TW201833360A

TW201833360A - 用於多陰極基板處理的方法及設備

Info

Publication number: TW201833360A
Application number: TW107104624A
Authority: TW
Inventors: 寒冰吳; 安納薩Ｋ沙布藍尼; 艾希思戈埃爾; 曉東王; 王偉; 汪榮軍; 志康程
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2017-02-21
Filing date: 2018-02-09
Publication date: 2018-09-16
Also published as: TWI780110B; EP3586353A4; CN110582835B; JP2020509246A; US20180240655A1; EP3586353A1; KR20190110152A; KR102223665B1; US11011357B2; JP7043523B2; EP3586353B1; CN110582835A; WO2018156452A1

Abstract

利用多陰極腔室處理基板的方法和設備。多陰極腔室包括具有複數個孔和複數個分流器的屏蔽件。屏蔽件是可旋轉的，以定向孔和分流器，其中複數個陰極位於屏蔽件上方。分流器與來自陰極的磁體相互作用，以防止處理期間的干擾。可升高和降低屏蔽件以調節在陰極的靶和孔之間的間隙，以在處理期間提供暗空間。

Description

用於多陰極基板處理的方法及設備

本原理的實施例大體上關於在半導體製造系統中使用的基板處理腔室。

濺射(也已知為物理氣相沉積（PVD）)是在積體電路中形成特徵的方法。濺射在基板上沉積材料層。源材料(諸如靶)被受電場強烈加速的離子轟擊。轟擊從靶逐出材料，且材料接著沉積在基板上。在沉積期間，逐出的顆粒可能在不同的方向上行進，而不是通常與基板表面正交，非期望地導致在處理腔室的內部結構上產生一層源材料。

內部結構的不需要的塗層（諸如在處理腔室的屏蔽件或其它內表面上）可能在隨後的晶圓處理中造成瑕疵和污染。當來自不需要的塗層的材料與將沉積在晶圓上的期望材料結合時發生污染。得到的晶圓沉積膜將是沉積材料和來自內部結構的塗層的材料的混合物。當來自不需要的塗層的顆粒落到晶圓上的沉積層中時，會發生晶圓處理中的瑕疵。可檢查晶圓表面以確定瑕疵的數量和尺寸，但是必須分析晶圓沉積膜以確定膜的成分。

因為其成本效益和效率，直流（DC）供電的PVD腔室通常用於金屬晶圓沉積處理。然而，當與介電材料一起使用時，介電材料最終用絕緣膜覆蓋腔室內的電極，從而停止沉積處理。交流電（AC）供電的PVD腔室(諸如射頻（RF）PVD腔室)能夠以在循環的後半部分期間的負電荷抵消在循環的前半部分中表面上留下的正電荷。循環本質允許RF PVD腔室用於金屬和介電晶圓沉積，但是具有比DC供電的PVD腔室更低的沉積速率。

磁性隨機存取記憶體（MRAM）需要將阻擋層建構為記憶體裝置的一部分。阻擋層必須具有高純度和低瑕疵數以正確地操作。氧化鎂（MgO）是可用作阻擋層的介電材料。然而，使用RF功率在基板表面上沉積MgO固有地導致不良的瑕疵性能。

因此，發明人已經提供了用於介電材料的PVD沉積的改進的方法和設備。

於此揭露了一種用於處理基板的方法和設備。在一些實施例中，一種處理腔室包括：腔室主體，界定內部容積；基板支撐件，在內部容積內支撐基板；複數個陰極，耦接到腔室主體並具有複數個靶；及屏蔽件，可旋轉地耦接到腔室主體的上部分，並具有至少一個孔和至少一個分流器，至少一個孔曝露在處理中待被濺射的複數個靶的至少一個，至少一個分流器設置在屏蔽件的頂側，以容納和屏蔽在處理中不被濺射的複數個靶的至少另一個，其中屏蔽件經配置以圍繞處理腔室的中心軸線而旋轉並沿著處理腔室的中心軸線而線性地移動。

在一些實施例中，一種處理腔室可進一步包括其中複數個陰極包括三個RF陰極和三個DC陰極，複數個靶平行於基板支撐件而設置，複數個靶包括六個靶，六個靶包括三個介電靶和三個金屬靶，屏蔽件包括三個不相鄰的孔，六個靶包括兩個相鄰的介電靶，由第一金屬形成的兩個相鄰的第一金屬靶，以及由第二金屬形成的兩個相鄰的第二金屬靶，屏蔽件包括至少兩個相鄰的孔，耦接到腔室主體的上部的腔室主體配接器，其中腔室主體配接器接地且具有柔性接觸表面的複數個接地迴路設置在屏蔽件和腔室主體配接器之間，以接地屏蔽件。

在一些實施例中，一種處理腔室包括：腔室主體，界定內部容積；腔室主體配接器，耦接到腔室主體的上部，其中腔室主體配接器接地；基板支撐件，支撐內部容積內的基板；複數個陰極，與腔室本體配接器耦接並具有複數個靶；屏蔽件，可旋轉地耦接到腔室本體配接器並具有至少一個孔及至少一個分流器，至少一個孔曝露在處理中待被濺射的複數個靶的至少一個，至少一個分流器容納在處理中不被濺射的複數個靶的至少另一個，其中屏蔽件經配置以圍繞處理腔室的中心軸線而旋轉並沿著處理腔室的中心軸線而線性移動；及具有柔性接觸表面的複數個接地迴路，設置在屏蔽件與腔室本體配接器之間，以接地屏蔽件，其中複數個靶包括至少一個介電靶和至少一個金屬靶。

在一些實施例中，一種處理腔室進一步包括其中複數個靶平行於基板支撐件而設置，複數個靶包括六個靶，其中六個靶包括三個介電靶和三個金屬靶，屏蔽件包括三個不相鄰的孔，六個靶包括兩個相鄰的介電靶，由第一金屬形成的兩個相鄰的第一金屬靶和由第二金屬形成的兩個相鄰的第二金屬靶，屏蔽件包括兩個相鄰的孔，分流器由基於Mu-metal或不鏽鋼的材料所製成。

在一些實施例中，一種用於在處理腔室中處理基板的設備包括：屏蔽件，可配置成可旋轉地耦接到處理腔室的腔室主體，屏蔽件具有至少一個孔及至少一個分流器，至少一個孔曝露待被濺射的複數個靶的至少一個，至少一個分流器屏蔽不被濺射的複數個靶的至少一個，其中屏蔽件可配置成圍繞處理腔室的中心軸線而旋轉並沿著處理腔室的中心軸線而線性移動。在一些實施例中，設備可進一步包括，其中屏蔽件具有安裝臂，支撐至少一個分流器，且安裝臂可從屏蔽件移除。

於此提供了用於改善基板處理性能的方法和設備的實施例。所揭露的方法和設備可有利地減少由顆粒引起的晶圓瑕疵，改善晶圓膜的均勻性並且為可旋轉的屏蔽件提供改進的RF接地。當利用RF功率用於介電膜時，這些實施例是特別有利的，從而顯著改善瑕疵性能和膜均勻性。在一些實施例中，藉由三個DC（3×3）供電配置的對稱三RF為MRAM應用實現大約1％的隧道磁阻（TMR），並實現小於大約2％的膜不均勻性以及處理套件的壽命的增強的瑕疵性能。透過使用具有與晶圓表面大致平行的靶的陰極和在膜沉積期間防止不希望的陰極相互作用的移動磁屏蔽件來實現結果。例如，實施例允許在高容積基礎上製造RF氧化鎂膜。

在一些實施例中，多陰極PVD腔室（如，處理腔室100）包括具有相應的複數個靶（至少一個介電靶110和至少一個金屬靶112）的複數個陰極106（例如，以3個RF×3個DC交替配置的6個陰極），複數個陰極106（如，經由頂部配接器組件142）附接到腔室主體140。也可使用其他RF/DC陰極配置，諸如1×1、2×2、4×4、5×5等。數字表示RF供電陰極與DC供電陰極的比率。在一些實施例中，RF和DC陰極在頂部配接器組件142中交替。在其他實施例中，RF陰極可與其他RF陰極相鄰並且對DC陰極而言也相同。在一些實施例中，RF陰極與DC陰極的比率可為非等比例，諸如1×2、2×1、1×3、3×1、2×3等。當使用多個RF陰極時，可抵消工作頻率以減少沉積處理期間的任何干擾。例如，在三個RF陰極配置中，第一RF陰極可以13.56MHz的頻率操作，第二RF陰極以13.66MHz（+100kHz）的頻率操作，且第三RF陰極以13.46MHz（-100kHz）的頻率操作。抵銷量不需要為+/- 100kHz。可基於給定數量的陰極的串擾預防來選擇抵銷量。

RF陰極通常與介電靶110一起用於晶圓上的介電膜沉積。DC陰極通常與金屬靶112一起用於在晶圓上的介電膜沉積之後的糊化。糊化減少了沉積膜中顆粒形成和瑕疵的機會。具有帶RF和DC陰極的處理腔室允許更快地生產晶圓，因為糊化和介電沉積可在一個腔室中完成。另外，具有相同類型的多個陰極允許更大的糊化和沉積速率。更大的沉積速率意味著晶圓在腔室中花費較少的時間以實現特定的膜厚度。減少腔室中的時間或停留時間的減少導致更少的晶圓瑕疵。

在一些實施例中，金屬靶112可由諸如(例如)鉭、鋁、鈦、鉬、鎢及/或鎂的金屬形成。介電靶110可由諸如(例如)氧化鈦、氧化鈦鎂及/或氧化鉭鎂的金屬氧化物形成。可使用其他金屬及/或金屬氧化物。

處理腔室100還包括基板支撐件130，以支撐基板132。處理腔室100包括開口（未顯示）（如，狹縫閥），末端執行器（未顯示）可經過開口延伸，以將基板132放置到舉升銷（未顯示）上，用於將基板132降低到基板支撐件130的支撐表面131上。在如第1圖所示的一些實施例中，靶110、112基本上平行於支撐表面131而設置。基板支撐件130包括經由匹配網路134耦接到設置在基板支撐件130中的偏壓電極138的偏壓源136。頂部配接器組件142耦接到處理腔室100的腔室主體140的上部並接地。陰極106可具有DC電源108或RF電源102和相關的磁控管。在RF電源102的情況下，RF電源102經由RF匹配網路104耦接到陰極106。

屏蔽件121可旋轉地耦接到頂部配接器組件142且由陰極106共享。在一些實施例中，屏蔽件121包括屏蔽件主體122和屏蔽件頂部120。在一些實施例中，屏蔽件121具有屏蔽件主體122和屏蔽件頂部120整合為一個整體件的態樣。在一些實施例中，屏蔽件121可多於兩個。取決於需要同時濺射的靶的數量，屏蔽件121可具有一個或多個孔，以曝露相應的一個或多個靶。屏蔽件121有利地限制或消除在複數個靶110、112之間的交叉污染。屏蔽件121經由軸123而旋轉地耦接到頂部配接器組件142。軸123經由耦接器119附接到屏蔽件121。另外，由於屏蔽件121是可旋轉的，通常不會接收糊化的屏蔽件121的區域移動成使得現在可糊化這些區域，顯著減少堆積沉積的剝落和顆粒形成。

致動器116耦接到與屏蔽件121相對的軸123。致動器116經配置以如箭頭144所示旋轉屏蔽件121，並使屏蔽件121沿著處理腔室100的中心軸線146在垂直方向上如箭頭145所示上下移動。在處理期間，屏蔽件121升高到向上位置。屏蔽件121的升高位置曝露出在處理步驟期間使用的靶，並屏蔽了處理步驟期間未使用的靶。升高的位置也為RF處理步驟將屏蔽件接地。以下參考第6-8圖更詳細地討論屏蔽件121的接地。

在一些實施例中，處理腔室100進一步包括處理氣體供應器128，以向處理腔室100的內部容積125供應處理氣體。處理腔室100還可包括流體耦接到內部容積125的排出泵124，以從處理腔室100排出處理氣體。在一些實施例中，例如，處理氣體供應器128可在金屬靶112已被濺射之後將氧供應到內部容積125。發明人已經觀察到因為金屬氧化物（如，氧化鉭）的濺射產率顯著小於金屬（如，鉭）的濺射產率，所以在金屬糊化之後將氧流入到處理腔室100中有利地降低了糊化的金屬材料的濺射產率。結果，基板132的污染進一步減小。

第2圖描繪了第1圖中的處理腔室100的一些實施例中的頂部配接器組件200的頂視圖。頂部配接器組件200包括配接器250、致動器216和(例如)6個陰極206。頂部配接器組件200可包括更多或更少數量的陰極206。致動器216提供屏蔽件121的旋轉移動及/或垂直移動（如第1圖所示）。儘管在第2圖中未顯示，但是致動器216可包括多個部件，諸如旋轉部件和垂直移動部件。在一些實施例中，旋轉移動由馬達（未顯示）提供，馬達旋轉耦接到屏蔽件121的軸223。在一些實施例中，垂直移動由舉升組件（未顯示）提供。舉升組件可包括(例如)線性致動器或具有軌道的滑塊，在垂直或Z軸方向上舉升和降低屏蔽件121。在一些實施例中，屏蔽件121可在Z軸上升高和降低大約0.8英寸。致動器216可與控制屏蔽件121的旋轉移動的旋轉控制器213進行訊號通訊。致動器216還可與控制屏蔽件121的垂直移動的垂直或Z軸控制器215進行訊號通訊。旋轉控制器213或Z軸控制器215任一者或兩者可與中央控制器或中央伺服器217進行訊號通訊，中央控制器或中央伺服器217可用以同步及/或校準屏蔽件121的旋轉和垂直移動。在一些實施例中，感應器（未顯示）可與控制器213、215、217或致動器216的任一個結合使用，以提供屏蔽件121的精確控制和放置。感測器可提供控制反饋且還允許對移動進行公差調整，以補償部件在其壽命期間的磨耗及撕裂及/或補償在屏蔽件121的表面上的沉積材料的累積。

參照第1圖，處理腔室100具有陰極106，陰極106基本上平行於內部容積125的處理腔並且緊鄰內部容積125的處理腔。在多陰極配置(諸如3×3配置)的一些實施例中，在給定的處理操作期間使用一半（三個）陰極。在沉積期間使用三個陰極的一些優點包括較高的沉積速率，由於較少積聚在屏蔽件孔處，所以提高了膜品質和改善了處理套件壽命。在沉積處理中，3×3配置的剩餘陰極處於未使用狀態。發明人發現，未使用的陰極輻射了影響沉積處理的磁場，這是由於陰極與內部容積125的處理腔緊密接近。除了與電漿相互作用之外，還發現磁場可能導致雜散的屏蔽件濺射。磁場相互作用導致沉積膜中的瑕疵和沉積膜的高度不均勻性。發明人接著創造了一種設備，其減少來自未使用的陰極的磁輻射，並隨後減少瑕疵的數量和尺寸，同時增加沉積膜的均勻性。藉由減少/消除磁場對電漿和濺射的影響實現了這些優點。下面更詳細地討論設備的不同實施例。

第3圖描繪了根據本原理的一些實施例的多陰極處理腔室的屏蔽件300的圖。屏蔽件300包括屏蔽件主體322和具有安裝臂356的屏蔽件頂部320。屏蔽件300可用其他配置（第3圖中未顯示）取代，諸如(例如)1×1、2×2、4×4、5×5、1×2、1×3、2×3等。在一些實施例中，屏蔽件頂部320與屏蔽件主體322整合為整體件。在其他實施例中，屏蔽件頂部320與屏蔽件主體322是分立的且可獨立地與屏蔽件主體322分離以便更換。在一些實施例中，屏蔽件300可多於兩個。屏蔽件頂部322具有至少一個孔352（第3圖中顯示三個孔），其允許至少一個靶曝露於第1圖所示的處理腔室100的內部容積125。安裝臂356包括至少一個分流器354和耦接器319。安裝臂356與屏蔽件頂部320嚙合，以將屏蔽件300保持在處理腔室100內的適當位置。耦接器319嚙合頂部配接器組件142的致動器116的軸123，以允許屏蔽件300旋轉並在Z軸上移動。安裝臂356可為屏蔽件頂部320或屏蔽件主體322的整體部分。安裝臂356也可為如第3圖所示的分立部件。屏蔽件300藉由允許屏蔽件300的至少實質部分被糊化而減少顆粒形成。

分流器354由抑制磁輻射滲透內部容積125的材料形成。材料可基於材料的磁導率選擇。在一些實施例中，可使用不鏽鋼變體，諸如(例如)410不鏽鋼。在其他實施例中，可使用具有高磁導率的材料，諸如(例如)鎳-鐵合金材料。市售的鎳鐵合金材料的例子是由Mu-metal變體製成的材料。有多家公司提供可在本原理的一些實施例中使用的Mu-metal的專有配方。分流器354的數量可取決於在處理步驟期間要被屏蔽的靶的數量。在3×3配置（3個RF陰極和3個DC陰極）中，在任何給定的處理步驟期間，三個靶被分流。第3圖所示的3×3配置的安裝臂356具有與屏蔽件頂部320的孔352交替的三個分流器354。在其他實施例中可找到孔352和分流器354間距的其他配置。第3圖中所示的孔352和分流器354的交替圖案不是必需的。在一些實施例中，分流器可與另一個分流器相鄰。分流器354也可獨立於安裝臂356而更換。在一些實施例中，由於需要不同分流器材料，分流器尺寸或分流器位置的不同配置及/或不同處理，所以更換分流器354可能是期望的。

第4圖顯示了根據本原理的一些實施例的具有在陰極406附近的分流器454的處理腔室400的局部示意圖。處理腔室400包括頂部配接器組件442，頂部配接器組件442容納具有磁體470和靶409的陰極406。屏蔽件421已經旋轉並升高，使得安裝臂456中的分流器454與靶409嚙合。分流器454現在處於沉積處理位置。分流器454可或可不完全地與陰極406的靶409接觸。分流器454的尺寸和相對於靶的位置顯著減少來自陰極406的磁體470的磁輻射。尺寸和位置可取決於製作分流器454的材料以及由磁體470產生的磁場的強度。在沉積期間，內部容積125內的減小的磁場允許在沉積期間更大的均勻性控制。可獲得小於大約2％的電阻率區域（RA）的不均勻性（NU）數量，其中一些實施例對於NU而言達到大約1.5％或更小。

第5圖顯示了根據本原理的一些實施例的具有來自陰極506附近的屏蔽件521的孔552的處理腔室500的局部示意圖。處理腔室500包括頂部配接器組件542，頂部配接器組件542容納具有磁體570和靶509的陰極506。屏蔽件521已經旋轉並升高，使得屏蔽件頂部520中的孔552與靶509嚙合。孔552現在處於允許靶509與電漿相互作用的沉積處理位置。孔552包圍靶509，在靶509周圍形成間隙558。間隙558在靶509周圍產生暗空間，暗空間在沉積期間防止電漿形成。間隙寬度與間隙高度的寬深比保持在抑制火花形成並因此抑制電漿形成的值。寬深比可(例如)藉由調整屏蔽件頂部520的厚度、孔552與靶509的嚙合量及孔552的尺寸來調整。在一些實施例中，間隙寬度可為大約六萬分之一到大約八萬分之一英寸。屏蔽件521的Z軸移動允許藉由控制靶509突出到孔552中多遠來準確控制暗空間的形成。在第5圖中，屏蔽件頂部520的底表面555已經升高超過靶559的內部容積表面553。其他實施例可限制屏蔽件521的升高，使得屏蔽件頂部520的底表面555和靶509的內部容積表面553大約共平面。

在一些實施例中，如第1圖所示的處理腔室100可包括如第6圖所示的頂部配接器組件600。顯示了頂部配接器組件600的配接器650的內底表面672。頂部配接器組件600包括在內底表面672上的複數個接地迴路662。當屏蔽件處於升起或處理位置時，接地迴路662提供了屏蔽件121到第1圖的頂部配接器組件142的改善的接地。當使用RF功率時，接地迴路662有利地藉由最小化在電漿與屏蔽件121之間的能量來防止屏蔽件121帶負電。結果，屏蔽件被濺射的可能性進一步降低。接地迴路662周向地定位於曝露在內底表面672上的複數個靶660。儘管第6圖顯示了接地迴路662部分地包圍靶660，但是在其他實施例中，接地迴路662可完全包圍靶660，或甚至較少地包圍接地迴路662。在一些實施例中，接地迴路662也周向地圍繞軸623定位以與屏蔽件121耦接。接地迴路662的數量可為一個或多個。例如，接地迴路662可僅限於軸623。在一些實施例中，軸623可被排除，且只有靶660可具有接地迴路662。在一些實施例中，接地迴路662可被放置鄰近於每一個其他靶。

第7圖描繪了根據本原理的一些實施例的第6圖的頂部配接器組件600的底視圖的一部分。在一些實施例中，頂部配接器組件600的配接器750的底表面772的一部分包括接地迴路762，接地迴路762具有周向地定位在靶760附近的複數個接觸點764。接觸點764提供用於嚙合屏蔽件的柔順表面。在第8圖中，顯示了用於第7圖的接地迴路的接觸點800的示意圖。在一些實施例中，接觸點800包括具有複數個柔性接觸表面866的接觸主體864。當可旋轉屏蔽件返回（升高）到處理位置時，屏蔽件的頂部與柔性接觸表面866電接觸，使接觸主體864彈性變形。接觸主體864的彈性變形向屏蔽件主體的頂部提供壓力，以確保用於RF返回路徑的在屏蔽件和配接器之間的電連續性。接觸主體864具有緊固手段868，緊固手段868保持接觸主體864與接地迴路的接地迴路跡線880的電嚙合。緊固手段868可包括(例如)螺釘、螺栓、導電接合材料、鉚釘、硬焊、軟焊及任何其他緊固技術。接地迴路跡線880與配接器的底表面872接觸。

儘管前述內容涉及本原理的實施例，但是可在不背離本發明的基本範圍的情況下設計原理的其他和進一步的實施例。

100‧‧‧處理腔室

102‧‧‧RF電源

104‧‧‧RF匹配網路

106‧‧‧陰極

108‧‧‧DC電源

110‧‧‧介電靶/靶

112‧‧‧金屬靶/靶

116‧‧‧致動器

119‧‧‧耦接器

120‧‧‧屏蔽件頂部

121‧‧‧屏蔽件

122‧‧‧屏蔽件主體

123‧‧‧軸

124‧‧‧排出泵

125‧‧‧內部容積

128‧‧‧處理氣體供應器

130‧‧‧基板支撐件

131‧‧‧支撐表面

132‧‧‧基板

134‧‧‧匹配網路

136‧‧‧偏壓源

138‧‧‧偏壓電極

140‧‧‧腔室主體

142‧‧‧頂部配接器組件

144‧‧‧箭頭

145‧‧‧箭頭

146‧‧‧中心軸線

200‧‧‧頂部配接器組件

206‧‧‧陰極

213‧‧‧控制器

215‧‧‧控制器

216‧‧‧致動器

217‧‧‧伺服器/控制器

223‧‧‧軸

250‧‧‧配接器

300‧‧‧屏蔽件

319‧‧‧耦接器

320‧‧‧屏蔽件頂部

322‧‧‧屏蔽件主體

352‧‧‧孔

354‧‧‧分流器

356‧‧‧安裝臂

400‧‧‧處理腔室

406‧‧‧陰極

409‧‧‧靶

421‧‧‧屏蔽件

442‧‧‧頂部配接器組件

454‧‧‧分流器

456‧‧‧安裝臂

470‧‧‧磁體

500‧‧‧處理腔室

506‧‧‧陰極

509‧‧‧靶

520‧‧‧屏蔽件頂部

521‧‧‧屏蔽件

542‧‧‧頂部配接器組件

552‧‧‧孔

553‧‧‧內部容積表面

555‧‧‧底表面

558‧‧‧間隙

570‧‧‧磁體

600‧‧‧頂部配接器組件

623‧‧‧軸

650‧‧‧配接器

660‧‧‧靶

662‧‧‧接地迴路

672‧‧‧內底表面

750‧‧‧配接器

760‧‧‧靶

762‧‧‧接地迴路

764‧‧‧接觸點

772‧‧‧底表面

800‧‧‧接觸點

864‧‧‧接觸主體

866‧‧‧柔性接觸表面

868‧‧‧緊固手段

872‧‧‧底表面

880‧‧‧接地迴路跡線

藉由參考在附隨的圖式中描繪的原理的說明性實施例，可理解以上簡要總結並在下面更詳細討論的本原理的實施例。然而，附隨的圖式僅顯示了原理的典型實施例，且因此不被認為是對範圍的限制，因為原理可允許其他等效的實施例。

第1圖描繪了根據本原理的一些實施例的多陰極處理腔室的示意圖。

第2圖描繪了根據本原理的一些實施例的第1圖的多陰極處理腔室的頂部配接器組件的頂視圖。

第3圖描繪了根據本原理的一些實施例的多陰極處理腔室的屏蔽件的圖。

第4圖描繪了根據本原理的一些實施例的在陰極附近具有分流器的處理腔室的局部示意圖。

第5圖顯示了根據本原理的一些實施例的在陰極附近具有屏蔽件孔的處理腔室的局部示意圖。

第6圖描繪了根據本原理的一些實施例的頂部配接器組件的底視圖。

第7圖描繪了根據本原理的一些實施例的第6圖的頂部配接器組件的底視圖的一部分。

第8圖描繪了根據本原理的一些實施例的用於第7圖的頂部配接器組件的接地迴路的接觸點的示意圖。

為促進理解，在可能的情況下使用相同的元件符號來表示共用於圖式中的相同元件。圖式不是按比例繪製的，且為了清晰起見可能會被簡化。一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中而無需進一步敘述。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims

一種處理腔室，包含：一腔室主體，界定一內部容積；一基板支撐件，在該內部容積內支撐一基板；複數個陰極，耦接到該腔室主體並具有複數個靶；及一屏蔽件，可旋轉地耦接到該腔室主體的一上部分，並具有至少一個孔和至少一個分流器，該至少一個孔曝露在一處理中待被濺射的該複數個靶的至少一個，該至少一個分流器設置在該屏蔽件的一頂側，以容納和屏蔽在該處理中不被濺射的該複數個靶的至少另一個，其中該屏蔽件經配置以圍繞該處理腔室的一中心軸線而旋轉並沿著該處理腔室的該中心軸線而線性地移動。
如請求項1所述之處理腔室，其中該複數個陰極包括三個RF陰極和三個DC陰極。
如請求項1所述之處理腔室，其中該複數個靶平行於該基板支撐件而設置。
如請求項3所述之處理腔室，其中該複數個靶包括六個靶。
如請求項4所述之處理腔室，其中該六個靶包括三個介電靶和三個金屬靶。
如請求項5所述之處理腔室，其中該屏蔽件包括三個不相鄰的孔。
如請求項4所述之處理腔室，其中該六個靶包括兩個相鄰的介電靶，由一第一金屬形成的兩個相鄰的第一金屬靶，以及由一第二金屬形成的兩個相鄰的第二金屬靶。
如請求項7所述之處理腔室，其中該屏蔽件包括至少兩個相鄰的孔。
如請求項1所述之處理腔室，進一步包含：一腔室主體配接器，耦接到該腔室主體的一上部，其中該腔室主體配接器接地及複數個接地迴路，具有多個柔性接觸表面，設置在該屏蔽件和該腔室主體配接器之間，以接地該屏蔽件。
一種處理腔室，包含：一腔室主體，界定一內部容積；一腔室主體配接器，耦接到該腔室主體的一上部，其中該腔室主體配接器接地；一基板支撐件，支撐該內部容積內的一基板；複數個陰極，與該腔室本體配接器耦接並具有複數個靶；一屏蔽件，可旋轉地耦接到該腔室本體配接器並具有至少一個孔及至少一個分流器，該至少一個孔曝露在一處理中待被濺射的該複數個靶的至少一個，該至少一個分流器容納在該處理中不被濺射的該複數個靶的至少另一個，其中該屏蔽件經配置以圍繞該處理腔室的一中心軸線而旋轉並沿著該處理腔室的該中心軸線而線性移動；及複數個接地迴路，具有多個柔性接觸表面，設置在該屏蔽件與該腔室本體配接器之間，以接地該屏蔽件，其中該複數個靶包括至少一個介電靶和至少一個金屬靶。
如請求項10所述之處理腔室，其中該複數個靶平行於該基板支撐件而設置。
如請求項11所述之處理腔室，其中該複數個靶包括六個靶。
如請求項12所述之處理腔室，其中該六個靶包括三個介電靶和三個金屬靶。
如請求項13所述之處理腔室，其中該屏蔽件包括三個不相鄰的孔。
如請求項12所述之處理腔室，其中該六個靶包括兩個相鄰的介電靶，由一第一金屬形成的兩個相鄰的第一金屬靶及由一第二金屬形成的兩個相鄰的第二金屬靶。
如請求項15所述之處理腔室，其中該屏蔽件包括兩個相鄰的孔。
如請求項10所述之處理腔室，其中該分流器由基於Mu-metal或不鏽鋼的一材料所製成。
一種用於在一處理腔室中處理多個基板的設備，包含：一屏蔽件，可配置成可旋轉地耦接到該處理腔室的一腔室主體，該屏蔽件具有至少一個孔及至少一個分流器，該至少一個孔曝露待被濺射的複數個靶的至少一個，該至少一個分流器屏蔽不被濺射的複數個靶的至少一個，其中該屏蔽件可配置成圍繞該處理腔室的一中心軸線而旋轉並沿著該處理腔室的該中心軸線而線性移動。
如請求項18所述之設備，其中該屏蔽件具有一安裝臂，支撐該至少一個分流器。
如請求項19所述之設備，其中該安裝臂可從該屏蔽件移除。