JPH10330938A - イオン化スッパタ装置及びイオン化スパッタ方法 - Google Patents
イオン化スッパタ装置及びイオン化スパッタ方法Info
- Publication number
- JPH10330938A JPH10330938A JP9155981A JP15598197A JPH10330938A JP H10330938 A JPH10330938 A JP H10330938A JP 9155981 A JP9155981 A JP 9155981A JP 15598197 A JP15598197 A JP 15598197A JP H10330938 A JPH10330938 A JP H10330938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target
- substrate
- sputter
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/351—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using a magnetic field in close vicinity to the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
ホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うと
ともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。 【解決手段】 排気系11を備えたスパッタチャンバー
1内に設けられたターゲット2をスパッタ電源3によっ
てスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板50に到
達させて成膜する。スパッタ電源3は5W/cm2 以
上の電力をターゲット2に投入し、この電力のみで形成
されたプラズマP中でスパッタ粒子がイオン化する。タ
ーゲット2と基板ホルダー5との間には円筒状のシール
ド6が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定
手段8がイオン化したスパッタ粒子をプラズマP中から
引き出して基板50に入射させるための電界を設定す
る。
Description
バイス等の製作に使用されるスパッタ装置に関し、特
に、スパッタ粒子をイオン化して成膜に利用するイオン
化スパッタ装置に関するものである。
スでは、各種配線膜の作成や異種層の相互拡散を防止す
るバリア膜の作成等の際にスパッタプロセスを用いてお
り、スパッタ装置が多用されている。このようなスパッ
タ装置に要求される特性は色々あるが、基板に形成され
たホールの内面にカバレッジ性よく被覆できることが、
最近強く求められている。
用されているCMOS−FET(電界効果トランジス
タ)では、拡散層の上に設けたコンタクトホールの内面
にバリア膜を設けてコンタクト配線層と拡散層とのクロ
スコンタミネーションを防止する構造が採用される。ま
た、各モメリセルの配線を行う多層配線構造では、下層
配線と上層配線とをつなぐため、層間絶縁膜にスルーホ
ールを設けこのスルーホール内を層間配線で埋め込むこ
とが行われるが、この際にも、スルーホール内にバリア
膜を作成して、クロスコンタミネーションを防止した構
造が採られる。
として、そのアスペクト比(ホールの開口の直径又は幅
に対するホールの深さの比)が年々高くなってきてい
る。例えば、64メガビットDRAMでは、アスペクト
比は4程度であるが、256メガビットでは、アスペク
ト比は5〜6程度になる。
積量に対して10から15%の量の薄膜をホールの底面
に堆積させる必要があるが、高アスペクト比のホールに
ついては、ボトムカバレッジ率(ホールの周囲の面への
成膜速度に対するホール底面への堆積速度の比)を高く
して成膜を行うことが困難である。ボトムカバレッジ率
が低下すると、ホールの底面でのバリア膜が薄くなり、
ジャンクションリーク等のデバイス特性に致命的な欠陥
を与える恐れがある。
の手法として、コリメートスパッタや低圧遠隔スパッタ
等の手法がこれまで開発されてきた。コリメートスパッ
タは、ターゲッットと基板との間に基板に垂直な方向の
穴を多数開けた板(コリメーター)を設け、基板にほぼ
垂直に飛行するスパッタ粒子(通常は、スパッタ原子)
のみを選択的に基板に到達させる手法である。また、低
圧遠隔スパッタは、ターゲットと基板との距離を長くし
て(通常の約3倍から5倍)基板にほぼ垂直に飛行する
スパッタ粒子を相対的多く基板に入射させるようにする
とともに、通常より圧力を低くして(0.8mTorr
程度以下)平均自由行程を長くすることでこれらのスパ
ッタ粒子が散乱されないようにする手法である。
リメーターの部分にスパッタ粒子が堆積して損失になる
ために成膜速度が低下する問題があり、また、低圧遠隔
スパッタでは、圧力を低くしターゲットと基板との距離
を長くするため本質的に成膜速度が低下する問題があ
る。このような問題のため、コリメートスパッタは、ア
スペクト比が3程度までの16メガビットのクラスの量
産品に使用されるのみであり、低圧遠隔スパッタでもア
スペクト比4程度までのデバイスが限界とされている。
クト比4以上のホールに対してボトムカバレッジ率よく
成膜できる技術として、イオン化スパッタの手法が検討
されている。イオン化スパッタは、ターゲットから放出
されるスパッタ粒子をイオン化し、イオンの作用によっ
てボトムカバレッジ率を高める手法である。
の問題を幾つか有している。その一つは、イオン化のた
めのエネルギー供給の構成にある。即ち、イオン化スパ
ッタを行うには、ターゲットから基板へのスパッタ粒子
の飛行経路においてプラズマを形成することが有効であ
るが、このプラズマを形成するためにターゲットとは別
に電極(コイル状又は板状等)を設け、この電極に電力
を印加する電源を接続する構成が考えられる。しかしな
がら、このような構成では、スパッタチャンバー内の構
成が複雑になる欠点がある上、スパッタ電源とは別に電
