TWI828618B - 在沉積腔室中執行糊貼的方法 - Google Patents
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Abstract
用於利用RF供能製程的沉積腔室的鉭(Ta)靶材糊貼製程的實施例包括在利用RF濺射以沉積介電材料於晶圓上後以Ta糊貼製程腔室的內部表面的至少一部分。製程腔室中的壓力水平經調整以最大化Ta糊貼層的覆蓋。Ta糊貼封圍已經不經意間濺射於例如遮蔽件的製程腔室內部表面上的介電材料。接著流動氧進入製程腔室中以形成氧化鉭層於Ta糊貼層上，以進一步減少污染與顆粒生成。
Description
本揭露內容的實施例大致上關於用於半導體製造系統的基板製程腔室。
濺射，又稱為物理氣相沉積(PVD)，是一種在積體電路中形成特徵的方法。濺射沉積材料層於基板上。來源材料(例如，靶材)受到電場強烈加速的離子的轟擊。轟擊從靶材噴射材料，然後材料沉積於基板上。沉積過程中，噴出的顆粒可能沿不同的方向行進，而非通常與基板表面正交，這會不希望地導致在製程腔室的內部結構上產生來源材料的層。
內部結構(諸如，製程腔室的遮蔽件或其他內部表面)的不需要塗層可能造成後續晶圓製程中的缺陷與污染。當來自不需要塗層的材料與沉積在晶圓上的所需材料結合時發生污染。得到的晶圓沉積膜將是沉積材料和來自內部結構塗層的材料的混合物。當來自不需要塗層的顆粒落入晶圓上的沉積層中時，會發生晶圓製程中的缺陷。可以檢查晶圓表面以確定缺陷的數量和大小，但必須分析晶圓沉積膜以確定膜的組成。
因為成本效益與效率，直流電(DC)供能的PVD腔室通常用於金屬晶圓沉積製程。然而，當與介電材料一起使用時，介電材料最終以絕緣膜覆蓋腔室中的電極而停止沉積製程。交流電(AC)供能的PVD腔室(例如，射頻(RF) PVD腔室)有能力以循環的後半部分過程中的負電荷消除在循環的前半部分表面上留下的正電荷。循環特性允許RF PVD腔室用於金屬和介電質晶圓沉積兩者，但沉積速率低於DC供能的PVD腔室。
RF濺射使靶材材料不僅沉積在晶圓上，亦會不希望地沉積在製程腔室的遮蔽件和其它內部表面上。一般而言，遮蔽件由傳導材料(例如，金屬)所製成，且若使用金屬材料靶材，金屬沉積上的金屬不會影響製程。然而，當靶材材料為介電質時，遮蔽件上的介電質沉積造成電荷累積，這可能導致製程腔室中的電弧。電弧可能導致顆粒從內部表面上的介電層上脫落並掉落到正在處理的晶圓上。顆粒生成可能導致晶圓沉積層中的大量缺陷。
因此，發明人已經提供在PVD腔室中的RF供能製程中介電材料沉積的改良方法。
本文提供用於RF PVD製程腔室的鉭(Ta)靶材糊貼製程的實施例。在某些實施例中，在沉積腔室中執行糊貼層的方法包括在第一介電材料層的至少一部分上沉積Ta糊貼層，Ta糊貼層減少來自第一介電材料層的顆粒缺陷，第一介電材料層由介電材料靶材的RF濺射形成於沉積腔室的至少一內部部分上。
在某些實施例中，在RF PVD沉積腔室中執行糊貼的方法包括藉由濺射Ta靶材以在PVD腔室的至少一內部部分上的氧化鎂(MgO)上沉積Ta糊貼層以減少來自氧化鎂的顆粒缺陷；流動氧進入PVD腔室中以與Ta糊貼層結合好進一步減少顆粒缺陷並減少後續MgO沉積層的Ta污染；並藉由濺射MgO靶材而在PVD腔室的至少一內部部分上沉積MgO沉積層好進一步減少後續MgO沉積層的Ta污染。
在某些實施例中，沉積腔室包括具有內部空間的製程腔室，且遮蔽件配置於內部空間中；並具有一個或多個側壁，設以在內部空間中圍繞製程空間；其中遮蔽件的至少一個表面的至少一部分具有RF濺射所形成的介電材料沉積層，且其中介電材料沉積層的至少一部分具有鉭Ta沉積層。
本揭露內容的其他與進一步實施例描述於下。
