CN108624857A - 基板载置方法和机构、成膜方法和装置、电子器件制造方法及有机el显示装置制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供基板载置方法和机构、成膜方法和装置、电子器件制造方法及有机EL显示装置制造方法,去除因自重而产生了挠曲的状态的基板载置于载置体时产生的基板的形变。基板载置方法具有:支承基板(10)的周缘的支承工序;以及将被支承的基板(10)载置在掩模(220)之上的载置工序,载置工序使被支承的基板(10)的一端侧与掩模(220)接触,之后,使基板(10)的另一端侧与掩模(220)接触,将基板(10)载置于掩模(220)。
Description
技术领域
本发明涉及在基板上成膜时的基板载置方法、载置机构、成膜方法、成膜装置、电子器件的制造方法以及有机EL显示装置的制造方法。
背景技术
以往以来,在制造电子器件时,由多个夹持件夹持被搬送到真空腔内的基板的周缘部,使被夹持的基板下降而载置在掩模(载置体)之上,通过蒸镀,在基板上进行形成于掩模的规定图案的成膜。
基板在将成膜区域设置在基板中央部的关系上,由夹持件夹持基板的周缘部(例如一对相向边部),基板中央部因自重而成为向下方挠曲的状态,在基板下降时,首先,挠曲的中央部与掩模接触,接着,接触区域朝向中央部的周边扩大而全面地接触。
可是,在因自重而挠曲的基板的中央部与掩模接触的时刻,由于基板与掩模的接触摩擦力而妨碍自由的移动,基板产生形变。由于该形变,在掩模与基板之间产生间隙,掩模与基板的贴紧性降低,由此成为膜模糊等的原因。
特别是近年来,基板的大型化、薄型化得到发展,因基板的自重产生的挠曲的影响增大。
作为提高这样的基板与掩模的贴紧性的技术,提出有例如专利文献1公开那样的技术。
在该专利文献1中,为了使基板与掩模贴紧,设置在基板的上表面向掩模侧加压,并能够沿着基板的弯曲的形状变形的基板-掩模贴紧单元,通过自重对基板的上表面进行加压而使其与掩模贴紧。
专利文献1:日本特开2009-277655号公报
可是,在专利文献1中,因为仅由基板-掩模贴紧单元对基板进行加压,所以无法去除基板自身的形变。
发明内容
本发明的目的在于,去除在将因自重而产生了挠曲的状态的基板载置于载置体时产生的基板的形变。
用于解决课题的方案
为了实现上述目的,本发明的基板载置方法具有:
支承基板的周缘的支承工序;以及
将被支承的基板载置在载置体之上的载置工序,
其特征在于,
在所述载置工序中,使被支承的基板的一端侧与载置体接触,之后,使所述基板的另一端侧与所述载置体接触,将基板载置于载置体。
本发明的基板载置机构用于将基板载置在载置体之上,其特征在于,
该基板载置机构具有:
多个支承部件,用于支承基板的周缘;
升降部件,进行所述多个支承部件的升降;以及
控制部件,控制所述升降部件,以使所述多个支承部件独立可动。
此外,本发明的成膜方法在基板上进行规定图案的成膜,其特征在于,
具有通过所述基板载置方法将基板载置在载置体之上之后,进一步调整所述基板与所述载置体的相对位置的第2位置调整工序,
所述载置体是为了在所述基板上进行规定图案的成膜而使用的、具有规定图案的掩模,在由所述第2位置调整工序进行了所述基板与所述掩模的相对位置的调整之后,在所述基板上进行规定图案的成膜。
此外,本发明的成膜装置在基板上进行规定图案的成膜,其特征在于,
具有所述基板载置机构,所述载置体具备具有所述规定图案的掩模。
此外,本发明的电子器件的制造方法是具有被形成在基板上的有机膜的电子器件的制造方法,其特征在于,
通过所述的成膜方法而在基板上形成有机膜或金属膜。
而且,本发明的有机EL显示装置的制造方法,其特征在于,
具有:使用所述的基板载置方法,将基板载置在载置体之上的工序;以及在所述基板上进行成膜的工序。
发明的效果
根据本发明,在基板向载置体载置时,基板从一端侧到另一端侧依次相对于载置体接触,所以基板产生的形变从一端侧向另一端侧依次转移,并能够在另一端侧去除形变。因而,基板相对于载置体的形变所引起的偏移成为一定方向的偏移,偏移量(量、方向)呈现出再现性,因此,能够减少对准动作次数,也能够缩短对准所需时间。
附图说明
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的结构的一部分的俯视图。
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。
图3是具备基板的夹持机构的基板保持单元的立体图。
图4(a)是有机EL显示装置60的整体图,图4(b)是表示1像素的截面构造的图。
图5是表示本发明的基板载置方法的实施方式1的图。
图6是表示本发明的基板载置方法的实施方式2的图。
图7是对准调整的说明图。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的优选的实施方式以及实施例。但以下的实施方式以及实施例仅例示地表示本发明的优选的结构,本发明的范围不受这些结构的限定。此外,以下的说明中的、装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载,本发明的范围就不限定于它们。
本发明涉及在基板上形成薄膜的成膜装置及其控制方法,特别是涉及用于基板的高精度的搬送以及位置调整的技术。本发明能够优选应用于通过真空蒸镀在平行平板的基板的表面形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料,能够选择玻璃、树脂、金属等任意的材料,此外,作为蒸镀材料,也能够选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。具体而言,本发明的技术能够应用于有机电子器件(例如,有机EL显示装置、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。特别是由于基板的大型化或显示面板的高精细化,进一步要求提高基板的搬送精度以及基板与掩模的对准精度,因此,有机EL显示装置的制造装置是本发明优选的应用例之一。
[制造装置以及制造工艺]
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的结构的一部分的俯视图。图1的制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下,在对例如约1800mm×约1500mm、厚度约0.5mm的尺寸的基板进行了有机EL的成膜后,冲切该基板而制作多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置如图1所示,一般具有多个成膜室111、112和搬送室110。在搬送室110内设有保持并搬送基板10的搬送机器人119。搬送机器人119例如是具有在多关节臂上安装有保持基板的机器人手的构造的机器人,进行基板10相对于各成膜室的搬入/搬出。
在各成膜室111、112分别设有成膜装置(也称蒸镀装置)。由成膜装置自动地进行与搬送机器人119的基板10的交接、基板10与掩模的相对位置的调整(对准)、基板10向掩模上的固定、成膜(蒸镀)等一连串的成膜工艺。各成膜室的成膜装置虽然在蒸镀源的不同、掩模的不同等细微的点上有不同的部分,但是基本的结构(特别是关于基板的搬送和对准的结构)大致相同。以下,对各成膜室的成膜装置的相同结构进行说明。
[成膜装置]
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。在以下的说明中,使用以铅垂方向为Z方向的XYZ正交坐标系。在成膜时基板被固定成与水平面(XY平面)平行,以此时的基板的宽度方向(与短边平行的方向)为X方向,以长度方向(与长边平行的方向)为Y方向。此外以θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置具有真空腔200。真空腔200的内部被维持在真空气氛或氮气等非活性气体气氛。在真空腔200的内部,大致设有基板保持单元210、掩模220、掩模台221、冷却板230和蒸镀源240。基板保持单元210是保持-搬送从搬送机器人119接受的基板10的部件,也被称为基板支架。掩模220是具有开口图案的金属掩模,被固定在框状的掩模台221之上,该开口图案与形成在基板10上的薄膜图案相对应。成膜时基板10被载置在掩模220之上。因而,掩模220也承担作为载置基板10的载置体的作用。冷却板230是通过成膜时与基板10(的与掩模220相反侧的面)贴紧进而抑制基板10的温度上升来抑制有机材料的变质、劣化的构件。冷却板230也可以兼做磁铁板。所谓磁铁板,是通过利用磁力吸附掩模220从而提高成膜时的基板10与掩模220的贴紧性的构件。蒸镀源240由蒸镀材料、加热器、遮光器、蒸发源的驱动机构、蒸发率监视器等构成(均未图示)。
在真空腔200之上(外侧)设有基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252、X致动器(未图示)、Y致动器(未图示)、θ致动器(未图示)。这些致动器例如由马达和滚珠丝杠、马达和线性引导件等构成。基板Z致动器250是用于使基板保持单元210的整体升降(Z方向移动)的驱动部件。夹具Z致动器251是用于使基板保持单元210的夹持机构(后述)开闭的驱动部件。冷却板Z致动器252是用于使冷却板230升降的驱动部件。X致动器、Y致动器、θ致动器(以下统一称为“XYθ致动器”)是用于基板10的对准的驱动部件。XYθ致动器使基板保持单元210以及冷却板230的整体进行X方向移动、Y方向移动、θ旋转。另外,在本实施方式中,在固定了掩模220的状态下对基板10的X、Y、θ进行调整,但是也可以通过调整掩模220的位置或调整基板10与掩模220这两者的位置,进行基板10与掩模220的对准。
在真空腔200之上(外侧),为了基板10以及掩模220的对准而设有测量基板10以及掩模220各自的位置的照相机260、261。照相机260、261通过设于真空腔200的窗口对基板10与掩模220进行拍摄。通过根据其图像来识别基板10上的对准标记以及掩模220上的对准标记,从而能够测量各自的XY位置、XY面内的相对偏移。为了在短时间内实现高精度的对准,优选实施粗略地进行位置对合的第1对准(也称为“粗糙对准”)和高精度地进行位置对合的第2对准(也称为“精细对准”)这两个阶段的对准。在该情况下,以使用低分辨率但广视场的第1对准用的照相机260和窄视场但高分辨率的第2对准用的照相机261这两种照相机为佳。在本实施方式中,分别对于基板10以及掩模220,利用2台第1对准用的照相机260测量附设于相向一对边的两个部位的对准标记,并利用4台第2对准用的照相机261测量附设于基板10以及掩模220的4个角的对准标记。
成膜装置具有控制部270。控制部270除了具有控制基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252、XYθ致动器以及照相机260、261的功能之外,还具有控制基板10的搬送以及对准、控制蒸镀源、控制成膜等功能。控制部270能够由具有例如处理器、存储器、储存装置、I/O等的计算机构成。在该情况下,控制部270的功能通过由处理器执行存储于存储器或储存装置的程序得以实现。作为计算机,既可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入式的计算机或PLC(progrAmmABle logic controller)。或者也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制部270的功能的一部分或全部。另外,既可以针对每一个成膜装置设有一个控制部270,也可以由一个控制部270控制多个成膜装置。
另外,关于基板10的保持-搬送以及对准的构成部分(基板保持单元210、基板Z致动器250、夹具Z致动器251、XYθ致动器、照相机260、261、控制部270等)也被称为“基板载置机构”、“基板搬送装置”等。
[基板保持单元]
参照图3说明基板保持单元210的结构。图3是基板保持单元210的立体图。
基板保持单元210是通过由夹持机构310夹持基板10的周缘部来保持-搬送基板10的部件。具体而言,基板保持单元210具有:支承框体301,设有分别从下方支承基板10的四个边的多个支承件300;以及夹具构件303,设有在与各支承件300之间夹入基板10的多个按压件302。由一对支承件300和按压件302构成一个夹持机构。在图3的例子中,沿着基板10的短边配置有3个支承件300,沿着长边配置有6个夹持机构(支承件300和按压件302的组对),成为夹持长边2边的结构。但是,夹持机构的结构不限于图3的例子,也可以与成为处理对象的基板的尺寸、形状或成膜条件等相对应地适当变更夹持机构的数量和配置。另外,支承件300也被称为“承受爪”或“钩爪”,按压件302也被称为“夹具”。
基板10从搬送机器人119向基板保持单元210的交接例如如下那样地进行。首先,利用夹具Z致动器251使夹具构件303上升,并使按压件302自支承件300分离,从而使夹持机构成为开放状态。在由搬送机器人119将基板10导入支承件300与按压件302之间之后,利用夹具Z致动器251使夹具构件303下降,并以规定的按压力将按压件302压靠于支承件300。由此,基板10被夹持在按压件302与支承件300之间。在该状态下,通过利用基板Z致动器250驱动基板保持单元210,从而能够使基板10升降(Z方向移动)。另外,由于夹具Z致动器251与基板保持单元210一起上升/下降,所以即使基板保持单元210升降,夹持机构的状态也不会产生变化。
另外,图3的附图标记101表示附设于基板10的4个角的第2对准用的对准标记,附图标记102表示附设于基板10的短边中央的第1对准用的对准标记。
[电子器件的制造方法的实施例]
接着,说明使用了本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下,作为电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构以及制造方法。
首先,说明要制造的有机EL显示装置。图4(a)表示有机EL显示装置60的整体图,图4(b)表示1像素的截面构造。
如图4(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。后面详细说明,发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,在此所说的像素,是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下,通过显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成,但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成,只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图4(b)是图4(a)的A-B线处的局部截面示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件,该有机EL元件具备第1电极(阳极)64、正孔输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、第2电极(阴极)68。它们当中的正孔输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外,在本实施方式中,发光层66R是发出红色光的有机EL层,发光层66G是发出绿色光的有机EL层,发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外,第1电极64针对每一个发光元件分离地形成。正孔输送层65、电子输送层67和第2电极68既可以以与多个发光元件62共同的方式形成,也可以针对每一个发光元件而形成。另外,为了防止第1电极64和第2电极68因异物而短路,在第1电极64间设有绝缘层69。而且,由于有机EL层因水分和氧而劣化,所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
为了将有机EL层形成为发光元件单位,使用借助掩模而成膜的方法。近年来,显示装置的高精细化得到发展,在有机EL层的形成中使用开口的宽度为几十μm的掩模。在使用这样的掩模成膜的情况下,若掩模在成膜中从蒸发源接受热量而热变形,则掩模与基板的位置会产生偏离,形成在基板上的薄膜的图案会偏离所希望的位置地形成。因此,在所述有机EL层的成膜中适宜使用本发明的成膜装置(真空蒸镀装置)。
接着,具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先,准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第1电极64的基板63。
在形成有第1电极64的基板63之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂,利用光刻法,以在形成有第1电极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板63搬入第1成膜装置,由基板保持单元保持基板,将正孔输送层65作为在显示区域的第1电极64之上共同的层而成膜。正孔输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于正孔输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸,所以不需要高精细的掩模。
接着,将形成有正孔输送层65为止的基板63搬入第2成膜装置,由基板保持单元保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置在掩模之上,在基板63的配置发出红色光的元件的部分,成膜发出红色光的发光层66R。根据本例,能够使掩模与基板良好地重合,能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地,利用第3成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G,而且利用第4成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后,利用第5成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子输送层67为止的基板移动到溅镀装置,成膜第2电极68,之后移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70,完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成为止,若暴露于含有水分和氧的气氛中,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而,本例中,基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
这样获得的有机EL显示装置针对每一个发光元件精度高地形成发光层。因而,只要使用上述制造方法,就能够抑制因发光层的位置偏离而引起的有机EL显示装置的不良的产生。
[基板载置机构]
接着,对本发明的基板载置机构的结构,与图2、图3的装置结构对应地进行说明。
在以下的说明中,将作为夹持一方的长边的夹持件的夹持机构310作为第1夹持机构310L、将作为夹持另一方的长边的夹持件的夹持机构310作为第2夹持机构310R来进行区分。
即,本发明由作为多个支承部件的第1夹持机构310L以及第2夹持机构310R、进行第1夹持机构310L以及第2夹持机构310R的升降的基板Z致动器250以及基板Z辅助致动器253(升降部件)、使第1夹持机构310L与第2夹持机构310R的夹持力分别独立地可变的夹具Z致动器251(夹持力可变部件)、在规定时机控制所述基板Z致动器250以及基板Z辅助致动器253和夹具Z致动器251的控制部270(控制部件)构成。
控制部270以第1夹持机构310L、310R独立可动的方式控制所述基板Z致动器250以及基板Z辅助致动器253。即,第1夹持机构310L由基板Z致动器250驱动,第2夹持机构310R以重叠基板Z辅助致动器253与基板Z致动器250的移动量的方式被驱动。可是,关于驱动机构,不限定于这样的结构,只要是使第1夹持机构310L与第2夹持机构310R分别独立地升降那样的致动器结构即可。
此外,控制部270以使第1夹持机构310L的夹持力与第2夹持机构310R的夹持力分别独立可变的方式,控制所述夹具Z致动器251。
控制部270在将基板10载置在掩模220上时进一步进行控制,以使第1夹持机构310L比另一方的第2夹持机构310R先下降,第2夹持机构310R在第1夹持机构310L之后下降。
[基板载置方法]
[实施方式1]
接着,参照图5,说明本发明的基板载置方法的实施方式1。
本发明的基板载置方法是夹持被搬送来的基板10并将其载置于掩模220的期间的夹持方法,具有夹持基板10的夹持工序(图5(A)、(B))、和将被夹持的基板10载置在掩模220之上的载置工序(图5(C)、(D))。
在载置工序中,使被支承的基板10的一端侧与掩模220接触,之后,使基板10的另一端侧与掩模220接触,将基板10载置于掩模220。
[夹持工序]
图5(A)表示接受被搬送来的基板10的状态。
即是在第1夹持机构310L以及第2夹持机构310R打开的状态下,从未图示的搬送机器人交接基板10的状态。
在该时刻,基板10的作为一端的一方的长边被支承在第1夹持机构310L的支承件300上,基板10的作为另一端的另一方的长边被支承在第2夹持机构310R的支承件300上。第1夹持机构310L以及第2夹持机构310R沿着基板10的各长边分别排列有多个,基板10的各长边由多个支承件300支承。
另外,在短边侧也由多个支承件300支承,但不是被夹持的部分,在以下的说明中,仅说明长边侧。
图5(B)表示由第1夹持机构310L以及第2夹持机构310R夹持基板10的两侧的长边的状态。该夹持动作驱动第1夹持机构310L与第2夹持机构310R的各夹具Z致动器251,经由夹具构件303,使多个按压件302朝向支承件300移动并以规定的夹持力夹持。该夹持力被设定为基板10不从夹持位置偏移的大小。
由第1夹持机构310L与第2夹持机构310R夹持两侧的长边的基板10因自重而挠曲,挠曲成基板10的中央凹陷的形态。
[载置工序]
图5(C)表示设于一方的长边侧的第1夹持机构310L先下降的状态。另一方的第2夹持机构310R也晚下降。
该第1夹持机构310L与第2夹持机构的下降的时机、下降所花费的时间、下降速度等由控制部270控制。
由此,基板10不是中央位置而是基板10的一方的端部侧、即,先下降的第1夹持机构310L附近的部分与掩模220先接触,并朝向由第2夹持机构310R夹持的另一方的长边侧(另一端侧)依次接触。因此,基板10的形变能够从之后起聚集于与掩模220接触的一侧、即第2夹持机构310R侧。
而且,第2夹持机构310R在基板10与掩模220接触后,使夹持力减弱之后返回到原来的夹持力。减弱的夹持力为夹持着的基板10的夹持位置能够移动的大小。更加详细而言,夹持位置能够移动的夹持力是由于从掩模220向基板10作用的力而使夹持位置能够移动的大小的夹持力。
其结果,基板在第2夹持机构310R的支承件300与按压件302之间偏移而消除形变。
图5(D)表示基板10与掩模220完全贴紧的状态。在该状态下,第2夹持机构310R的夹持力与第1夹持机构310L同样地,被设定成无法实现夹持位置不偏移程度的大小的程度的大小。而且,利用照相机对基板与掩模的对准标记进行拍摄,进行基板10与掩模220的对准调整。关于对准调整,后面叙述。
如以上说明那样,根据本发明,通过使一方的第1夹持机构310L比第2夹持机构310R先下降,自基板10的一端侧(一方的长边侧)与掩模220接触,从而使基板10产生的形变依次向由第2夹持机构310R夹持的长边侧聚集,因此,通过减弱第2夹持机构310R的夹持力,能够可靠地去除形变。此外,因为使形变聚集于第2夹持机构310R侧,所以基板10与掩模220的偏移成为一定方向的偏移,偏移量(量、方向)呈现出再现性。其结果,也能够减少对准动作次数。
[实施方式2]
接着,参照图6,说明本发明的基板载置方法的实施方式2。
在该实施方式2中,将第2夹持机构310R的夹持力为夹持着的基板10的夹持位置能够移动的夹持力的时机设定在基板10的向下方挠曲的部分与掩模220接触前。
夹持工序
关于图6(A),表示接受被搬送来的基板10的状态,因为与图5(A)相同,所以省略说明。
图6(B)表示由第1夹持机构310L以及第2夹持机构310R夹持基板10的两侧的长边的状态。该夹持动作驱动第1夹持机构310L与第2夹持机构310R的各夹具Z致动器251,经由夹具构件303,使多个按压件302朝向支承件300移动并以规定的夹持力夹持。
在该实施方式2中,由第1夹持机构310L夹持的夹持力被设定成基板10不从夹持位置移动的大小,第2夹持机构310R的夹持力以比第1夹持机构310L弱的夹持力夹持基板。该弱的夹持力被设定成基板10从夹持位置移动的程度的大小。
由第1夹持机构310L与第2夹持机构310R夹持两侧的长边的基板10因自重而挠曲,挠曲成基板10的中央凹陷的形态。
在图6(C)中,与实施方式1同样地,表示设于一方的长边侧的第1夹持机构310L先下降的状态。另一方的第2夹持机构310R也晚下降。该第2夹持机构310R在以比第1夹持机构310L弱的夹持力夹持基板的状态下下降。
该第1夹持机构310L和第2夹持机构的下降的时机、下降所花费的时间、下降速度等由控制部270控制。
由此,基板10不是中央位置而是先下降的第1夹持机构310L附近的部分与掩模220先接触,并朝向由第2夹持机构310R夹持的另一方的长边侧依次接触。
由此,基板10从长边侧的一方到另一方依次与掩模220接触,因此,能够使基板10的形变从之后起聚集于与掩模220接触的另一方侧。聚集的基板10的形变通过基板10在弱的夹持力的第2夹持机构310R的按压件302与支承件300之间偏移而被消除。
图6(D)表示基板10与掩模220完全贴紧的状态。在该状态下,第2夹持机构310R的夹持力与第1夹持机构310L同样地,被设定成无法谋求夹持位置不偏移的程度的大小的程度的大小。而且,利用照相机对基板与掩模的对准标记进行拍摄,并进行基板10与掩模220的对准调整。关于对准调整,后面叙述。
相对于强的夹持力的第1夹持机构310L,使基板10追随弱的夹持力的第2夹持机构310R而下降,通过有意识地挪动而消除载置基板10时产生的基板10的形变,由此,偏移量(量、方向)呈现出再现性。结果,对准动作次数也减少。
另外,在上述各实施方式中,成为由作为支承基板10的一端和另一端的支承部件的第1夹持机构310L与第2夹持机构310R夹持基板10的结构,但是也可以成为不夹持,例如由支承件300仅支承的结构。在该情况下,能够使被支承的基板10的一端侧与掩模220接触,之后,使基板10的另一端侧与掩模220接触。此外,在上述各实施方式中,将相向的长边部作为基板10的一端和另一端进行支承,当然也可以将短边侧作为基板10的一端和另一端进行支承。
[对准调整]
接着,说明对准调整。
对准调整具有第1对准和第2对准。
第1对准在将基板10载置于掩模220的载置工序前进行。
第1对准是进行粗略的位置对合的对准处理,也被称为“粗对准”。第1对准例如在图5(C)、图6(C)的阶段进行。
即,由照相机260识别设于基板10的基板对准标记与设于掩模220的掩模对准标记(未图示),测量各自的XY位置或XY面内的相对偏移,进行位置对合。为了能够进行粗略的位置对合,第1对准用的照相机260是低分辨率但广视场的照相机。在位置对合时,既可以调整基板10(基板保持单元210)的位置,也可以调整掩模220的位置,还可以调整基板10与掩模220的两者的位置。
图7(A)~图7(E)是说明第2对准的图。
第2对准是进行高精度的位置对合的对准处理,也被称为“精细对准”。首先,如图7(A)所示,由照相机261识别设于基板10的基板对准标记101与设于掩模220的掩模对准标记(未图示),测量各自的XY位置和XY面内的相对偏移。为了能够进行高精度的位置对合,照相机261是窄视场但高分辨率的照相机。在测量到的偏移超过阈值的情况下,进行位置对合的处理。以下说明测量到的偏移超过阈值的情况。
在测量到的偏移超过阈值的情况下,如图7(B)所示,驱动基板Z致动器250,使基板10上升而从掩模220离开。
在图7(C)中,基于由照相机261测量到的偏移,驱动XYθ致动器而进行位置对合。在位置对合时,既可以调整基板10(基板保持单元210)的位置,也可以调整掩模220的位置,还可以调整基板10与掩模220这两者的位置。
之后,如图7(D)所示,使基板10再次下降,将基板10载置在掩模220上。而且,如图7(E)所示,由照相机261进行基板10和掩模220的对准标记的拍摄,并测量偏移。在测量到的偏移超过阈值的情况下,重复上述的位置对合处理。
在偏移成为阈值以内的情况下,驱动图2所示的冷却板Z致动器,使冷却板230下降而与基板10贴紧。在本实施方式中,冷却板130兼做磁铁板,通过由磁力吸附掩模220,由此提高基板10与掩模220的贴紧性。
在冷却板(磁铁板)的下降完成之后,如图7(B)所示,使夹具构件303上升,解除(松开)基板10的长边部的夹持。之后,如图7(C)所示,使基板保持单元210下降。
通过以上的工序,基板10向掩模220上的载置处理完成,进行基于成膜装置的成膜处理(蒸镀处理)。
根据本实施方式,在由基板保持单元210保持基板10时,使一方的长边先下降,使基板10的第1夹持机构附近的部分先接触,以其接触部为基点,释放第2夹持机构侧而挪动夹持位置,所以基点与力的方向性确定,关于对准的调整,因为偏移方向成为一定的方向,所以可以减少对准的次数,由此,能够以高精度且短时间完成对准。而且,能够以高精度且短时间完成向基板的成膜处理。
另外,上述各实施例的基板载置方法在第1对准之前、第1对准与第2对准之间、第2对准之后的任意的情况下都能够应用。
附图标记的说明
10 基板
220 掩模(载置体)
250 基板Z致动器(升降部件)
253 基板Z辅助致动器(升降部件)
251 夹具Z致动器(夹持力可变部件)
270 控制部(控制部件)
310 夹持机构(支承部件、夹持件)
300 支承件、302按压件、303夹具构件
310L 第1夹持机构(支承部件、夹持件)
310R 第2夹持机构(支承部件、夹持件)
60 有机EL显示装置
Claims (25)
1.一种基板载置方法,具有:
支承基板的周缘的支承工序;以及
将被支承的基板载置在载置体之上的载置工序,
其特征在于,
在所述载置工序中,使被支承的基板的一端侧与载置体接触,之后,使所述基板的另一端侧与所述载置体接触,将基板载置于载置体。
2.根据权利要求1所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述支承工序中,由支承所述基板的周缘的多个支承部件中的、一部分的支承部件支承基板的一端,由其它的支承部件支承所述基板的另一端,
在所述载置工序中,使所述一部分的支承部件比所述其它的支承部件先下降,之后使所述其它的支承部件下降,并且所述其它的支承部件以支承着的基板的支承位置能够移动的方式支承基板。
3.根据权利要求2所述的基板载置方法,其特征在于,
所述支承部件是夹持基板的周缘的夹持件,构成所述其它的支承部件的夹持件以夹持着的基板的夹持位置能够移动的夹持力夹持基板。
4.根据权利要求3所述的基板载置方法,其特征在于,
所述夹持位置能够移动的夹持力是利用从所述载置体向所述基板作用的力使夹持位置能够移动的夹持力。
5.根据权利要求3所述的基板载置方法,其特征在于,
所述其它的支承部件的夹持件以夹持着的基板的夹持位置能够移动的夹持力夹持基板的时机,被设定在包括所述基板的一端侧与所述载置体接触的时刻在内的接触后。
6.根据权利要求3所述的基板载置方法,其特征在于,
所述其它的支承部件的夹持件以夹持着的基板的夹持位置能够移动的夹持力夹持基板的时机,被设定在所述基板的一端侧与所述载置体接触前。
7.根据权利要求3所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述载置工序中,在将所述基板载置于所述载置体之后,进一步由所述一部分的支承部件的夹持件与所述其它的支承部件的夹持件以相同的夹持力夹持基板。
8.根据权利要求3所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述载置工序中,在将所述基板载置于所述载置体之后,进一步由所述一部分的支承部件的夹持件与所述其它的支承部件的夹持件以夹持着基板的夹持位置能够固定的夹持力夹持基板。
9.根据权利要求1所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述载置工序前,具有调整所述基板与所述载置体的相对位置的第1位置调整工序。
10.一种基板载置机构,用于将基板载置在载置体之上,其特征在于,
该基板载置机构具有:
多个支承部件,用于支承基板的周缘;
升降部件,进行所述多个支承部件的升降;以及
控制部件,控制所述升降部件,以使所述多个支承部件独立可动。
11.根据权利要求10所述的基板载置机构,其特征在于,
由所述多个支承部件中的一部分的支承部件支承所述基板的一端,由其它的支承部件支承所述基板的另一端。
12.根据权利要求11所述的基板载置机构,其特征在于,
所述一部分的支承部件和其它的支承部件分别是夹持基板的夹持件,
该基板载置机构具有使所述一部分的支承部件的夹持件的夹持力和所述其它的支承部件的夹持件的夹持力分别独立可变的夹持力可变部件。
13.根据权利要求11所述的基板载置机构,其特征在于,
所述控制部件控制所述升降部件,以使所述基板的一端侧与载置体接触,之后,使所述基板的另一端侧与所述载置体接触,进而将基板载置于载置体。
14.根据权利要求12所述的基板载置机构,其特征在于,
所述控制部件控制所述升降部件,以使所述基板的一端侧与载置体接触,之后,使所述基板的另一端侧与所述载置体接触,进而将基板载置于载置体,并控制所述夹持力可变部件,以使所述其它的支承部件的夹持件以夹持着的基板的夹持位置能够移动的夹持力夹持所述基板。
15.根据权利要求14所述的基板载置机构,其特征在于,
通过所述控制部件控制所述夹持力可变部件以使所述其它的支承部件的夹持件以夹持着的基板的夹持位置能够移动的夹持力夹持所述基板的时机,被设定在包括所述基板的一端侧与所述载置体接触的时刻在内的接触后。
16.根据权利要求14所述的基板载置机构,其特征在于,
通过所述控制部件控制所述夹持力可变部件以使所述其它的支承部件的夹持件以夹持着的基板的夹持位置能够移动的夹持力夹持所述基板的时机,被设定在所述基板的向下方挠曲的部分与所述载置体接触前。
17.根据权利要求12所述的基板载置机构,其特征在于,
所述一部分的支承部件以及所述其它的支承部件分别由多个夹持件构成。
18.根据权利要求12所述的基板载置机构,其特征在于,
所述夹持件具有用于支承基板的支承件和用于向所述支承件按压所述基板的按压件。
19.根据权利要求10所述的基板载置机构,其特征在于,
该基板载置机构具有用于使所述载置体升降的载置体升降部件。
20.根据权利要求10所述的基板载置机构,其特征在于,
该基板载置机构具有用于调整所述基板与所述载置体的相对位置的位置调整部件。
21.一种成膜方法,在基板上进行规定图案的成膜,其特征在于,
具有通过所述权利要求1~9中任一项所述的基板载置方法将基板载置在载置体之上之后,进一步调整所述基板与所述载置体的相对位置的第2位置调整工序,
所述载置体是为了在所述基板上进行规定图案的成膜而使用的、具有规定图案的掩模,在由所述第2位置调整工序进行了所述基板与所述掩模的相对位置的调整之后,在所述基板上进行规定图案的成膜。
22.一种成膜装置,在基板上进行规定图案的成膜,其特征在于,
具有权利要求10~20中任一项所述的基板载置机构,所述载置体具备具有所述规定图案的掩模。
23.一种电子器件的制造方法,是具有被形成在基板上的有机膜的电子器件的制造方法,其特征在于,
通过权利要求21所述的成膜方法而形成所述有机膜。
24.一种电子器件的制造方法,是具有被形成在基板上的金属膜的电子器件的制造方法,其特征在于,
通过权利要求21所述的成膜方法而形成所述金属膜。
25.一种有机EL显示装置的制造方法,其特征在于,
具有:
使用权利要求1~9中任一项所述的基板载置方法,将基板载置在载置体之上的工序;以及
在所述基板上进行成膜的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-101255 | 2017-05-22 | ||
JP2017101255A JP6448067B2 (ja) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | 基板載置方法、基板載置機構、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108624857A true CN108624857A (zh) | 2018-10-09 |
CN108624857B CN108624857B (zh) | 2020-09-25 |
Family
ID=63693784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810488057.9A Active CN108624857B (zh) | 2017-05-22 | 2018-05-21 | 基板载置方法和机构、成膜方法和装置、电子器件制造方法及有机el显示装置制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6448067B2 (zh) |
KR (1) | KR101925733B1 (zh) |
CN (1) | CN108624857B (zh) |
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Publication number | Publication date |
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KR20180127899A (ko) | 2018-11-30 |
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