源を設けるため、スパッタチャンバーの周囲の構成も複
雑になり、またコストの点でも高価となる問題がある。
ためになされたものであり、イオン化スパッタによって
高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の
良い成膜が行える装置及び方法であって、スパッタチャ
ンバー内外の構成が簡略化され、コストも安価にできる
装置及び方法を提供することを目的とする。
め、本願の請求項1記載の発明は、排気系を備えたスパ
ッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられた
ターゲットと、スパッタチャンバー内に所定のガスを導
入するガス導入手段と、導入されたガスにスパッタ放電
を生じさせてターゲットをスパッタするスパッタ電源
と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッ
タ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーと
を備えたイオン化スパッタ装置であって、前記スパッタ
電源は、前記スパッタ放電によって形成されたプラズマ
中で当該スパッタ電源が与える電力のみで前記スパッタ
粒子をイオン化できるよう構成されている。また、上記
課題を解決するため、請求項2記載の発明は、前記スパ
ッタ電源は、ターゲットの被スパッタ面の面積で割った
投入電力面積密度が5W/cm2 以上である高周波電力
をターゲットに印加するものであるという構成を有す
る。また、上記課題を解決するため、請求項3記載の発
明は、上記請求項1又は2の構成において、前記ターゲ
ットと前記基板ホルダーとは同軸上に対向して配置され
ており、ターゲットと基板ホルダーとの間の空間には円
筒状のシールドが同軸上に設けられている前記シールド
の内側に形成されたプラズマからイオンを引き出して基
板に入射させるための基板に垂直な電界を設定する電界
設定手段が設けられているという構成を有する。また、
上記課題を解決するため、請求項4記載の発明は、上記
請求項1、2又は3の構成において、前記イオン化した
スパッタ粒子を前記プラズマ中から引き出して基板に入
射させるための電界を設定する電界設定手段が設けられ
ているという構成を有する。また、上記課題を解決する
ため、請求項5記載の発明は、スパッタチャンバー内に
設けられたターゲットに所定の電力を印加してスパッタ
放電を生じさせて当該ターゲットをスパッタし、当該タ
ーゲットから放出されたスパッタ粒子を基板に到達させ
て基板の表面に所定の薄膜を堆積させるスパッタ方法で
あって、前記スパッタチャンバー内を10mTorrか
ら100mTorrの範囲の所定の圧力に維持し、スパ
ッタ放電によって形成されたプラズマ中で、前記ターゲ
ットに与える電力のみで前記スパッタ粒子をイオン化
し、イオン化したスパッタ粒子を前記基板に到達させる
ことにより前記薄膜を堆積させるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項6記載の発明
は、上記請求項5の構成において、前記ターゲットに与
える所定の電力は、ターゲットの被スパッタ面の面積で
割った投入電力面積密度が5W/cm2 以上の高周波電
力であるという構成を有する。
いて説明する。図1は、本願発明の実施形態のイオン化
スパッタ装置の構成を説明する正面概略図である。図1
に示すスパッタ装置は、排気系11を備えたスパッタチ
ャンバー1と、スパッタチャンバー1内に設けられたタ
ーゲット2と、ターゲット2をスパッタするスパッタ電
源3と、スパッタチャンバー1内に所定のガスを導入す
るガス導入手段4と、スパッタによってターゲット2か
ら放出されたスパッタ粒子が入射する位置に基板50を
保持する基板ホルダー5とを備えている。
ゲートバルブを備えた気密な容器である。このスパッタ
チャンバー1は、ステンレス等の金属製であり、電気的
には接地されている。排気系11は、ターボ分子ポンプ
や拡散ポンプ等を備えた多段の真空排気システムで構成
されており、スパッタチャンバー1内を10-9Torr
程度まで排気可能になっている。また、排気系11は、
バリアブルオリフィス等の不図示の排気速度調整器を備
え、排気速度を調整することが可能になっている。
径314mm程度の円板状であり、金属製のターゲット
ホルダー21及び絶縁体22を介してスパッタチャンバ
ー1に取付けられている。尚、ターゲット2と基板ホル
ダー5との距離は、120mm程度である。ターゲット
2の背後には、磁石機構30が設けられており、マグネ
トロンスパッタを行うようになっている。磁石機構30
は、中心磁石31と、この中心磁石31を取り囲む周辺
磁石32と、中心磁石31及び周辺磁石32とを繋ぐ円
板状のヨーク33とから構成されている。尚、各磁石3
1,32は、いずれも永久磁石であるが、電磁石でこれ
らを構成することも可能である。また、これらの磁石機
構30は、ターゲット2のエロージョンを均一化するた
め、必要に応じて回転される。回転の軸は、ターゲット
2に対して垂直であり、ターゲット2の中心から少し偏
心して設定される。
スパッタ装置の大きな特徴点を成している。本実施形態
では、スパッタ電源3は、周波数13.56MHzで出
力8〜10kWの高周波電源が使用されており、高周波
スパッタを行う電源としてはかなり大出力のものが使用
されている。尚、スパッタ電源3とターゲット2の間に
は不図示の整合器が設けられ、インピーダンスマッチン
グが行われる。
放電用のガスを溜めたガスボンベ41と、ガスボンベ4
1とスパッタチャンバー1とをつなぐ配管42と、配管
42に設けられたバルブ43や流量調整器44とから主
に構成されている。
パッタチャンバー1に気密に設けられており、ターゲッ
ト2に対して平行に基板50を保持するようになってい
る。この基板ホルダー5には、ターゲット2の下方に形
成されたプラズマPからイオン化スパッタ粒子を引き出
して基板50に入射させるための電界(以下、引き出し
用電界)を設定する電界設定手段8が設けられている。
電界設定手段8としては、本実施形態では、基板50に
バイアス電圧を与える基板バイアス用電源81が採用さ
れている。基板バイアス用電源81としては、本実施形
態では基板50に負の直流電圧を与える直流電源が使用
されている。
ルダー5に基板50を吸着する吸着用電源も兼ねてい
る。即ち、基板ホルダー5の上側部分は誘電体で形成さ
れており、この誘電体の部分の内部に吸着電極51が埋
設されている。そして、基板バイアス用電源81はこの
吸着電極51に接続されている。具体的には、基板バイ
アス用電源81は例えば−600V程度の直流電圧を吸
着電極51に与えるようになっている。この電圧によっ
て誘電体が誘電分極し基板ホルダー5の表面には負の電
位が現れるようになっている。この負の電位によって基
板50に垂直な電界が設定され、プラズマPから効率よ
くイオン化スパッタ粒子が引き出される。
よって基板50が静電吸着される。基板ホルダー5の内
部には、ヒータ52が設けられており、基板50が基板
ホルダー5に静電吸着されることによってヒータ52に
よる温度制御の精度が向上するようになっている。尚、
ヒータ52は基板50を室温から500℃程度の範囲で
温度制御できるよう構成される。
負の直流電源の他、所定の高周波電源でも構わない。基
板バイアス用電源81が高周波電圧を基板ホルダー5に
印加すると、基板50の表面にはプラズマP中の荷電粒
子が周期的に引き寄せられる。このうち、移動度の高い
電子は正イオンに比べて多くが基板50の表面に引き寄
せられ、その結果、基板50の表面は負の電位にバイア
スされたのと同じ状態になる。この高周波電源として
は、例えば周波数13.56MHz出力600W程度の
ものが使用できる。
のスパッタ粒子の飛行経路を取り囲むようにシールド6
が設けられている。シールド6は円筒状であり、ターゲ
ット2及び基板50と同軸上に設けられている。より具
体的な寸法を示すと、シールド6は、板厚1mm程度の
円筒状であり、内径はターゲット2の直径よりも少し小
さい300mm程度、高さは50mm程度である。ま
た、ターゲット2からシールド6までの軸方向の距離は
20mm程度である。尚、シールド6は、材質としては
チタン製であり非磁性体で形成されている。このような
シールド6は、絶縁体61を介してスパッタチャンバー
1に保持されている。但し、シールド6をスパッタチャ
ンバー1に対して短絡する開閉可能な短絡体62が設け
られており、シールド6を接地電位にするか浮遊電位に
するかが選択できるようになっている。
ッタの効果を促進するための磁場を設定する磁場設定手
段7が設けられている。磁場設定手段7は、本実施形態
では、基板ホルダー5の下側に設けられた磁石71によ
って構成されている。磁石71は、基板ホルダー5と同
軸上に設けられた円環状の永久磁石であり、上面と下面
に異なった磁極が現れるようになっている。このため、
図1に示すような磁力線72が設定されるようになって
いる。尚、磁石71を電磁石によって構成することも可
能である。
ッタ装置の動作について説明する。基板50が不図示の
ゲートバルブを通してスパッタチャンバー1内に搬入さ
れ、基板ホルダー5上に載置される。スパッタチャンバ
ー1内は予め10-9Torr程度まで排気されおり、基
板50の載置後にガス導入手段4が動作して、アルゴン
等のプロセスガスが所定の流量で導入される。排気系1
1の排気速度調整器を制御してスパッタチャンバー1内
を所定の圧力に維持する。この際の圧力は、通常のスパ
ッタの圧力(数mTorr)より高く、20mTorr
〜100mTorr程度の範囲である。この圧力下でス
パッタ電源3を動作させ、基板バイアス用電源81も同
時に動作させる。
定の高周波電圧が与えられてマグネトロンスパッタ放電
が生じ、これによってターゲット2の下方にプラズマP
が形成される。また、基板バイアス用電源81によって
基板バイアス電圧が基板50に与えられ、この結果、プ
ラズマPと基板50との間に引き出し用電界が設定され
る。スパッタによってターゲット2から放出されたスパ
ッタ粒子は、基板50に到達してターゲット2の材料よ
りなる薄膜を基板50に堆積する。薄膜が所定の厚さに
達すると、スパッタ電源3、基板バイアス用電源81、
ガス導入系4の動作をそれぞれ停止し、スパッタチャン
バー1内を再度排気した後、基板50をスパッタチャン
バー1から取り出す。
ターゲット2を使用し、最初にプロセスガスとしてアル
ゴンを導入してチタン薄膜を成膜する。そして、その後
プロセスガスとして窒素ガスを導入してチタンと窒素と
の反応を補助的に利用しながら窒化チタン薄膜を作成す
る。これによって、チタン薄膜の上に窒化チタン薄膜を
積層したバリア膜が得られる。
〜100mTorrと高く、10kWという大電力がタ
ーゲット2に印加されているので、プラズマPはその密
度やエネルギーが高い。このため、スパッタ粒子はこの
プラズマP中で充分な効率でイオン化し、イオン化スパ
ッタ粒子となる。このイオン化スパッタ粒子は、引き出
し用電界によって効率良くプラズマPから引き出され、
効率よく基板50に入射する。このイオン化スパッタ粒
子は、基板50の表面に形成されたホールの内部まで効
率よく到達し、ホール内をボトムカバレッジ率良く成膜
するのに貢献している。この点をさらに詳しく説明す
る。
明する断面概略図である。図2(a)に示すように、基
板50の表面に形成された微細なホール500内に薄膜
510を堆積させる際、ホール500の開口の縁503
の部分に薄膜510が盛り上がって堆積する傾向があ
る。この盛り上がりの部分の薄膜510は「オーバーハ
ング」と呼ばれるが、オーバーハングが形成されると、
ホール500の開口が小さくなって見かけ上アスペクト
比が高くなってしまう。このため、ホール500内に達
するスパッタ原子の量が少なくなり、ボトムカバレッジ
率が低下してしまう。
化スパッタ粒子20が基板50に達すると、このイオン
化スパッタ粒子20はオーバーハングの部分の薄膜51
0を再スパッタして崩し、ホール500内に落とし込む
ように作用する。このため、ホール500の開口が小さ
くなるのを防止するとともに、ホール500の底面への
膜堆積を促進するため、ボトムカバレッジ率が向上す
る。尚、このようなオーバーハングの再スパッタは、イ
オン化スパッタ粒子20のみならず、スパッタ放電のた
めに導入したプロセスガスのイオンによっても生じ得
る。
段8によって基板50に垂直な基板50に向かって電位
が下がる引き出し用電界が設定されるので、上記イオン
化スパッタ粒子20は、この引き出し用電界によって導
かれて基板50に垂直に入射し易くなる。このため、イ
オン化スパッタ粒子20は深いホール500の底面にま
で到達し易くなり、この点もボトムカバレッジ率の向上
に貢献する。
手段7として採用された磁石71によって設定される磁
力線は、イオン化スパッタ粒子20を効率よく基板50
に導くよう作用する。この点も、ボトムカバレッジ率の
高い成膜に貢献している。尚、磁力線72は、基板ホル
ダー5の側方に向けてのプラズマPの拡散を防止する効
果もあり、プラズマ密度を向上させてイオン化をさらに
促進する効果がある。
膜用のチタン薄膜を作成する実施例(以下、第一の実施
例)として、以下のような条件でスパッタを行うことが
できる。 スパッタ電源3:13.56MHz出力8kW ターゲット2の材質:チタン プロセスガスの種類:アルゴン プロセスガスの流量:120cc/分 成膜時の圧力:60mTorr 基板バイアス電圧:−600V 成膜時の基板ホルダー5の温度:300℃ 成膜速度:500オングストローム/分
する実施例(以下、第二の実施例)として、以下のよう
な条件でスパッタを行うことができる。 スパッタ電源3:13.56MHz出力8kW ターゲット2の材質:チタン プロセスガスの種類:アルゴンと窒素の混合ガス プロセスガスの流量:アルゴン25cc/分、窒素75
cc/分 成膜時の圧力:45mTorr 基板バイアス電圧:−600V 成膜時の基板ホルダー5の温度:200℃ 成膜速度:200オングストローム/分
行った結果を示す図であり、ホールのアスペクト比に対
するボトムカバレッジ率の関係を示した図である。比較
のため、従来のスパッタ装置として低圧遠隔スパッタ装
置によるデータも併せて示してある。この低圧遠隔スパ
ッタのデータは、圧力0.5mTorr、ターゲット2
と基板50との距離340mmの条件のものである。
アスペクト比4のホールに対して20%未満のボトムカ
バレッジ率しか得られていない。一方、実施例のイオン
化スパッタでは、40%程度のボトムカバレッジ率が得
られており、遥かに高いボトムカバレッジ率が得られて
いるのが分かる。そして、アスペクト比4を越えるホー
ルに対しても基板5の中央部で35%程度のボトムカバ
レッジ率が得られており、このような高アスペクト比の
ホールへの成膜に対しても有効であることが分かる。さ
らに、低圧遠隔スパッタに比べ、基板の中央部と周辺部
でのボトムカバレッジ率のばらつきが非常に小さく、ボ
トムカバレッジ率の面内均一性の点でも大きく改善され
ていることが分かる。
プラズマP中でのスパッタ粒子のイオン化には、ターゲ
ット2への投入電力の大きさが重要なパラメーターの一
つである。ターゲット2への投入電力を大きくすること
が、プラズマP中でのイオン化を促進する上で有効であ
る。どの程度まで大きくするとイオン化が充分となるか
は、プラズマPの形成空間の大きさにより異なる。プラ
ズマPの形成空間の大きさをターゲット2の大きさで置
き換えて考えると、ターゲット2の被スパッタ面の面積
で投入電力を割った電力面積密度が、5W/cm2 以上
である場合、一般的には上記イオン化が充分行われる。
は、成膜時の圧力も重要なパラメーターである。という
のは、電力も大きくしていったとしても、プラズマの素
となる気体分子の量が増えないとエネルギーを受け取る
ものが増えないので、プラズマ密度は飽和してしまうか
らである。
て、圧力を変化させた実験の結果を示す図であり、圧力
を変化させながら、アスペクト比3のホールに対する成
膜速度及びボトムカバレッジ率を調べた結果を示してい
る。まず、図4中●マーカーで示すように、圧力が高く
なると成膜速度は低下する傾向がある。これは、スパッ
タ粒子の飛行経路に多数のプロセスガスの分子が存在す
るため、スパッタ粒子が多く散乱され、基板50へのス
パッタ粒子の到達量が減ってしまうからである。一方、
図4中■マーカーで示すように、圧力が高くなるとボト
ムカバレッジ率も高くなっている。これは、プラズマP
中でのスパッタ粒子のイオン化が主にペニング効果であ
ることを示しており、プラズマ密度が高くなることによ
ってスパッタ粒子のイオン化効率も高くなることを示し
ている。
カバレッジ率を高くするには圧力を高くすることが有効
であるが、あまり高くすると成膜速度が低下する問題が
ある。この図4からは明らかではないが、圧力を100
mTorr以上にすると、成膜速度は200オングスト
ローム/分以下となり、実用上問題となる。また、圧力
を20mTorr以下とすると、上述したようなイオン
化スパッタの効果が充分得られない。従って、20mT
orr〜100mTorrの範囲内でアスペクト比や必
要な成膜速度及びボトムカバレッジ率を考慮に入れて圧
力を適宜決定することになる。
る。図5は、シールド6の効果を確認した実験の結果を
示す図である。この図5に示す実験では、上記第一の実
施例の条件において、シールド6を設置したり取り外し
たりしながら成膜を行った。図5に示す通り、シールド
6を設置した場合、設置しない場合に比べて平均で10
〜15%程度ボトムカバレッジ率が向上した。
調査した実験の結果を示す図である。図6の実験では、
短絡体62を使用してシールド6をスパッタチャンバー
1に短絡して接地したり、短絡体62を開放してシール
ド6を接地しないで浮遊電位にしたりしながらボトムカ
バレッジ率を調べた。図6に示す通り、シールド6を接
地してもしなくても、ボトムカバレッジ率が殆ど変化し
ない。つまり、シールド6の電位はプラズマP中でのス
パッタ粒子のイオン化に殆ど影響を与えていない。
うにシールド6の設置によってボトムカバレッジ率が向
上するのは、電気的効果ではないと考えられる。詳細な
原因は不明であるが、シールド6によってプラズマPの
形成空間が小さくなるとかプラズマの拡散が防止される
とかの理由によりプラズマ密度が高くなり、これによっ
てスパッタ粒子のイオン化効率が向上するという物理的
な効果によるものと考えられる。
意味ではシールド6の直径は小さい方が良いということ
になるが、あまり小さくすると、ターゲット2から基板
50へのスパッタ粒子の飛行を阻害することになる。従
って、シールド6の直径(内径)は、ターゲット2の直
径と同等であることが好ましく、小さくとも、ターゲッ
ト2の直径の90%程度の大きさとすることが好まし
い。
電力が印加されないため、シールド6はターゲット2の
ようにスパッタされることはない。従って、ターゲット
2のように加熱されることはなく冷却機構等は不要であ
る。但し、プラズマPに晒されることによる僅かなスパ
ッタがあり得るので、シールド6の表面をアルマイト処
理にして耐プラズマ性を与えたり、スパッタされても基
板50を汚損することのない材質(通常はターゲット2
と同様の材質)でシールド6を構成することが好まし
い。
得るため、スパッタチャンバー1の内壁面へのスパッタ
粒子の付着を防止する防着シールドと同様に表面に凹凸
を形成して堆積膜の剥離を抑制したり、交換可能に設置
して所定の成膜回数のたびに交換するようにすると、薄
膜の剥離により生じたパーティクルによる膜厚異常や基
板汚損の問題が回避される。
に、シールド6を設置しない場合でもボトムカバレッジ
率は低圧遠隔スパッタ装置等の従来の装置に比べて大き
く改善される。そして、シールド6を設けない構成は、
コストが安価になり、パーティクルの発生要因が少なく
なり、シールド6の交換等の煩雑な作業が不要になる等
の点で有利である。
ア膜用のチタン薄膜や窒化チタン薄膜の作成を例に採り
上げたが、配線用のアルミニウム合金膜や銅膜等の作成
についても同様に実施できることはいうまでもない。ま
た、成膜の対象物である基板50としては、各種半導体
デバイスを作成するための半導体ウェーハの他、液晶デ
ィスプレイやその他の各種電子製品の製作に利用される
各種基板を対象とすることができる。
ば、ターゲットからのスパッタ粒子がイオン化されるの
で、アスペクト比4以上の微細なホールに対して充分な
ボトムカバレッジ率で成膜を行うことができる。このた
め、64メガビットから256メガビットに移行する次
世代のデバイスの製作に極めて有効な手法が提供され
る。そして、イオン化のためのエネルギー供給がスパッ
タのためにスパッタ電源がターゲットに与える電力のみ
によって行うことができるので、スパッタチャンバー内
に別途電極を設けたり別途電源を接続したりすることが
不要になる。このため、スパッタチャンバー内外の構成
が簡略化されるとともにコストも安価にできる。このた
め、実用的な装置及び方法が提供される。また、請求項
3の発明によれば、シールドの作用によって上記効果が
さらに増進される。また、請求項4の発明によれば、電
界設定手段の作用によって上記効果がさらに増進され
る。
構成を説明する正面概略図である。
略図である。
図であり、ホールのアスペクト比に対するボトムカバレ
ッジ率の関係を示した図である。
た実験の結果を示す図であり、圧力を変化させながら、
アスペクト比3のホールに対する成膜速度及びボトムカ
バレッジ率を調べた結果を示している。
図である。
を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 排気系を備えたスパッタチャンバーと、
スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、スパ
ッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段
と、導入されたガスにスパッタ放電を生じさせてターゲ
ットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタによって
ターゲットから放出されたスパッタ粒子が入射する位置
に基板を保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパ
ッタ装置であって、 前記スパッタ電源は、前記スパッタ放電によって形成さ
れたプラズマ中で当該スパッタ電源が与える電力のみで
前記スパッタ粒子をイオン化できるよう構成されている
ことを特徴とするイオン化スパッタ装置。 - 【請求項2】 前記スパッタ電源は、ターゲットの被ス
パッタ面の面積で割った投入電力面積密度が5W/cm
2 以上である高周波電力をターゲットに印加するもので
あることを特徴とする請求項1記載のイオン化スパッタ
装置。 - 【請求項3】 前記ターゲットと前記基板ホルダーとは
同軸上に対向して配置されており、ターゲットと基板ホ
ルダーとの間の空間には円筒状のシールドが同軸上に設
けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のイ
オン化スパッタ装置。 - 【請求項4】 前記イオン化したスパッタ粒子を前記プ
ラズマ中から引き出して基板に入射させるための電界を
設定する電界設定手段が設けられていることを特徴とす
る請求項1、2又は3記載のイオン化スパッタ装置。 - 【請求項5】 スパッタチャンバー内に設けられたター
ゲットに所定の電力を印加してスパッタ放電を生じさせ
て当該ターゲットをスパッタし、当該ターゲットから放
出されたスパッタ粒子を基板に到達させて基板の表面に
所定の薄膜を堆積させるスパッタ方法であって、 前記スパッタチャンバー内を10mTorrから100
mTorrの範囲の所定の圧力に維持し、スパッタ放電
によって形成されたプラズマ中で、前記ターゲットに与
える電力のみで前記スパッタ粒子をイオン化し、イオン
化したスパッタ粒子を前記基板に到達させることにより
前記薄膜を堆積させることを特徴とするイオン化スパッ
タ方法。 - 【請求項6】 前記ターゲットに与える所定の電力は、
ターゲットの被スパッタ面の面積で割った投入電力面積
密度が5W/cm2 以上の高周波電力であることを特徴
とするイオン化スパッタ方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15598197A JP4344019B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | イオン化スパッタ方法 |
TW087100824A TW373241B (en) | 1997-05-28 | 1998-01-20 | Ionized splash galvanization method |
US09/013,927 US6444099B1 (en) | 1997-05-28 | 1998-01-27 | Ionizing sputtering method |
KR1019980008076A KR100295705B1 (ko) | 1997-05-28 | 1998-03-11 | 이온화스퍼터방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15598197A JP4344019B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | イオン化スパッタ方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007101174A Division JP2007197840A (ja) | 2007-04-06 | 2007-04-06 | イオン化スパッタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10330938A true JPH10330938A (ja) | 1998-12-15 |
JP4344019B2 JP4344019B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=15617754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15598197A Expired - Lifetime JP4344019B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | イオン化スパッタ方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6444099B1 (ja) |
JP (1) | JP4344019B2 (ja) |
KR (1) | KR100295705B1 (ja) |
TW (1) | TW373241B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000256845A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-19 | Anelva Corp | 薄膜作成方法および薄膜作成装置 |
JP2002012970A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-15 | Canon Inc | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
JP2002115051A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Anelva Corp | バイアススパッタリング装置 |
JP2005097672A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Anelva Corp | マルチカソードイオン化物理的気相成膜装置 |
JP2007531271A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン化物理蒸着方法 |
JP2009030175A (ja) * | 2008-10-10 | 2009-02-12 | Canon Anelva Corp | スパッタリング方法 |
JP2009133009A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-06-18 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置 |
WO2010074251A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体の製造装置 |
JP2017193770A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 国立大学法人茨城大学 | Ru成膜方法、Ru成膜装置、金属成膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造 |
WO2017199468A1 (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-23 | 株式会社アルバック | 内部応力制御膜の形成方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288696A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20090321247A1 (en) * | 2004-03-05 | 2009-12-31 | Tokyo Electron Limited | IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION (iPVD) PROCESS |
US7892406B2 (en) * | 2005-03-28 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | Ionized physical vapor deposition (iPVD) process |
US7700474B2 (en) * | 2006-04-07 | 2010-04-20 | Tokyo Electron Limited | Barrier deposition using ionized physical vapor deposition (iPVD) |
US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
US7837838B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus |
US7678710B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system |
US7645710B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system |
US7626135B2 (en) * | 2006-05-10 | 2009-12-01 | Sub-One Technology, Inc. | Electrode systems and methods of using electrodes |
JP5590886B2 (ja) | 2006-09-26 | 2014-09-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 欠陥パシベーションのための高kゲート積層構造に対するフッ素プラズマ処理 |
US20100181187A1 (en) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam pvd device, shielding device, coating chamber for coating substrates, and method of coating |
US10692706B2 (en) * | 2013-03-12 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing sputtering of a grounded shield in a process chamber |
US11121354B2 (en) * | 2019-06-28 | 2021-09-14 | eJoule, Inc. | System with power jet modules and method thereof |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1301653A (ja) * | 1969-01-02 | 1973-01-04 | ||
DE2558947A1 (de) * | 1975-12-29 | 1977-07-14 | Max Planck Gesellschaft | Mehrschichtmesselektroden |
US4353788A (en) * | 1980-08-26 | 1982-10-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | RF Sputtering for preparing substantially pure amorphous silicon monohydride |
JPS6039106A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Res Dev Corp Of Japan | 微粒子の製造方法 |
JPS62274080A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH0816266B2 (ja) | 1990-10-31 | 1996-02-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置 |
US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
DE4108001C1 (ja) * | 1991-03-13 | 1992-07-09 | Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
JPH0536685A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
DE4127317C2 (de) * | 1991-08-17 | 1999-09-02 | Leybold Ag | Einrichtung zum Behandeln von Substraten |
JP2973058B2 (ja) | 1992-07-27 | 1999-11-08 | 日本真空技術株式会社 | 高真空・高速イオン処理装置 |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP15598197A patent/JP4344019B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-20 TW TW087100824A patent/TW373241B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-01-27 US US09/013,927 patent/US6444099B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-11 KR KR1019980008076A patent/KR100295705B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000256845A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-19 | Anelva Corp | 薄膜作成方法および薄膜作成装置 |
JP2002012970A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-15 | Canon Inc | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
JP2002115051A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Anelva Corp | バイアススパッタリング装置 |
JP2005097672A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Anelva Corp | マルチカソードイオン化物理的気相成膜装置 |
JP2007531271A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン化物理蒸着方法 |
JP2009030175A (ja) * | 2008-10-10 | 2009-02-12 | Canon Anelva Corp | スパッタリング方法 |
WO2010074251A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体の製造装置 |
JP2009133009A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-06-18 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置 |
JP2017193770A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 国立大学法人茨城大学 | Ru成膜方法、Ru成膜装置、金属成膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造 |
WO2017199468A1 (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-23 | 株式会社アルバック | 内部応力制御膜の形成方法 |
KR20180086238A (ko) * | 2016-05-16 | 2018-07-30 | 가부시키가이샤 아루박 | 내부 응력 제어막의 형성 방법 |
US10975465B2 (en) | 2016-05-16 | 2021-04-13 | Ulvac, Inc. | Method of forming internal stress control film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980086529A (ko) | 1998-12-05 |
JP4344019B2 (ja) | 2009-10-14 |
KR100295705B1 (ko) | 2001-08-07 |
US6444099B1 (en) | 2002-09-03 |
TW373241B (en) | 1999-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4344019B2 (ja) | イオン化スパッタ方法 | |
JP4355036B2 (ja) | イオン化スパッタリング装置 | |
KR100301749B1 (ko) | 스퍼터링장치및스퍼터링방법 | |
US5830330A (en) | Method and apparatus for low pressure sputtering | |
JP3603024B2 (ja) | イオン化物理蒸着方法およびその装置 | |
JP4351755B2 (ja) | 薄膜作成方法および薄膜作成装置 | |
US6709553B2 (en) | Multiple-step sputter deposition | |
US20050252765A1 (en) | Method and apparatus for forming a barrier layer on a substrate | |
KR20020005512A (ko) | 마그네트론 스퍼터링 반응기의 바이어스 차폐판 | |
JP3737363B2 (ja) | 不均一性補償を伴う表面の物理的気相処理 | |
KR100284248B1 (ko) | 스퍼터링장치 | |
US20050189217A1 (en) | Method and apparatus for forming a barrier layer on a substrate | |
US20110247928A1 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
JP4326895B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP2007197840A (ja) | イオン化スパッタ装置 | |
JPH0641739A (ja) | 高真空・高速イオン処理装置 | |
JP4164154B2 (ja) | イオン化スパッタリング装置 | |
JPH1060637A (ja) | 基板上に材料を堆積する方法及び装置 | |
US20140216922A1 (en) | Rf delivery system with dual matching networks with capacitive tuning and power switching | |
JP4526139B2 (ja) | 基板処理装置及びスパッタリング装置 | |
JP4167749B2 (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
JP2001140066A (ja) | 薄膜形成方法及び形成装置 | |
JP5693175B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
JP5265309B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
JPH1180947A (ja) | イオン化スパッタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090616 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090710 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130717 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |