WO2012073908A1 - 蒸着装置および回収装置 - Google Patents

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WO2012073908A1
WO2012073908A1 PCT/JP2011/077433 JP2011077433W WO2012073908A1 WO 2012073908 A1 WO2012073908 A1 WO 2012073908A1 JP 2011077433 W JP2011077433 W JP 2011077433W WO 2012073908 A1 WO2012073908 A1 WO 2012073908A1
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vapor deposition
deposited
particles
chamber
small piece
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通 園田
伸一 川戸
井上 智
智志 橋本
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シャープ株式会社
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    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus and a collection apparatus that can collect vapor deposition material deposited on unnecessary portions.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device including an organic EL element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of an organic material is an all-solid-state type, low voltage drive, and high-speed response.
  • EL organic EL display device
  • the organic EL display device has a configuration in which, for example, an organic EL element electrically connected to a TFT is provided on a substrate made of a glass substrate or the like provided with a TFT (thin film transistor).
  • the organic EL element is a light emitting element that can emit light with high luminance by low voltage direct current drive, and has a structure in which a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode are stacked in this order. One electrode is electrically connected to the TFT.
  • the organic EL layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
  • a hole injection layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
  • a full-color organic EL display device is generally formed by arranging organic EL elements of red (R), green (G), and blue (B) as sub-pixels on a substrate, and using TFTs. Image display is performed by selectively emitting light from these organic EL elements with a desired luminance.
  • At least a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color is formed in a predetermined pattern for each organic EL element that is a light emitting element.
  • a vacuum deposition method using a deposition mask called a shadow mask for example, a vacuum deposition method using a deposition mask called a shadow mask, an inkjet method, a laser transfer method, or the like can be applied.
  • vacuum deposition is currently the most common method.
  • a vapor deposition material placed in a heating container called a crucible or a boat is heated and sublimated to deposit a thin film of the vapor deposition material on a substrate.
  • a deposition mask can be formed only in a desired region by bringing a shadow mask having only a desired region open into close contact with the substrate and performing vapor deposition through the opening of the shadow mask.
  • a shutter that determines whether or not vapor deposition particles are released toward a substrate placed directly above a crucible or the like containing a vapor deposition material, and a replaceable state so that the inside of the chamber of the vapor deposition apparatus is not contaminated by the vapor deposition material
  • the deposition material attached to the non-opening part of the deposition prevention plate, shadow mask, etc. installed in is all wasted.
  • the material constituting the second electrode is a metal, and the unit price of the material is less expensive than the organic material constituting the organic EL layer, but the organic material constituting the organic EL layer is electrically conductive, carrier It is a special functional material having transportability, light emission characteristics, thermal and electrical stability, and its material unit price is very expensive.
  • Patent Document 1 discloses a method of capturing a vapor deposition material adhering to a shutter in a storage unit by reheating and cooling with a shroud.
  • Patent Document 2 discloses a method in which a vapor deposition material adhering to a shutter plate is heated and melted by a heater in the shutter and dropped into a vapor deposition source.
  • the vapor deposition material adhering to the shutter can be collected and reused.
  • FIG. 16 is a diagram showing a schematic configuration of the vacuum evaporation apparatus 200 described in Patent Document 3. As shown in FIG.
  • the vacuum vapor deposition apparatus 200 has a vapor deposition chamber 211 in which the inside is evacuated, and an adhesion preventing plate 216 is disposed along the inner wall of the vapor deposition chamber 211.
  • a substrate holder 219 for holding the substrate to be processed 220 and the vapor deposition mask member 230 is disposed at an upper position in the vapor deposition chamber 211, and the vapor deposition mask member 230 is disposed on the film formation surface side of the substrate to be processed 220. It is in a state of being overlaid at a predetermined position.
  • a plurality of mask openings 310 corresponding to the vapor deposition pattern for the substrate to be processed 220 are formed in the vapor deposition mask member 230.
  • shutter part 215 which can interrupt
  • a vapor deposition material recovery tool 217 having a blocking wall 271 and a vapor flow discharge port 270 is arranged in the vacuum vapor deposition apparatus 200 so as to cover the vapor outlet 212a.
  • a method is disclosed in which after vapor deposition is performed in a state where the divergence angle V1 of the steam flow toward is controlled, the vapor deposition material recovery tool 217 is taken out and the vapor deposition material deposited on the blocking wall 271 is recovered and reused. Yes.
  • the vapor deposition material deposited other than the substrate to be processed 220 is reduced, that is, the portion is attached to the blocking wall 271 of the vapor deposition material collection tool 217, thereby efficiently collecting and reusing the vapor deposition material. It is described that it can.
  • JP 2008-127642 A released on June 5, 2008
  • JP 2008-223102 A published September 25, 2008
  • the vapor deposition process is almost performed except for a short period of time, ie, the time when the substrate is taken in and out of the chamber and the shadow mask is in close contact with the substrate, in other words, the shutter is in an open state for most of the time.
  • the deposition amount of the vapor deposition material on the portion other than the shutter is large, and the collection of only the vapor deposition material adhering to the shutter cannot efficiently collect and reuse the vapor deposition material.
  • Patent Document 2 a process of completely dropping the dissolved material into the vapor deposition source (dropping depending on gravity and cannot be accelerated) is required. If a time for performing such a process is secured, the throughput of the apparatus is reduced. The problem of deteriorating arises.
  • the shutter and shroud and the housing portion are provided for each evaporation source.
  • the shape and size of the evaporation source vary. These members must also be designed in a shape and size suitable for each.
  • the versatility of these members is reduced, resulting in an increase in apparatus cost.
  • the cost of the apparatus is increased by components such as a shutter and a housing unit having a heating function.
  • Patent Document 3 there is a problem that even if the amount of material adhering to other than the barrier wall and the substrate to be processed is reduced, it cannot be recovered.
  • the conventional method cannot recover the vapor deposition material efficiently and at low cost.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a vapor deposition apparatus and a collection apparatus that can efficiently collect a vapor deposition material at a low cost.
  • the vapor deposition apparatus of the present invention is a vapor deposition apparatus that deposits vapor deposition particles released from a vapor deposition material storage unit provided in a vapor deposition source on a substrate in a vapor deposition chamber,
  • the vapor deposition particles released from the vapor deposition material storage unit in the first direction are vapor-deposited on the substrate, and the vapor deposition particles released in the second direction different from the first direction can be removed from the vapor deposition apparatus.
  • the first member is vapor-deposited, and at least a part of the first member is formed by connecting a plurality of small pieces, and each of the small pieces is provided with a connecting portion capable of connecting and disassembling the small pieces. It is characterized by being.
  • substrate is vapor-deposited on the 1st member which can be removed from the said vapor deposition apparatus, and several small pieces are connected to at least one part of the said 1st member.
  • each of the small pieces is provided with a connecting portion that can connect and disassemble the small pieces.
  • a general-purpose piece can be connected (by assembling) to produce the first member.
  • the first member can be detached from the vapor deposition apparatus, and the small pieces constituting the first member can be easily disassembled.
  • the first direction means a direction in which the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition material storage unit are not blocked by the first member during the direction toward the substrate, and the second direction is Means all directions other than the first direction.
  • the recovery device of the present invention heats at least one of the small piece and the storage member by storing a storage member in which a plurality of the small pieces included in the vapor deposition apparatus are stored, A sublimation unit for sublimating the vapor deposition particles deposited on the small piece and a first capture unit for capturing the sublimated vapor deposition particles are provided.
  • the sublimation process of the vapor deposition particle in a sublimation part since the sublimation part and the 1st capture
  • a storage member storing a plurality of small pieces on which vapor deposition particles are vaporized
  • a sublimation unit that sublimates the vapor deposition particles deposited on the small piece by heating at least one of the small piece and the storage member, and a first capture unit that captures the sublimated vapor deposition particles. It is characterized by.
  • the said vapor deposition apparatus is equipped in the collection
  • the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition material storage unit in the first direction are vapor deposited on the substrate, and in a second direction different from the first direction.
  • the emitted vapor deposition particles are vapor-deposited on a first member that can be removed from the vapor deposition apparatus, and at least a part of the first member is formed by connecting a plurality of small pieces. It is the structure provided with the connection part which can connect and disassemble small pieces.
  • the recovery device of the present invention is configured so that the small piece provided in the vapor deposition apparatus is stored in the small piece, and at least one of the small piece and the storage member is heated, thereby heating the small piece. It is the structure provided with the sublimation part which sublimates the vapor deposition particle which vapor-deposited, and the 1st capture
  • the recovery device of the present invention includes the vapor deposition device, a storage member in which a plurality of small pieces on which vapor deposition particles are vapor-deposited in the vapor deposition chamber provided in the vapor deposition device, the small pieces, It is the structure provided with the sublimation part which sublimates the vapor deposition particle vapor-deposited on the said small piece by heating at least one of the said storage member, and the 1st capture
  • FIG. 1 It is a figure which shows schematic structure of the vacuum evaporation system of one embodiment of this invention. It is a figure which shows the shape of the small piece used in the vacuum evaporation system of one embodiment of this invention, and its assembly method. It is a figure which shows another example of the small piece which can be used in the vacuum evaporation system of one embodiment of this invention. It is a figure which shows another example of the small piece which can be used in the vacuum evaporation system of one embodiment of this invention. It is a figure which shows a mode that the some small piece decomposed
  • FIG. 1 It is a figure which shows schematic structure of the collection
  • FIG. 1 It is a figure which shows schematic structure of the vacuum evaporation system by which the control board of further another embodiment of this invention is formed with the small piece. It is sectional drawing of the organic EL element which comprises the display part of the conventional organic EL display apparatus. It is the schematic diagram which showed the method of forming a pattern vapor deposition film on a board
  • FIG. 13 shows a cross-sectional view of an organic EL element constituting a display unit of an organic EL display device.
  • An interlayer insulating film 102, a first electrode 103, and an edge cover 104 are formed on a substrate 101 on which a thin film transistor (TFT) 100 is formed.
  • TFT thin film transistor
  • alkali-free glass or plastic can be used as the substrate 101.
  • alkali-free glass having a thickness of 0.7 mm is used as the substrate 101.
  • the interlayer insulating film 102 and the edge cover 104 a known photosensitive resin can be used.
  • the photosensitive resin include acrylic resin and polyimide resin.
  • a photosensitive acrylic resin is used as the interlayer insulating film 102 and the edge cover 104.
  • the first electrode 103 is formed in a pattern corresponding to each pixel by photolithography and etching after an electrode material is formed by sputtering or the like.
  • the first electrode 103 various conductive materials can be used, but in the case of a bottom emission type organic EL element that emits light to the substrate side, it needs to be transparent or translucent. On the other hand, in the case of a top emission type organic EL element that emits light from the side opposite to the substrate, the second electrode 107 needs to be transparent or translucent.
  • the TFT is manufactured by a known method.
  • the manufacture of an active matrix organic EL display device in which a TFT is formed in each pixel will be described.
  • the present invention is not limited to this, and the present invention also applies to a passive matrix organic EL display device without a TFT. Is applicable.
  • the edge cover 104 is formed so as to cover the end portion of the first electrode 103 in order to prevent the organic EL layer from becoming thin at the end portion of the first electrode 103 and short-circuiting with the second electrode 107.
  • the first electrode 103 is exposed at a portion where the edge cover 104 is not provided. This exposed portion becomes a light emitting portion of each pixel.
  • Each organic EL layer is formed on the first electrode 103.
  • the organic EL layer include a hole injection layer and a hole transport layer 105, a light emitting layer (106R / 106G / 106B), an electron transport layer formed in the same shape as the second electrode 107, although not shown in the figure. Examples thereof include an electron injection layer.
  • a carrier blocking layer for blocking the flow of carriers such as holes and electrons may be inserted as necessary.
  • One layer may have a plurality of functions. For example, one layer serving as both a hole injection layer and a hole transport layer may be formed.
  • the first electrode 103 is an anode, and from the first electrode 103 side, a hole injection layer / hole transport layer 105, a light emitting layer (106R / 106G / 106B), an electron transport layer (not shown), an electron An injection layer (not shown) and the second electrode 107 were stacked in this order as a cathode.
  • the order of stacking is reversed.
  • a bottom emission organic EL element is used, and ITO (indium-tin oxide) is used as the first electrode 103.
  • ITO indium-tin oxide
  • a known material can be used as the material of the organic EL layer.
  • the light emitting layer (106R / 106G / 106B) may be a single material or a mixed type in which a certain material is used as a host material and another material is mixed as a guest material or a dopant.
  • the light emitting layers (106R, 106G, 106B) are formed using a single material.
  • FIG. 14 is a schematic view showing a method of forming a pattern vapor deposition film on a substrate by vacuum vapor deposition.
  • the vapor deposition material is heated and sublimated by the vapor deposition source 120.
  • the sublimated vapor deposition particles reach the substrate 101 on which the first electrode 103 shown in FIG. 13 is formed through the shadow mask 110 having the opening 110a at a desired position.
  • the shadow mask 110 is in close contact with the substrate 101. As a result, a vapor deposition film is formed at a desired position on the substrate 101.
  • the film is formed on the entire surface of the display unit, only the entire region of the display unit and the region where film formation is required are opened.
  • the film is formed using the open mask as the shadow mask 110.
  • the film is formed using the fine mask having an opening only in the portion as the shadow mask 110.
  • FIG. 15 shows the manufacturing process of the organic EL display device.
  • the substrate 101 having the first electrode 103 formed on the TFT substrate is manufactured (S1).
  • a hole injection layer / hole transport layer 105 is formed on the entire surface of the substrate 101 by vacuum deposition (S2, S3).
  • the light emitting layer (106R / 106G / 106B) is formed at a predetermined location by vacuum deposition (S4).
  • an electron transport layer, an electron injection layer, and the second electrode 107 are formed in this order by vacuum deposition (S5, S6, S7).
  • the region (display unit) of the organic EL element is sealed with respect to the substrate on which the vapor deposition has been completed so that the organic EL element is not deteriorated by moisture or oxygen in the atmosphere (S8).
  • Sealing includes a method of forming a film that is difficult to transmit moisture and oxygen by a CVD method or the like, and a method of bonding a glass substrate or the like with an adhesive or the like.
  • an organic EL display device is manufactured, and a desired display can be performed by causing a current to flow from the driving circuit formed outside to the organic EL element in each pixel to emit light.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of the vacuum vapor deposition apparatus 1.
  • a vapor deposition material storage unit 2 provided in the vapor deposition source 13, a deposition plate 3 and a shutter 4 are arranged.
  • the deposition material storage unit 2 is only one in the vacuum chamber 5, and the deposition preventing plate 3 prevents other components in the chamber 5 from being contaminated by deposition particles.
  • the shutter 4 is used when vapor deposition is unnecessary (for example, a time until a stable vapor deposition rate is obtained, a time until the substrate 101 is not present or until the substrate 101 and the shadow mask 110 are aligned and brought into close contact with each other). ) Prevents the vapor deposition particles from being released (injected) into the vacuum chamber 5. That is, it serves to open or shield the discharge port 6 of the deposition preventing plate 3.
  • the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 are each constituted by assembling small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b having a substantially rectangular shape.
  • the sizes of the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are about 10 cm on one side, 5 to 10 cm on the other side, and the plate thickness is about 1 mm.
  • a plurality of these small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are used to assemble them into a desired overall shape. Further, the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are not in contact with each other so that a void is generated between the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b, and the vapor deposition particles do not pass through the gaps to contaminate other components in the vacuum chamber 5. It is assembled so that there is no gap.
  • stainless steel is used as the material of the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b.
  • the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are formed in the shape shown in FIG. 2 below.
  • the present invention is not limited to this. Can take shape and size. Moreover, the thing in which some of the sides are curved may be used.
  • FIG. 2 shows a method used in the present embodiment.
  • the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are substantially square, but the corners are notched and have an octagonal shape.
  • a female member having a hole (connecting portion) as shown in FIG. 2 (a) and a male member having a protruding portion (connecting portion) as shown in FIG. 2 (b) are as shown in FIG. 2 (c). By assembling, the assembly is performed.
  • the members can be assembled without interfering with each other.
  • the vacuum deposition apparatus 1 provided with the shutter 4 together with the deposition preventing plate 3 has been described as an example.
  • the present invention can also be applied to a configuration in which the shutter 4 is not provided. .
  • the entire deposition preventing plate 3 and shutter 4 are constituted by small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b, but only a part thereof is constituted by small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b. May be.
  • each of the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b is provided with a connecting portion that can connect and disassemble the small pieces.
  • FIG. 3 shows another example of a small piece that can be used in the present embodiment.
  • each small piece is a quadrangle and is folded on four sides.
  • the folded sides of the two opposite sides are the same, and the other two sides are folded to the opposite side.
  • the numbers on the small pieces in the figure indicate the layer numbers.
  • the bottom number is the 0th layer, and the layer numbers increase toward the front of the page.
  • FIG. 3 (d) shows an A-A 'cross section
  • FIG. 3 (e) shows a B-B' cross section.
  • the numbers shown in the figure are the layer numbers described above.
  • a gap is generated between the third layer and the zeroth layer, as seen in FIG. 3D.
  • the vapor deposition flow of the vapor deposition material released from the vapor deposition material storage portion is arranged so as not to pass through this gap.
  • the vapor deposition material passes through the gap by devising the position of the gap and the arrangement of the vapor deposition source so that there is no flight of vapor deposition particles that can pass through the gap, as indicated by the dashed-dotted arrows in the figure. Rather, it is captured by the components assembled in small pieces.
  • this gap can be adjusted according to the plate thickness of the small piece and the length of folding. For example, by reducing the thickness of the small piece, the width of the gap can be made smaller, or by increasing the folding length (enhancing the meshing range), the incident angle of the deposited particles can be further limited. can do.
  • FIG. 4 shows still another example of a small piece that can be used in the present embodiment.
  • the small piece is a quadrangle and the four sides are folded into an L shape.
  • the L-shaped portion is omitted from the corner as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b).
  • assembly is performed by engaging the back and front as a pair.
  • the L-shaped part is omitted at the corners, it is possible to assemble the components without interfering with each of the small pieces, and at the same time, the voids through which the vapor deposition particles can pass due to the overlapping of the small pieces at the meshing part and the corner part Is missing.
  • the small piece does not come off naturally and the component does not break down into small pieces.
  • a protrusion or a bowl-shaped structure can be added to the L-shape portion as appropriate.
  • SUS is used as the material of the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b.
  • the present invention is not limited to this, and it goes without saying that any material can be selected within the scope to which the present invention can be applied.
  • a vacuum vapor deposition device is prepared, and the deposition plate 3 and the shutter 4 using the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are provided. This was applied only in the vacuum deposition apparatus 1 for forming the hole injection layer / hole transport layer.
  • the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 using the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b may be applied to other than the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus 1 that forms the hole injection layer / hole transport layer.
  • the material as the deposition material was deposited on the deposition preventing plate 3 and the shutter 4. .
  • the vacuum chamber 5 for forming the hole injection layer / hole transport layer is opened to the atmosphere, and the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 to which the vapor deposition material is adhered are disassembled into individual pieces 3a, 3b, 4a, and 4b and taken out. It was.
  • FIG. 5 is a diagram showing a state in which a plurality of disassembled small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are arranged and stored in the stocker 7.
  • the stocker 7 has a box shape, and a plurality of disassembled small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b can be inserted and fixed.
  • the stocker 7 has an inner size of 10 cm in height, 10.5 cm in width, and 50 cm in length, and has grooves formed so that small pieces can be arranged in the length direction at a pitch of 3 mm.
  • the stocker 7 has an inner size of 10 cm in height, 10.5 cm in width, and 50 cm in length, and has grooves formed so that small pieces can be arranged in the length direction at a pitch of 3 mm.
  • it is not limited to this.
  • FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of the recovery apparatus 10 that recovers the vapor deposition material adhering to the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b.
  • the recovery device 10 includes a resublimation chamber (sublimation unit) 11, a storage chamber 12, and a vapor deposition source 13 provided in the vacuum vapor deposition device 1 shown in FIG.
  • the storage chamber 12 and the storage chamber 12 and the vapor deposition source 13 are connected by pipes 15 and 16 that can be opened and closed.
  • FIG. 6 only the vapor deposition source 13 of the vacuum vapor deposition apparatus 1 shown in FIG. 1 is illustrated, but the recovery apparatus 10 is formed integrally with the vacuum vapor deposition apparatus 1.
  • the stocker 7 storing the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b is then placed in the resublimation chamber 11.
  • the resublimation chamber 11 can be evacuated to a degree of vacuum of about 10 ⁇ 5 Pa, and the temperature of the inner wall can be adjusted to a temperature at which the material does not adhere.
  • the stocker 7 is provided with a heater 14, and the stocker 7 and the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are heated by the heater 14 in a state where the sublimation chamber 11 is evacuated.
  • the resublimation chamber 11 is connected with a temperature-adjustable storage chamber 12 via a pipe 15, and the storage chamber 12 is further connected to a vapor deposition source 13.
  • the pipes 15 and 16 can be opened and closed, and the temperature can be adjusted.
  • the temperature of the storage chamber 12 is adjusted to a temperature at which the vapor deposition material sublimated again from the small pieces 3 a, 3 b, 4 a, and 4 b reattaches to the surface of the storage chamber 12.
  • the stocker 7 and the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are heated by the heater 14, and the temperature is increased to a temperature at which the hole injection layer / hole transport layer material attached to the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b is sublimated.
  • the inner wall of the resublimation chamber 11 is at a temperature at which the vapor deposition material does not adhere, the vapor deposition material did not adhere.
  • an inert gas is used so as not to react with the sublimated vapor deposition material.
  • Ar gas is used as the carrier gas.
  • the carrier gas may be circulated. As a result, the vapor deposition material that cannot be captured in the storage chamber 12 but has flowed away with the carrier gas can be taken into the storage chamber 12 again.
  • Ar gas is flowed at a flow rate of 30 sccm.
  • the inner wall of the storage chamber 12 is adjusted to a temperature at which the vapor deposition material adheres, the vapor deposition material adheres again within the storage chamber 12. In this way, all the vapor deposition materials were transferred from the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b to the storage chamber 12.
  • the pipe 16 between the storage chamber 12 and the vapor deposition source 13 is opened, and the inner wall temperature of the storage chamber 12 is made higher than the temperature at which the vapor deposition material adheres.
  • the temperature of the vapor deposition material container was set to a temperature at which the vapor deposition material adhered. Accordingly, the vapor deposition material is transferred from the storage chamber 12 to the vapor deposition source 13 in the same manner as the vapor deposition material is transferred from the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b of the resublimation chamber 11 to the storage chamber 12. All of the deposition material was transferred.
  • the hole injection layer / hole transport layer material adhering to the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 could be recovered and reused.
  • an organic EL vapor deposition apparatus equipped with a recovery apparatus 10 that recovers and reuses through such a process an organic EL display apparatus with high material utilization efficiency could be produced.
  • the method of the present invention is applied to the hole transport layer / hole injection layer material.
  • the present invention is not limited to this, and the present invention can also be used for other single material layers.
  • it can be applied to a metal material constituting the second electrode 107, the stocker 7, the small pieces 3a, 3b, 4a and 4b, the resublimation chamber 11, the pipes 15 and 16, the housing chamber 12 and the like are made of metal. It is necessary to make the material capable of withstanding the temperature at which the material sublimates, which is not advantageous as an apparatus cost. Therefore, it is desirable to apply to an organic material having a sublimation temperature lower than that of a metal material.
  • the stocker 7 is heated by the heater 14, but not limited to this, the stocker 7 and the small pieces 3 a, 3 b, 4 a, 4 b are heated by heating the inner wall of the sublimation chamber 11. May be. In that case, since the temperature of the resublimation chamber 11 is at least higher than the temperature at which the vapor deposition material that has been sublimated adheres, there is no need to separately adjust the temperature of the resublimation chamber 11.
  • the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 are configured by the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b whose shape and size are limited, the shape and size of the vacuum chamber 5 are not limited.
  • the anti-adhesion plate 3 and the shutter 4 having any shape and size can be constituted by the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b.
  • the manufacturing cost of the vacuum evaporation apparatus 1 used for manufacturing the organic EL can be reduced.
  • adhesion prevention board 3 and the shutter 4 were comprised by the small pieces 3a * 3b * 4a * 4b, it is applicable not only to this but another structure.
  • the common stocker 7 can be used, and the size of the resublimation chamber 11 is also the shape of the vacuum chamber 5. It can be made common regardless of size.
  • the manufacturing cost of the vacuum vapor deposition apparatus 1 and the recovery apparatus 10 used for manufacturing the organic EL can be reduced as compared with the case where the deposition plate and the shutter having an arbitrary shape and size are used.
  • the storage chamber 12 since the storage chamber 12 was installed, the storage chamber 12 does not necessarily need to be installed.
  • the operation timing of the resublimation chamber 11 and the operation timing of the vapor deposition source 13 can be separated.
  • the material adhering to the small pieces 3 a, 3 b, 4 a, 4 b depending on the time of vapor deposition is mixed in the storage chamber 12.
  • the characteristic variation can be averaged.
  • the impurities sublimated together with the vapor deposition material in the resublimation chamber 11 can be captured in the storage chamber 12 so as not to reach the vapor deposition source 13.
  • the accommodation chamber 12 be provided.
  • the resublimation chamber 11 in which the stocker 7 storing the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b is installed is connected to the vapor deposition source 13 of the vacuum vapor deposition apparatus 1 through the storage chamber 12 or directly. Although an example was shown, it is not connected to the vapor deposition source 13 of the vacuum vapor deposition apparatus 1, and each may be independent.
  • a recovery device (sublimation purification device) 10 a including the resublimation chamber 11 and the storage chamber 12 can be provided independently of the vacuum vapor deposition device 1. Also in this case, the effect of the present invention as shown in the first embodiment can be obtained.
  • FIG. 7 shows a recovery device 10a which is a modification of the first embodiment. 7 is the same as the configuration of only the sublimation chamber 11 and the storage chamber 12 in FIG. 6, and for convenience of explanation, members having the same functions as those shown in the drawings of the first embodiment are the same. Reference numerals are assigned and explanations thereof are omitted.
  • the temperature rise of the material often depends on the thermal conductivity of the material itself.
  • the material near the surface of the container may be excessively heated to cause thermal decomposition. To avoid this, an extra device such as a stirrer is required.
  • the recovery device (sublimation purification device) 10a as in this modification, the vapor deposition particles that are thinly attached to the surface of the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are efficiently transferred by heat conduction from the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b. Since it can be heated well, there are few parts depending on the thermal conductivity of the material itself, and it is not necessary to provide an overheat prevention device such as a stirrer. Therefore, the structure of the recovery device (sublimation purification device) 10a can be simplified, and the device cost can be reduced and the size can be reduced.
  • the storage chamber 12 may be provided with a vapor deposition material recovery container (for example, a crucible or a boat) that can be stored in the vapor deposition material storage unit 2 provided in the vapor deposition source 13 of the vacuum vapor deposition apparatus 1.
  • a vapor deposition material recovery container for example, a crucible or a boat
  • the vapor deposition material collection container from which the vapor deposition material has been collected can be stored in the vapor deposition material storage unit 2 provided in the vacuum vapor deposition apparatus 1 and used as it is.
  • FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of the recovery apparatus 10b.
  • the deposition plate and the shutter were assembled by assembling small pieces in the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus for forming the hole injection layer / hole transport layer material.
  • the shape and size of the small piece are the same as those in the first embodiment, but the material of the small piece is tantalum (Ta) in the present embodiment.
  • the deposition plate and shutter with the material adhered thereto were disassembled into small pieces, stored in a stocker 7a made of the same tantalum material as the small pieces, and placed in the resublimation chamber 11.
  • the stocker 7a and the small piece are connected to a power source 17 so that electricity can be supplied from outside the vacuum chamber.
  • the stocker 7a After reducing the sublimation chamber 11 to a vacuum degree of 10 ⁇ 5 Pa, the stocker 7a was energized. At the same time, the small piece was energized, and the temperature of the stocker 7a and the small piece rose to the sublimation temperature of the material adhering to the small piece by Joule heat. As a result, the vapor deposition material sublimated and desorbed from the small piece.
  • the vapor deposition material adhering to the deposition plate and the shutter can be collected and reused, so that it is possible to realize the vacuum vapor deposition apparatus 1 and the collection apparatus 10b with high material utilization efficiency that can be used as an organic EL manufacturing apparatus. As a result, a low-cost organic EL display device can be realized.
  • the stocker 7a and the small pieces are conductive, they can be directly heated by Joule heat by energization, and the temperature of the small pieces can be increased efficiently. Therefore, the vapor deposition material can be collected and reused with less energy, and as a result, it can contribute to lowering the manufacturing cost of the organic EL display device.
  • the stocker 7a and the small pieces are conductive.
  • the present invention is not limited to this, and only the stocker 7a may be conductive. In that case, the stocker 7a is heated by Joule heat by energization, and the small piece is heated by heat transfer.
  • only the small piece may be conductive. In that case, it is necessary to make electrical connection to each small piece so that the small piece can be directly energized. Considering the ease of electrical connection and the energy efficiency of the temperature rise of the small piece, it is preferable that both the stocker 7a and the small piece are conductive.
  • the stocker 7a and the small piece material are tantalum (Ta).
  • the present invention is not limited to this, and it has a function of generating Joule heat by energization and thereby sublimating the vapor deposition material attached to the small piece. As long as various materials can be used.
  • Embodiment 3 Next, a third embodiment of the present invention will be described based on FIG. 9 and FIG.
  • the present embodiment is different from the first and second embodiments in that a mechanism capable of separating and recovering the mixed vapor deposition material is provided in the recovery apparatus, and other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • a mechanism capable of separating and recovering the mixed vapor deposition material is provided in the recovery apparatus, and other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • members having the same functions as those shown in the drawings of Embodiments 1 and 2 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of the vacuum vapor deposition apparatus 1a.
  • a vapor deposition material storage unit 2a provided in the vapor deposition source 13a and a vapor deposition material storage unit 2b provided in the vapor deposition source 13b are disposed.
  • a landing plate 3 and a shutter 4 are arranged.
  • an adhesion preventing plate 3 for the entire inside of the vacuum chamber 5a is also provided.
  • the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 are configured by assembling the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b as described above.
  • a light emitting layer was formed on the substrate 101 using the vacuum deposition apparatus 1a. Specifically, the material was formed on the TFT substrate in the vacuum chamber 5 of the vacuum deposition apparatus 1 shown in FIG. 1 for forming the hole injection layer / hole transport layer.
  • a light emitting layer composed of two types of a host material and a guest material was formed in the vacuum chamber 5a of the vacuum deposition apparatus 1a for forming the light emitting layer.
  • the material 2 is formed on the substrate 101.
  • a film made of a mixture of types was prepared.
  • the guest material can emit light with high efficiency by receiving energy from the host material.
  • the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode were formed into a film in a vacuum chamber of another vacuum deposition apparatus and sealed to produce an organic EL display device.
  • FIG. 10 is a diagram showing a schematic configuration of the recovery apparatus 10c.
  • the vacuum chamber 5a was opened, the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 were disassembled into small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b, stored in the stocker 7, and then put into the resublimation chamber 11 as shown in FIG. .
  • the stocker 7 and the resublimation chamber 11 are the same as those in the first embodiment, and the storage chambers 12a and 12b correspond to the vapor deposition material storage portion 2a provided in the vapor deposition source 13a and the vapor deposition material storage portion 2b provided in the vapor deposition source 13b. Are provided.
  • a separation chamber 18 provided with a plurality of inner walls 18a in a lever state is provided.
  • the separation chamber 18 has an inner wall 18a that can be adjusted to at least a temperature at which the vapor deposition material can sublime.
  • the mixed vapor deposition material was separated and collected by the following procedure.
  • the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b in the stocker 7 were raised to a temperature at which the two kinds of vapor deposition materials were sublimated together.
  • the inner wall temperature of the resublimation chamber 11 is maintained at a temperature at which both materials do not adhere.
  • the pipe 20 connecting the resublimation chamber 11 and the separation chamber 18 was opened, and the sublimated material was guided to the separation chamber 18.
  • the plurality of inner walls 18a in the separation chamber 18 are maintained at such a temperature that the material with the higher sublimation temperature adheres and the other does not adhere.
  • the guest material since the sublimation temperature of the guest material is higher than that of the host material, the guest material adheres to the inner wall 18a of the separation chamber 18, but the host material does not adhere.
  • the host material Since the host material does not adhere to the inner wall 18a of the separation chamber 18, it passes through the separation chamber 18 as it is and flows into the storage chamber 12a. Since the storage chamber 12a is set to a temperature at which the host material adheres, the host material was eventually collected in the storage chamber 12a.
  • the pipe 19a between the separation chamber 18 and the storage chamber 12a was closed. If the transfer of the guest material from the resublimation chamber 11 to the separation chamber 18 has been completed, the pipe 20 connecting the resublimation chamber 11 and the separation chamber 18 is also closed.
  • the temperature of the inner wall 18a of the separation chamber 18 was raised to a temperature at which the guest material sublimates.
  • the pipe 19b connecting the separation chamber 18 and the storage chamber 12b was opened. Thereby, the sublimated guest material flows into the storage chamber 12b. Since the temperature of the storage chamber 12b is set to a temperature at which the guest material adheres, the guest material was collected in the storage chamber 12b.
  • the host material and the guest material could be separated and collected in the storage chamber 12a and the storage chamber 12b by the above process.
  • the material utilization efficiency can be further improved compared to the case of collecting and reusing a small piece to which only a single material is attached.
  • the present invention is not limited to this, and three or more kinds of materials are mixed. Even if it adheres to a small piece, the method of the present invention can be applied.
  • a storage chamber is provided and connected to the separation chamber, and the difference in sublimation temperature of each vapor deposition material is utilized so that only one type of material does not adhere to the inner wall of the separation chamber.
  • the temperature of the inner wall of the separation chamber By adjusting the temperature of the inner wall of the separation chamber, one kind of vapor deposition material can be taken out from the separation chamber and guided and collected in a specific storage chamber. By sequentially repeating this procedure, it is possible to cope with three or more mixed states.
  • the plurality of inner walls 18a are arranged in the levered state in the separation chamber 18.
  • the present invention is not limited to this, and the structure of the separation chamber can be various. For example, a large number of mesh filters may be arranged in the separation chamber, and the material to be adhered may be adhered to these filters.
  • the piping port from the resublimation chamber to the storage chamber is not provided in the separation chamber. It is desirable that the straight line connecting the piping port always meets the structure.
  • the method of constructing the plurality of inner walls 18a in the lever state as shown in the drawing is effective for easily realizing the above conditions.
  • the separation chamber 18 is provided and the mixed vapor deposition material is separated.
  • the present invention is not limited to this, and the separation chamber 18 is provided with the function of the separation chamber 18 to the resublimation chamber 11 and the stocker 7. It is possible that 18 is not provided. In that case, by adjusting the temperature of the resublimation chamber 11 or the stocker 7 or both, a state in which only one kind of vapor deposition material is sublimated is generated, and the sublimated material is stored in a specific storage chamber. You can collect at.
  • the separation chamber 18 is separately provided. It is preferable to provide it.
  • the mixing ratio of the mixed material adhering to the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 is assumed to vary depending on the installation position and function of the component, the stocker 7 is mixed with the small pieces constituting them.
  • the substrate is stored in the sublimation chamber 11 and sublimated in the resublimation chamber 11, there is a possibility that the mixture ratio of the obtained recovered material is different from the mixture ratio used at the time of deposition of the substrate.
  • a vapor deposition source that separately releases a single material is prepared, the amount of emission is adjusted according to the emission from the vapor deposition source for mixed materials, and co-evaporation is performed, so that vapor deposition having a desired mixing ratio is achieved.
  • a film can be formed on the substrate.
  • the mixed vapor deposition material can be recovered and reused.
  • FIG. 4 a fourth embodiment of the present invention will be described based on FIG.
  • the present embodiment is different from the first to third embodiments in that it does not have a re-sublimation chamber connected from the outside but has a vapor deposition source 13c that can store the stocker 7 instead.
  • Other configurations are the same as those described in the first to third embodiments.
  • members having the same functions as those shown in the drawings of Embodiments 1 to 3 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 11 is a diagram showing a schematic configuration of the vacuum vapor deposition apparatus 1b.
  • the vacuum vapor deposition apparatus 1b has a vapor deposition source 13c in which the stocker 7 can be stored.
  • a nozzle port 21 is provided in the vapor deposition material storage unit 2 c, and the vapor deposition material is discharged from the nozzle port 21 toward the deposition target substrate 101.
  • the deposition preventing plate 3 and the shutter 4 to which the vapor deposition material is adhered are disassembled into small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b and stored in the stocker 7.
  • the stocker 7 is installed in the vapor deposition source 13c.
  • the stocker 7 and the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b are heated, and the vapor deposition material sublimated in the vapor deposition material storage portion 2c passes through the nozzle port 21 and is vacuumed. Released into the chamber 5.
  • the temperature rise of the material often depends on the thermal conductivity of the material itself.
  • the material near the surface of the container is excessively heated and may cause thermal decomposition, and in order to avoid this, the heating temperature could not be increased.
  • the higher the heating temperature the higher the vapor deposition rate.
  • the heating temperature cannot be increased for the reasons described above, it is difficult to obtain a high vapor deposition rate.
  • the material thinly attached to the surface of the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b can be efficiently heated by heat conduction from the small pieces 3a, 3b, 4a, and 4b. There are few parts depending on thermal conductivity, and the heating temperature can be increased.
  • the deposition rate can be further increased.
  • the occurrence of thermal decomposition of the vapor deposition material can be further suppressed.
  • the vapor deposition material storage unit 2c having one nozzle port 21 is used.
  • the present invention is not limited to this, and a vapor deposition material storage unit having a plurality of nozzle ports or having slit ports is used. May be.
  • the amount of material sublimated in the deposition material storage unit and released through each nozzle port or slit port is set.
  • a uniform method is mentioned.
  • the recovery and reuse of the vapor deposition material can be performed simultaneously without separation.
  • FIG. 12 is a diagram showing a schematic configuration of a vacuum deposition apparatus 1c in which the control plate 22 is formed of small pieces 22a and 22b.
  • a plurality of control plates 22 provided between the vapor deposition material storage portion 2d and the vapor deposition mask 110 receive vapor deposition particles incident on the space 23 between the control plates. Since the trapping is selectively performed according to the incident angle, only the vapor deposition particles having a predetermined incident angle or less are incident on the opening of the mask 110.
  • control plate 22 is formed by assembling the small pieces 22a and 22b used in the first embodiment.
  • the vapor deposition material adhering to these small pieces can be collected by the above-described method, and a vacuum vapor deposition apparatus 1c that can collect the vapor deposition material efficiently and at low cost can be realized.
  • the method of the present invention uses a vacuum deposition method, and various other productions having the purpose of efficiently and simply collecting and reusing the deposited material attached to the components in the vacuum chamber.
  • the present invention can be applied to an apparatus and a product using the apparatus.
  • vapor deposition apparatus of the present invention during a predetermined period, at least vapor deposition particles emitted in the first direction from the vapor deposition material storage unit are provided between the vapor deposition material storage unit and the substrate, and the vapor deposition is performed. It is preferable that vapor deposition is performed on a second member that can be removed from the apparatus, and at least a part of the second member is formed by connecting a plurality of small pieces.
  • the second member for example, at least a part of the shutter portion is also formed by connecting the plurality of small pieces.
  • the second member can be detached from the vapor deposition apparatus, and the small pieces constituting the second member can be easily disassembled.
  • the first member may be a deposition plate for preventing the vapor deposition chamber from being contaminated by the vapor deposition particles.
  • the first member is provided between the substrate and the opening through which the vapor deposition particles are discharged from the vapor deposition material storage unit, and is orthogonal to the normal direction of the substrate.
  • a plurality of control plates may be formed along the direction at predetermined intervals so as to sandwich the opening.
  • At least a part of the deposition preventive plate and the control plate that are assumed to deposit a relatively large amount of the vapor deposition particles are formed by connecting the plurality of small pieces.
  • the vapor deposition source is formed so as to be capable of storing a storage member in which a plurality of the small pieces are stored.
  • a plurality of small pieces on which a large amount of vapor deposition material is vapor-deposited by the storage member can be heated at one time, and the vapor deposition material to be collected and reused can be easily sublimated.
  • the vapor deposition source provided in the vapor deposition apparatus is formed so as to be capable of storing a storage member in which a plurality of small pieces on which the vapor deposition material is vapor deposited is stored, material recovery and reuse can be performed simultaneously.
  • the first capturing part is connected to a vapor deposition material storage part provided in the vapor deposition apparatus, and is heated at a temperature equal to or higher than the sublimation temperature of the vapor deposition particles captured by the first capturing part. It is preferable to supply the trapped vapor deposition particles to the vapor deposition material storage unit.
  • the sublimation process of the vapor deposition particles in the sublimation part since the sublimation part and the first capturing part are provided, and the first capturing part is connected to the vapor deposition material storage part, the sublimation process of the vapor deposition particles in the sublimation part;
  • the step of capturing the sublimated vapor deposition particles in the first capture unit and the step of supplying the vapor deposition particles captured in the first capture unit to the vapor deposition material storage unit can be separated and recovered.
  • the throughput of the apparatus can be improved.
  • acquisition part can be supplied as it is to the vapor deposition material storage part with which the said vapor deposition apparatus was equipped, vapor deposition material can be collect
  • a recovery device can be realized.
  • the first capturing unit may be the vapor deposition source.
  • the process time of supplying the trapped vapor deposition particles from the first trapping unit to the vapor deposition source can be omitted, so that the throughput of the recovery device can be further improved.
  • the first capturing unit includes a vapor deposition material recovery container that can be stored in a vapor deposition material storage unit provided in a vapor deposition source of the vapor deposition device.
  • the trapped vapor deposition particles are preferably recovered.
  • the first capturing unit includes the vapor deposition material recovery container that can be stored in the vapor deposition material storage unit, and the captured vapor deposition particles are recovered in the vapor deposition material recovery container. It has become.
  • the vapor deposition material collection container from which the vapor deposition material is collected can be stored in the vapor deposition material storage unit provided in the vapor deposition apparatus and used as it is, the throughput of the collection apparatus can be improved.
  • At least one of the small piece and the storage member is formed of a conductive material, and is heated by Joule heat by energization to sublimate the vapor deposition particles deposited on the small piece. preferable.
  • the small piece and the storage member are disposed in the sublimation part, and the vapor deposition particles deposited on the small piece are sublimated by heating the wall surface of the sublimation part.
  • the wall surface of the sublimation part is a temperature at which only one type of vapor deposition particles vapor-deposited on the small piece is sublimated. It is preferable to be heated.
  • At least two different kinds of vapor deposition particles are vapor-deposited on the small piece, and at least one of the small piece and the storage member has only one kind of vapor deposition particles vapor-deposited on the small piece. It is preferably heated to a temperature to be sublimated.
  • the recovery device of the present invention at least two types of different vapor deposition particles are deposited on the small piece, and a separation unit is provided between the sublimation unit and the first capturing unit,
  • the separation part has a plurality of inner walls capable of adjusting the temperature in contact with at least two different vapor deposition particles sublimated in the sublimation part, and the temperature of the inner wall is at least two different vapor deposition particles sublimated.
  • the sublimation temperature is set at the lowest temperature or higher and lower than the second lowest temperature, and the at least two different kinds of vapor deposition particles sublimated in the sublimation part are connected to the first through the separation part. It is preferable to be supplied to the capturing part.
  • the vapor deposition particles can be effectively separated and recovered using the separation unit even in a state where a plurality of types of vapor deposition particles are sublimated in the sublimation chamber.
  • the inner wall temperature of the separation part is set by setting the temperature of the inner wall to be equal to or higher than the second lowest temperature. It is preferable that the vapor deposition particles deposited on are sublimated and supplied to a second trapping unit different from the first trapping unit.
  • the temperature of the inner wall is set to two or more kinds of vapor deposition particles vapor deposited on the inner wall of the separation part.
  • the sublimation temperature is set to the lowest temperature or higher and lower than the second lowest temperature, only one type of vapor deposition particles is sublimated in the two or more types of vapor deposition particles deposited on the inner wall of the separation part. It is preferable to be supplied to a second capturing unit different from the one capturing unit.
  • the vapor deposition particles deposited on the separation unit can be separated and recovered effectively.
  • the present invention can be applied to a vapor deposition apparatus or a collection apparatus that collects a vapor deposition material.
  • Vacuum deposition equipment 1 Vapor deposition material storage 3 Deposition plate 3a / 3b Small piece 4 Shutter 4a / 4b Small piece 5, 5a Vacuum chamber (deposition chamber) 7, 7a Stocker (storage member) 10, 10a, 10b, 10c Sublimation purification equipment (recovery equipment) 11 Re-sublimation room (sublimation section) 12, 12a, 12b Storage chamber (capturing part) 13, 13a, 13b, 13c Deposition source 14 Heater 15 Piping 16, 16a, 16b Piping 17 Power supply 18 Separation chamber (separation part) 18a Inner wall 19a / 19b Piping 20 Piping 21 Nozzle port (opening) 22 Control board 22a, 22b Small piece 101 Substrate 110 Shadow mask

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Abstract

 防着板(3)およびシャッタ(4)の少なくとも一部は、複数個の小片(3a・3b・4a・4b)が連結されてなり、小片(3a・3b・4a・4b)の各々には、小片同士を連結および分解できる連結部が備えられている。

Description

蒸着装置および回収装置
 本発明は、不要な部分に蒸着された蒸着材料を回収できる蒸着装置および回収装置に関するものである。
 近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
 そのような状況下において、有機材料の電界発光(Electroluminescence;以下、「EL」と記す)を利用した有機EL素子を備えた有機EL表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性、広視野角特性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
 有機EL表示装置は、例えば、TFT(薄膜トランジスタ)が設けられたガラス基板等からなる基板上に、TFTに電気的に接続された有機EL素子が設けられた構成を有している。
 有機EL素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極、有機EL層、および第2電極が、この順に積層された構造を有しており、そのうち、第1電極がTFTと電気的に接続されている。
 また、第1電極と第2電極との間には、上記有機EL層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。
 フルカラーの有機EL表示装置は、一般的に、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の有機EL素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、TFTを用いて、これら有機EL素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。
 このような有機EL表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機EL素子毎に所定のパターンで形成されている。
 これらの有機EL層および第2電極を作成する方法としては、例えば、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法、インクジェット法やレーザ転写法などを適用可能である。
 そのうち、現在では真空蒸着法を用いるのが最も一般的である。真空蒸着法では、高真空下において、るつぼやボートと呼ばれる加熱用の入れ物に入れられた蒸着材料を加熱し昇華させて、基板上にその蒸着材料の薄膜を堆積させる。
 その際、所望の領域のみが開口しているシャドウマスクを基板に密着させ、そのシャドウマスクの開口部を介して蒸着することで、所望の領域のみに蒸着膜を形成することができる。
 しかしながら、上記真空蒸着法の場合、基板上に堆積された蒸着膜以外は、全て材料の損失となり、有機EL表示装置に備えられる蒸着膜とはならない。
 すなわち、蒸着材料が入っているるつぼ等の直上に配された基板に向けて蒸着粒子を放出するか否かを決めるシャッタ、蒸着装置のチャンバ内が蒸着材料で汚染されないように、交換可能な状態で設置される防着板、シャドウマスクの非開口部などに付着した蒸着材料は全て無駄となる。
 一般に第2電極を構成する材料は金属であり、その材料単価は有機EL層を構成する有機材料に比較して、高価ではないが、有機EL層を構成する有機材料は、電気伝導性、キャリア輸送性、発光特性、熱的および電気的安定性などを有する特殊な機能性材料であり、その材料単価は非常に高価である。
 それにも関わらず、上記したように、基板上に堆積される有機材料以外は全て材料の損失となってしまうため、蒸着処理する基板当たりの材料使用量が多く、上記蒸着処理に掛かる費用は高価となり、結果として有機EL表示装置の原価(コスト)が増大してしまうことになる。
 このような問題を解決するための方法として、基板以外に付着した材料を回収し、再利用する方法が考えられる。
 特許文献1にはシャッタに付着した蒸着材料を再加熱とシュラウドでの冷却により収容部にて捕獲する方法が開示されている。
 また、特許文献2には、シャッタ板に付着した蒸着材料をシャッタ内のヒータにより加熱、融解させ蒸着源に落とし込む方法が開示されている。
 これらの方法によればシャッタに付着した蒸着材料を回収し再利用することが可能であると記載されている。
 図16は、特許文献3に記載の真空蒸着装置200の概略的な構成を示す図である。
 図示されているように、真空蒸着装置200は、内部が真空とされる蒸着室211を有しており、蒸着室211の内壁に沿っては防着板216が配置されている。
 蒸着室211内の上方位置には、被処理基板220および蒸着用マスク部材230を保持する基板ホルダ219が配置されており、蒸着用マスク部材230は、被処理基板220の被成膜面側の所定位置に重ねられた状態にある。
 蒸着用マスク部材230には、被処理基板220に対する蒸着パターンに対応する複数のマスク開口部310が形成されている。
 そして、蒸気流放出口270の上部を必要に応じて遮断できるシャッタ部215が備えられている。
 図示されているように、真空蒸着装置200には、遮断壁271と蒸気流放出口270とを備えた蒸着材料回収具217が蒸気出口212aを覆うように配置され、蒸着源212から被処理基板220に向かう蒸気流の発散角V1が制御された状態で蒸着を行った後、蒸着材料回収具217を取り出して遮断壁271に堆積している蒸着材料を回収し、再利用する方法が開示されている。
 上記構成によれば、被処理基板220以外に堆積する蒸着材料を減らし、すなわち、その分を蒸着材料回収具217の遮断壁271に付着させることによって、蒸着材料を効率的に回収、再利用することができると記載されている。
特開平10-168559号公報(1998年6月23日公開) 特開2008-127642号公報(2008年6月5日公開) 特開2008-223102号公報(2008年9月25日公開)
 上記特許文献1および2に記載されている方法によれば、シャッタに付着した蒸着材料を回収し再利用することは可能であるが、その一方でチャンバ内でシャッタ以外の部分に付着した蒸着材料は回収し得ないという問題がある。
 量産工程では、蒸着速度が安定した後、基板への蒸着処理を多数枚連続的に処理する。したがって、チャンバへの基板の出し入れやシャドウマスクの基板への密着期間というわずかな時間を除いてはほとんど蒸着処理を行っており、換言すればシャッタはほとんどの期間開放状態にあることとなる。
 そのため、実際の量産工程ではシャッタ以外への蒸着材料の付着量が多く、シャッタに付着した蒸着材料だけの回収では、蒸着材料を効率的に回収、再利用することはできない。
 また、上記特許文献2では溶解した材料を蒸着源に完全に落とし込む処理(重力に依存した滴下となり、加速できない)が必要となり、このような処理を行うための時間を確保すると、装置のスループットが低下してしまうという問題が生じる。
 さらには、個々の蒸着源に対し、特許文献1の場合には、シャッタやシュラウドおよび収容部を、特許文献2の場合には、シャッタを作製する際、蒸着源の形状や大きさのまちまちによって、これらの部材についても個々にあった形状や大きさに設計しなければならない。
 したがって、これらの部材の汎用性は低くなってしまい、結果として装置コストの増大に繋がる。しかも加熱機能を有するシャッタや収容部などの構成物によっても装置コストは増大してしまう。
 さらに、上記特許文献2の方法の場合は、溶解状態を有する材料にしか適用できないという問題もある。
 また、上記特許文献3に記載されている方法によっては、遮断壁および被処理基板以外へ付着した材料はその量が減少したとしても回収は不可能になってしまうという問題がある。
 そして、上述したように、上記特許文献3に記載の構成においても、上記特許文献1および上記特許文献2の場合と同様に、蒸着材料回収具を個々の蒸着源に合わせて個別に設計する必要性に伴う装置コストの増大および蒸着材料回収具という新たな構成物の導入による装置コストの増大も生じてしまう。
 以上のように、従来の方法では、効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収することができなかった。
 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収できる蒸着装置と、回収装置とを提供することを目的とする。
 本発明の蒸着装置は、上記の課題を解決するために、蒸着室において、蒸着源に備えられた蒸着材料収納部から放出された蒸着粒子を、基板上に蒸着させる蒸着装置であって、上記蒸着材料収納部から第1の方向に放出される蒸着粒子は、上記基板上に蒸着され、上記第1の方向とは異なる第2の方向に放出される蒸着粒子は、上記蒸着装置から取り外しできる第1の部材に蒸着され、上記第1の部材の少なくとも一部は、複数個の小片が連結されてなり、上記小片の各々には、上記小片同士を連結および分解できる連結部が備えられていることを特徴としている。
 上記の構成によれば、上記基板以外に蒸着される蒸着粒子は、上記蒸着装置から取り外しできる第1の部材に蒸着され、上記第1の部材の少なくとも一部は、複数個の小片が連結されてなり、上記小片の各々には、上記小片同士を連結および分解できる連結部が備えられている構成である。
 したがって、個々の蒸着装置の蒸着室や蒸着源の大きさ、形状に合わせて、第1の部材を個々に設計、作製する必要がなく、様々な蒸着装置の蒸着室や蒸着源に対して、汎用的な小片を連結して(組み上げで)第1の部材を作製することができる。
 また、上記第1の部材は、上記蒸着装置から取り外しでき、上記第1の部材を構成する小片同士も容易に分解できる。
 よって、効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収できる蒸着装置を実現できる。
 なお、上記第1の方向とは、上記蒸着材料収納部から放出された蒸着粒子が上記基板に向かう方向中、上記第1の部材によって、遮断されない方向を意味し、上記第2の方向とは、上記第1の方向以外の全ての方向を意味する。
 本発明の回収装置は、上記の課題を解決するために、上記蒸着装置に備えられた上記小片が複数個格納された格納部材と、上記小片および上記格納部材の少なくとも一方を加熱することによって、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させる昇華部と、上記昇華された蒸着粒子を捕捉する第1の捕捉部と、を備えたことを特徴としている。
 上記の構成によれば、昇華部と第1の捕捉部とが備えられているため、昇華部における蒸着粒子の昇華工程と、上記第1の捕捉部における上記昇華された蒸着粒子を捕捉する工程を分離することができ、回収装置のスループットを向上することができる。
 本発明の回収装置においては、上記の課題を解決するために、上記蒸着装置と、上記蒸着装置に備えられた蒸着室において、蒸着粒子が蒸着された小片が複数個格納された格納部材と、上記小片および上記格納部材の少なくとも一方を加熱することによって、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させる昇華部と、上記昇華された蒸着粒子を捕捉する第1の捕捉部と、を備えたことを特徴としている。
 上記構成によれば、上記蒸着装置が回収装置に備えられており、上記回収装置の内部で調達した蒸着材料が蒸着された小片を用いて、効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収することができる。
 本発明の蒸着装置は、以上のように、上記蒸着材料収納部から第1の方向に放出される蒸着粒子は、上記基板上に蒸着され、上記第1の方向とは異なる第2の方向に放出される蒸着粒子は、上記蒸着装置から取り外しできる第1の部材に蒸着され、上記第1の部材の少なくとも一部は、複数個の小片が連結されてなり、上記小片の各々には、上記小片同士を連結および分解できる連結部が備えられている構成である。
 また、本発明の回収装置は、以上のように、上記蒸着装置に備えられた小片が複数個格納された格納部材と、上記小片および上記格納部材の少なくとも一方を加熱することによって、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させる昇華部と、上記昇華された蒸着粒子を捕捉する第1の捕捉部と、を備えた構成である。
 また、本発明の回収装置は、以上のように、上記蒸着装置と、上記蒸着装置に備えられた蒸着室において、蒸着粒子が蒸着された小片が複数個格納された格納部材と、上記小片および上記格納部材の少なくとも一方を加熱することによって、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させる昇華部と、上記昇華された蒸着粒子を捕捉する第1の捕捉部と、を備えた構成である。
 それゆえ、効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収できる蒸着装置と、回収装置とを実現することができる。
本発明の一実施の形態の真空蒸着装置の概略的な構成を示す図である。 本発明の一実施の形態の真空蒸着装置において、用いている小片の形状およびその組み上げ方法を示す図である。 本発明の一実施の形態の真空蒸着装置において、用いることができる小片の他の一例を示す図である。 本発明の一実施の形態の真空蒸着装置において、用いることができる小片のさらに他の一例を示す図である。 分解された複数の小片をストッカに配列格納した様子を示す図である。 図2に示す小片に付着した蒸着材料を回収する本発明の一実施の形態の回収装置の概略的な構成を示す図である。 本発明の一実施の形態の変形例である回収装置の概略的な構成を示す図である。 本発明の他の一実施の形態の回収装置の概略的な構成を示す図である。 本発明のさらに他の一実施の形態の真空蒸着装置の概略的な構成を示す図である。 本発明のさらに他の一実施の形態の回収装置の概略的な構成を示す図である。 本発明のさらに他の一実施の形態のストッカを格納できる蒸着源を備えた真空蒸着装置の概略的な構成を示す。 本発明のさらに他の一実施の形態の制御板が小片で形成されている真空蒸着装置の概略的な構成を示す図である。 従来の有機EL表示装置の表示部を構成する有機EL素子の断面図である。 真空蒸着法によって、基板上にパターン蒸着膜を形成する方法を示した模式図である。 有機EL表示装置の製造工程を示す図である。 特許文献3に記載の真空蒸着装置の概略的な構成を示す図である。
 以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
 〔実施の形態1〕
 図13は、有機EL表示装置の表示部を構成する有機EL素子の断面図を示したものである。
 薄膜トランジスタ(TFT)100が形成された基板101上に、層間絶縁膜102、第一電極103およびエッジカバー104が形成されている。
 基板101としては、例えば、無アルカリガラスやプラスチックなどを用いることができるが、本実施の形態においては、板厚0.7mmの無アルカリガラスを使用した。
 そして、層間絶縁膜102およびエッジカバー104としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などが挙げられる。
 なお、本実施の形態においては、層間絶縁膜102およびエッジカバー104として、感光性アクリル樹脂を用いた。
 また、第一電極103は、電極材料をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより個々の画素に対応してパターン形成されている。
 第一電極103としては、様々な導電性材料を用いることができるが、基板側に光を放射するボトムエミッション型有機EL素子の場合、透明または半透明の必要がある。一方、基板とは反対側から光を放射するトップエミッション型有機EL素子の場合には、第二電極107が透明または半透明の必要がある。
 また、TFTは既知の方法にて作製される。なお、本実施の形態においては、TFTを各画素に形成したアクティブマトリクス型の有機EL表示装置の製造について述べるが、これに限らずTFTのないパッシブマトリクス型の有機EL表示装置についても、本発明は適用可能である。
 エッジカバー104は第一電極103の端部で有機EL層が薄くなり、第二電極107との間で短絡するのを防止するために、第一電極103の端部を覆うように形成されており、エッジカバー104のない部分で第一電極103が露出している。この露出部分が各画素の発光部となる。
 第一電極103上に各有機EL層を形成する。有機EL層としては、例えば、正孔注入層および正孔輸送層105、発光層(106R・106G・106B)、図示してないが、第二電極107と同形状に形成される電子輸送層および電子注入層などが挙げられる。
 そして、図示してないが、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた一つの層を形成してもよい。
 本実施の形態においては、第一電極103を陽極とし、第一電極103側より正孔注入層兼正孔輸送層105、発光層(106R・106G・106B)、電子輸送層(未図示)、電子注入層(未図示)、そして第二電極107を陰極とした順番で積層した。
 なお、第一電極103を陰極とする場合には、上記積層順は反転する。
 また、本実施の形態においては、ボトムエミッション型有機EL素子とし、第一電極103として、ITO(インジウム-スズ酸化物)を用いた。有機EL層の材料としては、既知の材料を用いることができる。
 また、発光層(106R・106G・106B)としては単一材料を用いたもの、あるいはある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料またはドーパントとして混ぜ込んだ混合型を用いることができるが、本実施の形態においては、発光層(106R・106G・106B)を単一材料を用いたもので形成した。
 以下、図14および図15に基づいて、図13に示した第一電極103までが形成された基板101上に有機EL層を形成する方法について説明する。
 図14は真空蒸着法によって、基板上にパターン蒸着膜を形成する方法を示した模式図である。
 図示されているように、蒸着源120にて蒸着材料を加熱、昇華させる。昇華した蒸着粒子は、所望の位置に開口部110aを有するシャドウマスク110を介して図13に示した第一電極103までが形成された基板101に到達する。
 シャドウマスク110は基板101に密着されている。これによって、基板101の所望の位置に蒸着膜が形成される。
 図13における正孔注入層兼正孔輸送層105、電子輸送層、電子注入層および第二電極107の場合、表示部全面に製膜を行うため、表示部全面および製膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクをシャドウマスク110として用いて、製膜を行う。
 一方、同図において、発光層(106R・106G・106B)の製膜を行う場合、当該箇所のみが開口したファインマスクをシャドウマスク110として用いて、製膜を行う。
 図15は有機EL表示装置の製造工程を示したものである。
 先ず、TFT基板上に第一電極103を形成した基板101を作製する(S1)。
 そして、基板101の上に正孔注入層兼正孔輸送層105を真空蒸着法により全面に形成する(S2、S3)。
 それから、ファインマスクをシャドウマスク110として用いて、発光層(106R・106G・106B)を真空蒸着法により所定の箇所に形成する(S4)。
 その後、電子輸送層、電子注入層、第二電極107を順に真空蒸着法により形成する(S5、S6、S7)。
 以上のように、蒸着が完了した基板に対して、有機EL素子が大気中の水分や酸素にて劣化しないよう、有機EL素子の領域(表示部)の封止を行う(S8)。
 封止は、水分や酸素の透過しにくい膜をCVD法などで形成する方法、ガラス基板などを接着剤などにより貼り合わせる方法などがある。
 以上のような工程により、有機EL表示装置が作製され、外部に形成された駆動回路から、個々の画素にある有機EL素子に電流を流し発光させることで、所望の表示を行うことができる。
 以下、図1に基づいて、上述した図15に示す有機EL表示装置の製造工程において、TFT基板上に第一電極103を形成した基板101上に、有機EL層を形成する際に用いることのできる真空蒸着装置1について説明する。
 図1は、真空蒸着装置1の概略的な構成を示す図である。
 真空チャンバ5内には、蒸着源13に備えられた蒸着材料収納部2と、防着板3およびシャッタ4とが配置されている。
 蒸着材料収納部2は真空チャンバ5内に一つだけであり、防着板3はチャンバ5内の他の構成物が蒸着粒子の付着によって汚染されるのを防止する。
 また、シャッタ4は、蒸着が不必要な時(例えば、安定な蒸着速度を得るまでの時間、基板101が存在しない間あるいは基板101とシャドウマスク110とを位置合わせし、密着させるまでの時間など)に蒸着粒子が真空チャンバ5内に放出(射出)されるのを防止している。すなわち、防着板3の放出口6を開放または遮蔽する役目をもつ。
 防着板3およびシャッタ4は、形状が略四角形の小片3a・3b・4a・4bの組み上げにて各々構成されている。
 小片3a・3b・4a・4bの大きさは、一辺が略10cm、他辺が5~10cmであり、板厚が略1mmとなっている。
 これらの小片3a・3b・4a・4bを複数枚用いて、所望の全体形状になるように組み上げられている。また、小片3a・3b・4a・4b同士の間に空隙が生じて、その間を蒸着粒子が通って真空チャンバ5内の他の構成物を汚染しないよう、小片3a・3b・4a・4b同士は空隙が生じないように組み上げされている。
 なお、本実施の形態においては、小片3a・3b・4a・4bの材料としてはステンレス鋼(SUS)を用いた。
 また、本実施の形態においては、小片3a・3b・4a・4bを下記図2に示す形状で形成したが、これに限らず、組み上げしやすく、後述するストッカに格納しやすい範囲内で自由な形状と大きさを取ることができる。また辺の幾つかが湾曲しているような物でもよい。
 図2は、本実施の形態で用いている方法であり、小片3a・3b・4a・4bが略四角形であるが、角部に切り欠きがあり、八角形の形状を成している。
 図2の(a)に示すような孔(連結部)のあるメス部材と、図2の(b)に示すような突出部(連結部)のあるオス部材を図2の(c)のように噛み合わせることで、組み上げを行う。
 例えば、壁面状のチャンバ5内構成物である防着板3やシャッタ4を組み上げる場合、図2の(d)のようにメス部材とオス部材を2次元配列させることで実現することができる。
 この際、角部に切り欠きがあるので、小片3a・3b・4a・4bを2次元配列しても部材同士が干渉することなく、構成物を組み上げることができる。
 さらに、メス部の孔とオス部の突出部が噛み合っているので、小片が自然に外れたり、構成物が小片に分解してしまうことがない。
 図2の(d)の手順を複数回繰り返すことで、任意の大きさの壁面状構成物を作製することができる。
 なお、本実施の形態においては、防着板3とともにシャッタ4が備えられた真空蒸着装置1を例に挙げて説明したが、シャッタ4が備えられてない構成にも本発明は適用可能である。
 また、本実施の形態においては、防着板3やシャッタ4の全体を小片3a・3b・4a・4bで構成しているが、その一部のみを小片3a・3b・4a・4bで構成してもよい。
 以上のように、小片3a・3b・4a・4bの各々には、小片同士を連結および分解できる連結部が備えられている。
 図3は、本実施の形態で用いることができる小片の他の例を示している。
 図示されているように、各小片は四角形であり、四辺に折り返しがついている。
 折り返しは、図3の(a)に示すように、対向する二辺の折り返し側が同一であり、他二辺が逆側に折り返されている。
 この折り返しを図3の(b)のように噛み合わせることで、組み上げを行う。
 例えば、壁面状のチャンバ5内構成物を組み上げる場合、図3の(c)のように2次元配列させることで実現することができる。
 なお、図中の小片上の数字は層番号を示しており、一番底辺を0層とし、紙面手前になるほど層番号が増える。
 図3の(c)のように小片を積層することで、各小片が干渉することなく、構成物を組み上げることができる。
 さらに、折り返し部が互いに噛み合っているので、小片が自然に外れたり、構成物が小片に分解してしまうことがない。
 図3の(d)にA-A’断面、図3の(e)にB-B’断面を示す。
 図中に示した番号は上述した層番号である。図3の(c)のように組み上げた時、図3の(d)に見られるように、第3層と第0層との間に空隙が生じる。但し、蒸着材料収納部から放出された蒸着材料の蒸着流がこの空隙を通過しないように配置すれば、空隙があっても問題はない。
 すなわち、図中に一点鎖線の矢印で示したような、空隙を通過し得る蒸着粒子の飛翔がないように空隙の位置および蒸着源の配置を工夫することで、蒸着材料は空隙を通過することなく、小片で組み上げられた構成物に捕捉される。
 また、この空隙は、小片の板厚、折り返しの長さによって調整することが可能である。例えば、小片の板厚を薄くすることで空隙の幅をより小さくしたり、あるいは、折り返しの長さを長くする(噛み合う範囲を長くする)ことで、空隙への蒸着粒子の入射角をより制限することができる。
 図3の(c)の手順を複数回繰り返すことで、任意の大きさの壁面状構成物を作製することができる。
 図4は、本実施の形態で用いることができる小片のさらに他の例を示している。
 図示されているように、小片は四角形であり、四辺がL字型に折られている。但し、角部は図4の(a)および図4の(b)のようにL字部が省かれている。
 図4の(c)のように裏表を一対として噛み合わせることで、組み上げを行う。
 例えば、壁面状のチャンバ5内構成物を組み上げる場合、図4の(d)のように2次元配列させることで実現することができる。
 角部ではL字部が省かれているため、各小片が干渉することなく、構成物を組み上げることができると同時に、噛み合う部分および角部で各小片が重なり合うことで蒸着粒子が通過し得る空隙をなくしている。
 さらに、L字部が噛み合っているので、小片が自然に外れたり、構成物が小片に分解してしまうことがない。
 なお、L字型だけでは、小片が外れる虞がある場合には、突起や鉤型の構造をL字部に適宜追加することもできる。図4の(d)の手順を複数回繰り返すことで、任意の大きさの壁面状構成物を作製することができる。
 また、本実施の形態で用いることができる小片の組み上げ方法としては、ビスやナットによる小片の組み上げも無論可能である。但し、この場合、ビスやナットが蒸着材料で汚染されることや、構成物の組み上げ、分解に時間を要することから、上記の図2~図4で説明したような簡便な組み上げ方法を用いることが好ましい。
 さらに、本実施の形態においては、小片3a・3b・4a・4bの材料としてSUSを用いたが、これに限らず、本発明が適用できる範囲内で任意の材料を選択できることは言うまでもない。
 なお、本実施の形態においては、図15に示す有機EL表示装置の各製造工程において、各々真空蒸着装置を準備し、小片3a・3b・4a・4bを用いた防着板3およびシャッタ4は、正孔注入層兼正孔輸送層を形成する真空蒸着装置1にてのみ適用した。
 その他の真空蒸着装置のチャンバでは、防着板およびシャッタは、従来のように個々のチャンバ用に設計されたものを用いた。
 勿論、小片3a・3b・4a・4bを用いた防着板3およびシャッタ4を、正孔注入層兼正孔輸送層を形成する真空蒸着装置1の真空チャンバ以外にも適用してもよい。
 上述した図15の手順で有機EL表示装置を作製した際、正孔注入層兼正孔輸送層を形成する真空チャンバ5においては、防着板3およびシャッタ4に蒸着材料である当該材料が堆積した。
 そして、正孔注入層兼正孔輸送層を形成する真空チャンバ5を大気開放し、当該蒸着材料が付着した防着板3およびシャッタ4を個々の小片3a・3b・4a・4bに分解して取り出した。
 図5は、分解された複数の小片3a・3b・4a・4bをストッカ7に配列格納した様子を示す図である。
 図示されているように、ストッカ7は、箱型であり、分解された複数の小片3a・3b・4a・4bが差し込んで固定できるようになっている。
 本実施の形態においては、ストッカ7として、内寸は高さ10cm、幅10.5cm、長さ50cmであり、小片を3mmピッチで長さ方向に配列できるような溝が形成されているもの用いているが、これに限定されることはない。
 図6は、小片3a・3b・4a・4bに付着した蒸着材料を回収する回収装置10の概略的な構成を示す図である。
 図示されているように、回収装置10は、再昇華室(昇華部)11、収容室12および図1に示す真空蒸着装置1に備えられた蒸着源13より構成されており、再昇華室11と収容室12、および収容室12と蒸着源13は開閉し得る配管15・16にて接続されている。
 すなわち、図6においては、図1に示す真空蒸着装置1の蒸着源13のみを図示しているが、回収装置10は、真空蒸着装置1と一体的に形成されている。
 小片3a・3b・4a・4bを格納したストッカ7は次に再昇華室11に入れられる。再昇華室11は真空度10-5Pa程度まで真空にすることができ、また当該材料が付着しない温度まで内壁の温度を調整できるようになっている。
 ストッカ7にはヒータ14が備え付けられ、再昇華室11を真空にした状態でヒータ14によってストッカ7および小片3a・3b・4a・4bは加熱される。
 また、再昇華室11には、温度調整可能な収容室12が配管15を介して接続されており、さらに収容室12は蒸着源13に接続されている。
 各々の配管15・16は開閉することができ、また温度調整することが可能である。また、収容室12の温度は小片3a・3b・4a・4bから再度昇華された蒸着材料が収容室12の表面に再付着するような温度に調整されている。
 ヒータ14によって、ストッカ7および小片3a・3b・4a・4bを加熱し、小片3a・3b・4a・4bに付着した正孔注入層兼正孔輸送層材料が昇華する温度まで温度上昇させ、当該蒸着材料は再昇華室11の中で、再度昇華した。
 しかし、再昇華室11の内壁は当該蒸着材料が付着しない温度になっているので、当該蒸着材料は付着しなかった。
 次に、再昇華室11と収容室12の間の配管15を開放し、再昇華した当該蒸着材料を収容室12に誘導した。なお、昇華した蒸着材料を効率よく再昇華室11から収容室12へ誘導するために、図6に図示されているように、ガスフローによりキャリアガスを用いている。
 キャリアガスとしては、昇華した蒸着材料と反応しないよう、不活性ガスを用いている。例えば、Arガスなどである。またキャリアガスは循環させておいてもよい。それにより、収容室12で捕捉できずにキャリアガスと共に流れて去ってしまった蒸着材料を再度、収容室12に取り込むことができる。
 なお、キャリアガスがなくても、昇華した蒸着材料を再昇華室11から収容室12に十分誘導できるのであれば、ガスフローを用いる必要はない。本実施の形態においては、30sccmの流量でArガスを流した。
 収容室12の内壁は当該蒸着材料が付着する温度に調整されているので、収容室12内に当該蒸着材料が再度付着した。このようにして、全ての当該蒸着材料が小片3a・3b・4a・4bから収容室12に移るようにした。
 次に再昇華室11と収容室12との間の配管15を閉じ、またストッカ7のヒータ14を切り、ストッカ7および小片3a・3b・4a・4bの加熱を止めた。同じように、再昇華室11の温度調整も止めた。
 その後、収容室12と蒸着源13との間の配管16を開き、収容室12の内壁温度を当該蒸着材料の付着する温度よりも高くしたと同時に、蒸着源13に備えられた図示してない蒸着材料収納部の温度を当該蒸着材料が付着するような温度にした。それにより、再昇華室11の小片3a・3b・4a・4bから収容室12に当該蒸着材料が移ったのと同じように、収容室12から蒸着源13に備えられた上記蒸着材料収納部に当該蒸着材料が全て移った。
 最後に、収容室12と蒸着源13との間の配管16を閉じ、収容室12の温度調整を止めた。
 以上のような工程によって、防着板3およびシャッタ4に付着した正孔注入層兼正孔輸送層材料の回収および再利用をすることができた。このような工程によって回収および再利用を行う回収装置10を備えた有機EL蒸着装置を用いて、材料利用効率の高い有機EL表示装置の作製を行うことができた。
 なお、本実施の形態においては、正孔輸送層兼正孔注入層材料に関して、本発明の方法を適用したがこれに限らず、他の単一材料層に対しても用いることができる。また、第二電極107を構成するような金属材料にも適用することができるが、ストッカ7や小片3a・3b・4a・4b、再昇華室11、配管15・16、収容室12などを金属材料が昇華する温度にまで耐えられる材料にする必要があり、装置コストとして有利ではない。したがって、金属材料よりも昇華温度の低い有機材料に適用することが望ましい。
 また、本実施の形態においては、ストッカ7をヒータ14にて加熱したが、これに限らず、再昇華室11の内壁を加熱することによって、ストッカ7および小片3a・3b・4a・4bを加熱してもよい。その場合、再昇華室11の温度は少なくとも昇華した蒸着材料が付着する温度よりも高くなるので、別途再昇華室11の温度を調整する必要がない。
 上記構成によれば、防着板3およびシャッタ4が形状および大きさが制限された小片3a・3b・4a・4bにて構成されているので、真空チャンバ5の形状や大きさに制限されず、如何様な形状や大きさを有する防着板3およびシャッタ4も小片3a・3b・4a・4bで構成することができる。
 すなわち、汎用性の高い小片3a・3b・4a・4bを用いることで、例えば、有機ELの製造に用いられる真空蒸着装置1の製造コストが低減できる。
 なお、本実施の形態においては、防着板3とシャッタ4とを、小片3a・3b・4a・4bにて構成したが、これに限らず、他の構成物にも適用できる。
 また、上記構成によれば、小片3a・3b・4a・4bの大きさが制限されているので、共通のストッカ7を用いることができ、また、再昇華室11の大きさも真空チャンバ5の形状や大きさに依存せず、共通とすることができる。
 したがって、任意の形状や大きさの防着板やシャッタを用いた場合に比べて、例えば、有機ELの製造に用いられる真空蒸着装置1および回収装置10の製造コストが低減できる。
 また、上記構成によれば、蒸着源13と収容室12を繋ぐ配管16以外は新たな構成物を真空チャンバ5内に設置する必要がないので、同様に、例えば、有機ELの製造に用いられる真空蒸着装置1を備えた回収装置10の製造コストが低減できる。
 なお、本実施の形態においては、収容室12を設置したが、必ずしも収容室12を設置している必要はない。
 但し、収容室12を備えていることで、再昇華室11の稼働タイミングと蒸着源13の稼働タイミングを分けることができる。
 また、再昇華室11から収容室12への移し替えの速度と収容室12から蒸着源13への移し替えの速度とを変えられるために過熱による材料劣化を防止できる。
 さらには、再昇華室11から収容室12への蒸着材料の移し替えを複数回行うことによって、蒸着の時々によって小片3a・3b・4a・4bに付着していた材料を収容室12で混合し、その特性バラツキを平均化できる。
 そして、再昇華室11にて蒸着材料と共に昇華していた不純物を収容室12で捕獲し、蒸着源13に届かないようにできる。
 上述したような利点があるため、収容室12は設けられていることが望ましい。
(変形例1)
 上述した回収装置においては、小片3a・3b・4a・4bを格納したストッカ7を設置する再昇華室11が収容室12を介してあるいは直接、真空蒸着装置1の蒸着源13に接続されている例を示したが、真空蒸着装置1の蒸着源13に接続されておらず、各々が独立していてもよい。
 すなわち、再昇華室11と収容室12を備えた回収装置(昇華精製装置)10aを真空蒸着装置1と独立して備えることも可能である。この場合にも、実施の形態1で示したような本発明の効果は得ることができる。
 図7は実施の形態1の変形例である回収装置10aを示している。図7は、図6において、再昇華室11と収容室12のみの構成と同一であるため、説明の便宜上、上記実施の形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 従来の昇華精製装置においては、容器に詰められた粉体を加熱するので、材料の温度上昇は材料そのものの熱伝導性に依存する部分が多い。また容器の表面付近の材料が過度に加熱され、熱分解を起こす可能性があり、それを避けるためには、攪拌機などの余分な装置が必要となっていた。
 一方、本変形例のような回収装置(昇華精製装置)10aにおいては、小片3a・3b・4a・4bの表面に薄く付着した蒸着粒子を小片3a・3b・4a・4bからの熱伝導によって効率よく加熱できるので、材料そのものの熱伝導性に依存する部分が少なく、また攪拌機などの過熱防止装置を付与する必要が無い。そのため、回収装置(昇華精製装置)10aの構造を簡素化することができ、装置コストの低減や小型化が可能となる。
 そして、図7のような回収装置(昇華精製装置)10aにて回収された蒸着粒子は、蒸着源13に別途手動で補給される。
 なお、収容室12には、真空蒸着装置1の蒸着源13に備えられた蒸着材料収納部2に格納できる蒸着材料回収容器(例えば、るつぼやボートなど)が備えられていてもよい。
 このような構成によれば、蒸着材料が回収された蒸着材料回収容器を真空蒸着装置1に備えられた蒸着材料収納部2に格納して、そのまま使用することができる。
 〔実施の形態2〕
 次に、図8に基づいて、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施の形態においては、小片(未図示)およびストッカ7aの少なくとも一方は、導電性を有しており、通電することで加熱できるようになっている点において実施の形態1とは異なっており、その他の構成については実施の形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図8は、回収装置10bの概略的な構成を示す図である。
 本実施の形態においては、実施の形態1と同様に、正孔注入層兼正孔輸送層材料の製膜用真空蒸着装置の真空チャンバにおいて、防着板とシャッタを小片の組み上げにて作製した。
 小片の形状および大きさは実施の形態1と同様であるが、小片の素材は、本実施の形態においては、タンタル(Ta)とした。
 当該材料が付着した防着板およびシャッタを小片に分解して、小片と同じタンタル素材で作られたストッカ7aに格納し、再昇華室11へ入れた。ストッカ7aおよび小片は真空チャンバ外部から通電できるように電源17に接続されている。
 再昇華室11を真空度10-5Paまで減圧した後、ストッカ7aに通電を行った。同時に、小片にも通電され、ジュール熱によりストッカ7aおよび小片の温度が、小片に付着している当該材料の昇華温度以上まで上昇した。それにより小片から蒸着材料が昇華、脱離した。
 その後は、実施の形態1と同様の方法によって、収容室12にて当該材料を捕集した。
 以上のような工程により、防着板やシャッタに付着した蒸着材料を回収、再利用できるので、有機EL製造装置として用いることができる材料利用効率の高い真空蒸着装置1および回収装置10bを実現でき、結果として、低コストの有機EL表示装置を実現できる。
 上記構成によれば、ストッカ7aおよび小片が導電性であるので、通電によるジュール熱で直接加熱することができ、効率よく小片の温度を上昇させることができる。そのため、より少ないエネルギーで蒸着材料を回収し、再利用することができ、結果として、有機EL表示装置の製造原価を下げることに寄与し得る。
 なお、本実施の形態においては、ストッカ7aおよび小片が導電性であったが、これに限らず、ストッカ7aのみが導電性であってもよい。その場合、ストッカ7aは通電によるジュール熱で加熱され、小片は伝熱にて加熱される。
 また、小片のみが導電性であってもよい。その場合、小片に直接通電できるように各小片に電気的接続を行っておく必要がある。電気的接続の容易性や小片の温度上昇のエネルギー効率を考えれば、ストッカ7aおよび小片の両方が導電性であることが好ましい。
 また本実施の形態においては、ストッカ7aおよび小片の素材をタンタル(Ta)としたがこれに限らず、通電によりジュール熱を発生し、それにより小片に付着した蒸着材料を昇華し得る機能を有する限り、様々な素材を用いることができる。
 〔実施の形態3〕
 次に、図9および図10に基づいて、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施の形態においては、混合された蒸着材料を分離、回収し得る機構が回収装置内に設けられている点において実施の形態1および2とは異なっており、その他の構成については実施の形態1および2において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1および2の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図9は、真空蒸着装置1aの概略的な構成を示す図である。
 発光層用の真空蒸着装置1aの真空チャンバ5a内には、蒸着源13aに備えられた蒸着材料収納部2aおよび蒸着源13bに備えられた蒸着材料収納部2bが配置されており、それぞれに防着板3およびシャッタ4が配置されている。また実施の形態1および2と同様に、真空チャンバ5a内全体に対する防着板3も備えている。上記の防着板3およびシャッタ4は、上述したような小片3a・3b・4a・4bの組み上げにて構成されている。
 図9に図示されているように、真空蒸着装置1aを用いて、基板101上に発光層を製膜した。具体的には、正孔注入層兼正孔輸送層を製膜するための図1に示す真空蒸着装置1の真空チャンバ5にて当該材料をTFT基板上に製膜した。
 その後、発光層の製膜用真空蒸着装置1aの真空チャンバ5aにて、ホスト材料およびゲスト材料の2種類からなる発光層を製膜した。蒸着材料収納部2aからホスト材料を、蒸着材料収納部2bからゲスト材料を各々昇華させ、同期間に両蒸着材料収納部2a・2bに対するシャッタ4を開放することで、基板101上に当該材料2種類が混合されて成る膜を作製した。
 なお、ゲスト材料は、ホスト材料からエネルギーを受け取ることで、高効率で発光することができる。
 さらに、電子輸送層、電子注入層および第二電極をその他の真空蒸着装置の真空チャンバにて製膜し、封止することで有機EL表示装置を作製した。
 上記のような手順にて有機EL表示装置を作製した時、発光層用の真空チャンバ5aにおいて、防着板3およびシャッタ4の表面には単独ないし混合した蒸着材料が堆積した。
 図10は、回収装置10cの概略的な構成を示す図である。
 真空チャンバ5aを開放し、防着板3およびシャッタ4を小片3a・3b・4a・4bに分解して取り出し、ストッカ7に格納した上で、図10に示すような再昇華室11へ入れた。
 ストッカ7および再昇華室11は実施の形態1と同じであり、収容室12a・12bは蒸着源13aに備えられた蒸着材料収納部2aおよび蒸着源13bに備えられた蒸着材料収納部2bに対して各々設けられている。
 また、再昇華室11と収容室12の間には、図示されているように、内部に複数の内壁18aがてれこ状態で備えられた分離室18が設けられている。
 分離室18は、その内壁18aが少なくとも蒸着材料が昇華し得る温度まで調整できるようになっている。
 混合された蒸着材料を次のような手順で分離、回収した。
 先ず、ストッカ7内の小片3a・3b・4a・4bを2種類の蒸着材料が共に昇華する温度まで上昇させた。この時、再昇華室11の内壁温度は、両材料が付着しない温度に保たれている。
 同時に再昇華室11と分離室18を繋ぐ配管20を開放し、昇華した材料を分離室18に誘導した。分離室18内の複数の内壁18aは昇華温度の高い方の材料は付着し、他方は付着しないような温度に保たれている。
 本実施の形態においては、ゲスト材料の方がホスト材料と比較して昇華温度が高いため、分離室18の内壁18aには、ゲスト材料は付着するがホスト材料は付着しない。
 このような状態で分離室18と収容室12aとを繋ぐ配管19aを開放した(分離室18と収容室12bとを繋ぐ配管19bは閉じている)。
 ホスト材料は分離室18の内壁18aに付着しないため、そのまま分離室18を通過し、収容室12aに流入する。収容室12aはホスト材料が付着するような温度に設定されているため、結局ホスト材料は収容室12aにて捕集された。
 次に、全てのホスト材料が収容室12aにて捕集された後、分離室18と収容室12aとの間の配管19aを閉じた。もし、再昇華室11から分離室18へのゲスト材料の移し替えが完了していれば、再昇華室11と分離室18とを繋ぐ配管20も閉じる。
 そして、分離室18の内壁18aの温度をゲスト材料が昇華する温度まで上昇させた。同時に、分離室18と収容室12bとを繋ぐ配管19bを開放した。これにより、昇華したゲスト材料は収容室12bへ流入する。収容室12bの温度はゲスト材料が付着する温度に設定されているため、収容室12bにてゲスト材料が捕集された。
 上記のような工程によって、収容室12aおよび収容室12bにホスト材料およびゲスト材料をそれぞれ分離して捕集することができた。
 上記捕集したホスト材料およびゲスト材料の収容室12a・12bから図9に示す真空蒸着装置1aの蒸着源13a・13bに備えられた蒸着材料収納部2a・2bへの供給は実施の形態1および2と同様であるため、説明を省略する。
 上記構成によれば、防着板3やシャッタ4を構成していた小片3a・3b・4a・4bに2種類の材料が混合して付着していたとしても、昇華温度の違いを利用し、効率的に分離して回収、再利用することができる。したがって、単独の材料のみが付着している小片に対し、回収、再利用する場合に比べて、より一層、材料利用効率を向上することができる。
 なお、本実施の形態においては、2種類の材料が混合して小片3a・3b・4a・4bに付着している場合を示したが、これに限らず、3種類以上の材料が混合して小片に付着していても、本発明の方法を適用することができる。
 各蒸着材料に対して、各々収容室を設けて分離室に接続しておき、各蒸着材料の昇華温度の違いを利用して、分離室の内壁に付着しない材料が1種類のみになるように分離室の内壁の温度を調整にすることで、分離室から1種類の蒸着材料を取り出して特定の収容室に誘導、捕集することができる。この手順を順次繰り返すことで、3種類以上の混合状態に対しても、対応が可能である。
 なお、本実施の形態においては、分離室18に複数の内壁18aをてれこ状態に配置したが、これに限らず、分離室の構造は様々なものとすることができる。例えば、分離室内に網目状のフィルタを多数配置し、付着するべき材料をそれらのフィルタに付着させてもよい。
 但し、分離室の大きさを可能な限り小さくし、効率よく材料を分離室内にて分離させるためには、分離室内に表面積が大きくなるような構造物を形成するほうがよい。また、分離室内で付着して分離されるべき蒸着粒子が分離室内の構造物に衝突することなく収容室へ入り込むことのないように、分離室内において再昇華室からの配管口と収容室への配管口とを結ぶ直線が必ず構造物と交差するような条件にしていることが望ましい。
 本実施の形態において、用いている図示しているようなてれこ状態に複数の内壁18aを構成する方法は、上記の条件を簡便に実現する上で有効である。
 なお、本実施の形態においては、分離室18を設けて混合した蒸着材料を分離したが、これに限らず、分離室18の機能を再昇華室11やストッカ7に付与することで、分離室18を設けないことも可能である。その場合、再昇華室11あるいはストッカ7、または、その両方の温度調整を行うことで、1種類の蒸着材料のみが昇華している状態を発生させ、その昇華している材料を特定の収容室にて捕集してやればよい。
 但し、再昇華室11やストッカ7には上述したような分離室18内の複雑な構造を付与させることは、装置コストや利便性の面で不利であることを考えれば、分離室18を別途設けることが好ましい。
 なお、昇華温度の非常に近い材料が混合している場合、一方を分離室18の内壁18aに付着させ、他方を付着させないという制御は困難であり、上記構成においては、分離、回収ができない可能性が高い。
 しかしながら、このような場合、混合した材料を一つの蒸着源にて加熱しても、混合比に近い状態で放出されることは容易に推察される。したがって、必ずしも分離する必要はなく、混合材料を昇華させる専用の蒸着源、あるいはそれに接続された収容室に混合したまま回収し、再利用してもよく、実施の形態1および2の構成を適用することができる。
 また、防着板3やシャッタ4に付着した混合材料の混合比はその構成物の設置位置や機能によって、まちまちであると推測されるため、それらを構成していた小片を混在してストッカ7に格納し、再昇華室11にて昇華させた場合、得られた回収物の混合比は、基板の蒸着時に行っていた混合比と異なる可能性がある。
 したがって、複数の材料が混合したまま回収された回収物を一つの混合材料用蒸着源から放出し、基板に製膜したとしても、所望の混合比を得られない可能性がある。
 そのような場合には、別途単独材料を放出する蒸着源を用意し、混合材料用蒸着源からの放出に合わせて放出量を調整し、共蒸着を行うことで、所望の混合比を有する蒸着膜を基板上に形成できる。
 以上のように、いずれの方法に至ったとしても、本実施の形態の構成によれば、混合した蒸着材料を回収し、再利用することができる。
 〔実施の形態4〕
 次に、図11に基づいて、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施の形態においては、外部から接続された再昇華室を有しておらず、代わりにストッカ7を格納できる蒸着源13cを有している点において実施の形態1から3とは異なっており、その他の構成については実施の形態1から3において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1から3の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図11は、真空蒸着装置1bの概略的な構成を示す図である。
 図示されているように、真空蒸着装置1bにおいては、ストッカ7を格納できる蒸着源13cを有している。
 蒸着材料収納部2cにはノズル口21が設けられており、ノズル口21から被成膜基板101に向けて蒸着材料が放出される。
 上記と同様にして、蒸着材料が付着した防着板3およびシャッタ4を小片3a・3b・4a・4bに分解し、ストッカ7に格納する。
 そして、そのストッカ7は蒸着源13c内に設置される。
 蒸着材料収納部2cをヒータ(未図示)で加熱すると、ストッカ7および小片3a・3b・4a・4bが加熱され、蒸着材料収納部2c内で昇華した蒸着材料はノズル口21を通過して真空チャンバ5内に放出される。
 一般的な蒸着源においては、容器に詰められた粉体を加熱するので、材料の温度上昇は材料そのものの熱伝導性に依存する部分が多い。また、容器の表面付近の材料が過度に加熱され、熱分解を起こす可能性があり、それを避けるため加熱温度を高くすることができなかった。
 したがって、加熱温度が高くなるほど蒸着速度も速くなるが、上述した理由から加熱温度を高くできないので、高速の蒸着速度を得ることは困難であった。
 一方、本実施の形態の構成によれば、小片3a・3b・4a・4bの表面に薄く付着した材料を小片3a・3b・4a・4bからの熱伝導によって効率よく加熱できるので、材料そのものの熱伝導性に依存する部分が少なく、また加熱温度も高くすることができる。
 そのため、蒸着速度をより高めることができる。また、同時に、蒸着材料の熱分解の発生をより抑制することができる。
 また、本実施の形態においては、実施の形態1から3で示したような再昇華室や回収室などを余分に設ける必要が無い。そのため、装置構成をより簡素化することができる。
 本実施の形態においては、ノズル口21を一つ有する蒸着材料収納部2cを用いたがこれに限らず、多数のノズル口が配置されていたり、または、スリット口を有する蒸着材料収納部であってもよい。
 但し、これらの構造においては、小片から昇華する蒸着材料の量のバラツキ等の影響により、各ノズル口やスリット口内の位置によって放出量が異ならないようにする必要がある。
 一例としては、ノズル口やスリット口と小片との間にメッシュ状の構造物を配置することによって、蒸着材料収納部内で昇華し、各ノズル口やスリット口を介して放出される材料の量を均一化する方法が挙げられる。
 本実施の形態の構成によれは、蒸着材料の回収と再利用を分離することなく、同時に実施することができる。
 〔実施の形態5〕
 次に、図12に基づいて、本発明の第5の実施形態について説明する。本実施の形態においては、真空蒸着装置1cに備えられた制御板22が小片22a・22bで形成されている例を示しており、その他の構成については実施の形態1から3において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1から3の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図12は、制御板22が小片22a・22bで形成されている真空蒸着装置1cの概略的な構成を示す図である。
 図示されているように、真空蒸着装置1cにおいては、蒸着材料収納部2dと蒸着マスク110との間に設けられた複数の制御板22が、制御板間空間23に入射した蒸着粒子を、その入射角度に応じて選択的に捕捉するので、マスク110の開口部には、所定の入射角度以下の蒸着粒子のみが入射されるようになっている。
 これにより、蒸着粒子の基板101に対する最大入射角度が小さくなるので、ホルダ120に保持された基板101に形成される被膜の端縁に生じるボヤケを抑制することができる。
 本実施の形態においては、制御板22を実施の形態1において用いた小片22a・22bでの組み上げにて形成した。
 なお、図示されてないが、真空蒸着装置1cに備えられた防着板およびシャッタについても、例えば、実施の形態1において用いた小片での組み上げにて形成してもよい。
 これらの小片に付着した蒸着材料は、既に上述した方法で回収することができ、効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収できる真空蒸着装置1cを実現できる。
 上記実施の形態1から5においては、一例として、有機EL表示装置の真空蒸着法による製造装置に関して詳述した。しかしながら、内容から明らかなように、本発明の方法は、真空蒸着法を用い、真空チャンバ内の構成物に付着した蒸着材料を効率よく簡便に回収、再利用する目的を有する様々な他の製造装置、およびそれを用いた製造物に対して適用することができる。
 本発明の蒸着装置は、所定期間においては、少なくとも上記蒸着材料収納部から第1の方向に放出される蒸着粒子は、上記蒸着材料収納部と上記基板との間に備えられ、且つ、上記蒸着装置から取り外しできる第2の部材に蒸着され、上記第2の部材の少なくとも一部は、複数個の上記小片が連結されてなることが好ましい。
 上記構成によれば、上記第2の部材、例えば、シャッタ部の少なくとも一部も、複数個の上記小片を連結して形成している。
 上記第2の部材は、上記蒸着装置から取り外しでき、上記第2の部材を構成する小片同士も容易に分解できる。
 したがって、さらに効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収できる蒸着装置を実現できる。
 本発明の蒸着装置においては、上記第1の部材は、上記蒸着粒子によって上記蒸着室が汚染されるのを防止するための防着板であってもよい。
 本発明の蒸着装置においては、上記第1の部材は、上記蒸着材料収納部から蒸着粒子が放出される開口部と上記基板との間に備えられ、且つ、上記基板の法線方向に直交する方向に沿って、上記開口部を間に挟むように所定間隔で形成された複数の制御板であってもよい。
 上記構成によれば、上記蒸着粒子が比較的大量に蒸着されると想定される防着板や制御板の少なくとも一部を、複数個の上記小片を連結して形成している。
 そして、上記小片同士は容易に分解できる。
 したがって、さらに効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収できる蒸着装置を実現できる。
 本発明の蒸着装置においては、上記蒸着源は、上記小片が複数個格納された格納部材を格納可能に形成されていることが好ましい。
 上記の構成によれば、上記格納部材にて多量の蒸着材料が蒸着された複数の小片を一度に加熱することができ、回収および再利用する蒸着材料を簡便に再昇華することができる。
 また、上記蒸着装置に備えられた蒸着源は、蒸着材料が蒸着された小片が複数個格納された格納部材を格納可能に形成されているので、材料回収と再利用を同時に行うことができる。
 本発明の回収装置においては、上記第1の捕捉部は、上記蒸着装置に備えられた蒸着材料収納部に連結されており、上記第1の捕捉部を捕捉した蒸着粒子の昇華温度以上で加熱することによって、上記蒸着材料収納部に上記捕捉した蒸着粒子を供給することが好ましい。
 上記構成によれば、昇華部と第1の捕捉部とが備えられており、上記第1の捕捉部は、上記蒸着材料収納部に連結されているため、昇華部における蒸着粒子の昇華工程と、上記第1の捕捉部における上記昇華された蒸着粒子を捕捉する工程並びに、上記第1の捕捉部において捕捉された蒸着粒子を上記蒸着材料収納部へ供給する工程を分離することができ、回収装置のスループットを向上することができる。
 また、上記構成によれば、上記第1の捕捉部で捕捉した蒸着粒子を上記蒸着装置に備えられた蒸着材料収納部にそのまま供給できるので、効率よく、且つ、低コストで蒸着材料を回収できる回収装置を実現できる。
 本発明の回収装置においては、上記第1の捕捉部は、上記蒸着源であってもよい。
 上記構成によれば、上記第1の捕捉部から上記蒸着源に上記捕捉した蒸着粒子を供給する工程時間を省くことができるので、回収装置のスループットをさらに向上することができる。
 本発明の回収装置においては、上記第1の捕捉部には、上記蒸着装置の蒸着源に備えられた蒸着材料収納部に格納できる蒸着材料回収容器が備えられており、上記蒸着材料回収容器に、上記捕捉した蒸着粒子が回収されることが好ましい。
 上記構成によれば、上記第1の捕捉部においては、上記蒸着材料収納部に格納できる蒸着材料回収容器が備えられており、上記蒸着材料回収容器に、上記捕捉した蒸着粒子が回収されるようになっている。
 したがって、蒸着材料が回収された蒸着材料回収容器を上記蒸着装置に備えられた上記蒸着材料収納部に格納して、そのまま使用することができるので、回収装置のスループットを向上することができる。
 本発明の回収装置においては、上記小片および上記格納部材の少なくとも一方は、導電性材料で形成されており、通電によるジュール熱によって加熱を行い、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させることが好ましい。
 上記構成によれば、上記小片に蒸着した蒸着材料を効率よく加熱することが可能である。
 本発明の回収装置においては、上記小片および上記格納部材は、上記昇華部内に配置され、上記昇華部の壁面を加熱することにより、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させることが好ましい。
 上記構成によれば、上記昇華部そのもので上記小片および上記格納部材の加熱を行うため、上記小片および上記格納部材に別途加熱装置を設ける必要がない。
 本発明の回収装置においては、上記小片には、少なくとも2種類の異なる蒸着粒子が蒸着されており、上記昇華部の壁面は、上記小片に蒸着された1種類の蒸着粒子のみが昇華される温度に加熱されていることが好ましい。
 本発明の回収装置においては、上記小片には、少なくとも2種類の異なる蒸着粒子が蒸着されており、上記小片および上記格納部材の少なくとも一方は、上記小片に蒸着された1種類の蒸着粒子のみが昇華される温度に加熱されていることが好ましい。
 上記構成によれば、上記小片に蒸着された1種類の蒸着粒子のみが昇華されるので、上記小片に少なくとも2種類の異なる蒸着粒子が混合して蒸着した場合でも分離回収を行うことができる。
 本発明の回収装置においては、上記小片には、少なくとも2種類の異なる蒸着粒子が蒸着されており、上記昇華部と上記第1の捕捉部との間には、分離部が備えられており、上記分離部は、上記昇華部において昇華された少なくとも2種類の異なる蒸着粒子と接する温度調整が可能な複数の内壁を有するとともに、上記内壁の温度は、上記昇華された少なくとも2種類の異なる蒸着粒子の昇華温度中、最も低い温度以上、2番目に低い温度未満で設定されており、上記昇華部において昇華された上記少なくとも2種類の異なる蒸着粒子は、上記分離部を介して、上記第1の捕捉部に供給されることが好ましい。
 上記構成によれば、上記昇華室にて複数種類の蒸着粒子が昇華している状態においても、上記分離部を利用して、効果的に蒸着粒子を分離回収することができる。
 本発明の回収装置においては、上記分離部の内壁に蒸着した蒸着粒子が1種類である場合には、上記内壁の温度を上記2番目に低い温度以上に設定することにより、上記分離部の内壁に蒸着した蒸着粒子は昇華され、上記第1の捕捉部とは異なる第2の捕捉部に供給されることが好ましい。
 本発明の回収装置においては、上記分離部の内壁に蒸着した蒸着粒子が、2種類以上である場合には、上記内壁の温度を、上記分離部の内壁に蒸着した2種類以上の蒸着粒子の昇華温度中、最も低い温度以上、2番目に低い温度未満に設定することにより、上記分離部の内壁に蒸着した上記2種類以上の蒸着粒子中、1種類の蒸着粒子のみが昇華され、上記第1の捕捉部とは異なる第2の捕捉部に供給されることが好ましい。
 上記構成によれば、上記分離部に蒸着された蒸着粒子を効果的に分離回収することができる。
 本発明は上記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
 本発明は、蒸着装置や蒸着材料を回収する回収装置などに適用することができる。
 1、1a、1b、1c     真空蒸着装置(蒸着装置)
 2              蒸着材料収納部
 3              防着板
 3a・3b          小片
 4              シャッタ
 4a・4b          小片
 5、5a           真空チャンバ(蒸着室)
 7、7a           ストッカ(格納部材)
 10、10a、10b、10c 昇華精製装置(回収装置)
 11             再昇華室(昇華部)
 12、12a、12b     収容室(捕捉部)
 13、13a、13b、13c 蒸着源
 14             ヒータ
 15             配管
 16、16a、16b     配管
 17             電源
 18             分離室(分離部)
 18a            内壁
 19a・19b        配管
 20             配管
 21             ノズル口(開口部)
 22             制御板
 22a、22b        小片
 101            基板
 110            シャドウマスク

Claims (17)

  1.  蒸着室において、蒸着源に備えられた蒸着材料収納部から放出された蒸着粒子を、基板上に蒸着させる蒸着装置であって、
     上記蒸着材料収納部から第1の方向に放出される蒸着粒子は、上記基板上に蒸着され、
     上記第1の方向とは異なる第2の方向に放出される蒸着粒子は、上記蒸着装置から取り外しできる第1の部材に蒸着され、
     上記第1の部材の少なくとも一部は、複数個の小片が連結されてなり、
     上記小片の各々には、上記小片同士を連結および分解できる連結部が備えられていることを特徴とする蒸着装置。
  2.  所定期間においては、少なくとも上記蒸着材料収納部から第1の方向に放出される蒸着粒子は、上記蒸着材料収納部と上記基板との間に備えられ、且つ、上記蒸着装置から取り外しできる第2の部材に蒸着され、
     上記第2の部材の少なくとも一部は、複数個の上記小片が連結されてなることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  3.  上記第1の部材は、上記蒸着粒子によって上記蒸着室が汚染されるのを防止するための防着板であることを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。
  4.  上記第1の部材は、上記蒸着材料収納部から蒸着粒子が放出される開口部と上記基板との間に備えられ、且つ、上記基板の法線方向に直交する方向に沿って、上記開口部を間に挟むように所定間隔で形成された複数の制御板であることを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。
  5.  上記蒸着源は、上記小片が複数個格納された格納部材を格納可能に形成されていることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の蒸着装置。
  6.  請求項1から4の何れか1項に記載の蒸着装置に備えられた上記小片が複数個格納された格納部材と、
     上記小片および上記格納部材の少なくとも一方を加熱することによって、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させる昇華部と、
     上記昇華された蒸着粒子を捕捉する第1の捕捉部と、を備えた回収装置。
  7.  請求項1から4の何れか1項に記載の蒸着装置と、
     上記蒸着装置に備えられた蒸着室において、蒸着粒子が蒸着された小片が複数個格納された格納部材と、
     上記小片および上記格納部材の少なくとも一方を加熱することによって、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させる昇華部と、
     上記昇華された蒸着粒子を捕捉する第1の捕捉部と、を備えた回収装置。
  8.  上記第1の捕捉部は、上記蒸着装置に備えられた蒸着材料収納部に連結されており、
     上記第1の捕捉部を捕捉した蒸着粒子の昇華温度以上で加熱することによって、上記蒸着材料収納部に上記捕捉した蒸着粒子を供給することを特徴とする請求項7に記載の回収装置。
  9.  上記第1の捕捉部は、上記蒸着源であることを特徴とする請求項7に記載の回収装置。
  10.  上記第1の捕捉部には、上記蒸着装置の蒸着源に備えられた蒸着材料収納部に格納できる蒸着材料回収容器が備えられており、
     上記蒸着材料回収容器に、上記捕捉した蒸着粒子が回収されることを特徴とする請求項6または7に記載の回収装置。
  11.  上記小片および上記格納部材の少なくとも一方は、導電性材料で形成されており、通電によるジュール熱によって加熱を行い、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させることを特徴とする請求項6から10の何れか1項に記載の回収装置。
  12.  上記小片および上記格納部材は、上記昇華部に配置され、
     上記昇華部の壁面を加熱することにより、上記小片に蒸着された蒸着粒子を昇華させることを特徴とする請求項6から10の何れか1項に記載の回収装置。
  13.  上記小片には、少なくとも2種類の異なる蒸着粒子が蒸着されており、
     上記昇華部の壁面は、上記小片に蒸着された1種類の蒸着粒子のみが昇華される温度に加熱されていることを特徴とする請求項12に記載の回収装置。
  14.  上記小片には、少なくとも2種類の異なる蒸着粒子が蒸着されており、
     上記小片および上記格納部材の少なくとも一方は、上記小片に蒸着された1種類の蒸着粒子のみが昇華される温度に加熱されていることを特徴とする請求項6から11の何れか1項に記載の回収装置。
  15.  上記小片には、少なくとも2種類の異なる蒸着粒子が蒸着されており、
     上記昇華部と上記第1の捕捉部との間には、分離部が備えられており、
     上記分離部は、上記昇華部において昇華された少なくとも2種類の異なる蒸着粒子と接する温度調整が可能な複数の内壁を有するとともに、上記内壁の温度は、上記昇華された少なくとも2種類の異なる蒸着粒子の昇華温度中、最も低い温度以上、2番目に低い温度未満で設定されており、
     上記昇華部において昇華された上記少なくとも2種類の異なる蒸着粒子は、上記分離部を介して、上記第1の捕捉部に供給されることを特徴とする請求項6から12の何れか1項に記載の回収装置。
  16.  上記分離部の内壁に蒸着した蒸着粒子が1種類である場合には、上記内壁の温度を上記2番目に低い温度以上に設定することにより、上記分離部の内壁に蒸着した蒸着粒子は昇華され、上記第1の捕捉部とは異なる第2の捕捉部に供給されることを特徴とする請求項15に記載の回収装置。
  17.  上記分離部の内壁に蒸着した蒸着粒子が、2種類以上である場合には、上記内壁の温度を、上記分離部の内壁に蒸着した2種類以上の蒸着粒子の昇華温度中、最も低い温度以上、2番目に低い温度未満に設定することにより、上記分離部の内壁に蒸着した上記2種類以上の蒸着粒子中、1種類の蒸着粒子のみが昇華され、上記第1の捕捉部とは異なる第2の捕捉部に供給されることを特徴とする請求項15に記載の回収装置。
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