KR20150123266A - 구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론 - Google Patents

구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론 Download PDF

Info

Publication number
KR20150123266A
KR20150123266A KR1020157025535A KR20157025535A KR20150123266A KR 20150123266 A KR20150123266 A KR 20150123266A KR 1020157025535 A KR1020157025535 A KR 1020157025535A KR 20157025535 A KR20157025535 A KR 20157025535A KR 20150123266 A KR20150123266 A KR 20150123266A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base plate
magnetic pole
assembly
coupled
disposed
Prior art date
Application number
KR1020157025535A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102188022B1 (ko
Inventor
알랜 리치
리안 핸슨
시안웨이 자오
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20150123266A publication Critical patent/KR20150123266A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102188022B1 publication Critical patent/KR102188022B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455—Movable magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452—Magnet distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3461—Means for shaping the magnetic field, e.g. magnetic shunts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

마그네트론 조립체를 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체는, 제 1 베이스 플레이트; 제 1 베이스 플레이트에 대해, 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능한 제 2 베이스 플레이트; 제 1 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션(outer magnetic pole section) 및 제 2 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션을 포함하며, 루프의 형상인 외측 자극; 및 외측 자극 내에 배치되는 내측 자극을 포함하며, 외측 자극 및 내측 자극은 폐쇄 루프 자기장을 정의하고, 제 2 베이스 플레이트가 제 1 위치에 배치되는 경우와 제 2 위치에 배치되는 경우의 둘 모두의 경우, 폐쇄 루프 자기장이 유지된다.

Description

구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론{CONFIGURABLE VARIABLE POSITION CLOSED TRACK MAGNETRON}
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱을 위해 물리 기상 증착 챔버들에서 사용하기 위한 마그네트론들에 관한 것이다.
[0002] 대안적으로 물리 기상 증착(PVD)으로 지칭되는 스퍼터링은, 반도체 집적 회로들의 제조시 금속들 및 관련 물질들을 증착하는데 오랫동안 사용되어 왔다. 그 사용은 비아들 또는 다른 수직한 상호연결 구조들과 같은 고 종횡비 홀들의 측벽들 상에 금속 층들을 증착하는 것까지 확대되었다. 일반적으로, 진보된 스퍼터링 애플리케이션들은, 비아 내에 금속성 층을 후속 전기도금하기 위한 금속성 시드 층을 증착하는 것, 및 금속성 층이 유전체 내로 확산되는 것을 방지하기 위해 비아 측벽의 유전체 물질 상에 배리어 층을 증착하는 것을 포함한다.
[0003] 예를 들면, 티타늄 질화물(TiN) 금속화는, BEOL(back end of the line) 및 FEOL(front end of the line) 반도체 응용예들에서 수년간 사용되어 왔다. 한가지 예시적인 응용예는 하드 마스크에 대한 것이며, 이는 기판 상의 디바이스 당 다수의 층들 또는 패스들(passes)을 갖는 BEOL 응용예이다. 필요한 것은, 블랭킷 TiN 층을 증착하는 것인데, 이는 패터닝 층 및 하드 마스크 둘 모두의 역할을 할 것이다. TiN은 다수의 바람직한 특성들을 갖는 금속 층이다. 그러나, 한가지 상당히 불리한 점(down side)은, 균열(crack), 박리(peel), 및 박편화(flake)되며, 그에 따라 결함들을 발생시키는, TiN 층들의 고유 응력 및 기질(tendency)이다.
[0004] 따라서, 본 발명자들은, 입자 성능을 개선하면서도 물질들을 증착하는데 유리하게 사용될 수 있는 자석 구성(magnet configuration)을 제공하였다.
[0005] 마그네트론 조립체를 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체는, 제 1 베이스 플레이트; 제 1 베이스 플레이트에 대해, 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능한 제 2 베이스 플레이트; 제 1 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션(outer magnetic pole section) 및 제 2 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션을 포함하며, 루프의 형상인 외측 자극; 및 외측 자극 내에 배치되는 내측 자극을 포함하며, 외측 자극 및 내측 자극은 폐쇄 루프 자기장을 정의하고, 제 2 베이스 플레이트가 제 1 위치에 배치되는 경우와 제 2 위치에 배치되는 경우의 둘 모두의 경우, 폐쇄 루프 자기장이 유지된다.
[0006] 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체는, 중심 축을 갖는 지지 부재 ― 중심 축을 중심으로 마그네트론 조립체가 회전함 ―; 지지 부재에 고정되게(fixedly) 커플링되는 제 1 베이스 플레이트; 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 지지 부재에 이동가능하게 커플링되는 제 2 베이스 플레이트; 제 1 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션 및 제 2 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션을 포함하며, 루프의 형상인 외측 자극; 및 외측 자극 내에 배치되는 내측 자극을 포함하며, 외측 자극 및 내측 자극은 폐쇄 루프 자기장을 정의하고, 제 2 베이스 플레이트가 제 1 위치에 배치되는 경우와 제 2 위치에 배치되는 경우의 둘 모두의 경우, 폐쇄 루프 자기장이 유지되며, 폐쇄 루프 자기장은, 제 2 베이스 플레이트가 제 1 위치에 배치되는 경우, 제 1 기하학적 구성을 갖고, 제 2 베이스 플레이트가 제 2 위치에 배치되는 경우, 제 1 기하학적 구성과 상이한 제 2 기하학적 구성을 갖는다.
[0007] 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 시스템은, 챔버; 챔버의 정상에(atop) 제거가능하게 배치되는 리드; 리드에 커플링되는 타겟 조립체 ― 타겟 조립체는, 타겟으로부터 스퍼터링되어 기판 상에 증착될 타겟 물질을 포함함 ―; 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위해 챔버 내에 배치되는 기판 지지부; 및 마그네트론 조립체를 포함한다. 마그네트론 조립체는 본원에서 개시되는 실시예들 중 임의의 실시예에서 설명되는 바와 같을 수 있다.
[0008] 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들이 하기에서 설명된다.
[0009] 앞서 간략히 요약되고 하기에서 보다 구체적으로 논의되는 본 발명의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조로 하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적 단면도를 도시한다.
[0011] 도 2a-b는 각각, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 회전가능한 자석 조립체의 저면도들을 도시한다.
[0012] 도 3a-b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 회전가능한 자석 조립체의 자기장 트랙의 개략적 저면도들을 도시한다.
[0013] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지시하기 위해, 가능한 경우, 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명확성을 위해 간략화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 설명 없이도, 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있는 것으로 생각된다.
[0014] 본 발명은, 증착 프로세스들 동안 감소된 입자들을 유리하게 제공할 수 있는 이중 위치 마그네트론(dual position magnetron) 및 그러한 마그네트론들을 통합하는 물리 기상 증착(PVD) 챔버들에 관한 것이다.
[0015] 본원에 개시된 마그네트론의 실시예들은 자석 조립체들을 가지며, 자석 조립체들은 2개의 위치들에서 구성가능하고(configurable), 그에 따라 자극들(magnet poles)을 상이한 위치들에서 재구성함으로써, 스퍼터링 타겟 표면의 자기장의 변화를 가능하게 한다. 마그네트론은 2개의 모드들을 갖는데, 2개의 모드는 모두 본질적으로 큰 폐쇄 트랙 구성들이다. 각각의 모드는 자석의 섹션(section)을 회전시킴으로써 선택된다. 호형의 작은 섹션 또는 전체 조립체를 회전시키는 대신에, 제 1 폐쇄 트랙 자석의 섹션이 회전되어, 제 1 폐쇄 트랙 자석과 상이한 자기장을 갖는 제 2 폐쇄 트랙 자석을 형성할 수 있다.
[0016] 대부분의 실시예들에서, 마그네트론의 지배적인 필드 라인들(dominant field lines)은 스퍼터 타겟의 방사상 엣지에 대해 가까울(close) 것이다. 일부 실시예들에서, 타겟 활용을 최대화하고 캐소드(타겟) 전압을 가능한 낮게 유지하기 위해, 폐쇄 트랙의 길이가 가능한 길도록 구성된다. 그에 따라, 일부 실시예들에서, 예를 들면, 외측 반경 트랙이 마그네트론 하우징의 원주의 절반보다 더 긴 경우, 전체 자석을 피봇(pivot)을 중심으로 회전시키는 것이 불가능하다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 유리하게, 매우 큰 폐쇄 트랙 마그네트론들이, 상이한 폐쇄 트랙 마그네트론으로 구성될 수 있게 하고, 그에 따라 2개의 상이한 자기장들을 제공할 수 있게 한다.
[0017] 도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 물리 기상 증착(PVD) 프로세싱 시스템(100)의 간략화된 단면도를 도시한다. 본원에서 제공되는 교시들에 따른 변형에 적합한 다른 PVD 챔버들의 예시들은 ALPS® Plus 및 SIP ENCORE® PVD 프로세싱 챔버들을 포함하며, 이 둘은 모두 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능하다. PVD 이외의 다른 타입들의 프로세싱을 위해 구성된 것들을 포함하여, Applied Materials, Inc. 또는 다른 제조업자들로부터의 다른 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에 개시된 교시들에 따른 변형들로부터 이득을 얻을 수 있다.
[0018] 예시를 위해, PVD 프로세싱 시스템(100)은 프로세스 챔버(104)의 정상에 제거가능하게 배치되는 챔버 리드(102)를 포함한다. 챔버 리드(102)는 타겟 조립체(114) 및 접지 조립체(103)를 포함할 수 있다. 프로세스 챔버(104)는 기판 지지부(106)를 포함하며, 기판 지지부는 기판(108)을 그 위에 수용한다. 기판 지지부(106)는 하부의 접지된 엔클로져 벽(lower grounded enclosure wall)(110) 내에 위치될 수 있으며, 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)은 프로세스 챔버(104)의 챔버 벽일 수 있다. 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)은 챔버 리드(102)의 접지 조립체(103)에 전기적으로 커플링될 수 있으며, 그에 따라, 챔버 리드(102) 위에 배치된 RF 전력 소스(182)에 대한 RF 복귀 경로가 제공된다. RF 전력 소스(182)는, 하기에서 논의되는 바와 같이, 타겟 조립체(114)에 RF 에너지를 제공할 수 있다. 대안적으로 또는 조합하여, DC 전력 소스가 타겟 조립체(114)에 유사하게 커플링될 수 있다.
[0019] PVD 프로세싱 시스템(100)은 소스 분배 플레이트(158)를 포함할 수 있으며, 소스 분배 플레이트는 타겟 조립체(114)의 후면측을 대향하고 있으며, 타겟 조립체(114)의 주변 엣지(peripheral edge)를 따라 타겟 조립체(114)에 전기적으로 커플링된다. PVD 프로세싱 시스템(100)은 타겟 조립체(114)의 후면측과 소스 분배 플레이트(158) 사이에 배치된 공동(170)을 포함할 수 있다. 공동(170)은, 하기에서 논의되는 바와 같이, 마그네트론 조립체(196)를 적어도 부분적으로 하우징할 수 있다. 공동(170)은 전도성 지지 링(164)의 내측 표면, 소스 분배 플레이트(158)의 타겟 대면 표면, 및 타겟 조립체(114)(또는 백킹 플레이트 조립체(160))의 소스 분배 플레이트 대면 표면(예를 들면, 후면측)에 의해 적어도 부분적으로 정의된다.
[0020] PVD 프로세싱 시스템(100)은 마그네트론 조립체(196)를 더 포함한다. 마그네트론 조립체(196)는 프로세스 챔버(104) 내에서의 플라즈마 프로세싱을 보조하기 위해, 타겟에 근접하여, 회전하는 자기장을 제공한다. 마그네트론 조립체는 공동(170) 내에 배치되는 회전가능한 자석 조립체(148)를 포함한다. 회전가능한 자석 조립체(148)는 프로세스 챔버(104)의 중심 축(186)을 중심으로 회전한다. 회전가능한 자석 조립체(148)는, 사용 중에 선택가능한 2개의 상이한 폐쇄 자기장 구성들을 제공한다. 일부 실시예들에서, 이러한 구성은, 도 2a-b 및 3a-b에 대하여 하기에서 설명되는 바와 같이, 회전가능한 자석 조립체(148)의 섹션을 회전시킴으로써 선택될 수 있다.
[0021] 예를 들면, 도 2a-b는 각각, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 회전가능한 자석 조립체(148)의 저면도들을 도시한다. 도 2a-b와 일치하는 실시예들에서, 회전가능한 자석 조립체(148)는, 제 1 베이스 플레이트(204) 및 제 2 베이스 플레이트(206)에 커플링되는 지지 부재(202)를 포함한다. 지지 부재(202)는 중심 축(208)을 가지며, 중심 축을 중심으로, 회전가능한 자석 조립체(148)가 회전한다. 제 1 베이스 플레이트(204) 및 제 2 베이스 플레이트(206)는 서로에 대해 이동가능하다. 예를 들면, 일부 실시예들에서, 제 1 베이스 플레이트(204)는 지지 부재(202)에 고정되게 커플링될 수 있으며, 제 2 베이스 플레이트(206)는 지지 부재(202)에 이동가능하게 커플링될 수 있다.
[0022] 예를 들면, 일부 실시예들에서, 지지 부재(202) 및 제 2 베이스 플레이트(206)를 이동가능하게 커플링시키도록, 회전가능한 브래킷(210)이 제공될 수 있다. 회전가능한 브래킷(210)은, (도 2a 도시된 바와 같은) 제 1 위치로부터 (도 2b에 도시된 바와 같은) 제 2 위치로 제 2 베이스 플레이트(206)를 회전시키는 것을 용이하게 하는 회전 축(212)을 가질 수 있다. 예를 들면, 회전가능한 브래킷(210) 내의, 또는 제 1 베이스 플레이트(204), 제 2 베이스 플레이트(206), 또는 지지 부재(202) 중 하나 또는 그 초과 상의 기계적 정지부들(mechanical stops)은, 제 1 베이스 플레이트(204)에 대한 제 2 베이스 플레이트(206)의 운동(motion) 범위를 제한한다. 제 2 베이스 플레이트(206)에 대한 제 1 베이스 플레이트(204)의 상대 위치는, 임의의 적합한 수단, 이를테면 액츄에이터, 회전가능한 자석 조립체(148)의 회전 속도, 또는 회전가능한 자석 조립체(148)의 회전 방향에 의해 제어될 수 있다.
[0023] 회전가능한 자석 조립체(148)는, 제 1 베이스 플레이트(204) 및 제 2 베이스 플레이트(206)에 걸쳐서 연장하는 이중 위치 폐쇄 루프 자기장을 제공한다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 폐쇄 루프 자기장은, 별도의(discrete) 시작 및 끝을 갖지 않지만, 그 대신 루프를 형성하는 자기장을 나타낸다. 폐쇄 루프 자기장은 일반적으로, 폐쇄 루프 자기장을 함께 형성하는, 내측 자극 및 외측 자극을 포함한다. 예를 들면, 도 2a에 도시된 실시예에서, 제 1 베이스 플레이트(204)는 외측 자극 섹션(214) 및 내측 자극 섹션(216)(점선들로 도시됨)을 포함한다. 제 2 베이스 플레이트(206)는 외측 자극 섹션(218) 및 내측 자극 섹션(220)(점선들로 도시됨)을 포함한다. 외측 자극 섹션들(214, 218)은 외측 자극을 함께 형성한다. 내측 자극 섹션들(216, 220)은 내측 자극을 함께 형성하며, 외측 자극의 폐쇄 루프 내에 배치된다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 그러한 구성은 제 1 기하학적 구성을 갖는 제 1 폐쇄 루프 자기장(302)을 제공한다.
[0024] 지지 부재(202)와 제 1 및 제 2 베이스 플레이트들(204, 206)은, 비자성 금속, 예를 들면, 비자성 스테인리스 스틸과 같은, 내측 및 외측 자극들을 견고하게(rigidly) 지지하도록 적절한 기계적 강도를 제공하기에 적합한 임의의 물질로 구성될 수 있다. 제 1 및 제 2 베이스 플레이트들(204, 206)은, 공동(170) 내에서 회전할 수 있을뿐 아니라 희망 위치에서 자극들을 지지하기에 적합한 임의의 형상을 가질 수 있다. 지지 부재(202)는, 디스크, 직사각형, 또는 제 1 및 제 2 베이스 플레이트들(204, 206)을 적절히 지지하기에 적합한 다른 형상과 같은 임의의 적합한 형상을 가질 수 있다.
[0025] 자극 섹션들 중 각각은, 희망 형상의 자극 섹션을 형성하도록 배열된 복수의 자석들에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 및 제 2 베이스 플레이트들(204, 206) 중 각각은, 복수의 자석들 중 개별적인 자석들을 희망 위치들에서 제 1 및 제 2 베이스 플레이트들(204, 206)에 커플링하는 것을 용이하게 하기 위한 복수의 홀들(미도시)을 가질 수 있다. 복수의 홀들은 또한, 임의의 자극 또는 자극 섹션 내의 자석들의 개수들 및/또는 위치들을 용이하게 재구성하는 것을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 보다 균일한 자기장을 제공하기 위해, 복수의 자석들의 최상부들에 극판(pole plate)이 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 극판은 또한, 개별적인(respective) 극판들을 개별적인 복수의 자석들에 커플링하는 것을 용이하게 하기 위한 복수의 홀들(248)을 가질 수 있다. 관찰(viewing)의 용이성을 위해, 복수의 홀들(248)의 단지 일부만이 도 2a-b에 도시되어 있다. 그러나, 전체 극판을 따라서 뿐만 아니라 극판들 중 임의의 극판 상에 홀들이 제공될 수 있다.
[0026] 예를 들면, 제 1 베이스 플레이트(204)의 외측 자극 섹션(214)은, 복수의 자석들(222)(점선들로 도시됨) 및 복수의 자석들(222)의 정상에 배치된 극판(224)을 포함한다. 유사하게, 내측 자극 섹션(216)(점선들로 도시됨)은 복수의 자석들(226) 및 극판(228)(점선들로 도시됨)을 포함한다. 제 2 베이스 플레이트(206) 상에서, 외측 자극 섹션(218)은 복수의 자석들(230)(점선들로 도시됨) 및 극판(232)을 포함한다. 내측 자극 섹션(220)(점선들로 도시됨)은 복수의 자석들(233)(점선들로 도시됨) 및 극판(234)을 포함한다.
[0027] 자석들의 구성 및 개수는, 희망 형상 및 강도의 자기장을 형성하도록 요구되는 바에 따라 선택될 수 있다. 일반적으로, 각각의 내측 또는 외측 자극 섹션 내의 자석들의 각각은 동일한 극성(polarity)(예를 들면, 노스 업(north up) 또는 사우스 업(south up)과 같은 극성 방위(polar orientation))를 갖는다. 외측 자극 섹션들 중 각각은 동일한 극성을 가지며, 내측 자극 섹션들 중 각각은 동일한 극성을 갖는다. 내측 및 외측 자극들은 반대 극성(opposite polarity)을 갖는다. 따라서, 각각의 자극 내의 극성은 동일하지만(예를 들면, 북극 또는 남극), 극들 사이의 극성은 반대이다(예를 들면, 내측 북극과 외측 남극 또는 내측 남극과 외측 북극).
[0028] 따라서, 일부 실시예들에서, 각각의 내측 또는 외측 자극 섹션 내의 자석들 중 각각은 동일한 극성을 갖는다. 그러나, 일부 실시예들에서, 주어진 자극 섹션 내의 적은 개수의 자석들은, 그 자극 내의 나머지 자석들과 비교하여 반전된(reversed) 방위 또는 극성을 가질 수 있다. 종합적으로, 뒤집힌(flipped) 자석들을 갖는 자극 섹션은 동일한 네트 극성(net polarity)을 유지하지만, 자기 강도는 뒤집힌 자석들의 위치들에서 약화된다. 일부 실시예들에서, 자석들 중 절반 미만의 자석들은 이들의 반전된 극성을 갖는다. 일부 실시예들에서, 약 25%(예를 들면, 4개의 자석들 중 1개의 자석) 내지 약 15%(예를 들면, 13개의 자석들 중 2개의 자석)와 같이, 자석들의 절반보다 훨씬 더 적은 자석이 이들의 반전된 극성을 갖는다. 주어진 자극 섹션 내에서의 반전된 극성을 갖는 자석들의 위치 및 개수는, 타겟의 부식 프로파일을 유리하게 제어하고, 그에 따라 증착 두께 균일성 및 시트 저항(Rs) 균일성과 같은 기판 막 특성들을 제어하도록 선택될 수 있다. 예를 들면, 반전된 극성을 갖는 자석들은, 기판 상의 막 특성들 및/또는 타겟 수명을 제어하기 위해 요구되는 바에 따라, 명시된(specified) 타겟 반경들에서의 또는 타겟의 중심 가까이에서의 타겟 부식을 제어하기 위한 위치들에 위치될 수 있다.
[0029] 일반적으로, 극판들(224, 228, 232, 234)은, 강자성 물질, 이를테면 비-제한적인 예로, 400-시리즈 스테인리스 스틸 또는 다른 적합한 물질들로 제조될 수 있다. 내측 및 외측 자기장들 중 각각의 자기 강도는 동일하거나 상이할 수 있다.
[0030] 본 발명자들은, 내측 및 외측 자극 섹션들이, 서로에 대해 이동가능한, 제 1 베이스 플레이트 및 제 2 베이스 플레이트에 걸쳐 있을(span across) 수 있기는 하지만, 내측 및 외측 자극들이 단일 플레이트 상에 제공된 것처럼 실질적으로 연속적인 자기장이 제공될 수 있음을 발견하였다. 예를 들면, 외측 자극 섹션들(214, 218)은 갭들(236 및 238)에 의해 분리되며, 내측 자극 섹션들(216, 220)은 갭(240)에 의해 분리된다. 그러나, 제공되는 관측 자기장(observed magnetic field)은, 내측 자극 섹션들 및 외측 자극 섹션들이 각각 개별적으로(each respectively) 단일 피스들인 경우에 제공될 자기장과 실질적으로 유사하다.
[0031] 제 1 베이스 플레이트(204) 및 제 2 베이스 플레이트(206)에 걸쳐 있는 섹션들 내에 외측 자극 및 내측 자극을 제공함으로써, 제 1 베이스 플레이트(204)에 대한 제 2 베이스 플레이트(206)의 회전은 제 1 베이스 플레이트(204) 상에 배치된 자극 섹션들에 대한 제 2 베이스 플레이트(206) 상에 배치된 자극 섹션들의 상대 위치를 변경시킬 것이다. 제 1 베이스 플레이트(204)에 대한 제 2 베이스 플레이트(206)의 상대 위치뿐 아니라, 제 2 베이스 플레이트(206) 상의 자극 섹션들의 위치는, 회전가능한 자석 조립체(148)의 (도 2a에 도시된 바와 같은) 제 1 위치와 (도 2b에 도시된 바와 같은) 제 2 위치 둘 모두에서, 실질적으로 폐쇄 루프 자기장이 제공되도록 제어될 수 있다. 예를 들면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 회전가능한 자석 조립체(148)가 제 2 위치에 있을 때, 도 3a에 도시된 제 1 폐쇄 루프 자기장(302)과 상이한 제 2 폐쇄 루프 자기장(306)(제 2 기하학적 구성을 가짐)이 제공된다.
[0032] 일부 실시예들에서, 부가적인 자기장 트랙들이 제공될 수 있다. 예를 들면, 도 2a에 도시된 바와 같이, 내측 자극 섹션(220)의 반대편 측(side opposite) 상에서, 외측 자극 섹션(218) 근처에, 보충 자극(241)이 제공된다. 보충 자극(241)은 복수의 자석들(242) 및 분로 플레이트(shunt plate; 244)를 포함한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 보충 자극(241) 및 외측 자극 섹션(218)은 개방 루프 자기장(304)을 함께 제공한다.
[0033] 일부 실시예들에서, 제 1 베이스 플레이트(204)에 대한 제 2 베이스 플레이트(206)의 위치를 모니터링하기 위해, 예를 들면, 제 1 베이스 플레이트(204), 제 2 베이스 플레이트(206), 또는 지지 부재(202) 중 하나 또는 그 초과 상에 위치 센서(246)가 제공될 수 있다.
[0034] 본 발명의 폐쇄 트랙 디자인은 유리하게, 많은 양의 DC 전력(예를 들면, 수십 킬로와트(10's of kW's))을 낮은 압력(예를 들면, 한 자릿수 mTorr)으로 유지할 수 있다. 이는, 자기장 라인들이, 폐쇄 루프 트랙 디자인에 의해 효과적으로 트랩핑되며 자기장 라인들의 궤도를 도는(orbit) 전자들을 국한시키는데에 매우 효율적이기 때문에, 달성된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 마그네트론의 상이한 위치들은 유리하게, 프로세스 모드인 제 1 모드 및 세정 모드인 제 2 모드와 같은 상이한 작동 모드들에서 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 마그네트론의 구성은 타겟의 전면 부식(full face erosion)을 제공하지 않고, 타겟 상에서 물질의 일부 재-증착이 일어난다.
[0035] 예를 들면, 하나의 예시적인 응용예에서, DC 및 RF 에너지 둘 모두가 TiN 막을 증착하는데 사용될 수 있다. TiN은 통상적으로, 재-증착이 존재하고 그리고 티타늄 층에 의해 TiN이 "페이스팅(pasted)" 또는 접착(glued)되지 않는 경우, 스퍼터링된 타겟 또는 증착된 표면들로부터의 박리 또는 박편화에 의해 높은 입자 발생을 산출한다. TiN 증착의 많은 사이클들이 프로세스 모드에서 수행되는 경우, 입자 레벨들은 기판 레벨에서 증가하기 시작할 수 있다. 그러나, 마그네트론은, 폐쇄 트랙 구성을 유지하면서 자석의 섹션을 이동시킴으로써, 제 2 모드인 세정 모드로 스위칭될 수 있다. 이는 유리하게, 프로세스 모드에서 획득되는, 타겟의 비-스퍼터링된 영역을 스퍼터링하도록 자기장 라인들을 이동시킨다. 즉, 이중 위치 마그네트론은 최대 Br 위치의 변경(tailoring)을 허용한다. 따라서, 타겟 표면은 유리하게, 청결하게 유지될 수 있다. 폐쇄 트랙 디자인을 양쪽 모드들에서 유지함으로써, 타겟 세정 효율이 매우 높아지는데, 이는 수십 kW의 DC가 낮은 스퍼터 압력들(예를 들면, 한 자릿수 mTorr)로 유지될 수 있기 때문이다. 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제 2 마그네트론 구성 또는 모드는 제 2 프로세스 모드를 제공할 수 있다.
[0036] 도 1로 돌아가서, 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체(196)는 모터(176), 모터 샤프트(174), 기어 조립체(178), 및 회전가능한 자석 조립체(148)를 포함한다. 회전가능한 자석 조립체(148)는 복수의 자석들(150)을 포함하며, 하기에서 설명되는 바와 같이 중심 축(186)을 중심으로 복수의 자석들(150)을 회전시키도록 구성된다. 모터(176)는 전기 모터, 공압식 또는 유압식 드라이브, 또는 요구되는 토크를 제공할 수 있는 임의의 다른 프로세스-양립가능한 메커니즘일 수 있다. 회전가능한 자석 조립체(148)가 회전될 수 있는 방법을 예시하기 위해 본원에서 하나의 예시적인 실시예가 설명되나, 다른 구성들이 또한 사용될 수 있다.
[0037] 사용시, 마그네트론 조립체(196)는 공동(170) 내에서, 회전가능한 자석 조립체(148)를 회전시킨다. 예를 들면, 일부 실시예들에서, 모터(176), 모터 샤프트(174), 및 기어 조립체(178)는 회전가능한 자석 조립체(148)를 회전시키도록 제공될 수 있다. 마그네트론들을 갖는 종래의 PVD 챔버들에서, 마그네트론 구동 샤프트는 전형적으로, 챔버의 중심 축을 따라 배치되어서, 챔버의 중심 축과 정렬되는 위치에서 RF 에너지의 커플링을 방지한다. 그 반대로, 본 발명의 실시예들에서, 전극(154)은 프로세스 챔버(104)의 중심 축(186)과 정렬되며, 마그네트론의 모터 샤프트(174)는 접지 플레이트(156) 내의 편심 개구를 통하여 배치될 수 있다. 접지 플레이트(156)로부터 돌출하는 모터 샤프트(174)의 단부는 모터(176)에 커플링된다. 모터 샤프트(174)는 소스 분배 플레이트(158) 내의 편심 개구를 통하여 추가로 배치되며 기어 조립체(178)에 커플링된다.
[0038] 기어 조립체(178)는 임의의 적합한 수단에 의해, 이를테면 소스 분배 플레이트(158)의 바닥 표면에 커플링됨으로써 지지될 수 있다. 기어 조립체(178)는, 기어 조립체(178)의 적어도 상부 표면을 유전체 물질로 제조함으로써, 또는 기어 조립체(178)와 소스 분배 플레이트(158) 사이에 절연체 층(미도시), 등을 삽입함으로써, 또는 모터 샤프트(174)를 임의의 유전체 물질로 구성함으로써, 소스 분배 플레이트(158)로부터 절연될 수 있다. 기어 조립체(178)는 모터(176)에 의해 제공되는 회전 운동을 회전가능한 자석 조립체(148)에 전달하기 위해, 회전가능한 자석 조립체(148)에 추가로 커플링된다. 기어 조립체(178)는, 풀리들, 기어들, 또는 모터(176)에 의해 제공되는 회전 운동을 전달하는 다른 적합한 수단의 사용을 통하여, 회전가능한 자석 조립체(148)에 커플링될 수 있다.
[0039] 기판 지지부(106)는 타겟 조립체(114)의 주 표면과 대면하는 물질-수용 표면(material-receiving surface)을 가지며, 타겟 조립체(114)의 주 표면과 대향하는 평면 위치에서 스퍼터 코팅될 기판(108)을 지지한다. 기판 지지부(106)는 프로세스 챔버(104)의 중심 영역(120)에서 기판(108)을 지지할 수 있다. 중심 영역(120)은 프로세싱 동안 기판 지지부(106) 위의(예를 들면, 프로세싱 위치에 있을 때 기판 지지부(106)와 타겟 조립체(114) 사이의) 영역으로서 정의된다.
[0040] 일부 실시예들에서, 기판 지지부(106)는, 프로세스 챔버(104)의 하부 부분에서 로드 록 밸브(미도시)를 통해 기판 지지부(106) 상으로 기판(108)이 이송되고 그 후 증착 또는 프로세싱 위치로 상승될 수 있게 하도록, 수직으로 이동가능할 수 있다. 바닥 챔버 벽(124)에 연결된 벨로우즈(122)가 제공되어, 프로세스 챔버(104)의 외부의 대기로부터 프로세스 챔버(104)의 내측 용적의 분리를 유지하면서, 기판 지지부(106)의 수직 운동을 가능하게 할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스들이 가스 소스(126)로부터 질량 유동 제어기(128)를 통해 프로세스 챔버(104)의 하부 부분 내로 공급될 수 있다. 프로세스 챔버(104)의 내부를 배기하고 프로세스 챔버(104) 내부에 희망 압력을 유지하는 것을 용이하게 하기 위해, 배기 포트(130)가 제공되고 밸브(132)를 통해 펌프(미도시)에 커플링될 수 있다.
[0041] 기판(108) 상에 네거티브 DC 바이어스를 유도하기 위해, 기판 지지부(106)에 RF 바이어스 전력 소스(134)가 커플링될 수 있다. 추가로, 일부 실시예들에서, 프로세싱 동안 기판(108) 상에 네거티브 DC 셀프-바이어스가 형성될 수 있다. 예를 들면, RF 바이어스 전력 소스(134)에 의해 공급되는 RF 에너지의 주파수 범위는 약 2 MHz 내지 약 60 MHz일 수 있으며, 예를 들면, 2 MHz, 13.56 MHz, 또는 60 MHz와 같은 비제한적인 주파수들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, RF 전력은 약 2 kW 내지 약 20 kW의 범위 내에서 공급될 수 있다. 일부 실시예들에서, DC 전력은 약 2 kW 내지 약 40 kW의 범위 내에서 공급될 수 있다. 다른 응용예들에서, 기판 지지부(106)는 접지될 수 있거나, 전기적으로 플로팅된 상태로 남겨질 수 있다. 대안적으로 또는 조합하여, RF 바이어스 전력이 요구되지 않을 수 있는 응용예들에 대해, 기판(108) 상의 전압을 조정하기 위해, 캐패시턴스 튜너(136)가 기판 지지부(106)에 커플링될 수 있다.
[0042] 프로세스 챔버(104)는, 프로세스 챔버(104)의 중심 영역 또는 프로세싱 용적을 둘러싸고 그리고 프로세싱으로부터의 오염 및/또는 손상으로부터 다른 챔버 컴포넌트들을 보호하기 위해, 프로세스 키트 쉴드, 또는 쉴드(138)를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 쉴드(138)는 프로세스 챔버(104)의 상부의 접지된 엔클로져 벽(upper grounded enclosure wall)(116)의 렛지(140)에 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버 리드(102)는 상부의 접지된 엔클로져 벽(116)의 렛지(140) 상에 놓일 수 있다. 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)과 유사하게, 상부의 접지된 엔클로져 벽(116)은 챔버 리드(102)의 접지 조립체(103)와 하부의 접지된 엔클로져 벽(110) 사이의 RF 복귀 경로의 일부를 제공할 수 있다. 그러나, 이를테면 접지되는 쉴드(138)를 통하여, 다른 RF 복귀 경로들이 가능하다.
[0043] 쉴드(138)는 아래쪽으로 연장되며, 중심 영역(120)을 전반적으로 둘러싸는, 대체로 일정한 직경을 갖는 대체로 관형인(tubular) 부분을 포함할 수 있다. 쉴드(138)는, 상부의 접지된 엔클로져 벽(116) 및 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)의 벽들을 따라 아래쪽으로 기판 지지부(106)의 최상부 표면 아래까지 연장하고, 기판 지지부(106)의 최상부 표면에 도달할 때까지 위쪽으로 복귀된다(예를 들면, 쉴드(138)의 바닥에 u-형상 부분을 형성한다). 커버 링(146)은, 기판 지지부(106)가 기판 지지부의 하부의 로딩 위치(lower loading position)에 있을 때는, 쉴드(138)의, 위쪽으로 연장하는 내측 부분의 최상부 상에 놓이지만, 기판 지지부가 기판 지지부의 상부의 증착 위치(upper deposition position)에 있을 때는, 기판 지지부(106)의 외측 주변부 상에 놓여져서, 스퍼터 증착으로부터 기판 지지부(106)를 보호한다. 기판(108)의 엣지 둘레에서의 증착으로부터 기판 지지부(106)의 엣지들을 보호하기 위해, 부가적인 증착 링(미도시)이 사용될 수 있다.
[0044] 일부 실시예들에서, 기판 지지부(106)와 타겟 조립체(114) 사이에 자기장을 선택적으로 제공하기 위해, 자석(152)이 프로세스 챔버(104) 주위에 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 자석(152)은, 프로세싱 위치에 있을 때 기판 지지부(106) 바로 위의 영역에서 엔클로져 벽(110)의 외면(outside) 주위에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 자석(152)은 부가적으로 또는 대안적으로, 상부의 접지된 엔클로져 벽(116) 부근과 같은 다른 위치들에 배치될 수 있다. 자석(152)은 전자석일 수 있으며, 전자석에 의해 생성되는 자기장의 크기를 제어하기 위해 전력 소스(미도시)에 커플링될 수 있다.
[0045] 챔버 리드(102)는 일반적으로, 타겟 조립체(114) 주위에 배치된 접지 조립체(103)를 포함한다. 접지 조립체(103)는 제 1 표면(157)을 갖는 접지 플레이트(156)를 포함할 수 있으며, 제 1 표면은 타겟 조립체(114)의 후면측과 대향하며 후면측에 대해 대체로 평행할 수 있다. 접지 쉴드(112)는 접지 플레이트(156)의 제 1 표면(157)으로부터 연장할 수 있으며 타겟 조립체(114)를 둘러쌀 수 있다. 접지 조립체(103)는 접지 조립체(103) 내에 타겟 조립체(114)를 지지하기 위한 지지 부재(175)를 포함할 수 있다.
[0046] 일부 실시예들에서, 지지 부재(175)는 지지 부재(175)의 외측 주변부 엣지 근처에서 접지 쉴드(112)의 하부 단부에 커플링될 수 있으며, 시일 링(181) 및 타겟 조립체(114)를 지지하기 위해 방사상 내측으로 연장한다. 시일 링(181)은 링, 또는 희망 단면을 갖는 다른 환형 형상일 수 있다. 시일 링(181)은 평면의 그리고 대체로 평행한 2개의 대향하는 표면들을 포함하며, 시일 링(181)의 제 1 측 상에서는, 백킹 플레이트 조립체(160)와 같은 타겟 조립체(114)와 인터페이싱하는 것을 용이하게 하고, 시일 링(181)의 제 2 측 상에서는, 지지 부재(175)와 인터페이싱하는 것을 용이하게 한다. 시일 링(181)은 세라믹과 같은 유전체 물질로 제조될 수 있다. 시일 링(181)은 접지 조립체(103)로부터 타겟 조립체(114)를 절연시킬 수 있다.
[0047] 지지 부재(175)는, 타겟 조립체(114)를 수용하도록(accommodate) 중심 개구를 갖는, 대체로 평면인 부재일 수 있다. 일부 실시예들에서, 지지 부재(175)는 형상이 원형 또는 디스크형(disc-like)일 수 있지만, 이러한 형상은 챔버 리드의 대응하는 형상 및/또는 PVD 프로세싱 시스템(100)에서 프로세싱될 기판의 형상에 따라 달라질 수 있다.
[0048] 타겟 조립체(114)는, 스퍼터링 동안 기판(108)과 같은 기판 상에 증착될 소스 물질(113), 이를테면 금속, 금속 산화물, 금속 합금, 등을 포함할 수 있다. 본 발명과 일치하는 실시예들에서, 타겟 조립체(114)는 소스 물질(113)을 지지하기 위한 백킹 플레이트 조립체(160)를 포함한다. 소스 물질(113)은 도 1에 도시된 바와 같이, 백킹 플레이트 조립체(160)의 기판 지지부 대면측 상에 배치될 수 있다. 백킹 플레이트 조립체(160)는, RF 및 DC 전력이 백킹 플레이트 조립체(160)를 통해 소스 물질(113)에 커플링될 수 있도록, 전도성 물질, 이를테면 구리-아연, 구리-크롬, 또는 타겟과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 대안적으로, 백킹 플레이트 조립체(160)는 비전도성일 수 있으며, 전기 피드스루(electrical feedthrough)들 등과 같은 전도성 엘리먼트들(미도시)을 포함할 수 있다.
[0049] 일부 실시예들에서, 백킹 플레이트 조립체(160)는 제 1 백킹 플레이트(161) 및 제 2 백킹 플레이트(162)를 포함한다. 제 1 백킹 플레이트(161) 및 제 2 백킹 플레이트(162)는 디스크 형상, 직사각형, 정사각형, 또는 PVD 프로세싱 시스템(100)에 의해 수용될 수 있는 임의의 다른 형상일 수 있다. 제 1 백킹 플레이트의 전방 측은 소스 물질(113)을 지지하도록 구성되며, 그에 따라 소스 물질의 전방 표면은, 존재할 경우 기판(108)과 대향한다. 소스 물질(113)은 임의의 적합한 방식으로 제 1 백킹 플레이트(161)에 커플링될 수 있다. 예를 들면, 일부 실시예들에서, 소스 물질(113)은 제 1 백킹 플레이트(161)에 확산 본딩될(diffusion bonded) 수 있다.
[0050] 제 1 백킹 플레이트(161)와 제 2 백킹 플레이트(162) 사이에 채널들의 복수의 세트들(169)이 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 백킹 플레이트들(161, 162)은 채널들의 복수의 세트들(169)에 제공되는 냉각제의 누출을 방지하기 위해, 실질적으로 수밀 시일(water tight seal)(예를 들면, 제 1 백킹 플레이트와 제 2 백킹 플레이트 사이의 유체 시일)을 형성하도록 함께 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 타겟 조립체(114)는 프로세스 챔버(104) 내에 타겟 조립체(114)를 지지하기 위해 중심 지지 부재(192)를 더 포함할 수 있다.
[0051] 일부 실시예들에서, 전도성 지지 링(164)은 소스 분배 플레이트로부터 타겟 조립체(114)의 주변 엣지로 RF 에너지를 전파하기 위해, 소스 분배 플레이트(158)와 타겟 조립체(114)의 후면측 사이에 배치될 수 있다. 전도성 지지 링(164)은 원통형일 수 있으며, 소스 분배 플레이트(158)의 주변 엣지에 근접한, 소스 분배 플레이트(158)의 타겟-대면 표면에 커플링되는 제 1 단부(166), 및 타겟 조립체(114)의 주변 엣지에 근접한, 타겟 조립체(114)의 소스 분배 플레이트-대면 표면에 커플링되는 제 2 단부(168)를 갖는다. 일부 실시예들에서, 제 2 단부(168)는 백킹 플레이트 조립체(160)의 주변 엣지에 근접한, 백킹 플레이트 조립체(160)의 소스 분배 플레이트 대면 표면에 커플링된다.
[0052] 소스 분배 플레이트(158), 전도성 지지 링(164), 및 타겟 조립체(114)(및/또는 백킹 플레이트 조립체(160))의 외측 표면들과 접지 플레이트(156) 사이에 절연 갭(180)이 제공된다. 절연 갭(180)은, 공기, 또는 세라믹, 플라스틱, 등과 같은 몇몇 다른 적합한 유전체 물질로 충진될 수 있다. 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 거리는 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 유전체 물질에 좌우된다. 유전체 물질이 대부분 공기인 경우, 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 거리는 약 15 mm 내지 약 40 mm일 수 있다.
[0053] 접지 조립체(103) 및 타겟 조립체(114)는, 시일 링(181)에 의해 그리고 접지 플레이트(156)의 제 1 표면(157)과 타겟 조립체(114)의 후면측, 예를 들면, 소스 분배 플레이트(158)의 비-타겟 대면 측(non-target facing side) 사이에 배치된 절연체들(미도시) 중 하나 또는 그 초과에 의해 전기적으로 분리될(separated) 수 있다.
[0054] PVD 프로세싱 시스템(100)은 전극(154)에 연결되는 RF 전력 소스(182)(예를 들면, RF 피드 구조)를 갖는다. 전극(154)은 접지 플레이트(156)를 통과할 수 있으며, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링된다. RF 전력 소스(182)는 RF 생성기, 및 예를 들면, 동작 동안 RF 생성기로 다시 반사되는 RF 에너지를 최소화하기 위한 매칭 회로를 포함할 수 있다. 예를 들면, RF 전력 소스(182)에 의해 공급되는 RF 에너지의 주파수 범위는 약 13.56 MHz 내지 약 162 MHz 또는 그 초과일 수 있다. 예를 들면, 13.56 MHz, 27.12 MHz, 40.68 MHz, 60 MHz, 또는 162 MHz와 같은 비-제한적인 주파수들이 사용될 수 있다.
[0055] 일부 실시예들에서, PVD 프로세싱 시스템(100)은 프로세싱 동안 타겟 조립체(114)에 부가적인 에너지를 제공하기 위해, 제 2 에너지 소스(183)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 에너지 소스(183)는, 예를 들면, 타겟 물질의 스퍼터링 레이트(그리고 그에 따라 기판 상에서의 증착 레이트)를 향상시키도록 DC 에너지를 제공하기 위한 DC 전력 소스일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 에너지 소스(183)는, 예를 들면, RF 전력 소스(182)에 의해 제공되는 RF 에너지의 제 1 주파수와 상이한 제 2 주파수에서 RF 에너지를 제공하기 위한, RF 전력 소스(182)와 유사한 제 2 RF 전력 소스일 수 있다. 제 2 에너지 소스(183)가 DC 전력 소스인 실시예들에서, 제 2 에너지 소스는, 전극(154) 또는 몇몇 다른 전도성 부재(이를테면 하기에서 논의되는 소스 분배 플레이트(158))와 같은, 타겟 조립체(114)에 DC 에너지를 전기적으로 커플링하기에 적합한 임의의 위치에서 타겟 조립체(114)에 커플링될 수 있다. 제 2 에너지 소스(183)가 제 2 RF 전력 소스인 실시예들에서, 제 2 에너지 소스는 전극(154)을 통해 타겟 조립체(114)에 커플링될 수 있다.
[0056] 전극(154)은 원통형이거나 그렇지 않으면 로드형(rod-like)일 수 있으며, 프로세스 챔버(104)의 중심 축(186)과 정렬될 수 있다(예를 들면, 전극(154)은, 중심 축(186)과 일치하는, 타겟의 중심 축과 일치하는 지점에서 타겟 조립체에 커플링될 수 있다). 프로세스 챔버(104)의 중심 축(186)과 정렬되는 전극(154)은 축대칭(axisymmetrical) 방식으로 RF 전력 소스(182)로부터 타겟 조립체(114)로 RF 에너지를 인가하는 것을 용이하게 한다(예를 들면, 전극(154)은 PVD 챔버의 중심 축과 정렬되는 "단일 지점"에서 타겟에 RF 에너지를 커플링할 수 있다). 전극(154)의 중심 위치는 기판 증착 프로세스들에서 증착 비대칭을 제거하거나 감소시키는 것을 돕는다. 전극(154)은 임의의 적합한 직경을 가질 수 있다. 예를 들면, 다른 직경들이 사용될 수 있지만, 일부 실시예들에서, 전극(154)의 직경은 약 0.5 내지 약 2 인치일 수 있다. 전극(154)은 일반적으로, PVD 챔버의 구성에 따라 임의의 적합한 길이를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극은 약 0.5 내지 약 12 인치의 길이를 가질 수 있다. 전극(154)은 알루미늄, 구리, 은, 등과 같은 임의의 적합한 전도성 물질로 제조될 수 있다. 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전극(154)은 관형일 수 있다. 일부 실시예들에서, 관형 전극(154)의 직경은, 예를 들면, 마그네트론에 대한 중심 샤프트를 제공하는 것을 용이하게 하기에 적합할 수 있다.
[0057] 전극(154)은 접지 플레이트(156)를 통과할 수 있으며, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링된다. 접지 플레이트(156)는 알루미늄, 구리 등과 같은 임의의 적합한 전도성 물질을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 절연체들(미도시) 사이의 개방된 공간들은 소스 분배 플레이트(158)의 표면을 따라 RF 파(RF wave) 전파를 허용한다. 일부 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 절연체들은 PVD 프로세싱 시스템의 중심 축(186)에 대해 대칭적으로 포지셔닝될 수 있다. 그러한 포지셔닝은 소스 분배 플레이트(158)의 표면을 따라, 그리고 궁극적으로, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링되는 타겟 조립체(114)로의 대칭적인 RF 파 전파를 용이하게 할 수 있다. RF 에너지는, 전극(154)의 중심 위치에 적어도 부분적으로 기인하여, 종래의 PVD 챔버들에 비해, 보다 대칭적이고 균일한 방식으로 제공될 수 있다.
[0058] 제어기(194)가 제공되고 PVD 프로세싱 시스템(100)의 다양한 컴포넌트들에 커플링되어, 그 동작을 제어할 수 있다. 제어기(194)는 중앙 처리 유닛(CPU)(118), 메모리(172), 및 지원 회로들(173)을 포함한다. 제어기(194)는 PVD 프로세싱 시스템(100)을 직접적으로 제어할 수 있거나, 특정 프로세스 챔버 및/또는 지원 시스템 컴포넌트들과 연관된 컴퓨터들(또는 제어기들)에 의해 제어할 수 있다. 제어기(194)는, 다양한 챔버들 및 하위-프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. 제어기(194)의 메모리 또는 컴퓨터 판독가능한 매체(172)는, 로컬 또는 원격의, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 광학 저장 매체들(예를 들면, 컴팩트 디스크 또는 디지털 비디오 디스크), 플래시 드라이브, 또는 임의의 다른 형태의 디지털 저장소와 같은, 용이하게 입수가능한 메모리 중 하나 또는 그 초과일 수 있다. 지원 회로들(173)은 종래의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(118)에 커플링된다. 이러한 회로들은, 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로망 및 서브시스템들, 등을 포함한다. 본원에서 설명된 바와 같은 발명의 방법들은, 본원에서 설명된 방식으로 PVD 프로세싱 시스템(100)의 동작을 제어하도록 실행되거나 호출될(invoked) 수 있는 소프트웨어 루틴으로서 메모리(172)에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, CPU(118)에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격에 위치되는 제 2 CPU(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
[0059] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 마그네트론 조립체로서:
    제 1 베이스 플레이트;
    상기 제 1 베이스 플레이트에 대해, 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능한 제 2 베이스 플레이트;
    상기 제 1 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션(outer magnetic pole section) 및 상기 제 2 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션을 포함하며, 루프의 형상인 외측 자극; 및
    상기 외측 자극 내에 배치되는 내측 자극을 포함하며,
    상기 외측 자극 및 내측 자극은 폐쇄 루프 자기장을 정의하고, 상기 제 2 베이스 플레이트가 상기 제 1 위치에 배치되는 경우와 제 2 위치에 배치되는 경우의 둘 모두의 경우, 상기 폐쇄 루프 자기장이 유지되는
    마그네트론 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폐쇄 루프 자기장은, 상기 제 2 베이스 플레이트가 상기 제 1 위치에 배치되는 경우, 제 1 기하학적 구성을 갖고, 상기 제 2 베이스 플레이트가 상기 제 2 위치에 배치되는 경우, 상기 제 1 기하학적 구성과 상이한 제 2 기하학적 구성을 갖는
    마그네트론 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 베이스 플레이트 및 상기 제 2 베이스 플레이트에 커플링되는 지지 부재를 더 포함하고, 상기 지지 부재는 중심 축을 가지며, 상기 중심 축을 중심으로 상기 마그네트론 조립체가 회전하는
    마그네트론 조립체.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 베이스 플레이트는 상기 지지 부재에 고정되게(fixedly) 커플링되며, 상기 제 2 베이스 플레이트는 상기 지지 부재에 이동가능하게 커플링되는
    마그네트론 조립체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치 사이에서 상기 지지 부재에 상기 제 2 베이스 플레이트를 회전가능하게 커플링시키는 브래킷을 더 포함하는
    마그네트론 조립체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내측 자극은 상기 제 1 베이스 플레이트에 커플링되는 내측 자극 섹션 및 상기 제 2 베이스 플레이트에 커플링되는 내측 자극 섹션을 포함하는
    마그네트론 조립체.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내측 자극 및 외측 자극 중 각각의 자극은 복수의 자석들에 의해 형성되는
    마그네트론 조립체.
  8. 제 7 항에 있어서,
    보다 균일한 자기장을 제공하기 위해 복수의 극판들(pole plates)을 더 포함하며, 각각의 극판은 자극들 또는 자극 섹션들 중의 각각의 자극들 또는 자극 섹션들의 복수의 자석들의 최상부들(tops)에 커플링되는
    마그네트론 조립체.
  9. 제 7 항에 있어서,
    각각의 내측 또는 외측 자극 내의 자석들의 각각은 동일한 극성(polarity)을 가지며, 상기 외측 자극의 극성은 상기 내측 자극의 극성과 반대이거나(opposite);
    주어진 자극을 형성하는 임의의 복수의 자석들 중 절반 미만의 자석이, 상기 주어진 자극을 형성하는 상기 복수의 자석들 중 나머지 자석들의 극성과 반대인 극성을 갖거나; 또는
    주어진 자극을 형성하는 임의의 복수의 자석들 중 약 15% 내지 약 25%의 개별적인 자석들이, 상기 주어진 자극을 형성하는 상기 복수의 자석들 중 나머지 자석들의 극성과 반대인 극성을 갖는 것;
    중 하나인
    마그네트론 조립체.
  10. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    외측 자극 섹션들 중 각각의 외측 자극 섹션은 제 1 극성을 가지며, 상기 내측 자극은 상기 제 1 극성의 반대인 제 2 극성을 갖는
    마그네트론 조립체.
  11. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내측 자극의 반대편 측 상에서, 상기 외측 자극 근처에 배치되는 보충 자극을 더 포함하는
    마그네트론 조립체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 보충 자극 및 상기 외측 자극 섹션은 개방 루프 자기장을 함께 제공하는
    마그네트론 조립체.
  13. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 베이스 플레이트에 대한 상기 제 2 베이스 플레이트의 위치를 모니터링하는 위치 센서를 더 포함하는
    마그네트론 조립체.
  14. 기판 프로세싱 시스템으로서:
    챔버;
    상기 챔버의 정상에(atop) 제거가능하게 배치되는 리드;
    상기 리드에 커플링되는 타겟 조립체 ― 상기 타겟 조립체는, 타겟으로부터 스퍼터링되어 기판 상에 증착될 타겟 물질을 포함함 ―;
    프로세싱 동안 기판을 지지하기 위해 상기 챔버 내에 배치되는 기판 지지부; 및
    마그네트론 조립체를 포함하며,
    상기 마그네트론 조립체는:
    제 1 베이스 플레이트;
    상기 제 1 베이스 플레이트에 대해, 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능한 제 2 베이스 플레이트;
    상기 제 1 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션(outer magnetic pole section) 및 상기 제 2 베이스 플레이트에 커플링되는 외측 자극 섹션을 포함하며, 루프의 형상인 외측 자극; 및
    상기 외측 자극 내에 배치되는 내측 자극을 포함하며,
    상기 외측 자극 및 내측 자극은 폐쇄 루프 자기장을 정의하고, 상기 제 2 베이스 플레이트가 상기 제 1 위치에 배치되는 경우와 제 2 위치에 배치되는 경우의 둘 모두의 경우, 상기 폐쇄 루프 자기장이 유지되는
    기판 프로세싱 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 타겟 조립체에 커플링되는 DC 전력 소스; 및
    상기 타겟 조립체에 커플링되는 RF 전력 소스;를 더 포함하는
    기판 프로세싱 시스템.
KR1020157025535A 2013-03-01 2014-02-24 구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론 KR102188022B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361771450P 2013-03-01 2013-03-01
US61/771,450 2013-03-01
US14/182,740 US9812303B2 (en) 2013-03-01 2014-02-18 Configurable variable position closed track magnetron
US14/182,740 2014-02-18
PCT/US2014/018022 WO2014133964A1 (en) 2013-03-01 2014-02-24 Configurable variable position closed track magnetron

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150123266A true KR20150123266A (ko) 2015-11-03
KR102188022B1 KR102188022B1 (ko) 2020-12-07

Family

ID=51420396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157025535A KR102188022B1 (ko) 2013-03-01 2014-02-24 구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9812303B2 (ko)
KR (1) KR102188022B1 (ko)
CN (1) CN104937134B (ko)
TW (1) TWI613308B (ko)
WO (1) WO2014133964A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190069577A (ko) * 2016-10-31 2019-06-19 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. 마그네트론, 마그네트론 스퍼터링 챔버 및 마그네트론 스퍼터링 장치

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI730139B (zh) 2016-07-27 2021-06-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
US11189472B2 (en) * 2017-07-17 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Cathode assembly having a dual position magnetron and centrally fed coolant
US11024490B2 (en) * 2017-12-11 2021-06-01 Applied Materials, Inc. Magnetron having enhanced target cooling configuration
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
US11194244B2 (en) 2018-12-21 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI818151B (zh) 2019-03-01 2023-10-11 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積腔室及其操作方法
TW202043905A (zh) 2019-03-01 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積系統與處理
US11639544B2 (en) 2019-03-01 2023-05-02 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition system and processes
US11327394B2 (en) 2019-04-19 2022-05-10 Applied Materials Inc. Graded interface in bragg reflector
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836073B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
US11275304B2 (en) 2019-05-22 2022-03-15 Applied Materials Inc. Extreme ultraviolet mask absorber matertals
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
TW202122909A (zh) 2019-10-25 2021-06-16 美商應用材料股份有限公司 減少極紫外遮罩毛坯缺陷之方法
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
CN111304620A (zh) * 2020-04-24 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备及其磁控管机构
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
CN111809157B (zh) * 2020-07-17 2022-11-25 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其磁控管机构
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11815803B2 (en) 2021-08-30 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
US11782337B2 (en) 2021-09-09 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5284564A (en) * 1991-07-30 1994-02-08 Leybold Aktiengesellschaft Magnetron sputtering cathode for vacuum coating apparatus
US6207026B1 (en) * 1999-10-13 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for substrate processing system
US6440282B1 (en) * 1999-07-06 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron
US20020162737A1 (en) * 2001-05-03 2002-11-07 Martin Durs Magnetron sputter source with multipart target
US20090026073A1 (en) * 2005-02-08 2009-01-29 Keitaro Harada Sputtering system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5188717A (en) 1991-09-12 1993-02-23 Novellus Systems, Inc. Sweeping method and magnet track apparatus for magnetron sputtering
EP1286379B1 (en) * 2001-08-22 2012-05-09 Panasonic Corporation Magnetron
US7186319B2 (en) 2005-01-05 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Multi-track magnetron exhibiting more uniform deposition and reduced rotational asymmetry
AU2006300441A1 (en) 2005-10-07 2007-04-19 Tohoku University Magnetron sputtering apparatus
US20070108041A1 (en) * 2005-11-11 2007-05-17 Guo George X Magnetron source having increased usage life
US7767064B2 (en) 2006-10-27 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Position controlled dual magnetron
JP2008163355A (ja) 2006-12-26 2008-07-17 Nec Electronics Corp マグネトロンスパッタ装置及び薄膜製造方法
US20100012481A1 (en) 2008-07-21 2010-01-21 Guo G X Deposition system having improved material utilization

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5284564A (en) * 1991-07-30 1994-02-08 Leybold Aktiengesellschaft Magnetron sputtering cathode for vacuum coating apparatus
US6440282B1 (en) * 1999-07-06 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron
US6207026B1 (en) * 1999-10-13 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for substrate processing system
US20020162737A1 (en) * 2001-05-03 2002-11-07 Martin Durs Magnetron sputter source with multipart target
US20090026073A1 (en) * 2005-02-08 2009-01-29 Keitaro Harada Sputtering system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190069577A (ko) * 2016-10-31 2019-06-19 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. 마그네트론, 마그네트론 스퍼터링 챔버 및 마그네트론 스퍼터링 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN104937134A (zh) 2015-09-23
TWI613308B (zh) 2018-02-01
US9812303B2 (en) 2017-11-07
CN104937134B (zh) 2017-10-27
US20140246314A1 (en) 2014-09-04
KR102188022B1 (ko) 2020-12-07
WO2014133964A1 (en) 2014-09-04
TW201439357A (zh) 2014-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102188022B1 (ko) 구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론
KR101725431B1 (ko) Ｐｖｄ ｒｆ ｄｃ 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론
US9991101B2 (en) Magnetron assembly for physical vapor deposition chamber
US8580094B2 (en) Magnetron design for RF/DC physical vapor deposition
US10283331B2 (en) PVD plasma control using a magnet edge lift mechanism
WO2011123399A2 (en) Apparatus for physical vapor deposition having centrally fed rf energy
CN102918175A (zh) 具有旋转磁铁组件和中央馈送射频功率的物理气相沉积腔室
CN109554672A (zh) 用于物理气相沉积的电介质沉积的设备
TWI593027B (zh) 具有射頻(rf)回程路徑之基板支撐件
KR20150002719A (ko) 플라즈마­제한 갭을 갖는 프로세스 키트
KR101824201B1 (ko) 마그네트론과 마그네트론 스퍼터링 장치
US9028659B2 (en) Magnetron design for extended target life in radio frequency (RF) plasmas
JP2010001526A (ja) マグネトロンスパッタ方法及びマグネトロンスパッタ装置
JP7354090B2 (ja) デュアル位置マグネトロンおよび中心に送出される冷却剤を有するカソードアセンブリ
TW202302894A (zh) 使用改進的屏蔽配置處理基板的方法和裝置
JP2009235581A (ja) 高周波スパッタリング装置
US20190180992A1 (en) Magnetron having enhanced target cooling configuration
TWI537406B (zh) 具有旋轉磁性組件與中央饋送射頻能量之物理氣相沉積腔室
TW202245009A (zh) 用於使用改進的屏蔽件配置處理基板的方法及設備
US20210407778A1 (en) Multi-radius magnetron for physical vapor deposition (pvd) and methods of use thereof

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant