KR101725431B1 - Ｐｖｄ ｒｆ ｄｃ 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론 - Google Patents

Ｐｖｄ ｒｆ ｄｃ 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론 Download PDF

Info

Publication number
KR101725431B1
KR101725431B1 KR1020157023677A KR20157023677A KR101725431B1 KR 101725431 B1 KR101725431 B1 KR 101725431B1 KR 1020157023677 A KR1020157023677 A KR 1020157023677A KR 20157023677 A KR20157023677 A KR 20157023677A KR 101725431 B1 KR101725431 B1 KR 101725431B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
magnetic pole
central axis
open
open loop
Prior art date
Application number
KR1020157023677A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150114986A (ko
Inventor
키스 에이. 밀러
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20150114986A publication Critical patent/KR20150114986A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101725431B1 publication Critical patent/KR101725431B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452—Magnet distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455—Movable magnets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

마그네트론 조립체를 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체는, 제 1 중심 축을 가지며, 상기 제 1 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 1 플레이트; 상기 제 1 플레이트에 커플링되는 제 1 개방 루프 자극; 제 2 중심 축을 가지며, 상기 제 2 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 2 플레이트; 및 상기 제 2 플레이트에 커플링되는 제 2 개방 루프 자극을 포함하며, 상기 제 1 개방 루프 자극 및 상기 제 2 개방 루프 자극은, 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때, 폐쇄 루프 자극을 형성한다.

Description

ＰＶＤ ＲＦ ＤＣ 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론{PVD RF DC OPEN/CLOSED LOOP SELECTABLE MAGNETRON}
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로 물질들의 스퍼터링에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명의 실시예들은 물리 기상 증착 챔버에서 사용하기 위한 마그네트론에 관한 것이다.
[0002] 대안적으로 물리 기상 증착(PVD)으로 지칭되는 스퍼터링은 반도체 집적 회로들의 제조시 금속들 및 관련 물질들을 증착하는데 오랫동안 사용되어 왔다. 스퍼터링의 사용은, 비아들 또는 다른 수직 상호연결 구조들과 같은 고 종횡비 홀들의 측벽들 상에 금속 층들을 증착하는 것까지 확대되었다. 일반적으로, 진보된 스퍼터링 응용예들은, 비아 내에 금속성 층을 후속 전기도금하기 위한 금속성 시드 층을 증착하는 것, 및 금속성 층이 유전체로 확산되는 것을 방지하기 위해, 비아 측벽의 유전체 물질 상에 배리어 층을 증착하는 것을 포함한다.
[0003] 플라즈마 스퍼터링은 DC 스퍼터링 또는 RF 스퍼터링을 사용하여 이루어질 수 있다. 플라즈마 스퍼터링은 전형적으로, 플라즈마의 밀도를 증가시키고 스퍼터링 레이트를 향상시키기 위해 프로세싱 공간 내로 자기장을 투사하도록, 스퍼터링 타겟의 후방에 포지셔닝된 마그네트론을 포함한다. 마그네트론에 사용되는 자석들은 전형적으로, DC 스퍼터링에 대해서는 폐쇄 루프이며, RF 스퍼터링에 대해서는 개방 루프이다. DC 플라즈마들은 전자들을 폐쇄 루프 레이스 트랙(closed loop race track) 내로 엄격히(closely) 국한하며(confine), 그렇지 않으면 타겟 전압이 매우 높아지게 되고, 적당한 전압 및 압력에서의 스퍼터링을 지원하지 않는다. RF 스퍼터링은 매우 탄력적이며(flexible) 거의 모든 자기장과 작용할 수 있지만, 자기장이 너무 높다면, 플라즈마는 레이스 트랙 영역에 과도하게 집중될 수 있다. RF 플라즈마의 임의의 과도한 집중은 매우 낮은 타겟 전압들 및 매우 낮은 스퍼터 레이트들로 이어질 수 있다. 그러나, 전형적인 마그네트론들은, 요구되는 스터퍼링의 타입(즉, DC 또는 RF 스퍼터링)에 기초하여 선택적으로 사용되도록, 개방 루프 및 폐쇄 루프 PVD 자석들 둘 모두를 제공하지 않는다.
[0004] 따라서, 본 발명자들은, 동일한 하드웨어를 이용하여 동일한 챔버에서 DC 및 RF 플라즈마 국한(confinement) 둘 모두를 유리하게 제공할 수 있는 자석 구성(magnet configuration)을 제공하였다.
[0005] 마그네트론 조립체에 대한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체는, 제 1 중심 축을 가지며, 제 1 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 1 플레이트; 제 1 플레이트에 커플링되는 제 1 개방 루프 자극; 제 2 중심 축을 가지며, 제 2 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 2 플레이트; 및 제 2 플레이트에 커플링되는 제 2 개방 루프 자극을 포함하며, 제 1 개방 루프 자극 및 제 2 개방 루프 자극은, 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때, 폐쇄 루프 자극을 형성한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 시스템은, 내측 용적을 갖는 프로세스 챔버 ― 프로세스 챔버 내에는 기판 지지부가 배치됨 ―; 기판 지지부에 대향하는(opposing), 내측 용적의 상부 부분에 배치되는 타겟 조립체; 및 기판 지지부 반대편 측에, 타겟 조립체 근처에 배치되는 마그네트론 조립체를 포함할 수 있으며, 마그네트론 조립체는: 제 1 중심 축을 가지며, 제 1 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 1 플레이트; 제 1 플레이트에 커플링되는 제 1 개방 루프 자극; 제 2 중심 축을 가지며, 제 2 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 2 플레이트; 및 제 2 플레이트에 커플링되는 제 2 개방 루프 자극을 포함하며, 제 1 개방 루프 자극 및 제 2 개방 루프 자극은, 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때, 폐쇄 루프 자극을 형성한다.
[0007] 일부 실시예들에서, 물리 기상 증착(PVD) 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법은, 플라즈마-형성 가스(plasma-forming gas)로부터 플라즈마를 형성하기 위해, 기판 위에 배치되는 금속을 포함하는 타겟에 VHF 주파수로 제 1 RF 전력을 인가하는 단계, 타겟을 향해 플라즈마를 지향시키기 위해 타겟에 DC 전력을 인가하는 단계, 타겟을 향해 플라즈마를 지향시키는 동안 타겟 위의 마그네트론의 제 1 플레이트를 회전시키는 단계 ― 마그네트론의 제 1 플레이트는 제 1 개방 루프 자극을 가짐 ―, 타겟을 향해 플라즈마를 지향시키는 동안 타겟 위의 마그네트론의 제 2 플레이트를 회전시키는 단계 ― 마그네트론의 제 2 플레이트는 제 2 개방 루프 자극을 가지며, 그에 따라 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들은 제 1 플레이트의 360도 회전당 적어도 한번 폐쇄 루프 자극을 형성하도록 정렬되며, 제 1 플레이트는 제 2 플레이트에 의해 회전가능하게 지지되며 제 2 플레이트 아래에 배치됨 ―, 타겟으로부터 스퍼터링되는 금속 원자들의 대부분(predominant portion)을 이온화하기에 충분한 제 1 압력을 PVD 챔버에서 유지하면서, 플라즈마를 사용하여 타겟으로부터 금속 원자들을 스퍼터링하는 단계, 및 기판 상에 층을 형성하기 위해, 기판 상에 이온화된 금속 원자들을 증착하는 단계를 포함한다.
[0008] 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들은 하기에서 설명된다.
[0009] 앞서 간략히 요약되고 하기에서 보다 구체적으로 논의되는 본 발명의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조로 하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적 단면도를 도시한다.
[0011] 도 2a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 폐쇄 루프 자극을 형성하는 회전식(rotating) 자석 지지 플레이트들의 저면 개략도이다.
[0012] 도 2b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 개방 루프 자기 트랙들을 형성하는 회전식 자석 지지 플레이트들의 저면 개략도이다.
[0013] 도 3a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 제 1 폐쇄 루프 자극을 형성하는 회전식 자석 지지 플레이트들의 저면 개략도이다.
[0014] 도 3b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 제 2 폐쇄 루프 자극을 형성하는 회전식 자석 지지 플레이트들의 저면 개략도이다.
[0015] 도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 제 1 자석 지지 플레이트의 등축도이다.
[0016] 도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 물리 기상 증착(PVD) 챔버에서 기판을 프로세싱하는 증착 방법에 대한 흐름도이다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 요소들을 지시하기 위해, 가능한 경우, 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명확성을 위해 간략화될 수 있다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가 설명 없이도 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있는 것으로 생각된다.
[0018] 본 발명은, 보다 균일한, 타겟의 부식 패턴 및 기판 상의 증착 프로파일을 제공하기 위한 마그네트론, 및 그러한 마그네트론들을 포함하는 물리 기상 증착(PVD) 챔버들에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 예시적인 실시예들은, 스퍼터 타겟 뒤에 있는, 별도의 회전 축들을 갖는 2개의 별도의 플레이트들 상에 자기 물질의 일부들을 배치하며, 이러한 플레이트들은, 요구되는 바에 따라, 개방 및 폐쇄 루프 자극들(즉, "자기 트랙들")을 형성하도록 회전될 수 있다. 이러한 방식으로, 2개의 회전 축들 사이의 위상각을 제어하는 것은 생성된 자기장들의 상대 위치를 제어할 것이다. 즉, 자기 트랙은, 각각의 축들을 구동시키는 모터들의 위상 제어에 의해 제어되는, 개방 루프 또는 폐쇄 루프일 수 있다. 예시적인 마그네트론 조립체들은 하기에서 설명된다.
[0019] 도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 물리 기상 증착(PVD) 프로세싱 시스템(100)의 간략화된 단면도를 도시한다. 본원에서 제공되는 교시들에 따른 변형에 적합한 다른 PVD 챔버들의 예시들은 ALPS® Plus 및 SIP ENCORE® PVD 프로세싱 챔버들을 포함하며, 이 둘은 모두 캘리포니아 산타 클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능하다. PVD 이외의 다른 타입들의 프로세싱을 위해 구성된 것들을 포함하여, Applied Materials, Inc. 또는 다른 제조업자들로부터의 다른 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에 개시된 교시들에 따른 변형들로부터 이득을 얻을 수 있다.
[0020] 본 발명의 일부 실시예들에서, PVD 프로세싱 시스템(100)은 프로세스 챔버(104)의 정상에 제거가능하게 배치되는 챔버 리드(101)를 포함한다. 챔버 리드(101)는 타겟 조립체(114) 및 접지 조립체(103)를 포함할 수 있다. 프로세스 챔버(104)는 기판 지지부(106)를 포함하며, 기판 지지부는 그 기판 지지부 위에 기판(108)을 수용한다. 기판 지지부(106)는 하부의 접지된 엔클로져 벽(lower grounded enclosure wall)(110) 내에 위치될 수 있으며, 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)은 프로세스 챔버(104)의 챔버 벽일 수 있다. 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)은 챔버 리드(101)의 접지 조립체(103)에 전기적으로 커플링될 수 있으며, 그에 따라, 챔버 리드(101) 위에 배치된 RF 또는 DC 전력 소스(182)에 대한 RF 복귀 경로가 제공된다. RF 또는 DC 전력 소스(182)는, 하기에서 논의되는 바와 같이, 타겟 조립체(114)에 RF 또는 DC 전력을 제공할 수 있다.
[0021] PVD 프로세싱 시스템(100)은, 타겟 조립체(114)의 후면측을 대향하고 있으며 그리고 타겟 조립체(114)의 주변 엣지(peripheral edge)를 따라 타겟 조립체(114)에 전기적으로 커플링되는 소스 분배 플레이트(158)를 포함할 수 있다. PVD 프로세싱 시스템(100)은, 타겟 조립체(114)의 후면측과 소스 분배 플레이트(158) 사이에 배치된 공동(170)을 포함할 수 있다. 공동(170)은, 하기에서 논의되는 바와 같이, 마그네트론 조립체(196)를 적어도 부분적으로 하우징할 수 있다. 공동(170)은 전도성 지지 링(164)의 내측 표면, 소스 분배 플레이트(158)의 타겟 대면 표면, 및 타겟 조립체(114)(또는 백킹 플레이트 조립체(160))의 소스 분배 플레이트 대면 표면(예를 들면, 후면측)에 의해 적어도 부분적으로 정의된다.
[0022] 마그네트론 조립체(196)의 하나 또는 그 초과의 부분들은 공동(170) 내에 적어도 부분적으로 배치될 수 있다. 마그네트론 조립체는 프로세스 챔버(104) 내에서의 플라즈마 프로세싱을 돕기 위해, 회전하는 자기장을 타겟 근처에 제공한다. 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체(196)는 제 1 지지 플레이트(142)의 제 1 중심 축(146)을 중심으로 제 1 자석 지지 플레이트(142)를 회전시키는 제 1 회전가능한 자석 조립체(197), 및 제 2 지지 플레이트(242)의 제 2 중심 축(246)을 중심으로 제 2 자석 지지 플레이트(242)를 회전시키는 제 2 회전가능한 자석 조립체(198)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 중심 축(146) 및 제 2 중심 축은 정렬되지 않는다(즉, 오프셋된다). 일부 실시예들에서, 제 1 중심 축(146) 또는 제 2 중심 축(246) 중 적어도 하나는 프로세스 챔버(104)의 중심 축(186)과 정렬될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 및 제 2 자석 지지 플레이트들(142/242)은 디스크 형상일 수 있거나, 프로세스 챔버(104) 내에서 사용하기에 적합한 다른 기하형상일 수 있다.
[0023] 일부 실시예들에서, 제 1 회전가능한 자석 조립체(197)는 제 1 모터(176), 제 1 모터 샤프트(174), 제 1 기어 조립체(178), 및 제 1 자석 지지 플레이트(142)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제 1 자석 지지 플레이트(142)는 하나 또는 그 초과의 자석들(143, 144)을 지지하며, 제 1 중심 축(146)을 중심으로 하나 또는 그 초과의 자석들(143, 144)을 회전시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 자석들 중 적어도 하나는 제 1 자석 지지 플레이트(142)에 커플링되는 제 1 개방 루프 자극(143)일 수 있다. 제 1 개방 루프 자극(143)은, 도 2a-3b에서 도시되고 하기에서 논의되는 바와 같이, 호, 또는 다른 타입의 곡선 또는 선과 같은 개방된 기하학적 형상(open geometric shape)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 자석들 중 적어도 하나는, 제 1 플레이트(142)에 커플링되며 제 1 개방 루프 자극(143)에 인접한 내측 자극(144)일 수 있다. 제 1 개방 루프 자극(143)의 극성은 내측 자극(144)의 극성과 반대이다. 일부 실시예들에서, 제 1 개방 루프 자극(143) 및 내측 자극(144)은 제 1 자석 지지 플레이트(142)의 일 측(one side) 상에 배치될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 평형추(145)가 사용되어, 제 1 자석 지지 플레이트가 회전할 때 제 1 자석 지지 플레이트(142)의 균형을 맞출 수 있다.
[0024] 일부 실시예들에서, 제 2 회전가능한 자석 조립체(198)는 제 2 모터(276), 제 2 모터 샤프트(274), 제 2 기어 조립체(278), 및 제 2 자석 지지 플레이트(242)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제 2 자석 지지 플레이트(242)는 하나 또는 그 초과의 자석들(243)을 지지하며, 제 2 중심 축(246)을 중심으로 하나 또는 그 초과의 자석들(243)을 회전시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 자석들 중 적어도 하나는 제 2 자석 지지 플레이트(242)에 커플링되는 제 2 개방 루프 자극(243)일 수 있다. 제 2 개방 루프 자극(243)은, 도 2a-3b에 도시되고 하기에서 논의되는 바와 같이, 호, 또는 다른 타입의 곡선 또는 선과 같은 개방된 기하학적 형상일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 개방 루프 자극(243)의 극성은 제 1 개방 루프 자극(143)과 동일할 수 있으며, 내측 자극(144)의 극성과 반대될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 개방 루프 자극(243)은 제 2 자석 지지 플레이트(242)의 일 측 상에 배치될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 평형추(245)가 사용되어, 제 2 자석 지지 플레이트가 회전할 때, 제 2 자석 지지 플레이트(242)의 균형을 맞출 수 있다.
[0025] 일부 실시예들에서, 제 1 개방 루프 자극(143) 및 제 2 개방 루프 자극(243)은, 도 2a, 3a 및 3b에서 도시되고 하기에서 논의되는 바와 같이, 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때, 내측 자극(144)을 중심으로 폐쇄 루프 자극을 형성한다.
[0026] 일부 실시예들에서, 마그네트론 조립체(196)는 공동(170) 내에서 회전된다. 예를 들면, 일부 실시예들에서, 모터들(176/276), 모터 샤프트들(174/274) 및 기어 조립체들(178/278)은 자석 지지 플레이트들(142/242)을 회전시키도록 제공될 수 있다. 마그네트론들을 갖는 종래의 PVD 챔버들에서, 마그네트론 구동 샤프트는 전형적으로, 챔버의 중심 축을 따라 배치되어, 챔버의 중심 축과 정렬되는 포지션에서 RF 에너지의 커플링을 방지한다. 반대로, 본 발명의 실시예들에서는, 전극(154)이 프로세스 챔버의 중심 축(186)과 정렬되며, 마그네트론의 모터 샤프트들(174/274)은 접지 플레이트(156) 내의 편심 개구들을 통하여 배치될 수 있다. 접지 플레이트(156)로부터 돌출하는 모터 샤프트들(174/274)의 단부들은 제 1 및 제 2 모터(176/276)에 각각 커플링된다. 모터 샤프트들(174/274)은 또한, 소스 분배 플레이트(158)를 통하는 대응하는 편심 개구들을 통하여 배치되며, 기어 조립체들(178/278)에 각각 커플링된다.
[0027] 기어 조립체들(178/278)은 임의의 적합한 수단에 의해, 이를테면 소스 분배 플레이트(158)의 바닥 표면에 커플링됨으로써 지지될 수 있다. 기어 조립체들(178/278)은, 기어 조립체들(178/278)의 적어도 상부 표면을 유전체 물질로 제조함으로써, 또는 기어 조립체들(178/278)과 소스 분배 플레이트(158) 사이에 절연체 층(미도시) 등을 삽입함으로써, 또는 적합한 유전체 물질로 모터 구동 샤프트들(174/274)을 구성함으로써, 소스 분배 플레이트(158)로부터 절연될(insulated) 수 있다. 기어 조립체들(178/278)은 모터들(176/276)에 의해 제공되는 회전 운동을 자석 지지 플레이트들(142/242)(및 그에 따라 하나 또는 그 초과의 자극들(143, 144, 243))에 전달하기 위해 자석 지지 플레이트들(142/242)에 더 커플링된다. 일부 실시예들에서, 기어 조립체들(178/278)은, 풀리들, 기어들, 또는 모터들(176/276)에 의해 제공되는 회전 운동을 전달하는 다른 적합한 수단의 사용을 통해, 자석 지지 플레이트들(142/242)에 커플링될 수 있다.
[0028] 자석 지지 플레이트들(142/242)은, 하나 또는 그 초과의 자극들(143, 144, 243)을 견고하게 지지하기 위해, 적당한 기계적 강도를 제공하기에 적합한 임의의 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 일부 실시예들에서, 자석 지지 플레이트들(142/242)은 비자성 스테인리스 스틸과 같은 비자성 금속으로 구성될 수 있다. 자석 지지 플레이트들(142/242)은, 하나 또는 그 초과의 자극들(143, 144, 243)이 희망 포지션에서 자석 지지 플레이트들에 커플링되도록 허용하기에 적합한 임의의 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 일부 실시예들에서, 자석 지지 플레이트들(142/242)은 플레이트, 디스크, 교차 부재, 등을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 자석 지지 플레이트의 직경은 약 500 mm 내지 약 800 mm일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 자석 지지 플레이트의 직경은 약 250 mm 내지 약 400 mm일 수 있다. 하나 또는 그 초과의 자극들(143, 144, 243)은 희망 형상 및 강도를 갖는 자기장을 제공하도록 임의의 방식으로 구성될 수 있다.
[0029] 대안적으로, 자석 지지 플레이트들(142/242)은, 공동(170) 내에서, 자석 지지 플레이트들(142/242) 및 부착된 하나 또는 그 초과의 자극들(143, 144, 243)에 야기되는 드래그(drag)를, 존재할 경우, 극복하기에 충분한 토크를 갖는 임의의 다른 수단에 의해 회전될 수 있다. 모터들(176/276)은 전기 모터, 공압식 또는 유압식 드라이브, 또는 요구되는 토크를 제공할 수 있는 임의의 다른 프로세스-양립가능한 메커니즘일 수 있다.
[0030] 상기 논의된 바와 같이, 폐쇄 루프 자극들은 전형적으로 DC PVD 스퍼터링에 대해 사용되며, 개방 루프 자극들은 RF PVD 스퍼터링 동작들에 대해 바람직하다. DC 플라즈마들은 전형적으로, 플라즈마의 전자들이 폐쇄 루프 레이스 트랙 내로 엄격히 국한될 것을 요구하며, 그렇지 않으면 타겟 전압이 매우 높아지게 되고, 적당한 전압 및 압력에서의 스퍼터링을 지원하지 않는다. 한편, RF 스퍼터링은 매우 탄력적이며(flexible) 거의 모든 자기장과 작용할 수 있지만, 자기장이 너무 높다면, 플라즈마는 레이스 트랙 영역에 과도하게 집중될 수 있다. RF 플라즈마의 임의의 과도한 집중은 매우 낮은 타겟 전압들 및 매우 낮은 스퍼터 레이트들로 이어질 수 있다. 도 2a 및 2b는, DC PVD 스퍼터링 동작들에서 사용하기 위한, 내측 자극(144) 주위의 폐쇄 루프 자기 트랙(220)(도 2a)과, RF PVD 스퍼터링 동작들에서 사용하기 위한, 하나 또는 그 초과의 개방 루프 자기 트랙(222/224)(도 2b)의 양자 모두를 형성하기 위해, 상이한 포지션들에서 회전하는, 제 1 자석 지지 플레이트(142) 및 제 2 자석 지지 플레이트(242)의 저면 개략도들을 도시한다.
[0031] 도 2a 및 도 2b에서, 제 2 자석 지지 플레이트(242)는 중심 축(246)을 중심으로 회전한다. 일부 실시예들에서, 제 1 자석 지지 플레이트(142)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제 2 자석 지지 플레이트(242) 아래에 배치되고, 회전가능한 커플(couple)(148)을 통해 제 2 자석 지지 플레이트(242)에 의해 지지된다. 제 2 자석 지지 플레이트(242)가 중심 축(246)을 중심으로 회전할 때, 제 1 자석 지지 플레이트(142)는 중심 축(146)을 중심으로 회전한다. 도 2a는, 내측 자극(144)을 중심으로 폐쇄 루프 자극(220)을 형성하도록, 제 1 및 제 2 자극들(143/243)을 정렬하기 위해 제 1 포지션으로 회전된, 제 1 자석 지지 플레이트(142) 및 제 2 자석 지지 플레이트(242)를 도시한다. 한편, 도 2b는, 제 2 포지션으로 회전된, 제 1 자석 지지 플레이트(142) 및 제 2 자석 지지 플레이트(242)를 도시하며, 여기에서는, 제 1 및 제 2 자극들(143/243)이 정렬되지 않아서, 하나 또는 그 초과의 개방 루프 자기 트랙들(222/224)을 형성한다.
[0032] 일부 실시예들에서, 제 2 자석 지지 플레이트(242)가 중심 축(246)을 중심으로 회전할 때, 제 1 자석 지지 플레이트(142)는 폐쇄 자극(220)을 형성하기 위한 포지션에 고정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 자석 지지 플레이트들(142/242)은 동일한 방향으로 회전할 수 있지만, 다른 실시예들에서 자석 지지 플레이트들은 반대 방향들로 회전할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 자석 지지 플레이트(142)의 중심의 포지션(즉, 축(146))은 제 2 자석 지지 플레이트(242)에 대해 고정된다.
[0033] 일부 실시예들에서, 자극들(143, 144 및 243)의 각각은, 도 4에 도시된 바와 같이, 플레이트들(216/217/218)에 의해 함께 커플링되는 하나 또는 그 초과의 자기 슬러그들(210/212/214)로 이루어질 수 있다. 도 4는 평형추(145), 제 1 개방 자극(143) 및 내측 자극(144)을 포함하는 제 1 자석 지지 플레이트(142)의 저면 등축도를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 개방 자극(143)은, 일 단부가 플레이트(216)에 커플링되고 타단부가 제 1 개방 자극(143)의 바닥 표면(402)에 커플링되는 복수의 자기 슬러그들(210)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 자극들(143/144/243)은 제 1 및 제 2 자석 지지 플레이트들(142/242)에 볼트로 고정되거나 본딩될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 자극 및 내측 자극은 바닥 표면(402)으로부터 아래쪽으로 약 25 mm 내지 약 50 mm만큼 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 자극은, 제 2 개방 자극(243)을 제 1 개방 자극(143)과 정렬시키기 위한 거리로, 제 2 자석 지지 플레이트의 바닥 표면으로부터 아래쪽으로 연장될 수 있다.
[0034] 중심 축(146)을 중심으로 한 제 1 자석 지지 플레이트(142)의 360도 회전당 형성될 수 있는 폐쇄 자기 트랙들의 수는, (도 2a 및 2b에 대해 전술된 바와 같은) 하나의 폐쇄 루프 자극 내지 복수의 폐쇄 루프 자극들일 수 있다. 예를 들면, 도 3a 및 3b는 중심 축(146)을 중심으로 한 제 1 자석 지지 플레이트(142)의 360도 회전당 2개의 폐쇄 루프 자극들(250/252)이 형성될 수 있는, 본 발명의 적어도 하나의 다른 실시예를 도시한다. 도 3a에서, 제 1 자석 지지 플레이트(142)가 제 2 자석 지지 플레이트(242)에 대해 제 1 포지션으로 회전될 때, 폐쇄 루프 자극(250)이 형성된다. 한편, 도 3b에서, 제 1 자석 지지 플레이트(142)가 제 2 자석 지지 플레이트(242)에 대해 제 2 포지션으로 회전될 때, 폐쇄 루프 자극(252)이 형성된다.
[0035] 대안적인 실시예들에서, 다수의 개방 루프 자극들(143)이 제 1 자석 지지 플레이트(142) 상에 배치될 수 있으며, 이러한 개방 루프 자극들(143)은 제 2 자석 지지 플레이트(242) 상에 배치되는 하나 또는 그 초과의 개방 루프 자극들(243)과 정렬될 수 있다. 또한, 다른 실시예들에서, 내측 자극은 하나 또는 그 초과의 개방 루프 자극들(243)과 함께 제 2 자석 지지 플레이트(242) 상에 배치될 수 있는 반면, 하나 또는 그 초과의 개방 루프 자극들(143)은 제 1 자석 지지 플레이트(142) 상에 배치된다.
[0036] 도 1을 다시 참조하면, 기판 지지부(106)는 타겟 조립체(114)의 주 표면과 대면하는 물질-수용 표면(material-receiving surface)을 가지며, 타겟 조립체(114)의 주 표면과 대향하는 평면 포지션에서, 스퍼터 코팅될 기판(108)을 지지한다. 기판 지지부(106)는 프로세스 챔버(104)의 중심 영역(120)에서 기판(108)을 지지할 수 있다. 중심 영역(120)은 프로세싱 동안 기판 지지부(106) 위의(예를 들면, 프로세싱 포지션에 있을 때 기판 지지부(106)와 타겟 조립체(114) 사이의) 영역으로서 정의된다.
[0037] 일부 실시예들에서, 기판 지지부(106)는, 프로세스 챔버(104)의 하부 부분에서 로드 록 밸브(미도시)를 통해 기판 지지부(106) 상으로 기판(108)이 이송되고 그 후 증착 또는 프로세싱 포지션으로 상승될 수 있게 하도록, 수직으로 이동가능할 수 있다. 바닥 챔버 벽(124)에 연결된 벨로우즈(122)가 제공되어, 프로세스 챔버(104)의 외부의 대기로부터 프로세스 챔버(104)의 내측 용적의 분리를 유지하면서, 기판 지지부(106)의 수직 이동을 가능하게 한다. 하나 또는 그 초과의 가스들이 가스 소스(126)로부터 질량 유동 제어기(128)를 통해 프로세스 챔버(104)의 하부 부분 내로 공급될 수 있다. 프로세스 챔버(104)의 내부를 배기하고 프로세스 챔버(104) 내부에 희망 압력을 유지하는 것을 용이하게 하기 위해, 배기 포트(130)가 제공되고 밸브(132)를 통해 펌프(미도시)에 커플링될 수 있다.
[0038] 기판(108) 상에 네거티브 DC 바이어스를 유도하기 위해, 기판 지지부(106)에 RF 바이어스 전력 소스(134)가 커플링될 수 있다. 추가로, 일부 실시예들에서, 프로세싱 동안 기판(108) 상에 네거티브 DC 셀프-바이어스가 형성될 수 있다. 예를 들면, RF 바이어스 전력 소스(134)에 의해 공급되는 RF 에너지의 주파수 범위는 약 2 MHz 내지 약 60 MHz일 수 있으며, 예를 들면, 2 MHz, 13.56 MHz, 또는 60 MHz와 같은 비제한적인 주파수들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, RF 전력은 약 2 kW 내지 약 20 kW의 범위 내에서 공급될 수 있다. 일부 실시예들에서, DC 전력은 약 2 kW 내지 약 40 kW의 범위 내에서 공급될 수 있다. 다른 응용예들에서, 기판 지지부(106)는 접지될 수 있거나, 전기적으로 플로팅된 상태로 남겨질 수 있다. 대안적으로 또는 조합하여, RF 바이어스 전력이 요구되지 않을 수 있는 응용예들에 대해, 기판(108) 상의 전압을 조정하기 위해, 캐패시턴스 튜너(136)가 기판 지지부(106)에 커플링될 수 있다.
[0039] 프로세스 챔버(104)는, 프로세스 챔버(104)의 중심 영역 또는 프로세싱 용적을 둘러싸고 그리고 프로세싱으로부터의 오염 및/또는 손상으로부터 다른 챔버 컴포넌트들을 보호하기 위한 프로세스 키트 쉴드, 또는 쉴드(138)를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 쉴드(138)는, 프로세스 챔버(104)의 상부의 접지된 엔클로져 벽(upper grounded enclosure wall)(116)의 렛지(140)에 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버 리드(101)는 상부의 접지된 엔클로져 벽(116)의 렛지(140) 상에 놓일 수 있다. 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)과 유사하게, 상부의 접지된 엔클로져 벽(116)은 챔버 리드(101)의 접지 조립체(103)와 하부의 접지된 엔클로져 벽(110) 사이의 RF 복귀 경로의 일부를 제공할 수 있다. 그러나, 이를테면 접지되는 쉴드(138)를 통하여, 다른 RF 복귀 경로들이 가능하다.
[0040] 쉴드(138)는 아래쪽으로 연장되며, 중심 영역(120)을 전반적으로 둘러싸는, 대체로 일정한 직경을 갖는 대체로 관형인(tubular) 부분을 포함할 수 있다. 쉴드(138)는, 상부의 접지된 엔클로져 벽(116) 및 하부의 접지된 엔클로져 벽(110)의 벽들을 따라 아래쪽으로 기판 지지부(106)의 최상부 표면 아래까지 연장하고, 기판 지지부(106)의 최상부 표면에 도달할 때까지 위쪽으로 복귀된다(예를 들면, 쉴드(138)의 바닥에서 u-형상 부분을 형성한다). 커버 링(148)은, 기판 지지부(106)가 기판 지지부의 하부의 로딩 포지션에 있을 때는, 바닥 쉴드(138)의, 위쪽으로 연장하는 내측 부분의 최상부 상에 놓이지만, 기판 지지부가 기판 지지부의 상부의 증착 포지션에 있을 때는, 기판 지지부(106)의 외측 주변부 상에 놓여져서, 스퍼터 증착으로부터 기판 지지부(106)를 보호한다. 기판(108)의 엣지 둘레에서의 증착으로부터 기판 지지부(106)의 엣지들을 보호하기 위해, 부가적인 증착 링(미도시)이 사용될 수 있다.
[0041] 일부 실시예들에서, 기판 지지부(106)와 타겟 조립체(114) 사이에 자기장을 선택적으로 제공하기 위해, 자석(152)이 프로세스 챔버(104) 주위에 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 자석(152)은, 프로세싱 포지션에 있을 때 기판 지지부(106) 바로 위의 영역에서 챔버 벽(110)의 외면(outside) 주위에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 자석(152)은 부가적으로 또는 대안적으로, 상부의 접지된 엔클로져 벽(116) 부근과 같은 다른 위치들에 배치될 수 있다. 자석(152)은 전자석일 수 있으며, 전자석에 의해 생성되는 자기장의 크기를 제어하기 위해 전력 소스(미도시)에 커플링될 수 있다.
[0042] 챔버 리드(101)는 일반적으로, 타겟 조립체(114) 주위에 배치된 접지 조립체(103)를 포함한다. 접지 조립체(103)는 제 1 표면(157)을 갖는 접지 플레이트(156)를 포함할 수 있으며, 제 1 표면은 타겟 조립체(114)의 후면측과 대향하며 후면측에 대해 대체로 평행할 수 있다. 접지 쉴드(112)는 접지 플레이트(156)의 제 1 표면(157)으로부터 연장할 수 있으며 타겟 조립체(114)를 둘러쌀 수 있다. 접지 조립체(103)는 접지 조립체(103) 내에 타겟 조립체(114)를 지지하기 위한 지지 부재(175)를 포함할 수 있다.
[0043] 일부 실시예들에서, 지지 부재(175)는 지지 부재(175)의 외측 주변부 엣지 근처에서 접지 쉴드(112)의 하부 단부에 커플링될 수 있으며, 시일 링(181) 및 타겟 조립체(114)를 지지하기 위해 방사상 내측으로 연장한다. 시일 링(181)은 링, 또는 희망 단면을 갖는 다른 환형 형상일 수 있다. 시일 링(181)은 평면의 그리고 대체로 평행한 2개의 대향하는 표면들을 포함하여, 시일 링(181)의 제 1 측 상에서는, 백킹 플레이트 조립체(160)와 같은 타겟 조립체(114)와 인터페이싱하는 것을 가능하게 할 수 있고, 시일 링(181)의 제 2 측 상에서는, 지지 부재(175)와 인터페이싱하는 것을 가능하게 할 수 있다. 시일 링(181)은 세라믹과 같은 유전체 물질로 제조될 수 있다. 시일 링(181)은 접지 조립체(103)로부터 타겟 조립체(114)를 절연시킬 수 있다.
[0044] 지지 부재(175)는, 타겟 조립체(114)를 수용하도록(accommodate) 중심 개구를 갖는, 대체로 평면인 부재일 수 있다. 일부 실시예들에서, 지지 부재(175)는 형상이 원형 또는 디스크형(disc-like)일 수 있지만, 이러한 형상은 챔버 리드의 대응하는 형상 및/또는 PVD 프로세싱 시스템(100)에서 프로세싱될 기판의 형상에 따라 달라질 수 있다.
[0045] 타겟 조립체(114)는, 스퍼터링 동안 기판(108)과 같은 기판 상에 증착될 소스 물질(113), 이를테면 금속, 금속 산화물, 금속 합금, 등을 포함할 수 있다. 본 발명과 일치하는 실시예들에서, 타겟 조립체(114)는 소스 물질(113)을 지지하기 위한 백킹 플레이트 조립체(160)를 포함한다. 소스 물질(113)은 도 1에 도시된 바와 같이, 백킹 플레이트 조립체(160)의 기판 지지부 대면측 상에 배치될 수 있다. 백킹 플레이트 조립체(160)는, RF 및 DC 전력이 백킹 플레이트 조립체(160)를 통해 소스 물질(113)에 커플링될 수 있도록, 전도성 물질, 이를테면 구리-아연, 구리-크롬, 또는 타겟과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 대안적으로, 백킹 플레이트 조립체(160)는 비전도성일 수 있으며, 전기 피드스루(electrical feedthrough)들 등과 같은 전도성 엘리먼트들(미도시)을 포함할 수 있다.
[0046] 일부 실시예들에서, 백킹 플레이트 조립체(160)는 제 1 백킹 플레이트(161) 및 제 2 백킹 플레이트(162)를 포함한다. 제 1 백킹 플레이트(161) 및 제 2 백킹 플레이트(162)는 디스크 형상, 직사각형, 정사각형, 또는 PVD 프로세싱 시스템(100)에 의해 수용될 수 있는 임의의 다른 형상일 수 있다. 제 1 백킹 플레이트의 전방 측은 소스 물질(113)을 지지하도록 구성되며, 그에 따라 소스 물질의 전방 표면은, 존재할 경우 기판(108)과 대향한다. 소스 물질(113)은 임의의 적합한 방식으로 제 1 백킹 플레이트(161)에 커플링될 수 있다. 예를 들면, 일부 실시예들에서, 소스 물질(113)은 제 1 백킹 플레이트(161)에 확산 본딩될(diffusion bonded) 수 있다.
[0047] 제 1 백킹 플레이트(161)와 제 2 백킹 플레이트(162) 사이에 채널들의 복수의 세트들(169)이 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 백킹 플레이트들(161, 162)은 채널들의 복수의 세트들(169)에 제공되는 냉각제의 누출을 방지하기 위해, 실질적으로 수밀 시일(water tight seal)(예를 들면, 제 1 백킹 플레이트와 제 2 백킹 플레이트 사이의 유체 시일)을 형성하도록 함께 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 타겟 조립체(114)는 프로세스 챔버(104) 내에 타겟 조립체(114)를 지지하기 위한 중심 지지 부재(192)를 더 포함할 수 있다.
[0048] 일부 실시예들에서, 전도성 지지 링(164)은 소스 분배 플레이트로부터 타겟 조립체(114)의 주변 엣지로 RF 에너지를 전파하기 위해, 소스 분배 플레이트(158)와 타겟 조립체(114)의 후면측 사이에 배치될 수 있다. 전도성 지지 링(164)은 원통형일 수 있으며, 소스 분배 플레이트(158)의 주변 엣지에 근접한, 소스 분배 플레이트(158)의 타겟-대면 표면에 커플링되는 제 1 단부(166), 및 타겟 조립체(114)의 주변 엣지에 근접한, 타겟 조립체(114)의 소스 분배 플레이트-대면 표면에 커플링되는 제 2 단부(168)를 갖는다. 일부 실시예들에서, 제 2 단부(168)는 백킹 플레이트 조립체(160)의 주변 엣지에 근접한, 백킹 플레이트 조립체(160)의 소스 분배 플레이트 대면 표면에 커플링된다.
[0049] 소스 분배 플레이트(158), 전도성 지지 링(164) 및 타겟 조립체(114)(및/또는 백킹 플레이트 조립체(160))의 외측 표면들과 접지 플레이트(156) 사이에 절연 갭(180)이 제공된다. 절연 갭(180)은, 공기, 또는 세라믹, 플라스틱, 등과 같은 몇몇 다른 적합한 유전체 물질로 충진될 수 있다. 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 거리는 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 유전체 물질에 좌우된다. 유전체 물질이 대부분 공기인 경우, 접지 플레이트(156)와 소스 분배 플레이트(158) 사이의 거리는 약 15 mm 내지 약 40 mm일 수 있다.
[0050] 접지 조립체(103) 및 타겟 조립체(114)는, 시일 링(181)에 의해 그리고 접지 플레이트(156)의 제 1 표면(157)과 타겟 조립체(114)의 후면측, 예를 들면, 소스 분배 플레이트(158)의 비-타겟 대면 측(non-target facing side) 사이에 배치된 절연체들(미도시) 중 하나 또는 그 초과에 의해 전기적으로 분리될(separated) 수 있다.
[0051] PVD 프로세싱 시스템(100)은 전극(154)에 연결되는 RF 전력 소스(182)(예를 들면, RF 피드 구조)를 갖는다. 전극(154)은 접지 플레이트(156)를 통과할 수 있으며, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링된다. RF 전력 소스(182)는 RF 생성기, 및 예를 들면, 동작 동안 RF 생성기로 다시 반사되는 RF 에너지를 최소화하기 위한 매칭 회로를 포함할 수 있다. 예를 들면, RF 전력 소스(182)에 의해 공급되는 RF 에너지의 주파수 범위는 약 13.56 MHz 내지 약 162 MHz 또는 그 초과일 수 있다. 예를 들면, 13.56 MHz, 27.12 MHz, 40.68 MHz, 60 MHz, 또는 162 MHz와 같은 비-제한적인 주파수들이 사용될 수 있다.
[0052] 일부 실시예들에서, PVD 프로세싱 시스템(100)은 프로세싱 동안 타겟 조립체(114)에 부가적인 에너지를 제공하기 위해, 제 2 에너지 소스(183)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 에너지 소스(183)는, 예를 들면, 타겟 물질의 스퍼터링 레이트(그리고 그에 따라 기판 상에서의 증착 레이트)를 향상시키도록 DC 에너지를 제공하기 위한 DC 전력 소스일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 에너지 소스(183)는, 예를 들면, RF 전력 소스(182)에 의해 제공되는 RF 에너지의 제 1 주파수와 상이한 제 2 주파수에서 RF 에너지를 제공하기 위한, RF 전력 소스(182)와 유사한 제 2 RF 전력 소스일 수 있다. 제 2 에너지 소스(183)가 DC 전력 소스인 실시예들에서, 제 2 에너지 소스는, 전극(154) 또는 몇몇 다른 전도성 부재(이를테면 하기에서 논의되는 소스 분배 플레이트(158))와 같은, 타겟 조립체(114)에 DC 에너지를 전기적으로 커플링하기에 적합한 임의의 위치에서 타겟 조립체(114)에 커플링될 수 있다. 제 2 에너지 소스(183)가 제 2 RF 전력 소스인 실시예들에서, 제 2 에너지 소스는 전극(154)을 통해 타겟 조립체(114)에 커플링될 수 있다.
[0053] 전극(154)은 원통형이거나 그렇지 않으면 로드형(rod-like)일 수 있으며, 프로세스 챔버(104)의 중심 축(186)과 정렬될 수 있다(예를 들면, 전극(154)은, 중심 축(186)과 일치하는, 타겟의 중심 축과 일치하는 지점에서 타겟 조립체에 커플링될 수 있다). 프로세스 챔버(104)의 중심 축(186)과 정렬되는 전극(154)은 축대칭(axisymmetrical) 방식으로 RF 소스(182)로부터 타겟 조립체(114)로 RF 에너지를 인가하는 것을 용이하게 한다(예를 들면, 전극(154)은 프로세스 챔버의 중심 축과 정렬되는 "단일 지점"에서 타겟에 RF 에너지를 커플링할 수 있다). 전극(154)의 중심 포지션은 기판 증착 프로세스들에서 증착 비대칭을 제거하거나 감소시키는 것을 돕는다. 전극(154)은 임의의 적합한 직경을 가질 수 있다. 예를 들면, 다른 직경들이 사용될 수 있지만, 일부 실시예들에서, 전극(154)의 직경은 약 0.5 내지 약 2 인치일 수 있다. 전극(154)은 일반적으로, 프로세스 챔버의 구성에 따라 임의의 적합한 길이를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극은 약 0.5 내지 약 12 인치의 길이를 가질 수 있다. 전극(154)은 알루미늄, 구리, 은, 등과 같은 임의의 적합한 전도성 물질로 제조될 수 있다. 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전극(154)은 관형일 수 있다. 일부 실시예들에서, 관형 전극(154)의 직경은, 예를 들면, 마그네트론에 대한 중심 샤프트를 제공하는 것을 용이하게 하기에 적합할 수 있다.
[0054] 전극(154)은 접지 플레이트(156)를 통과할 수 있으며, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링된다. 접지 플레이트(156)는 알루미늄, 구리 등과 같은 임의의 적합한 전도성 물질을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 절연체들(미도시) 사이의 개방된 공간들은 소스 분배 플레이트(158)의 표면을 따라 RF 파(RF wave) 전파를 허용한다. 일부 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 절연체들은 PVD 프로세싱 시스템의 중심 축(186)에 대해 대칭적으로 포지셔닝될 수 있다. 그러한 포지셔닝은 소스 분배 플레이트(158)의 표면을 따라, 그리고 궁극적으로, 소스 분배 플레이트(158)에 커플링되는 타겟 조립체(114)로의 대칭적인 RF 파 전파를 용이하게 할 수 있다. RF 에너지는, 전극(154)의 중심 포지션에 적어도 부분적으로 기인하여, 종래의 PVD 챔버들에 비해, 보다 대칭적이고 균일한 방식으로 제공될 수 있다.
[0055] 제어기(260)가 제공되고 PVD 프로세싱 시스템(100)의 다양한 컴포넌트들에 커플링되어, 그러한 컴포넌트들의 동작을 제어할 수 있다. 제어기(260)는 중앙 처리 유닛(CPU)(262), 메모리(264), 및 지원 회로들(266)을 포함한다. 제어기(260)는 PVD 프로세싱 시스템(100)을 직접적으로 제어할 수 있거나, 특정 프로세스 챔버 및/또는 지원 시스템 컴포넌트들과 연관된 컴퓨터들(또는 제어기들)을 통해 제어할 수 있다. 제어기(260)는, 다양한 챔버들 및 하위-프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. 제어기(260)의 메모리 또는 컴퓨터 판독가능한 매체(264)는, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 광학 저장 매체들(예를 들면, 컴팩트 디스크 또는 디지털 비디오 디스크), 플래시 드라이브, 또는 로컬 또는 원격의 임의의 다른 형태의 디지털 저장소와 같은, 용이하게 입수가능한 메모리 중 하나 또는 그 초과일 수 있다. 지원 회로들(266)은 종래의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(262)에 커플링된다. 이러한 회로들은, 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로망 및 서브시스템들, 등을 포함한다. 본원에서 설명된 바와 같은 발명의 방법들은, 예를 들면, 하기에서 설명되는 방법(500)을 수행하기 위해, 본원에서 설명된 방식으로 PVD 프로세싱 시스템(100)의 동작을 제어하도록 실행되거나 호출될(invoked) 수 있는 소프트웨어 루틴으로서 메모리(264)에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, CPU(262)에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격으로 위치되는 제 2 CPU(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
[0056] 도 5는 전술된 마그네트론의 실시예들을 사용하여 물리 기상 증착(PVD) 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법(500)의 흐름도이다. 502에서, 플라즈마-형성 가스로부터 플라즈마를 형성하기 위해, 기판 위에 배치되는 금속을 포함하는 타겟에 VHF 주파수로 제 1 RF 전력이 인가된다. 504에서, 타겟을 향해 플라즈마를 지향시키기 위해 타겟에 DC 전력이 인가된다. 506에서, 마그네트론의 제 1 플레이트(예를 들면, 142)는, 예를 들면, 모터(176), 샤프트(174) 및 기어 조립체(178)를 사용하여 회전된다. 제 1 플레이트는 타겟을 향해 플라즈마를 지향시키는 동안 타겟 위에서 회전된다. 508에서, 제 2 플레이트(예를 들면, 242)는 타겟을 향해 플라즈마를 지향시키는 동안 타겟 위에서 회전된다. 510에서, 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들(예를 들면, 143/243)이 정렬되어, 제 1 플레이트의 360도 회전당 적어도 한번 폐쇄 루프 자극을 형성하도록, 제 1 플레이트가 제 2 플레이트에 대해 회전된다. 512에서, 금속 원자들은, 타겟으로부터 스퍼터링되는 금속 원자들의 대부분을 이온화시키기에 충분한 제 1 압력을 PVD 챔버 내에서 유지하면서, 플라즈마를 사용하여 타겟으로부터 스퍼터링되며, 이온화된 금속 원자들은 기판 상에 층을 형성하도록 기판 상에 증착된다.
[0057] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (20)

  1. 마그네트론 조립체로서:
    제 1 중심 축을 가지며, 상기 제 1 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 1 플레이트;
    상기 제 1 플레이트에 커플링되는 제 1 개방 루프 자극(open loop magnetic pole);
    제 2 중심 축을 가지며, 상기 제 2 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 2 플레이트; 및
    상기 제 2 플레이트에 커플링되는 제 2 개방 루프 자극을 포함하며,
    상기 제 2 개방 루프 자극은 상기 제 1 플레이트의 외경에 근접하여 상기 제 2 중심 축에 대하여 상기 제 2 플레이트에 고정되고, 상기 제 1 중심 축은 상기 제 2 중심 축을 중심으로 회전하며, 그리고 상기 제 1 개방 루프 자극 및 상기 제 2 개방 루프 자극은, 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때, 폐쇄 루프 자극을 형성하는
    마그네트론 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개방 루프 자극에 인접하며 상기 제 1 플레이트에 커플링되는 내측 자극을 더 포함하며, 상기 폐쇄 루프 자극은 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때 상기 내측 자극의 주위에 형성되는
    마그네트론 조립체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들의 제 1 극성은 상기 내측 자극의 제 2 극성과 반대되는
    마그네트론 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개방 루프 자극에 인접하며 상기 제 2 플레이트에 커플링되는 내측 자극을 더 포함하며, 상기 폐쇄 루프 자극은 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때 상기 내측 자극의 주위에 형성되는
    마그네트론 조립체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들의 제 1 극성은 상기 내측 자극의 제 2 극성과 반대되는
    마그네트론 조립체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개방 루프 자극은 제 1 자극편(pole piece), 및 상기 제 1 자극편과 상기 제 1 플레이트 사이에 배치된 복수의 제 1 자석들을 더 포함하며, 상기 제 2 개방 루프 자극은 제 2 자극편, 및 상기 제 2 자극편과 상기 제 2 플레이트 사이에 배치된 복수의 제 2 자석들을 더 포함하는
    마그네트론 조립체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트의 상기 제 1 중심 축 및 상기 제 2 플레이트의 상기 제 2 중심 축은 정렬되지 않는
    마그네트론 조립체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는 상기 제 2 플레이트 아래에 배치되는
    마그네트론 조립체.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 개방 루프 자극은 상기 제 1 플레이트의 바닥 표면으로부터 아래쪽으로 연장되며, 상기 제 2 개방 루프 자극은 상기 제 2 플레이트의 바닥 표면으로부터 아래쪽으로 연장되는
    마그네트론 조립체.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트의 상기 제 1 중심 축을 중심으로 상기 제 1 플레이트에 커플링되는 제 1 샤프트를 더 포함하며, 상기 제 1 샤프트는 상기 제 2 플레이트에 의해 지지되고, 상기 제 1 샤프트의 포지션은 상기 제 2 플레이트에 대해 고정되는
    마그네트론 조립체.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는, 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들을 정렬시키고 내측 자극의 주위에 상기 폐쇄 루프 자극을 형성하기 위해, 상기 제 1 샤프트를 중심으로 회전하도록 구성되는
    마그네트론 조립체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 플레이트의 상기 제 2 중심 축을 중심으로 상기 제 2 플레이트에 커플링되는 제 2 샤프트를 더 포함하고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 샤프트를 중심으로 회전하도록 구성되는
    마그네트론 조립체.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개방 루프 자극은 상기 제 1 플레이트에 커플링되는 복수의 개방 루프 자극들인
    마그네트론 조립체.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 개방 루프 자극은 상기 제 2 플레이트에 커플링되는 복수의 개방 루프 자극들인
    마그네트론 조립체.
  15. 기판 프로세싱 시스템으로서:
    내측 용적을 갖는 프로세스 챔버 ― 상기 프로세스 챔버 내에는 기판 지지부가 배치됨 ―;
    상기 기판 지지부에 대향하는(opposing), 상기 내측 용적의 상부 부분에 배치되는 타겟 조립체; 및
    상기 기판 지지부의 반대편 측에, 상기 타겟 조립체 근처에 배치되는 마그네트론 조립체를 포함하며,
    상기 마그네트론 조립체는:
    제 1 중심 축을 가지며, 상기 제 1 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 1 플레이트;
    상기 제 1 플레이트에 커플링되는 제 1 개방 루프 자극;
    제 2 중심 축을 가지며, 상기 제 2 중심 축을 중심으로 회전가능한 제 2 플레이트; 및
    상기 제 2 플레이트에 커플링되는 제 2 개방 루프 자극을 포함하며,
    상기 제 2 개방 루프 자극은 상기 제 1 플레이트의 외경에 근접하여 상기 제 2 중심 축에 대하여 상기 제 2 플레이트에 고정되고, 상기 제 1 중심 축은 상기 제 2 중심 축을 중심으로 회전하며, 그리고 상기 제 1 개방 루프 자극 및 상기 제 2 개방 루프 자극은, 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때, 폐쇄 루프 자극을 형성하는
    기판 프로세싱 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 마그네트론 조립체는 상기 제 1 개방 루프 자극에 인접하며 상기 제 1 플레이트에 커플링되는 내측 자극을 더 포함하며, 상기 폐쇄 루프 자극은 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때 상기 내측 자극의 주위에 형성되는
    기판 프로세싱 시스템.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들의 제 1 극성은 상기 내측 자극의 제 2 극성과 반대되는
    기판 프로세싱 시스템.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 마그네트론 조립체는 상기 제 1 개방 루프 자극에 인접하며 상기 제 2 플레이트에 커플링되는 내측 자극을 더 포함하며, 상기 폐쇄 루프 자극은 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 정렬될 때 상기 내측 자극의 주위에 형성되는
    기판 프로세싱 시스템.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는 상기 제 2 플레이트 아래에 배치되고, 상기 제 1 개방 루프 자극은 상기 제 1 플레이트의 바닥 표면으로부터 아래쪽으로 연장되며, 상기 제 2 개방 루프 자극은 상기 제 2 플레이트의 바닥 표면으로부터 아래쪽으로 연장되는
    기판 프로세싱 시스템.
  20. 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD) 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법으로서:
    플라즈마-형성 가스(plasma-forming gas)로부터 플라즈마를 형성하기 위해, 상기 기판 위에 배치되는 금속을 포함하는 타겟에 VHF 주파수로 제 1 RF 전력을 인가하는 단계;
    상기 타겟을 향해 상기 플라즈마를 지향시키기 위해 상기 타겟에 DC 전력을 인가하는 단계;
    상기 타겟을 향해 상기 플라즈마를 지향시키는 동안 상기 타겟 위에서 제 1 플레이트의 제 1 중심 축을 중심으로 마그네트론의 제 1 플레이트를 회전시키는 단계 ― 상기 마그네트론의 제 1 플레이트는 제 1 개방 루프 자극을 가짐 ―;
    상기 타겟을 향해 상기 플라즈마를 지향시키는 동안 상기 타겟 위에서 제 2 플레이트의 제 2 중심 축을 중심으로 마그네트론의 제 2 플레이트를 회전시키는 단계 ― 상기 마그네트론의 제 2 플레이트는 제 2 개방 루프 자극을 가져, 상기 제 1 및 제 2 개방 루프 자극들이 상기 제 1 플레이트의 360도 회전당 적어도 한번 폐쇄 루프 자극을 형성하도록 정렬되며, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 2 플레이트 아래에 배치되고 상기 제 2 플레이트에 의해 회전가능하게 지지되며, 상기 제 2 개방 루프 자극은 상기 제 1 플레이트의 외경에 근접하여 상기 제 2 중심 축에 대하여 상기 제 2 플레이트에 고정되고, 상기 제 1 중심 축은 상기 제 2 중심 축을 중심으로 회전함 ―;
    상기 타겟으로부터 스퍼터링된 금속 원자들을 이온화시킬 수 있는 제 1 압력을 PVD 챔버 내에서 유지하면서, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 타겟으로부터 금속 원자들을 스퍼터링하는 단계; 및
    상기 기판 상에 층을 형성하기 위해, 상기 기판 상에 이온화된 상기 금속 원자들을 증착시키는 단계를 포함하는
    물리 기상 증착 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법.
KR1020157023677A 2013-02-07 2014-01-13 Ｐｖｄ ｒｆ ｄｃ 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론 KR101725431B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/761,267 2013-02-07
US13/761,267 US9249500B2 (en) 2013-02-07 2013-02-07 PVD RF DC open/closed loop selectable magnetron
PCT/US2014/011304 WO2014123662A1 (en) 2013-02-07 2014-01-13 Pvd rf dc open/closed loop selectable magnetron

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150114986A KR20150114986A (ko) 2015-10-13
KR101725431B1 true KR101725431B1 (ko) 2017-04-11

Family

ID=51258378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157023677A KR101725431B1 (ko) 2013-02-07 2014-01-13 Ｐｖｄ ｒｆ ｄｃ 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9249500B2 (ko)
KR (1) KR101725431B1 (ko)
CN (1) CN104969331B (ko)
TW (1) TWI561659B (ko)
WO (1) WO2014123662A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9178077B2 (en) 2012-11-13 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions
WO2016088284A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 株式会社アルバック ターゲットアッセンブリ
TWI670749B (zh) 2015-03-13 2019-09-01 美商應用材料股份有限公司 耦接至工藝腔室的電漿源
WO2017005291A1 (en) * 2015-07-06 2017-01-12 Applied Materials, Inc. Deposition source for sputter deposition, deposition apparatus and method of assembling the source
US10312065B2 (en) * 2016-07-20 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition (PVD) plasma energy control per dynamic magnetron control
US11189472B2 (en) * 2017-07-17 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Cathode assembly having a dual position magnetron and centrally fed coolant
US11462394B2 (en) * 2018-09-28 2022-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Physical vapor deposition apparatus and method thereof
TWI692538B (zh) * 2018-11-27 2020-05-01 財團法人金屬工業研究發展中心 超高頻反應式電漿薄膜製造設備及薄膜沉積方法
US11295938B2 (en) * 2020-06-30 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Multi-radius magnetron for physical vapor deposition (PVD) and methods of use thereof
CN111809157B (zh) * 2020-07-17 2022-11-25 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其磁控管机构
KR102220854B1 (ko) * 2020-08-10 2021-02-26 이상신 물리적 기상 증착 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070227876A1 (en) 2006-03-29 2007-10-04 Applied Materials, Inc. RF powered target for increasing deposition uniformity in sputtering systems
US20090026073A1 (en) 2005-02-08 2009-01-29 Keitaro Harada Sputtering system

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6440282B1 (en) * 1999-07-06 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron
US6896775B2 (en) 2002-10-29 2005-05-24 Zond, Inc. High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing
US20050040030A1 (en) 2003-08-20 2005-02-24 Mcdonald Peter H. Method of treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering target thereof and apparatus thereof
US20050133361A1 (en) 2003-12-12 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Compensation of spacing between magnetron and sputter target
US7018515B2 (en) * 2004-03-24 2006-03-28 Applied Materials, Inc. Selectable dual position magnetron
US8097133B2 (en) 2005-07-19 2012-01-17 Applied Materials, Inc. Evacuable magnetron chamber
US8021527B2 (en) 2005-09-14 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Coaxial shafts for radial positioning of rotating magnetron
WO2010115128A2 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Applied Materials, Inc. High pressure rf-dc sputtering and methods to improve film uniformity and step-coverage of this process
KR20120030130A (ko) * 2009-06-02 2012-03-27 인터젠엑스 인크. 다이아프램 밸브를 포함하는 유체 장치
KR20110027909A (ko) 2009-09-11 2011-03-17 (주)울텍 회전식 원통형 복수 배열 자석단을 가지고 있는 스퍼터링 마그네트론
US8580094B2 (en) 2010-06-21 2013-11-12 Applied Materials, Inc. Magnetron design for RF/DC physical vapor deposition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090026073A1 (en) 2005-02-08 2009-01-29 Keitaro Harada Sputtering system
US20070227876A1 (en) 2006-03-29 2007-10-04 Applied Materials, Inc. RF powered target for increasing deposition uniformity in sputtering systems

Also Published As

Publication number Publication date
TW201432079A (zh) 2014-08-16
CN104969331B (zh) 2017-11-03
CN104969331A (zh) 2015-10-07
TWI561659B (en) 2016-12-11
US9249500B2 (en) 2016-02-02
KR20150114986A (ko) 2015-10-13
WO2014123662A1 (en) 2014-08-14
US20140216923A1 (en) 2014-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101725431B1 (ko) Ｐｖｄ ｒｆ ｄｃ 개방/폐쇄 루프 선택가능한 마그네트론
KR102188022B1 (ko) 구성가능한 가변 위치 폐쇄 트랙 마그네트론
US9991101B2 (en) Magnetron assembly for physical vapor deposition chamber
US8580094B2 (en) Magnetron design for RF/DC physical vapor deposition
US8795488B2 (en) Apparatus for physical vapor deposition having centrally fed RF energy
KR102042091B1 (ko) Rf 파워가 중앙에 공급되고 회전하는 마그넷 조립체를 구비한 물리적 기상 증착 챔버
US10283331B2 (en) PVD plasma control using a magnet edge lift mechanism
US11915917B2 (en) Methods and apparatus for reducing sputtering of a grounded shield in a process chamber
KR101771604B1 (ko) 무선 주파수(ｒｆ) 리턴 경로를 갖는 기판 지지부
US9028659B2 (en) Magnetron design for extended target life in radio frequency (RF) plasmas
KR20150002719A (ko) 플라즈마­제한 갭을 갖는 프로세스 키트
US9255322B2 (en) Substrate processing system having symmetric RF distribution and return paths
TW202302894A (zh) 使用改進的屏蔽配置處理基板的方法和裝置
TWI537406B (zh) 具有旋轉磁性組件與中央饋送射頻能量之物理氣相沉積腔室
TW202245009A (zh) 用於使用改進的屏蔽件配置處理基板的方法及設備

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant