JP5634522B2 - 真空処理装置及び有機薄膜形成方法 - Google Patents

真空処理装置及び有機薄膜形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5634522B2
JP5634522B2 JP2012535030A JP2012535030A JP5634522B2 JP 5634522 B2 JP5634522 B2 JP 5634522B2 JP 2012535030 A JP2012535030 A JP 2012535030A JP 2012535030 A JP2012535030 A JP 2012535030A JP 5634522 B2 JP5634522 B2 JP 5634522B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
thin film
vapor
mask
organic compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012535030A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012039383A1 (ja
Inventor
万里 深尾
万里 深尾
功二 羽根
功二 羽根
菊地 博
博 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2012535030A priority Critical patent/JP5634522B2/ja
Publication of JPWO2012039383A1 publication Critical patent/JPWO2012039383A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5634522B2 publication Critical patent/JP5634522B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、真空処理装置の技術分野にかかり、特に、有機薄膜を効率よく形成できる有機薄膜形成装置技術に関する。
従来の有機EL製造装置には、以下のようなクラスター方式とインライン方式の二種類の方式があった。図9はクラスター方式の有機EL製造装置101の構成の一例を示し、図10はインライン方式の有機EL製造装置201の構成の一例を示している。
図9に示すように、クラスター方式の有機EL製造装置101は、枚葉式の第一、第二の成膜装置110、120が受け渡し室102により連結されて構成されている。第一、第二の成膜装置110、120の第一、第二の搬送室111、121には、複数の処理室113〜117、122〜125がそれぞれ連結され、第一、第二の搬送室内111、121の内部には、第一、第二の搬送ロボット131、132がそれぞれ配置されている。
ここで、図9の符号112は搬入室、符号126は搬出室を示している。また、符号118、127は、どちらもマスク保管室を示している。
搬入室112から搬入された基板100は、第一の搬送ロボット131により、順次、第一の搬送室111を介して各処理室113〜117に搬入されて真空処理され、その後、受け渡し室102へ搬送される。
さらに、受け渡し室102に搬送された基板100は、第二の搬送ロボット132により、順次、第二の搬送室121を介して各処理室122〜125に搬入されて真空処理され、その後、搬出室126から搬出される。
一方、図10に示すように、インライン方式の有機EL製造装置201では、搬入室202から搬入された基板は、第一の搬送ロボット231により、前処理室203と搬送室204とを通って有機薄膜の成膜領域210に搬送される。次いで基板200は、有機薄膜の成膜領域210に設けられた第一の受け渡し室211を通ってアライメント室212に搬入され、マスク(マスク付きパレット)230と位置合わせされる。
互いに位置合わせされた基板200とマスク230は一緒に、第一のコーナー室213を通って第一の有機蒸着室214に搬送され、第一、第二の有機蒸着室214、215では、不図示のローラーで搬送されながら、複数の有機薄膜が基板200上に連続的に成膜される。
その後、基板200とマスク230は第二の受け渡し室216において分離され、分離された基板200は第二の搬送ロボット232により有機薄膜の成膜領域210から取り出され、電極成膜領域240に搬送される。
電極成膜領域240では、搬送室222を介して各処理室223、224に基板200は順次搬入され、基板200上にはカソード電極が形成され、その後、基板200は搬出室225から搬出される(符号226は各処理室223,224で用いられるマスク保管室を示している)。
第二の受け渡し室216において基板200と分離されたマスク230は、第二のコーナー室217とリターン室218と第三のコーナー室219とを経由して第一の受け渡し室211に戻される(符号220は未使用マスク保管室、符号221は使用済みマスク保管室を示す)。
従来の上記二種類の方式の装置では、特に基板の大型化に対応し、且つ、タクトタイムを短縮しようとする場合には、以下の問題点がある。
まず、クラスター方式の装置101では、タクトタイムを短くするためには成膜室の数を増やす必要があるが、クラスター方式の装置101が大型化してコストが増加し、フットプリント(占有床面積)が増大するという問題があった。
さらに基板搬送に搬送室111、121を経由するために時間が掛かり、タクトタイムの短縮が困難であるという問題があった。
一方、インライン方式の装置201では、各有機蒸着室214、215にそれぞれ複数の基板を通過させ、各基板に複数の有機薄膜を連続的に成膜することで、クラスター方式の装置101で問題となる成膜時間を短縮することができるが、従来のインライン方式の装置201では、基板とマスクとを固定して、一体として移動させながら成膜するため、大量のマスクが必要であった。
基板とマスクを固定して有機薄膜を形成した後、マスクを基板から分離させ、マスクを成膜開始位置に戻して再利用する場合、R、G、Bの有機薄膜を異なるマスクで形成しようとすると、マスクを分離して戻すインラインのループが三つ必要になり、装置構成が大規模になってしまうという問題があった。
加えて、有機化合物蒸気の蒸発源は一旦加熱され、蒸発が開始されると、加熱を停止しても直ちに蒸発を止めることはできず、基板搬送の間や基板とマスクとの位置合わせなどの間等、成膜できない期間に蒸発する有機化合物材料は無駄になり、有機化合物材料の使用効率が低いという問題があった。
特開2003−332052号公報 特開2009−224231号公報
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、有機化合物材料の無駄を少なくし、装置の使用効率を向上させる技術を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明は、真空雰囲気中で基板の表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成装置を複数個有する真空処理装置であって、前記有機薄膜形成装置は、有機化合物蒸気を生成する蒸気生成装置と、真空槽と、前記真空槽の入口側壁面の左位置から搬入された前記基板を前記真空槽内で移動させる左搬送経路と、前記真空槽の前記入口側壁面の右位置から搬入された前記基板を前記真空槽内で移動させる右搬送経路と、前記左搬送経路の一部分と対面して配置された左側マスクと、前記右搬送経路の一部分と対面して配置された右側マスクと、前記蒸気生成装置で生成された前記有機化合物蒸気を前記左搬送経路又は右搬送経路の、少なくともいずれか一方に向けて放出する蒸気放出装置と、を有し、前記左搬送経路に向けて放出され、前記左側マスクの開口を通過した前記有機化合物蒸気は、前記左搬送路を移動した前記基板の表面に到達し、前記右搬送経路に向けて放出され、前記右側マスクの開口を通過した前記有機化合物蒸気は、前記右搬送路を移動した前記基板の表面に到達するように構成され、前記左搬送経路を移動されて前記有機薄膜が形成された前記基板と、前記右搬送経路を移動されて前記有機薄膜が形成された前記基板とは、異なる位置から前記真空槽の外部に移動されるようにされ、前記蒸気放出装置は、前記左側マスクと対面する位置に配置され、前記左側マスクに向けて前記有機化合物蒸気を放出する左放出装置と、前記右側マスクと対面する位置に配置され、前記右側マスクに向けて前記有機化合物蒸気を放出する右放出装置とを有し、前記蒸気生成装置と前記左放出装置の間と、前記蒸気生成装置と前記右放出装置の間とには、蒸気切替装置が設けられ、前記蒸気切替装置によって、前記蒸気生成装置内で生成された前記有機化合物蒸気を、前記左放出装置に供給して前記右放出装置に供給しない左側成膜状態と、前記左放出装置に供給せずに前記右放出装置に供給する右側成膜状態との、いずれの状態にもできるようにされ、前記真空槽内にはトラップ装置が配置され、前記左側成膜状態と前記右側成膜状態に加え、前記有機化合物蒸気を前記左放出装置と前記右放出装置の両方に供給せず、前記トラップ装置に供給する成膜待機状態にもできるようにされた真空処理装置である
た本発明は、前記左放出装置と前記右放出装置は、前記真空槽に対して静止された真空処理装置である
た本発明は、前記蒸気生成装置で生成される前記有機化合物蒸気には、二種類以上の有機化合物が含まれる真空処理装置である。
また本発明は、前記有機薄膜形成装置には、前記有機薄膜形成装置内に配置する左側マスク又は右側マスクを複数枚保管して、前記有機薄膜形成装置に供給できるマスク保管室が接続された真空処理装置である。
また本発明は、真空槽内で基板の成膜面にマスクを配置し、蒸気生成装置で生成された有機化合物蒸気を前記基板の表面に向けて放出し、前記有機化合物蒸気に前記マスクの開口を通過させて、前記成膜面にパターニングした有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法であって、前記真空槽内に、左搬送経路と右搬送経路を設定し、前記左搬送経路に面する位置と、前記右搬送経路に面する位置に、それぞれ前記マスクを配置しておき、前記左搬送経路と前記右搬送経路に別々に前記基板を配置して移動させ、前記左搬送経路上で前記基板に前記マスクを配置して、前記有機化合物蒸気を前記右搬送経路に向けて放出せず、前記左搬送経路に向けて放出して、パターニングした前記有機薄膜を形成する左薄膜形成工程と、前記右搬送経路上で前記基板に前記マスクを配置して、前記有機化合物蒸気を前記左搬送経路に向けて放出せず、前記右搬送経路に向けて放出し、パターニングした前記有機薄膜を形成する右薄膜形成工程とを繰り返し行う有機薄膜形成方法において、前記真空槽内に、前記左搬送経路に対面して左放出装置を配置し、前記右搬送経路に対面して右放出装置を配置しておき、前記有機化合物蒸気は、前記左薄膜形成工程では前記左放出装置から放出させ、前記右薄膜形成工程では前記右放出装置から放出させ、前記真空槽内にトラップ装置を配置し、前記左薄膜形成工程と前記右薄膜形成工程に加え、前記有機化合物蒸気を前記左放出装置と前記右放出装置との両方に供給せず、前記トラップ装置に供給する成膜待機工程を有する有機薄膜形成方法である
た本発明は、真空雰囲気中で基板に有機薄膜を形成する真空処理装置であって、前記真空雰囲気中で成膜が行われる第一の成膜位置と、第二の成膜位置と、前記第一の成膜位置に前記基板を搬送する第一の搬送手段と、前記第二の成膜位置に前記基板を搬送する第二の搬送手段と、前記第一の成膜位置に有機材料の蒸気を放出する第一の蒸気放出手段と、前記第二の成膜位置に有機材料の蒸気を放出する第二の蒸気放出手段と、前記第一の蒸気放出手段と前記第二の蒸気放出手段とに接続された共通の蒸気生成手段と、前記蒸気生成手段と前記第一の蒸気放出手段および前記第二の蒸気放出手段の間に設けられ、前記蒸気生成手段と前記第一の蒸気放出手段または前記第二の蒸気放出手段との接続を切り替える蒸気切替手段と、前記蒸気切替手段の切り替えを制御する制御装置と、を有し、さらに、前記真空雰囲気中にトラップ装置を有し、前記蒸気切替手段は、前記蒸気生成手段と前記トラップ装置とを接続可能であり、前記制御装置は、前記蒸気生成手段と、前記第一の蒸気放出手段および前記第二の蒸気放出手段と、を接続しないときに、前記蒸気生成手段と前記トラップ装置とを接続するように前記蒸気切替手段を制御する真空処理装置である。
また本発明は、前記制御装置は、前記第一の蒸気放出手段と前記第二の蒸気放出手段が、交互に前記蒸気生成手段と接続されるように前記蒸気切替手段を切り替える、真空処理装置である。
また本発明は、前記第一の成膜位置には、前記基板とマスクを位置合わせする第一の位置合わせ装置が配置され、前記第二の成膜位置には、前記基板とマスクを位置合わせする第二の位置合わせ装置が配置された真空処理装置である。
また本発明は、前記制御装置は、前記第一の成膜位置で前記基板の搬入と、前記基板とマスクとの位置合わせと、前記基板の搬出との少なくともいずれかが行われている間に、前記第二の蒸気放出手段と前記蒸気生成手段を接続する真空処理装置である。
蒸気生成装置で生成された有機化合物蒸気を、同一真空槽内の左搬送経路の基板が成膜される位置と、右搬送経路の基板が成膜される位置とのいずれかに向けて放出することができる。
一方の搬送経路に位置する基板表面に有機薄膜を形成している間に、他方の搬送経路では、他の基板が有機薄膜の形成可能な状態になるようにすると、一方の搬送経路に位置する基板への有機薄膜の形成が終了した後、有機化合物蒸気の放出位置を他方の搬送経路に変更するだけで、他方の搬送経路に位置する基板への有機薄膜形成を開始することができる。
従って、複数の基板に連続して有機薄膜を形成するときに、本発明の有機薄膜形成装置は、有機薄膜を形成せずに有機化合物蒸気を発生させている時間を短くすることが可能で、有機化合物蒸気の無駄を減らし、有機化合物の使用効率が高くなる。更に、有機薄膜形成時間以外の時間を短くすることができるので、装置の使用効率も高くなる。
装置運転の始動時や、装置運転の停止時などに、有機化合物蒸気を発生させながら、左又は右の搬送経路に向けて有機化合物蒸気を放出しない状態を設ける場合は、有機化合物蒸気をトラップに導き、有機化合物をトラップで析出させて回収すると、始動時や停止時等にあっても有機化合物蒸気の無駄を少なくできるので、有機化合物の使用効率が更に高くなる。
本発明の真空処理装置の全体図 有機薄膜形成装置の一例の (a):平面図 (b):正面図 (c):左側面図 (a)〜(d):成膜対象物を構成する手順を説明するための工程図 有機薄膜形成装置の一例の (a):平面図 (b):正面図 (c):左側面図 (a)〜(c):放出装置の移動を説明するための有機薄膜形成装置の平面図 (a)〜(c):放出装置の移動を説明するための有機薄膜形成装置の正面図 (a)〜(c):搬送対象物を構成する手順を説明するための工程図 蒸気供給装置の内部構成を説明するためのブロック図 従来技術の真空処理装置の一例を説明するための平面図 従来技術の真空処理装置の他の例を説明するための平面図
<全体の構成>
図1の符号1は、本発明の真空処理装置を示している。
この真空処理装置は、複数台の有機薄膜形成装置11〜17を有しており、各有機薄膜形成装置11〜17は、その内部で基板上にパターニングされた有機薄膜を形成できるようにされている。基板はガラス基板であり、その表面には透明導電膜が形成されている。
本発明の真空処理装置によって基板表面に有機薄膜を形成する手順を説明すると、先ず、一乃至複数台の準備室31a、31b内に、パターニングされた透明導電膜等が形成された基板を配置し、移載室32内に配置された基板搬送ロボットにより、準備室31a、31b内の基板を取り出し、装着室33内に配置する。装着室33の内部は大気圧雰囲気にされている。
他方、搬入室36は、内部を大気圧にも真空雰囲気にもできるように構成されている。
搬入室36と搬出室39との間には、前処理室37と、複数の有機薄膜形成装置11〜17と、電極膜形成室38とが、搬入室36からこの順序で直列に接続されており、それら各室37、38と各装置11〜17には、真空排気装置が接続され、内部を高真空雰囲気に置けるようになっている。搬入室36と搬出室39には、内部圧力を上昇させるためのガスを導入できるようにされている。
図7(a)〜(c)は、装着室33の内部を示しており、符号51は基板を示している。また、符号57は移載室32に配置された基板搬送ロボットが有する運搬用真空吸着装置を示している。
図7(a)は、装着室33内に基板51が搬入されたところであり、このとき、基板51は、その鉛直上方を向いた表面が運搬用真空吸着装置57の下方を向く面に接触して、運搬用真空吸着装置57に真空吸着されて吊り下げられて運搬されている。
装着室33と、装着室33の後段に順番に設けられた各室34〜45には、搬送用の搬送ローラ24がそれぞれ設けられている。
搬送ローラ24は、搬送方向に沿って配置されている。各搬送ローラ24の回転軸線は、搬送方向とは水平面内で垂直な方向に向けられ、互いに平行に二列に配置されて一組の移動経路が形成されている。
装着室33内の一組の移動経路の搬送ローラ24上には、基板搬送用のキャリア56が配置されている。
キャリア56は中央部分には粘着材55が配置されている。粘着剤55は露出され、キャリア56は、粘着剤55の露出された面が下方を向くようにされており、その状態でキャリア56の互いに平行な二個の縁部分が二列の搬送ローラ24上にそれぞれ乗せられ、搬送ローラ24がモータ等によって回転されて、キャリア56が一組の搬送経路上を移動される。
一組の移動経路を構成する搬送ローラ24の二列は、装着室33内では、左右位置に離間して配置されており、キャリア56は左右の縁部分が搬送ローラ24に乗せられるから、粘着材55の表面は、搬送ローラ24間で露出されている。
運搬用真空吸着装置57は、装着室33内の所定の装着場所に位置しており、キャリア56は運搬用真空吸着装置57に吸着された基板51の真上に位置したときに停止される。
装着場所の基板51よりも下方位置には昇降ピン58が立設されている。昇降ピン58を上昇させると、上端が基板51の鉛直下方を向く面に接触する。
その状態で、搬送用真空吸着装置57の真空吸着が解除され、基板51は搬送用真空吸着装置57から離間し、昇降ピン58上に移載される。
搬送用真空吸着装置57は、装着室33から装着室33の外部に移動させておく。
キャリア56の鉛直上方には、懸吊用真空吸着装置59が配置されている。キャリア56及び粘着材55には、懸吊用真空吸着装置59の下端を挿通できる挿通部54が形成されている。
懸吊用真空吸着装置59の下端をキャリア56の上方から挿通部54に挿通し、昇降ピン58上に配置された基板51の鉛直上方を向く面に接触させる。
図7(b)はその状態を示しており、次いで、懸吊用真空吸着装置59によって基板51を真空吸着して保持し、懸吊用真空吸着装置59を上昇させて、同図(c)に示すように、基板51の鉛直上方に向く表面を粘着材55に押し付けると、基板51はキャリア56に貼付され、基板51がキャリア56に固定され、基板51と粘着材55とキャリア56とから搬送対象物52が構成される。
基板51は、鉛直下方を向く表面が有機薄膜が形成される成膜面である。複数の昇降ピン58は、基板51の周辺に接触し、基板51の中央部分には接触しないようにして基板51を支持したが、懸吊用真空吸着装置59は、成膜面では無い表面にしか接触しないため、周辺部分だけではなく、中央部分にも接触することができる。従って、懸吊用真空吸着装置59は、基板51表面の吸着する部分の間隔を短くすることができ、昇降ピン58上の基板51は撓んでいても、懸吊用真空吸着装置59で懸吊した基板51は、撓みを無くすことができ、粘着材55には、撓みのない状態の基板51を接触させて接着することができる。
基板51が粘着材55に貼付されると、懸吊用真空吸着装置59を上方に移動させ、その下端を挿通部54から抜去させる。
装着室33の内部では、搬送対象物52は、搬送ローラ24に乗せられた状態であり、搬送ローラ24を回転させて、搬送対象物52を装着室33から振り分け待機室34に移動させる。
図1に示す振り分け待機室34内には、一乃至複数枚の搬送対象物52が配置されており、それら搬送対象物52の中から一枚が、搬送ローラ24の動作によって、振り分け待機室34内から振り分け室35内に向けて移動される。
振り分け室35内では、一個の搬入扉から振り分け室35内に搬送対象物52が搬入され、搬入された搬送対象物52は、振り分け室35内の所定の搬入位置に搬送される。
振り分け室35の出口側の壁面には、左方位置と、右方位置の二カ所に出口扉47a、47bが設けられており、搬送対象物52は、振り分け室35内で、左方位置の出口扉47a、又は、右方位置の出口扉47bのいずれか一方に向かって搬送され、その結果、搬送対象物52は左右に振り分けられるようになっている。
振り分け室35と、振り分け室35よりも後段の、搬入室36から合流室40までの各室36〜40と有機薄膜形成装置11〜17の内部は、左側と右側の二カ所の位置で扉又は真空バルブを介して接続されており、振り分け室35の左方位置の出口扉47aから搬出された基板と、右方位置の出口扉47bから搬出された基板は、左側の搬送経路と右側の搬送経路を別々に搬送されるようになっている。
振り分け室35の次段には、搬入室36が設けられている。
振り分け室35内に一枚ずつ搬入された搬送対象物52は、振り分け室35内部で左方と右方の位置に交互に振り分けられ、左側の出口扉47aと右側の出口扉47bからそれぞれ交互に大気圧雰囲気に置かれた搬入室36内に搬入される。
搬入室36の内部は、左方と右方に配置された二個の真空バルブ21a、21bによって、次段の前処理室37に接続されている。
有機薄膜形成装置11〜17等には、それぞれ真空排気装置が接続されており、搬入室36や搬出室39の内部が大気圧であっても、真空バルブ21a、21bが閉じられて、真空排気装置が動作すると、搬入室36と搬出室39との間の各装置11〜17と各室36〜39は、個別に真空排気可能である。
搬入室36と搬出室39の間の各室37、38と有機薄膜形成装置11〜17は予め真空排気して、内部をそれぞれ真空雰囲気にしておく。各室37、38と有機薄膜形成装置11〜17の内部は真空排気を継続する。
また、搬入室36と搬出室39の間の有機薄膜形成装置11〜17と各室36〜39は、左方と右方の二カ所の真空バルブ21a、21bによって互いに二カ所で接続されている。
搬入室36では、搬送対象物52を搬入室36内の左右位置のいずれか一方又は両方に搬入した後、左右の出口扉47a、47bを閉じ、搬入室36内を所定圧力まで真空排気し、搬入室36と前処理室37との間の真空バルブを開け、前処理室37内の左又は右のいずれか一方又は両方の位置に搬送対象物52を搬入する。
前処理室37内に配置された一又は二枚の搬送対象物52中の基板51の表面はプラズマ洗浄による前処理が行われる。
前処理が行われた搬送対象物52は、前処理室37と最初の有機薄膜形成装置11との間の真空バルブ21a、21bを開けて、最初の有機薄膜形成装置11内に搬入し、真空バルブ21a、21bを閉じ、有機薄膜形成装置11の内部を前処理室37の内部から分離させると、搬送対象物52中の基板51に有機薄膜を形成することができるようになる。
<有機薄膜形成装置の構成>
複数の有機薄膜形成装置11〜17は、構成は同じであり、同じ符号を付し、内部構造を図2(a)〜(c)に示して説明する。
図1に示すように、有機薄膜形成装置11〜17には、有機薄膜形成装置11〜17内で使用する有機薄膜用のマスクが保管されたマスク保管室10a、10bが接続されており、電極膜形成室38にも、電極膜形成室38で使用する電極膜用のマスクが保管された電極マスク保管室49a、49bが接続されている。
図2及び後述する図4〜6に記載された各図では、マスク保管室10a、10bは省略してある。
図2(a)は、真空槽23の内部構造を説明するための平面図であり、同図(b)は、同図(a)のB−B線切断断面図、同図(c)は、同図(a)のA−A線切断断面図である。
各有機薄膜形成装置11〜17は、真空槽23を有している。
真空槽23は、一の壁面を入口側壁面とし、その壁面と対向した壁面を出口側壁面とし、真空槽23の外部から入口側壁面を見たときに、入口側壁面の左位置と右位置とに、真空バルブ21a、21bがそれぞれ設けられている。真空槽23内には、その真空バルブ21a、21bを開けて、搬送対象物52を搬入する。
出口側壁面にも、真空槽23の内部から出口側壁面を見たときに、左位置と右位置に、真空バルブ21a、21bがそれぞれ設けられており、その真空バルブ21a、21bを開け、真空槽23内の搬送対象物52を真空槽23の外部に搬出するようになっている。
左位置の入口となる真空バルブ21aと、左位置の出口となる真空バルブ21aは対面し、また、右位置の入口となる真空バルブ21bと右位置の出口となる真空バルブ21bも対面している。
真空槽23内の搬送ローラ24は、対面する真空バルブ21a、21b間に亘って二列ずつ配置されており、回転する搬送ローラ24により、入口側の左位置の真空バルブ21aから真空槽23内に搬入された搬送対象物52が、真空槽23内を移動して、出口側の左位置の真空バルブ21aから搬出される左搬送経路22aが形成され、また、入口側の右位置の真空バルブ21bから真空槽23内に搬入された搬送対象物52が、真空槽23内を移動して、出口側の右位置の真空バルブ21bから搬出される。右搬送経路22bが形成されている。
左搬送経路22a又は右搬送経路22b上で搬送対象物52を移動させる際には、搬送ローラ24は、キャリア56の進行方向に沿って伸びる左辺付近の縁部分と右辺付近の縁部分に接触しながら回転し、搬送対象物52を移動させる。
左搬送経路22a上の搬送対象物52と、右搬送経路22b上の搬送対象物52とは、真空槽23内で、別々に移動でき、又、一緒にも移動できるようにされている。
各有機薄膜形成装置11〜17の真空槽23内の底壁上には、それぞれ蒸気放出装置26が設けられている。
ここでは、蒸気放出装置26は、真空槽23内の、左搬送経路22aに対面する位置に配置された左放出装置26aと、右搬送経路22bに配置された右側の右放出装置26bとを有している。
左搬送経路22a又は右搬送経路22b上で搬送対象物52が移動する際は、基板51は、成膜面を鉛直下方に向けて露出されており、搬送対象物52は、基板51の成膜面が、左放出装置26a又は右放出装置26bと対面する位置で静止される。
<蒸気の切り替え方法>
図8に示すように、蒸気放出装置26は、蒸気供給装置60に接続され、蒸気供給装置60から有機化合物蒸気が供給されている。蒸気放出装置26と蒸気供給装置60の間には、トラップ装置64が設けられている。
蒸気供給装置60は、蒸気生成装置61と、サンプリング装置63とを有している。
蒸気生成装置61は、一又は二台以上の蒸発源61a、61bを有しており、各蒸発源61a、61bは、内部に有機化合物が配置される容器をそれぞれ有している。
ここでは、二台の蒸発源61a、61bが配置され、一方の蒸発源61aには発光層の母材となるホストの有機化合物が配置され、他方の蒸発源61bには、発光層に含有され、発光層の発光色を決定するドーパントが配置されており、各蒸発源61a、61bがそれぞれ有する加熱装置によって、その容器に配置された有機化合物の一部又は全部を昇温させて、各蒸発源61a、61b毎に有機化合物蒸気を生成するように構成されている。ホストの有機化合物蒸気とドーパントの有機化合物蒸気がそれぞれ生成される。
蒸気放出装置26には、蒸気切替装置62が設けられており、各蒸発源61a、61bは、トラップ装置64を介して、蒸気切替装置62にそれぞれ接続されている。また、蒸気切替装置62は、左放出装置26aと右放出装置26bとに接続されており、左放出装置26aと右放出装置26bとは、トラップ装置64と蒸気切替装置62とを介して供給された有機化合物蒸気を、対面する左又は右搬送経路を移動した搬送対象物52に向けて放出するように構成されている。
蒸気切替装置62とトラップ装置64の内部構成と接続状態を説明すると、トラップ装置64は、蒸発源61a、61bの個数と同数のトラップ部64a、64bと、トラップ用三方弁64c、64dとを有しており、蒸気切替装置62は、蒸発源61a、61bと同個数の放出用三方弁62a、62bを有している。
放出用三方弁62a、62bとトラップ用三方弁64c、64dとは、接続口をそれぞれ三個ずつ有している。
各有機薄膜形成装置11〜17は、制御装置20をそれぞれ有しており、放出用三方弁62a、62bとトラップ用三方弁64c、64dは制御装置20に電気的に接続され、制御装置20が送信する電気信号によって、接続する二個の接続口を選択するように構成され、選択された接続口の間を接続して、選択された接続口の間を気体が通流できるようにされている。
各トラップ用三方弁64c、64dは、三個の接続口のうち、一個目の接続口をそれぞれ異なる蒸発源61a、61bに接続され、二個目の接続口をトラップ部64a、64bに接続され、三個目の接続口を、それぞれ異なる放出用三方弁62a、62bの一個目の接続口に接続されている。
複数の放出用三方弁62a、62bは、二個目の接続口を、左放出装置26aにそれぞれ接続され、三個目の接続口を右方放出装置26bにそれぞれ接続されている。
従って、制御装置20によるトラップ用三方弁64c、64dの接続口の選択により、各蒸発源61a、61bは、内部をトラップ部64a又は64bに接続されるか、又は、異なる放出用三方弁62a、62bに接続されるようになっている。
制御装置20が、各蒸発源61a、61bの内部を放出用三方弁62a、62bに接続した状態では、制御装置20の放出用三方弁62a、62bの接続口の選択により、蒸発源61a、61bの全部が左放出装置26aに接続されるか、又は、全部が右放出装置26bに接続されるようになっている。
つまり、各蒸発源61a、61bの内部は、左右放出装置26a、26bのうち、同じ放出装置26a又は26bに接続されるのであり、各蒸発源61a、61b内で生成された有機化合物蒸気は、左放出装置26a又は右方放出装置26bのいずれか一方に供給され、混合されて真空槽23内に放出されるようになっている。
真空槽23の外部には、キャリアガス供給装置67a、67bが配置されている。
各蒸発源61a、61bは、それぞれキャリアガス供給装置67a、67bに接続されており、有機化合物蒸気が生成されるときはキャリアガス供給装置67a、67bから各蒸発源61a、61bにキャリアガスが供給される。従って、有機化合物蒸気は、蒸発源61a、61b内に、キャリアガスと共に供給される。キャリアガスは、希ガスであり、Arガスが使用される場合がある。
他方、トラップ用三方弁64c、64dが、各蒸発源61a、61bの内部を放出用三方弁62a、62bに接続しない状態では、トラップ用三方弁64c、64dは、各蒸発源61a、61bを、トラップ装置64に接続する。
制御装置20は、各蒸発源61a、61bは、全部がトラップ部64a、64bに接続されるか、又は、全部が放出用三方弁62a、62bに接続されるようになっている。
トラップ部64a、64bに接続される場合は、各蒸発源61a、61bは、異なるトラップ部64a、64bに接続されるようになっており、各蒸発源61a、61b内で生成された有機化合物蒸気は、異なるトラップ部64a、64b内に、キャリアガスと共に導かれる。
各トラップ部64a、64bには冷却装置が設けられている。各トラップ部64a、64bは、流入する有機化合物蒸気の蒸発温度よりも低温に冷却されており、キャリアガスと共に流入した有機化合物蒸気は、トラップ部64a、64bで冷却されて析出する。キャリアガスは析出せず、真空槽23の内部に放出されて真空排気される。
各蒸発源61a、61b内で生成された有機化合物蒸気は異なる化合物であるが、それらの有機化合物は蒸発源61a、61b毎に異なるトラップ部64a、64bで析出するから混じり合うことが無く、蒸発源61a、61b毎に有機化合物を回収して再利用することができる。
なお、ここではサンプリング装置63は、配管内を流れる気体を微少量サンプリングして、真空槽23内に放出させるサンプル口63a、63bで構成されており、サンプル口63a、63bは、蒸発源61a、61bとトラップ用三方弁64c、64dとを接続する配管に設けられている。
従って、サンプリング装置63は有機化合物蒸気が流れる経路の蒸気生成装置61とトラップ装置64の間の位置に配置されていることになり、有機化合物蒸気がトラップ部64a、64bに導かれるときと、蒸気放出装置26に導かれるときの両方とも、サンプル口63a、63bでサンプリングできるようになっている。
サンプル口63a、63bは真空槽23内に位置する配管に設けられており、真空槽23内で、各サンプル口63a、63bと近接して対向した位置には膜厚センサ66a、66bが配置されている。
従って、蒸発源61a、61b内で生成された有機化合物蒸気は、サンプル口63a、63bから蒸発源61a、61b毎に微少量サンプリングされて放出され、サンプル口63a、63bと対向して配置された膜厚センサ66a、66bに付着し、サンプリングによる有機薄膜が形成される。
各膜厚センサ66a、66bは、形成された有機薄膜の厚みを測定し、制御装置20に出力しており、制御装置20は、各膜厚センサ66a、66bから入力された測定値から、厚みの増分と、それに要した時間から蒸発源61a、61b毎に有機薄膜の成長速度を算出し、算出結果から、蒸発源61a、61b毎に有機化合物の蒸気の生成速度を求めている。
そして、制御装置20は、各蒸発源61a、61b内での蒸気生成速度が所望の値になるように、各蒸発源61a、61bの加熱量を制御している。
また、左放出装置26aと右放出装置26bの近傍にも、膜厚センサ68a、68bが配置されており、真空槽23内で放出された有機化合物蒸気の一部は膜厚センサ68a、68bに付着し、膜厚センサ68a、68bに有機薄膜が形成される。
膜厚センサ68a、68bは、膜厚を制御装置20に出力すると、制御装置20により、形成された有機薄膜の膜厚と付着時間から、真空槽23内への蒸気放出速度が測定される。
左放出装置26aと右放出装置26bの近傍に配置された膜厚センサ68a、68bの測定値と、サンプル口63a、63bに対向して配置された膜厚センサ66a、66bの測定値の両方によって、蒸発源61a、61bの加熱を制御するようにしてもよい。
なお、蒸気供給装置60は、真空槽23の内部に配置されており、真空槽23が真空雰囲気にされると、蒸気生成装置61と、蒸気切替装置62と、サンプリング装置63と、トラップ装置64と、それらを接続する配管も真空雰囲気に置かれるようになっている。
蒸気供給装置60内の蒸気生成装置61と、蒸気切替装置62と、サンプリング装置63と、トラップ装置64(トラップ部64a、64bを除く)と、それらを接続する配管とは、固体又は液体の有機化合物が有機化合物蒸気を生成する蒸発温度以上の温度に昇温されており、有機化合物が析出しないようにされている。
なお、有機化合物蒸気が流れる配管は、真空槽23内に配置され、真空槽23の壁面とは接触しないようにされており、配管が真空槽23によって冷却され、配管内に有機化合物が析出しないようにされている。
<有機薄膜形成装置内での成膜方法>
薄膜の形成手順について説明すると、搬送対象物52が搬送ローラ24上にそれぞれ乗り、各有機薄膜形成装置11〜17の真空槽23の内部に搬入される。
搬入された搬送対象物52は、真空槽23内部の搬送ローラ24を回転させて左又は右搬送経路22a、22bを移動させ、左又は右放出装置26a、26b上で静止させる。
図3(a)は、搬送対象物52が真空槽23内に搬入されたときの真空槽23内部の状態を示している。左搬送経路22a上で静止する搬送対象物52と左放出装置26aの間には、左側のマスク71が予め配置されており、右搬送経路22b上で静止する搬送対象物52と右放出装置26bの間には、右側のマスク71が予め配置されている。
これらのマスク71は枠72に取り付けられている。
左搬送経路22aと、右搬送経路22bには、それぞれマスク支持装置73が配置されており、枠72がマスク支持装置73上に乗せられた状態で、マスク71が、左放出装置26a又は右放出装置26bと対面するようにされている。
搬送対象物52中の基板51の成膜面は、左又は右放出装置26a、26bに向いている。
有機薄膜形成装置11〜17内の左搬送経路22aと、右搬送経路22bとには位置合わせ装置70がそれぞれ配置されている。
位置合わせ装置70は、カメラ74と、マスク移動装置75と、フック76と、フック76を移動させるフック移動装置79と、カメラ74と、マスク移動装置75と、フック移動装置76との動作を制御する移動制御器65とを有している。
フック76と、フック移動装置79とは、真空槽23の上部に配置されており、移動制御器65はフック移動装置79を動作させ、フック移動装置79によってフック76の先端を上方から下方に降下させ、図3(b)に示すように、静止させた搬送対象物52の端部下面の搬送ローラ24から露出する部分にフック76を掛け、フック76を上方に移動させて、搬送対象物52を搬送ローラ24上から持ち上げる。
マスク支持装置73は、マスク移動装置75に取り付けられており、移動制御器65はマスク移動装置75を動作させ、マスク移動装置75によって、マスク支持装置73を基板51が位置する方向に移動させ、マスク71を基板51に近づける。
このとき、マスク71と基板51とは接触させず、非接触の状態にしておく。
カメラ74は真空槽23内に配置されており、カメラ74によって、マスク71に形成されたアラインメントマークと、基板51に形成されたアラインメントマークとを撮影し、移動制御器65に撮影結果を出力する。
移動制御器65は、撮影結果から、マスク71のアラインメントマークと基板51のアライメントマークが所定の相対位置になるように、マスク移動装置75とフック移動装置79のいずれか一方又は両方を動作させ、マスク支持装置73又はフック76のいずれか一方又は両方を移動させ、基板51とマスク71とを相対的に直線移動又は回転移動させて位置合わせを行う。ここでは、撮影しているマスク71のアラインメントマークと基板51のアラインメントマークとが、重なる位置関係にする。
基板51とマスク71の位置合わせがされたところで位置合わせ工程は終了し、移動制御器65によって、マスク移動装置75とフック移動装置79のいずれか一方又は両方を動作させ、マスク支持装置73又はフック76のいずれか一方又は両方を移動させてマスク71と基板51とを近接させ、図3(c)のように、マスク71と基板51の成膜面に接触させる。
搬送対象物52の基板51が配置された面とは反対側の面側には、支持台77に取り付けられた磁石78が、搬送対象物52と対面して配置されている。
支持台77は、搬送対象物52に近接又は離間する方向に移動できるようにされており、磁石78は、搬送対象物52が搬入され、位置合わせ工程が行われる間は、搬送対象物52から離間されており、マスク71が基板51と接触した後、支持台77は搬送対象物52に近接され、図3(c)に示すように、磁石78が搬送対象物52のキャリア56と接触する。
マスク71は磁石78に磁気吸着される材料で構成されており、マスク71は磁気吸引されると、基板51の表面に密着され、磁石78がキャリア56に接触している間は、その状態が維持される。
この状態では、マスク71と磁石78が、搬送対象物52を間に挟んで互いに固定されており、マスク71と、搬送対象物52と、磁石78とが一体とされた左成膜対象物50a又は右成膜対象物50bが形成される。
そして、フック76が上昇され、同図(d)に示すように、左又は右成膜対象物50a、50bが搬送ローラ24上に乗せられると、有機薄膜を形成できる状態になる。
蒸気生成装置61から供給された有機化合物蒸気とキャリアガスとは、左右放出装置26a、26bのいずれか一方から真空槽23内に放出される場合と、左右放出装置26a、26bの両方から放出されない場合とがあるが、本実施例では、左右放出装置26a、26bは、有機薄膜を形成できる左又は右成膜対象物50a、50bが対面して配置されていないと、有機化合物蒸気を放出させないように構成されている。
左右放出装置26a、26bから有機化合物蒸気とキャリアガスとが放出されない状態では、トラップ用三方弁64c、64dが、蒸気生成装置61で生成された有機化合物蒸気を蒸気放出装置26に導かず、トラップ部64a、64bに導いている状態であり、有機化合物蒸気とキャリアガスは、トラップ部64a、64bに導かれ、蒸発温度よりも低温に冷却されて有機化合物が析出され、トラップ部64a、64bを取り外して回収することができる。
他方、左右放出装置26a、26bのいずれか一方から真空槽23内に放出する場合は、有機化合物蒸気は、左搬送経路22a又は右放出経路22bに向けて放出されるように構成されている。
本実施例では、左放出装置26aと右放出装置26bは、真空槽23内で静止しており、有機薄膜が形成される基板51とマスク71も、左又は右搬送経路22a、22b上で静止した状態にある。
キャリアガスと有機化合物蒸気の進行方向には、左成膜対象物50a、又は右成膜対象物50bが位置しており、左搬送経路22aに向けて放出された有機化合物蒸気は、左成膜対象物50aのマスク71の開口を通過して基板51の成膜面に到達し、同様に、右搬送経路22bに向けて放出された有機化合物蒸気は、右成膜対象物50bのマスク71開口を通過して基板51の成膜面に到達する。
このように、キャリアガスと有機化合物蒸気が、左放出装置26aと右放出装置26bのいずれか一方から放出される際には、放出される有機化合物蒸気が到達して薄膜が形成される成膜位置に、基板51が配置されている。
従って、位置合わせ装置は、左右搬送経路22a、22bの両方の成膜位置にそれぞれ配置されており、マスク71との位置合わせがされた基板51の成膜面上には、マスク71の開口を通過して到達した有機化合物蒸気により、パターニングされた有機薄膜が形成される。
本発明の実施例では、左右搬送経路22a、22bのうち、一方で左又は右成膜対象物50a又は50bの基板51表面に有機薄膜を形成している間に、他方では、成膜後のマスク71の分離、搬出、成膜前の搬送対象物の搬入、その搬送対象物とマスク71の位置合わせを行う。
その結果、左右搬送経路22a、22bのうち、一方の搬送経路22a又は22bでの有機薄膜形成の終了後、放出用三方弁62a、62bを切換えるだけで、有機化合物蒸気をトラップ部64a、64bに導かず、他方の搬送経路22a又は22bで有機薄膜形成を開始することができる。
即ち、トラップ部64a、64bに有機化合物蒸気を導くことなく左搬送経路22aと右搬送経路22bに交互に有機化合物蒸気を到達させ、左搬送経路22aと右搬送経路22bで交互に有機薄膜の形成を行うことができる。
但し、本発明の放出用三方弁62a、62bは、蒸気生成装置61を左放出装置26aと右放出装置26bのいずれか一方に接続し、いずれか一方の放出装置26a又は26bから、有機化合物蒸気を放出させることに加え、左方出装置26aと右放出装置26bの両方を蒸気生成装置61に接続して、両方から有機化合物蒸気を放出させることができるように構成されていてもよい。
左又は右成膜対象物50a、50bの基板51上に形成される有機薄膜の膜厚は、上述するように、左右放出装置26a、26bの近傍に配置された膜厚センサ68a、68b(図8)によって測定されており、有機薄膜が所定の膜厚に形成されると、左右成膜対象物50a、50bから搬送対象物52が分離され、左搬送経路22a上の搬送対象物52は、左位置の真空バルブ21aから次段の有機薄膜形成装置12〜17(又は、電極膜形成室38)に搬出され、右搬送経路22b上の搬送対象物52は、右位置の真空バルブ21bから、次段の有機薄膜形成装置12〜17(又は、電極膜形成室38)に搬出される。
左右成膜対象物50a、50bから分離されたマスク71と磁石78は真空槽23内に残る。
キャリア56に貼付された基板51の成膜面に有機薄膜が形成された搬送対象物52が真空槽の外部に搬出された後、未形成の基板51を有する搬送対象物52が真空槽23内に搬入され、左又は右搬送経路22a、22bを移動して、左又は右放出装置26a、26b上で静止し、残されたマスク71と磁石78とで新しい左又は右成膜対象物50a、50bが構成され、基板51表面に有機薄膜が形成される。
このように、各有機薄膜形成装置11〜17の真空槽23内では、真空槽23内に配置されたマスク71を用いて複数の基板51の成膜面に有機薄膜が形成される。
本例では、図1に示した有機薄膜形成装置11〜17内では、搬入室36側から順番に、ホール注入層(HIL)、ホール輸送層(HTL)、赤色発光層(EMLR)、緑色発光層(EMLG)、青色発光層(EMLB)、電子輸送層(ETL)、電子注入層(EIL)(本例では電子注入層に有機薄膜を用いているが、金属薄膜を用いることもできる)を形成するようにされており、有機薄膜を積層させた後、電極膜形成室38に搬入する。
ここでは、電極膜形成室38はスパッタリング装置であり、電極膜形成室38内で、電子注入層上に電極薄膜を形成した後、搬出室39に搬出する。電極膜形成室38内と搬出室39内でも、搬送対象物52は、左搬送経路22aと右搬送経路22bを別々に移動しており、前処理室37、有機薄膜形成装置11〜17、電極膜形成室38の真空状態を維持しながら、搬出室39の左位置の扉48aと右位置の扉48bとから、搬送対象物52が搬出され、大気圧下の合流室40に搬入される。
合流室40の内部では、左位置の扉48aと右位置の扉48bとから搬入され、合流室40の内部を移動する搬送対象物52が合流され、同じ搬送経路を移動するようになっている。
従って、合流室40に設けられた一カ所の搬出側の扉から搬出し、待機室41に搬入した後、分離室42内に搬入し、搬送対象物52を、キャリア56と基板51とに分離する。
分離された基板51は分離室42から次の処理を行う処理装置46に搬送する。分離されたキャリア56は、パージ室44に搬送する。
処理装置46では、基板51から有機表示装置を形成するための処理を行い、パージ室44内は、キャリア56の搬送される雰囲気の圧力を上げて大気圧にし、キャリア56に、大気圧雰囲気のキャリアリターン室45を通過させ、装着室33に戻す。
装着室33では、戻したキャリア56に、移載室32内の基板搬送ロボットによって準備室31a、31bから搬入された基板51を装着する。
以上説明したように、蒸気生成装置61で生成した有機化合物蒸気は、同一真空槽23内の左又は右搬送経路22a、22bのいずれか一方に供給することができる。従って、左又は右のいずれか一方の搬送経路22a又は22bに位置する基板51表面に有機薄膜を形成している間に、他方の搬送経路22a又は22bでも基板51表面に有機薄膜を形成できる状態にすれば、左又は右の一方の搬送経路22a、22bに位置する基板51の成膜面に有機薄膜を形成した後、左又は右のうちの他方の搬送経路22a又は22bに位置する基板51の成膜面への有機薄膜形成を開始できるようにすることができ、左又は右搬送経路22a、22b上の基板51の間で、交互に有機薄膜を形成することになる。
これにより、マスク71の位置合わせや搬入・搬出の間も蒸発源61a、61bを使用することができるため、有機化合物材料の無駄を少なくすることができる。
基板表面への有機薄膜形成後、その基板を搬出して未形成の基板を同じ場所に搬入して有機薄膜の形成を開始する場合は有機薄膜を形成できない時間が発生するため、本発明は、それに比べて有機化合物の使用効率が高くなる。
左搬送経路22aと右搬送経路22bの間は上部が凸状で狭くなっており、左又は右搬送経路22a、22bの一方に向けて放出された蒸気が、他方の左又は右搬送経路22a、22b上に位置する基板51に到達しない様に構成されていることが好ましい。
<他の例>
上記実施例では、左搬送経路22aと右搬送経路22bに、互いに内部が分離された左放出装置26aと右放出装置26bを配置し、有機化合物蒸気の供給を交互に切り替えて、有機化合物蒸気を交互に放出させており、上記実施例では、有機薄膜形成中に、左又は右放出装置26a、26bと基板51とを互いに静止させていたが、本発明はその場合に限定されるものではない。
真空槽内を移動可能な放出装置を設け、左搬送経路に位置する基板に有機薄膜を形成するときは、放出装置を左搬送経路に対面している位置で静止させ、左搬送経路に位置する基板に向けて有機化合物蒸気及びキャリアガスを放出させ、その基板の成膜面に有機薄膜が形成された後、右搬送経路に位置する基板に有機薄膜を形成するときは、放出装置を左搬送経路に対面する位置から、右搬送経路に対面する位置に移動させ、放出装置を静止させて、右搬送経路に位置する基板に向けて有機化合物蒸気及びキャリアガスを放出させて有機薄膜を形成するようにしてもよい。基板には、マスクを配置しておいてもよい。
この場合、有機薄膜形成中に放出装置を移動させてもよい。例えば、図4(a)〜(c)の真空処理装置2は、移動する有機薄膜形成装置11’〜17’では、移動する細長放出装置27を有しており、この細長放出装置27は、左右搬送経路22a、22bに沿った方向に細長く形成されている。
この細長放出装置27が基板51とマスク71を介して対面して有機化合物蒸気を放出すると、有機化合物蒸気は、細長放出装置27の長手方向では、基板51の端部から端部まで、マスク71に有機化合物蒸気が到達するが、細長い方向では、マスク71の一部の領域にしか有機化合物蒸気は到達しない。
細長放出装置27には、細長い方向とは直角方向に移動する移動装置が設けられており、細長放出装置27は、左右搬送経路22a、22b上に静止した成膜対象物50a、50b中の基板51の成膜面と平行な平面内で、左右搬送経路22a、22bの方向とは垂直な方向(細長い方向)に移動できるようにされており、このような移動は、有機化合物蒸気とキャリアガスを放出させながら行って、基板51の成膜面に向かって、マスク71を介して、有機化合物蒸気を放出すると、パターニングされた有機薄膜が形成される。
この場合、細長放出装置27は、真空槽23’内で、繰り返して往復移動することができるので、真空槽23’の形状を、細長放出装置27に、基板51と対面する範囲よりも広範囲移動しながら有機化合物蒸気を放出させるため、真空槽23’の左右搬送経路22a、22bの両側位置に左折返し領域29aと右折返し領域29bとを設け、細長放出装置27の往復移動の折返し点が左折返し領域29aと右折返し領域29b内に位置させ細長放出装置27が、基板51の外周よりも外側に位置できるようにされている。
その結果、細長放出装置27を真空槽23’内で移動させる際に、基板51の成膜面の全部が直接又はマスク71を介して、移動する細長放出装置27と対面できるようになる。
有機薄膜を形成する際の左搬送経路22a上の基板51の位置と、右搬送経路22b上の基板51の位置との間の中央の位置を始点とし、細長放出装置27が始点を出発し、左又は右のいずれかの折返し領域29a又は29bに到着すると反対方向に移動し、始点に戻ったときに一往復の移動が終了するものとすると、細長放出装置27の移動速度を調節することにより、その一往復移動する間に、左又は右搬送経路22a、22b上で静止した成膜対象物50a、50bの基板51の成膜面に有機薄膜を形成することができる。
図5(a)〜(c)と、図6(a)〜(c)は、この有機薄膜形成装置11’〜17’の真空槽23’内での細長放出装置27の移動を説明するための図であり、先ず、細長放出装置27が中央の位置に配置された状態(図5(a)、図6(a))から、有機化合物蒸気(及びキャリアガス)を放出しながら移動を開始し、有機化合物蒸気を継続して放出させ、右搬送経路22bに位置する成膜対象物50bの基板51と対面しながら移動し、右折返し領域29bに到着し(図5(b)、図6(b))、折り返して反対方向に移動させると、中央の位置に到着したところで、基板51には、所望膜厚の有機薄膜が形成されるようにすることができる。この場合、往動と復動の間に二回の有機薄膜形成が行われ、二枚の基板51には二層の有機薄膜が形成される。
なお、膜厚を厚くする場合は、細長放出装置27の移動速度を遅くしてもよいし、又は、一枚の基板51に対して細長放出装置27を複数回往復移動させて厚い有機薄膜を形成することができる。
この往復移動の間、左搬送経路22a上には、左成膜対象物50aが成膜可能な状態で静止されており、中央の始点から左折返し領域29aとの間で往復移動させ、その間、右搬送経路22b上で、成膜済みの右成膜対象物50bから搬送対象物52を分離し、真空槽23’内にマスク71を残して、成膜済みの基板51が配置された搬送対象物52を搬出し、成膜前の基板51が配置された搬送対象物52を搬入し、図3(a)〜(c)を参照しながら上述したように、右成膜対象物50bを構成して有機薄膜形成可能な状態にした後、始点から右折返し領域29bとの間で往復移動させると、右成膜対象物50bの基板51に有機薄膜を形成することができる。
そして、細長放出装置27が、左又は右成膜対象物50a、50bの基板51と対面していないときは、有機化合物蒸気をトラップ装置64に導いて、有機化合物を回収することもできる。
例えば、複数の基板51に対する有機薄膜形成工程の開始や終了時の他、細長放出装置27が、始点位置や折返し位置の近くに位置するときには、有機化合物蒸気をトラップ装置に導き、有機化合物を回収するようにしても良い。
上記実施例では、基板51とキャリア56とで搬送対象物52を構成して搬送していたが、本発明には、キャリア56を用いずに搬送する場合も含まれる。
1、2……真空処理装置
11〜17……有機薄膜形成装置
22a……左搬送経路
22b……右搬送経路
23、23’……真空槽
26……放出装置
26a……左放出装置
26b……右放出装置
50a……左成膜対象物
50b……右成膜対象物
51……基板
52……搬送対象物
56……キャリア
61……蒸気生成装置
62……蒸気切替装置
64……トラップ装置
71……左側マスク、右側マスク

Claims (9)

  1. 真空雰囲気中で基板の表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成装置を複数個有する真空処理装置であって、
    前記有機薄膜形成装置は、
    有機化合物蒸気を生成する蒸気生成装置と、
    真空槽と、
    前記真空槽の入口側壁面の左位置から搬入された前記基板を前記真空槽内で移動させる左搬送経路と、
    前記真空槽の前記入口側壁面の右位置から搬入された前記基板を前記真空槽内で移動させる右搬送経路と、
    前記左搬送経路の一部分と対面して配置された左側マスクと、
    前記右搬送経路の一部分と対面して配置された右側マスクと、
    前記蒸気生成装置で生成された前記有機化合物蒸気を前記左搬送経路又は右搬送経路の、少なくともいずれか一方に向けて放出する蒸気放出装置と、
    を有し、
    前記左搬送経路に向けて放出され、前記左側マスクの開口を通過した前記有機化合物蒸気は、前記左搬送路を移動した前記基板の表面に到達し、前記右搬送経路に向けて放出され、前記右側マスクの開口を通過した前記有機化合物蒸気は、前記右搬送路を移動した前記基板の表面に到達するように構成され、
    前記左搬送経路を移動されて前記有機薄膜が形成された前記基板と、前記右搬送経路を移動されて前記有機薄膜が形成された前記基板とは、異なる位置から前記真空槽の外部に移動されるようにされ
    前記蒸気放出装置は、前記左側マスクと対面する位置に配置され、前記左側マスクに向けて前記有機化合物蒸気を放出する左放出装置と、前記右側マスクと対面する位置に配置され、前記右側マスクに向けて前記有機化合物蒸気を放出する右放出装置とを有し、
    前記蒸気生成装置と前記左放出装置の間と、前記蒸気生成装置と前記右放出装置の間とには、蒸気切替装置が設けられ、
    前記蒸気切替装置によって、前記蒸気生成装置内で生成された前記有機化合物蒸気を、前記左放出装置に供給して前記右放出装置に供給しない左側成膜状態と、前記左放出装置に供給せずに前記右放出装置に供給する右側成膜状態との、いずれの状態にもできるようにされ、
    前記真空槽内にはトラップ装置が配置され、前記左側成膜状態と前記右側成膜状態に加え、前記有機化合物蒸気を前記左放出装置と前記右放出装置の両方に供給せず、前記トラップ装置に供給する成膜待機状態にもできるようにされた真空処理装置。
  2. 前記左放出装置と前記右放出装置は、前記真空槽に対して静止された請求項記載の真空処理装置。
  3. 前記蒸気生成装置で生成される前記有機化合物蒸気には、二種類以上の有機化合物が含まれる請求項1又は請求項のいずれか1項記載の真空処理装置。
  4. 前記有機薄膜形成装置には、前記有機薄膜形成装置内に配置する左側マスク又は右側マスクを複数枚保管して、前記有機薄膜形成装置に供給できるマスク保管室が接続された請求項1乃至請求項のいずれか1項記載の真空処理装置。
  5. 真空槽内で基板の成膜面にマスクを配置し、蒸気生成装置で生成された有機化合物蒸気を前記基板の表面に向けて放出し、前記有機化合物蒸気に前記マスクの開口を通過させて、前記成膜面にパターニングした有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法であって、
    前記真空槽内に、左搬送経路と右搬送経路を設定し、前記左搬送経路に面する位置と、前記右搬送経路に面する位置に、それぞれ前記マスクを配置しておき、
    前記左搬送経路と前記右搬送経路に別々に前記基板を配置して移動させ、前記左搬送経路上で前記基板に前記マスクを配置して、前記有機化合物蒸気を前記右搬送経路に向けて放出せず、前記左搬送経路に向けて放出して、パターニングした前記有機薄膜を形成する左薄膜形成工程と、
    前記右搬送経路上で前記基板に前記マスクを配置して、前記有機化合物蒸気を前記左搬送経路に向けて放出せず、前記右搬送経路に向けて放出し、パターニングした前記有機薄膜を形成する右薄膜形成工程とを繰り返し行う有機薄膜形成方法において、
    前記真空槽内に、前記左搬送経路に対面して左放出装置を配置し、前記右搬送経路に対面して右放出装置を配置しておき、
    前記有機化合物蒸気は、前記左薄膜形成工程では前記左放出装置から放出させ、前記右薄膜形成工程では前記右放出装置から放出させ、
    前記真空槽内にトラップ装置を配置し、前記左薄膜形成工程と前記右薄膜形成工程に加え、前記有機化合物蒸気を前記左放出装置と前記右放出装置との両方に供給せず、前記トラップ装置に供給する成膜待機工程を有する有機薄膜形成方法。
  6. 真空雰囲気中で基板に有機薄膜を形成する真空処理装置であって、
    前記真空雰囲気中で成膜が行われる第一の成膜位置と、第二の成膜位置と、
    前記第一の成膜位置に前記基板を搬送する第一の搬送手段と、前記第二の成膜位置に前記基板を搬送する第二の搬送手段と、
    前記第一の成膜位置に有機材料の蒸気を放出する第一の蒸気放出手段と、前記第二の成膜位置に有機材料の蒸気を放出する第二の蒸気放出手段と、
    前記第一の蒸気放出手段と前記第二の蒸気放出手段とに接続された共通の蒸気生成手段と、
    前記蒸気生成手段と前記第一の蒸気放出手段および前記第二の蒸気放出手段の間に設けられ、前記蒸気生成手段と前記第一の蒸気放出手段または前記第二の蒸気放出手段との接続を切り替える蒸気切替手段と、
    前記蒸気切替手段の切り替えを制御する制御装置と、
    を有し、
    さらに、前記真空雰囲気中にトラップ装置を有し、
    前記蒸気切替手段は、前記蒸気生成手段と前記トラップ装置とを接続可能であり、
    前記制御装置は、前記蒸気生成手段と、前記第一の蒸気放出手段および前記第二の蒸気放出手段と、を接続しないときに、前記蒸気生成手段と前記トラップ装置とを接続するように前記蒸気切替手段を制御する真空処理装置。
  7. 前記制御装置は、前記第一の蒸気放出手段と前記第二の蒸気放出手段が、交互に前記蒸気生成手段と接続されるように前記蒸気切替手段を切り替える、請求項記載の真空処理装置。
  8. 前記第一の成膜位置には、前記基板とマスクを位置合わせする第一の位置合わせ装置が配置され、
    前記第二の成膜位置には、前記基板とマスクを位置合わせする第二の位置合わせ装置が配置された請求項又は請求項のいずれか1項記載の真空処理装置。
  9. 前記制御装置は、前記第一の成膜位置で前記基板の搬入と、前記基板とマスクとの位置合わせと、前記基板の搬出との少なくともいずれかが行われている間に、前記第二の蒸気放出手段と前記蒸気生成手段を接続する請求項乃至請求項のいずれか1項記載の真空処理装置。
JP2012535030A 2010-09-22 2011-09-20 真空処理装置及び有機薄膜形成方法 Active JP5634522B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012535030A JP5634522B2 (ja) 2010-09-22 2011-09-20 真空処理装置及び有機薄膜形成方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010212611 2010-09-22
JP2010212611 2010-09-22
PCT/JP2011/071349 WO2012039383A1 (ja) 2010-09-22 2011-09-20 真空処理装置及び有機薄膜形成方法
JP2012535030A JP5634522B2 (ja) 2010-09-22 2011-09-20 真空処理装置及び有機薄膜形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012039383A1 JPWO2012039383A1 (ja) 2014-02-03
JP5634522B2 true JP5634522B2 (ja) 2014-12-03

Family

ID=45873870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012535030A Active JP5634522B2 (ja) 2010-09-22 2011-09-20 真空処理装置及び有機薄膜形成方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5634522B2 (ja)
TW (1) TW201230235A (ja)
WO (1) WO2012039383A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6232272B2 (ja) * 2013-12-06 2017-11-15 株式会社アルバック 位置合装置、薄膜形成装置
JP2019528370A (ja) * 2017-08-17 2019-10-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated いくつかのマスクを取り扱うための方法、基板を処理するための方法、及び基板をコーティングするための装置
KR20190108553A (ko) * 2018-03-12 2019-09-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판의 자동 광학 검사를 위한 장치 및 방법
KR20210081597A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 시스템 및 전자 디바이스 제조방법
JP7162631B2 (ja) * 2020-03-13 2022-10-28 キヤノントッキ株式会社 基板キャリア、成膜装置、基板キャリアの搬送方法、及び成膜方法
JP7159238B2 (ja) * 2020-03-13 2022-10-24 キヤノントッキ株式会社 基板キャリア、成膜装置、及び成膜方法
CN111485218B (zh) * 2020-04-22 2022-06-17 广东生波尔光电技术有限公司 特种工件辅助镀膜的自动控制系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06179958A (ja) * 1992-12-14 1994-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 合成樹脂薄膜のパターン形成方法
WO2007099929A1 (ja) * 2006-02-28 2007-09-07 Ulvac, Inc. 有機薄膜蒸着方法及び有機薄膜蒸着装置
JP2009224231A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Ulvac Japan Ltd 有機el製造装置及び有機el製造方法
JP2009228090A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Canon Inc 蒸着装置及び蒸着源
JP2010086956A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並びに成膜装置及び成膜方法
JP2010185120A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び成膜装置並びにシャドウマスク交換装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機elパネルの製造方法、有機elパネルの成膜装置
JP4538650B2 (ja) * 2004-06-18 2010-09-08 京セラ株式会社 蒸着装置
JP4402016B2 (ja) * 2005-06-20 2010-01-20 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP5282038B2 (ja) * 2007-09-10 2013-09-04 株式会社アルバック 蒸着装置
KR101379646B1 (ko) * 2009-12-09 2014-03-28 가부시키가이샤 알박 유기 박막의 성막 장치 및 유기 재료 성막 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06179958A (ja) * 1992-12-14 1994-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 合成樹脂薄膜のパターン形成方法
WO2007099929A1 (ja) * 2006-02-28 2007-09-07 Ulvac, Inc. 有機薄膜蒸着方法及び有機薄膜蒸着装置
JP2009224231A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Ulvac Japan Ltd 有機el製造装置及び有機el製造方法
JP2009228090A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Canon Inc 蒸着装置及び蒸着源
JP2010086956A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並びに成膜装置及び成膜方法
JP2010185120A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び成膜装置並びにシャドウマスク交換装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201230235A (en) 2012-07-16
JPWO2012039383A1 (ja) 2014-02-03
WO2012039383A1 (ja) 2012-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5634522B2 (ja) 真空処理装置及び有機薄膜形成方法
JP5171964B2 (ja) 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法
JP5989682B2 (ja) 原子層堆積のための装置及びプロセス
US8679369B2 (en) Film-forming material and method for predicting film-forming material
JPWO2011081046A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR101206162B1 (ko) 하향식 열적 유도 증착에 의한 선형의 대면적 유기소자양산장비
KR20140145383A (ko) 인라인형 대면적 oled 하향식 증착기
KR101046239B1 (ko) 성막 장치, 성막 시스템 및 성막 방법
KR20100028479A (ko) 유기 el 디바이스 제조 장치 및 유기 el 디바이스 제조 방법 및 성막 장치 및 성막 방법
JP4768001B2 (ja) 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並びに成膜装置及び成膜方法
WO2005107392A2 (en) System for vaporizing materials onto substrate surface
JP2008038224A (ja) 成膜装置、成膜システムおよび成膜方法
JP5358697B2 (ja) 成膜装置
KR101859849B1 (ko) 마스크 스토커를 구비한 대면적 기판용 클러스터 시스템
JP5478324B2 (ja) クリーニング装置、成膜装置、成膜方法
KR20150130670A (ko) 평판 디스플레이 장치용 증착장치
JP4951712B2 (ja) 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並びに成膜装置及び成膜方法
JP5705933B2 (ja) 成膜装置
WO2019024021A1 (zh) 成膜设备及成膜方法
JP2013110114A (ja) 有機elデバイス製造装置及び角度補正機構
JP5511767B2 (ja) 蒸着装置
WO2011040538A1 (ja) 基板処理システム
JP2004281523A (ja) 成膜装置及び成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140701

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140829

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20140829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140930

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141014

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5634522

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250