本文提供用於PVD製程腔室的鉭(Ta)靶材糊貼製程的實施例。本發明的方法利用Ta靶材濺射製程在介電材料沉積在晶圓上之後黏貼製程腔室的內部表面的至少一部分。Ta糊貼封圍已經不經意間濺射於例如遮蔽件的製程腔室內部表面上的介電材料。Ta糊貼大大減少了由落入沉積膜中來自介電材料的顆粒引起的缺陷數量和缺陷大小。額外製程用來增強Ta糊貼的效應以進一步減少沉積膜或層的缺陷與污染兩者。
在某些實施例中，PVD腔室，例如多陰極PVD腔室(例如，製程腔室100)，包括附接至腔室主體(例如，透過腔室主體配接器108)的複數個(例如，5個陰極)陰極102、103，複數個陰極102、103具有相應的複數個靶材(至少一個介電質靶材104與至少一個金屬靶材106)。製程腔室包括基板支撐件132，基板支撐件132具有用以支撐基板136的支撐表面134。製程腔室100包括開口150(例如，狹縫閥)，端效器(未圖示)可透過開口150延伸以放置基板136至升舉銷(未圖示)上以減少基板至支撐表面134上。
在圖1中所示的實施例中，各個靶材以相對於支撐表面134的預定角度α設置。在某些實施例中，角度α可在約10°至約50°之間。基板支撐件包括RF偏壓電源138，RF偏壓電源138透過匹配網路142耦接至配置於基板支撐件132中的偏壓電極140。腔室主體配接器108耦接至製程腔室100的腔室主體110的上部且為接地的。各個陰極可具有DC電源112或RF電源114與相關的磁控管。雙電源允許DC供能製程與RF供能製程兩者發生於相同製程腔室100中。在RF電源114的實例中，RF電源114透過RF匹配網路115耦接至陰極102。RF電源114供應的RF能量可在約13.56 MHz至約162 MHz或更高的頻率範圍中。舉例而言，可使用諸如13.56 MHz、27.12 MHz、60 MHz或162 MHz的非限制頻率。
RF偏壓電源138可耦接至基板支撐件132以在基板136上誘發負DC偏壓。此外，在某些實施例中，負DC自偏壓可在製程過程中形成於基板136上。舉例而言，RF偏壓電源138供應的RF能量可在約2 MHz至約60 MHz的頻率範圍中，舉例而言，可使用諸如2 MHz、13.56 MHz或60 MHz的非限制性頻率。在其他應用中，基板支撐件132可以接地或保持電浮動。
遮蔽件116可旋轉地耦接至腔室主體配接器108並由所有陰極共用。取決於需要同時濺射的靶材數量，旋轉遮蔽件116可具有一個或多個孔以暴露相應的一個或多個靶材。遮蔽件116限制或消除複數個靶材104、106之間的交叉污染。舉例而言，在提供五個陰極的某些實施例中，遮蔽件116可包括至少一個孔118以暴露要濺射的靶材104和至少一個口袋120以容納未被濺射的靶材(例如，金屬靶材106)。遮蔽件116透過軸122旋轉地耦接至腔室主體配接器108。在某些實施例中，遮蔽件116具有一個或多個側壁，設以在內部或內部空間105中圍繞製程空間。
致動器124耦接至軸122並與遮蔽件116相對。致動器124設以如箭號126所示旋轉遮蔽件116，並如箭號128所示沿著製程腔室100的中心軸130上下移動遮蔽件116。當遮蔽件116向上移動到縮回位置時，使得圍繞孔118的遮蔽件的面在面向基板136的靶材(例如，介電質靶材104)的後面，在圍繞靶材的暗區(例如，在孔118的側壁上)中濺射的材料被最小化。因此，由一個靶材（例如，介電質靶材104）濺射的材料由於在暗區積累的材料的濺射而不會污染另一個靶材(例如，金屬靶材106)。
