JP4402016B2 - 蒸着装置及び蒸着方法 - Google Patents
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Description
蒸着源と、
回収容器と、
前記蒸着源と前記回収容器とを繋ぐ移送路と、を有する蒸着装置において、
前記蒸着源から蒸発した蒸着材料が前記蒸着源から前記チャンバー内へ放出する第1流路と、前記蒸着源から蒸発した蒸着材料が前記蒸着源から前記移送路を介して前記回収容器へ流れる第2流路と、を切り替える流路切り替え手段を有し、前記移送路は、前記移送路の一端である蒸着材料進入口が前記蒸着源の側壁に配置されていることによって前記蒸着源と導通していて、前記流路切り替え手段は、軸を中心に回動する蓋であり、前記蒸着材料進入口と、前記蒸着源の開口のいずれか一方を塞ぐことで前記第1流路、あるいは前記第2流路のいずれか一方が遮断されることを特徴とする蒸着装置を提供する。
前記蒸着源から蒸発した前記蒸着材料が前記蒸着源から前記チャンバー内へ放出する蒸着材料放出工程と、前記蒸着源から蒸発した前記蒸着材料が前記蒸着源から移送路を介して回収容器へ流れる蒸着材料回収工程と、を有し、
前記蒸着材料放出工程は、前記蒸着源内に配置されている軸を中心に回転する蓋が、前記蒸着源側壁に設けられている前記移送路の一端である蒸着材料進入口を塞ぎ、且つ前記蒸着源の開口を開くことによって行われ、前記蒸着材料回収工程は、前記蓋が、前記蒸着材料進入口を開き、且つ前記蒸着源の前記開口を塞ぐことによって、前記蒸着源が前記チャンバーに対して密閉されることを特徴とする蒸着方法を提供する。
本実施の形態に係る蒸着装置は、蒸着源から蒸発した蒸着材料が蒸着源からチャンバー内へ放出する第1流路と、蒸着源から蒸発した蒸着材料が蒸着源から移送路を介して回収容器へ流れる第2流路と、を切り替える流路切り替え手段を有し、流路切り替え手段が第2流路を選択した場合には、第1流路は流路切り替え手段によって密閉されている。
本実施の形態に係る蒸着装置は、流路切り替え手段が三方弁である。
本実施の形態に係る蒸着装置は、放出口205と回収容器開口208とを繋ぐ移送路204が可動になっている。
本実施例は、実施の形態1に係る蒸着装置、及び蒸着方法に基づいて処理を行う場合について説明するものである。
本実施例は、実施の形態2に係る蒸着装置、及び蒸着方法に基づいて処理を行う場合について説明するものである。
本実施例は、実施の形態3に係る蒸着装置、及び蒸着方法に基づいて処理を行う場合について説明するものである。
202 蒸着源
203 回収容器
204 移送路
205 放出口
206 開口
207 蒸着材料進入口
208 回収容器開口
209 蒸着源上部
210 蓋
211 軸
212 基板
213 マスク
214 基板ホルダー
215 マスクホルダー
216 シャッター
217 水晶振動子膜厚センサー
218 配管
219 冷却手段
220 ヒーター
221 移送路加熱手段
601 三方弁
602 配管
603 回収容器加熱手段
604 配管加熱手段
Claims (9)
- チャンバーと、蒸着源と、回収容器と、前記蒸着源と前記回収容器とを繋ぐ移送路と、を有する蒸着装置において、
前記蒸着源から蒸発した蒸着材料が前記蒸着源から前記チャンバー内へ放出する第1流路と、前記蒸着源から蒸発した蒸着材料が前記蒸着源から前記移送路を介して前記回収容器へ流れる第2流路と、を切り替える流路切り替え手段を有し、
前記移送路は、前記移送路の一端である蒸着材料進入口が前記蒸着源の側壁に配置されていることによって前記蒸着源と導通していて、前記流路切り替え手段は、軸を中心に回動する蓋であり、前記蒸着材料進入口と、前記蒸着源の開口のいずれか一方を塞ぐことで前記第1流路、あるいは前記第2流路のいずれか一方が遮断されることを特徴とする蒸着装置。 - チャンバーと、蒸着源と、回収容器と、前記蒸着源と前記回収容器とを繋ぐ移送路と、を有する蒸着装置において、
前記蒸着源から蒸発した蒸着材料が前記蒸着源から前記チャンバー内へ放出する第1流路と、前記蒸着源から蒸発した蒸着材料が前記蒸着源から前記移送路を介して前記回収容器へ流れる第2流路と、を切り替える流路切り替え手段を有し、
前記蒸着源から蒸発した前記蒸着材料が前記チャンバー内に放出されるまでの第1のコンダクタンスと、前記蒸着源から蒸発した前記蒸着材料が前記回収容器に収まるまでの第2のコンダクタンスが等しいことを特徴とする蒸着装置。 - 前記第1のコンダクタンスと前記第2のコンダクタンスとを等しくするために、
前記第1流路には、蒸着源上部室が設けられており、
前記蒸着源の開口面積、前記蒸着源上部室の断面積、前記蒸着材料侵入口の面積、及び前記移送路の断面積が等しく、
かつ前記蒸着源の開口の形状、前記蒸着源上部室の断面形状、前記蒸着材料侵入口の形状、及び前記移送路の断面形状が等しく、
かつ前記蒸着源の開口から前記チャンバーに前記蒸着材料を前記チャンバーに放出するために設けられた前記蒸着源上部室の放出口までの長さと、前記蒸着材料侵入口から記蒸着材料を回収するために前記回収容器に設けられた回収容器開口までの長さが等しく、かつ前記放出口の開口面積及び形状と前記回収容器開口の開口面積及び形状の夫々が等しいことを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。 - 蒸着源内に載置されている蒸着材料を蒸発させてチャンバー内の被処理物に蒸着する蒸着方法において、
前記蒸着源から蒸発した前記蒸着材料が前記蒸着源から前記チャンバー内へ放出する蒸着材料放出工程と、前記蒸着源から蒸発した前記蒸着材料が前記蒸着源から移送路を介して回収容器へ流れる蒸着材料回収工程と、を有し、
前記蒸着材料放出工程は、前記蒸着源内に配置されている軸を中心に回転する蓋が、前記蒸着源側壁に設けられている前記移送路の一端である蒸着材料進入口を塞ぎ、且つ前記蒸着源の開口を開くことによって行われ、前記蒸着材料回収工程は、前記蓋が、前記蒸着材料進入口を開き、且つ前記蒸着源の前記開口を塞ぐことによって、前記蒸着源が前記チャンバーに対して密閉されることを特徴とする蒸着方法。 - 蒸着を終えた前記被処理物と別の前記被処理物とを交換する被処理物交換工程を有し、前記蒸着材料回収工程の間に、被処理物交換工程が行われることを特徴とする請求項4に記載の蒸着方法。
- 基材上に設けられている基材側電極上に、請求項4に記載の前記蒸着方法により有機膜を形成する有機膜形成工程と、前記有機膜上に、別の電極を形成する別電極形成工程とを有することを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
- 前記有機電子デバイスは有機EL素子であることを特徴とする請求項6に記載の有機電子デバイスの製造方法。
- 前記基材側電極は、基材上に複数設けられており、前記基材側電極上に請求項4乃至請求項7のいずれか1項に記載の前記蒸着方法により有機膜を形成する有機膜形成工程と、前記有機膜上に、別の電極を形成する別電極形成工程とを有することで、前記基材側電極と前記別の電極と前記有機膜とから少なくとも構成される有機EL素子を複数有する有機EL素子アレイを製造することを特徴とする有機EL素子アレイの製造方法。
- 前記有機EL素子アレイは、ディスプレイの表示部であることを特徴とする請求項8に記載の有機EL素子アレイの製造方法。
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| DE102011016814B4 (de) * | 2011-04-12 | 2017-03-23 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verdampferzellen-Verschlusseinrichtung für eine Beschichtungsanlage |
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| JPH11189874A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Tdk Corp | 薄膜形成方法および装置 |
| JPH11229123A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-24 | Casio Comput Co Ltd | 蒸着装置 |
| US6365229B1 (en) * | 1998-09-30 | 2002-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Surface treatment material deposition and recapture |
| US20030155079A1 (en) * | 1999-11-15 | 2003-08-21 | Andrew D. Bailey | Plasma processing system with dynamic gas distribution control |
| DE60228442D1 (de) * | 2001-05-14 | 2008-10-02 | Citizen Holdings Co Ltd | Verfahren und vorrichtung zum sammeln von produkten |
| US6843882B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process |
| JP4366226B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2009-11-18 | 東北パイオニア株式会社 | 有機elパネルの製造方法、有機elパネルの成膜装置 |
| US7438949B2 (en) * | 2005-01-27 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium containing layer deposition method |
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