JPH09209127A - 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

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JPH09209127A
JPH09209127A JP8018794A JP1879496A JPH09209127A JP H09209127 A JPH09209127 A JP H09209127A JP 8018794 A JP8018794 A JP 8018794A JP 1879496 A JP1879496 A JP 1879496A JP H09209127 A JPH09209127 A JP H09209127A
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vapor deposition
substrate
shield
mask
vacuum
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JP8018794A
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Kenichi Fukuoka
賢一 福岡
Hiroshi Shoji
弘 東海林
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Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】単純な構造で低コストに形成できかつ基板の被
蒸着面および被蒸着面上の蒸着層の表面を脱ガスを含む
雰囲気から確実に遮断できる真空蒸着装置およびこの真
空蒸着装置による高品質な有機EL素子の製造方法を提
供すること。 【解決手段】 真空槽11内でマスク23を交換するマ
スク装着機構20に基板31の被蒸着面31A側を被覆
するシールド32を支持させ、蒸着材料60の加熱の初
期に、シールド32上面の真空パッキン33が基板31
に密着するようにシールド32を基板31に装着し、基
板31とシールド32との間に脱ガス等の不純物が侵入
するのを防止する。その後、シールド32を外して基板
31に所定のマスク23を装着して蒸着を行い、有機E
L素子等を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面に有機
物や金属等の薄膜を形成する真空蒸着装置、およびその
真空蒸着装置を用いて成膜を行う有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法に関する。
【0002】
【背景技術】近年、有機物を材料に用いた有機エレクト
ロルミネッセンス素子(有機EL素子)の研究が進めら
れている。このような有機EL素子は、真空蒸着装置に
より、基板に有機物や金属等の各種蒸着材料からなる蒸
着層を積層して形成できる。
【0003】ところで、真空蒸着装置は、真空槽内に蒸
着材料を加熱して蒸発させる蒸着源を備え、この蒸着源
の上方に配置された基板の被蒸着面(下面)に蒸着材料
の蒸発物を付着させて成膜している。従来、蒸着源の直
上または基板の直下には、蒸着を制御するための可動シ
ャッタが設けられている。蒸着の初期には、可動シャッ
タを蒸発物の蒸発経路上に移動させて閉状態とし、蒸発
物や不純物の基板への付着を防止し、一定時間経過後、
可動シャッタを蒸発経路上から外して開状態とし、基板
に薄膜を形成する。
【0004】一方、所定のパターンの薄膜を簡便に形成
する場合には、基板の被蒸着面側に所定形状のマスクを
配置して蒸着を行う。前述した有機EL素子において
は、発光層等を構成する有機物の層と電極を構成する金
属等の層とではパターンが異なるため、これらの成膜を
真空中一貫して行う場合には、真空槽内でマスクを交換
するマスク装着機構を用い、順次マスクを交換して成膜
している。
【0005】このような真空蒸着装置を用いて有機物の
薄膜を作製する場合、蒸着源で加熱された有機物から
は、不純物として有機溶媒や分解物等による脱ガスが発
生する。脱ガスは他の蒸発物とは異なり、拡散するた
め、可動シャッタを閉状態としておいてもその周縁部か
ら回り込んで基板や基板上の蒸着層に付着してしまう。
とくに、有機物による蒸着層にMgやAg等の金属によ
る蒸着層(陰極)を積層する場合、この脱ガスが有機物
の層に付着すると有機物の層と金属の層との密着性が悪
化し、有機EL素子の寿命が短くなったり、無発光点が
大きくなるうえに増加する等、有機EL素子の性能が著
しく低下するという不具合が生じる。
【0006】このため、従来の単純なシャッタ機構とは
異なり、図5に示すように、スパッタリング装置90の
可動シャッタとして、基板91の表面を包み込むように
遮断できるシャッタ機構92を基板電極93の下面に取
り付けた構成が提案されている(特公平2-1229号公報参
照)。シャッタ機構92は、カメラのレンズシャッタの
ように、その下方開放面に複数のブレード941による
シャッタ94を備えており、このシャッタ94は各ブレ
ード941の水平方向の回動により開閉できるようにな
っている。この構成によれば、シャッタ94を閉状態と
することで、基板91がプラズマを含んだ雰囲気中に晒
されるのをほぼ防ぐことができ、脱ガスの影響をより少
なくできる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このシャッタ
機構92は、基板91の側面も含む表面を被覆するもの
であるため、従来の可動シャッタよりも構造が複雑なう
え、設置コストがかかるという問題がある。また、複数
のブレード941間には少ないといえども隙間があるた
め、分子レベルでの脱ガスの基板への完全な付着防止は
行えないという問題もある。
【0008】本発明の目的は、単純な構造で低コストに
形成でき、かつ基板の被蒸着面およびその被蒸着面上の
蒸着層の表面を脱ガスを含む雰囲気から確実に遮断でき
る真空蒸着装置、およびこの真空蒸着装置を用いた高品
質な有機EL素子の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の真空蒸着装置
は、真空槽内に設けられた蒸着源で蒸着材料を加熱して
基板に蒸着させる真空蒸着装置であって、基板の被蒸着
面側を真空槽内の雰囲気から遮断するシールドと、この
シールドを脱着するシールド脱着手段とを有することを
特徴とする。ここで、蒸着源とは、蒸発材料を加熱する
部分である。
【0010】このようにすれば、シールドを基板の被蒸
着面側に装着することで、基板の被蒸着面および被蒸着
面上の蒸着層の表面を真空槽内の雰囲気から確実に遮断
できるようになる。従って、蒸着材料の加熱の初期等に
このシールドを脱着手段により基板の被蒸着面側に装着
すれば、脱ガスや真空槽の壁面に付着した有機物の分解
物等の不純物が被蒸着面に到達して付着するのを確実に
防止できる。また、シールドは、基板の被蒸着面側を真
空槽内の雰囲気から遮断するものであり、基板の側面を
被覆するものではないため、前述した図5のシャッタ機
構92よりも小さく単純な構造で済み、設置コストも削
減できる。これにより、前記目的が達成される。
【0011】また、基板上に各種パターンを形成するた
めのマスクを着脱可能に支持して基板の被蒸着面側に脱
着するマスク装着機構が真空槽に設けられている場合、
このマスク装着機構は、シールドを着脱可能に支持して
前述した脱着手段を構成していることが望ましい。
【0012】このようにすることで、マスク装着機構を
備えた真空蒸着装置を用いれば、このマスク装着機構に
シールドを支持させるだけで、基板の被蒸着面に対して
直接シールドを脱着できるようになり、図5のシャッタ
機構92のように特別な機構を設ける必要がなくなり、
少ないコストで簡単に設置できるうえに構造を簡略化で
きる。
【0013】さらに、前記シールドは前記基板側の面に
真空パッキンを備えていてもよい。ここで、真空パッキ
ンには、バイトンゴム等の真空用ゴムやインジウム等の
柔らかい金属等を用いることができるが、ガスを透過さ
せず、それ自身ガスを発生しない材料であれば何でもよ
い。
【0014】これによれば、シールドを基板の被蒸着面
側に確実に密着させることが可能となり、シールドと基
板との間の気密性を確保でき、脱ガス等の被蒸着面側へ
の侵入を確実に防止できる。
【0015】また、前記シールドは前記基板側の面に冷
却トラップを備えていてもよい。ここで、冷却トラップ
とは、トラップ自身を冷媒等により冷却してシールド近
傍の不純物の蒸発分子をその冷却力で捕捉するものであ
る。
【0016】このようにすることで、シールドと基板の
被蒸着面側との間にわずかな隙間がある場合でも、真空
槽内の脱ガス等を冷却トラップで捕捉できるようにな
り、脱ガス等の基板の被蒸着面側への侵入を確実に防止
できる。
【0017】そして、前記蒸着源は抵抗加熱蒸着源であ
ってもよい。ここで、抵抗加熱蒸着源としては、蒸着材
料を入れるるつぼ等の容器の外部に設けられたヒータに
通電して加熱するものや、蒸着材料を載置するボート等
に直接通電して蒸着材料を加熱するもの等を用いること
ができる。さらに、前記蒸着材料として有機物または金
属を用いてもよい。
【0018】一方、本発明の真空蒸着装置による有機E
L素子の製造方法は、前述した真空蒸着装置を用いて有
機EL素子を製造することを特徴とする。
【0019】このようにすれば、シールドにより、有機
物の加熱の初期に発生する脱ガス等を基板の被蒸着面や
基板上の蒸着層に付着させることなく各蒸着層を積層し
て有機EL素子を製造できるようになる。従って、有機
物による蒸着層と、Mg等の金属による蒸着層(陰極)
との密着性を阻害する脱ガスの侵入も防ぐことができ、
寿命が長く、無発光点が小さいうえに少なく、発光効率
の高い高品質な有機EL素子が得られ、これにより、前
記目的が達成される。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
に基づいて説明する。 [第一実施形態]図1には、本実施形態の真空蒸着装置
10が示されている。真空蒸着装置10は、箱型の真空
槽11と蒸着源12と基板支持手段13とマスク装着機
構20とを含んで構成されている。蒸着源12は、本実
施形態では抵抗加熱蒸着源であり、真空槽11の底面に
設けられた二つの凹部にそれぞれ設置されたるつぼ12
1と、各るつぼ121の周囲に設けられたヒータ122
とを有し、るつぼ121の内部に蒸着材料60を入れて
ヒータ122に通電し、発生する電熱により蒸着材料6
0を加熱できるようになっている。各るつぼ121は、
その上部が真空槽11の底面から突出するように設置さ
れている。
【0021】これらの各蒸着源12の上方には、開閉可
能な可動シャッタ14が設けられている。可動シャッタ
14は、円板状のシャッタ141と、このシャッタ14
1を一端に支持するシャッタ支持部142と、シャッタ
支持部142の他端を支持する支柱143とで構成され
ている。シャッタ支持部142は、支柱143に支持さ
れた他端を中心に水平方向に回動可能に設置され、この
シャッタ支持部142を回動させることでシャッタ14
1を水平方向に移動させて開閉できるようになってい
る。なお、蒸着源12から上方に向かう蒸発物を遮断す
る場合は、シャッタ141を蒸着源12の直上に移動さ
せて閉状態とする。
【0022】基板支持手段13は、真空槽11内上部に
蒸着源12と対向して設けられている。基板支持手段1
3は、基板ホルダ132装着用の開口131Aを備えた
基板支持部131と、基板支持部131の開口にはめ込
まれた枠状の基板ホルダ132と、基板支持部131を
一端に支持するアーム部133とを備えている。基板ホ
ルダ132内の内壁には段差が形成されており、この段
差に基板31の周縁部が係止され、基板31が水平に支
持されている。基板支持手段13は、アーム部133の
長手方向(図1中左右方向)に平行移動可能に設けられ
ており、これにより、基板31を各蒸着源12の直上に
移動できるようになっている。
【0023】マスク装着機構20は、マスク23および
シールド32を基板31の被蒸着面31A側に脱着する
脱着手段34であり、基板支持手段13の下側に設けら
れている。マスク装着機構20は、長手方向に複数の開
口211を備えた長板状のマスク支持部21と、マスク
支持部21に着脱可能に支持される枠状のマスクホルダ
22と、各マスクホルダ22の上部に着脱可能に支持さ
れる所定形状のマスク23と、マスク支持部21の上面
(基板側面)の各開口211近傍に設けられた位置決め
用のガイドピン24とを備えている。
【0024】マスク支持部21は、その開口211の内
壁に段差212を有し、マスクホルダ22は、その外周
面に開口211の段差212に係止可能な鍔部221を
備えている。この鍔部221が段差212に係止され、
マスクホルダ22がマスク支持部21に固定される。
【0025】マスク支持部21は、上下方向およびその
長手方向(図1中左右方向)に平行移動可能に設けられ
ており、このマスク支持部21をその長手方向に移動さ
せることでパターンの異なるマスクを基板31に対向さ
せ、マスク支持部21を上下方向に移動させることで、
マスク23を基板31に対して脱着できるようになって
いる。ガイドピン24は、基板支持部131の開口近傍
に設けられた位置決め用孔134に嵌合できるようにな
っており、このガイドピン24を位置決め用孔134に
挿入することで、マスク23が基板31の被蒸着面31
Aと対向する所定の位置に配置されるように、マスク支
持部21の位置決めを行うことができる。
【0026】マスク支持部21の端部の開口211Aに
は、マスクホルダ22およびマスク23の代わりに、基
板31の被蒸着面31Aを真空槽11内の雰囲気から遮
断する例えばステンレス製のシールド32が着脱自在に
はめ込まれている。シールド32は、その周面に形成さ
れた鍔部321をマスク支持部21の開口211Aの段
差212に係止させることで、開口211Aを塞ぐよう
にマスク支持部21に装着できるようになっている。シ
ールド32の基板31側の面の周辺部には、バイトンゴ
ムによる真空パッキン33が設けられ、基板31とシー
ルド32とが隙間なく密着できるようになっている。こ
のようなシールド32は、マスク装着機構20により、
マスク23の脱着と同様に基板31の被蒸着面31Aに
対して任意に脱着できる。
【0027】このように構成された本実施形態において
は、真空蒸着装置10を用いて次のような手順で蒸着を
行い、図2に示すような、陽極71/発光層72/陰極
73からなる層構造を有する有機EL素子70を製造す
る。先ず、基板31の被蒸着面31Aに予め、陽極材料
からなるITO膜等の薄膜により陽極71を形成してお
き、この基板31を基板ホルダ132の開口に被蒸着面
31Aが下側になるように配置して固定する。
【0028】マスク支持部21の端部の開口211Aに
は、真空パッキン33が基板31と対向するようにシー
ルド32を配置し、開口211Aに図1中右方に隣接す
る開口211には、マスクホルダ22および発光層72
の形状に対応した発光層72用のマスク23を配置す
る。図示しないマスク支持部21の図1中さらに右方の
開口には、マスクホルダおよび陰極73の形状に対応し
た陰極用のマスクを配置する。また、各蒸着源12のる
つぼ121内に蒸着材料60としてそれぞれ有機物61
および金属62を入れ、各蒸着源12の上方の可動シャ
ッタ14は閉状態としておく。
【0029】次に、真空槽11内を排気して真空にし、
有機物61が入ったるつぼ121の直上に基板31が配
置されるように基板支持手段13を移動させて固定す
る。そして、マスク支持部21を下方に下げた状態で、
図1中左右方向に平行移動させてシールド32が基板3
1の被蒸着面31Aと対向する位置まで移動させた後、
このマスク支持部21を上方に移動させてシールド32
近傍のガイドピン24を位置決め用孔134に挿入して
固定し、シールド32を基板31に装着する。このと
き、真空パッキン33を基板31の被蒸着面31Aに十
分に当接させて隙間なく密着させ、被蒸着面31A側の
みを真空槽11内の雰囲気から遮断する。
【0030】続いて、基板31にシールド32を装着し
たままの状態で、蒸着源12のヒータ122に通電して
有機物61を加熱して蒸発させる。このとき、有機物6
1から発生する加熱初期の不純物はシャッタ141によ
り遮断され、シャッタ141の周縁部から回り込んで基
板31に向かう有機溶媒や有機物61の分解物等の脱ガ
スは、シールド32により遮断されるので、不純物の陽
極71表面への付着は阻止される。
【0031】一定時間加熱を行い、蒸着速度等の諸条件
が安定した後、加熱を継続したままの状態でマスク支持
部21を下方に移動させてシールド32を外し、次い
で、発光層72用のマスク23が基板31の被蒸着面3
1Aと対向する位置までマスク支持部21を平行移動さ
せてから、このマスク支持部21を上方に移動させてマ
スク23近傍のガイドピン24を位置決め用孔134に
挿入して固定し、マスク23を基板31の被蒸着面31
Aに装着する。そして、有機物61の蒸着源12の直上
の可動シャッタ14を開状態とし、基板31の陽極71
上に有機物61の蒸発物を付着させてマスク23のパタ
ーンに対応した形状の発光層72を成膜する。所定量の
蒸着が完了したら、可動シャッタ14を閉状態とし、必
要以上蒸着しないようにする。
【0032】次に、マスク支持部21を一旦下方に移動
させて基板31からマスク23を外し、基板支持部13
1を平行移動させて基板31を金属62が入ったるつぼ
121の直上に配置し、マスク装着機構20により再び
シールド32を基板31に装着して、一定時間ヒータ1
22に通電して金属62を加熱する。このとき、蒸着源
12周辺に付着した有機物61の分解物が再蒸発したも
のや金属62の表面の酸化物、脱ガス等の不純物はシャ
ッタ141またはシールド32により遮断されるので、
不純物の陽極71および発光層72の表面への付着が阻
止される。
【0033】一定時間加熱を行い、蒸着速度等の諸条件
が安定した後、加熱を継続したままの状態でマスク支持
部21を下方に移動させてシールド32を外し、次い
で、前述と同様にマスク支持部21を操作して図示しな
い陰極用のマスクを基板31に装着する。こののち、金
属62の蒸着源12の直上の可動シャッタ14を開状態
とし、基板31の発光層72上に金属62の蒸発物を付
着させてマスクのパターンに対応した形状の陰極73を
成膜する。所定量の蒸着が完了したら、可動シャッタ1
4を閉状態にする。
【0034】このような本実施形態によれば、以下のよ
うな効果がある。すなわち、シールド32を基板31の
被蒸着面31A側に装着することで、基板31の被蒸着
面31Aおよび被蒸着面31A上の陽極71,発光層7
2の表面を真空槽11内の雰囲気から確実に遮断できる
ようになる。従って、有機物61および金属62の加熱
の初期にシールド32をマスク装着機構20により基板
31の被蒸着面側31Aに装着すれば、脱ガスや真空槽
11の壁面に付着した有機物61の分解物等の不純物
が、被蒸着面31Aに到達して付着するのを確実に防止
できる。また、シールド32は、基板31の被蒸着面3
1A側のみを真空槽11内の雰囲気から遮断するもので
あり、基板31の側面を被覆するものではないため、従
来の図5のシャッタ機構92よりも小さく単純な構造で
済み、設置コストも削減できる。
【0035】また、マスク装着機構20を備えた真空蒸
着装置10を用いたため、このマスク装着機構20のマ
スク支持部21にシールド32を支持させるだけで、基
板31の被蒸着面31Aに対して直接シールド32を脱
着できるようになり、図5に示した従来のシャッタ機構
92のように特別な機構を設ける必要がなくなり、少な
いコストで簡単に設置できるうえに複雑な構造を省略で
きる。
【0036】さらに、シールド32は基板31側の面に
真空パッキン33を備えているため、シールド32を基
板31の被蒸着面31Aに確実に密着させることが可能
となり、シールド32と基板31との間の気密性を確保
でき、脱ガス等の被蒸着面31A側への侵入を確実に防
止できる。
【0037】また、蒸着源12のるつぼ121は真空槽
11の底面から突出するように設置されているため、る
つぼ121内の蒸着材料60に他の蒸着源12の異なる
蒸着材料60が混入するのを防止できる。
【0038】そして、有機物61による発光層72およ
び金属62による陰極73を真空蒸着装置10を用いて
成膜し、有機EL素子70を製造したため、シールド3
2により、有機物61の加熱の初期に発生する脱ガスや
有機物61の分解物等の不純物を基板31の被蒸着面3
1Aや被蒸着面31A上の陽極71および発光層72の
表面に付着させることなく各蒸着層を積層して有機EL
素子70を製造できる。従って、有機物61による発光
層72と金属62による陰極73との密着性を阻害する
脱ガスの侵入も防ぐことができるため、この真空蒸着装
置10を用いることで、寿命が長く、無発光点が小さい
うえに少なく、発光効率の高い高品質な有機EL素子7
0が得られる。
【0039】[第二実施形態]図3に示す本実施形態の
真空蒸着装置40は、前記第一実施形態の真空パッキン
33を冷却トラップ41としたものであり、図1と同一
部分には同一符号を付して詳しい説明は省略し、以下に
は異なる部分のみを詳述する。冷却トラップ41は、シ
ールド32の基板31側の面の周辺部に沿って設けられ
た冷却管であり、液体窒素や液体ヘリウム等の寒剤や、
冷凍機により冷却されたフロンや水等の冷媒が流通でき
るように形成され、これらの流通により冷却されてい
る。この冷却が不十分だと効果が低減するので冷却温度
は低い方が好ましいが、低すぎるとコスト高になるの
で、77K〜273Kが好ましい冷却温度領域である。とく
に好ましくは、液体窒素を用いれば、少ないコストで十
分な効果が得られる。このような真空蒸着装置40にお
いては、冷却トラップ41を冷却した状態でシールド3
2を基板31に装着して蒸着を行う。
【0040】このような本実施形態によれば、前記第一
実施形態と同様な作用、効果を奏することができる他、
以下のような効果がある。すなわち、シールド32と基
板31の被蒸着面31Aとの間にわずかな、例えば、1m
m〜1μm程度の隙間がある場合でも、脱ガス等の不純物
を冷却トラップ41で捕捉できるので、脱ガス等の基板
31の被蒸着面31A側への侵入を確実に防止でき、実
質的に被蒸着面31Aを真空槽11内の雰囲気から遮断
することができる。
【0041】[第三実施形態]図4に示す本実施形態の
真空蒸着装置50は、前記第一実施形態のマスク装着機
構20とは別にシールド52を脱着する脱着手段51を
設けたものであり、図1と同一部分には同一符号を付し
て詳しい説明は省略し、以下には異なる部分のみを詳述
する。脱着手段51は、マスク装着機構20の下側に設
置されたアーム状の部材であり、その先端にシールド5
2を支持している。この脱着手段51は、上下方向およ
びマスク支持部21の長手方向(図4中左右方向)に沿
って平行移動できるようになっている。
【0042】シールド52は、枠状のマスクホルダ22
の下側の開口を被覆できる形状を有し、その基板31側
の面に設けられた真空パッキン33により、シールド5
2とマスクホルダ22とを密着できるようになってい
る。また、マスクホルダ22の上端には真空パッキン5
3が設けられ、基板31の被蒸着面31Aとマスクホル
ダ22とを密着できるようになっている。これらの真空
パッキン33,53により、基板31の被蒸着面31A
とマスクホルダ22内の内壁とシールド52とで囲まれ
た部分の気密性を確保できるようになっている。
【0043】このように構成された本実施形態において
は、マスク23を装着したままの基板31の被蒸着面3
1A側に対してシールド52を装着する。すなわち、脱
着手段51を下方に下げた状態で、シールド52が基板
31に密着されたマスクホルダ22と対向する位置まで
平行移動させ、そのまま脱着手段51を上方に移動させ
てシールド52の真空パッキン53をマスクホルダ22
の開口周辺に当接させ、シールド52を装着する。この
際、シールド52の位置決めは、脱着手段51の移動を
コンピュータ制御等により行うものであってもよいし、
第一および第二実施形態のようにガイドピン24と位置
決め用孔134との嵌合により行うものであってもよ
い。
【0044】このような本実施形態によれば、前記第一
実施形態と同様な作用、効果を奏することができる他、
以下のような効果がある。すなわち、マスク支持部21
を移動させることなくマスクを装着したままの状態でシ
ールド52を装着できるため、同一のマスクを用いて繰
り返し蒸着を行う場合でも、蒸着材料60を加熱する度
に、マスク23を外してシールド52装着する必要がな
くなる。
【0045】なお、本発明は前記各実施形態に限定され
るものではなく、本発明の目的を達成できる他の構成等
を含み、以下に示すような変形等も本発明に含まれる。
すなわち、第一および第二実施形態のシールド32は、
マスク支持部21の開口211Aの段差212に係止さ
れていたが、マスク23と同様にマスクホルダ22に支
持されるものであってもよく、マスク支持部21の開口
を被覆するようにねじや接着剤等により固定されていて
もよい。要するに、基板31に着脱できるようにマスク
装着機構20に支持されていれば、シールド32の係止
方法および支持される場所は任意である。
【0046】第一および第三実施形態では、真空パッキ
ン33,53としてバイトンゴムを用いたが、他の真空
用ゴムであってもよく、インジウム等の柔らかい金属、
さらには他のものを用いてもよく、要するに、ガスを透
過させず、それ自身ガスを発生しない材料であれば、任
意である。
【0047】また、第一実施形態の真空パッキン33と
第二実施形態の冷却トラップ41との両方をシールド3
2に設けてもよく、これによれば、不純物の基板31へ
の付着を一層効率よく確実に防止できる。さらに、第二
実施形態では、冷却トラップ41をシールド32の基板
31側の面に設けたが、これに加えて基板31側とは反
対側の面にも冷却トラップ41を設けてもよく、シール
ド32自身を冷却する冷却手段をシールド32内に設け
てもよい。これによれば、冷却トラップ41またはシー
ルド32の表面でも不純物を捕捉できるようになり、不
純物が多量に発生した場合でも、効率よく確実に捕捉で
きる。
【0048】各実施形態の蒸着源12は抵抗加熱蒸着源
であったが、るつぼ121を高周波コイルの中に入れて
高周波誘導加熱し、蒸着材料60を加熱する高周波加熱
蒸着源としてもよく、蒸着材料60に電子ビームを直接
あてて加熱する電子ビーム蒸着源としてもよい。また、
高融点金属による線状のヒータやボート等に蒸着材料6
0を載置し、このヒータやボートに直接通電して加熱す
る抵抗加熱蒸着源としてもよい。
【0049】そして、基板支持部131、マスク支持部
21、脱着手段51の動きは、各実施形態の動きに限定
されず、マスク支持部21の代わりに基板支持部131
を上下させるものでもよく、要するに、互いに相対的に
移動して、シールド32,52、マスク23等を基板3
1に対して交換できるものであればよい。従って、各基
板支持部131、マスク支持部21、脱着手段51の動
きは、左右方向の移動でなく、水平面内での回転等他の
動きでもよい。
【0050】前記各実施形態では、有機EL素子70の
構成を、陽極71/発光層72/陰極73としたが、例
えば、陽極71/正孔注入層/発光層72/陰極73、
陽極71/発光層72/電子注入層/陰極73、陽極7
1/正孔注入層/発光層72/電子注入層/陰極73等
としてもよく、層構造はとくに限定されるものではな
く、実施にあたって適宜構成すればよい。
【0051】また、前記各実施形態では、蒸着材料60
として有機物61と金属62を用い、真空蒸着装置1
0,40,50により発光層72と陰極73を成膜した
が、蒸着材料60として無機酸化物等の他の材料を用い
てもよく、真空蒸着装置10,40,50により陽極7
1等の他の層を蒸着してもよく、また、発光層72だけ
或いは陰極73だけを蒸着してもよい。要するに、有機
EL素子の製造にあたって、真空蒸着装置10,40,
50により、少なくとも一層を蒸着して成膜すればよ
く、他の層の成膜方法は適宜選択すればよい。
【0052】そして、各実施形態の真空蒸着装置10,
40,50は、有機EL素子70の成膜に限らず、例え
ば、無機エレクトロルミネッセンス素子や、電子回路の
素子等の成膜に用いてもよく、或いは、太陽電池や部品
表面の保護膜等の形成に用いてもよく、各種製品におけ
る薄膜形成に利用できる。
【0053】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
シールドを基板の被蒸着面側に装着することで、基板の
被蒸着面および被蒸着面上の蒸着層の表面を真空槽内の
雰囲気から確実に遮断できる。従って、蒸着材料の加熱
の初期等にこのシールドを脱着手段により基板の被蒸着
面側に装着すれば、脱ガスや真空槽の壁面に付着した有
機物の分解物等の不純物が、被蒸着面に到達して付着す
るのを確実に防止できる。また、シールドは、基板の被
蒸着面側を前記真空槽内の雰囲気から遮断するものであ
り、基板の側面を被覆するものではないため、従来のシ
ャッタ機構よりも小さく単純な構造で済み、設置コスト
も削減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施形態を示す断面図。
【図2】前記実施形態の有機エレクトロルミネッセンス
素子の層構造を示す模式図。
【図3】本発明の第二実施形態を示す断面図。
【図4】本発明の第三実施形態を示す断面図。
【図5】従来のシャッタ機構を示す断面図。
【符号の説明】
10,40,50 真空蒸着装置 11 真空槽 12 蒸着源 20 マスク装着機構 23 マスク 31 基板 31A 被蒸着面 32,52 シールド 33 真空パッキン 34,51 脱着手段 41 冷却トラップ 60 蒸着材料 61 有機物 62 金属 70 有機エレクトロルミネッセンス素子

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空槽内に設けられた蒸着源で蒸着材料
    を加熱して基板に蒸着させる真空蒸着装置であって、前
    記基板の被蒸着面側を前記真空槽内の雰囲気から遮断す
    るシールドと、このシールドを脱着する脱着手段とを有
    することを特徴とする真空蒸着装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載した真空蒸着装置におい
    て、前記真空槽には、マスクを着脱可能に支持して前記
    基板の被蒸着面側に脱着するマスク装着機構が設けら
    れ、このマスク装着機構は、前記シールドを着脱可能に
    支持して前記脱着手段を構成していることを特徴とする
    真空蒸着装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載した真空
    蒸着装置において、前記シールドは前記基板側の面に真
    空パッキンを備えていることを特徴とする真空蒸着装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3までの何れかに記
    載した真空蒸着装置において、前記シールドは前記基板
    側の面に冷却トラップを備えていることを特徴とする真
    空蒸着装置。
  5. 【請求項5】 請求項1から請求項4までの何れかに記
    載した真空蒸着装置において、前記蒸着源は抵抗加熱蒸
    着源であることを特徴とする真空蒸着装置。
  6. 【請求項6】 請求項1から請求項5までの何れかに記
    載した真空蒸着装置において、前記蒸着材料として有機
    物または金属を用いることを特徴とする真空蒸着装置。
  7. 【請求項7】 請求項1から請求項6までの何れかに記
    載した真空蒸着装置を用いて有機エレクトロルミネッセ
    ンス素子を製造することを特徴とする真空蒸着装置を用
    いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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