JP2011231341A - スパッタリング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】1つのチャンバで組成の異なる膜をスパッタリングする場合であっても、基板面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】同一の形状であり、かつ異種の材料からなるターゲットを、それぞれ複数のスパッタリングカソード203a,203b,204a,204bに取り付け、さらに、ターゲットにおける同種のものを、スパッタリング対象の基板8の回転中心を対称とした位置に設けられたスパッタリングカソード203a,203b,204a,204bに搭載する。これにより、基板8における内周と外周との両方において、基板8上方に異種のターゲットが対称位置に配置され、回転時の基板8面内に対するスパッタ粒子の入射角度を小さくすることができる。
【選択図】図1
【解決手段】同一の形状であり、かつ異種の材料からなるターゲットを、それぞれ複数のスパッタリングカソード203a,203b,204a,204bに取り付け、さらに、ターゲットにおける同種のものを、スパッタリング対象の基板8の回転中心を対称とした位置に設けられたスパッタリングカソード203a,203b,204a,204bに搭載する。これにより、基板8における内周と外周との両方において、基板8上方に異種のターゲットが対称位置に配置され、回転時の基板8面内に対するスパッタ粒子の入射角度を小さくすることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、ターゲットが設置される複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング装置に関するものである。
スパッタリング法は真空蒸着法に比べ、形成される膜厚の制御性が良く、また高融点材料や化合物の薄膜も容易に形成できる薄膜形成技術ということから、広く半導体,ディスプレイ,電子部品などを製造する工業分野に普及している。特に永久磁石や電磁石などを磁気回路として用いるマグネトロンスパッタ法は、薄膜の形成速度が真空蒸着法に比べ約1〜2桁遅いというスパッタリング法の課題を解決し、スパッタリング法による量産化を可能にしている。
従来の一般的なマグネトロンスパッタリングカソードと、そのカソードを搭載したスパッタリング装置およびスパッタリング法について、図10〜図12を参照しながら説明する。
図10は従来の平板ターゲットを有するマグネトロンスパッタリングカソードの概略構成を示す平面図、図11は図10におけるA−A断面図、図12は図10のマグネトロンスパッタリングカソードの全体斜視図である。
図10において、1は平板状のターゲットであり、該ターゲット1は、インジウムなどのハンダ剤によりバッキングプレート2に接着され、カソード本体3上に設置される。ターゲット1の裏側にはマグネトロン放電用の磁気回路4が、閉じた磁力線5を形成し、かつ該磁力線5の一部がターゲット1の表面で平行になるように配置される。このためターゲット1表面には、図12に示すように、トロイダル型の閉じたトンネル状の磁場6(網掛部)が形成される。
以上のように構成されたマグネトロンスパッタリングカソードを搭載したマグネトロンスパッタリング装置の動作原理について説明する。
図13は前記スパッタリングカソードを搭載したスパッタリング装置の概略構成図である。
図13において、スパッタリングカソード103は、通常、真空チャンバ107に絶縁材108を介して設置される。マグネトロンスパッタリング法による薄膜形成を行うには、真空チャンバ107を真空ポンプ109などの真空排気系にて高真空(10−4〜10−5Pa程度)になるまで排気し、Arなどの放電ガスを、ガス導入系のガス流量調整器110を通して真空チャンバ107に導入し、圧力調整バルブ111を調整して真空チャンバ内を10−1〜10−2Pa程度の圧力に保つ。
ここで、直流もしくは交流構造のスパッタリング電極112により、ターゲット1を取り付けたスパッタリングカソード103に負の電圧を印加する。これにより、電場と磁気回路によるトロイダル型トンネル状磁場との周辺においてマグネトロン放電が生起する。そして、生起したマグネトロン放電により、ターゲット1がスパッタされ、スパッタ粒子が基板ホルダ7に設置された基板8に堆積し、基板8上に薄膜が形成される。
前記のようなターゲット1が1組のみ真空チャンバ107に設置された構成のスパッタリング装置では、基板8に複数の異種の膜を形成するためには、形成される膜の数量分に対応した数のスパッタリング装置が必要となる。
例えば、半導体製造過程などでは、Si基板上にTa,TaN,Ti,TiNなどからなるバリア膜と、このバリア膜の上にCu,Alなどからなる電気信号配線膜とを形成する。このような複数の異種の膜を形成する場合、膜の数量分に対応した数のスパッタリング装置が必要となり、設備コストが増大するという課題がある。また、複数の膜形成工程が必要となり、生産リードタイムが増加してしまう。
これらの課題を解決するために、例えば、特許文献1に記載されるような1つのチャンバ内に材料が異なる複数のスパッタリングターゲットを搭載する技術が提案されている。
以下、従来の技術について図14,図15を参照しながら説明する。
図14,図15において、120,121は材質が異なるターゲットであり、図14に示すように、各ターゲット毎にそれぞれ裏面に互いに独立して制御可能に、それぞれのターゲット形状に応じた電磁石122,123が設けられている。
そして、所定のターゲットに設けられた電磁石のみをオン状態にすることにより、所望の薄膜材料のみのスパッタリングを行うことができるようにし、組成が異なる複数の膜を基板上に堆積することを可能にしている。
しかしながら、図15に示す特許文献1に用いられるリング状のターゲットでは、例えば、ターゲット120から飛び出すスパッタ粒子が、基板外周に到達するときの角度、および基板中心に到達するときの角度がそれぞれ大きくなる。
半導体や電子部品などの基板に形成されたビアホールへの良好な段差被覆性(以下、ボトムカバレッジと称す)の要求に対しては、スパッタ粒子の入射角度が小さいことが必要となる。
ボトムカバレッジについて図16を参照しながら説明する。図16はビアホール130を有する基板8上にスパッタリングにより形成されたスパッタ膜131を示している。
ここで、ボトムカバレッジとは、ビアホール130の底におけるスパッタ膜の膜厚aと基板8表面におけるスパッタ膜の膜厚bとの比率(a/b×100(%))のことである。
スパッタ粒子132がビアホール130に対して垂直に飛散すると、スパッタ粒子132の底における付着確率が増え、ボトムカバレッジが向上する。これに対して、基板8への入射角度が大きくなると、ビアホール130の底に対してスパッタ粒子132が到達しない。
そして、ビアホール130の底のスパッタ膜厚aが薄くなると、バリア膜であればバリア性の低下、また信号配線膜であれば配線抵抗の増加に繋がる。
スパッタ粒子の基板に対する到達角度はターゲットの配置構成によっても影響を受ける。従来のようなターゲット配置では、前記のように入射角度が大きくなり、基板面内でのボトムカバレッジの均一性が悪化し、結果としてデバイス性能のばらつきや歩留低下に繋がるという課題を有する。
本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、1つのチャンバで複数の異種の膜を形成する際、基板面内に形成されたビアホールにおけるボトムカバレッジの均一性を向上することができるスパッタリング装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、排気系とガス導入系を有する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設置され、かつ異種の材料からなる第1ターゲットと第2ターゲットとが少なくとも2つずつ取付けられる複数のスパッタリングカソードと、処理対象の基板が載置され、かつ回転可能な基板ホルダと、前記スパッタリングカソードに接続されるスパッタリング用電極と、を備え、前記第1ターゲットおよび第2ターゲットは、前記基板ホルダの回転中心を中心対称として配置されたことを特徴としている。
本発明の構成によって、ターゲット毎において、基板全面で到達するスパッタ粒子の入射角度を小さくし、基板面内に形成されたビアホールにおいて、ボトムカバレッジの均一性を向上することができる。
本発明によれば、1つのチャンバで複数の異種の膜を形成するスパッタリング装置であっても、基板面内においてのボトムカバレッジの均一性を向上することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、同じ部材については、同じ符号を用いて詳しい説明は省略する。また、その基本的な動作方法も従来のマグネトロンスパッタリング装置と同一であるので、詳細な説明は省略する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1のスパッタリング装置においてスパッタリングカソードと基板との位置関係を示す平面図、図2は実施の形態1のスパッタリングカソードを図1におけるA−A線で断面して示す構成図である。
図1は本発明の実施の形態1のスパッタリング装置においてスパッタリングカソードと基板との位置関係を示す平面図、図2は実施の形態1のスパッタリングカソードを図1におけるA−A線で断面して示す構成図である。
図1,図2において、実施の形態1のスパッタリング装置は、4基のスパッタリングカソード203a,203b,204a,204bを搭載している。その内、内周スパッタリングカソード203aに取り付けられたターゲット201aと、外周スパッタリングカソード203bに取り付けられたターゲット201bとの材料を同一組成材料とする。また、ターゲット201a,201b(第1ターゲット)とは異なる組成材料からなるターゲット202a,202b(第2ターゲット)を、他の内周スパッタリングカソード204aと外周スパッタリングカソード204bとに取り付けている。
ターゲット201aとターゲット201bは同種の組成材料からなる。また、ターゲット202aと202bは、ターゲット201とは異なる同種の組成材料からなる。
また、ターゲット201aとターゲット202aは同一形状であり、ターゲット201bとターゲット202bは同一形状である。また、スパッタリングカソード203a,203bと204a,204bの位置関係は、基板8の回転中心Oを中心として対称配置ある。さらにスパッタリングカソード203a,203bと204a,204bの長手方向の長さL1は、基板8の直径よりも大きい。
実施の形態1におけるスパッタリング装置の全体構成を図3に示す。動作原理は、基本的に図13にて説明したスパッタリング装置と同様である。
すなわち、真空ポンプなどからなる排気系109にて真空チャンバ107を高真空になるまで排気し、真空チャンバ107にガス流量調整器などからなるガス導入系110を通してArなどの放電ガスを導入する。そして、直流もしくは交流構造のスパッタリング電極112により、ターゲット201a,201bまたは202a,202bを取り付けたスパッタリングカソード203,203bまたは204a,204bに負の電圧を印加する。
これにより、電場と磁気回路によるトロイダル型トンネル状磁場との周辺においてマグネトロン放電が生起する。そして、生起したマグネトロン放電により、ターゲット201a,201bまたは202a,202bがスパッタされ、スパッタ粒子が、モータなどの駆動部10にて回転駆動される基板ホルダ7に載置された基板8に堆積し、基板8上に薄膜が形成される。
また、実施の形態1におけるターゲット201a,201b,202a,202bは、前述と同様に基板ホルダ7(あるいは基板8)の中心軸9に対して対称位置に配置する。また、基板8において、中心を通り両端点が円周にある線分を考えたとき、前記線分の少なくとも1本がターゲット201および202を交互に通過することとする。すなわち、基板8の回転時、基板8のスパッタ面が、異種の材料からなる各ターゲット201a,201b,202a,202bを交互に通過するようにする。
実施の形態1において、スパッタリングカソード203a,203bに取り付けたターゲット201a,201bによるスパッタリング成膜を行う場合、スパッタリング電極112および磁気回路4をオン状態にする。これにより、内周スパッタリングカソード203aのターゲット201aと、外周スパッタリングカソード203bのターゲット201bとの2つのターゲットから、基板ホルダ7上に載置された基板8にスパッタ粒子が放出される。
ここで、基板8が静止した状態について考えると、基板8に形成されたビアホールへのボトムカバレッジを考えると、ターゲット201aおよび201bの直下においてはスパッタ粒子入射角度が小さくボトムカバレッジは大きいが、直下を外れる領域では入射角度が大きくなる。
しかしながら、本実施の形態1では、基板8を載置した基板ホルダ7を自転(基板ホルダ7の中心軸9を中心とした回転)させながらスパッタリングを行っている。そのため、この基板ホルダ7の自転を考慮すると、図1の状態においてターゲット直下を外れる領域は、180度回転した後、ターゲットの直下に到達することにより、入射角度の差が相殺され、その結果、基板8におけるスパッタ面の全面でボトムカバレッジの均一性が向上する。
さらに、本実施の形態1において、図1に示すように、内周スパッタリングカソード203aのターゲット201aの幅L2と、外周スパッタリングカソード203bのターゲット201bの幅L3との比率が、L2:L3=4:3であることが、基板8上へ到達するスパッタ粒子の入射角度のばらつきが最も小さく、基板8全面でボトムカバレッジの均一性が向上する。
なお、前記幅L3が前記比率より大きくなると、基板8面内の内周におけるボトムカバレッジが向上する代わりに、外周におけるボトムカバレッジが低下する。
図4は本実施の形態1のビアホールにおけるボトムカバレッジの分布状態と、図15に示す従来装置のビアホールにおけるボトムカバレッジの分布状態を示す図である。図4では、縦軸はボトムカバレッジの大小を示し、横軸は基板8中心からの直径方向の位置を示す。
図4において、2点鎖線211は、図14と図15に示す従来のターゲット120,121を用いた場合の基板8面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの分布である。また、破線212は、図14,図15に示す従来のターゲット121を用いた場合の基板8面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの分布である。さらに、実線210は、本実施の形態1のターゲット201a,201bおよび202a,202bの基板8面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの分布である。
破線212では山状のボトムカバレッジ分布となり、二点鎖線211では谷状のボトムカバレッジ分布になることは、前述したスパッタ粒子の基板8への入射角度の関係から説明できる。実線210のボトムカバレッジ分布が平坦になる要因は、ターゲットが内周と外周との両方を覆っていることにより、基板8へ到達するスパッタ粒子の入射角度が小さくなることにある。
また、他の組成材料からなるターゲット202a,202bのスパッタリングを行う場合は、スパッタリングカソード204a,204bに接続されたスパッタリング電源112および電磁石4をオン状態にすることにより、ターゲット202a,202bのみのスパッタリング成膜を行うことができる。
(実施の形態2)
図5は本発明の実施の形態2におけるスパッタリング装置のスパッタリングカソードと基板との位置関係の概略を示す平面図である。
図5は本発明の実施の形態2におけるスパッタリング装置のスパッタリングカソードと基板との位置関係の概略を示す平面図である。
実施の形態2におけるスパッタリング装置が実施の形態1と異なる構成は、内周と外周との2基のスパッタリングカソード対203a,203bと204a,204bとを、カソード部材203c(第1カソード部材),204c(第2カソード部材)により接続したことにある。動作方法については実施の形態1と同様であるため省略する。
実施の形態2のターゲット配置においても、ターゲットは、基板ホルダ7の中心Oに対して対称位置に配置される。そして、実施の形態1にて説明したように、基板8において中心Oを通り両端点が円周にある線分を考えたとき、前記線分の少なくとも1本がスパッタリングカソード203,204に取り付けられたターゲット201および202を交互に通過することとする。
本実施の形態2においては、同一組成材料からなるターゲットの枚数を減らすことで、スパッタリングカソードに付随する機構を低減することができ、装置コストダウンに繋がる。
図6は本発明の実施の形態2におけるスパッタリング装置のスパッタリングカソードと電磁石との位置関係を示す平面図、図7は図6におけるA−A断面図である。電磁石N極205は常にON状態にあるが、スパッタリングカソード203の電磁石S極206およびスパッタリングカソード204の電磁石S極207は、スパッタリング対象のターゲットに対応する電磁石のみをオン状態にすることにより、互いの磁場干渉を抑制している。
図8は本発明の実施の形態2における要部を示す説明図である。本実施の形態2では、基板8の直径を200mmとし、ターゲット201の幅L10も200mmとする。ターゲット201,202の間には、アースシールド等の隙間L11が必要となり、L11=20mmとする。
ここで、基板8内周を覆うターゲット辺aの幅をL11、基板8外周を覆うターゲット辺bの幅をL12とする。さらに、図6に示す磁石配置を用いるとき、ターゲット上でのマグネトロン放電が生起する部位(以下、エロージョンと称す)の中心は縦方向yのみを考えた場合、前記L11とL12とではターゲット端から、それぞれ1/4と3/4の距離となる。
図9は図8の構成におけるL11とL12の寸法とエロージョン−基板間の距離との実数値を表化して示す図である。図8の基板8の中心点を座標(0,0)とし、縦方向yのみを示したものである。
図8におけるエロージョンから基板8における最も遠い点での距離は、L11およびL12を変化させることにより、辺aと辺bとの間、あるいは辺aより上側に存在する。このため、基板8全面での均一性向上を図るためには、両方の値が小さいことが求められる。
図8において、L11=40mm,L12=30mmの条件において、辺aと辺bとの間、および辺aより上側の値の差が小さくなる。この条件でスパッタ粒子が基板8へ到達するときの入射角度を考えた場合、基板8とターゲット201間の高さ方向の距離を285mmとすると、最大入射角度θは9.95°となる。
例えば、1つのチャンバ内に組成の異なる長方形のターゲットを各1枚配置した場合の最大入射角度θは21.8°となり、このときのボトムカバレッジを基板面内全体で約20%とした場合、実施の形態2における1つのチャンバ内に組成の異なる『コの字』ターゲットを各1枚配置し、かつ図8と図9に示す実施の形態2の最適寸法を用いた場合、基板面内でのボトムカバレッジは、約10ポイントアップして30%程度となる。
本発明のスパッタリング装置は、1つのチャンバで、材料形成が異なる複数の薄膜を形成することができ、基板に形成されたビアホールへのボトムカバレッジの均一性を向上することが可能である。このため、半導体デバイスに利用されるバリア膜,電気信号配線膜を、安価で高品質・高歩留に生産する装置および方法に適用することができる。
4 磁気回路
7 基板ホルダ
8 基板
107 真空チャンバ
109 排気系
110 ガス導入系
112,113 スパッタリング電極
130 ビアホール
131 スパッタ膜
132 スパッタ粒子
201a,201b,202a,202b ターゲット
203a,203b,204a,204b スパッタリングカソード
203c,204c カソード部材
7 基板ホルダ
8 基板
107 真空チャンバ
109 排気系
110 ガス導入系
112,113 スパッタリング電極
130 ビアホール
131 スパッタ膜
132 スパッタ粒子
201a,201b,202a,202b ターゲット
203a,203b,204a,204b スパッタリングカソード
203c,204c カソード部材
Claims (5)
- 排気系とガス導入系を有する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設置され、かつ異種の材料からなる第1ターゲットと第2ターゲットとが少なくとも2つずつ取付けられる複数のスパッタリングカソードと、
処理対象の基板が載置され、かつ回転可能な基板ホルダと、
前記スパッタリングカソードに接続されるスパッタリング用電極と、を備え、
前記第1ターゲットおよび第2ターゲットは、前記基板ホルダの回転中心を中心対称として配置されたこと
を特徴とするスパッタリング装置。 - 前記基板のスパッタ面に平行な面に、前記第1ターゲットと前記第2ターゲットとが、交互に配置されたこと
を特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。 - 複数の前記第1ターゲットが取付けられる複数の前記スパッタリングカソード同士が1カソード部材を介して接続され、
複数の前記第2ターゲットが取付けられる複数の前記スパッタリングカソード同士が第2カソード部材を介して接続されていること
を特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。 - 前記基板ホルダ回転時に、該基板のスパッタ面が異種の材料からなる前記各ターゲットを交互に通過する構造であること
を特徴とする請求項1〜3いずれかに記載のスパッタリング装置。 - 前記各ターゲットをそれぞれ独立して制御する磁気回路を備えたこと
を特徴とする請求項1〜4いずれかに記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010099569A JP2011231341A (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | スパッタリング装置 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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---|---|---|---|
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