製程腔室100亦使用遮蔽件116圍繞製程腔室100的內部空間105並且保護除靶材104、106之外的其它腔室部件免受製程損壞和/或污染。在製程過程中，來自靶材104、106的來源材料濺射至基板136上。濺射製程形成來源材料的薄沉積層或膜於基板136的表面上。然而，濺射製程不僅沉積來源材料於基板136上，且亦沉積來源材料於於遮蔽件116與內部空間105的其他表面上。額外的沉積物是除基板136以外的表面上的不希望的塗層或沉積物，並且可能產生可從內部表面脫離並掉落到基板136上的顆粒。這些顆粒可能造成基板136的表面上的沉積層或膜中的缺陷。顆粒生成是基板製程的一個重要且長期存在的問題。
製程腔室100可包括複數個RF接地環144以在遮蔽件處於縮回位置時提供遮蔽件116到接地腔室主體配接器108的改善接地。RF接地環144有利地藉由最小化電漿與遮蔽件之間的能量來防止遮蔽件116帶負電。
製程腔室100可進一步包括製程氣體供應器146以供應預定製程氣體至製程腔室100的內部空間105。舉例而言，在已經如下方更詳細所述濺射金屬靶材106後，製程氣體供應器146可供應氧至內部空間105。製程腔室100亦可包括流動地耦接至內部空間105的排氣幫浦148以排出製程氣體並促進維持製程腔室100內部的期望壓力。在本原理的某些實施例中使用壓力水平調整並且在下面更詳細地討論。
製程腔室100可用於多個新記憶體產物(例如，自旋轉矩式磁性隨機存取記憶體(STT-MRAM))的製程中。STT-MRAM具有依賴於關鍵隧道阻障層的分層沉積堆疊。用於此阻障層的典型介電材料為氧化鎂(MgO)。可在Mg + O2
(當正在晶圓上沉積Mg時流動氧進入腔室)時使用DC電力或在MgO (MgO濺射靶材用於晶圓沉積)時使用RF電力來沉積MgO沉積層。然而，由於介電材料在製程腔室的內部表面上的累積，DC電力無法有效地運作於介電質膜。AC供能製程(例如，RF供能製程)較佳地作用於介電材料。
增加半導體行業對高品質MgO沉積的需求突出了使用RF供能製程與使用介電質靶材材料時出現的缺陷長期存在的問題。用於構建用於硬碟之MgO沉積層的先前缺陷減少技術仍然產生了對半導體元件(例如，具有隧穿阻障層的記憶體)而言太大的缺陷。在硬碟產業中，120nm至150nm範圍中的MgO缺陷被視為可接受的。然而，對積體電路(IC)產業而言。缺陷被期望為35nm或更小。
這些缺陷的主要來源是製程過程中MgO在遮蔽件和晶圓周圍的其他製程空間表面(例如，參見圖1的內部空間105的內部表面)上的沉積。RF供能製程可使用介電材料靶材(諸如，MgO、氧化鋁(Al2
O3
)或其他介電材料)以用於介電質沉積(相對地，DC供能製程必須從金屬靶材開始並流動氧以沉積介電質膜)。當這些膜沉積在遮蔽件或其他製程空間表面上時，由於介電質粉末形成、介電質膜上電荷所引起的電弧與/或不良黏著所致的膜剝離(剝落)，沉積產生顆粒。
為了減少這些問題，糊貼層通常在介電層之後濺射到遮蔽件上。糊貼層材料的長期工業標準已經為鈦(Ti)或Ti的衍生形式。Ti是一種相對便宜且容易獲得的金屬。Ti也可用於吸除痕跡殘留氣體，以幫助在製程腔室中達到高度真空。Ti糊貼層用於封圍MgO遮蔽件層以在製程過程中減少MgO顆粒落至晶圓上。然而，Ti的缺陷減少性能對小於120nm的缺陷非常不良。雖然此缺陷大小對硬碟產業的技術而言為可接受的，但此缺陷大小並不樂見於IC產業。儘管有此不樂見的效果，但由於無法發現更好的方案，Ti持續作為介電材料糊貼的產業標準。然而，發明人已經藉由在介電材料層上使用鉭(Ta)作為糊貼層而發展沉積中缺陷管理至新的水平。由於Ta的高成本與Ta對氧的高電抗，先前並未將Ta視為糊貼的可用靶材材料。因此，發明人意外地發現藉由使用本文所述的本原理的技術，Ta在缺陷管理實際上表現優於Ti。發明人亦發現Ta的原子尺寸與Ti相比大得多，從而使得MgO遮蔽件層更好地覆蓋，這可大幅度減少缺陷的數量和缺陷的大小。此外，發明人亦發現Ta具有低濺射產率，這減少晶圓沉積層的污染。
發明人在介電材料上進行使用Ti與Ta作為糊貼層的試驗(例如，分別參見圖2與圖3)。Ti與Ta兩者試驗中使用的介電材料為MgO。當與Ti糊貼層(圖2)相比，Ta糊貼層(圖3)的小缺陷302與大缺陷304數據趨勢顯示晶圓沉積層上缺陷數目與缺陷大小的減少。Ti糊貼層試驗結果200在晶圓生產運行上並不一致，且小缺陷202與大缺陷204在晶圓生產運行上趨勢向上。Ta糊貼層結果300在晶圓生產運行上更為一致，且具有較少的整體缺陷於小缺陷302與大缺陷304兩者，且缺陷隨著生產運行進行趨勢向下。
進行額外的試驗以進一步增強介電材料層上的Ta糊貼層的覆蓋。Ta在糊貼過程中提高腔室壓力，自大約2毫托至大約20毫托。在直到且包括大約10毫托發生缺陷數目與尺寸的減少。自大約10毫托至大約20毫托，缺陷數目與尺寸的減少較小。較高壓力有助於將Ta糊貼層分散到腔室內無法以較低壓力達到的區域，從而提供更好的覆蓋與因此較少的缺陷。大約10毫托可有效減少缺陷並提供良好的分散。壓力調整超過大約10毫托允許增加分散和缺陷輕微減少。發明人還確定，若在Ta糊貼製程後流動氧進入腔室，則發生較少的缺陷。減少的缺陷是由於氧與Ta結合在Ta糊貼層上形成氧化鉭（TaO）層，從而產生更強的固持鍵結。
圖4描繪根據本原理的實施例的PVD製程腔室(例如，參見圖1中的100)的內表面的一部分402。舉例而言，內表面的部分402可為圖1的遮蔽件116的部分或甚至暗區遮蔽件179的部分或內部空間105的表面的其他部分。在下方實施例中，每個所描述的層可以完全覆蓋表面或另一層或僅部分覆蓋表面或另一層。在先前步驟中未沉積的另一層上也可能有一層的重疊(例如，若第二層未提供第一層上的完全覆蓋，第三層可能沉積不僅於第二層上且於第一層的部分上等等)。
當介電質靶材材料(例如，氧化鎂)濺射至晶圓(例如，圖1的基板136)上時，介電材料亦濺射至形成介電材料層406的內表面的部分402的表面404上。介電材料層406是不期望的，但為晶圓沉積製程的副產物。介電材料層406會由於剝落、粉末殘餘物和/或電荷累積產生電弧而導致顆粒形成。這些顆粒可能在後續沉積製程過程中落至晶圓或基板136上。為了減少來自介電材料層406的顆粒形成，Ta材料所製的靶材經濺射以在介電材料層406的頂部上形成Ta糊貼層408。Ta糊貼層408藉由封圍介電材料層406而有助於控制顆粒形成。發明人已經發現厚度大約10 Å (埃)的Ta糊貼層408可提供晶圓缺陷的顯著減少。
然而，發明人發現若在此時執行後續介電材料沉積製程，Ta糊貼層408將自製程移除氧，這導致晶圓上介電材料沉積層的污染。因此，將Ta靶材從製程腔室100中移除或屏蔽，並由介電材料製成的靶材代替。在多陰極製程腔室(例如，圖1中所示的製程腔室100)中，可用致動器124旋轉遮蔽件116以覆蓋Ta靶材並同時暴露介電質靶材至內部空間105。接著透過製程氣體供應器146流動氧進入製程腔室100，並允許與Ta糊貼層408交互作用以形成氧化鉭(TaO)層410於Ta糊貼層408上。氧流動有助於黏結Ta糊貼層408以減少顆粒產生且亦可避免Ta糊貼層408自後續沉積製程移除氧，這可導致晶圓上介電材料沉積層的污染減少。接著濺射介電材料靶材以在TaO層410上形成第二介電材料膜層412。清洗製程進一步減少晶圓上後續介電材料沉積層的可能污染。
圖5為描繪根據本原理實施例處理基板的方法500的流程圖。基板或晶圓放置於沉積腔室中。如502所示，以介電材料靶材(例如，MgO靶材)執行濺射好沉積介電材料膜或層於晶圓的表面上。一旦完成介電材料層的沉積，如504所示，自製程腔室移除晶圓。此時，介電材料的濺射亦在製程腔室的內表面(例如，遮蔽件)的至少一部分上產生介電材料層。
接著如506所示，以Ta材料靶材執行濺射以在製程腔室的內表面的至少一部分上的介電材料層上糊貼Ta層。發明人已經發現在製程腔室中調整壓力水平有助於減少晶圓缺陷。因此，選擇性地，在濺射Ta材料靶材時，壓力可調整於大約10毫托與大約20毫托之間以提高製程腔室的內部表面上Ta層的覆蓋。增加的覆蓋有助於減少由內部表面上介電材料層產生之顆粒所導致的缺陷。已經發現厚度大約10 Å (埃)的Ta層提供晶圓沉積層中減少的缺陷。
在Ta濺射完成時，將靶材變成介電材料靶材(例如，MgO靶材)並如508所示，注射氧進入製程腔室中並允許氧與Ta糊貼層結合。一旦氧完成與Ta糊貼層的鍵結，如510所示將氧排出製程腔室。在Ta糊貼層上形成的TaO層有助於保持顆粒免於剝落且免於在後續晶圓介電材料沉積層中產生缺陷。
接著如512所示，使用介電材料靶材以在富含氧的Ta糊貼層上濺射另一糊貼層。若未執行介電材料糊貼層，則Ta糊貼層可能與後續沉積步驟中濺射的介電材料混合，因而汙染晶圓表面上的沉積層。因此，此製程步驟經常稱為用以減少污染的清洗步驟。製程有助於為下一個晶圓製備製程腔室並減少所謂的第一晶圓效應。一般而言，運行通過製程腔室的第一晶圓具有上方平均污染水平與缺陷。隨著晶圓製程持續進行，這些水平與每個後續晶圓計算平均。製程腔室的清洗確保此現象嚴重地減少或完全地消除。
在完成介電材料糊貼層後，如514所示將下一個接受處理的晶圓載入製程腔室中。接著以介電材料沉積膜塗覆下一個晶圓，再度開始製程。不需要在每次介電材料沉積到晶圓上後進行糊貼步驟。通常，糊貼步驟可用每100到200片晶圓的低頻率進行。執行糊貼步驟的頻率越高，晶圓上介電質沉積膜的純度越高且晶圓表面上的缺陷越少。
不需要執行方法500的每個製程。可搭配介電材料靶材與Ta靶材糊貼單獨來達成顯著優點(諸如，缺陷的減少、較少污染)。氧的引進與/或壓力水平的調整增強了介電材料/Ta靶材組合的整體有效性，但這非為必需的。
因此，在本文提供Ta與介電質靶材糊貼的實施例。本發明的Ta與介電材料靶材糊貼可藉由防止或減少來自製程腔室的遮蔽件和其他內部結構表面的顆粒產生而促進RF PVD製程腔室中介電材料沉積的減少缺陷和增加純度。
雖然上文針對本揭露內容的實施例，但可在不悖離揭露內容的基板範圍下設計出揭露內容的其他與進一步實施例。
100‧‧‧製程腔室102、103‧‧‧陰極104‧‧‧介電質靶材105‧‧‧內部空間106‧‧‧金屬靶材108‧‧‧腔室主體配接器110‧‧‧腔室主體112‧‧‧DC電源114‧‧‧RF電源115‧‧‧RF匹配電路116‧‧‧遮蔽件118‧‧‧孔120‧‧‧口袋122‧‧‧軸124‧‧‧致動器126、128‧‧‧箭號130‧‧‧中心軸132‧‧‧基板支撐件134‧‧‧支撐表面136‧‧‧基板138‧‧‧RF偏壓電源140‧‧‧偏壓電極142‧‧‧匹配網路144‧‧‧RF接地環146‧‧‧製程氣體供應器148‧‧‧排氣幫浦150‧‧‧開口200‧‧‧Ti糊貼層試驗結果202、302‧‧‧小缺陷204、304‧‧‧大缺陷300‧‧‧Ta糊貼層結果402‧‧‧部分404‧‧‧表面406‧‧‧介電材料層408‧‧‧Ta糊貼層410‧‧‧TaO層412‧‧‧第二介電材料膜層500‧‧‧方法502、504、506、508、510、512、514‧‧‧步驟
可藉由參照描繪於附圖中的本揭露內容的說明性實施例而理解本揭露內容的實施例(簡短概述於上與更詳細地描述於下)。然而，附圖僅描繪本揭露內容的典型實施例並因此不被視為揭露內容的限制範圍，因為此揭露內容可允許其他等效性實施例。
圖1描繪根據本原理的某些實施例的製程腔室的示意性橫剖面圖。
圖2描繪根據本原理的某些實施例取得的鈦糊貼數據。
圖3描繪根據本原理的某些實施例取得的鉭糊貼數據。
圖4描繪根據本原理的某些實施例的製程腔室的內部空間表面的一部分。
圖5為描繪根據本原理的某些實施例處理基板的方法的流程圖。
為了促進理解，已經儘可能利用相同的元件符號來標示圖式中共有的相同元件。這些圖不是按比例繪製的，並且為了清晰起見可能會被簡化。一個實施例的元件與特徵可有利地併入其他實施例而毋需進一步列舉。
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100:製程腔室
102、103‧‧‧陰極
104‧‧‧介電質靶材
105‧‧‧內部空間
106‧‧‧金屬靶材
108‧‧‧腔室主體配接器
110‧‧‧腔室主體
112‧‧‧DC電源
114‧‧‧RF電源
115‧‧‧RF匹配電路
116‧‧‧遮蔽件
118‧‧‧孔
120‧‧‧口袋
122‧‧‧軸
124‧‧‧致動器
126、128‧‧‧箭號
130‧‧‧中心軸
132‧‧‧基板支撐件
134‧‧‧支撐表面
136‧‧‧基板
138‧‧‧RF偏壓電源
140‧‧‧偏壓電極
142‧‧‧匹配網路
144‧‧‧RF接地環
146‧‧‧製程氣體供應器
148‧‧‧排氣幫浦
150‧‧‧開口
Claims (3)
- 一種在一沉積腔室中執行糊貼的方法，包括以下步驟：選擇一鉭材料靶材作為該沉積腔室中的一活化沉積濺射靶材，其中該沉積腔室係一具有複數個可選擇的濺射靶材的多陰極物理氣相沉積(PVD)腔室，該複數個可選擇的濺射靶材具有相對於一基板支撐表面配置在一約10°至約50°的角度下的多個濺射表面，該沉積腔室使該沉積腔室的一基板與一遮蔽件可旋轉以選擇該活化沉積濺射靶材，其中該複數個可選擇的濺射靶材包括該鉭材料靶材與一介電材料靶材，且其中該介電材料靶材選自氧化鎂(MgO)靶材與氧化鋁(Al2O3)靶材所構成之群組；調整該沉積腔室的一壓力水平至約10毫托；以自該鉭材料靶材濺射的一鉭糊貼層封圍作為一基板上的一沉積製程的一副產物而先前形成於該沉積腔室的一內部空間中的該遮蔽件上的一第一介電材料層，其中藉由RF濺射該介電材料靶材朝向該沉積腔室中的該基板來形成該第一介電材料層，其中該鉭糊貼層封圍該第一介電材料層以減少由該遮蔽件上的該第一介電材料層在該沉積腔室中額外基板上的後續沉積製程過程中的暴露所引起的數個顆粒缺陷，且其中調整 該壓力水平至約10毫托的步驟可讓該鉭糊貼層最小化源自該遮蔽件的多個缺陷的尺寸與數量；在沉積該鉭糊貼層之後，藉由流動氧進入該沉積腔室中以在該鉭糊貼層上形成氧化鉭，以提高該鉭糊貼層的一固持鍵結並避免該鉭糊貼層在後續沉積製程過程中移除氧；自該沉積腔室排出氧；藉由旋轉該遮蔽件選擇該介電材料靶材作為該沉積腔室中的暴露沉積濺射靶材；及藉由RF濺射該介電材料靶材而沉積一第二介電材料層於該氧化鉭上以形成一第二糊貼層，該第二介電材料層避免該鉭糊貼層與一後續介電材料層的一濺射介電材料的混合，以減少後續介電材料沉積層的鉭糊貼層汙染。
- 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：每隔100至200個基板僅執行一次請求項1所述的方法以維持降低的汙染水平。
- 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：沉積該鉭糊貼層至一大約10Å的厚度。
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