JP4450654B2 - スパッタ源及び成膜装置 - Google Patents
スパッタ源及び成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4450654B2 JP4450654B2 JP2004088382A JP2004088382A JP4450654B2 JP 4450654 B2 JP4450654 B2 JP 4450654B2 JP 2004088382 A JP2004088382 A JP 2004088382A JP 2004088382 A JP2004088382 A JP 2004088382A JP 4450654 B2 JP4450654 B2 JP 4450654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- target
- cathode electrode
- vacuum chamber
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
請求項2記載の発明は、請求項1記載のスパッタ源であって、コンデンサを有し、前記第一のシールドは前記コンデンサを介して交流的に接地電位に接続されたスパッタ源である。
請求項3記載の発明は、請求項1記載のスパッタ源であって、前記第一のシールドは、接地電位から交流的にも絶縁されたスパッタ源である。
請求項4記載の発明は、真空槽と、ホルダと、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のスパッタ源とを有し、前記ホルダは前記真空槽内部に配置され、前記スパッタ源は前記真空槽内部の前記ホルダと対向する位置に配置された成膜装置である。
の一例について述べると、第一のシールド41とターゲット35との間の距離D1は2mm以下の範囲にあり、第二のシールド45とターゲット35との間の距離D2は5mm以上10mm以下の範囲にある。
第一、第二のシールド41、45の材質も特に限定されるものではないが、耐久性やコストを考慮すると、ステンレス又はアルミニウムが好ましい。
Claims (4)
- カソード電極と、
前記カソード電極上に取り付けられたターゲットと、
リング状であって、前記カソード電極と前記ターゲットとは非接触な状態で、少なくとも前記カソード電極と前記ターゲットの周囲を取り囲む第一のシールドと、
リング状であって、前記第一のシールド上に配置された第二のシールドと、
前記ターゲットの前記第一のシールドから露出するスパッタ面とは反対側の面に配置された磁界形成手段と、
前記磁界形成手段を前記ターゲットの一方の端から他方の端の間で前記ターゲットに対して相対的に移動させる移動手段とを有し、
前記第一、第二のシールドは電気的に互いに絶縁され、
前記第一のシールドは接地電位から直流的に絶縁され、
前記第二のシールドは接地電位に接続され、
前記第一のシールドは、リング状の下部シールド部と、リング状の上部シールド部を有し、
前記下部シールド部は、前記カソード電極を取り囲み、
前記上部シールド部は、前記下部シールド部上に配置されて前記ターゲットを取り囲み、
前記第一のシールドの内周端部の少なくとも一部は、前記第二のシールドから前記ターゲット側に突き出されたスパッタ源。 - コンデンサを有し、前記第一のシールドは前記コンデンサを介して交流的に接地電位に接続された請求項1記載のスパッタ源。
- 前記第一のシールドは、接地電位から交流的にも絶縁された請求項1記載のスパッタ源。
- 真空槽と、ホルダと、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のスパッタ源とを有し、
前記ホルダは前記真空槽内部に配置され、前記スパッタ源は前記真空槽内部の前記ホルダと対向する位置に配置された成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004088382A JP4450654B2 (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | スパッタ源及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004088382A JP4450654B2 (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | スパッタ源及び成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005272941A JP2005272941A (ja) | 2005-10-06 |
JP4450654B2 true JP4450654B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
ID=35172919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004088382A Expired - Lifetime JP4450654B2 (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | スパッタ源及び成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4450654B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200089344A (ko) * | 2017-12-20 | 2020-07-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 에지 균일성을 위한 방법들 및 장치 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4142706B2 (ja) | 2006-09-28 | 2008-09-03 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
JP4808689B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2011-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
JP2008179894A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
JP5135106B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置および成膜方法、並びに、液体吐出装置 |
WO2010058366A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Rf sputtering arrangement |
WO2010073207A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Rf sputtering arrangement |
KR101213957B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2012-12-20 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 스퍼터링 장치 |
KR102182674B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2020-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 |
-
2004
- 2004-03-25 JP JP2004088382A patent/JP4450654B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200089344A (ko) * | 2017-12-20 | 2020-07-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 에지 균일성을 위한 방법들 및 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005272941A (ja) | 2005-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20070056843A1 (en) | Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones | |
US20070056850A1 (en) | Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones | |
JP5362112B2 (ja) | スパッタ成膜装置及び防着部材 | |
JP5265811B2 (ja) | スパッタ成膜装置 | |
JP4450654B2 (ja) | スパッタ源及び成膜装置 | |
JP2007023386A (ja) | 大面積基板用の低電圧スパッタリング | |
US8663441B2 (en) | Vacuum coating apparatus with mutiple anodes and film coating method using the same | |
JP5921048B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
JP5282167B2 (ja) | スパッタ成膜装置 | |
JP2015530484A (ja) | 粒子フリーの回転ターゲット及びそれを製造する方法 | |
JP2012224921A (ja) | 成膜装置 | |
EP3880862B1 (en) | Tilted magnetron in a pvd sputtering deposition chamber | |
WO2012077298A1 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JP2009293089A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP2001049428A (ja) | 基体に被膜を被覆する方法およびその方法に用いるスパッタリング装置 | |
JP2008025031A (ja) | マルチカソード設計用冷却暗部シールド | |
JP2009191340A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP4246546B2 (ja) | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 | |
JP2019060015A (ja) | 物理的気相堆積チャンバの粒子低減装置及び方法 | |
JP2005179716A (ja) | スパッタリング装置 | |
WO2020158272A1 (ja) | ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法 | |
JP4471667B2 (ja) | スパッタ源、成膜装置及び成膜方法 | |
JP2002294446A (ja) | スパッタ源及び成膜装置 | |
JP2002373887A (ja) | 高誘電体のエッチング装置 | |
KR20070001722A (ko) | 플라즈마 에칭 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090810 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100126 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4450654 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160205 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |