CN103998642B - 处理装置及护罩 - Google Patents
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Abstract
本发明为处理装置及护罩,提供一种有利于提高对围住基板的护罩的变形的容许度的技术。处理装置具备基板保持部、当由上述基板保持部将基板保持时围在该基板的周围进行配置的护罩,和由磁力保持上述护罩的护罩保持部。上述护罩具有多个第1磁铁和多个第2磁铁,该第1磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第1极性的磁极,该第2磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第2极性的磁极,上述多个第1磁铁与上述多个第2磁铁配置在相对于上述护罩的中心对称的位置,上述护罩保持部具有多个第3磁铁和多个第4磁铁,该第3磁铁朝着上述护罩配置具有上述第1极性的磁极,以便与上述多个第2磁铁间产生吸引力;该第4磁铁朝着上述护罩配置具有上述第2极性的磁极,以便与上述多个第1磁铁间产生吸引力。
Description
技术领域
本发明涉及组装在处理装置及该处理装置中的护罩。
背景技术
在阴极溅镀装置中,围着基板或对阴极配置护罩(防附着板)。护罩例如通过螺栓等固定在护罩保持部。在专利文献1中,公开了一种围着阴极溅镀蒸发源配置放附着板的装置,在该装置中,放附着板通过螺栓安装在凸缘上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平4-311568号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在阴极溅镀装置等的处理装置中,护罩在基板的处理过程中被加热而膨胀。近年来,为了能以提高生产效率为目的把直至基板的边缘附近也用作电路图案,直至基板的边缘附近都形成了膜。为此,倾向于缩小围着基板配置的护罩与该基板的距离。在此情况下,当护罩因热而变形时,基板与护罩的位置关系偏移,可能会因此而造成制造不良。尤其是,为了允许护罩因热而变形,例如,在把护罩在其一个部位进行固定,使其它的部分能自由移动的结构中,该其它的部分会盖住基板上本来应用作电路图案的区域,而产生成膜不良。
本发明以认识上述课题为契机提出,目的是提供一种有利于提高对围住基板的护罩的变形的容许度的技术。
用于解决课题的技术手段
本发明的第1方面的对象为一种处理装置,具备基板保持部、当由上述基板保持部将基板保持时围在该基板的周围进行配置的护罩,和由磁力保持上述护罩的护罩保持部,在此,上述护罩具有多个第1磁铁和多个第2磁铁,该第1磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第1极性的磁极,该第2磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第2极性的磁极,上述多个第1磁铁与上述多个第2磁铁配置在相对于上述护罩的中心对称的位置,上述护罩保持部具有多个第3磁铁和多个第4磁铁,该第3磁铁朝着上述护罩配置具有上述第1极性的磁极,以便与上述多个第2磁铁间产生吸引力;该第4磁铁朝着上述护罩配置具有上述第2极性的磁极,以便与上述多个第1磁铁间产生吸引力;上述多个第3磁铁与上述多个第4磁铁配置在相对于上述护罩保持部的中心对称的位置,上述护罩保持部以容许上述护罩受热变形的方式对上述护罩进行保持,通过上述多个第1磁铁与上述多个第4磁铁之间作用的磁力和上述多个第2磁铁与上述多个第3磁铁之间作用的磁力将上述护罩的中心定位于上述护罩保持部的中心。
本发明的第2方面涉及一种护罩,该护罩在处理装置中由护罩保持部保持,为了由磁力将上述护罩固定在上述护罩保持部,上述护罩具有多个第1磁铁和多个第2磁铁,该第1磁铁对着上述护罩保持部配置有具有第1极性的磁极,该第2磁铁对着上述护罩保持部配置有具有第2磁性的磁极,上述多个第1磁铁与上述多个第2磁铁配置在相对于上述护罩的中心对称的位置。
发明效果
根据本发明,提供了有利于提高对围住基板的护罩的变形的容许度的技术。
本发明的其它的特征及优点,通过参照附图进行的以下的说明应该能够明了。另外,在附图中,对于相同或同样的构成要素赋予相同的附图标记。
附图说明
附图包含在说明书中,构成其一部分分,用于表示本发明的实施方式,与其记载一起对本发明的原理进行说明。
图1是表示本发明的实施方式的处理装置的简要结构的图。
图2是从对阴极侧看围住基板的护罩的图。
图3是从对阴极T侧看对围住基板的护罩进行保持的护罩保持部的图。
图4是示意地表示在护罩被护罩保持部保持的状态下的护罩侧的磁铁与护罩保持部侧的磁铁的位置关系的一例的图。
图5是示意地表示图4的线A中的护罩及护罩保持部的截面的图。
图6是示意地表示在护罩被护罩保持部保持的状态下的护罩侧的磁铁与护罩保持部侧的磁铁的位置关系的其它例子的图。
图7是示意地表示图6的线A中的护罩及护罩保持部的截面的图。
图8是示意地表示本发明的实施方式的效果的图。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。
图1表示本发明的实施方式的处理装置100的简要结构。处理装置100被构成为,在空腔10中的被减压的处理空间12内对基板S进行处理。处理装置100例如被构成为阴极溅镀装置、CVD装置、等离子处理装置等。以下,为了提供更加具体的例子,对构成为阴极溅镀装置的处理装置100进行说明,但是其目的不是为了对本发明的适用范围进行限制。
处理装置100具备配置在空腔10中的护罩20、60,和分别由磁力对护罩20、60进行保持的护罩保持部30、70。护罩20围住对阴极T进行配置。护罩60围住基板S进行配置。
护罩保持部30具有配置了磁铁34的保持面,护罩20具有配置了磁铁24的端面,通过磁铁34与磁铁24之间作用的磁力将护罩20固定在护罩保持部30。对阴极T固定在背板40上。背板40由未图示的冷却单元冷却,由此将对阴极T冷却。背板40还作为电极而具有从电源90被施加电压的功能。护罩20典型地除了对阴极T之外,还围住背板40的整体或一部分进行配置。
基板S由基板保持部50保持。基板保持部50由驱动单元80旋转驱动。在此例中,处理装置100作为阴极溅镀装置构成,由阴极溅镀在基板S的上面形成膜。具体来说,施加到保持基板S的基板保持部50与背板40间的电压引起的放电所产生的离子与对阴极T碰撞,由此从对阴极T释放出颗粒。此颗粒堆积在基板S的上面从而在基板S的上面形成膜。
护罩保持部70具有配置了磁铁72的保持面,护罩60具有配置了磁铁62的端面,通过在磁铁72与磁铁62之间作用的磁力将护罩60固定在护罩保持部70。护罩60被构成为,对基板S的表面中的形成膜的区域进行限定。具体来说,护罩60被构成为,将基板S的表面中的边缘附近覆盖。护罩保持部70一边容许护罩60受热变形地对护罩60进行保持,一边与护罩60的变形无关地将护罩60的中心定位于护罩保持部70的中心。
来自对阴极5的颗粒,除了堆积在基板S上还堆积在护罩20、60上形成堆积物。在此堆积物超过容许量之前从护罩保持部30、70拆下护罩20、60,将新的护罩20、60或洗净了的护罩20、60安装在护罩保持部30、70。处理空间12通过未图示的涡轮分子泵等的排气装置排气而被减压。在处理空间12中,通过未图示的气体供给部导入溅镀气体(例如,氩气)。处理装置100可以具备在对阴极T的周围提供磁场的磁体,以构成磁控管阴极溅镀装置。磁体由磁体和对阴极T夹住背板40进行配置。
图2是从对阴极T看围住基板S的护罩60时的图。如图2所举例表示的那样,围住基板S的护罩60具有:朝着护罩保持部70配置了具有第1极性的磁极(例如N极)的多个第1磁铁62N,和朝着护罩保持部70配置了具有第2极性的磁极(例如S极)的多个第2磁铁62S。另外,图2是从对阴极T侧看围住基板S的护罩60的图,实际上,多个第1磁铁62N及多个第2磁铁62S被护罩60遮住。多个第1磁铁62N与多个第2磁铁62S被配置在相对于护罩60的中心68对称的位置。在基板S为圆形的情况下,护罩60为环形。在基板S为矩形的情况下,护罩60为矩形。
图3是从对阴极T侧观察对围住基板S的护罩60进行保持的护罩保持部70时的图。如图3举例表示的那样,对围住基板S的护罩60进行保持的护罩保持部70具有:以与护罩60的多个第2磁铁62S间产生吸引力的方式把具有第1极性的磁极(例如N极)对着护罩60配置的多个第3磁铁72N,和以与护罩60的多个第1磁铁62N间产生吸引力的方式把具有第2极性的磁极(例如S极)对着护罩60配置的多个第4磁铁72S。多个第3磁铁72N与多个第4磁铁72S被配置在相对于护罩保持部70的中心78对称的位置。
图4是示意地表示在由护罩保持部70对护罩60进行保持的状态下的护罩60的多个第1磁铁62N及多个第2磁铁62S,和护罩保持部70的多个第3磁铁72N及多个第4磁铁72S的位置关系的一例的俯视图。图5是示意地表示图4的线A中的护罩60及护罩保持部70的截面的图。图4及图5中的箭头示意地表示在磁铁间作用的吸引力。在图4及图5所示的例子中,护罩60的多个第1磁铁62N及多个第2磁铁62S在俯视图中被配置在护罩保持部70的多个第3磁铁72N及多个第4磁铁72S的外侧。
图6是示意地表示在护罩60被护罩保持部70保持的状态下的护罩60的多个第1磁铁62N及多个第2磁铁62S,和护罩保持部70的多个第3磁铁72N及多个第4磁铁72S的位置关系的其它例子的俯视图。图7是示意地表示图6的线A中的护罩60及护罩保持部70的截面的图。
图6及图7中的箭头示意地表示在磁铁间作用的吸引力。在图6及图7所示的例子中,护罩60的多个第1磁铁62N及多个第2磁铁62S,在俯视图中被配置在护罩保持部70的多个第3磁铁72N及多个第4磁铁72S的内侧。
在此实施方式中,护罩60载置在护罩保持部70的上面,护罩保持部70通过磁力来保持护罩60。因此,被护罩保持部70保持的护罩60具有变形的自由度。换言之,护罩保持部70以容许护罩60受热变形的方式对护罩60进行保持。进而,护罩60被构成为,通过护罩60的多个第1磁铁62N与护罩保持部70的多个第4磁铁72S之间作用的磁力和护罩60的多个第2磁铁62S与护罩保持部70的多个第3磁铁72N之间作用的磁力,将护罩60的中心68定位于护罩保持部70的中心78。
根据上述那样把护罩60的中心68定位于护罩保持部70的中心78的结构,如图8中示意表示的那样,例如,即便护罩60的内径D受热而改变△D,对着基板S的边缘附近的部分中的护罩60的移动量最大也为△D/2,因此,提高了对护罩60的变形的容许度。
护罩60的多个第1磁铁62N以等间隔进行配置,护罩60的多个第2磁铁62S也以等间隔进行配置。同样,护罩保持部70的多个第3磁铁72N以等间隔进行配置,护罩保持部70的多个第4磁铁72S也以等间隔进行配置。这样的配置,有利于使为了将护罩60的中心68定位于护罩保持部70的中心78而作用的力沿整周均匀化。
护罩60的多个第1磁铁62N配置在穿过护罩60的中心68的直线69的一侧,护罩60的多个第2磁铁62S配置在直线69的另一侧。护罩保持部70的多个第3磁铁72N分别对着护罩60的多个第2磁铁62S配置,护罩保持部70的多个第4磁铁72S分别对着护罩60的多个第1磁铁62N配置。即,与护罩60同样,护罩保持部70的多个第3磁铁72N被配置在穿过护罩60的中心78的直线79的一侧,护罩保持部70的多个第4磁铁72S被配置在直线79的另一侧。根据这样的配置,把护罩20对护罩保持部30的安装方向定为单值,因此可以防止护罩20安装方向错误。
本发明不限于上述实施方式,在不脱离本发明的精神及范围的情况下可以进行各种变更及变型。因此,为了公开本发明的范围,添加以下的发明请求保护的范围。
本发明以2011年12月15日提出的日本专利申请特愿2011-275073号为基础主张优先权,其记载的全部内容在此被援用。
Claims (7)
1.一种处理装置,具备基板保持部、当由上述基板保持部将基板保持时围在该基板的周围进行配置的护罩,和由磁力保持上述护罩的护罩保持部,其特征在于:
上述护罩具有多个第1磁铁和多个第2磁铁,该第1磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第1极性的磁极,该第2磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第2极性的磁极,上述多个第1磁铁与上述多个第2磁铁配置在相对于上述护罩的中心对称的位置,
上述护罩保持部具有多个第3磁铁和多个第4磁铁,该第3磁铁朝着上述护罩配置具有上述第1极性的磁极,以便与上述多个第2磁铁间产生吸引力;该第4磁铁朝着上述护罩配置具有上述第2极性的磁极,以便与上述多个第1磁铁间产生吸引力;上述多个第3磁铁与上述多个第4磁铁配置在相对于上述护罩保持部的中心对称的位置,
上述护罩保持部以容许上述护罩受热变形的方式对上述护罩进行保持,通过上述多个第1磁铁与上述多个第4磁铁之间作用的磁力和上述多个第2磁铁与上述多个第3磁铁之间作用的磁力将上述护罩的中心定位于上述护罩保持部的中心。
2.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于,上述护罩载置在上述护罩保持部的上面。
3.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于,上述多个第1磁铁以等间隔进行配置,上述多个第2磁铁以等间隔进行配置,上述多个第3磁铁以等间隔进行配置,上述多个第4磁铁以等间隔进行配置。
4.如权利要求1~3中的任意一项所述的处理装置,其特征在于,上述多个第1磁铁配置在穿过上述护罩的中心的直线的一侧,上述多个第2磁铁配置在上述直线的另一侧,
上述多个第3磁铁分别对着上述多个第2磁铁进行配置,上述多个第4磁铁分别对着上述多个第1磁铁进行配置。
5.一种护罩,该护罩在处理装置中由护罩保持部保持,其特征在于:
为了由磁力将上述护罩固定在上述护罩保持部,上述护罩具有多个第1磁铁和多个第2磁铁,该第1磁铁对着上述护罩保持部配置有具有第1极性的磁极,该第2磁铁对着上述护罩保持部配置有具有第2磁性的磁极,
上述多个第1磁铁与上述多个第2磁铁配置在相对于上述护罩的中心对称的位置。
6.如权利要求5所述的护罩,其特征在于,上述多个第1磁铁以等间隔进行配置,上述多个第2磁铁以等间隔进行配置。
7.如权利要求5或6所述的护罩,其特征在于,上述多个第1磁铁配置在穿过上述护罩的中心的直线的一侧,上述多个第2磁铁配置在上述直线的另一侧。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9659677B2 (en) * | 2014-06-27 | 2017-05-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Shielding device for substrate edge protection and method of using same |
JP2016127185A (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | シールドリングおよび基板載置台 |
GB201518756D0 (en) * | 2015-10-22 | 2015-12-09 | Spts Technologies Ltd | Apparatus for plasma dicing |
GB2627462A (en) * | 2023-02-22 | 2024-08-28 | Edwards Vacuum Llc | Magnetic assembly for a sputter Ion pump |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04311568A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-04 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング蒸発源装置 |
JPH06196476A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Canon Inc | スパッタリング装置 |
CN1511972A (zh) * | 2002-12-17 | 2004-07-14 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 具有防着管的等离子体处理装置 |
CN101779241A (zh) * | 2008-06-17 | 2010-07-14 | 佳能安内华股份有限公司 | 具有沉积遮蔽件的承载件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2783421B2 (ja) * | 1989-06-02 | 1998-08-06 | 日本真空技術株式会社 | スパッタリング装置 |
JP2003183810A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-07-03 | Fujitsu Ltd | スパッタ装置 |
JP4386753B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2009-12-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | ウェハーステージ及びプラズマ処理装置 |
JP4700714B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2011-06-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | マスク、該マスクを用いた成膜装置、及び、該マスクを用いた成膜方法 |
KR101049804B1 (ko) * | 2009-02-19 | 2011-07-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 장치용 마스크 밀착 수단 및 이를 이용한 증착 장치 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04311568A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-04 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング蒸発源装置 |
JPH06196476A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Canon Inc | スパッタリング装置 |
CN1511972A (zh) * | 2002-12-17 | 2004-07-14 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 具有防着管的等离子体处理装置 |
CN101779241A (zh) * | 2008-06-17 | 2010-07-14 | 佳能安内华股份有限公司 | 具有沉积遮蔽件的承载件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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