板10上的机械臂为可移动的。再者，其他光信号可通过光纤或光纤阵列导引至图像捕获装置。
根据可与此处所述其他实施方式结合的本公开的一些实施方式，执行104光学检查可包括在荧光照射下拍摄已处理的基板10的至少图像。
举例来说，背板可利用一般(白)照明辨识，及像素设备可利用荧光照明辨识。如此一来，通过撷取已处理的基板10的相同部分的两个图像，但利用两个不同的照明(举例为一般照明及荧光照明)，有可能辨识已处理的基板10的不同组件。辨识已处理的基板10的不同元件可建立彼此的关系，以取得图案化质量的信息。
图9示出用以相对于掩模元件20对准基板10的位置的系统80，其中基板10及掩模元件20在基本上垂直位置中。掩模元件20耦接于所述基板10。
系统80包括检查装置82，检查装置82用以光学地检查相对于基板10的掩模元件20的相对位置，掩模元件20用来在处理腔室51中处理基板，及检查装置82位于所述处理腔室51后。再者，此系统包括处理装置84及调整装置86。处理装置84用以计算对应的偏差掩模值。调整装置86用以响应于所述计算的偏差掩模值来调整相对于基板10的掩模元件20的位置。特别是，系统80可位于后续的处理腔室(未示出于图中)前的位置。
调整装置86可耦接于基板载体11的对准致动器41、42，以控制及改变相对于掩模20的基板10的位置。图9示出与基板载体11的对准致动器41、42分离的调整装置86。然而，根据本公开的替代实施方式，调整装置86可集成于对准致动器41、42的一或两个中，所述对准致动器41、42直接地由处理装置84控制。
值得注意的是，系统80位于处理腔室51的外侧。在处理腔室51中，沉积发生在箭头的方向中。材料举例为蒸发及沉积于基板10上，此材料举例为有机材料。材料在基板10的所需部分通过掩模20的特定图案，以形成举例为OLED装置(或OLED装置的部分)。掩模载体21支撑掩模20，及基板载体11支撑基板10。在沉积于处理腔室51中执行之后且在基板10传送至其他处理腔室之前，通过检查已处理的基板10计算偏差掩模值，其中已处理的基板10总是维持在真空条件下。图9示出在处理腔室51中的沉积期间及在光学检查期间，基板10都定位在相同的位置中，也就是基本上垂直位置(方向Y)中。
系统80的检查装置82可以与图5及图6中所述的检查装置60相同的方式工作。因此，如上所述的检查装置60(及设备50)的特征及优点亦提供至系统80的检查装置82。特别是，图9的系统80可为用以沉积有机层的制造系统的一部分，例如是图1的制造系统1000或图7的系统70。特别是，用以相对于掩模元件20对准基板10的位置的系统80可位于传送腔室的内侧。掩模元件20耦接于所述基板10。传送腔室在用以处理所述基板10的腔室后或直接在用以处理所述基板的腔室后。特别是，系统80可位于两个处理腔室之间。
以此方式，相较于传统的系统，有可能基于实时的基础而直接地作用于掩模20及/或基板10的对准致动器，也就是以举例为20分钟或以下或甚至是5分钟或以下的减少的延迟时间的方式，以最终调整用于后续的基板的沉积参数。此后续的基板在处理腔室51中处理。
根据本公开的不同实施方式，用于在至少第一处理腔室及第二处理腔室中处理的基板的光学检查的设备可设置于真空处理系统中的不同位置，也就是第一处理腔室与第二处理腔室之间的不同位置。
图10A示出根据本公开实施方式的真空处理系统1100。真空处理系统1100提供群集布置及线上布置的结合。设置多个处理腔室1120。处理腔室1120可连接于真空旋转腔室1130。真空旋转腔室1130设置于线上布置中。真空旋转腔室1130可旋转基板，以移动进入及离开处理腔室1120。群集布置及线上布置的结合可视为混合配置。具有混合布置的真空处理系统1100提供多个处理腔室1120。真空制造系统的长度仍不超过特定的限制。
根据本公开的数个实施方式，群集腔室或真空群集腔室为一腔室，举例为传送腔室，构造以具有连接于腔室的两或更多个处理腔室。因此，真空旋转腔室1130为群集腔室的例子。群集腔室可设置于混合布置中的线上布置中。
