JPH06196476A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH06196476A JPH06196476A JP34204392A JP34204392A JPH06196476A JP H06196476 A JPH06196476 A JP H06196476A JP 34204392 A JP34204392 A JP 34204392A JP 34204392 A JP34204392 A JP 34204392A JP H06196476 A JPH06196476 A JP H06196476A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、メンテナンスサイクルを延長し製
品歩留まり向上、稼動率の向上を可能とし、かつ安価な
スパッタリング装置を提供する。 【構成】 金属製の防着機構のターゲット面に対向する
面に、該ターゲット材と同材質の分割された防着分割板
を固着し、ターゲット材周辺部に設けたシールド板に前
記ターゲット材と同材質の分割されたシールド分割板を
固着したことを特徴としている。
品歩留まり向上、稼動率の向上を可能とし、かつ安価な
スパッタリング装置を提供する。 【構成】 金属製の防着機構のターゲット面に対向する
面に、該ターゲット材と同材質の分割された防着分割板
を固着し、ターゲット材周辺部に設けたシールド板に前
記ターゲット材と同材質の分割されたシールド分割板を
固着したことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置に
関し、特に酸化物材料成膜用スパッタリング装置に関す
るものである。
関し、特に酸化物材料成膜用スパッタリング装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図８に従来のスパッタリング装置の概念
図を示す。従来、防着機構である防着板１、シールド板
であるダークスペースシールド１０にはアルミやステン
レス等の金属が主に使用され、堆積膜との密着性を向上
させるためにブラスト処理等の表面の粗面処理を行って
いる。また、従来、防着板１、ダークスペースシールド
１０には、一体成形品（分割されていない物）としてタ
ーゲット材４と同材質のものを使用している例がある。
図を示す。従来、防着機構である防着板１、シールド板
であるダークスペースシールド１０にはアルミやステン
レス等の金属が主に使用され、堆積膜との密着性を向上
させるためにブラスト処理等の表面の粗面処理を行って
いる。また、従来、防着板１、ダークスペースシールド
１０には、一体成形品（分割されていない物）としてタ
ーゲット材４と同材質のものを使用している例がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、密着性
や、熱膨張率等を考慮した、金属材質を選択しても、堆
積する膜厚が一定以上になると防着板より堆積膜がはが
れ落ち、基板上にはがれ落ちた膜が付着して欠陥とな
り、製品歩留まりを低下させる。結果的に防着板に堆積
した膜を落すためのメンテナンスサイクルが短くなる。
また、酸化物材料ターゲットの場合、防着板やダークス
ペースシールドを一体成形品とすると非常に高価にな
る。
や、熱膨張率等を考慮した、金属材質を選択しても、堆
積する膜厚が一定以上になると防着板より堆積膜がはが
れ落ち、基板上にはがれ落ちた膜が付着して欠陥とな
り、製品歩留まりを低下させる。結果的に防着板に堆積
した膜を落すためのメンテナンスサイクルが短くなる。
また、酸化物材料ターゲットの場合、防着板やダークス
ペースシールドを一体成形品とすると非常に高価にな
る。
【０００４】本発明は、堆積膜の剥落を防止して、メン
テナンスサイクルを延長、したがって製品歩留まりの向
上、稼動率の向上を可能とし、かつ安価なスパッタリン
グ装置を提供することを目的とする。
テナンスサイクルを延長、したがって製品歩留まりの向
上、稼動率の向上を可能とし、かつ安価なスパッタリン
グ装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物材料成
膜用のスパッタリング装置において、最も膜が堆積す
る、防着板１やダークスペースシールド１０にターゲッ
ト材４と同材質の板材を分割して、ボルト等で固定する
ことを特徴としている。本発明によれば、従来の一体成
形品に比べ安価に、かつ堆積膜の膜はがれを減少させる
ことができる。また、堆積膜との密着性が向上するた
め、メンテナンスサイクルが延長でき、分割しているた
め、金属防着板との熱膨張率の違いによる割れ、欠け、
が発生せず、取り扱いも、メンテナンス性も向上する。
膜用のスパッタリング装置において、最も膜が堆積す
る、防着板１やダークスペースシールド１０にターゲッ
ト材４と同材質の板材を分割して、ボルト等で固定する
ことを特徴としている。本発明によれば、従来の一体成
形品に比べ安価に、かつ堆積膜の膜はがれを減少させる
ことができる。また、堆積膜との密着性が向上するた
め、メンテナンスサイクルが延長でき、分割しているた
め、金属防着板との熱膨張率の違いによる割れ、欠け、
が発生せず、取り扱いも、メンテナンス性も向上する。
【０００６】図１は本発明によるスパッタリング装置の
概念図である。１は金属製防着板、２は防着分割板、４
はターゲット材、５はシールド分割板、６はバッキング
プレート、７は基板ホルダー、８は基板、９は真空槽、
１０はダ−クスペースシールドである。
概念図である。１は金属製防着板、２は防着分割板、４
はターゲット材、５はシールド分割板、６はバッキング
プレート、７は基板ホルダー、８は基板、９は真空槽、
１０はダ−クスペースシールドである。
【０００７】従来のスパッタリング装置図８と異なると
ころは、金属製防着板１のターゲット材４に対向する面
にターゲット材４と同材質の分割された防着分割板２を
固着し、ターゲット材４の周辺部に設けているダークス
ペースシールド１０上（基板８側）にターゲット材４と
同材質の分割されたシールド分割板５を固着したことに
ある。
ころは、金属製防着板１のターゲット材４に対向する面
にターゲット材４と同材質の分割された防着分割板２を
固着し、ターゲット材４の周辺部に設けているダークス
ペースシールド１０上（基板８側）にターゲット材４と
同材質の分割されたシールド分割板５を固着したことに
ある。
【０００８】防着分割板２、シールド分割板５は、後で
図２〜図５で示すように一体成形品ではなく、分割され
た板である。そのために従来にない効果を奏するもので
ある。
図２〜図５で示すように一体成形品ではなく、分割され
た板である。そのために従来にない効果を奏するもので
ある。
【０００９】
【実施例】実施例１ 実施例１としてＳｉＯ2 ターゲットについて説明する。
【００１０】図２、図３は本発明を実施した防着板の平
面図、側面図である。
面図、側面図である。
【００１１】図２において、１は金属製防着板（本実施
例ではＡｌを使用）、２はターゲット材と同材質である
分割された防着分割板（石英ガラス）、３は取付ボルト
を示す。金属製防着板１には、中心部に必要成膜ゾーン
に成膜するための開口があいている。図４、図５は、ダ
ークスペースシールドの実施例を示す。図４において３
は取り付けボルト、４はターゲット材、５は石英ガラス
製ダークスペースシールドに固着されターゲット材と同
材質のシールド分割板を示す。
例ではＡｌを使用）、２はターゲット材と同材質である
分割された防着分割板（石英ガラス）、３は取付ボルト
を示す。金属製防着板１には、中心部に必要成膜ゾーン
に成膜するための開口があいている。図４、図５は、ダ
ークスペースシールドの実施例を示す。図４において３
は取り付けボルト、４はターゲット材、５は石英ガラス
製ダークスペースシールドに固着されターゲット材と同
材質のシールド分割板を示す。
【００１２】成膜を開始すると、スパッタリングされた
ターゲット分子は、ターゲットに対向する基板８および
防着板１の基板周辺部ダークスペースシールド１０に主
に膜堆積が起こる。本発明においては、主に膜堆積の起
こる前記部品である防着板１、ターゲットスペースシー
ルド１０にターゲット材と同材質の分割板を使用してい
るため、非常に密着性がよく、膜はがれが発生しにくい
ことがわかった。実験結果を図６に示す。図６は横軸に
メンテナンス後の成膜積算時間を示し、縦軸に５”ウェ
ハー上のゴミ数を示したグラフである。グラフから明ら
かなように、製品規格値で比較すると約３０％成膜積算
時間の延長が可能となった。なお、今回のテストの成膜
条件は以下に示す通りである。
ターゲット分子は、ターゲットに対向する基板８および
防着板１の基板周辺部ダークスペースシールド１０に主
に膜堆積が起こる。本発明においては、主に膜堆積の起
こる前記部品である防着板１、ターゲットスペースシー
ルド１０にターゲット材と同材質の分割板を使用してい
るため、非常に密着性がよく、膜はがれが発生しにくい
ことがわかった。実験結果を図６に示す。図６は横軸に
メンテナンス後の成膜積算時間を示し、縦軸に５”ウェ
ハー上のゴミ数を示したグラフである。グラフから明ら
かなように、製品規格値で比較すると約３０％成膜積算
時間の延長が可能となった。なお、今回のテストの成膜
条件は以下に示す通りである。
【００１３】 電源電力 ＲＦ２０００ｗ 圧力 ０．９ｐａ Ａｒ流量 ６０ＳＣＣＭ 実施例２ 他の実施例としてＺｎＯターゲットを使用した場合につ
いて説明する。ＺｎＯターゲットの場合も図２から図５
に示す通りの取付形式、同装置で行った。結果を図７に
示す。横軸にメンテナンス後の成膜時間を示し、縦軸に
５”ウェハー上のゴミ数を示す。グラフから明らかなよ
うにＺｎＯの分割板として分割し、防着板、ダークスペ
ースシールドに固着することにより、ＳｉＯ2 の場合と
同様約３０％の成膜積算時間の延長が可能となった。
いて説明する。ＺｎＯターゲットの場合も図２から図５
に示す通りの取付形式、同装置で行った。結果を図７に
示す。横軸にメンテナンス後の成膜時間を示し、縦軸に
５”ウェハー上のゴミ数を示す。グラフから明らかなよ
うにＺｎＯの分割板として分割し、防着板、ダークスペ
ースシールドに固着することにより、ＳｉＯ2 の場合と
同様約３０％の成膜積算時間の延長が可能となった。
【００１４】なお、今回のテストの成膜条件は、以下に
示す通りである。
示す通りである。
【００１５】 電源電圧 ＲＦ２０００ｗ 圧力 １ｐａ Ａｒ＋Ｏ2 流量 １５０ＳＣＣＭ
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の酸化物材
料スパッタリング装置においては、防着板、ダークスペ
ースシールドに分割された板を固着することにより、以
下のような効果を得ることができた。
料スパッタリング装置においては、防着板、ダークスペ
ースシールドに分割された板を固着することにより、以
下のような効果を得ることができた。
【００１７】１．メンテナンス後の成膜積算時間の延長
により稼動率の向上が可能となった。
により稼動率の向上が可能となった。
【００１８】２．製品歩留まり生産量が向上した。
【００１９】３．一体成形された防着板、ダークスペー
スシールドに比べ２０％程度のコストで使用することが
できる。
スシールドに比べ２０％程度のコストで使用することが
できる。
【００２０】また、成膜後の防着板、ダークスペースシ
ールドは、エッチング液で膜をエッチングすることによ
り、５〜６回使用可能である。
ールドは、エッチング液で膜をエッチングすることによ
り、５〜６回使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるスパッタリング装置概念図。
【図２】本発明を実施した防着板の平面図。
【図３】本発明を実施した防着板の側面図。
【図４】本発明を実施したダークスペースシールドの平
面図。
面図。
【図５】本発明を実施したダークスペースシールドの側
面図。
面図。
【図６】ＳｉＯ2 ターゲットにおける成膜積算時間と
５”ウェハー上のゴミ数の関係を表したグラフ。
５”ウェハー上のゴミ数の関係を表したグラフ。
【図７】ＺｎＯターゲットにおける成膜積算時間と５”
ウェハー上のゴミ数の関係を表したグラフ。
ウェハー上のゴミ数の関係を表したグラフ。
【図８】従来のスパッタリング装置概念図。
１ 金属製防着板 ２ 防着分割板 ３ 取付ボルト ４ ターゲット材 ５ シールド分割板 ６ バッキングプレート ７ 基板ホルダー ８ 基板 ９ 真空槽 １０ 金属製ダークスペースシールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 敏夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 金属製の防着機構のターゲット面に対向
する面に該ターゲット材と同材質の分割された防着分割
板を固着し、前記ターゲット材周辺部に設けているシー
ルド板に該ターゲット材と同材質の分割されたシールド
分割板を固着したことを特徴とするスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04342043A JP3086095B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04342043A JP3086095B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196476A true JPH06196476A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3086095B2 JP3086095B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=18350723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04342043A Expired - Fee Related JP3086095B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3086095B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244914B1 (ko) * | 1996-09-20 | 2000-02-15 | 윤종용 | 반도체 스퍼터설비 |
| JP2007238978A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| JP2009293074A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Canon Anelva Corp | マスク、該マスクを用いた成膜装置、及び、該マスクを用いた成膜方法 |
| WO2010013476A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置および電子デバイスの製造方法 |
| WO2012073908A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および回収装置 |
| WO2013088623A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | 処理装置およびシールド |
| WO2013088624A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | 処理装置およびシールド |
| WO2017163878A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 日新電機株式会社 | マスクフレーム及び真空処理装置 |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP04342043A patent/JP3086095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244914B1 (ko) * | 1996-09-20 | 2000-02-15 | 윤종용 | 반도체 스퍼터설비 |
| JP2007238978A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
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| JP4700714B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2011-06-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | マスク、該マスクを用いた成膜装置、及び、該マスクを用いた成膜方法 |
| US8303785B2 (en) | 2008-07-31 | 2012-11-06 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus and electronic device manufacturing method |
| WO2010013476A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置および電子デバイスの製造方法 |
| JP2010163690A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-07-29 | Canon Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JP4580040B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-11-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置および電子デバイスの製造方法 |
| JPWO2010013476A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-01-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置および電子デバイスの製造方法 |
| WO2012073908A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および回収装置 |
| CN103237916A (zh) * | 2010-12-03 | 2013-08-07 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置和回收装置 |
| JP5362920B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2013-12-11 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および回収装置 |
| WO2013088623A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | 処理装置およびシールド |
| WO2013088624A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | 処理装置およびシールド |
| CN103998642A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-20 | 佳能安内华股份有限公司 | 处理装置及护罩 |
| CN103998642B (zh) * | 2011-12-15 | 2016-01-06 | 佳能安内华股份有限公司 | 处理装置及护罩 |
| US9422619B2 (en) | 2011-12-15 | 2016-08-23 | Canon Anelva Corporation | Processing apparatus and shield |
| US9583304B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-02-28 | Canon Anelva Corporation | Processing apparatus and shield |
| WO2017163878A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 日新電機株式会社 | マスクフレーム及び真空処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3086095B2 (ja) | 2000-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |