TWI414620B - 射頻濺鍍配置 - Google Patents

Description

射頻濺鍍配置

本發明係有關於一種濺鍍配置，且特別係有關於利用高頻(High Frequency，HF)來進行濺鍍，例如射頻(Radio Frequency，RF)。

濺鍍設備可包括有排空腔室(evacuatable chamber)，通常為真空腔室或電漿腔室，其包括至少二電極，電漿可形成於此些電極之間。此些電極中至少一者係提供濺鍍的材料，而另一電極係提供為對應電極(counter electrode)。在RF濺鍍中，高頻電壓係施加於二電極之間，而持續地交替極性

可注意的是，具有較小電極面積的電極會顯示擇優濺鍍效應(preferential sputtering effect)。因此，一般較小的電極係作為包含有濺鍍材料的電極，而較大的電極係作為此對應電極，此對應電極通常係接地。

但此擇優濺鍍效應並不完全限定於此較小電極面積，較大電極被濺鍍影響的程度係決定於電極電位與較大電極電位之間的差異，若此差異超過濺鍍門檻，此較大電極亦會被濺鍍。若此較大電極包含有一或更多不欲被濺鍍沈積至基材的成份，則不希望此較大電極亦會被濺鍍。

為了避免來自較大電極的濺鍍影響，RF濺鍍配置的外圍(例如真空腔室)可作為較大的對應電極。較小電極面積與較大對應電極面積之間的比例可為1：10或更高，以減少來自較大電極的濺鍍。

然而，此設計規則1：10具有限制，在特定應用中，例如，直徑30cm的晶片(wafer)通常需40cm的靶材。若根據此1：10的規則，對應電極的面積會大於1m² ，而難以配置於真空濺鍍腔室。

德國專利第GB2191787號揭露一配置，其磁場係施加於對應電極，以確保對應電極的效果，並減少對應電極的濺鍍情形。利用施加磁場於對應電極，對應電極面積與靶材電極之間的比例可被減少。因此，對應電極可使用較小面積，同時仍可避免來自對應電極的不預期濺鍍情形。

然而，此方法需額外的磁鐵，因而複雜化設計與濺鍍設備的製造，因此，需提供另一種RF濺鍍配置，其亦可減少對應電極的濺鍍可能性。

因此本發明之一方面係在於提供一種濺鍍裝置，特別是射頻(RF)濺鍍配置，其包含真空腔室、至少一第一電極、對應電極及射頻產生器。真空腔室係由至少一側壁、底部和遮蓋單元所定義，第一電極具有第一表面，其配置於真空腔室內，對應電極具有一表面，其配置於真空腔室內，射頻產生器係用以施加RF電場，其穿過第一電極與對應電極，以開始產生電漿於第一電極與對應電極之間。其中，對應電極包含至少二凹部，其互通於真空腔室，每一凹部的尺寸係允許電漿形成於凹部中。

相較於未具有凹部的對應電極，對應電極的凹部可增加電極的表面面積。因此，可有效地增加對應電極的表面面積，其接觸於電漿，凹部係具有預設尺寸，因而電漿可形成於每一凹部中。因此，可減少來自對應電極的材料被濺鍍於基材上的可能性，此基材係用以濺鍍沈積來自靶材的材料。

在一實施例中，此對應電極包含真空腔室的側壁及/或底部及/或遮蓋單元的至少一部分，以及一或更多的突出導電部。

換言之，此對應電極包含一或更多的突出導電部、以及定義真空腔室之底部、遮蓋單元及側壁的至少一部分。此突出導電部以及定義真空腔室之底部、遮蓋單元及側壁的至少一部分可被形成來定義一或更多個凹部，其互通於真空腔室，每一凹部的尺寸係可允許電漿形成於凹部中。

在另一實施例中，此對應電極係一分離單元，其配置於真空腔室中。此對應電極包含一側壁框及至少三個突出導電部，以定義二或更多的凹部，以定義二或更多的凹部。相較於對應電極的側面尺寸，側壁框和突出導電部所定義的二或更多的凹部可提供對應電極一皺折形狀，以具有較大的表面面積。

在一實施例中，對應電極係配置於真空腔室的外圍區域。若突出導電部係配置於靶材和基材之間，如此可避免阻礙到由靶材沈積材料到基材的路徑。在另一實施例中，對應電極係配置於第一電極與基材之間的視角線之外。

在一實施例中，突出導電部係由側壁框來突出，且實質垂直於側壁框。突出導電部可一體成型於側壁框，或者分離地結合或固定於側壁框上。

在一實施例中，凹部的數量為突出導電部的數量減一，例如，若提供三個突出導電部，且彼此間隔地堆疊配置，則可形成二個凹部。在此例中，第一凹部係形成於下導電部和中導電部之間，第二凹部係形成於中導電部和上導電部之間。

在另一實施例中，突出導電部係實質地平行於側壁框，而非垂直於側壁框。

在一些實施例中，濺鍍裝置所包含之對應電極包括有一或多個實質地平行於側壁框的突出導電部，以及一或多個實質地垂直於側壁框的突出導電部。

在一些實施例中，突出導電部係實質地平行於側壁框，其中突出導電部可由底框來伸出，突出導電部可一體成型於底框，或者分離地結合或固定於底框上。

每一突出導電部包含一環，若突出導電部的環係上下堆疊配置，則彼此相互之間具有一距離，環形凹部係形成於相鄰二環之間。

每一對應電極的突出導電部可由側壁框來伸出，則側壁框係封閉此形成於相鄰二突出導電部之間之環形凹部的一側。每一凹部具有一開放側，其互通於電漿腔體，藉以使電漿腔體內的電漿可進入並形成於每一凹部。

在上述實施例中，對應電極具有堆疊配置的凹部或切線方向上的凹部。在另一實施例中，對應電極具有配置於單一層的凹部。

在一實施例中，複數個突出導電部係由對應電極的側壁框來徑向地伸出，凹部係定義於每二相鄰的徑向延伸導電部之間。

若側壁框在上視的平面中係呈圓形，則凹部的前端會變得狹窄。徑向延伸的導電部亦可稱為肋，且亦可朝真空腔室的中央延伸，導電部並不會超出在靶材邊緣與基材或基材固定器邊緣之間的視角線。

對應電極的突出導電部係由對應電極的遮蓋框來延伸至底框，在此實施例中，底框和遮蓋框係位於導電部的相對兩側，並封閉凹部的相對兩側，凹部的側向長度係鄰近的導電部所定義。對應電極的凹部具有實質的梯形形狀。

對應電極可具有特定的形狀，藉以具有表面面積Ac，若第一電極具有表面面積At，則表面面積Ac大於等於表面面積At。在另一實施例中，Ac：At的比例至少為10：1，以避免來自對應電極的濺鍍。

第一電極包含靶材，其具有欲被濺鍍的材料。此RF濺鍍配置可包括二或更多的靶材，每一靶材可包含不同的成份，並可個別地被濺鍍。藉由施加RF電場來穿過預設靶材與對應電極，RF濺鍍裝置可形成電漿於預設靶材與對應電極之間，並由預設靶材來濺鍍材料至基材上。

此RF濺鍍裝置亦可包含至少一通道，用以抽出氣體於真空腔室之外及/或供應氣體於真空腔室內。通道可形成於各種位置，在一實施例中，一或多個通道係配置於第一電極與遮蓋單元之間及/或於基材與底部之間及/或於側壁上。

除了RF濺鍍，此濺鍍裝置亦可用於磁控濺鍍，且亦可用於RF磁控濺鍍。

為了進行磁控濺鍍，此裝置具有至少一磁鐵，其鄰於第一電極的第二表面，第二表面係相對於第一電極的第一表面，第一電極可形成於真空腔室的一部分。此磁鐵一般係配置於靶材的後方，並鄰近於靶材的一側，而避開靶材的濺鍍表面。

此一或多個磁鐵可為固定不動，或者可為可轉動的。

磁鐵的強度和位置可被預先設計，藉以使對應電極所受到的磁場係相對較低的，而不會由對應電極或部分的對應電極來形成濺鍍。

根據上述實施例中之一的對應電極亦可描述為具有皺折狀，其包含複數個凸部或肋來插入於凹部或凹陷處之間。凹部或凹陷亦可藉由側壁框和肋的配置來形成，在另一實施例中，亦可藉由底框-側壁框-肋以及遮蓋框-側壁框-肋的配置來形成。

對應電極的皺折狀可增加對應電極的表面面積，由於電漿可形成和存在於凹部的凹陷處，因而防止來自對應電極之材料的濺鍍。因此，可增加電漿和對應電極之間的電荷交換。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，本說明書將特舉出一系列實施例來加以說明。但值得注意的係，此些實施例只係用以說明本發明之實施方式，而非用以限定本發明。

請參照圖1，其顯示根據本發明之第一實施例之RF濺鍍配置1的概略示意圖。此RF濺鍍配置1包含真空腔室2，真空腔室2具有基材固定器5和具有被濺鍍之材料的靶材7。在本實施例中，此真空腔室2的平面視圖係呈實質圓形，然而此RF濺鍍裝置並不限於圓形。

靶材7與基材固定器5係實質地相互平行配置，並相隔有一距離，電漿係形成於靶材7與基材固定器5之間的區域。

靶材7包含一第一電極8，其可為陰極。對應電極9包含側壁框3、底框4、遮蓋框6及突出導電部10，導電部10係位於底框4與遮蓋框6之間。側壁框3、底框4、遮蓋框6及突出的導電部10係相互機械性地連接，並電性接地，因而可整體形成此對應電極9。若靶材7為陰極，則對應電極9為陽極，反之亦然。RF電場係施加穿過第一電極8和對應電極9。

此RF濺鍍配置1更包括RF產生器11，以產生RF電漿於第一電極8和對應電極9之間，且選擇性地，RF濺鍍配置1更包括磁場產生單元，用以產生磁場，其鄰接於靶材7，而面對於基材固定器5。設有用於靶材7之磁場產生單元的一實施例係顯示於圖3中。

一未繪示的外罩可用於固定基材12，其例如為半導體晶圓，在操作RF濺鍍配置1的期間中，靶材7的材料可沈積於基材固定器5上的基材12上。此外罩可具有相同於基材12的電位或一浮動電位。

此突出的導電部10係用以增加對應電極9的主動面積。在此實施例中，此突出導電部10包含金屬製的類孔徑元件，例如為金屬環，其一體成型且電性連接於此側壁框3。

此對應電極9可描述為具有皺折形狀，而形成二或更多的凹部13，其係由皺折形狀的突出部分(亦可稱為肋)所定義。

此對應電極9的詳細圖式係顯示於圖2，對應電極9包含外圍框部14，其係由側壁框3所提供，此三個肋15、16、17係實質地相互間隔地平行配置，且平坦地垂直於側壁框3。每一肋15、16、17包含圓環的形狀，並具有一共同中心軸。此圓環的寬度係可變的，上肋15可提供對應電極9的遮蓋框6，而下肋16可提供對應電極9的底框4。

在圖1和圖2所示的實施例中，此上環15和中環16可分別作為上肋15和中肋16，且具有約略相同的寬度。此下環17具有較大的寬度，且相較於上肋15和中肋16，下環17更朝真空腔室2的中央來延伸，此下環17可延伸至基材的最外側表面。

此些肋15、16、17和框14的對應部分可提供空間邊界，來定義二個圓環形凹部18、19。上肋15的下表面、中肋16的上表面，以及延伸於上肋15的下表面與中肋16的上表面之間的框14係定義成對應電極9的第一環形凹部18。中肋16的下表面、下肋17的上表面、以及延伸於中肋16的下表面與下肋17的上表面之間的框14係定義成對應電極9的第二環形凹部19。

凹部19的“寬度”係由中肋16的下表面與下肋17的上表面之間的距離所決定，凹部19的“深度”係由相對較小之圓環(在此例中為中肋16)的寬度所決定。凹部19的“底部”係由部分間框14所形成，並由側壁框3所提供。此凹部19的一側為開口端，其相對於側壁框3，並互通於真空腔室2。

此些凹部18、19係具有特定尺寸，藉以使電漿可形成於凹部18、19中。實現此目的之尺寸係決定於由靶材7沈積材料至基材時之所使用的濺鍍條件範圍。

在一實施例中，此靶材7可具有300mm的直徑，而基材具有200mm的直徑，靶材-基材之間的距離可約為50mm，以實現良好均勻性和適當的靶材利用性，此距離會限制了加入於整體對應電極9所配置之高度中的肋數量。若此對應電極9係設計為工作於0.1Pa的低壓中，則凹部的寬度應約為15mm，以產生電漿。

在圖1所示的實施例中，此基材的直徑為200mm，而對應之靶材7的直徑為300mm。靶材7與基材12之間的距離係選擇約為50mm，藉以設置此三個肋15、16、17於對應電極9的配置中。對應電極9配置的外、全直徑為370mm，此些凹部的寬度係在20-35mm及50-85mm。凹部18、19的高度係由兩相鄰之肋表面之間的距離來定義，並為15-20mm之間。定義凹部18、19之深度的肋寬度亦可被選擇，因而對應電極9不會阻礙到靶材7邊緣與基材12邊緣之間的視角線20

由此RF濺鍍配置1所提供的沈積環境包含一體成型的皺折形對應電極9，其亦具有保護真空腔室免於鍍上濺鍍材料的功用。一體成型的電極具有良好定義電位(通常係接地)的優點，且由於可以單一元件的方式來被拆卸、移除及清淨，因而亦容易進行維護。

供應氣體可由適當的氣體歧管來提供，氣體交換可經由靠近於靶材的縫隙36及/或經由靠近於基材的縫隙37及/或額外製造於導電體38的孔洞來進行。

在一些實施例中，此RF濺鍍配置係一RF磁控濺鍍配置，並具有額外的磁場產生單元，此磁場產生單元係配置鄰近於靶材7，並位於產生電漿的真空腔室2之外。磁場產生單元係鄰近於靶材7的第二表面，其相對於第一表面，第一表面可用以定義真空腔室，並面對於基材固定器5。

請參照圖3，其顯示根據本發明之第二實施例之RF濺鍍配置1’的概略示意圖。RF濺鍍配置1’包含轉動磁鐵21，其設置於靶材7的後方，並位於鄰近靶材7的一側。此RF濺鍍配置1’通常相同於圖1和圖2所示之實施例中的RF濺鍍配置，但其肋和凹部的數量係不相同。在此實施例中，對應電極包含四個肋，以定義三個凹部。

具有磁鐵配置之此RF濺鍍配置1’的沈積率，通常係十倍高於未設有磁鐵配置且對應電極面積亦可被減少的濺鍍情形，其描述於德國專利第GB2191787號(在此係作為參考)中。

此磁鐵系統21可被進行選擇，以避免來自對應電極9的濺鍍情形。具有較寬的雙極以及高強度的磁鐵可能容易造成來自對應電極9的濺鍍情形，特別是容易形成於對應電極9靠近磁鐵21的部分。

請再參照圖3，其亦顯示此影響的概略示意圖。圖3的右側顯示一對照之具有強性磁鐵的寬距離磁鐵組22，以線23所顯示的磁場係穿過對應電極9之肋24的前端，因而其可能被濺鍍。

圖3的左側顯示一轉動磁鐵21，其相較於對照磁鐵22具有較小的雙極和較小的強度，因而以線23’所顯示的磁場並不會穿過對應電極9之肋24的前端。因此，可避免來肋24之材料的濺鍍。如圖3所示，藉由放置較少的永久塊狀磁鐵於配置中，可調整磁鐵的強度。

選擇適合的磁鐵構成，藉以利用皺折狀的電極9來實現成功的濺鍍，此電極9具有一或更多的肋於遮蓋單元6與底部4之間。在一實施例中，具有磁場強度約150Oe於靶材7上的窄偶極磁鐵(dipole magnet)21可被使用，以提供良好的效果，藉以使皺折狀電極9，特別是肋的邊緣，不會被進行濺鍍，亦不會被沈積層所濺鍍。反之，具有磁場強度約300Oe的對照磁鐵22會造成肋邊緣24的濺鍍。

在此實施例中，如圖3所示，此對應電極9具有四個肋15、16、17、24，其分別大致垂直地突出於側壁框3，且具有通常的環形，而相互間隔地平行配置。此些肋15、16、17、24係實質地平行於靶材7和基材固定器5。

此對應電極9可具有其他凹部形狀，而非第一實施例中的環形凹部。此外，此對應電極9亦可具有放射狀凹部，以取代圖1、2及3中所示之具有切線方向(tangential)凹部的對應電極9。

請參照圖4，其顯示根據本發明之第三實施例之RF濺鍍配置(未繪示)之具有實質環形對應電極9’之中心平面的剖面示意圖。此對應電極9’包含放射狀凹部25，其藉由多個肋26來定義。肋26係由圓形側壁框3的內側面來徑向垂直地朝真空腔室2的中央伸出。圖5顯示圖4中之對應電極9’的一詳細的側剖面圖。

依照圖4，基材固定器5和靶材7係配置平行於圖4中的突出平面，亦即分別位於圖4中之對應電極9’的上下平面。肋26係沿著一方向來伸出，此方向係平行於基材固定器5和靶材7的主要表面。

此些肋26係由外圍圓形框部27來放射狀地朝內伸出，每二相鄰之肋26前端之間的距離係具有相同於上述的尺寸條件，藉以使電漿可形成於腔25中，以允許在對應電極9’之由凹部25所提供的延伸表面區域中進行電荷交換。此電漿形成條件亦決定於其他條件，如電漿功率、一個或多個磁場、電漿腔室內的壓力(若有提供)。

此外圍框部27亦構成一框，並形成凹部25的底部28。底框4和遮蓋框6係形成凹部25的底部和遮蓋單元，肋26的高度可提供凹部25的側壁。

相鄰的肋26具有不同的長度，而下一肋則具有相同的長度。因此，此配置可視為具有二種型式的肋，其中一種型式的肋可較長於另一種型式的肋。此二種型式的肋係相互交錯地配置，亦即為長肋、短肋、長肋、短肋的配置。

如圖5的剖面圖所示，在基材固定器5和靶材7的平面中，放射狀凹部25係由部分的底框4和遮蓋框6來包圍。在圖4所示的實施例中，圖5係顯示穿過肋26的剖面圖。圖4和5所示之RF濺鍍配置的其他特徵係相同於圖1、2及3所示之實施例的特徵，在此實施例中，不同的是對應電極的形狀。

圖5所示的對應電極9’包含外圍框部27、遮蓋框6及底框4，放射狀肋26的其中一者係表示為區域Ⅰ。在圖4所示的配置中，底框4與遮蓋框6包圍所有的肋26，以形成凹部25，其一側為開放狀態，特別是在相對於框27的一側，而互通於真空腔室2，底框4與遮蓋框6係垂直於肋26。如圖6所示，在另一實施例中，此放射狀肋26的形狀可具有區域Ⅰ和Ⅱ。換言之，肋的傾斜邊緣線會在靶材7邊緣與基材12或基材固定器5邊緣之間的視角線20之內，且不會超出視角線20。

請參照圖6，其顯示根據本發明之第四實施例之RF濺鍍配置1”的概略示意圖。根據第四實施例的RF濺鍍配置1”包含對應電極9”，對應電極9”包含第一種型式的肋28，其分別具有實質環形，且實質地相互間隔地平行配置。肋28係實質地平行於基材固定器5和靶材7，且垂直地由側壁框3伸出。此些肋28具有圖1至3所示之實施例的配置。

此RF濺鍍配置1”亦包含第二種型式的肋29，其平行於側壁框3，而定義出隔間30、31，其鄰近於基材固定器5，且位於比基材固定器5更下方的位置。

在此實施例中，側壁框3和第二種型式的肋29係呈圓形，每一肋29具有環形狀，並實質地垂直於肋28。隔間30、31係用於擴展電漿，此第二種型式肋29的配置可用於進一步增加對應電極9”的表面面積，由於第二種型式的肋29係鄰近於基材固定器5和基材12的下方，因而可不增加基材12和靶材7之間的距離來增加平行基材之肋28的數量。

側壁框3的一部分可形成為第二種型式的肋29，在平面中此些隔間30、31係實質地呈圓形，且隔間30、31係垂直於由第一種型式肋28所形成的環形凹部13。此些隔間30、31可提供二個環形凹部於側壁框3和基材固定器5之間，隔間31可定義基材固定器5的大小。基材固定器5係呈圓形並由單一平面所定義，而無凹陷處。第一種型式肋28和第二種型式肋29係一體成型且電性連接於側壁框3，藉以提供單一的對應電極9”。

隔間30、31和凹部13具有特定的尺寸，以形成電漿於隔間30、31和凹部13中。

圖4至6所示的實施例亦可具磁鐵配置，其強度不同於圖3所示。此些磁鐵可為轉動的並鄰近於靶材7的第二表面。

總之，此RF濺鍍配置包含一皺折狀對應電極，其係由肋及/或盲孔所實現，盲孔為一側封閉的孔，而另一側係開放於電漿腔體。皺折狀的尺寸係預先選擇，藉以使電漿形成於凹部中，因而允許在對應電極之由肋和凹部之皺折狀所提供的延伸表面區域中進行電荷交換。此電漿形成於凹部的條件決定於其幾何尺寸、入口縫隙及預期電漿過程中的壓力。

一體成型的皺折狀電極可方便於維持和清理。用於RF磁控濺鍍需具有適當的設計，其關於遮蔽以及較佳一較小的磁場強度，一般為150Oe或更小，以避免對應電極的濺鍍。

圖1至5所示之實施例之對應電極9和對應電極9”的結合可被使用，並可提供對應電極9’’’，其具有切向和徑向凹部的結合。包含有對應電極9’’’的RF濺鍍裝置1’’’係顯示於圖7中。

此對應電極9’’’具有三明治型結構，其中徑向延伸肋34的二個層32、33係插入於環形肋34，以形成二層的凹部35。

因此，可形成矩形盲孔凹部35，其由電漿環境向外伸出。此些盲孔凹部35可最有效率地形成進行電漿之電荷交換的面積。在此例中，對應電極9’’’可由二個或更多單元來組成，藉以製造複雜的凹部。

根據上述實施例中之一的對應電極9的側壁框3、遮蓋框6及底框4具有預設尺寸，以形成定義真空腔室的側壁、底部及遮蓋單元，電漿可形成於真空腔室中，以進行濺鍍。若對應電極接地，此對應電極9亦可電性連接於定義真空腔室的側壁、底部及/或遮蓋單元。

此對應電極可包金屬或合金板，其可利用壓模(stamping)、裁切或彎折等方式來形成預設形狀。多個金屬或合金板可利用例如焊接來結合成一體，以形成對應電極的預設形狀。

綜上所述，雖然本發明已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1、1’、1”、1’’’．．．RF濺鍍配置

2．．．真空腔室

3．．．側壁框

4．．．底框

5．．．基材固定器

6．．．遮蓋框

7．．．靶材

8．．．第一電極

9、9’、9”、9’’’．．．對應電極

10．．．導電部

11．．．RF產生器

12．．．基材

14、27．．．外圍框部

15、16、17、24、26、28、29、34．．．肋

13、18、19、25、35．．．凹部

21．．．轉動磁鐵

22．．．磁鐵組

23、23’、20．．．線

28．．．底部

30、31．．．隔間

32、33．．．層

36、37．．．縫隙

38．．．導電體

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：

圖1顯示具有對應電極之RF濺鍍配置的示意圖，對應電極包含切向的凹部。

圖2顯示圖1中之對應電極的詳細示意圖。

圖3顯示根據本發明之第二實施例之在RF濺鍍配置中之磁鐵配置的示意圖。

圖4顯示根據本發明之第三實施例之對應電極的剖面示意圖。

圖5顯示圖4之對應電極的剖面示意圖。

圖6顯示根據本發明之第四實施例之RF濺鍍配置的示意圖，RF濺鍍配置包含隔間，其位於基材平面之下。

圖7顯示根據本發明之第五實施例之RF濺鍍配置的示意圖。

1．．．RF濺鍍配置

2．．．真空腔室

3．．．側壁框

4．．．底框

5．．．基材固定器

6．．．遮蓋框

7．．．靶材

8．．．第一電極

9．．．對應電極

10．．．導電部

11．．．RF產生器

12．．．基材

13．．．凹部

36、37．．．縫隙

38．．．導電體

Claims (20)

1. 一種濺鍍裝置，包含一真空腔室，係由至少一側壁、一底部和一遮蓋單元所定義；至少一第一電極，具有一第一表面，其配置於該真空腔室內；一對應電極，具有一表面，其配置於該真空腔室內；以及一射頻(RF)產生器，用以施加RF電場，其穿過該至少一第一電極與該對應電極，以開始產生一電漿於該第一電極與該對應電極之間；其中，該對應電極包含至少二凹部，其互通於該真空腔室，每一該些凹部的尺寸係允許電漿形成於該凹部中。
2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該對應電極包含該真空腔室的該側壁及/或該底部及/或該遮蓋單元的至少一部分，以及一或更多突出導電部。
3. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該對應電極包含一側壁框及至少三個突出導電部，以定義二或更多的凹部。
4. 如申請專利範圍第1至3項之一所述之濺鍍裝置，其中該對應電極係配置於該真空腔室的周圍區域。
5. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該對應電極係配置於該第一電極與一基材之間的一視角線之外。
6. 如申請專利範圍第3項所述之濺鍍裝置，其中該些突出導電部係由該側壁框來突出。
7. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該些凹部 的數量為複數個突出導電部的數量減一。
8. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該些突出導電部係相互間隔一距離地平行配置。
9. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中至少一突出導電部係平行於該側壁框。
10. 如申請專利範圍第9項所述之濺鍍裝置，其中該突出導電部係由該對應電極的一底框來突出。
11. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍裝置，其中每一該些突出導電部包含一環。
12. 如申請專利範圍第11項所述之濺鍍裝置，其中該凹部係呈環狀。
13. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該對應電極包含複數個突出導電部，其由一側壁框來徑向地伸出。
14. 如申請專利範圍第13項所述之濺鍍裝置，其中該些突出導電部係由該對應電極的一遮蓋框來延伸至一底框。
15. 如申請專利範圍第13項所述之濺鍍裝置，其中該些凹部具有實質的梯形形狀。
16. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該對應電極具有一表面面積(Ac)，該第一電極具有一表面面積(At)，該表面面積(Ac)大於等於該表面面積(At)。
17. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中該第一電極包含一靶材，其具有欲被濺鍍的材料。
18. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，其中一通道係用以抽出氣體於該真空腔室之外及/或供應氣體於該真空腔室內，該通道係配置於該第一電極與該遮蓋單元之間及/或於該基材與該底部之間及/或於該側壁上。
19. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍裝置，更包含至少一磁鐵，其鄰近於該第一電極的一第二表面，該第二表面係相對於該第一電極的該第一表面。
20. 如申請專利範圍第19項所述之濺鍍裝置，其中該磁鐵係可轉動的。