真空旋转腔室或旋转模块(亦于此处意指为“依循路径传送模块(routingmodule)”或“依循路径传送腔室(routing chamber)”)可理解为构造成用于改变一或多个载体的传送方向的真空腔室，可通过旋转在旋转模块中的位于轨道上的一或多个载体来改变。举例来说，真空旋转腔室可包括旋转装置，构造成用于绕着旋转轴旋转轨道。此轨道构造成支撑载体。旋转轴举例为垂直旋转轴。于一些实施方式中，旋转模块包括至少两个轨道，可绕着旋转轴旋转。第一轨道可布置于旋转轴的第一侧上，第一轨道特别是第一基板载体轨道，及第二轨道可布置于旋转轴的第二侧上，第二轨道特别是第二基板载体轨道。
于一些实施方式中，旋转模块包括四个轨道，特别是两个掩模载体轨道及两个基板载体轨道，可绕着旋转轴旋转。
当旋转模块旋转举例为90°的x°角度时，布置于轨道上的一或多个载体的传送方向可改变举例为90°的x°角度。旋转模块的旋转180°的角度可对应于轨道切换，也就是旋转模块的第一基板载体轨道的位置及旋转模块的第二基板载体轨道的位置可替换或调换及/或旋转模块的第一掩模载体轨道的位置及旋转模块的第二掩模载体轨道的位置可替换或调换。
在本公开中，参照彼此连接的腔室。举例来说，连接的腔室可直接地连接，其中一个腔室的凸缘连接于相邻的腔室的凸缘。或者，腔室可通过连接单元彼此连接，连接单元提供举例为真空密封件或其他连接元件，或提供狭缝阀或设置于两个相邻的腔室之间的其他元件。连接单元相较于大面积基板的长度非常的短，且可与真空腔室有所区别。举例来说，连接腔室具有基板的长度的20％或更少的长度。根据可与此处所述其他实施方式结合的数个实施方式，连接于第二腔室的第一腔室可理解为第一腔室相邻于第二腔室，举例为没有中间的腔室。如上所述，第一腔室可直接地连接于第二腔室，或经由连接单元连接于第二腔室。
图10A示出真空处理系统1100，及图10B示出在真空处理系统中的基板输送。基板举例为在真空摆动模块1110进入真空处理系统1100。根据其他调整，装载锁定腔室可连接于真空摆动模块，用以装载及卸除基板至真空处理系统中。真空摆动模块一般从装置制造工厂的接口(interface)直接接收基板或经由装载锁定腔室接收基板。一般来说，接口提供水平定向中的基板，基板举例为大面积基板。真空摆动模块移动从工厂接口所提供的定向的基板至基本上垂直定向。基板的基本上垂直定向在于真空制造系统1100中处理基板期间维持，直到基板举例为移动回到水平定向。摆动、移动一角度、或旋转基板以图10B中的箭头1191所示。
根据本公开的数个实施方式，真空摆动模块可为用以从第一基板定向运动到第二基板定向的真空腔室。举例来说，第一基板定向可为非垂直定向，非垂直定向例如是水平定向，及第二基板定向可为非水平定向，非水平定向例如是垂直定向或基本上垂直定向。根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，真空摆动模块可为基板再定位腔室，构造成在第一定向及第二定向中选择性地定位基板于其中。第一定向相对于水平定向，第二定向相对于水平定向。
基板移动通过缓冲腔室1112(见图10A)，举例为由箭头1192所示。基板进一步移动通过群集腔室，例如是真空旋转腔室1130至处理腔室1120中。于参照图10A及图10B所说明的一些实施方式中，基板移动到处理腔室1120-I中。举例来说，空穴检查层(holeinspection layer，HIL)可在处理腔室1120-I中沉积于基板上。
于本公开中，参照OLED平板显示器的制造，特别是用于移动装置的制造。然而，也可提供类似的考虑、例子、实施方式及方面用于其他基板处理应用。对于举例为OLED移动显示器的例子来说，通用金属掩模(common metal mask，CMM)设置于处理腔室1120-I中。CMM提供边缘排除掩模，用于各移动显示器。各移动显示器利用一个开口掩模，对应于数个显示器之间的区域的基板上的区域主要由CMM所覆盖。
接着，基板移动离开处理腔室1120至举例为真空旋转腔室1130的相邻的群集腔室中、通过第一传送腔室1182、通过其他群集腔室、及进入处理腔室1120-II中。这由图10B中的箭头1194所示。在处理腔室1120-II中，空穴传输层(hole transfer layer，HTL)沉积于基板上。类似于空穴注入层(hole injectionlayer)，空穴传输层利用具有每个移动显示器一个开口的通用金属掩模制造。再者，基板移动离开处理腔室1120-II至举例为真空旋转腔室1130的相邻的群集腔室、通过第二传送腔室1184、通过其他群集腔室、及进入处理腔室1120-III中。这由图10B中的其他的箭头1194所示。
传送腔室或过渡模块可理解为真空模块或真空腔室，可插入至少两个其他真空模块或真空腔室之间，举例为数个真空旋转腔室之间。载体可在传送腔室的长度方向中传送通过传送腔室，载体举例为掩模载体及/或基板载体。传送腔室的长度方向可对应于真空处理系统的主传送方向，也就是群集腔室的线上配置。
在处理腔室1120-III中，电子阻挡层(electron blocking layer，EB)沉积于基板上。电子阻挡层可利用精密金属掩模(fine metal mask，FFM)沉积。精密金属掩模具有多个开口，所述开口尺寸举例为在微米范围中。多个精密开口对应于移动显示器的像素或移动显示器的像素的颜色。因此，FFM及基板需要相对于彼此有利的高度准确地对准，以在微米范围中具有显示器上的像素对准。
基板从处理腔室1120-III移动至处理腔室1120-IV，接着到处理腔室1120-V及到处理腔室1120-VI。对于各传送路径来说，基板移动离开处理腔室而进入举例为真空旋转腔室、通过传送腔室、通过真空旋转腔室及进入下一个处理腔室。举例来说，用于红色像素的OLED层可于处理腔室1120-IV中沉积、用于绿色像素的OLED层可在处理腔室1120-V中沉积、及用于蓝色像素的OLED层可在腔室1120-VI中沉积。用于颜色像素的各层利用精密金属掩模沉积。各个的精密金属掩模是不同的，使得不同颜色的像素点在基板上彼此相邻，以提供一个像素的外观。如由从处理腔室1120-VI延伸至处理腔室1120-VII的其他的箭头1194所表示，基板可移动离开处理腔室而进入群集腔室、通过传送腔室、通过其他群集腔室及进入后续的处理腔室中。在处理腔室1120-VII中，电子传输层(electron transfer layer，ETL)可利用通用金属掩模(CMM)沉积。
上述的用于一个基板的基板输送类似于用在多个基板的基板输送，所述基板在真空处理系统1100中同时处理。根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，系统的节拍时间(tact time)也就是时段，可为180秒或以下，举例为从60秒至180秒。因此，基板在此时段中进行处理，也就是第一示例性时段T。在上述的处理腔室及下述的后续的处理腔室中，一个基板在第一时段T中处理，刚才已经处理的另一个基板在第一时段T中移动离开处理腔室，及将待处理的再另一基板在第一时段T中移动而进入处理腔室中。一个基板可在各处理腔室中处理，而两个其他基板相对于此处理腔室加入基板输送中，也就是一个其他基板从相应的处理腔室卸除，及一个基板在第一时段T期间装载至相应的处理腔室中。
从处理腔室1120-I到处理腔室1120-VII的上述示例的基板的依序路径传送提供于真空处理系统1100的一列处理腔室中，举例为图10A及图10B中的较低列。真空处理系统的此列或较低部分于图10B中由箭头1032指示。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，基板可从群集腔室的线上布置的一端于真空处理系统中的一列或一部分中依循路径传送至真空处理系统的群集腔室的线上布置的相反端。在线上布置的相反端，举例为在图10A中的右侧的真空旋转腔室1130，基板传送至真空处理系统的另一列或另一部分。此于图10B中以箭头1195表示。由图10B中的箭头1034所表示的真空处理系统的另一列或另一部分中，基板在从群集腔室的线上布置的相反端移动至群集腔室的线上布置的此一端时在后续的处理腔室中进行处理，群集腔室的线上腔室的此一端也就是起始端。
在图10A中所示的例子中，示例的基板移动至处理腔室1120-VIII，及后续移动至处理腔室1120-IX。举例来说，可示例地形成OLED装置的阴极的金属层可于处理腔室1120-VIII中沉积，举例为利用如上所述的通用金属掩模。举例来说，一或多个下述的金属可于一些沉积模块中沉积：铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)。至少一种材料可为透明导电氧化物材料，举例为氧化铟锡(ITO)。至少一种材料可为透明材料。之后，覆盖层(capping layer，CPL)于处理腔室1120-IX中举例为利用通用金属掩模沉积。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，可设置其他的处理腔室1120-X。举例来说，此处理腔室可为替代的处理腔室，而在另外数个处理腔室进行维护时取代另外数个处理腔室中的一个。
在最终的处理步骤之后，基板可经由缓冲腔室1112移动至真空摆动模块1110，也就是基板再定位腔室。此以图10B中的箭头1193表示。在真空摆动模块中，基板从处理定向移动至基板定向。处理定向也就是基本上垂直定向。基板定与对应于工厂的界面，举例为水平定向。
图10A示出传送腔室，举例为设置于群集腔室之间，群集腔室例如是掩模旋转腔室。图10A示出第一传送腔室1182及第二传送腔室1184。减少相邻或后续的处理腔室之间的距离以及减少真空处理系统的占地面积看似是建议减少传送腔室的长度。令人惊讶发现的是，部分地增加传送腔室的长度改善真空处理系统1100的节拍时间。根据此处所述的数个实施方式，真空处理系统包括至少第一长度的第一类型的传送腔室及具有第二长度的第二类型的传送腔室。第一类型的传送腔室也就是第一传送腔室1182。第二类型的传送腔室也就是第二传送腔室1184。第二长度不同于第一长度。
根据本公开的实施方式，可提供用以沉积多层于基板上的真空处理系统。此真空处理系统包括第一传送腔室，第一传送腔室具有第一长度及连接于真空腔室；及第二传送腔室，连接于真空腔室，第二传送腔室具有第二长度，第二长度小于第一长度。
举例来说，根据可与此处所述其他实施方式结合的再其他实施方式，用以处理基板的真空处理系统包括第一处理腔室，连接于第一群集腔室；第一处理站，用以于第一处理腔室中处理基板；第二处理腔室，连接于第二群集腔室；第一传送腔室，连接于第一群集腔室及第二群集腔室，第一传送腔室具有延伸于第一群集腔室与第二群集腔室之间的第一长度，第一传送腔室调整尺寸，以容置基板；第二传送腔室连接于第二群集腔室，第二传送腔室具有第二长度，第二长度小于第一长度；基板传送布置，设置以于一定向中依循路径传送基板通过第一处理腔室、第二处理腔室、第一群集腔室、第二群集腔室、第一传送腔室、及第二传送腔室，此定向从垂直偏移15°或更少。
具有第一长度的第一传送腔室容纳基板。基板可停留于第一传送腔室中。停留基板允许轻易取得基板。此可减少整体的节拍时间。具有小于第一长度的第二长度的第二传送腔室减少相邻或后续的处理腔室之间的距离。具有小于第一长度的第二长度的第二传送腔室额外地或替代地减少真空处理系统的占地面积。
超越上述范围外来说，具有不同长度的两种形式的传送腔室提供适用于工厂建筑的结构的占地面积，工厂建筑的结构一般可为预定环境。图10A及图10B示出柱1020。柱为工厂建筑所提供的边界条件，及通过举例为考虑结构工程计算所定义。具有不同长度的两种形式的传送腔室更提供适用于工厂建筑的真空处理系统。延伸传送腔室的长度允许在两个处理腔室之间具有柱1020，此两个处理腔室在一列中相邻且便于提供停留位置。
本公开的数个实施方式惊奇地产生包括减少占地面积、减少节拍时间、及适用于制造建筑中的结构条件的优点的组合。
根据本公开的再其他特征、修改、及实施方式，通过具有基板于基本上垂直定向中，特别是具有大面积基板于基本上垂直定向中，真空处理系统的占地面积可减少，特别是于一个系统中提供五或更多个、或甚至是10或更多个层的真空处理系统的占地面积可减少。
根据本公开的实施方式具有数个优点，包括在沉积有机层期间，通过利用对维持于基本上垂直位置中的已处理的基板的自动光学检查，以有效率的方式检查例如是精密金属掩模的掩模元件与基板之间的对准的可能性。再者，根据本公开的实施方式具有执行已处理的基板的光学检查，而无需中断生产线及在沉积有机层期间的相同条件(举例为基板定向及压力)下的优点。此外，相较于在线的端处的检查，根据本公开的实施方式具有在考虑沉积的层的图案化质量的情况下以减少的延迟时间的方式传送反馈至处理腔室的优点。再者，根据本公开的实施方式具有反馈涉及在确定的处理腔室中沉积特定层的优点。减少的反馈的延迟时间及检查特定已沉积的层的图案化质量的可能性改善处理系统及方法的产量。
虽然上述针对本公开的实施方式，然而在不脱离本发明的基本范围内，可设计本公开的其他和进一步实施方式，并且本公开的范围由后附权利要求确定。

Claims (15)

1.一种用于在至少第一处理腔室及第二处理腔室中处理的基板的光学检查的设备，所述设备包括：
检查装置，用于在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间对在所述第一处理腔室中处理的所述基板执行光学检查。
2.如权利要求1所述的设备，所述装置被构造成用于在基本上垂直位置中的基板的所述光学检查。
3.如前述的权利要求的任一项所述的设备，其中所述检查装置检测偏差掩模值，所述偏差掩模值对应于相对于掩模元件的所述基板的相对位置。
4.如前述的权利要求任一项所述的设备，其中所述检查装置至少包括：
光源，用以照明所述基板；
一或多个图像捕获装置，用以拍摄所述基板的至少一部分的一或多个图像；以及
处理装置，用以处理撷取的图像。
5.如前述的权利要求任一项所述的设备，其中所述检查装置进一步包括至少光学元件68，用以检测荧光。
6.如前述的权利要求任一项所述的设备，其中所述检查装置被定位，以检查维持于真空条件下的所述基板。
7.如前述的权利要求任一项所述的设备，其中所述检查装置为线上检查系统。
8.一种用于基板的光学检查的系统，所述系统包括：
至少第一处理腔室及第二处理腔室；以及
至少传送腔室，用以从所述第一处理腔室接收所述基板及用以传送所述基板至所述第二处理腔室；
其中所述传送腔室设置有检查装置，所述检查装置用以对在所述第一处理腔室中处理的所述基板执行光学检查。
9.一种用于基板的线上的光学检查的方法，所述方法包括：
从第一处理腔室接收所述基板；
对在所述第一处理腔室中根据沉积参数处理的所述基板执行光学检查；
取得所述基板的质量的信息数据；
回送所述信息数据至所述第一处理腔室；以及
调适所述沉积参数来于所述第一处理腔室中处理后续的基板。
10.如权利要求9所述的方法，其中执行所述光学检查包括：
照明所述基板；
撷取所述基板的至少一部分的图像；以及
处理以不同的光条件拍摄的所述基板的图像。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述基板的所述部分包括装置像素及/或控制像素。
12.如权利要求9至11项任一项所述的方法，其中取得信息数据包括计算偏差掩模值，所述偏差掩模值对应于相对于掩模元件的所述基板的相对位置，所述掩模元件位于所述基板与沉积源之间。
13.如权利要求12项所述的方法，所述方法进一步包括通过平均来自撷取的图像的所述信息数据，计算所述基板的偏差掩模值，撷取的图像是由多个图像捕获装置拍摄及针对所述基板的多个部分拍摄。
14.如权利要求9至13的任一项所述的方法，其中执行所述光学检查包括在荧光照明下拍摄所述基板的至少图像。
15.一种用以相对于掩模元件对准基板的位置的系统，所述掩模元件耦接于所述基板，其中所述基板及所述掩模元件位于基本上垂直位置中，所述系统包括：
检查装置，用以光学地检查相对于所述基板的所述掩模元件的相对的位置，所述掩模元件使用于在处理腔室中处理所述基板，及所述检查装置位于所述处理腔室后；
处理装置，用以计算对应的偏差掩模值；以及
调整装置，用以响应于计算的所述偏差掩模值，相对于所述基板调整所述掩模元件的所述位置。
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