CN110268094A - 减少电介质溅射中的缺陷的糊贴方法 - Google Patents

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Abstract

用于利用RF供能处理的沉积腔室的钽(Ta)靶材糊贴处理的实施方式包括：在利用RF溅射以沉积介电材料于晶片上后，以Ta糊贴处理腔室的内表面的至少一部分。处理腔室中的压力水平经调整以最大化Ta糊贴层的覆盖。Ta糊贴封围已经不经意间溅射于处理腔室内表面(例如屏蔽件)上的介电材料。接着流动氧进入处理腔室中以于Ta糊贴层上形成氧化钽层，以进一步减少污染和颗粒生成。

Description

减少电介质溅射中的缺陷的糊贴方法
技术领域
本公开内容的实施方式大体涉及半导体制造系统中使用的基板处理腔室。
背景技术
溅射，又称为物理气相沉积(PVD)，是一种在集成电路中形成特征的方法。溅射沉积材料层于基板上。源材料(例如，靶材)受到电场强烈加速的离子的轰击。轰击从靶材喷射材料，然后材料沉积于基板上。沉积过程中，喷出的颗粒可能沿不同的方向行进，而非通常与基板表面正交，这会不希望地导致在处理腔室的内部结构上产生源材料的层。
内部结构(诸如，处理腔室的屏蔽件或其他内表面)的不希望的涂层可能造成后续晶片处理中的缺陷和污染。当来自不希望的涂层的材料与沉积在晶片上的所需材料结合时发生污染。得到的晶片沉积膜将是沉积材料和来自内部结构的涂层的材料的混合物。当来自不希望的涂层的颗粒落入晶片上的沉积层中时，会发生晶片处理中的缺陷。可以检查晶片表面以确定缺陷的数量和尺寸，但必须分析晶片沉积膜以确定膜的组成。
因为成本效益与效率，直流电(DC)供能的PVD腔室通常用于金属晶片沉积处理。然而，当与介电材料一起使用时，介电材料最终以绝缘膜覆盖腔室中的电极而停止沉积处理。交流电(AC)供能的PVD腔室(例如，射频(RF)PVD腔室)有能力以循环的后半部分过程中的负电荷中和在循环的前半部分中留在表面上的正电荷。循环特性允许RF PVD腔室用于金属和电介质晶片沉积两者，但沉积速率低于DC供能的PVD腔室。
RF溅射使靶材材料不仅沉积在晶片上，亦会不希望地沉积在处理腔室的屏蔽件和其它内表面上。一般而言，屏蔽件由导电材料(例如，金属)所制成，且若使用金属材料靶材，则金属沉积上的金属不会影响处理。然而，当靶材材料为电介质时，屏蔽件上的电介质沉积造成电荷累积，这可能导致处理腔室内的电弧。电弧可能导致颗粒从内表面上的介电层上脱落并掉落到正在处理的晶片上。颗粒生成可能导致晶片沉积层中的大量缺陷。
因此，发明人已经提供在PVD腔室中的RF供能处理中用于介电材料沉积的改良方法。
发明内容
本文提供用于RF PVD处理腔室的钽(Ta)靶材糊贴(pasting)处理的实施方式。在某些实施方式中，在沉积腔室中执行糊贴层的方法包括在第一介电材料层的至少一部分之上沉积Ta糊贴层，Ta糊贴层减少来自第一介电材料层的颗粒缺陷，第一介电材料层由介电材料靶材的RF溅射形成于沉积腔室的至少一内部部分上。
在某些实施方式中，在RF PVD沉积腔室中执行糊贴的方法包括藉由溅射Ta靶材以在PVD腔室的至少一内部部分上的氧化镁(MgO)之上沉积Ta糊贴层以减少来自氧化镁的颗粒缺陷；流动氧进入PVD腔室中以与Ta糊贴层键结，以进一步减少颗粒缺陷并减少后续MgO沉积层的Ta污染；并藉由溅射MgO靶材而在PVD腔室的至少一内部部分上沉积MgO沉积层以进一步减少后续MgO沉积层的Ta污染。
在某些实施方式中，沉积腔室包括：具有内部容积的处理腔室；和屏蔽件，所述屏蔽件设置于内部容积中，并且具有配置成在内部容积中围绕处理容积的一个或多个侧壁；其中屏蔽件的至少一个表面的至少一部分具有由RF溅射所形成的介电材料沉积层，且其中介电材料沉积层的至少一部分具有钽Ta沉积层。
本公开内容的其他和进一步的实施方式描述于下。
附图说明
可藉由参照描绘于附图中的本公开内容的说明性实施方式来理解本公开内容的实施方式(简短概述于上并在下文更详细地讨论)。然而，附图仅描绘本公开内容的典型实施方式并因此不被视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效性实施方式。
图1描绘根据本原理的某些实施方式的处理腔室的示意性截面图。
图2描绘根据本原理的某些实施方式取得的钛糊贴数据。
图3描绘根据本原理的某些实施方式的钽糊贴数据。
图4描绘根据本原理的某些实施方式的处理腔室的内部容积表面的一部分。
图5为描绘根据本原理的某些实施方式处理基板的方法的流程图。
为了促进理解，已经尽可能使用相同的参考数字来标示各图中共有的相同元件。这些图不是按比例绘制的，并且为了清晰起见可能会被简化。一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文提供用于PVD处理腔室的钽(Ta)靶材糊贴处理的实施方式。本发明的方法利用Ta靶材溅射处理在介电材料沉积于晶片上之后糊贴处理腔室的内表面的至少一部分。Ta糊贴封围已经不经意间溅射于处理腔室内表面(例如屏蔽件)上的介电材料。Ta糊贴大大减少了由落入沉积膜中的来自介电材料的颗粒引起的缺陷数量和缺陷尺寸。额外处理用来增强Ta糊贴的效果以进一步减少沉积膜或层的缺陷和污染两者。
在某些实施方式中，PVD腔室，例如多阴极PVD腔室(例如，处理腔室100)，包括附接至腔室主体(例如，经由腔室主体适配器108)的多个(例如，5个阴极)阴极102、103，多个阴极102、103具有相应的多个靶材(至少一个电介质靶材104和至少一个金属靶材106)。处理腔室包括基板支撑件132，基板支撑件132具有用于支撑基板136的支撑表面134。处理腔室100包括开口150(例如，狭缝阀)，末端执行器(end effector)(未示出)可通过开口150延伸以放置基板136至升降销(未示出)上，用于将基板降低至支撑表面134上。
在图1中所示的实施方式中，各个靶材以相对于支撑表面134的预定角度α设置。在某些实施方式中，角度α可在约10°至约50°之间。基板支撑件包括RF偏压电源138，RF偏压电源138经由匹配网络142耦接至设置在基板支撑件132中的偏压电极140。腔室主体适配器108耦接至处理腔室100的腔室主体110的上部且为接地的。各个阴极可具有DC电源112或RF电源114与相关的磁控管。双电源允许DC供能的处理与RF供能的处理两者发生于同一处理腔室100中。在RF电源114的实例中，RF电源114经由RF匹配网络115耦接至阴极102。RF电源114供应的RF能量可在约13.56MHz至约162MHz或更高的频率范围内。举例而言，可使用诸如13.56MHz、27.12MHz、60MHz或162MHz的非限制性频率。
RF偏压电源138可耦接至基板支撑件132以在基板136上诱发负DC偏压。此外，在某些实施方式中，负DC自偏压可在处理过程中形成于基板136上。举例而言，由RF偏压电源138供应的RF能量可在约2MHz至约60MHz的频率范围内，举例而言，可使用诸如2MHz、13.56MHz或60MHz的非限制性频率。在其他应用中，基板支撑件132可以接地或保持电浮动。
屏蔽件116可旋转地耦接至腔室主体适配器108并由所有阴极共用。根据需要同时溅射的靶材数量，旋转屏蔽件116可具有一个或多个孔以暴露相应的一个或多个靶材。屏蔽件116限制或消除多个靶材104、106之间的交叉污染。举例而言，在提供五个阴极的某些实施方式中，屏蔽件116可包括至少一个孔118以暴露要溅射的靶材104和至少一个口袋(pocket)120以容纳未被溅射的靶材(例如，金属靶材106)。屏蔽件116经由轴122旋转地耦接至腔室主体适配器108。在某些实施方式中，屏蔽件116具有一个或多个侧壁，配置成在内部或内部容积105中围绕处理容积。
致动器124耦接至轴122并与屏蔽件116相对。致动器124配置成如箭头126所示旋转屏蔽件116，并如箭头128所示沿着处理腔室100的中心轴130上下移动屏蔽件116。当屏蔽件116向上移动到缩回位置时，使得围绕孔118的屏蔽件的面在面向基板136的靶材(例如，电介质靶材104)的后面，在围绕靶材的暗区中(例如，在孔118的侧壁上)溅射的材料被最小化。因此，由一个靶材(例如，电介质靶材104)溅射的材料不会由于在暗区积累的材料的溅射而污染另一个靶材(例如，金属靶材106)。
处理腔室100亦使用屏蔽件116围绕处理腔室100的内部容积105并且保护除靶材104、106之外的其它腔室部件免受处理损坏和/或污染。在处理过程中，来自靶材104、106的源材料被溅射至基板136上。溅射处理形成源材料的薄沉积层或膜于基板136的表面上。然而，溅射处理不仅沉积源材料于基板136上，且亦沉积源材料于屏蔽件116和内部容积105的其他表面上。额外的沉积物是除基板136以外的表面上的不希望的涂层或沉积物，并且可能产生可从内表面脱离并掉落到基板136上的颗粒。这些颗粒可能造成基板136的表面上的沉积层或膜中的缺陷。颗粒生成是基板处理的一个重要且长期存在的问题。
处理腔室100可包括多个RF接地环144，以在屏蔽件处于缩回位置时提供屏蔽件116到接地腔室主体适配器108的改善接地。RF接地环144有利地藉由最小化等离子体与屏蔽件之间的能量来防止屏蔽件116带负电。
处理腔室100可进一步包括处理气体供应器146以供应预定处理气体至处理腔室100的内部容积105。举例而言，在如下面更详细讨论的已经溅射金属靶材106后，处理气体供应器146可供应氧至内部容积105。处理腔室100亦可包括流体地耦接至内部容积105的排气泵148，以排出处理气体并促进维持处理腔室100内部的期望压力。在本原理的某些实施方式中使用压力水平调整并且在下面更详细地讨论。
处理腔室100可用于多个新存储产品(例如，自旋转矩式磁性随机存取存储器(spin-transfer torque magnetic random access memory，STT-MRAM))的处理中。STT-MRAM具有依赖于临界隧道阻挡层(critical tunneling barrier layer)的分层沉积堆叠。用于此阻挡层的典型介电材料为氧化镁(MgO)。可在Mg+O2(当正在晶片上沉积Mg时流动氧进入腔室)时使用DC功率或在MgO(MgO溅射靶材用于晶片沉积)时使用RF功率来沉积MgO沉积层。然而，由于介电材料在处理腔室的内表面上的累积，DC功率无法有效地运作于电介质膜。AC供能的处理(例如，RF供能的处理)较佳地作用于介电材料。
半导体行业对高品质MgO沉积的需求增加突出了使用RF供能的处理与使用电介质靶材材料时出现的缺陷长期存在的问题。用于构建用于硬盘驱动器(hard drive)的MgO沉积层的先前缺陷减少技术仍然产生了对半导体装置(例如，具有隧穿阻挡层的存储器)而言太大的缺陷。在硬盘驱动器产业中，120nm至150nm范围内的MgO缺陷被视为可接受的。然而，对集成电路(IC)产业而言。缺陷被期望为35nm或更小。
这些缺陷的主要来源是处理过程中MgO在屏蔽件和晶片周围的其他处理容积表面(例如，参见图1的内部容积105的内表面)上的沉积。RF供能的处理可使用介电材料靶材(诸如，MgO、氧化铝(Al2O3)或其他介电材料)以用于电介质沉积(相对地，DC供能的处理必须从金属靶材开始并流动氧以沉积电介质膜)。当这些膜沉积在屏蔽件或其他处理容积表面上时，由于电介质粉末形成、电介质膜上的电荷所引起的电弧、和/或不良粘着所致的膜剥离(剥落)，导致沉积产生颗粒。
为了减少这些问题，糊贴层通常在介电层之后溅射到屏蔽件上。糊贴层材料的长期工业标准已经为钛(Ti)或Ti的衍生形式。Ti是一种相对便宜且容易获得的金属。Ti也可用于吸除痕迹残留气体，以帮助在处理腔室中达到高度真空。Ti糊贴层用于封围MgO屏蔽层以在处理过程中减少MgO颗粒落到晶片上。然而，Ti的缺陷减少性能对小于120nm的缺陷非常不良。虽然此缺陷尺寸对硬盘驱动器产业的技术而言为可接受的，但此缺陷尺寸对于IC产业来说是不期望的。尽管有此不期望的效果，但由于无法发现更好的方案，Ti持续作为介电材料糊贴的产业标准。然而，发明人已经藉由在介电材料层之上使用钽(Ta)作为糊贴层而发展沉积中缺陷管理至新的水平。由于Ta的高成本与Ta对氧的高电抗(reactance)，先前并未将Ta视为糊贴的可用靶材材料。因此，发明人意外地发现藉由使用本文所述的本原理的技术，Ta在缺陷管理实际上表现优于Ti。发明人亦发现Ta的原子尺寸与Ti相比大得多，从而使得MgO屏蔽层更好地覆盖，这可大幅度减少缺陷的数量和缺陷的尺寸。此外，发明人亦发现Ta具有低溅射率，这减少晶片沉积层的污染。
发明人在介电材料之上进行使用Ti和Ta作为糊贴层的试验(例如，分别参见图2和图3)。Ti和Ta两者试验中使用的介电材料为MgO。当与Ti糊贴层(图2)相比时，Ta糊贴层(图3)的小缺陷302和大缺陷304数据趋势显示晶片沉积层上的缺陷数量和缺陷尺寸的减少。Ti糊贴层试验结果200在晶片生产运行上并不一致，且小缺陷202和大缺陷204在晶片生产运行上趋势向上。Ta糊贴层结果300在晶片生产运行上更为一致，且具有较少的整体缺陷于小缺陷302和大缺陷304两者，且缺陷随着生产运行进行趋势向下。
进行额外的试验以进一步增强介电材料层之上的Ta糊贴层的覆盖。在Ta糊贴过程中提高腔室压力，从大约2毫托(mTorr)至大约20毫托。在直到且包括大约10毫托发生缺陷数量和尺寸的减少。从大约10毫托至大约20毫托，缺陷数量和尺寸的减少较小。较高压力有助于将Ta糊贴层分散到腔室内无法以较低压力达到的区域，从而提供更好的覆盖以及因此较少的缺陷。大约10毫托可有效地减少缺陷并提供良好的分散。压力调整超过大约10毫托允许增加分散和缺陷轻微减少。发明人还确定，若在Ta糊贴处理后流动氧进入腔室，则发生较少的缺陷。减少的缺陷是由于氧与Ta结合在Ta糊贴层之上形成氧化钽(TaO)层，从而产生更强的保持键结(holding bond)。
图4描绘根据本原理的实施方式的PVD处理腔室(例如，参见图1中的100)的内表面的一部分402。举例而言，内表面的一部分402可为图1的屏蔽件116的一部分或甚至暗区屏蔽件179的一部分或内部容积105的表面的其他部分。在下方实施例中，每个所描述的层可以完全覆盖表面或另一层或仅部分地覆盖表面或另一层。在先前步骤中未沉积的另一层上也可能有一层的重叠(例如，若第二层未提供第一层之上的完全覆盖，第三层可能不仅沉积于第二层上且亦沉积于第一层的一部分上等等)。
当电介质靶材材料(例如，氧化镁)溅射至晶片(例如，图1的基板136)上时，介电材料亦溅射至形成介电材料层406的内表面的一部分402的表面404上。介电材料层406是不期望的，但为晶片沉积处理的副产物。介电材料层406会由于剥落、粉末残余物和/或电荷累积产生电弧而导致颗粒形成。这些颗粒可能在后续沉积处理过程中落到晶片或基板136上。为了减少来自介电材料层406的颗粒形成，Ta材料所制成的靶材经溅射以在介电材料层406的顶部上形成Ta糊贴层408。Ta糊贴层408藉由封围介电材料层406而有助于控制颗粒形成。发明人已经发现厚度大约(埃)的Ta糊贴层408能够提供晶片缺陷的显著减少。
然而，发明人发现若在此时执行后续介电材料沉积处理，Ta糊贴层408将从处理移除氧，这导致晶片上介电材料沉积层的污染。因此，将Ta靶材从处理腔室100中移除或屏蔽，并由介电材料制成的靶材代替。在多阴极处理腔室(例如，图1中所示的处理腔室100)中，可用致动器124旋转屏蔽件116以覆盖Ta靶材并同时暴露电介质靶材至内部容积105。接着经由处理气体供应器146流动氧进入处理腔室100中，并允许与Ta糊贴层408相互作用以于Ta糊贴层408上形成氧化钽(TaO)层410。氧流动有助于键结Ta糊贴层408以减少颗粒产生且亦可避免Ta糊贴层408从后续沉积处理移除氧，这可导致晶片上介电材料沉积层的污染减少。接着溅射介电材料靶材以在TaO层410之上形成第二介电材料膜层412。清洁处理进一步减少晶片上后续介电材料沉积层的可能污染。
图5为描绘根据本原理实施方式处理基板的方法500的流程图。将基板或晶片放置于沉积腔室中。如502所示，以介电材料靶材(例如，MgO靶材)执行溅射，以沉积介电材料膜或层于晶片的表面上。一旦完成介电材料层的沉积，如504所示，从处理腔室移除晶片。此时，介电材料的溅射亦在处理腔室的内表面(例如，屏蔽件)的至少一部分上产生介电材料层。
接着如506所示，以Ta材料靶材执行溅射以在处理腔室的内表面的至少一部分上的介电材料层之上糊贴Ta层。发明人已经发现调整处理腔室中的压力水平有助于减少晶片缺陷。因此，选择性地，在溅射Ta材料靶材时，压力可调整于大约10毫托与大约20毫托之间以提高处理腔室的内表面之上Ta层的覆盖。增加的覆盖有助于减少由内表面上的介电材料层产生的颗粒所导致的缺陷。已经发现厚度大约(埃)的Ta层提供晶片沉积层中减少的缺陷。
在Ta溅射完成时，将靶材变成介电材料靶材(例如，MgO靶材)并如508所示，注射氧进入处理腔室中并允许氧与Ta糊贴层键结。一旦氧完成与Ta糊贴层的键结，如510所示将氧排出处理腔室。在Ta糊贴层之上形成的TaO层有助于保持颗粒免于剥落且免于在后续晶片介电材料沉积层中产生缺陷。
接着如512所示，使用介电材料靶材以在富含氧的Ta糊贴层之上溅射另一糊贴层。若未执行介电材料糊贴层，则Ta糊贴层可能与后续沉积步骤中溅射的介电材料混合，因而污染晶片表面上的沉积层。因此，此处理步骤通常被称为用于减少污染的清洁步骤。处理有助于为下一个晶片准备处理腔室并减少所谓的第一晶片效应。一般而言，运行通过处理腔室的第一晶片具有高于平均的污染水平和缺陷。随着晶片处理持续进行，这些水平与每个后续晶片计算平均。处理腔室的清洁确保此现象大大地减少或完全地消除。
在完成介电材料糊贴层后，如514所示将下一个接受处理的晶片载入处理腔室中。接着以介电材料沉积膜涂覆下一个晶片，再次开始处理。不需要在每次介电材料沉积到晶片上后进行糊贴步骤。通常，糊贴步骤可以每100到200片晶片的低频率进行。执行糊贴步骤的频率越高，晶片上电介质沉积膜的纯度越高且晶片表面上的缺陷越少。
不需要执行方法500的每个处理。可搭配介电材料靶材和Ta靶材糊贴单独来实现显著优点(诸如，缺陷的减少、较少污染)。氧的引进和/或压力水平的调整增强了介电材料/Ta靶材组合的整体有效性，但这并非为必需的。
因此，在本文提供Ta和电介质靶材糊贴的实施方式。本发明的Ta和介电材料靶材糊贴可藉由防止或减少来自处理腔室的屏蔽件和其他内部结构表面的颗粒产生而促进RFPVD处理腔室中介电材料沉积的缺陷减少和纯度增加。
虽然上文针对本公开内容的实施方式，但可在不背离本公开内容的基本范围的情况下，设计出本公开内容的其他和进一步的实施方式。

Claims (15)

1.一种在沉积腔室中执行糊贴的方法，包括以下步骤：
在第一介电材料层的至少一部分之上沉积钽(Ta)糊贴层，所述第一介电材料层藉由介电材料靶材的RF溅射形成在所述沉积腔室的至少一内部部分上，所述Ta糊贴层减少由所述第一介电材料层所引起的颗粒缺陷。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
藉由RF溅射介电材料靶材而沉积第二介电材料层于所述Ta糊贴层的至少一部分上，以进一步减少后续介电材料沉积层的Ta污染。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
流动氧进入所述沉积腔室中以于所述Ta糊贴层上形成氧化钽，以进一步减少颗粒缺陷并减少后续介电材料沉积层的Ta污染。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：
从所述沉积腔室排出所述氧；和
藉由RF溅射介电材料靶材而沉积第二介电材料层于所述氧化钽的至少一部分上，以进一步减少后续介电材料沉积层的Ta污染。
5.如权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：
在流动氧进入所述沉积腔室中之前选择介电材料靶材。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
在沉积所述Ta糊贴层之前，对所述沉积腔室施加压力至大约10毫托至大约20毫托的范围内的压力水平，以提高所述Ta糊贴层的覆盖。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
沉积所述Ta糊贴层至大约的厚度。
8.一种在RF PVD腔室中执行糊贴的方法，包括以下步骤：
藉由溅射Ta靶材而在所述RF PVD腔室的至少一内部部分上的氧化镁(MgO)之上沉积钽(Ta)糊贴层，以减少来自所述MgO的颗粒缺陷；
流动氧进入所述RF PVD腔室中以与所述Ta糊贴层键结，以进一步减少颗粒缺陷并减少后续MgO沉积层的Ta污染；和
藉由溅射MgO靶材而沉积MgO沉积层于所述RF PVD腔室的至少一内部部分上，以进一步减少后续MgO沉积层的Ta污染。
9.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：
在沉积所述MgO沉积层之前排出所述氧。
10.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：
在沉积所述Ta糊贴层之前，对所述RF PVD腔室施加压力至大约10毫托至大约20毫托的范围内的压力水平，以提高所述Ta糊贴层的覆盖。
11.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：
在流动所述氧进入所述RF PVD腔室中之前，以MgO靶材取代所述Ta靶材。
12.一种沉积腔室，包括：
处理腔室，所述处理腔室具有内部容积；和
屏蔽件，所述屏蔽件设置于所述内部容积中并具有配置成在所述内部容积中围绕处理容积的一个或多个侧壁，其中所述屏蔽件的至少一个表面的至少一部分具有由RF溅射所形成的介电材料沉积层，并且其中所述介电材料沉积层的至少一部分具有钽(Ta)沉积层。
13.如权利要求12所述的沉积腔室，其中所述Ta沉积层的至少一部分具有氧化钽层。
14.如权利要求13所述的沉积腔室，其中所述氧化钽层的至少一部分具有由RF溅射所形成的介电材料沉积层。
15.如权利要求12所述的沉积腔室，其中所述Ta沉积层的至少一部分具有由RF溅射所形成的介电材料沉积层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115244210A (zh) * 2020-07-01 2022-10-25 应用材料公司 用于在介电溅射期间减少工件中缺陷的等离子体腔室靶材

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10367136B2 (en) * 2017-12-29 2019-07-30 Spin Memory, Inc. Methods for manufacturing a perpendicular magnetic tunnel junction (p-MTJ) MRAM having a precessional spin current injection (PSC) structure
EP3942089A4 (en) * 2019-03-22 2023-04-19 Applied Materials, Inc. METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING A MULTILAYERY DEVICE WITH A SUPERCONDUCTING FILM
JP7541530B2 (ja) 2019-03-22 2024-08-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 金属窒化物の堆積のための方法及び装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5382339A (en) * 1993-09-17 1995-01-17 Applied Materials, Inc. Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator
CN1105712A (zh) * 1993-11-12 1995-07-26 Ppg工业公司 耐久的溅射金属氧化物镀层
EP0780486A1 (fr) * 1995-12-20 1997-06-25 RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, en abrégé: RD-CS Procédé et dispositif pour la formation d'un revêtement sur un substrat
JPH09209147A (ja) * 1995-12-05 1997-08-12 Applied Materials Inc 基板支持装置および堆積チャンバシールド組立体
US6589398B1 (en) * 2002-03-28 2003-07-08 Novellus Systems, Inc. Pasting method for eliminating flaking during nitride sputtering
WO2003090248A2 (en) * 2002-04-19 2003-10-30 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US20090035462A1 (en) * 2007-08-01 2009-02-05 Chang Man Park repeatability for rf mgo tmr barrier layer process by implementing ti pasting
CN102468228A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
CN103740949A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 深圳市华星光电技术有限公司 金属镁的预处理装置和方法
US20140110248A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Applied Materials, Inc. Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material
US20160086775A1 (en) * 2007-11-29 2016-03-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for depositing electronically conductive pasting material
CN106102829A (zh) * 2014-03-07 2016-11-09 卡梅伦保健公司 具有导电涂层的可植入医疗装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027585A (en) 1995-03-14 2000-02-22 The Regents Of The University Of California Office Of Technology Transfer Titanium-tantalum alloys
JP4120974B2 (ja) * 1997-06-17 2008-07-16 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作製方法および薄膜作製装置
US6912417B1 (en) * 2002-04-05 2005-06-28 Ichor Medical Systmes, Inc. Method and apparatus for delivery of therapeutic agents
US9885107B2 (en) 2011-12-27 2018-02-06 Canon Anelva Corporation Method for continuously forming noble metal film and method for continuously manufacturing electronic component
JP5978072B2 (ja) 2012-08-31 2016-08-24 株式会社アルバック 絶縁膜の形成方法
US20160164490A1 (en) * 2013-03-27 2016-06-09 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Piezoelectric device and method for fabricating the same
TW201532247A (zh) * 2013-10-16 2015-08-16 Conversant Intellectual Property Man Inc 形成嵌入動態隨機存取記憶體電容器的成本效益佳的方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5382339A (en) * 1993-09-17 1995-01-17 Applied Materials, Inc. Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator
CN1105712A (zh) * 1993-11-12 1995-07-26 Ppg工业公司 耐久的溅射金属氧化物镀层
JPH09209147A (ja) * 1995-12-05 1997-08-12 Applied Materials Inc 基板支持装置および堆積チャンバシールド組立体
DE69619074D1 (de) * 1995-12-05 2002-03-21 Applied Materials Inc Substratträgervorrichtung für eine Beschichtungskammer
DE69634071T2 (de) * 1995-12-20 2005-12-08 RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, en abrégé RD-CS Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
EP0780486A1 (fr) * 1995-12-20 1997-06-25 RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, en abrégé: RD-CS Procédé et dispositif pour la formation d'un revêtement sur un substrat
US6589398B1 (en) * 2002-03-28 2003-07-08 Novellus Systems, Inc. Pasting method for eliminating flaking during nitride sputtering
WO2003090248A2 (en) * 2002-04-19 2003-10-30 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US20090035462A1 (en) * 2007-08-01 2009-02-05 Chang Man Park repeatability for rf mgo tmr barrier layer process by implementing ti pasting
US20160086775A1 (en) * 2007-11-29 2016-03-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for depositing electronically conductive pasting material
CN102468228A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
US20140110248A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Applied Materials, Inc. Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material
CN103740949A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 深圳市华星光电技术有限公司 金属镁的预处理装置和方法
CN106102829A (zh) * 2014-03-07 2016-11-09 卡梅伦保健公司 具有导电涂层的可植入医疗装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
唐伟忠: "《薄膜材料制备原理、技术及应用》", 31 May 1998, 冶金工业出版社 *
钱苗根: "《材料表面技术及其应用手册》", 30 November 1998, 机械工业出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115244210A (zh) * 2020-07-01 2022-10-25 应用材料公司 用于在介电溅射期间减少工件中缺陷的等离子体腔室靶材

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Publication number Publication date
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