JP2007023386A

JP2007023386A - 大面積基板用の低電圧スパッタリング

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Publication number: JP2007023386A
Application number: JP2006188748A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Hosokawa; 昭弘細川; Hienminh H Le; エイチリーヒエンミン
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2005-07-13
Filing date: 2006-07-10
Publication date: 2007-02-01
Also published as: CN1896300A; TW200710248A; KR20070008399A; US20070012557A1

Abstract

【課題】本発明の実施例は一般的に材料のスパッタリングに関する。特に、本発明はアーク発生を防ぐために大面積基板の物理気相蒸着処理の間に使用されるスパッタリング電圧に関する。
【解決手段】発明の一実施例は、４００ボルトより低い電圧で四角形基板上で材料をスパッタリングするための装置を記述し、この装置は、四角形基板上で材料をスパッタリングする間に４００ボルトより低い電圧でバイアスされるスパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを囲む接地シールドを備え、接地シールドとスパッタリングターゲットの間の最短距離がプラズマ暗部の厚さより小さく、スパッタリングターゲットの背面のマグネトロンを備え、マグネトロンの端部は接地シールドに重なり合わなず、スパッタリングターゲットと基板との間に配置され、スパッタリング処理の間に接地されたアンテナ構造体を備えている。
【選択図】図３Ｃ

Description

発明の分野

本発明の実施例は一般的に材料のスパッタリングに関する。特に、本発明は大面積基板の物理気相蒸着の間に使用されるスパッタリング電圧に関する。

関連技術の説明

物理気相蒸着（ＰＶＤ）は、例えばフラットパネルディスプレイのような電子デバイスの製造で最も一般的に使用されるプロセスの１つである。ＰＶＤは真空チャンバ内で行われるプラズマプロセスであり、そこでは、負にバイアスされたターゲットが、相対的に重い原子を有する不活性ガス（例えば、アルゴン）又はそのような不活性ガスを含む混合気体のプラズマに露出される。不活性ガスのイオンがターゲットに衝突（即ち、スパッタリング）すると、ターゲット材の原子の放出を引き起こす。放出された原子は、チャンバ内のターゲットの下に配置された基板台に置かれた基板上に堆積膜として堆積される。フラットパネルディスプレイのスパッタリングは、基板の大きなサイズと四角形の形状によって、ウエハスパッタリングの長くかかって開発された技術から区別される。

ＤＣマグネトロンスパッタリング法は、集積回路において電気的接続と他の構造を形成するために、半導体集積回路の製造で半導体集積回路へ金属を堆積させる主要な方法である。少なくとも一対の対向した磁極を有したマグネトロンは、ターゲットの前面と密接し且つ平行の磁界を生成するためにターゲットの背後に配置される。磁界は電子を閉じ込めプラズマを電気的中性にするために、追加のアルゴンイオンがマグネトロンに隣接した領域に引きつけられて、高密度のプラズマがそこに形成される。それによって、スパッタリング速度が増加する。通常、スパッタリアクターの側面は、スパッタ堆積からチャンバ壁を保護するためにシールドでカバーされる。シールドは一般的に電気的に接地され，従って、チャンバとプラズマにＤＣターゲット電力を容量結合するために、ターゲットカソードに対向したアノードを設ける。一部のスパッタリングチャンバでは、ターゲットの近くに十分に間隔をあけた暗部シールドがあり、シールドとターゲットの間に電気短絡を生じさせるプラズマの形成を阻止する。金属ターゲットは、多くの場合約−４００〜−６００ボルトＤＣの範囲で負にＤＣバイアスされて、アルゴンワーキングガスの陽イオンをターゲットの方へ引きつけて、金属原子をスパッタリングする。

１９９０年代初期にスパッタリアクターがガラスパネル上で形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路のために開発され、その回路はコンピュータモニタ又はテレビスクリーン用途の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のような大きなディスプレイで使用された。テクノロジーは、プラズマディスプレイや有機半導体のような、また他のパネル組成、例えばプラスチックや重合体のような、他のディスプレイタイプに後で利用された。初期のリアクターの一部は、約４００ｍｍＸ６００ｍｍまでのサイズのパネルのために設計された。それは、一般に単一の連続的スパッタ層を持つそのような大きなターゲットを形成することは、実行不可能であると考えられた。選択的に、スパッタリング材料の複数タイルが、単一のターゲットバッキングプレートに接合される。フラットパネルの一部のターゲットに対しては、タイルがバッキングプレート上で一次元配列を形成できるように、タイルはターゲットの短辺方向にわたって延長するのに十分な大きさに作成される。

タイルは一般的に、タイル間にできる限り間隙を形成して、バッキングプレートに接合される。隣接したタイルは、直接接する場合があるが、互いを押しつけ合ってはならない。他方、タイル間の間隙の幅は、プラズマ暗部より小さくなければならず、それは、一般にプラズマシース厚みに対応してアルゴンワーキングガスの通常の圧力に対して、一般に約０．５ｍｍ〜１ｍｍわずかに大きい。プラズマは、プラズマ暗部より少ない最小距離のスペースでは、形成することができない。間隙が単にプラズマ暗部よりわずかに大きい場合、間隙内のプラズマ状態は、不安定であり、また断続的なアーク発生が起きることがある。アーク発生がタイル材料に限られる場合でも、アークは、原子よりむしろターゲット材料の粒子を溶発させそうであり、また、汚染物質微粒子を生ずる。プラズマがバッキングプレートに到達する場合、それはスパッタリングする。タイルとバッキングプレートが異なる材質の場合、プレートスパッタリングは、材料汚染を招く。さらにまた、プレートスパッタリングによって、磨き直されたターゲットに対するバッキングプレートの再生利用が困難になる。

アーク発生はマルチタイルターゲットに対し重大な不安であり、スパッタリング電圧が高い時に生じる傾向がある。従って、本技術分野においては、大面積基板処理システムのため、低電圧でターゲットをスパッタリングする装置と方法の必要性がある。

発明の概要

本発明の実施例は、一般に材料のスパッタリングに関する。特に、本発明は、アーク発生を防ぐために大面積基板の物理気相蒸着処理の間に使用されるスパッタリング電圧に関する。

一実施例において、４００ボルトより低い電圧で四角形基板上に材料をスパッタリングする装置は、四角形基板上で材料をスパッタリングする間に４００ボルトより低い電圧でバイアスされるスパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを囲む接地シールドを備え、接地シールドとスパッタリングターゲットの間の最短距離はプラズマ暗部の厚さより小さく、スパッタリングターゲットの背面のマグネトロンを備え、マグネトロンの端部は接地シールドに重なり合わない。

他の実施例において、４００ボルトより低い電圧で四角形基板上に材料をスパッタリングする装置は、四角形基板上で材料をスパッタリングする間に４００ボルトより低い電圧でバイアスされるスパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを囲む接地シールドを備え、接地シールドとスパッタリングターゲットの間の最短距離がプラズマ暗部の厚さより小さく、スパッタリングターゲットの背面のマグネトロンを備え、マグネトロンの端部は接地シールドに重なり合わず、スパッタリングターゲットと基板との間に配置され、スパッタリングの間に接地されるアンテナ構造体を備える。

他の実施例において、四角形の基板上で４００ボルトより低い電圧で材料をスパッタリングする方法は、スパッタリングチャンバに四角形基板を配置し、スパッタリングチャンバはスパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを囲む接地シールドであって、接地シールドとスパッタリングターゲットとの間の最短距離がプラズマ暗部の厚さよりも小さい接地シールドと、スパッタリングターゲットの背後のマグネトロンであって、マグネトロンの端部が接地シールドに重なり合わないマグネトロンと、スパッタリングターゲットと基板との間に配置され、スパッタリングの間に接地されるアンテナ構造体を備えており、第１の電圧でプラズマに点火し、４００ボルトより低い第２の電圧で四角形基板に材料をスパッタリングする。

詳細な説明

発明の実施例は大面積基板システムのための低スパッタリング電圧でのターゲットのスパッタリングの装置と方法について述べる。

図１Ａは、本発明の接地シールドアセンブリ１１１の一実施例を含む処理チャンバ１００を表している。本発明の利益を用いることができる処理チャンバ１００の一例は、カリフォルニア州サンタクララのＡＫＴ社から入手可能なＰＶＤ処理チャンバである。

例示的な処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、排気可能なプロセス容積１６０を形成する蓋アセンブリ１０６を含む。チャンバ本体１０２は、一般的に、溶接されたステンレススチールプレート又はアルミニウムの一体ブロックから製作される。チャンバ本体１０２は、一般に側壁１５２と底部１５４を含む。側壁１５２及び／又は底部１５４は、一般にアクセスポート１５６とポンピングポート（図示せず）を含む複数の孔部を含む。また、シャッターディスクポート（図示せず）のような他の孔部は、チャンバ本体１０２の側壁１５２又は底部１５４内に追加的に形成されることができる。シール可能なアクセスポート１５６は、処理チャンバ１００へ又は処理チャンバ１００から、基板１１２の入口と出口のために設けられる。ポンピングポートは、プロセス容積１６０の内部を排気し、圧力を制御するポンピングシステム（図示せず）に接続される。

基板支持体１０４は、一般に、チャンバ本体１０２の底部１５４に配置され、処理中に基板１１２を支持する。基板支持体１０４は、一般的に、アルミニウム、ステンレス、セラミクク又はそれらの組み合わせで作られる。シャフト１８７は、チャンバ１０２の底部１５４を通して伸び、リフト機構１８８に基板支持体１０４を連結する。リフト機構１８８は、下側位置と上側位置の間で基板支持体１０４を移動するように構成される。基板支持体１０４は、図１Ａでは中間位置に示されている。蛇腹（ベローズ）１８６は、一般的に基板支持体１０４とチャンバ底部１５４の間に配置され、その間でフレキシブルシールを提供し、それによって、チャンバ容積１６０の真空完全性を保つ。スパッタリングガス、一般的にアルゴンは、ｍＴｏｒｒ範囲の圧力で真空チャンバ１６０に供給される。

追加的に、ブラケット１６２と遮蔽フレーム１５８が、チャンバ本体１０２の中に配置されていてもよい。例えば、ブラケット１６２はチャンバ本体１０２の壁１５２に接続されてもよい。遮蔽フレーム１５８は、一般に遮蔽フレーム１５８の中心を介して露出する基板１１２の一部に、スパッタされた材料の堆積を閉じ込めるように構成される。処理のために基板支持体１０４が上側位置へ移動されると、基板支持体１０４に配置された基板１１２の外側端部は遮蔽フレーム１５８と係合し、ブラケット１６２から遮蔽フレーム１５８を持ち上げる。選択的に、他の構成を有する遮蔽フレームを同様に追加的に用いることもできる。

基板支持体１０４は、基板支持体１０４に対し基板をロード及びアンロードするために下側位置に移動される。下側位置では、基板支持体１０４は、シールド１６２とポート１５６の下の位置に置かれる。それ後、基板１１２は側壁１５２のポート１５６を通してチャンバ１００から除去又はチャンバ１００へ配置され、一方遮蔽フレーム１５８とシールド１６２はクリアされる。リフトピン（図示せず）は、基板支持体１０４を介して選択的に移動し、基板支持体１０４から基板１１２を離して間隔をあけ、単一のブレードロボット（図示せず）のような処理チャンバ１００の外側に配置されたウエハ搬送機構によって基板１１２を配置又は除去することが可能になる。

蓋アセンブリ１０６は、一般にターゲット１６４とそれに直接接続された接地シールドアセンブリ１１１を含む。ターゲット１６４は、ＰＶＤプロセスの間に基板１１２上へ堆積される材料を提供する。ターゲット１６４は、機械的支持とターゲット冷却機構を提供することができるバッキングプレート１５０に接着されていてもよい。バッキングプレート１５０は、さらに、ウエハ加工用の通常のバッキングプレートより複雑であり、その理由は、非常に大きなパネルサイズのため、非常に大きなターゲット１６４にわたる差圧を最小にするために通常の冷却槽に加えて背部真空チャンバを設けるのが望ましいからである。ターゲットは、アルミニウム、銅、金、ニッケル、スズ、モリブデン、クロム、亜鉛、パラジウム、ステンレス、パラジウム合金、スズ合金、アルミニウム合金、銅合金及びインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）のようないかなる種類のスパッタリング材料からも形成することができる。

ターゲットは、一般に周辺部分１６３と中心部分１６５を含む。周辺部分１６３は、チャンバの壁１５２上に配置される。ターゲット１６４の中心部分１６５は、基板支持体１０４の方向に突出し又は延伸していてもよい。他のターゲット構成が同様に使用されることできると考えられる。また、ターゲット材料は、共にターゲットを構成する材料の隣接するタイル又はセグメントを備えることができる。図１Ｂ、１Ｃ及び１Ｄは、ターゲット上の複数タイルの３つの例示的な配列を表す。図１Ｂは１７枚のタイルを有し、図形１Ｃでは６枚のタイルを有し、図１Ｄは３枚のタイルを有している。ターゲット１６４と基板支持体１０４は、電源１８４によって互いに相対的にバイアスがかけられる。ガス、例えばアルゴンは、一般的に処理チャンバ１００の壁１５２に形成される１又はそれ以上の孔部（図示せず）を介して、ガスソース１８２からプロセス容積１６０に供給される。プラズマは、基板１１２とターゲット１６４の間のガスから形成される。プラズマ内のイオンは、ターゲット１６４の方へ加速されて、材料がターゲット１６４から放出させる。放出された材料は基板１１２の方へ引きつけられ、その上に材料の薄膜が堆積される。

接地シールドアセンブリ１１１は、接地フレーム１０８と接地シールド１１０を含む。接地シールドは、プロセス容積１６０内で処理領域を定めるために、ターゲット１６４の中心部分１６５を囲み、接地フレーム１０８によってターゲット１６４の周辺部分１６３に連結される。接地フレーム１０８は電気的に接地シールド１１０をターゲット１６４から絶縁し、一方で、チャンバ１００の本体１０２への接地パスを設ける（一般的に側壁１５２を経由）。

接地シールド１１０は、接地シールド１１０により境界が形成される領域内のプラズマを閉じ込め、材料がターゲット１６４の中心部分１６５からのみ放出されることを可能にする。また、接地シールド１１０は、放出されたターゲット材料が主として基板上に堆積されることを可能にする。これによって、ターゲット材料の効率的な使用を最大化し、チャンバ本体１０２の他の領域を放出された種の堆積又は攻撃又はプラズマから保護し、それによってチャンバ寿命を改良し、チャンバのクリーニング又は保守に要する休止時間とコストを低減する。本発明の本態様の他の利点は、チャンバ本体１０２から放出され（例えば、堆積された薄膜の剥離又はチャンバ本体１０２のプラズマからの攻撃による）、基板１１２の表面に再堆積される微粒子（パーティクル）の減少であり、それによって製品品質と歩留まりが改善される。

図１Ｅは、接地シールドアセンブリ１１１の例示的な接地フレーム１０８と例示的な接地シールド１１０、ターゲット１６４とチャンバ本体１５２の間の接触面の詳細図を表す。接地フレーム１０８は、一般にターゲット１６４に連結される。選択的に、接地シールド１１０がターゲット１６４に関して必要に応じて配置と調整がされるかぎり、接地フレーム１０８は、蓋アセンブリ１０６のバッキングプレート（図示せず）又は他の部品に連結されてもよい。接地フレーム１０８は、一般に接地シールド１１０をターゲット１６４から絶縁する。一実施例では、接地フレーム１０８は、ターゲット１６４と絶縁の接触面１２２を有する。

また、接地フレーム１０８は接地シールド１１０からチャンバ本体１０２まで伝導経路１２４を設ける。一実施例では、接地フレーム１０８は、本体１０２の側壁１５２への伝導経路１２４を有する。伝導経路１２４は、接地シールド１１０と本体１０２の間で連結される伝導性のワイヤ、リード線、ストラップ、その他を備えてもよい。選択的に、接地シールド１１０と本体１０２の間に伝導経路１２４を設けるために、接地フレーム１０８は適切な電気伝導材料を含む下部分を有してもよい。

接地シールド１１０は、ターゲット１６４の中心部分１６５と接地シールド１１０の間の間隙１２０を調整し保持するために、適切な方法で接地フレーム１０８に連結される。間隙１２０は、深さと長さ方向で一般に均一であり、即ち、ターゲット１６４の対向している面と間隙を形成する接地シールド１１０は一般に平行である。このように、接地シールド１１０の上部の端部は、ターゲット１６４の中心部分１６５の突出している端部の合致面に平行に一般的に形成される。図１Ａ（垂直、即ち９０°）及び図１Ｅ（約４５°）に示される接地シールド１１０とターゲット１６４のそれぞれの端部の角度は単に説明目的であり、他の適切な角度が同様に使用されてもよいことに注意すべきである。更に、接地シールド１１０は、同様に、長さに沿って間隙１２０の幅を調整するための手段を有してもよい。間隙１２０は、一般にターゲット１６４と接地シールド１１０の間のアーク発生を防ぐために十分に大きな幅であり、ターゲット１６４と接地シールド１１０の間のプラズマの暗部を維持するためにプラズマ暗部の厚みより小さくてもよく、例えばプラズマのグロー放電を防止する。接地シールドの詳細は、２００５年５月１６日に出願され、共通して譲渡される米国特許出願第１１／１３１，００９号、名称「ＰＶＤチャンバのための接地シールド」に記載されている。

蓋アセンブリ１０６はマグネトロン１３８を更に含み、それは処理の間、ターゲット材料の消費量を改善する。マグネトロン１３８は、スパッタリング均一性を増加するために四角形のターゲット１６４上で２つの直交する方向で走査されることができる。一実施例では、マグネトロンは、平面に垂直な第１の磁気極性を有し、前記平面で単一の両端部のある経路に沿って伸び、複数の直線部を含み、このうちの少なくともいくつかは渦巻きパターンで直交座標に沿って別々に伸びる内側の極と、前記第１の磁気極性に反対の第２の磁気極性を有し、前記内側極を囲み、セパレーションによって分離された外側の極を備える。

図２Ａは、平面図で図示された例示的なマグネトロン１３８を表す。マグネトロン１３８は、マグネトロンプレート１０６で形成される連続的な溝１０２、１０４を含む四角形化された螺旋マグネトロンである。図示されていない反対極性の円筒形の磁石は、それぞれ２つの溝１０２、１０４を満たす。溝１０２は、完全に溝１０４を囲む。２つの溝１０２、１０４はトラックピッチＱで配置され、実質的に一定幅のメサ１０８によって互いに分離される。上述の説明において、メサ１０８は反対極の間の間隙を表す。１つの溝１０２は外側の極を表す。他の溝１０４は外側の極に囲まれた内側の極を表す。レーストラックマグネトロンと同様に、ねじれの有無にかかわらず、溝１０４によって表される１つの磁極は、溝１０２によって表される他の磁極により完全に囲まれ、それによって磁界を強化し、端損失を防ぐために１又はそれ以上のプラズマループを形成する。他の溝部が互い違い配列で２つの列を収容するのに対して、最も外部の部分が磁石の一列を収容するので、溝１０２の最も外側の部分の幅は、溝１０２の内側部分と他の溝１０４のすべての部分の約半分の幅よりわずかに大きい。

マグネトロンの他の渦巻き型の形状も可能である。例えば、Ｓ字曲線と螺旋マグネトロンをいろいろな方法で組み合わせることができる。螺旋マグネトロンをＳ字曲線マグネトロンに連結してもよく、両方とも単一のプラズマループで形成される。例えば、２つの螺旋マグネトロンは、反対のねじれによって一緒に連結してもよい。２つの螺旋マグネトロンは、Ｓ字曲線マグネトロンに一体化してもよい。また、単一のプラズマループが望ましい。しかし、複数渦巻き型のプラズマループは本発明のいくつかの利点を享受する。

前述のように、スパッタリング均一性は、四角形のターゲットわたって２つの直交する次元で渦巻き型マグネトロンを走査することによって増加する。走査機構は、異なる形式を想定することができる。図２Ｂで図示される走査機構１４０では、マグネトロンプレート１３８の底の孔に保持される複数の絶縁パッド１１４又はベアリングを介した磁石を含むマグネトロンプレート１３８は、ターゲット１６４に取り付けられたバッキングプレート１５０上に配置される。パッド１１４は、テフロンで形成され、５ｃｍの直径を有し．マグネトロンプレート１１２から２ｍｍ突出してもよい。外付けドライブソース１１８によってドライブされる対向するプッシャーロッド１１６は、対向方向にマグネトロンプレート１３８を押すために、真空密封された背後壁１２２を貫通する。動力源１１８は、一般的に背後壁１２２にロータリーシールを有するドライブシャフトをドライブする双方向回転モーターである。背後壁１２２の内側の送りねじ機構は、回転運動を直線運動に変換する。プッシャーロッド１１６と動力源１１８の垂直の配置された２つの対は、独立した二次元走査を提供する。ターゲット対角線に沿って配列されるプッシャーロッド１１６と動力源の一対は、ターゲットの側部に対して連結して二次元走査を与える。マグネトロンの詳細とマグネトロンの走査は、２００４年６月７日に出願された米国特許出願第１０／８６３，１５２号、名称「フラットパネルのスパッタリングのための二次元のマグネトロン走査」に記載されている。

図２Ｃは、基板への材料のスパッタリングのプロセスフローを表す。スパッタリングプロセス２００は、ステップ２０１で基板をスパッタリングチャンバに設置することからスタートする。その後、プラズマがステップ２０２で点火電圧で点火する。一度プラズマが点火されると、材料がステップ２０３のスパッタリング電圧でスパッタリングされる。点火電圧は、スパッタリング電圧より高い。

上述のように、従来のスパッタリングプロセスでは、プラズマを点火するのに１０００ボルト以上を使用し、堆積の間には４００−６００ボルトを使用する。マルチタイルターゲットスパッタリングでは、４００〜６００ボルトのスパッタリング電圧は、アークが発生することがあるため、高過ぎる。マルチタイルターゲットの実験では、アークが約４００ボルトプラズマ電圧で起こることを示す。従って、４００ボルト以下のスパッタリング電圧を保持するのが望ましく、望ましくは３７５ボルト以下であり、最も望ましいのは３５０ボルトに等しいかそれ以下である。

図３Ａ（従来技術）は、ウエハ用の例示的な従来のスパッタリングシステムを表す。このチャンバで、小型に組合されたマグネトロン３６が、ターゲット１６の背後の図示されていないバックプレート上で支持される。チャンバ１２とターゲット１６は、一般に中心軸３８に関して円形に対称である。マグネトロン３６は、第１の垂直磁気極性の内側磁極４０と反対の第２の垂直磁気極性の囲む外側磁極４２を含む。両方の極は、磁気ヨーク４４によって支持されて磁気的に結合される。ヨーク４４は、中心軸３８に沿って伸びる回転シャフト４８で支持された回転アーム４６に固定される。シャフト４８に接続されたモーター５０は、マグネトロン３６を中心軸３８のまわりに回転させる。ターゲット１６の中心部のまわりに配置された暗部シールド８０があり、それは、ターゲットとシールドの間にプラズマの形成を防ぐために、ターゲット１６に最も短い距離にあり距離はプラズマ暗部より小さい。ウエハ用の従来のＰＶＤシステムにおいて、スパッタリングが起こるターゲット１６の中心部分１７は基板２４を覆い、またこの部分１７の端部は、基板２４の端部を約４０〜５０ｍｍ超えて広がる（オーバーハングと呼ばれる）。基板２４の端部における堆積の均一性を保証するために、マグネトロン３６の磁石４２は、暗部シールド８０上にある。図３Ａに示されるように、磁石４２は暗部シールド８０より上にある。マグネトロン３６の磁石、例えば磁石４２と磁石４０がそれらの下にチャンバ内の大多数の電子を閉じ込めるので、磁石４２の下の電子のかなりの数は、スパッタリングプロセスの間に暗部シールド８０に逃げる。図３Ｂ（従来技術）は、ターゲット１６、マグネトロン３６、暗部シールド８０及び電子のかなりの数がシールド８０に逃げる領域「Ｍ」の上面図を表す。「Ｍ」領域の電子の漏れにより、従来のウエハスパッタリングシステムのためのスパッタリング電圧は４００−６００ボルトの間に上がり、望ましいスパッタリング速度を得るために処理チャンバで十分な電子を保持される。

大面積基板スパッタリングシステムに関する本発明では、ターゲット１６４の中心部分１６５は基板１１２を覆い、中心部分１６５の端部は、２００ｍｍ又はそれ以上基板１１２の端部を越えて広がることができる（２００ｍｍ以上のオーバーハング）。大面積基板スパッタリングシステムにおけるより大きなオーバーハングのために、マグネトロン１３８は、暗部シールドとして動作するシールド１１０の端部ライン１１０Ｅ（点線）の上を横切る必要がなく、ウエハのＰＶＤシステムのマグネトロンに必要な大面積基板の端部近くの堆積の均一性を保証する。従って、シールド１１０に逃げる電子はほとんど又は全くない。図３Ｃは、マグネトロン１３８、ターゲット、シールド１１０とシールド端部ライン１１０の上面図を表す。シールド１１０に逃げる電子が殆どない又は全くないようにするため、マグネトロン１３８の端部は、シールド１１０の端部ライン１１０Ｅを横切ってはならず、望ましくは端部ライン１１０Ｅから５０ｍｍより大きい距離「Ｄ」を維持する必要があり、端部ライン１１０Ｅから１００ｍｍより大きい距離「Ｄ」が最も望ましい。マグネトロンがシールド１１０から「安全」な距離に維持されるので、スパッタリング電圧は、４００ボルト未満、例えば３５０ボルト未満まで低くすることができ、ウエハ用の従来のＰＶＤシステムに等しい堆積速度を得るのに、堆積領域で十分な電子を有する。大面積基板を処理するシステムのためのスパッタリング電圧は約３７５ボルトかそれ以下に維持されなければならず、アーク発生を防ぐには望ましくは約３５０ボルトかそれ以下に、最も望ましいのは３３０ボルトか又はそれ以下である。スパッタリング電圧を低くすることに加え、シールド１１０から「安全」な距離に維持されているマグネトロン１３８によって、プラズマ点火電圧は、約１８００ボルト（ウエハ用の従来のＰＶＤシステム）から、１０００ボルト以下、例えば８００ボルト以下に低くすることができる。大面積基板を処理するシステムの点火電圧は、約１０００ボルトかそれ以下に維持される必要があり、微粒子発生を低減するには、約８００ボルトかそれ以下が望ましく、６００ボルト又は以下が最も望ましい。より高い電圧でのプラズマ点火は、低電圧でのプラズマ点火よりも多くの微粒子を発生する。

大面積基板システムにおいて、基板のセンターの近くの電子Ｃは、図４に示されるように、接地シールド１１０又は接地チャンバ壁１５２に到達するには、長い距離Ｌを移動する必要がある。逆に、基板の端部の近くの電子「Ｅ」は、接地シールド１１０又はチャンバ壁１５２に到達するには、単に短い距離「Ｓ」を移動するだけである。基板中心の近くで電子のために接地経路を設けるためにアンテナをターゲットと基板の間に配置する場合、抵抗が低下するので、スパッタリング電圧はさらに低くすることができる。図５Ａは、（接地された）遮蔽フレームに配置可能な、（接地された）シールド１１０に取り付け可能な、又は、ターゲットと基板の間の（接地された）チャンバ壁１５２に取り付け可能な、例示的なアンテナ構造体１２５の上面図を表す。図５Ｂは、処理チャンバで遮蔽フレームに配置されるアンテナ構造体１２５の側面図を表す。基板のセンターの近くの電子がより短い距離「Ｄ_ｓ」を移動することによって接地経路を通して逃げることができるので、スパッタリング電圧は、約１０〜３０ボルト低くすることができる。図５Ａのアンテナライン１２５Ａ、１２５Ｂの幅「ｗ」は、５ｍｍから約３０ｍｍまでの間の範囲にあり、望ましくは約１０ｍｍから約２０ｍｍの間である。アンテナライン１２５Ａ、１２５Ｂの厚みは、約１ｍｍから約１０ｍｍまでの間の範囲であり、望ましくは約３ｍｍから約７ｍｍの間である。図５Ａの例示的なアンテナ構造１２５は、中央のアンテナライン１２５Ｂに開口部「Ｏ」を有する。一般的に、スパッタリング堆積は、基板の中央で薄い。基板のセンターの近くで開口部「Ｏ」を残すことによって（開口部「Ｏ」の近くで逃げる電子は少ない）、中央の堆積厚みは、基板の他の部分により等しくすることができる。アンテナ構造１２５は、単にスパッタリング電圧を減少させるだけではなく、堆積均一性も改善する。図５Ｂのアンテナ構造体１２５は、単なる例である。類似の目的を達成することができる他のアンテナ設計があり得る。例えば、４本、６本、又はそれ以上のように２本以上の１２５Ａラインであってもよく、例えば４本、６本、又はそれ以上のように２本以上の１２５Ｂラインがあってもよい。

アンテナ構造１２５なしで８００ボルトで点火し３５０ボルトでスパッタリングした３０００モリブデンに対する堆積不均一性は７０％であり、図５Ａで示されるアンテナ構造１２５を用いて同じ条件で堆積する３０００モリブデンの不均一性は３８％である。この結果はアンテナ構造１２５が堆積均一性を改善することを示す。不均一性は、最大厚み（Ｔｍａｘ）から最小厚み（Ｔｍｉｎ）を引き、減算の結果を最大厚みと最小厚みの合計で割って計算され、（Ｔｍａｘ−Ｔｍｉｎ）／（Ｔｍａｘ＋Ｔｍｉｎ）である。

本発明の概念は、２０００ｃｍ^２より大きいターゲット、望ましくは１５０００ｃｍ^２より大きいターゲット、最も望ましくは４００００ｃｍ^２より大きいターゲットに用いることができる。本発明の概念は、単一ピースターゲット又は複数タイルターゲットに適用することができる。

前述は本発明の実施例を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施例は本発明の基本的な範囲から逸脱することなく案出されることができ、その範囲は特許請求の範囲に基づいて定めされる。

本発明の上述された構成がより詳細に理解されるように、上記に要約された本発明のより具体的な説明が実施例を参照して行われ、実施例のいくつかは添付図面に示される。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な形態のみを説明するものであり、従って、その範囲を制限すると解釈されるべきではなく、本発明は同等に効果的な他の実施例を含むことができる。
大面積基板のためのプラズマスパッタリアクターの簡略断面図である。１７枚のターゲットタイルから構成されるターゲットの平面図を示す。６枚のターゲットタイルから構成されるターゲットの平面図を示す。３枚のターゲットタイルから構成されるターゲットの平面図を示す。図１ＡのＰＶＤチャンバの接地シールド、ターゲットとチャンバ本体の間の接触面の詳細図である。四角形の螺旋マグネトロンの平面図である。ターゲット上でスライド可能に支持されたマグネトロンを有する線形走査機構の立面図である。スパッタリングのプロセスフローを示す。ウエハ用の従来のＰＶＤチャンバの断面図である（従来技術）。図３Ａの従来のＰＶＤチャンバのスパッタリングターゲット、マグネトロン及び暗部シールドの上面図である（従来技術）。図１Ａの大面積基板のためのＰＶＤチャンバのスパッタリングターゲット、マグネトロン及びシールドの上面図である。ターゲットの中央と端部の近くの例示的な電子を含む大面積基板用のＰＶＤチャンバの概略断面図である。例示的なアンテナの上面図である。大面積基板のためのアンテナ構造を持つＰＶＤチャンバの断面図である。

Claims

４００ボルトより低い電圧で四角形基板上に材料をスパッタリングする装置であって、
四角形基板上で材料をスパッタリングする間に４００ボルトより低い電圧でバイアスされるスパッタリングターゲットと、
スパッタリングターゲットを囲む接地シールドを備え、接地シールドとスパッタリングターゲットの間の最短距離はプラズマ暗部の厚さより小さく、
スパッタリングターゲットの背面のマグネトロンを備え、マグネトロンの端部は接地シールドに重なり合わない装置。
ターゲットがスパッタリングの間に３７５ボルト又はそれ以下の電圧でバイアスされる請求項１記載の装置。
ターゲットがスパッタリングの間に３５０ボルト又はそれ以下の電圧でバイアスされる請求項２記載の装置。
プラズマ点火電圧が１０００ボルト又はそれ以下である請求項１記載の装置。
プラズマ点火電圧が８００ボルト又はそれ以下である請求項４記載の装置。
スパッタリングターゲットが複数のタイルで形成されている請求項１記載の装置。
四角形基板の表面積が１５０００ｃｍ^２より大きい請求項１記載の装置。
マグネトロンは、平面に垂直な第１の磁気極性を有し、前記平面で両端部のある単一経路に沿って伸び、複数の直線部を有し、直線部のうち少なくともいくつかは渦巻きパターンで直交座標の１つに沿って別々に伸びる内側極と、
前記第１の磁気極性に反対の第２の磁気極性を有し、前記内側極を囲み、分離部によってそこから分離された外側極とを備える請求項１記載の装置。
マグネトロンがスパッタリングターゲット上で２つの直交する次元で走査される請求項１記載の装置。
マグネトロンの端部と接地シールドの端部との間の距離が５０ｍｍより大きい請求項１記載の装置。
マグネトロンの端部と接地シールドの端部との間の距離が１００ｍｍより大きい請求項１０記載の装置。
４００ボルトより低い電圧で四角形基板上に材料をスパッタリングする装置であって、
四角形基板上で材料をスパッタリングする間に４００ボルトより低い電圧でバイアスされるスパッタリングターゲットと、
スパッタリングターゲットを囲む接地シールドを備え、接地シールドとスパッタリングターゲットの間の最短距離がプラズマ暗部の厚さより小さく、
スパッタリングターゲットの背面のマグネトロンを備え、マグネトロンの端部は接地シールドに重なり合わず、
スパッタリングターゲットと基板との間に配置され、スパッタリングの間に接地されるアンテナ構造体を備える装置。
スパッタリングの間にターゲットは３５０ボルト又は３５０ボルトより低い電圧でバイアスされる請求項１２記載の装置。
プラズマ点火電圧が８００ボルト又はそれ以下である請求項１２記載の装置。
スパッタリングターゲットが複数タイルで形成されている請求項１２記載の装置。
四角形基板の表面積は１５０００ｃｍ^２より大きい請求項１２記載の装置。
マグネトロンは、平面に垂直な第１の磁気極性を有し、前記平面で両端部のある単一経路に沿って伸び、複数の直線部を有し、直線部のうち少なくともいくつかは渦巻きパターンで直交座標の１つに沿って別々に伸びる内側極と、
前記第１の磁気極性に反対の第２の磁気極性を有し、前記内側極を囲み、分離部によってそこから分離された外側極とを備える請求項１２記載の装置。
マグネトロンがスパッタリングターゲット上で２つの直交する次元で走査される請求項１２記載の装置。
マグネトロンの端部と接地シールドの端部の間の距離が５０ｍｍより大きい請求項１２記載の装置。
アンテナ構造体のアンテナが約５ｍｍから３０ｍｍの範囲の幅と、約１ｍｍから約１０ｍｍの範囲の厚さを有する請求項１２記載の装置。
アンテナ構造体のアンテナが約１０ｍｍから２０ｍｍの範囲の幅を有し、約３ｍｍから約７ｍｍの範囲の厚さを有する請求項２０記載の装置。
アンテナ構造体が構造の中央に開口部を有する請求項２０記載の装置。
四角形の基板上で４００ボルトより低い電圧で材料をスパッタリングする方法であって、
スパッタリングチャンバに四角形基板を配置し、スパッタリングチャンバはスパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを囲む接地シールドであって、接地シールドとスパッタリングターゲットとの間の最短距離がプラズマ暗部の厚さよりも小さい接地シールドと、スパッタリングターゲットの背後のマグネトロンであって、マグネトロンの端部が接地シールドに重なり合わないマグネトロンと、スパッタリングターゲットと基板との間に配置され、スパッタリングの間に接地されるアンテナ構造体を備えており、
第１の電圧でプラズマに点火し、
４００ボルトより低い第２の電圧で四角形基板に材料をスパッタリングする方法。
第２の電圧がスパッタリングの間に３５０ボルト又は３５０ボルト以下である請求項２３記載の方法。
第１の電圧が８００ボルト又は８００ボルト未満である請求項２３記載の方法。
スパッタリングターゲットが複数タイルで形成されている請求項２３記載の方法。
四角形基板の表面積が１５０００ｃｍ^２より大きい請求項２３記載の方法。
マグネトロンは、平面に垂直な第１の磁気極性を有し、前記平面で両端部のある単一経路に沿って伸び、複数の直線部を有し、直線部のうち少なくともいくつかは渦巻きパターンで直交座標の１つに沿って別々に伸びる内側極と、
前記第１の磁気極性に反対の第２の磁気極性を有し、前記内側極を囲み、分離部によってそこから分離された外側極とを備える前記請求項２３記載の方法。
マグネトロンがスパッタリングターゲット上で２つの直交する次元で走査される請求項２３記載の方法。
マグネトロンの端部と接地シールドの端部の間の距離が５０ｍｍより大きい請求項２３記載の方法。
アンテナ構造体のアンテナが幅が約５ｍｍから３０ｍｍの範囲の幅と、約１ｍｍから約１０ｍｍの範囲の厚さを有する請求項２３記載の方法。
アンテナ構造体が構造の中央に開口部を有する請求項２３の方法。