CN108977772A - 一种蒸镀装置及其蒸镀腔体 - Google Patents

一种蒸镀装置及其蒸镀腔体 Download PDF

Info

Publication number
CN108977772A
CN108977772A CN201810821348.5A CN201810821348A CN108977772A CN 108977772 A CN108977772 A CN 108977772A CN 201810821348 A CN201810821348 A CN 201810821348A CN 108977772 A CN108977772 A CN 108977772A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vapor deposition
plate
pressure sodium
ultraviolet lamp
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810821348.5A
Other languages
English (en)
Inventor
伍丰伟
张瑞军
雷勇
郑成章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201810821348.5A priority Critical patent/CN108977772A/zh
Publication of CN108977772A publication Critical patent/CN108977772A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种蒸镀装置及其蒸镀腔体,所述蒸镀腔体包括真空腔体、设置于真空腔体的内壁的防着板以及设置于所述防着板的内壁上的发光装置,所述发光装置包括高压钠灯和紫外灯。本发明的高压钠光和紫外光对真空腔体内的水,氧以及有机物进行分解,强光的照射使得真空腔体温度迅速升高,加快了腔体内的水,氧以及有机物分解速率,从而减少了腔体内水、氧以及有机物去除时间。

Description

一种蒸镀装置及其蒸镀腔体
技术领域
本发明涉及显示技术领域的制造设备,更具体的说,涉及一种蒸镀装置及其蒸镀腔体。
背景技术
现有的OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)真空蒸镀装置,因为蒸镀的材料相对敏感,若蒸镀时其蒸镀腔体内的水氧含量比较高,会对面板的光电指标及器件寿命造成不利的影响。目前降低腔体内水氧含量的方法主要是通过以下方式,即通过电阻丝对腔体进行加热(温度设置为80℃、加热时间为8小时),但用此方式处理水汽,不仅耗时久,影响OLED产能,而且依靠电阻丝加热的方式无法去除腔体内残留的有机气体。
发明内容
本发明专利所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种能够快速分解水氧和有机气体的蒸镀腔体。
在一个总体方面,提供了一种蒸镀腔体,包括真空腔体、设置于真空腔体的内壁的防着板以及设置于所述防着板的内壁上的发光装置,所述发光装置包括高压钠灯和紫外灯。
优选的,所述防着板还包括自内壁朝中间延伸的顶板部分,所述顶板部分设有用于光线和蒸镀气体通过的第一开口。
优选的,还包括遮光板,所述遮光板可转动地固定在所述防着板上,用于选择性的遮挡所述高压钠灯和所述紫外灯。
优选的,所述高压钠灯和所述紫外灯一侧均设置有所述遮光板,每个所述遮光板分别对应一个所述高压钠灯或所述紫外灯。
优选的,至少一个所述高压钠灯和至少一个所述紫外灯布置在所述防着板的顶部或底部。
或者,至少一个所述高压钠灯和至少一个所述紫外灯布置在所述防着板的四周。
优选的,所述防着板内表面设有用于反射光线的反光涂层。
在另一个总体方面,提供了一种蒸镀装置,包括上述的蒸镀腔体、基板支撑组件、掩膜板放置组件和蒸发源,所述掩模板放置组件位于所述基板支撑组件下方,用于承载金属掩模板,所述基板支撑组件用于承载待蒸镀的基板,所述蒸发源用于产生蒸镀气体。
优选的,所述基板支撑组件包括用于夹持基板的基板夹持机构和用于调整基板位置的基板对位机构。
优选的,所述蒸镀装置还包括冷板和用于吸附冷板的永久磁铁,所述冷板设置于所述基板支撑组件和所述永久磁铁之间。
本发明提供了一种能够快速分解水氧和有机气体的蒸镀腔体,通过高压钠光和紫外光的能量对真空腔体内的水,氧以及有机物进行分解,强光的照射使得真空腔体温度迅速升高,加快了腔体内的水,氧以及有机物分解速率,从而减少了腔体内水,氧以及有机物去除时间,缩短设备复机时间,提高设备稼动率。
附图说明
图1是本发明的蒸镀装置内部结构示意图。
具体实施方式
本发明所要解决的问题在于加快蒸镀腔体内水,氧以及有机物分解速率,减少水,氧以及有机物去除时间。下面将结合附图对本发明的实施例做详细说明。
如图1所示,本实施例的蒸镀腔体包括真空腔体1,设置于腔体内壁的防着板2以及设置于所述防着板2内壁上的发光装置3,所述真空腔体1内常含有杂质,杂质一般包含水、氧以及有机气体,而防着板2可用于吸收真空腔体1内的水汽,所述发光装置3包括高压钠灯31和紫外灯32,所述高压钠灯31和紫外灯32用于发射带有能量的光,高压钠灯31发光效率高、能量集中不易分散,紫外灯32光化作用强,能加速有机气体的分解。
作为一种优选地实施方式,本实施例的防着板2自内壁朝中间延伸出顶板部分22,所述顶板部分22设有用于光线和蒸镀气体通过的第一开口21,发光装置3产生的光线可以通过第一开口21到达真空腔体1内防着板2没有覆盖到的区域,可以对该区域内的杂质也进行加热分解。同样的,蒸镀气体可以通过第一开口,到达真空腔体1内防着板2没有覆盖到的区域,在该区域内的基板上形成镀层。
作为一种优选地实施方式,本实施例的蒸镀腔体还包括遮光板5,所述遮光板5可转动地固定在所述防着板2上,所述高压钠灯31和紫外灯32一侧均设置有所述遮光板5,且每个所述遮光板5分别对应一个所述高压钠灯31或所述紫外灯32,当真空腔体1内发生蒸镀工艺时,盖上遮光板5,遮光板可以遮盖住发光装置3,有效的保护发光装置3不被真空腔体1内部的附着物污染,当需要去除真空腔体1内的杂质时,打开遮光板5,发光装置3产生的光将毫无遮挡的照射真空腔体1,将杂质分解。
作为一种优选地实施方式,至少一个所述高压钠灯31和至少一个所述紫外灯32布置在所述防着板2的顶部、底部或四周。因为真空腔体1内环境复杂,可以根据实际需要,将所述高压钠灯31和所述紫外灯32安装在防着板2的任一位置,这样可以使得所述高压钠灯31和所述紫外灯32在真空腔体1内部的光照幅度更为均匀,更利于水、氧以及有机气体分解。
作为一种优选地实施方式,所述防着板2内侧设有反光涂层4,反光涂层4用于将发光装置3发射出来的光漫反射到整个真空腔体1的内部空间,可以使真空腔体1内杂质分解更完全,更彻底。
作为一种优选地实施方式,本实施例的反光涂层4的材质为不会被紫外光分解的反光材料,该反光材料可以为TiO2
本实施例还提供了一种蒸镀装置,包括权上述的蒸镀腔体、基板支撑组件7、掩膜板放置组件8和蒸发源6,所述掩模板放置组件8位于所述基板支撑组件7下方,用于承载金属掩模板11,所述基板支撑组件7用于承载待蒸镀的基板12,所述蒸发源6则用于在蒸镀过程中产生蒸镀气体。
作为一种优选地实施方式,本实施例的基板支撑组件7包括用于固定基板12的基板夹持机构71和基板对位机构,基板对位机构可以调整基板12的位置,使基板处于第一开口21的正上方,方便蒸镀气体在基板上形成理想的镀层。
作为一种优选地实施方式,本实施例的蒸镀装置还包括冷板10和用于吸附冷板10的永久磁铁9,所述冷板10设置于所述基板支撑组件7和所述永久磁铁9之间。由于整个蒸镀工艺是在高温下进行,所以需要对基板进行冷却,冷板安装在基板上方,可以将基板上的热量传递至冷板,进一步将热量传递至与冷板相连的冷却装置,对基板进行冷却。永久磁铁9通过磁性吸附作用可以调整金属掩膜板的位置,金属掩膜板在磁力作用下会随着永久磁体9运动,到达理想的位置,使蒸镀工艺效果更好。
在本实施例中,对水、氧以及有机气体的分解是在进行蒸镀工艺之前,具体做法是,首先将旧的吸附有杂物的防着板2拆除,更换成新的干净的防着板2,接着关闭真空腔体1,将真空腔体1内部抽成真空。当真空腔体1内部气压降低到5.0×10-5pa时,打开遮光板5,露出高压钠灯31和紫外灯32,设置高压钠灯31及紫外灯32相关参数(高压钠灯—设备电流、紫外灯—照度数据)后,点亮高压钠灯31及紫外灯32,对真空腔体1内部进行持续照射。高压钠灯31及紫外灯32持续照射期间,打开残余气体分析仪器对腔体内环境进行气氛监控,当水分、氧值和有机气体含量降至正常水平时,关闭高压钠灯31及紫外灯32后,将遮光板5关上,完成水、氧和有机气体的分解,水、氧和有机气体的分解完成后,即可开始蒸镀工艺。
本发明提供了一种能够快速分解水氧和有机气体的蒸镀腔体,通过高压钠光和紫外光的能量对真空腔体内的水,氧以及有机物进行分解,强光的照射使得真空腔体温度迅速升高,加快了腔体内的水,氧以及有机物分解速率,从而减少了腔体内水,氧以及有机物去除时间。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种蒸镀腔体,其特征在于,包括真空腔体(1)、设置于真空腔体(1)的内壁的防着板(2)以及设置于所述防着板(2)的内壁上的发光装置(3),所述发光装置(3)包括高压钠灯(31)和紫外灯(32)。
2.根据权利要求1所述的蒸镀腔体,其特征在于,所述防着板(2)还包括自内壁朝中间延伸的顶板部分(22),所述顶板部分(22)设有用于光线和蒸镀气体通过的第一开口(21)。
3.根据权利要求2所述的蒸镀腔体,其特征在于,还包括遮光板(5),所述遮光板(5)可转动地固定在所述防着板(2)上,用于选择性的遮挡所述高压钠灯(31)和所述紫外灯(32)。
4.根据权利要求3任一所述的蒸镀腔体,其特征在于,所述高压钠灯(31)和所述紫外灯(32)一侧均设置有所述遮光板(5),每个所述遮光板(5)分别对应一个所述高压钠灯(31)或所述紫外灯(32)。
5.根据权利要求4所述的蒸镀腔体,其特征在于,至少一个所述高压钠灯(31)和至少一个所述紫外灯(32)布置在所述防着板(2)的顶部或底部。
6.根据权利要求4所述的蒸镀腔体,其特征在于,至少一个所述高压钠灯(31)和至少一个所述紫外灯(32)布置在所述防着板(2)的四周。
7.根据权利要求1-6任一所述的蒸镀腔体,其特征在于,所述防着板(2)内表面设有用于反射光线的反光涂层(4)。
8.一种蒸镀装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一所述的蒸镀腔体、基板支撑组件(7)、掩膜板放置组件(8)和蒸发源(6),所述掩模板放置组件(8)位于所述基板支撑组件(7)下方,用于承载金属掩模板(11),所述基板支撑组件(7)用于承载待蒸镀的基板(12),所述蒸发源(6)用于对蒸镀材料加热使之气化。
9.根据权利要求8所述的蒸镀装置,其特征在于,所述基板支撑组件(7)包括用于夹持基板(12)的基板夹持机构(71)和用于调整基板(12)位置的基板对位机构。
10.根据权利要求8所述的蒸镀装置,其特征在于,还包括冷板(10)和用于吸附冷板(10)的永久磁铁(9),所述冷板(10)设置于所述基板支撑组件(7)和所述永久磁铁(9)之间。
CN201810821348.5A 2018-07-24 2018-07-24 一种蒸镀装置及其蒸镀腔体 Pending CN108977772A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810821348.5A CN108977772A (zh) 2018-07-24 2018-07-24 一种蒸镀装置及其蒸镀腔体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810821348.5A CN108977772A (zh) 2018-07-24 2018-07-24 一种蒸镀装置及其蒸镀腔体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108977772A true CN108977772A (zh) 2018-12-11

Family

ID=64550053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810821348.5A Pending CN108977772A (zh) 2018-07-24 2018-07-24 一种蒸镀装置及其蒸镀腔体

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108977772A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111647854A (zh) * 2020-07-02 2020-09-11 Tcl华星光电技术有限公司 蒸镀加热源装置及其制作方法、蒸镀装置
CN111663102A (zh) * 2019-03-05 2020-09-15 陕西坤同半导体科技有限公司 一种蒸镀设备及蒸镀工艺
CN115323327A (zh) * 2022-07-26 2022-11-11 福建兆元光电有限公司 一种蒸镀机台复机方法
CN116024535A (zh) * 2023-03-28 2023-04-28 苏州浪潮智能科技有限公司 一种辐射薄膜制备的方法、设备、辐射薄膜和光器件
CN116791028A (zh) * 2023-06-28 2023-09-22 惠科股份有限公司 掩膜板组件及蒸镀装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201873745U (zh) * 2010-11-30 2011-06-22 四川虹视显示技术有限公司 真空镀膜装置
CN103237916A (zh) * 2010-12-03 2013-08-07 夏普株式会社 蒸镀装置和回收装置
CN204417579U (zh) * 2014-12-30 2015-06-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种蒸镀装置
US20170137929A1 (en) * 2014-04-17 2017-05-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Vacuum evaporation device
CN107904558A (zh) * 2017-12-15 2018-04-13 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备和蒸镀方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201873745U (zh) * 2010-11-30 2011-06-22 四川虹视显示技术有限公司 真空镀膜装置
CN103237916A (zh) * 2010-12-03 2013-08-07 夏普株式会社 蒸镀装置和回收装置
US20170137929A1 (en) * 2014-04-17 2017-05-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Vacuum evaporation device
CN204417579U (zh) * 2014-12-30 2015-06-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种蒸镀装置
CN107904558A (zh) * 2017-12-15 2018-04-13 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备和蒸镀方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111663102A (zh) * 2019-03-05 2020-09-15 陕西坤同半导体科技有限公司 一种蒸镀设备及蒸镀工艺
CN111647854A (zh) * 2020-07-02 2020-09-11 Tcl华星光电技术有限公司 蒸镀加热源装置及其制作方法、蒸镀装置
CN115323327A (zh) * 2022-07-26 2022-11-11 福建兆元光电有限公司 一种蒸镀机台复机方法
CN115323327B (zh) * 2022-07-26 2024-01-09 福建兆元光电有限公司 一种蒸镀机台复机方法
CN116024535A (zh) * 2023-03-28 2023-04-28 苏州浪潮智能科技有限公司 一种辐射薄膜制备的方法、设备、辐射薄膜和光器件
CN116791028A (zh) * 2023-06-28 2023-09-22 惠科股份有限公司 掩膜板组件及蒸镀装置
CN116791028B (zh) * 2023-06-28 2024-09-13 惠科股份有限公司 掩膜板组件及蒸镀装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108977772A (zh) 一种蒸镀装置及其蒸镀腔体
TW490714B (en) Film formation apparatus and method for forming a film
US6132280A (en) System and process for fabricating an organic electroluminescent display device
KR101173348B1 (ko) 식물병해 방제용 조명장치
US7459706B2 (en) Installation and method for sterilising objects by low-energy electron bombardment
CN106062240A (zh) 蒸镀装置以及使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法
JP4176236B2 (ja) 処理装置における紫外線ランプの光量測定方法及び装置
TWI712865B (zh) 曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法
TW573049B (en) Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate
TW201248759A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI272033B (en) An organic EL display production apparatus and an organic EL display production method
TW201939169A (zh) 光照射裝置
KR20190033003A (ko) 파티클 제거 방법 및 열처리 장치
CN108121173A (zh) 光罩装载装置和曝光机
JP6924661B2 (ja) 露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法
JP3394130B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置
JPH09209127A (ja) 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH10113096A (ja) 昆虫の飼育装置および飼育方法
JP2002184742A (ja) ドライ洗浄装置
CN206315650U (zh) 一种抽屉式无极灯管反应腔
US10886468B2 (en) Manufacturing method and manufacturing apparatus for organic EL display device
CN219814747U (zh) 一种用于文物保护的生物消杀舱
JP3858739B2 (ja) 電子ビーム管ユニットおよび電子ビーム照射装置
JP2588508B2 (ja) 処理装置
CN214095341U (zh) 一种昆虫烘干、灭菌一体化装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181211